UNIDAD I - Clase 1

Universidad Nacional Experimental Politcnica Antonio Jos de Sucre Vicerrectorado Puerto Ordaz Ctedra: Electrnica II.
UNIDAD I: TRANSISTORES FET`S

CLASE 1
Prof. Mabel Pardo
ndice:
Presentacin de la clase.
Competencias Prerrequisitos. Materiales.
a lograr.
Contenido.
Orientaciones
Bibliogrficas. Orientaciones para el estudio. Actividades. Tutora.
Evaluacin.
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITCNICA ANTONIO JOS DE SUCRE VICE- RECTORADO DE PUERTO ORDAZ. Ctedra de Electrnica II.
Presentacin de la clase:
Esta clase 1 corresponde con la primera entrega de material didctico para el estudio y comprensin de funcionamiento de los Transistores Unipolares FETS. Este estudio se orientara, partiendo del anlisis de comportamiento de la estructura interna por capas de los transistores bajo diversas condiciones de polarizacin, para luego establecer smbolo elctrico, ecuaciones, curvas caractersticas, regiones de trabajo, etc.
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITCNICA ANTONIO JOS DE SUCRE VICE- RECTORADO DE PUERTO ORDAZ.
Competencias a lograr.
Se desea lograr, que el estudiante sea capaz de :

Entender
los procesos internos que rigen el comportamiento elctrico de los transistores JFET, bajo diversas condiciones de polarizacin. Identificar el smbolo de los dispositivos. Comprender las caractersticas de las diferentes Zonas de trabajo de los dispositivos. Analizar curvas caractersticas y utilizar adecuadamente las ecuaciones que rigen comportamiento elctrico de los JFETS
Prerrequisitos:
Matemticas: Uso y clculo de ecuaciones cuadrticas. Resolucin de sistemas de ecuaciones. Electrnica I. Materiales semiconductores Intrnsecos y Extrnsecos. Anlisis curvas caractersticas de dispositivos de tres terminales. Polarizacin y Zonas de trabajo transistores BJT. Circuitos Elctricos I. Anlisis simple de mallas elctricas. Clculo de corrientes y voltajes.
Materiales. Presentacin PPT. Libros de texto. Artculos de informacin varios. Papel y lpiz. Calculadora.
Contenido:
Transistores Unipolares FET: La palabra F.E.T. traduce Field Effect Transistor, o Transistor de efecto de campo. En otras palabras un transistor FET es un Dispositivo de tres terminales que funciona bajo la aplicacin de un campo elctrico. Recordemos que ya hemos estudiado otros transistores, en particular conocemos a los transistores bipolares BJT por lo que en una primera aproximacin analizaremos, o compararemos las caractersticas generales entre ambos tipos de transistores a fin de establecer semejanzas y diferencias que nos ayuden a entender su comportamiento elctrico.
Tabla comparativa BJT- FET

BJT
Dispositivo Bipolar (es necesario la movilizacin de dos tipos de partculas para la conduccin: electrones y huecos). Un parmetro de salida (I) es controlado por un parmetro a la entrada (I)
FET
Dispositivo Unipolar (es necesario la movilizacin de un solo tipo de partcula para la conduccin: electrones o huecos). Un parmetro de salida (I) es controlado por un parmetro a la entrada (V). Alta impedancia de entrada.
Dispositivo controlado por corriente. Dispositivo controlado por tensin.
Mayor sensibilidad a los cambios de seal aplicada (mayor ganancia). Mas estable a la temperatura. Posibilidad de alta escala de integracin.
Clasificacin:
El siguiente esquema representa la clasificacin general de los transistores FET, sin embargo actualmente existen otros tipos de FET ms especializados que no sern parte de este estudio. Canal n JFET (Transistor de efecto de campo de unin.) Canal p
FET
MOSFET (Transistor de efecto de campo de

semiconductor de xido metlico.)
Decremental Incremental
Canal n Canal p
MESFET (Transistor de efecto de campo de

metal - semiconductor)
* Para efectos del curso se estudiaran los tipo JFET y MOSFET.
Estructura interna transistor JFET canal n.

Fuente
Drenaje
Compuerta
La corriente en un JFET circula a travs de la regin semiconductora conocida como canal, la accin bsica del transistor es la modulacin de la conductancia del canal por medio de un campo elctrico perpendicular que es funcin del voltaje en la Compuerta.
Polarizacin JFET canal n.
El JFET tiene dos uniones pn en polarizacin en inverso (IG=0), con VDS positivo fluye la carga negativa hacia la terminal D, y establece una corriente ID=IS. La corriente ID establece los niveles de voltaje a travs del canal, por lo tanto existir una regin de agotamiento que tiende a ensancharse mas debido a una tensin inversa mayor. El punto de toque de las zonas se conoce como estrechamiento. ID se mantiene constante.
Curvas caractersticas.
VDSsaturacion = (VGS Vp) ID ID
VGS Regin Ohmica. Regin corriente cte.

VDS Regin corte.
Ecuaciones.
JFET canal n: IG=0,Vp (-), VGS(-), VDS(+).
VDSsat= VGS - Vp
Regin Regin
corte (VGSVp) corriente cte. (VGS>Vp y 0<VDS>VDSsat)

;K=(IDss/Vp2)
ID=0 ID= K. (VGS Vp )2

Regin
Ohmica (VGS>Vp y 0<VDSVDSsat) ID= K.[2.(VGS-Vp).VDS VDS2]

JFET canal p
JFET canal p: IG=0,Vp (+),

VGS(+), VSD(+). VSDsat=Vp - VGS Regin corte (VGSVp)
ID=0
Regin corriente cte. (VGS<Vp

y 0<VSD>VSDsat) ID= K. (VGS Vp )2 ;K=(IDss/Vp2)
Regin Ohmica (VGS<Vp y

0<VSDVSDsat) ID= K.[2.(VGS-Vp).VDS VDS2]
Smbolos.
(a) JFET canal n
(b) JFET canal p
Ejemplo numrico.
Analizar el circuito de la figura, determinar el valor de ID, VDS. Considere los siguientes valores para el JFET: Vp=-4, IDss=10mA, R1=100K, (a)RD=1K (b)RD=1,8K.
V 1 20V dc RD J1 R1
Orientaciones bibliogrficas.

Principios de Electrnica. Albert Malvino. Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos. Robert Boylestad y Louis Nashelsky. Prentice Hall.
Orientaciones para el estudio.
Leer cuidadosamente el material entregado, es de mucha ayuda la analoga con dispositivos conocidos como diodos y transistores BJT. Correr las simulaciones, asociando cada respuesta con la teora vista. Reforzar informacin con los libros de texto recomendados. Realizar el ejercicio propuesto.
Actividades.

Leer el material entregado. Responder cuestionario on-line en la plataforma. Resolver el ejercicio propuesto y enviar electrnicamente la solucin. Publicar en el foro, el procedimiento de solucin del problema y consideraciones hechas. Utilizar las tutoras o asesoras para orientacin.
Tutora.
De modo virtual a travs de:

La
cuenta de correo electrnico. Chat.
De modo presencial a travs de:

Consultas
personales en horario de permanencia del docente.
Evaluacin.
Responder de manera individual el cuestionario1 correspondiente a esta clase1, en la plataforma Web. Resolver y enviar electrnicamente resultado del ejemplo1 asignado en esta clase. A travs del Foro1, exponer los procedimientos seguidos, consideraciones, etc., para la resolucin del problema.

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UNIDAD I: TRANSISTORES FET`S

Bibliogrficas. Orientaciones para el estudio. Actividades. Tutora.

Se desea lograr, que el estudiante sea capaz de :

Tabla comparativa BJT- FET

Dispositivo controlado por corriente. Dispositivo controlado por tensin.

MOSFET (Transistor de efecto de campo de

MESFET (Transistor de efecto de campo de

* Para efectos del curso se estudiaran los tipo JFET y MOSFET.

Estructura interna transistor JFET canal n.

Polarizacin JFET canal n.

VGS Regin Ohmica. Regin corriente cte.

VDS Regin corte.

JFET canal n: IG=0,Vp (-), VGS(-), VDS(+).

corte (VGSVp) corriente cte. (VGS>Vp y 0<VDS>VDSsat)

ID=0 ID= K. (VGS Vp )2

Ohmica (VGS>Vp y 0<VDSVDSsat) ID= K.[2.(VGS-Vp).VDS VDS2]

JFET canal p: IG=0,Vp (+),

Regin corriente cte. (VGS<Vp

Regin Ohmica (VGS<Vp y

(a) JFET canal n

(b) JFET canal p

Orientaciones para el estudio.

De modo virtual a travs de:

cuenta de correo electrnico. Chat.

De modo presencial a travs de:

personales en horario de permanencia del docente.

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