Leccin 4

EL MOSFET DE POTENCIA

Sistemas Electrnicos de Alimentacin 5 Curso. Ingeniera de Telecomunicacin

El transistor de Efecto de Campo Metal-xido-Semiconductor Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) Es un dispositivo unipolar: la conduccin slo es debida a un tipo de portador

G
EL MOSFET DE POTENCIA

Canal N

Conduccin debida a electrones

S
D G S
Los ms usados son los MOSFET de canal N
La conduccin es debida a los electrones y por tanto, son ms rpidos Canal P Conduccin debida a huecos

Curvas caractersticas del MOSFET

Referencias normalizadas

Curvas de salida ID [mA]

D
EL MOSFET DE POTENCIA

ID

G + VGS -

+ VDS S -

4
2

VGS = 4,5V

VGS = 4V
VGS = 3,5V
VGS = 3V VGS = 2,5V

VDS [V]

6
VGS < VTH = 2V

Curvas de entrada: No tienen inters (puerta aislada del canal)

Curvas caractersticas del MOSFET

ID
2,5KW
D

ID [mA] 4
VGS = 4,5V VGS = 4V

EL MOSFET DE POTENCIA

+
VGS

+ VDS -

2
10V

VGS = 3,5V
VGS = 3V VGS = 2,5V

12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V

VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V Comportamiento resistivo Comportamiento como fuente de corriente Comportamiento como circuito abierto

Precauciones en el uso de transistores MOSFET

S
N+ P-

D
N+
+

D G S

EL MOSFET DE POTENCIA

Substrato El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos

El xido se puede llegar a perforar por la electricidad esttica de los dedos. A veces se integran diodos zener de proteccin.
Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los MOSFET de enriquecimiento.

Encapsulados de MOSFET

D 61 TO 220

EL MOSFET DE POTENCIA

TO 247

TO 3

Parmetros fundamentales para seleccionar un MOSFET

Tensin de ruptura

Resistencia en conduccin
Corriente mxima

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales

EL MOSFET DE POTENCIA

Baja tensin 15 V 30 V 45 V 55 V 60 V 80 V

Media tensin 100 V 150 V 200 V 400 V

Alta tensin 500 V

600 V
800 V 1000 V

Resistencia en conduccin (RDSon)

Es el parmetro ms importante en un MOSFET El MOSFET en conduccin se modela utilizando la RDSon

D
G
EL MOSFET DE POTENCIA

RDSon S

Cuanto ms baja es la resistencia, mejor es el transistor Este parmetro est directamente relacionado con la tensin de ruptura y con la capacidad de manejar corriente

VDS ID

RDSon
RDSon

Ejemplos de MOSFETS comerciales

VDS IRF 3205 IRF 1405 IRF 520 55 V 55 V 100 V 100 V 500 V 500 V 1000 V 1000 V

ID 110 A 169 A 10 A 75 A 8A 20 A 3A 6A

RDSon 8 mW 5.3 mW 180 mW 25 mW 850 mW 270 mW 5W 2W

EL MOSFET DE POTENCIA

IRF 3710 IRF 540 IRFP 460 IRFPG 30 IRFPG 50

Caractersticas de puerta
El correcto manejo de la puerta es fundamental para utilizar un MOSFET Hay una tensin mnima para ponerlo en conduccin: tensin umbral

Threshold voltage: VGS(th)

Valores tpicos: 3 5 V

EL MOSFET DE POTENCIA

Hay una tensin mxima de puerta. Por encima de ese valor, se destruye Valores tpicos: 15 V, 20 V El circuito equivalente entre puerta y fuente se modela como un condensador (Ciss)

D G S
Orden de magnitud: nF (Ciss)

Caractersticas de puerta
Cuanto ms alta es la tensin de puerta, menor es la RDSon Interesa manejarlo con la tensin ms alta posible (dentro del margen) Curvas de salida reales de un MOSFET Influencia de la temperatura 25 C 175 C

EL MOSFET DE POTENCIA

Caractersticas de puerta
Para hacer que el MOSFET se abra y se cierre, debemos cargar y descargar el condensador de puerta

D G S
EL MOSFET DE POTENCIA

Energa utilizada en cargarlo:

1 2 Ciss VGS 2

Esa energa se pierde y, por tanto, el hecho de manejar el MOSFET implica prdidas

PG

1 1 2 Ciss VGS 2 T

Caractersticas fundamentales
Resistencia Trmica

j
EL MOSFET DE POTENCIA

RTHjc

RTHca

c
P (W)

Ta

Ta : Temperatura ambiente Los valores dependen fundamentalmente del tipo de encapsulado

Caractersticas dinmicas
La rapidez de las conmutaciones depende en gran medida del modo en que se maneje la puerta

D
El diodo parsito es lento.

G S
EL MOSFET DE POTENCIA

Si el diodo est conduciendo, aunque el MOSFET se abra, el diodo puede seguir conduciendo un cierto tiempo

En un MOSFET hay en total tres capacidades parsitas:

Cgs, Cgd y Cds. A partir de ellas se definen las capacidades Ciss, Crss y Coss.
Cgd

D
Cds

G
Cg
s

Valores reales

Caractersticas dinmicas
Las capacidades parsitas influyen fuertemente en las conmutaciones D

VDS Cds VDS

VDSmax
0V

Cgd
G S

VGS

EL MOSFET DE POTENCIA

1 2 Coss VGS 2

VGS

Se necesita una cierta cantidad de energa para cargar los condensadores Efecto Miller Al cargar el condensador de puerta se produce un cambio en la impedancia del condensador Ciss, debido a Crss.

VGS
Forma de onda que genera este cambio de impedancia QGD

Caractersticas dinmicas
Definicin de tiempos de conmutacin

VDS
90%

VGS

10%

EL MOSFET DE POTENCIA

td(on) tF
tR : tiempo de subida
tF : tiempo de bajada

td(off)

tR

td(on) : Retraso de encendido td(off) : Retraso de apagado

Caractersticas dinmicas
Las conmutaciones no son ideales Durante un cierto tiempo conviven tensin y corriente

VGS
VGS(th)

VDS
EL MOSFET DE POTENCIA

ID

PMosfet PRDIDAS

Caractersticas dinmicas
Prdidas de conduccin

ID

G S

RDSon
T

Pconduccin = RDSon Ief2

EL MOSFET DE POTENCIA

Prdidas de conmutacin

PMosfet Clculo del valor medio de la forma de onda