TRANSISTOR

R A N I S U S A N T I ( 2 2 111 5 1 0 6 9 )
A I S YA H N U R U L K H A I R I YA H ( 2 2 111 5 1 0 7 2 )
Transistor pada frekuensi tinggi
1. The hybrid-Pi (II) Common-Emitter Transistor Model
2. Hybrid-II Conductances
3. Kapasitansi hibrida-II
4. Validitas Model hibrida-II
5. Variasi Parameter hibrida-II
6. Gain Arus Pendek CE
7. Gain Saat Ini dengan beban resistif
8. TAHAPAN TUNGGAL CE TRANSISTOR AMPLIFIER RESPON
9. PRODUK BANDWIDTH BANYAK
10. EMITTER FOLLOWER PADA FREKUENSI TINGGI
1. The hybrid-Pi (II) Common-
Emitter Transistor Model

Gambar Model hibrida-II untuk transistor dalam konfigurasi CE.

2. Hybrid-II Conductances

Jika parameter CE h pada frekuensi rendah diketahui pada IC

pengumpul arus yang diberikan, konduktansi atau tahanan dalam
rangkaian hibrid-II dapat dihitung dari lima persamaan tersebut
3. Kapasitansi hibrida-II
Kapasitor kolektor-persimpangan Cc = Cb'c adalah
kapasitansi keluaran CB yang diukur dengan input terbuka
(IE = 0), dan biasanya ditentukan oleh produsen sebagai
Cob. Karena di daerah aktif persimpangan kolektor terbalik-
bias, maka Cc adalah kapasitansi transisi dan bervariasi
sebagai VCE, di mana n adalah ½ atau 1/3 untuk
persimpangan mendadak atau bertingkat, masing-masing.
4. Validitas Model hibrida-II

untuk gm dan Ce diasumsikan bahwa VBE berubah cukup

lambat sehingga distribusi muatan pembawa minoritas di
wilayah basis selalu berbentuk segitiga, Jika distribusi tetap
segitiga di bawah berbagai VBE, maka kemiringan pada x = 0
sama dengan pada x = w, dan karenanya arus emitor dan
kolektor adalah sama. Akibatnya, model hibrida berlaku
dalam kondisi dinamis ketika laju perubahan VBE cukup kecil
sehingga arus basis tambahan Ic.
5. Variasi Parameter hibrida-II
Ketergantungan rbb ’di | Ic | dan suhu membutuhkan beberapa
penjelasan. Penurunan rbb ’dengan | Ic | adalah karena modulasi
konduktivitas dasar dengan meningkatkan arus kolektor. Sebaliknya,
rbb ’meningkat dengan meningkatnya suhu karena mobilitas
pembawa mayoritas dan minoritas menurun, dan ini menghasilkan
penurunan konduktivitas. Peningkatan suhu tinggi dengan suhu telah
ditentukan secara eksperimental, sedangkan peningkatan dengan |
VCE | adalah karena penurunan lebar dasar dan pengurangan
rekombinasi yang meningkatkan transistor alpha
6. Gain Arus Pendek CE
Sirkuit ekivalen perkiraan yang digunakan untuk menghitung gain
arus hubung pendek ditunjukkan pada Gambar
 7. Gain Saat Ini dengan beban resistif

Dengan pemeriksaan Gambar 11-9b, K = Vce / Vb'e = -gmRL. Untuk gm = 50mA / V dan RL = 2000 Ω, K = -100. Untuk nilai
maksimum K, konduktansi gb'c (1-K) ≈ 0,025 mA / V dapat diabaikan dibandingkan dengan gb'e ≈ 1mA / V. Oleh karena itu
rangkaian Gambar 11-9a direduksi menjadi seperti yang ditunjukkan pada Gambar 11-9b. Resistansi beban RL telah dibatasi ke
nilai maksimum 2 K karena, nilai-nilai dari RL jauh di atas 2000 Ω, kapasitansi Cc (1 + gmRL) menjadi terlalu besar dan
bandpass kecil yang sesuai.
8. TAHAPAN TUNGGAL CE
TRANSISTOR AMPLIFIER RESPON
Impedansi Masukan Miller
Dalam kapasitansi C Miller kami menggunakan nilai frequenct rendah
| K | = gmRL. Karena ini adalah nilai maksimum K, terlalu besar nilai
C yang digunakan, dan kita harus berharap untuk mendapatkan nilai
fH yang terlalu kecil. Namun, seperti yang disebutkan di atas,
pendekatan kutub tunggal memberikan nilai f2 yang terlalu besar
(3.0MHz daripada nilai 2.8MHz yang benar). Anomali jelas ini
diselesaikan jika memperhitungkan ketergantungan frekuensi K
dalam menghitung input masuk Yi
 9. PRODUK BANDWIDTH
BANYAK

produk meningkat dengan meningkatnya RL dan menurun dengan meningkatnya Rs. Bahkan jika kita tahu produk gain bandwidth
pada Rs dan RL tertentu, kita tidak dapat menggunakan produk untuk menentukan peningkatan, katakanlah, dalam bandwidth
yang sesuai dengan pengorbanan yang didapat. Karena jika kita mengubah gain oleh changung Rs atau RL atau keduanya,
umumnya, produk gain bandwidth tidak akan lagi sama seperti sebelumnya.
10. EMITTER FOLLOWER PADA
FREKUENSI TINGGI
Penghasilan frekuensi rendah dari pengikut emitor dekat
dengan kesatuan: K ≈ 1 dan 1 - K ≈ 0. Oleh karena itu waktu
input konstan ri ≈ (Rs + rbb' ) Cc. Waktu output ro konstan
propotional ke CL, dan karena kita berasumsi bahwa beban
sangat kapasitif, maka ro >> ri. Oleh karena itu, frekuensi 3-
dB atas ditentukan, ke pendekatan yang baik, oleh rangkaian
output saja.