PROPIEDADES DE LOS

SEMICONDUCTORES
Propiedades Opticas
ESPECTROS DE FONONES MEDIDOS EN Ge, Si Y GaAs

TO significa modos ópticos transversales,

LO significa modos ópticos longitudinales.
TA significa modos acústicos transversales
LA modos acústicos longitudinales.
 Propiedades Termicas

Coeficientes de absorción medidos cerca y por encima del Conductividad térmica en función de la temperatura medida
borde de absorción fundamental para Ge, Si y GaAs puros para Ge, Si, GaAs, Cu, Diamante tipo IIy SiO2.
 ECUACIONES BÁSICAS DE OPERACIÓN DE
LOS COMPONENTES SEMICONDUCTORES.
ECUACIONES DE MAXWELL PARA UN MEDIO ISÓTROPO HOMOGÉNEO

ECUACIONES DE DENSIDAD DE CORRIENTE

ECUACIONES DE CONTINUIDAD
 LA UNIÓN PN
TÉCNICAS DE FABRICACIÓN

Unión de aleación.
Al colocar un material tipo p (aluminio) sobre
un material tipo n y aplicarles calor a ambos
Podemos lograr que se fundan formando así
Una aleación que cuando se enfría forma una
Unión tipo n-p

Unión tipo mesa difundida.

Al colocar impurezas aceptoras sobre el material

de tipo n y aplicarle calor logramos que la impurezas
Aceptoras se difunda en el material tipo n formando
Así una capa tipo p y a su ves formando una unión
Tipo n-p
Unión de plana difundida sobre
sustrato epitaxial.
Como se puede observa tenemos un material de
Tipo n+ lo cual nos indica un dopado muy elevado
Y por lo tanto baja resistividad, sobre esta se deposita
una capa tipo n por metodo de difusión luego aplicamos
Una capa tipo p mediante el metodo de difusión
Formándose así la unión de tipo n-p

Implantación iónica.

En este método, primero se ionizan las impurezas,

luego se aceleran para que adquieran alta energía, se
introducen en el Si con el ángulo adecuado y por
último se reordena la estructura.
 REGION DE VACIAMIENTO
Región de
Región p Región n
vaciamiento

++++++++
++++++++ Densidad neta
de dadores
++++++++
- - - -
Densidad neta - - - -
de aceptores
- - - - Densidad de carga debido a
impurezas iónicas sin neutralización
- - - -

A la region libre de portadores móviles, se la suele denominar región

de agotamiento o región de vaciamiento.
Unión con asimetría fuerte, a-Diagrama de banda de energía, b-
Distribución de campo eléctrico, c-Distribución de carga espacial.
 UNION LINEAL

Anchura y capacidad de la capa de vaciamiento por unidad

de área en función del gradiente de impurezas para la unión
gradual lineal en Si. La línea intercortadas para el caso de
tensión de polarización cero.

Unión gradual lineal en equilibrio térmico, a-Distribución

de carga espacial, b-Distribución de campo eléctrico, c-
Variación del Potencial con la distancia, d-Diagrama de
Banda de Energía.
 CURVA CARACTERISTICA
CORRIENTE -TENSION
Diagrama de Banda de Energía, Nivel intrínseco de Fermi (ψ), Pseudo nivel de Fermi (Φn para
electrones, Φp para huecos) y distribución de portadores bajo

-La condición de polarización directa -La condición de polarización inversa.

 CORRIENTE -TENSION
Distribución de portadores y densidades de corriente

La condición de polarización directa La condición de polarización inversa.

Curva característica ideal corriente-tensión

a-Graficación lineal
b-Graficación semilogarítmica.
 PROCESOS DE GENERACION Y
RECOMBINANCION
Curva Característica Corriente-Tensión de un diodo de Si práctico

a-Región de corriente de generación-recombinación

b-Región de difusión de corriente
c-Región de alta inyección, d-Efecto de resistencia serie
e-Corriente de fuga inversa debida a la generación-recombinación y a los
efectos superficiales.
 LA CONDICION DE ALTA INYECCION

Concentración de portadores, nivel intrínseco de Fermi (ψ) para una

unión p-n operando para diferentes densidades de corriente:
a-10A/cm2
b-103A/cm2
c-104Acm2
RUPTURA DE UNION
INESTABILIDAD TERMICA

Curva Característica de corriente

inversa-tensión para ruptura
térmica, donde Vu es la Tensión de
reversa

Nota: La dirección de las

coordenadas es opuesta a la
convencional
 EFECTO TUNEL
Curva Característica Corriente-Tensión
de la ruptura por efecto Túnel

Este efecto es responsable de la

ionización de los átomos bajo la
influencia de los campos
magnéticos fuertes. Los electrones
superan la atracción del núcleo
atómico por un túnel a través de una
"pared de potencial".
MULTIPLICACION POR AVALANCHA

Tensión de avalancha de ruptura

en función de la concentración de
impurezas para una unión
abrupta unilateral de Ge, Si, GaAs
y GaP con orientación (100).La
línea intercortada indica el
dopado máximo mas allá de la
cual el mecanismo túnel domina
la respuesta característica de la
ruptura de tensión.
 MULTIPLICACION POR AVALANCHA

Tensión de ruptura de avalancha en función

del gradiente de impurezas para uniones
ordenadas linealmente de Ge, Si. GaAs y
GaPorientadas en dirección (100). La línea
intercortada indica el gradiente máximo mas
alládel cual se establece el mecanismo túnel.

Dependencia que muestra la orientación de la

tensión de ruptura de avalancha en una unión
abrupta unilateral de la unión GaAs.
 RESPUESTA TRANSITORIA Y RUIDO
RESPUESTA TRANSITORA

a-Circuito de conmutación básico, b-Respuesta transitoria, c-Tensión de la

unión en función del tiempo, d-Distribución de portadores minoritarios
para varios intervalos de tiempo.
 RUIDO
• El término “Ruido” está relacionado con las fluctuaciones espontáneas
durante la circulación de la corriente o de las caídas de tensiones en barreras
semiconductoras en materiales o dispositivos.• Dado que los dispositivos
especialmente se usan para medir pequeñas cantidades físicas o para
amplificar pequeñas señales, las fluctuaciones de las corrientes y de las
tensiones se convierten en un límite de la exactitud de las respectivas
cantidades a ser medidas o amplificadas.• Es importante conocer los factores
que producen este límite para optimizar las condiciones de funcionamiento
con este conocimiento y encontrar nuevos métodos y nuevas tecnologías
para reducir el ruido