FUENTES, RECEPTORES Y

AMPLIFICACIÓN ÓPTICA

- IVAN RODRÍGUEZ
FUENTES ÓPTICAS

LAS FUENTES DES LUZ PARA TELECOMUNICACIONES VÍA FIBRAS ÓPTICAS

DEBEN DE SER COMPATIBLES CON LA FIBRA: PEQUEÑAS, FÁCILES DE MODULAR
A LAS VELOCIDADES UTILIZADAS EN LOS SISTEMAS DE COMUNICACIÓN Y
CONFIABLES. DOS TIPOS DE FUENTES DE LUZ SON COMPATIBLES PARA ESTAS
APLICACIONES,
LOS DIODOS EMISORES DE LUZ (LED) Y LOS DIODOS LÁSER (LD). ESTOS
DISPOSITIVOS SON DIODOS SEMICONDUCTORES QUE OPERAN EN POLARIZACIÓN
DIRECTA Y EMITEN LUZ CUANDO LOS HUECOS Y ELECTRONES SE RECOMBINAN
EN LA ZONA ACTIVA.
• DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE EMITE LUZ CUANDO UNA CORRIENTE
ELECTRÓNICA LO ESTIMULA SE UTILIZA EN TRASMISORES DE FIBRA
MULTIMODO
 LED

UN LED ES UNA UNIÓN SEMICONDUCTORA P-N QUE EMITE LUZ CUANDO SE

POLARIZA DIRECTAMENTE.
CUANDO SE UNE UN SEMICONDUCTOR TIPO N CON UN SEMICONDUCTOR TIPO
P, SE TIENE QUE TANTO LOS ELECTRONES LIBRES EN LA REGIÓN N, COMO LOS
HUECOS LIBRES EN LA REGIÓN P NO TIENEN LA SUFICIENTE ENERGÍA PARA
SOBREPASAR LA BARRERA DE UNIÓN Y DESPLAZARSE HACIA LA REGIÓN
OPUESTA. EN ESTE PUNTO, LA ENERGÍA POTENCIAL DE LOS HUECOS, SIENDO
OPUESTA A LA DE LOS ELECTRONES PROVOCA UN INCREMENTO EN LA
BARRERA DE UNIÓN
CONSTRUCCIÓN
EXISTEN DOS TIPOS DE LED UNO QUE EMITE LA LUZ A TRAVÉS DE LA
SUPERFICIE DE LA ZONA ACTIVA Y OTRO QUE EMITE A TRAVÉS DE LA SECCIÓN
TRANSVERSAL.
LA POTENCIA ÓPTICA GENERADA POR UN LED ES LINEALMENTE
PROPORCIONAL A LA CORRIENTE QUE CIRCULA POR EL DISPOSITIVO CUANDO
ES DIRECTAMENTE POLARIZADO. TÍPICAMENTE UN LED OPERA ALREDEDOR DE
LOS 50 A 100 MA Y REQUIERE UN VOLTAJE DE 1.2 A 1.8V.
LOS LÁSERES DE SEMICONDUCTOR PUEDEN CONSIDERARSE LÁSERES DE 4
NIVELES CON ENSANCHAMIENTO HOMOGÉNEO, SIMILARES A LOS LÁSERES DE
COLORANTE, EN LOS QUE LA TRANSICIÓN DE EMISIÓN DE
FLUORESCENCIA/LÁSER SE EFECTÚA ENTRE LA BANDA DE CONDUCCIÓN Y LA
DE VALENCIA EN UNA UNIÓN P-N
 EL DIODO LÁSER

LOS DIODOS LÁSER SON SEMICONDUCTORES COMPLEJOS QUE CONVIERTEN LA

SEÑAL ELÉCTRICA EN SEÑAL DE LUZ. LA CORRIENTE INYECTADA EN LA UNIÓN
P-N SEMICONDUCTORA POLARIZADA CON DC SE TRANSFORMA EN SEÑAL
LUMINOSA DEBIDO A LA COMBINACIÓN INTERNA DE LOS ELECTRONES
INYECTADOS. EL RESULTADO ES QUE LA POTENCIA ÓPTICA A LA SALIDA DEL
DISPOSITIVO ES CAPAZ DE SEGUIR (HASTA UNA CIERTA VELOCIDAD IMPUESTA
POR SU ANCHO DE BANDA DE MODULACIÓN) LAS VARIACIONES TEMPORALES
DE LA CORRIENTE ELÉCTRICA DE INYECCIÓN, DONDE SE EMPLEA ESTE EFECTO
PARA REGULAR LA LUZ, LA COMBINACIÓN SE PRODUCE POR EMISIÓN
ESTIMULADA
 FUNCIONAMIENTO

CUANDO EL DIODO ES DIRECTAMENTE POLARIZADO, LAS CARGAS SON

INTRODUCIDAS DENTRO DE LA CAPA ACTIVA DONDE LA RECOMBINACIÓN
TIENE LUGAR CAUSANDO LA EMISIÓN ESPONTÁNEA DE FOTONES, CASO
SEMEJANTE AL EXPLICADO PARA LA EMISIÓN DEL LED, SÓLO QUE ALGUNAS
DE LAS CARGAS INTRODUCIDAS DENTRO DEL SEMICONDUCTOR SON
ESTIMULADAS PARA EMITIR OTROS FOTONES. SI LA DENSIDAD DE CORRIENTE
ES LO SUFICIENTEMENTE ALTA, ENTONCES UN GRAN NÚMERO DE CARGAS
INTRODUCIDAS ESTÁN DISPONIBLES PARA ESTIMULAR LA RECOMBINACIÓN.
ENTONCES DE ESTE MODO LA GANANCIA ÓPTICA SE HACE MAYOR.
 CONSTRUCCIÓN

LA CONSTRUCCIÓN DE LOS DIODOS LÁSER TIENE UNA ESTRUCTURA MUY

SIMILAR A LOS DIODOS EMISORES DE LUZ. LA CAVIDAD LÁSER, TÍPICAMENTE
DE 300 NM, SE CONFORMA AL PEGAR A LO LARGO DE LAS CARAS FRONTAL Y
SUPERIOR DEL SEMICONDUCTOR PLANOS CRISTALINOS PARALELOS. POR
MEDIO DE ESTO, SE LOGRA UNA CANTIDAD IMPORTANTE DE REFLEXIÓN QUE
PROVEE LA SUFICIENTE REALIMENTACIÓN PARA QUE SE PRESENTE LA
OSCILACIÓN Y SE GENERE ASÍ LA EMISIÓN ESTIMULADA.
OTRO TIPO DE ARQUITECTURA QUE SE UTILIZA ES EL VCSEL QUE EMITE LA LUZ
LÁSER VERTICALMENTE DESDE SU SUPERFICIE Y TIENE UNA CAVIDAD
VERTICAL. SU FUNCIONAMIENTO ES BASTANTE SEMEJANTE AL DE UN DIODO
LÁSER SEMICONDUCTOR DE FLANCO EMITIDO. EL CORAZÓN DE ESTE LÁSER ES
UNA REGIÓN ACTIVA QUE EMITE LUZ. CAPAS DE MATERIALES
SEMICONDUCTORES SOBRE Y DEBAJO DE LA REGIÓN ACTIVA CREAN ESPEJOS.
CADA ESPEJO REFLEJANTE PRODUCE UN ESTRECHO RANGO DE LONGITUDES
DE ONDA REGRESANDO A LA CAVIDAD CAUSANDO UNA EMISIÓN DE LUZ DE
UNA SIMPLE LONGITUD DE ONDA.