1-18GHz 电桥 Bias Tee 搭建

部门： FEM
姓名：徐涛
时间： 2023/2/6
版本： V0
一、搭建电桥 Bias Tee 的背景

背景：现有的 Bias Tee 不满足超宽带、大功率的 loadpull 分立器件测试需求，而电桥纯微带结构，没有阻、

容、感。因此使用电桥 Bias Tee 过功率能力强，适合超宽带、大功率 loadpull 分立器件测试。

电桥 Bias Tee

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二、电桥 Bias Tee 的工作原理

电桥 Bias Tee 由两个混合耦合器倒接构成， RF 信号由耦合器 1 分为两路对耦合器 2 输入，再经过耦合器 2

进行功率合成。直流馈电则由耦合器 1 的隔离端输入，经过 3 端口，然后进入耦合器 2 的 2 端口，最后由耦
合器 2 端口 1 与 RF 信号一同输出。

由于面向 DUT 的
一端反射信号已经
由耦合器 2 的隔离
端负载吸收 , 耦合
器 1 的隔离端不存
在反射 RF 信号。

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三、耦合器和转接头基本概况
耦合器 :
（ 1 ）供应商 : 泰莱微波 ;
（ 2 ）型号 :TBG-10180-3S-90;
（ 3 ）工作频率 :1-18GHz;
DC DC+RF
（ 4 ）功率承载能力 :CW 50W ；
（ 5 ）差损 :1.3dB;
（ 6 ）隔离度 :18dB;
（ 7 ） VSWR:1.5:1 。

转接头 :
（ 1 ）供应商 : 南京傲文；
RF
（ 2 ）型号 :Z555511Z01 SMA ； 50 欧姆负载
（ 3 ）工作频率 : DC-27GHZ ；
（ 4 ） VSWR:1.15:1 ；
（ 5 ）差损 :0.21dB 。
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四、电桥 Bias Tee 的 S 参数测试
1. Bias Tee 的 “ RF+DC 端”和“ RF 端”的反射系数

在 0.69-24GHz , Bias Tee 的“ RF+DC 端”和“ RF 端”的反射系数小于 -15dB 。

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四、电桥 Bias Tee 的 S 参数测试
2. Bias Tee 的 "RF+DC 端”和“ RF 端”的插入损耗

在 0.5-18GHz ,Bias Tee 的“ RF+DC

端”和“ RF 端”之间的插入损耗小于
2.5dB 。

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四、电桥 Bias Tee 的 S 参数测试
3.Bias Tee 的“ RF+DC 端”和“直流端”的隔离度

在 1-18GHz ,Bias Tee 的“ RF+DC

端”和“直流端之间的隔离度大于
16dB 。

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五、小结

电桥 Bias Tee 搭建方案合理、可行，基本指标如下 :

(1) 工作频率 :0.94-24GHz ；
(2) 功率承载能力 :CW 50W （使用占空比为 1:10 信号进行测试，可满足 500W 功率测试需
求）；
(3) 反射系数 :-15dB ；
(4) 插入损耗 :2.5dB ；
(5) 隔离度 :16dB ；
(6) 直流电阻 :0.5 欧姆 ( 稍大，使用时是否需要提高电源电压，待实验验证 ) 。

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