Teoria dos Circuitos e Fundamentos

de Electrónica

Transistores Bipolares de Junção

11/04/2006
Transistor NPN em montagem de emissor
comum

Polarização do transistor – trata-se de escolher um ponto de

funcionamento em repouso adequado e estável.

Operação com sinal de baixa amplitude – O transistor utiliza-se para

amplificar tensões, correntes (ou ambas). É necessário prever o seu
comportamento em regime variável.
 Métodos de Polarização:
Em ambos os casos só se utiliza uma fonte de tensão. Ambas as montagens
são instáveis.

Utilizando Utilizando
um divisor uma
de tensão resistência
para obter RB para
VBE. obter IB.
 Origens da instabilidade do ponto de
funcionamento:

• A tensão VBE diminui com a temperatura. Isso ocasionará um

aumento da corrente de base IB. A corrente de colector
aumentará também e com ela a potência de dissipação
térmica. O aumento consequente da temperatura pode mesmo
ocasionar o embalamento térmico do transistor.
• Os transistores apresentam diferenças no valor dos
parâmetros. Por exemplo o valor de bf varia de transistor para
transistor. Convém por isso utilizar montagens com um ponto
de funcionamento pouco dependente do valor deste parâmetro.
 Estabilização do ponto de funcionamento em
repouso com uma resistência de emissor:

A parte à esquerda da linha a tracejado foi substituída pelo seu esquema

equivalente de Thévenin.
Estabilização do ponto de funcionamento em
repouso com uma resistência de emissor:

R
VBB  VCC RB  R // R
R  R
Estabilização do ponto de funcionamento em
repouso com uma resistência de emissor:

VBB  VBE
IE 
RB
RE 
 F 
 Estabilização do ponto de funcionamento em
repouso com uma resistência de emissor:

VBB  VBE
IE 
RB
RE 
 F 

Para tornar IE insensível a VBE e a F é necessário:

1. Fazer VBB>>VBE.
2. Fazer RE>>RB/(F+1 )
Regras de dimensionamento do valor das
resistências sendo dados F e VCC.

1. Dividimos VCC em três partes iguais. Uma parte será a tensão em

RC, a outra na junção colectora e a restante na resistência RE.
2. Dimensionamos R1 e R2 de modo que, desprezando a corrente de
base IB se tem em R1 e R2 uma corrente igual a uma décima parte
de IE.
Exemplo: VCC=15 V e F=100
Pretende-se IE=5 mA

Tensão em RE: VE=5-0,7=4,3 V

RE=VE/IE=4,3/5=0,86 k
A corrente em R1+R2 (desprezando
IB) será: IE/10=0,5 mA
R1+R2=15/0,5=30 K
Para ter 5 V em R2 terá de ser
R1=20 K e R2=10 K
É agora necessário recalcular IE:
Exemplo: VCC=15 V e F=100
Pretende-se IE=5 mA
VBB  VBE   , 
IE   
RB  // 
RE  ,  
 F  
,  , 
   ,  mA
,  ,   , 
,  

Convém corrigir RE de modo a
manter IE=5 mA :
RE=0,86-0,066=794 .
O valor de RC determina-se a partir
de IC=FIE=0,99IE=0,99 mA
RC=5/0,99=5,05 k
Utilização de duas fontes de tensão de
polaridades opostas

Os cálculos a efectuar são idênticos aos

anteriores substituindo VBB por VEE.

VEE  VBE
IE 
RB
RE 
 F 
 Estabilização utilizando uma resistência
entre o colector e a base

Se a corrente de colector IC aumenta, aumentará a tensão em RC e diminui

VCB. Isto faz diminuir a corrente de base o que impede o crescimento de I C.
Estabilização utilizando uma resistência
entre o colector e a base
VCC  RC I E  RB I B  VBE 
IE
 RC I E  RB  VBE
 F 
VCC  VBE
 IE 
R
RC  B
 F 
Note-se que a expressão anterior é idêntica à
que utilizámos atrás com Vcc em vez de VBB
e RC em vez de RE. A expressão sugere que
RB deve ter um valor pequeno. No entanto
esse valor não pode ser tão pequeno que
limite a amplitude do sinal (de IE).
IE
VCB  RB I B  RB
 F 