CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ

(Electronic Devices)

1
Phần 2: Tiếp xúc P-N và diode bán dẫn: cấu trúc,
nguyên lý hoạt động, phân tích các mạch ứng dụng
CONTENT

1 Tiếp xúc P-N và diode bán dẫn

2 Video và Link liên quan

3 Bài Tập Về Nhà

3
1 Tiếp xúc P-N và diode bán dẫn

4
 1 TIẾP XÚC P-N

1.1. Nguyên lý làm

 việc
Khi tiếp xúc P-N được phân
chưa cực
Etx, Itr

+ + + + + - - - - -
+ P + + - - N -
+ + + + + -
- - - -

Ikt

Khi đạt đến trạng thái cân bằng động, Ikt=Itr , dòng qua tiếp
xúc bằng 0, hiệu thế tiếp xúc là 0.1V đối với Ge và 0.4 V đối với Si.
 1 TIẾP XÚC P-N

1.1. Nguyên lý làm

 việc
Khi tiếp xúc p-n phân cực nghịch
được
Etx

+ + + + - - - - -
+ P + +
-
- N -
+ + + + - - - -
+
Eng
-
+- +

Khi phân cực nghịch tiếp xúc thì không có dòng chạy qua.
 1 TIẾP XÚC P-N

1.1. Nguyên lý làm

 việc
Khi tiếp xúc p-n phân cực thuận
được
Etx

+ + + + - - - - -
+ P + +
-
- N -
+ + + + - - - -
+
Eng
-
+
+ -

Khi phân cực thuận tiếp xúc thì có dòng chạy qua tiếp xúc p-n.
 1 TIẾP XÚC P-N

1.1. Nguyên lý làm

 việc
Khi tiếp p-n được phân cực
xúc thuận
dòng điện và điện áp giữa hai đầu tiếp xúc:
Quan hệ giữa v
 qv  
D

iD  IS  KT 1  IS  e T 1
D
V

e   
 
Trong
đó: 
• vD: Điện áp ở hai đầu tiếp xúc.
• IS: dòng bão hoà ngược.
• K: hằng số Boltman, K =1,38.10-23J/0K.
• q : điện tích của hạt dẫn, q=1,6.10-19C
• VT: thế nhiệt ở nhiệt độ phòng VT =KT/q= 25,5mV
Tiếp xúc p-n chỉ cho dòng điện chạy qua một chiều từ p đến
n
 1 TIẾP XÚC P-N

1.2. Đặc tuyến V- A

Đặc tuyến V-A của tiếp p-n mô tả mối quan hệ giữa dòng và
điệnxúc
áp trên hai đầu tiếp xúc.
ID
Thuận

VB I0 VD
R
Ngược V0

Đánh
thủng
 2 ĐIỐT BÁN DẪN

2.1. Cấu tạo vàký hiệu

+ - -
A + + + - - -
K
+ P + +
-
- N -
+ + + + - - - -
+

-
Anode (A) Kathode
P + N (K)

Anode (A) Kathode (K)

 2 ĐIỐT BÁN DẪN

2.2. cực thuận cho Diode

Phân
UAK > 0

A K

Khi phân cực thuận thì diode cho dòng điện chạy qua
Trong thực tế để diode cho dòng điện chạy qua thì điện áp
chênh lệch giữ hai cực đạt đến điện áp ngưỡng (0,6V với Diode loại
Si hoặc 0,3V với Diode loại Ge).
 2 ĐIỐT BÁN DẪN

2.2. cực ngượccho Diode

Phân
UAK < 0

Khi phân cực ngược thì diode không cho dòng điện chạy qua

Diode có thể chịu được điện áp ngược rất lớn (có thể lên đến
hàng 1000V) thì diode mới bị đánh thủng.
 2 ĐIỐT BÁN DẪN

2.4. Đặc tính Vôn-Ampe của diode bán

dẫn
 Đặc tính Vôn-Ampe của diode lý
Diode
tưởnglý tưởng được xem như một công tắc.
ID

VD
0
 Link Video về cấu tạo và nguyên lý làm việc Diode

https://www.youtube.com/watch?v=qtZ6PACzvQk

https://www.youtube.com/watch?v=UjF5p0IDkwg

https://www.youtube.com/watch?v=aJ23Owvgdyc

14
 2 ĐIỐT BÁN DẪN

2.4. Đặc tính Vôn-Ampe của diode bán

dẫn
 Đặc tínhVôn-Ampecủa diodethực tế

Thuận
(UAK>V0)

VB I0 VD
R
Ngược V0
(UAK<V0
Đánh thủng )
(UAK≥VBR)
 2 ĐIỐT BÁN DẪN

2.5. Các tham số tĩnh của

điôt.
 Điện trở một chiều hay còn gọi là điện trở tĩnh:
R0
Là điện trở của điôt khi làm việc ở chế độ nguồn một chiều.
V
R0 =
I
 Nội trở động Ri: (Dynamic
Resistance)
ΔV
Ri =  cotag
ΔI
 Điện dung của điôt:
Cd
Điện dung của tiếp xúc P- N gồm có 2 thành phần là điện dung rào
thế C0 và điện dung khuếch tán Ckt.
Cd = C0 + Ckt
 2 ĐIỐT BÁN DẪN

2.6. Diode ổn áp (diode Zenner)

Diode Zener có cấu tạo tương tự Diode thường, gồm có hai lớp
bán dẫn P - N ghép với nhau, nhưng nồng độ tạp chất cao hơn.

ID
Thuận

VZ=Vzener VD

Ngược V0
 2 ĐIỐT BÁN DẪN

2.6. Diode ổn áp (diode

Zenner)
Ví dụ mạch dùngdiodeổnáp

Để điốt zener hoạt động trong điều kiện đánh thủng, điốt zener được phân cực ngược bằng cách kết nối cực cathode
của nó với cực dương của nguồn điện đầu vào.
Một điện trở nối tiếp (giới hạn dòng) RS được mắc nối tiếp với điốt zener để dòng điện chạy qua diode nhỏ hơn định
mức dòng điện tối đa của nó. Nếu không, điốt zener sẽ bị cháy, giống như bất kỳ linh kiện nào do tiêu tán công suất quá
lớn.
Nguồn điện áp VS được kết nối vào ngõ vào của mạch. Ngoài ra, để giữ cho diode hoạt động trong điều khiện đánh
thủng, điện áp nguồn VS phải lớn hơn điện áp đánh thủng zener VZ.
Điện áp ổn định ở ngõ ra Vout cũng chính là điện áp trên điốt zener.
 2 ĐIỐT BÁN DẪN

2.7. Diode xung

Trong các bộ nguồn xung thì ở đầu của biến áp xung, ta phải
dùngraDiode xung để chỉnh lưu. Diode xung là diode làm việc ở tần
số cao khoảng vài chục KHz.
Về đặc điểm, hình dáng thì Diode xung không có gì khác biệt
với Diode thường, tuy nhiên Diode xung thường có vòng đánh dấu
đứt nét hoặc đánh dấu bằng hai vòng.

2.8. Diode schottky

Điốt Sốtky sử dụng tiếp xúc bán dẫn - kim loại. Thời gian phục
hồi chức năng ngắt của điốt Sốtky có thể đạt tới 100psec. Điện áp
phân cực thuận cho điôt Sôtky khoảng UD = 0,4V, tần số làm việc
cao đến 100 GHz.
 2 ĐIỐT BÁN DẪN

2.9. Diode Phát quang ( Light Emiting Diode : LED )

Diode phát phang hay còn gọi là LED là diode phát ra ánh sáng
khi được phân cực thuận, điện áp làm việc của LED khoảng 1,7 đến
2,2V dòng qua Led khoảng từ 5mA đến 20mA

2.10. Diode Thu quang. ( Photo Diode )

Diode thu quang hoạt động ở chế độ phân cực nghịch, vỏ diode
có một miếng thuỷ tinh để ánh sáng chiếu vào mối P - N, dòng
điện ngược qua diode tỷ lệ thuận với cường độ ánh sáng chiếu vào
diode.
3 MỘT SỐ HÌNH ẢNH CỦA ĐIỐT
Bài thực hành số 1

Mô phỏng đặc tính I-V của diode Si, Ge, GaAs có các tham số sau:
ND= 1x1015 cm-3, NA= 1x1018 cm-3
T=300K, phân cực thuận cho diode Vapplied voltage = 0.1V

22
 2014 年度 No.2 / OKM 1 2
2014 年度 No.2 / OKM

Si モノリシック集積回
路
 モノリシック (monolithic) ＝ 1 枚の基板上に作
pn 接合とダイオー 製

ド p 型領
域
n 型領
半導体デバイスの基本構成要素 域

pn junction diode

バイポーラ ダイオード MOSFET

トランジスタ

2014 年度 No.2 / OKM

2014 年度 No.2 / OKM 4

電荷中性条件 粒子の拡散 (diffusion)

 均一な半導体中では，正電荷量＝負電荷量  粒子が濃度の高い領域
から低い領域に向かう
プラスで動けない （ ドナー） プラスで動ける （ 孔）
マイナスで動ける 伝
（ 導電 マイナスで動けない 正
（ クセプタ） 流れ．
子） ア
粒子密度が高い 粒子密度が低い
 電荷の符号には関係な
い．
 異なる粒子が混ざって
いても，それぞれ独立．

n p この面を通過する粒子数は、
左→右 の方が多い。
 2014 年度 No.2 / OKM 5 6
2014 年度 No.2 / OKM

キャリアの再結合 (recombination ） n 型と p 型をくっつけると・

・
 伝導電子 ( はみ出しもの ) と正孔 ( 抜けた場所 ) が出会うと元
 均一な n と p 型の接合を考える．
の鞘 に収まる（必ず１対１のペアで起こる）．
「階段接合」
 まず，電子は右へ，正孔は左へ拡
散し始める．
 伝導電子と正孔が再結合
（ recombination) し消滅す
る．
 そうすると，キャリアの枯渇した
空乏層 (depletion layer) が形成
される．
 では，この過程がどんどん進み，
全領域からキャリアが無くなって
動けない正電荷 動けない負電荷 しまうのだろうか ?
ドナーイオン： アクセプタイオン：

2014 年度 No.2 / OKM

2014 年度 No.2 / OKM 8

熱平衡状態とは エネルギーバンド図を使った説明

 液面の位置 ( フェルミ準位： EF) は， n 型の方が高い．

 拡散と電界の力が釣り合った状態が熱平衡 (thermal equilibrium) ．
 電子は p 型の方に移動．
 拡散現象は，フェルミ準位の差によって説明される．

n p
型 拡散 型
EC
＋＋＋＋＋＋
EF

再結合

－ － － －
拡散により電子を 電界により電子を －
押し出す力 EV
押し戻す力
拡散
 2014 年度 No.2 / OKM 9 10
2014 年度 No.2 / OKM

n 側の電子エネルギーが下が 熱平衡では液面は水平
る
 n 側：電子が消滅 → 正電荷残留 → 電位の上昇 → 電子エネルギー減少．
 n 型中の伝導電子にとっては， qVD のエネルギーの壁が！
 p 側：正孔が消滅 → 負電荷残留 → 電位の下降 → 電子エネルギー増加．
 p 型中の正孔にとっても， qVD のエネルギーの壁．

n型
EC EC
＋＋＋＋＋＋
EF qVD
n p Ei p
型 型 ECn  EF q p 型
EF
qn EF EVp
— － － － EV
EV －

2014 年度 No.2 / OKM 2014 年度 No.2 / OKM

pn 接合への電圧印加 バイアス電圧によるエネルギー障壁の変化
– 順方向，逆方向 −

 順方向 (forward) バイアス  逆方向 (reverse) バイアス

 電界を積分すると電位差 ( エネルギー差 ) になる．
n 型には n (negative: 負 )  n 型には p (positive: 正 )
極 p 型には p (positive: 極
順方向バイアス 逆方向バ
正)極 p 型には n (negative: 負 ) 極
イアス
 空乏層が縮まる．  空乏層が拡がる．

 電流が流れる．  電流は流れない．

n p n p
型 型 型 型

拡散 電界

空乏層中の電界が弱まる 空乏層中の電界は強くなる
 2014 年度 No.2 / OKM 13 2014 年度 No.2 / OKM

電子のエネルギー分布による
電子のエネルギー分布 ダイオード特性の説明

 フェルミ分布 ( 金属はこれに近  半導体 (n 型 ) 中の電子分  一番高いレベル (p 型の伝導帯下端 ) 以上の電子だけが自由に往来可能．

い)
布
1 E  EC
f (E ) N C (E )f (E ) この分が残る
 E E    E  E F （逆方向飽和電流） 往来可能な電子の
1  e xp   kT F  1  exp  
 kT  数は両方向同数！
EC
指数関数の積分
電子の占有確率 電子の個数
1 p
電子エネルギー

伝導帯 型
E Fp
0.5 n
EV
qV 型
E 0
EC
禁制帯
F

EV E Fn
-0.5

-1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
価電子帯
Fermi 分布関数 逆バイアス (V < 0) 熱平衡 (V = 0) 順バイアス (V > 0)
電子の液面 ＝ Fermi 準位 正孔の個数

2014 年度 No.2 / OKM

2014 年度 No.2 / OKM 16

pn 接合は整流性を示 片対数 (semi-log) 目盛で表す

す と
  V   kT 1
I  I 0   exp   1  0.025 [V] @300 K 10  順方向は，傾きが
   kT /   q
q 10 -1 60 [mV ／ 1 桁 ] の直線になる．

 I 0  exp  
 V 
   1
kT
 0.0 25 [V
I
I kT q @300 K
  /q  ] 10 -3 順方向 V V
E C
I  I 0  [e k T / q  1]   I e
forward
kT / q
0

10 -5

（A）
q
E Fp
log e I  log eI 0  kT V
V

電流
-7
E V
10
qV
順方向電流は電圧の指数関数で増
加．
逆方向
E Fn
10 -9 V  V

10  I  I0  e kT / q
kT
 0.025 [V] @300 K
飽和電流 q は少数キャリアで決まる． 10 -11 V

I  I0  e kT / q

10 -13 V
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 kT
10  e k T / q log e 10  60 mV
電圧（ V ） q
 ÄV 
 2014 年度 No.2 / OKM 17 2014 年度 No.2 / OKM 18

ダイオード特性の折れ線近似 整流回路と立上がり電圧
と立上がり電圧
 実際のダイオード特性  立上がり電圧を用いた折れ線近似  整流効率が悪くなる．
250 I E(t)
200
I
150 Vo
100 V
VO
V t
i(t)
（A）

50
電流

0 E(t)
V O

-50
理想ダイオードスイッチ 現実のダイオードスイッチ
-100
VO = 0.6 ～ 0.7 V for Si
i(t)
-3 -2 -1 0 1
電圧 立上がり電圧 or オフセット電 t
（V） 立上がり電圧 圧

2014 年度 No.2 / OKM 19 2014 年度 No.2 / OKM 20

立上がり電圧とダイオード回路 太陽電池も pn 接合ダイオー

ド
クリップ回路
レベルシフト回路  太陽電池・フォトダイードは， pn 接合の内蔵電界によって光生
V1 成し た電子・正孔対を左右に分離することを利用．
バンドの傾きに比例した電
界 によって n 側に移動する
VA VA+VO
0
n
＋
個 E c ＋
＋＋＋＋＋ ＋
クランプ回路 V1nVO h ≧ E G
－ － －
V B －—
E i － －
－

0
バンドの傾きに比例した電
VB+VO
E v 界 によって p 側に移動する

x  太陽光のスペクトルと半導体の EG ．
 PN 接合 復習

(1)界面の電子と正孔が結合して界面にキャリ

アの ない層 ( 空乏層 ) が形成される

半導体工学
P型 N 型
（8）
正孔 電子

PN 接合
(1)

電子 情報デザイン学科 藤野
毅
1
2 空乏層

PN 接合 復習
PN 接合の電気特 復習

(2)PN 接合に電界を印加する
 性
 PN 接合は P 型領域から N 型領域へ電流が
 順バイアス：界面で電子と正孔が結合するこ 流れ る整流特性を有する⇒ダイオードを形
とに より電流が流れる
 逆バイアス：空乏層の幅が広がるだけで電
成する
流は 流れない

電流
I
  eV 

(I)
正孔 電子 I  Is  exp 
＋ － － ＋ ＋ －
  kT  
P N P N 降伏電圧 1

電圧

(V)

順バイア 電流 逆バイア 電流
3 4
ス ス

PN 接合の形成 イオン注入
法Siは ウエハは，不純物があらかじめ混入されており，
 P 型また
N 型 である． P 型不純物： [ アクセプタ ] ， N 型不純
法
 現在の半導体製造プロセスでは，基板中に p 型，ｎ型の半導体
を作 りこむためにはイオン注入によるドーピングを使用する
物： [ ドナー ]
 不純物拡散法やイオン注入法などによって基板と逆極性の不  イオン注入機はイオン源から必要なイオンのみを質量分離器
純 物を導入（ドーピング）すると PN 接合ができる． で選 択し，加速してウェハに入射する．
 逆極性の不純物は，基板の不純物より多くしなければならな  注入したイオンをドナーまたは，アクセプタとして活性化する
い． インゴッ 酸化シリコ ために はアニールと呼ばれる昇温熱処理が必要
（教科書第３章， ト p.30 ） ン
数十 kV ～数 MV で
P 型基板
加速 加速器 偏向器
レジス レジスト
ト
酸化シリコ
As + ン

As +
質量分離器
As や P などのドナー不純物 を
注入 As + N 型 Si 層
イ
オ ガス Si ウェー
PN 接合
5 N ウ N 6
ン ハP
（
ウエハ 源 型）
エ型

ル P
型
 P,N 半導体とキャリア密度＆フェルミ Ｐ型Ｎ型半導体を接触させ
準位
 ドナー密度 ND またはアクセプタ密度 NA が決まると， ると ドナー 空乏層 アクセプ
キャリ ア密度 (p,n) とフェルミ準位 (EF) は決定される．  接合面の両側では「伝導タ
復習事項 電 子」および「正孔」の
真性キャリア密度i n in  1.5 10 16 [m 3 ] （必須記 キャリ ア密度に大きな差
伝導電子 憶） がある
伝導電子 ( 多数キャリ
( 少数キャリ  伝導電子と正孔は，それ
ア) ア)
ni 2
ni 2
 N D
ぞ れの濃度勾配を解消す 電気的 電気的
n  E FB  E i k T ln   n  ND る方 向に移動（拡散）し， 中性 中性

p  ni  互いに 再結合して消滅す
P 型半導体 N 型半導
る 体
NA k BT ln  N D  EF > Ei  境界面には，伝導電子も
 ni  Ei
N 
k B T ln A  E
i
正 孔も存在しない「空乏 伝導電子
E F< E
 ni  i
層」が 形成される EF
E F  E i k T  N A 
が存在するので，「空間電
 空 乏層には 移動 できない Ei Ei
B p  NA ni
2
ni
2
ド ナーおよびアクセプタ
荷領域」とも呼ばれる．
ln   ni  p 
正孔 正孔 イオン EF
( 多数キャリ ( 少数キャリ n
ア) ア) 正孔
7 P 型半導体 N 型半導体
N
8
D P 型半導体 N 型半導体

空乏層とビルトインポテンシ ビルトインポテンシャルの物理的
ャル
 イオン化したドナーおよび 意味
P 型および N 型領域のキャリア密度の差によりキャ
ア クセプタにより，キャリ
リアは 拡散しようとする
アの移 動を妨げる方向の
電界が発 生し、エネルギ  ビルトインポテンシャル Vbi は，このキャリアの拡散
ーバンドは曲 がる． を抑制 するための電位である（空乏層内の空間電荷
 キャリアの移動は、同一エ 電気的 電界 電気的 起因）
ネ ルギー準位における，キ 中性 E 中性  外部に電圧として取り出せる電位ではないので注意
ャリ アの存在確率が等しく する qV は電子に対するポテンシャ
bi
なると、 停止する。すなわ P 型半導体 N 型半導体 ル であり，
ち， N 型領 域と P 型領域の エネルギーバンド図の縦
・伝導電子：上に行くほど
同じ存在確 軸は
Ei ポテ ンシャルが高い
いたるところ でフェルミ準 率
・正孔：下に行くほどポテ
位が一致する．
 空乏層領域内の電界によ
EF
ンシャ ルが高い
発生する電位差 Vbi を「拡 E
り i と理解す
E る
電位」または「ビルトインポテ
散
F
アナロジー
ンシャル ( 内蔵電位）」と呼ぶ． わき水 [ 伝導電子 ] は下へ流
P 型半導体 N 型半導体 れる 泡 [ 正孔 ] は上に浮き上
9 10
ビルトインポテンシャル V bi がる
Ｘ q 水位 [ フェルミ準位 ] はどこ
でも一定

ビルトインポテンシャルの 練習問題（教科書例題 4 ・ 1 ）
導出
 P 型領域では
N q V  E  E    アクセプタ密度 NA=1X1025[m-3] の P 型 Si とドナ
E ip E F  k B T ln  A  bi ip in

 ni   ー密度 ND=1X1022[m-3] の N 型 Si の PN 接合に

 NA   DN   N
A DN
 k B T ln   kB T ln
  k T ln n
B 2
 Eip  E F  
 ni   ni  
おけるビルトインポ テンシャル Vbi を求めよ．
p p  n i exp    NA
i

 kB T  
 N 型領域で
は N 
E F E in  kB T ln D 
V bi  k BDT ln NA 2 N 
q 2) n
(4 ・ k T N N 
  
 ni 
i

110D 22 11027
V bi B
lnq A   0.026  ln
 E E 
n n  ni exp  F in   N D
 kBT 
qVbi

2
 ni 16
 1.5 10  
k BT ln  N D 
Eip  i 
N  2
k B T ln  nA  EF n
 i  E in
 0.026  33.7  0.88[V ]
11 P 型半導体 N 型半導体

12
 PN 接合とダイオ PN 接合の順方向特
ード
 PN 接合に外部からバイアス電圧DV を印加 性Nくなり，
 順方向電圧 V (>0) を印加するとビルトイン電圧 V が V だけ小さ
D
型領域の多数キャリアである伝導電子が P 型領域へ， P 型領域
bi D

 する
順方向バイアスとは 中の 多数キャリアである正孔が N 型領域へ注入され電流が流れ
る．
 P 型シリコンを（＋） N 型シリコンを
I  以上の電子数はボルツマン分布に比例するので、順方向電圧
注入されるキャリアは，高いエネルギーを持っている．あるエネ VD
（－） exponential
ルギー
の に比例した電流が流れる。
－  空乏層領域は電圧印加により薄くな
 電圧印加によって急激に電流が流れる
P N る
 逆方向バイアスとは
＋ アノード カソー
P型 電界 N型 P型 電界 E N
P 型シリコンを（ー） N 型シリコ
 この特性を順方向特性と呼ぶ ド
E 型
ンを（＋）
 電圧印加によってほとんど電流が流れない
qVbi キャリア（電子）の
順方向
 この特性を逆方向特性と呼ぶ 電圧印加 注入

 上記のような片方向だけに電流が流れる特性を整流特性
び，このような半導体素子をダイオードとよぶ．
 とよ
ダイオードの P 型電極をアノード（陽極）， N 型電極を EF
EF EF
カソード（陰 極）と呼ぶ q(V bi-VD )

13 14
キャリア ( 正孔 ) の
注入

PN 接合の逆方向特 PN 接合におけるキャリア密度
性
 逆方向電圧 VD(>0) を印加すると，ビルトイン電圧が VD だけ小さ
N 型領域の少数キャリアである伝導電子が P 型領域へ， P 型領
くなり，
(1)
 真性フェルミ準位からのフェルミポテンシャル Φ
を導入
域中 の少数キャリアである正孔がｎ型領域へ注入され電流が
流れる．  熱平衡状態におけるキャリア密度は 0 添字で表す
 流れる電流は少数キャリアの濃度により制限され非常に小さい。  N 型領域 多数キャリア nn0 ，少数キャリア pn0
 空乏層領域は電圧印加により厚くなる。  P 型領域 多数キャリア pp0 ，少数キャリア np0
 q  
i n  n exp k T
 B 
P型 電界 N型 P型 電界 N型 n p 0  n i exp q p   E E   q 
E E nn 0  ni exp F i 
 ni exp  n   (4 ・
 k BT  (4 ・
qV bi  k BT   kB T

4) 5)
qVbi 少数キャリア ( 電子 ) の qΦP
逆方向 Ei
拡散 n p 0  p n 0  ni 2
電圧印加 EF
pn 0  np 0  ni 2

q Φn
EF EF EF
q (Vbi+VD )  Ei E F   ni exp
p p 0  ni exp  q  p  (4 ・  q 
pn 0  ni exp   k Tn (4 ・
3)  k BT   k BT  B
6)
15 少数キャリア ( 正孔 ) の 16  p  ni exp  q  
拡散  k BT


PN 接合におけるキャリア密度 PN 接合電流の導出
(2)
 空乏層をはさんだ， N 型および P 型領域におけるキャリ （１）
 順方向電流は下記の２つのパスから成り立つ
ア密度の 違いは，ビルトインポテンシャル Vbi で関連付け  電子が N 型から P 型へ注入され， P 型領域で拡散・再結合
するこ とで流れる電流 Jn
られている．
n p0
 nbi  exp  qp  n  exp q n   exp qV  (4 ・  正孔が P 型から N 型へ注入され， N 型領域で拡散・再結合
 i するこ とで流れる電流 Jp
 k B T  7)
i
nn 0  k BT   k BT 
qVbi  q  空乏層
n p 0  n i exp q p  q(Vbi-V )
nn 0  ni  exp k Tn 
 k BT  qΦ P
 B 拡散 注入 D


電子による電流 J n
EF

 q p  q Φn  q n 
p n0  n i exp 再結合
p p 0  ni  exp 正孔による電流 Jp
  k BT    k BT  EF

p n0  ni  exp qn  ni  exp 再結合
 q  p   exp
 qVbi  (4 ・
pp 0   k BT   k BT   k BT 8)

⇒ 電圧印加によってビルトインポテンシャル Vbi が VD 変化
注入 拡散
したとき も空乏層の両境界で同じ関係が成り立つ
0 添字がないこと
n p ( x  0)  exp  p n (x  0)
17 に注意
  q(V  V )(4 ・  q(Vbi  VD )  (4 ・ 18 P型 N
bi D
 exp 
nn0
75) 
k BT  pp 0  k BT  85) 型
 電子電流の導出 電子電流の導出
（２）
 順方向電圧 V D を印加したときに N 型領域の多数キャリアであ
る電子 が，空乏層を通過して P 型領域に少数キャリアとして注 （３）
 拡散電流の大きさを求めるのには，注入された過剰キャリアが
拡散 する速さを求めることが必要．
入される
 キャリア数連続の式 (3 ・ 47) を使用する．
 P 型領域に注入された少数キャリア np(x=0) と P 型領域での熱平
 D n  d 22 n dn n  E  G n  n 
dn 47) (3 ・
衡少 数キャリア np0 との関係を求める
(4 ・ 75) より n p (x  bi
 q(Vbi  VD )   np (x  0)  nn0 exp q(V VD ) ndt dx 0 n
nn0  exp 
 k BT    k BT 
0)  dx
n p 0 ( x  0)  定常状態： dn/
(4 ・ 7) より n  qVbi   n p 0 exp qVbi exp  q(Vbi VD ) 
n n0 p0  ex p  k T 
 B   k BT   k BT   電子正孔対の発生なし：
dt=0 nG
 qV   電界なし：
n p 0 exp  D   1 =0 ，
n p ( x  0) 空乏層 n n0
np 0  qV 
 n p 0 exp k TD (4 ・
np0   kB T   E=0 2
 B  d n (x) n (x)  n
拡散・再結 注入 9) x Dn 
p

p p0
合 dx 2 n
 注入された電子は， P 型半導体
の 熱平衡状態でのキャリア密度 電子の拡散距離 L n とし
大きい，この 増 加 した キャリアの
E F より て
EF L n  D n  n とお
E
密度を，過剰キャリア密度と呼ぶ． EF F
くと
過剰キャリア密度 pn ’(x=0) d 2 n (x) n (x)  n
は
p

p p0
(4 ・
 dx 2 Ln
2
q(Vbi-V ) n p0 (x  0)  np (x  0)  np 11)
q(Vbi-VD )
19 D  20
 qV  
P型 N型  n p 0 exp D  1  (4 ・
P型 N
  kB T   10)
型

電子電流の導出 PN 接合の電流特
（４）
 方程式を解
く d np (x) n (x) p n
2
性電子電流（ (4 ・ 15) 式を x 軸に関して

電流の 流れる方向に x をとる）は D Dp 
2
 p0 (4 ・ J  q n  p 
dx 2 Ln 11) D   qV    x 
(4 ・ nS  Ln p0
Lp
n0 

J 0n  q  L n n p exp k DT  1  ex p L
 np0 は定数なので n
  B    n 


d 2 n (x)  n  n (x)
(4 ・
15)’
 正孔電流も電子と同様にもとめら

JD

 J S exp
 qVD 
 1


 kB T 
p p0 p p0
 n dx 2  2 れ  
12) Ln p D   qV    x 
 一般解は Lp  kB T  L  (4 ・
 x   x      p 
16)

電流
n p (x)  n p 0  A exp L n   B exp  (4 ・ 13) ただし D p  p Lp 

(I )
B0  全電流密度 JD は
 Ln  J D  Jn ( x  0)  Jp (x 
境界条件①： x= ∞でで nnpp(x)
(x)=n  qVD      qVD 
境界条件②： x=0  np0p0 exp  1 A  n p0 exp  1 0)
  kBT     kB T   D Dp  
 qV D 
   q  L n n p0  L p n0   exp    1 S
電圧
 qVD   x   n  J
 (4 ・ p
  kB T  
n p (x)  n p (x)  n p 0  n p 0 exp  1  exp    (V)
14)    qVD 1
 J S exp

 (4 ・ 17)
  kBT    Ln  k T
 dn
 拡散電流の式 J n  q  D n  dx (3  37) より   B  
 逆方向飽和電流密度は
21 D   qV    x 22
J n  q  L n n p 0 exp D  1 exp   (4 ・ 15) J D (rev)  J S
n
  kBT    Ln 

PN 接合ダイオードの降伏現 降伏現象
象
 PN 接合に逆バイアスを印加すると，逆方向飽和電流が流れる．  雪崩降伏とツェナー降
さら に逆方向電圧を大きくするとある電圧で急激に大きな電流 伏
が流れる． これを降伏現象といい，この電圧を降伏電圧と呼ぶ
 大きな電流が流れるメカニズムは以下の２つ
 電子雪崩（なだれ）降伏
  qV  
J D  J S exp D  1
PN 接合に印加された電界に   kB T  
より，大きな運動エネルギ
ー を得て加速された電子が，
結晶格子を構成している原

電流
(I)
子
に衝突して電子正孔対を発
生 させて電流となる． 降伏電圧
電圧
 ツェナー降伏
高濃度にドーピングされた (V)
PN 接合の空乏層は非常に狭 逆方向飽和
い． この狭いダイオードに 電流
高電圧を 印加するとトンネ
ル効果により 電流が流れる．
23 24
 第２章 半導体と 整流回
路 原子核
物質 分子 原子
電子

と
導電性を考える
導体：電子が自由にふるまえる状
態に なっ て い る （金属など ）
半導体：金属と絶縁体の中間の抵
抗率 を もつ 物質（石など ）．
絶縁体：電子が原子に強く結びつい
てい て ，電子の 動作が み ら れ な
い （ガ ラ ス ， プ ラ ス チ ェ ッ
ク） 1

導体，電子と 電流
導体に 電気を 通すこ と が で
きる．
電子
金属の電線
電流

＋ －

つ ま り ， ( 自由）電子の 動き方向と 電流の

方向は 逆に なっ て い る こと に 要注意．

2
２－１半導体と は

つ ま り ，電気を通しそ うで ，通さなさそ う
ななんとも 中間的な物が 半導体なの であ る ．
電気を通した り ，通さなか っ た り す る 性質
をう ま く利 用して い る の は ，半導体の 技術で
あ る．
3

２－１半導体
半導体の 主流の 材料は 「シリ コ ン Ｓｉ」
であ る ．い わ ば ，砂の よ うなもの であ る ．
半導体は ４族の 物質（最外殻に ４個の 電子を
もつ ） が 使わ れ る．

4
真性半導体

各電子は ２個の Ｓｉの 原子に 共有，安定し

て い る 状態であ る ．この 電子を Ｓｉ原子の
束縛か ら 離して ， 自由電子に なる に は ，か
なり の エ ネ ル ギ ー が 必要 であ る ．これ を真
性半導体と い う ．
5

不純物半導体（ｎ型半導体）

真性半導体に 極微量の ５族元素（ As ）を加

え る と ， 図 2.3 の よ うなｎ型の 不純物半導体
と なり，自由電 子が できて ，導体の 性質が
現れ る．

6
不純物半導体（ｐ型半導体）

真性半導体に 極微量の ３族元素（ Ga ）を 加

え る と ， 図 2.4 の よ う な p 型の 不純物半導体
と なり ，正電荷の よ うな正孔（ hole ）が でき
て ，導体の 性質が 現れ る．
7

不純物半導体（ｐ型半導体）
正孔（ホ ー ル ）は ，隣の 電子が １つ ず つ つ め て
い くこと で 移動し、＋の 電気をもつ 粒子と 同じ
に 振る 舞う ．正孔が 順次に 移動す るこ と に よ っ
て ，電気伝導が できる （電子 は 正孔と 逆の 方向
へ 移動と 考え ら れ る ）．

正孔の 動きを

8
ｎ型半導体と ｐ型半導体
ｎ型半導体に お いて 負の 自由電子，ｐ型半導
体に お いて ，正の 正孔（ホ ー ル ）が ，電気伝
導の 要素に な り ，キ ャ リ ア と い う ．

ｎ型半導体と ｐ型半導体の 組み 合わ せ に
よ っ て ，ダ イオ ー ド・トラ ン ジス タな
ど の い ろい ろな電 子部品が 作ら れる．

２－２ ｐｎ接合

正孔
電子

10
２－２ ｐｎ接合

ｐｎ接合で空乏
層 が 型成され る
こと に より，
半導体の い ろい
ろな面白い 性質
が 現れ る．

空乏層が型成さ
れ，約 2 μ m 程度
11

２－３ ダ イオ ー ド
ダ イオ ー ドは ，ｐｎ接合で空乏層に よるで
きた 半導 体の 電子部品であ る．
ダ イ オ ー ドは ，印加電圧の 極性に 応じて ，
電流が 流れ や す い と 流れ に く い ，と い う
「一方通行性」が あ る ．そ の 記号は 次の よ
う に なる．
＋ －

＋ －
電流

12
２－３ ダ イオ ー ドの 原理
ｐｎ接合の ｐ層に ”＋”，ｎ層に ”－”の よ
う に ，外部電 圧を加え る と ， p 層の 正孔が 右
側の ｎ層へ ，ｎ層の 電 子が ｐ層へ ，流れ や す
くなる ．図 2.6 （ a ）に 示す ．逆に ， ｐ層に ”
－”，ｎ層に ”＋”の よう に 電圧を加え ると ，
電 流が 流れ に くい ．よっ て ，「一方通行現
象」が
＋
あ る． － － ＋

電流が流れている 電流がほとんどな
い

13

２－３ ダ イオ ー ドの 原理
順バ イ ア ス の と き ，ダ イ オ ー ドに 流れ る電
流 I は ， 印 加電圧 V と 指 数関数 で 増 加す る
（下図第１象限）．逆 バ イ ア ス の 場合，電流
が ほ と ん ど 流れ て い ない （第３ 象限の よ う
に ， I0 が 非常に 小さく，飽和電流と い う ）．
順バ イア ス の
と き，

逆バ イア ス の と

き， ダ イオ ー

ドに 通る
電流が 求め ら れ る．
14
２－４ 整流回路
交流電圧，電流を直流に 変換す るた め に ，
整流回 路が 使わ れ る．
電子回路の 電気は 全部直流電圧で提供され ，
交流 電源を使う 場合，整流す る 必要が あ る．
ま た ，電池
（バ ッ テ リ ）の 充電器は 整流回路か ら 作られ
て い る．

15

２－４ 整流回路
ダ イオ ー ドに 交流電圧流れ るが 加え る と ，
「一方通行」 に よ り ，交流の 正の 半周期の と き，
電流が 流れ る．負 の 半周期の と き，電流は ほ と
ん ど 流れない ．こ の よ う な 作用を 整流と い う ．
半周期の み 電流が 流れ る か ら ，半 波整流と い う ．

変圧器
100v 5v

16
 ２－４ 整流回路
半波整流回路は ，半周期しか 利用しない の
で，効 率が 悪い ．一般に 全波整流回路が 使わ
れる．

17

全波整流回路
い ろい ろ
な 全波整流
回路 が あ る ．
よ く利 用さ
れている の
は，
(1) 全波ブ リ
ッ ジ整流回
路
(2) 全波整流
回路

18
全波ブ リ ッ ジ整流回路の 波型

ダ イオ ー ド・ブ
リ ッ ジ の 部品

19

２－５ 平滑回路
半波整流回路でも，全波整流回路でもそ の 出
力は 脈動して い る ．

直流らしく，平
滑な 波型に変
換

脈動（リ ッ プ ル ）の 波型を平滑な波型に 変換
す る 回 路を平滑回路と い う．リ ッ プ ル の 実効
値を Vr と し，平滑 した 直流の 電圧の ， 平均値を
Vd と する と
をリ ッ プ ル 率と い い ，ど の ぐ ら い 平滑に な
っ た か を 評価．
20
２－５ 平滑回路
平滑回路つ きの 整流回路は 次の よう に なる．
基本 的に コ ン デ ン サ Ｃの 充電機能と 放電機能
をう ま く利 用して い る．

型
平滑された波
半波整流回路 平滑回路

全波整流回路なら ，平滑効果が さら に 期待
できる．
21

全波整流回路
平滑回路つ きの 全波整流回路は 次の よ う に
なる ．
全波整流回路 平滑回路

22
 全波整流回路の 実
験

平滑回路が な Ｃ =100pF Ｃ
い オ シロ =1000pF
ス コ ー プ を 用い て み た 波型
であ る． オ シロ ス コー プ と は 、電気
信号の 波型を 表 示す るた め の 計測器
であ る。
23

https://www.youtube.com/watch?v=TQfd01jVUD0
https://engineer-education.com/diode/
第2章 まとめ
 n 型半導体の 自由電子と p 型半導体の 正孔
は ， 半導体に お け る 電気伝導の キ ャ リ ア
であ る．
 pn 接合で空乏層の 型成に よ り，ダ イ オ ー
ドが 作 ら れ る ．
 ダ イ オ ー ドの 性質（順バ イ ア ス の と き，
電流が 流 れ る ．逆バ イ ア ス の と き，電流
は ほ と ん ど ない ）
 整流回路（半波整流と 全波整流）．
 平滑回路（直流ら しく，型を整え る）．

24
演習
（１）ダ イ オ ー ドの 特性を説明しなさい ．
（２）全波ブ リ ッ ジ整流回路を 描き，そ の
整流原理 説明しなさい ．平滑回路の 作用を
説明しなさい ．

25

（３）

( 電源は 50Hz と す る )

26
 Bài thực hành 2
Sử dụng phần mềm Multisim để mô phỏng mạch và đặc tính I-V của diode, ghi các
giá trị đo được vào bảng sau.

And Silicon

Gợi ý: tham khảo link sau

https://www.youtube.com/watch?v=gMIKxtG_jVk

45
 Bài thực hành 3

Gợi ý: tham khảo link sau

https://www.youtube.com/watch?v=QDz8T8CMZ78&t=283s

46
2 Video và Link liên quan

3 Bài Tập Về Nhà

47
 2 Video và Link liên quan

https://www.youtube.com/watch?v=Fwj_d3uO5g8

https
://ocw.mit.edu/courses/physics/8-04-quantum-physics-i-spring-2013/lecture-videos/
lecture-22/

https
://ocw.mit.edu/courses/chemistry/5-112-principles-of-chemical-science-fall-2005/vi
deo-lectures/lecture-34-bonding-in-metals-and-semiconductors/

48
 QUIZ: CHỌN CÂU ĐÚNG
1) The diode current equation is applicable in ____________
A. Forward biased state B. Reverse biased state
C. Unbiased state D. Forward biased state, Reverse biased
state, Unbiased state
2 ） What happens to Diode’s cut-in voltage when the temperature
increases?
A. Cut-in voltage increases B. Cut-in voltage decreases
C. Cut-in voltage either increases or decreases
D. Cut-in voltage doesn’t depend on temperature

49
QUIZ: CHỌN CÂU ĐÚNG
3) Which of the following statement is false for a zener diode voltage
rated as “VZ”?
A. Reverse breakdown occurs at VZ
B. Forward breakdown occurs at VZ
C. Zener diode is a heavily doped diode
D. Usually operates in reverse bias mode
4 ） Which of the following statement about a Si diode is true?
A. Cut-in voltage is always higher than the reverse breakdown voltage
B. Reverse saturation current is in the order of mA
C. Cut-in voltage is 1V
D. Reverse scale current is in the order of nA
50
QUIZ: CHỌN CÂU ĐÚNG:
5 ） In constant drop voltage diode in reverse bias is considered as
a
A. Resistor
B. Perfect conductor
C. Perfect insulator
D. Capacitor

51
 4 Bài Tập Về Nhà
Problem 1
Search the journal paper about GaN Schottky barrier diodes (SBDs).

Problem 2
Compare Si pn diode and SiC pn diode.

• Sinh viên tham khảo bài khóa theo đường link gợi ý sau:
https://ocw.mit.edu/courses/materials-science-and-
engineering/3-091sc-introduction-to-solid-state-chemistry-
fall-2010/electronic-materials/14-semiconductors/

52
53