10 静电场中的导体和电介质

任课教师　曾灏宪

中原工学院　理学院
大学物理（下）
10 　静电场中的导体和电介质

10.1 静电场中的导体
 主要内容

 静电感应　导体的静电平衡条件
– 一般规律
– 分析静电场中的导体如何受到电场的影响，又如何反过来影响电
场的分布

 静电平衡时导体上的电荷分布
– 应用一般规律来分析一些典型情况，即静电场如何改变导体上的
电荷分布

 静电屏蔽及其应用
– 静电平衡的特性及其典型应用
 一 静电感应　导体的静电平衡条件

1. 静电感应
– 在静电场的作用下，导体中的自由电荷重新分布的现象。

B
  A 
 
例 1 ：静电感应雷
 静电感应过程与原理

 如金属导体，内部存在带正电的原子核和带负电的自由电
子，自由电子可自由运动
— — — — — — —
+ + + + + + +
— — — — — — —
+ + + + + + +
— — — — — — —
+ + + + + + +
— — — — — — —
+ + + + + + +
  外加电场
 电荷受力 —

— — — — — — —
+ + + + + + +
— — — — — — —
+ + + + + + + 
— — — — — — — E0
+ + + + + + +
— — — — — — —
+ + + + + + +
  原子核保持不动，自由电子集体向左移动 —

 形成感应电场 ，方向与 相反
—— — — — — —
+ + + + + + +
—— — — — — —
 + + + + + + + 
E' —— — — — — — E0
+ + + + + + +
—— — — — — —
+ + + + + + +
 自由电子受力 ↓
  为了看起来更清晰，我们将中间那些靠得很近的 电荷
抹掉，它们对总的电场没有影响。
—— — — — — —
+ + + + + + +
—— — — — — —
 + + + + + + + 
E' —— — — — — — E0
+ + + + + + +
—— — — — — —
+ + + + + + +
  为了看起来更清晰，我们将中间那些靠得很近的 电荷
抹掉，它们对总的电场没有影响。

— +
 — + 
E' E0
— +
— +
  当 时自由电荷停止定向移动，达到平衡状态，称为静电
平衡

—  +
E
 '
—
E0 +
  
—
E  E0  E '  0 +
— +
2. 静电平衡条件
– 从场强角度看
① 导体内部任意一点的场强为零；

② 导体表面上任何一点电场的方向垂直于该点的表面。

– 从电势角度看
①  导体内各点电势相等；
导体为等势体
②  导体表面为等势面。

1  2
E  u  0 导体表面任意 2 点的电势差
 
u  常数 u   E  dl
A B

0
例：导体对静电场分布的影响
 二 静电平衡时导体上的电荷分布

1. 实心导体 +
Q
– 如图所示，导体电荷为 Q ，在其内作
+ + +
+
一高斯面 S ，由高斯定理可得： + S+
+ + +
  1
S E  ds   0 q
S内
 结论
导体静电平衡时其内部 E  0
  
 E  dS  0
静电平衡时，净电
E  0
S
荷都分布在导体外
q  0
　
S内
表面上。
因高斯面任意，故导体内无净电荷。
2. 导体内有空腔
Q
① 空腔内无电荷
 

 E  dS  0  　 q  0
S2 B -
-
S A
++
S内
S1
同样，导体内无净电荷。

问题：会不会出现空腔内表面分布有
不均匀的等量异号电荷的情况呢？ 结论
若存在，则   电荷分布在外表面
U AB   E  dl  0
AB
上（内表面无电
而导体是等势体  
U AB   E  dl  0 荷）。
AB

矛盾  内表面不带电。
 Qq
② 空腔内有电荷
A 、对于高斯面 S1
 
 E  dS  0 S2 q
q
S1

q  0
　
S内 S1
同样，导体内无净电荷。

问题：内表面上有电荷吗？
结论
B 、对于高斯面 S2
  当空腔内有电荷 q 时,
 E  dS  0
S2 内表面因静电感应出现等
q  0
　
S内
值异号的电荷 - q ，外表
 q内  q 面增加感应电荷 + q 。
（电荷守恒）
3. 导体表面电场强度与电荷面密度的关系
  S
 E  dS 
S 0
作圆柱形高斯面 S

σ 为表面电荷面密度
E
S + + + + + +
E S  +
0 +
+ 
+ E0
 +
E
0
即

结论
表面电场强度的大小与该处表面电荷面密度成正比
4. 导体表面电荷分布

 , E  ;   E 


+ + E
+ +
0
+ ++
+ Q/S
+ 
0

注意
导体表面电荷分布与导体形状以及周围环境有关
5. 尖端放电
 E
– 带电导体尖端附近电场最强；
– 带电导体尖端附近的电场大到一定程度，可使尖端附近的空气发
生电离而成为导体，产生放电现象，即尖端放电 。
– 尖端放电现象的利与弊
• 尖端放电会损耗电能，还会干扰精密测量，对通讯产生危害 。
• 应用 ：避雷针
 三 静电屏蔽

1. 屏蔽外电场
– 空腔导体可以屏蔽外电场 , 使空腔内物体不受外电场影响。这
时整个空腔导体和腔内的电势也必处处相等。

 
E E

外电场 空腔导体屏蔽外电场
2. 屏蔽腔内电场
– 接地空腔导体将使外部空间不受空腔内的电场影响。
– 接地导体电势为零。
– 问题：
+
空间各部分的
+ +
电场强度如何
分布 ？
q
电势呢？ +
q +

+ +
+ q
 例题 1

  在电荷 +q 的电场中，放一不带电的金属球，从球心 O
到点电荷 q 所在处的矢径为 ，试问：
– （ 1 ）金属球上净感应电荷 ？
– （ 2 ）这些感应电荷在球心 O 处产生的场强 ？
 解：
(1) q’=0
(2) 静电平衡要求， +q 在 O 处产生的场强 与感应电荷在此处产
生场强的矢量和 =0 ，即
 
E  E感  0

  q 
E感   E  r 方向指向 +q
4 0 r 3

问：感应电荷在 O 处产生电势 = ？球电势 = ？选无穷远处电势 =

0。
 例题 2

若导体 A 带电 q1, 导体 B 带电 q2 ，如图所示。求：

(1) 图中 1 ， 2 ， 3 ， 4 各区域的 E 和 U 分布，并画出

E~r 和 U~r 曲线 . R3
R2
(2) 若将外球壳接地，情况如何？
R1
q2 q1 A
1 B

3 A
2 B
4
 q1  q2 (1)
R3
R2 q A  q1 qB内  q1 qB外  q1  q2
R1
 q1 q1 E1  0 E3  0
1 A B
q1 q1  q2
2 E2  E4 
3 4 r
0 2
2
4 0 r42
4

1 q1 q1 q1  q2 1 q1  q2
U1  (   ) U3 
4 0 R1 R2 R3 4 0 R3

1 q1 q1 q1  q2 1 q1  q2
U2  (   ) U4 
4 0 r2 R2 R3 4 0 r4
Er , U r 曲线
q1  q2
R3
R2
E
R1
 q1 q1
1
2
A B
U
3
4

o R1 R 2 R3 r
(2) 若将外球壳接地，情况如何？
qA  q1 qB内   q1 qB外  0 R3
R2
q1 - q1
R1
q1
E1  0 E2  E3  E 4  0 1 A B
4 0 r22 2
3
1 q1 q1 4
U1  (  ) U3  0
4 0 R1 R2
1 q1 q1
U2  (  ) U4  0
4 0 r2 R2
Er , U r 曲线

R3
R2
E
q1 - q1
R1

1 A B U
2
3
4

0 r
R1 R2 R3
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10.4 电容
 一 电容器 电容
电容器：两个带有等值异
号电荷的导体组成的系
统。
是储存电荷或电能（电势 Q Q
能）的元件。
电容：设真空中的导体 A
和 B 所带电量分别为 VB VA
+Q 和 -Q ，该系统电容
为
Q Q
C  电容器电容
VA  VB U
单位 𝟏𝐅=𝟏𝐂/𝐕
 
 
1μF  10 6 F U AB   E  dl
AB
1pF  10 12 F
  
击穿场强
电容器中的电介质能承受的最大电场强度 .
  
击穿电压
电容器中的电介质能承受的最大电压 .
Ub
Eb  （平行板电容器）
d
电容器电容的计算
1 ）设两极板分别带电  Q ；

2 ）求 E ；
3 ）求U ；
4 ）求 C .
 1 平板电容器
（ 1 ）设两导体板分别带电  Q d
（ 2 ）两带电平板间的电场强度 + -
+ -
 Q + -
E  S -
0 0S +
-
+
+
-
（ 3 ）两带电平板间的电势差
Q Q
Qd
U  Ed 
 0S
（ 4 ）平板电容器电容C  Q   S
0
U d
 2 圆柱形电容器
（ 1 ）设两导体圆柱面单位长度上 l  RB
分别带电  

（ 2 ）E  , ( RA  r  RB )
2π  0 r -+
-+ R A
R dr Q RB l
（ 3 U AB   
B
ln -+ R
R 2π r 2 π  0l RA B
） A
0
-+
Q RB
（ 4 ）电容 C   2 π  0l ln
U AB RA
 3 　球形电容器的电容
R1 和　
　　球形电容器是由半径分别为　 R2 的两同心金
属球壳所组成．
Q Q
解　设内球带正电（　　），外球带负电（　　）．
Q

 
E r ( R1  r  R2 )
4 π  0r 2 0

 
U   E  dr 
Q R2 dr ＋ ＋ 
4 π0  r2 ＋
l R1
R1
Q 1 1  ＋ ＋ 
 (  )
4π  0 R1 R2
R2
＋ r ＋

C
Q

4 0 R1 R2   *P
＋

U R2  R1
R2  , C  4π  0 R1 孤立导体球电容
 电容的大小仅与导体的形状、相对位置、其间
的电介质有关 . 与所带电荷量无关 .

为了增大电容器的电容，可在两极板间
插入电介质以减小两极板间的场强，从而减小两极
板电势差。
C   r C0
C ：有介质的电容，
C0 ：真空电容器的电容

r : 介质的相对真空电容率
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10.5 静电场的能量 能量密度

 一　 电容器的电能
q
dW  Udq  dq
C
1 Q
2
Q

+++++++++
W  qdq  
C 2C U +
0
E dq
Q ---------
C
U
1 1
W  QU  CU 2

2 2
2
电容器贮存的电能 W  Q  1 QU  1 CU 2
e
（任何形状电容器） 2C 2 2
 二 静电场的能量 　能量密度
1 1 S 1 2
We  CU 
2
( Ed )  E Sd
2

2 2 d 2
1 1
电场能量密度 we  E 
2
ED
2 2
物理意义　电场是一种物质，它具有能量 .

电场空间所存储的能量
1 2
We   we dV   E dV
V V 2
 作业

 P67: 8 ； 15 ； 17 ； 19
版权声明

本课件根据高等教育出版社《物理学教程（第二版）下
册》（马文蔚 周雨青 编）配套课件制作。课件中的图片
和动画版权属于原作者所有；部分例题来源于清华大学编
著的“大学物理题库”。由  Haoxian Zeng  设计和编写
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