Professional Documents
Culture Documents
DL129/D
Rev. 8, January−2005
SCILLC, 2005
Previous Edition 2000
“All Rights Reserved’’
http://onsemi.com
1
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice
to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any
liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental
damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over
time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under
its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body,
or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death
may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees,
subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of
personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part.
SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
http://onsemi.com DL129/D
2
Table of Contents
Page Page
http://onsemi.com
3
Numeric Data Sheet Listing
MC74HC125A,
MC74HC126A Quad 3−State Noninverting Buffers − High−Performance Silicon−Gate CMOS . . . . . 47
MC74HC161A,
MC74HC163A Presettable Counters − High−Performance Silicon−Gate CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
MC74HC174A Hex D Flip−Flop with Common Clock and Reset − High−Performance Silicon−
Gate CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
http://onsemi.com
4
Data Sheet Function Page
MC74HC273A Octal D Flip−Flop with Common Clock and Reset − High−Performance Silicon−
Gate CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
MC74HC390A Dual 4−Stage Binary Ripple Counter with ÷ 2 and ÷ 5 Sections − High−
Performance Silicon−Gate CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
MC74HC393A Dual 4−Stage Binary Ripple Counter − High−Performance Silicon−Gate CMOS . . . 181
MC74HC4051A,
MC74HC4052A,
MC74HC4053A Analog Multiplexers / Demultiplexers − High−Performance Silicon−Gate CMOS . . . 213
http://onsemi.com
5
Data Sheet Function Page
MC74HC4851A,
MC74HC4852A Analog Multiplexers/Demultiplexers with Injection Current Effect
Control − Automotive Customized . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 270
MC74HC74A Dual D Flip−Flop with Set and Reset − High−Performance Silicon−Gate CMOS . . . 321
MC74HCT273A Octal D Flip−Flop with Common Clock and Reset with LSTTL−Compatible
Inputs − High−Performance Silicon−Gate CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 349
http://onsemi.com
6
Data Sheet Function Page
MC74HCT74A Dual D Flip−Flop with Set and Reset with LSTTL Compatible
Inputs − High−Performance Silicon−Gate CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 378
http://onsemi.com
7
CHAPTER 1
Selector Guide
http://onsemi.com
8
http://onsemi.com
9
BUFFERS/INVERTERS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Functional
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Functional Equivalent
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Equivalent CMOS
Device LSTTL Device Number
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Number
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MC74 ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Function
Device
74
MC1XXXX
or CDXXXX
Direct Pin
Compatibility
of
Pins
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC04A Hex Inverter LS04 *4069 LS/CMOS 14
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HCT04A Hex Inverter with LSTTL−Compatible Inputs LS04 *4069 LS/CMOS 14
HCU04A Hex Unbuffered Inverter LS04 4069 LS/CMOS 14
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HC14A
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HCT14A ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Hex Schmitt−Trigger Inverter
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Hex Schmitt−Trigger Inverter with LSTTL−Compatible
LS14
LS14
4584
4584
LS/CMOS
LS/CMOS
14
14
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Inputs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC125A Quad 3−State Noninverting Buffer LS125,LS125A LS 14
HC126A Quad 3−State Noninverting Buffer LS126,LS126A LS 14
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC240A Octal 3−State Inverting Buffer/Line Driver/Line Receiver LS240 LS 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HC244A
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HCT244A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Receiver ÎÎÎ
Octal 3−State Noninverting Buffer/Line Driver/Line
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Octal 3−State Noninverting Buffer/Line Driver/Line
LS244
LS244
LS
LS
20
20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
HC245A ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Receiver with LSTTL−Compatible Inputs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Octal 3−State Noninverting Bus Transceiver LS245 LS 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HCT245A Octal 3−State Noninverting Bus Transceiver with LS245 LS 20
LSTTL−Compatible Inputs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HC540A
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HC541A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Octal 3−State Inverting Buffer/Line Driver/Line Receiver
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Octal 3−State Noninverting Buffer/Line Driver/Line LS541 LS
20
20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
HCT541A ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Receiver
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Octal 3−State Noninverting Buffer/Line Driver/Line
Receiver with LSTTL−Compatible Inputs
LS541 LS 20
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
HC Devices Have CMOS−Compatible Inputs. HCT Devices Have LSTTL−Compatible Inputs.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
HC HC HC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
HCT HCU HC HC HC HC HCT HCT
Device 04A 04A 14A 125A 126A 240A 244A 245A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
# Pins
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Quad Device
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
14 14 14 14
14
20 20 20
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Hex Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Octal Device
Nine−Wide Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
Noninverting Outputs
ÎÎÎ
Inverting Outputs ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Schmitt Trigger ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
Single Stage (unbuffered)
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
3−State Outputs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Open−Drain Outputs ÎÎÎ
ÎÎÎ
Common Output Enables
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Active−Low Output Enables
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Active−High Output Enables
Separate 4−Bit Sections
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Transceiver ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Separate 2−Bit and 4−Bit Sections
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Direction Control
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Logic−Level Down Converter
http://onsemi.com
11
BUFFERS/INVERTERS (Continued)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
HC Devices Have CMOS−Compatible Inputs. HCT Devices Have LSTTL−Compatible Inputs.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
HC
HC HCT
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
# Pins ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Device 540A
20
541A
20
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Quad Device
Hex Device
Octal Device
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Nine−Wide Device
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Noninverting Outputs ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Inverting Outputs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Single Stage (unbuffered)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Schmitt Trigger
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
3−State Outputs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Open−Drain Outputs
Common Output Enables
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Active−Low Output Enables
http://onsemi.com
12
GATES
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Functional
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Functional Equivalent
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Equivalent CMOS
Device LSTTL Device Number
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Number
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MC74 ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Function
Device
74
MC1XXXX
or CDXXXX
Direct Pin
Compatibility
of
Pins
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC00A Quad 2−Input NAND Gate LS00 4011 LS 14
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC02A Quad 2−Input NOR Gate 4001 14
HC03A Quad 2−Input NAND Gate with Open−Drain Outputs *4011 14
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HC08A
ÎÎÎÎÎ
HC32A
HC86A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Quad 2−Input AND Gate
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Quad 2−Input OR Gate
Quad 2−Input Exclusive OR Gate
LS08
LS32
LS86
4081
4071
4070
LS
LS
14
14
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
LS 14
HC132A Quad 2−Input NAND Gate with Schmitt−Trigger Inputs LS132 4093 LS 14
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC Devices Have CMOS−Compatible Inputs.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC HC HC HC HC
Device 00A 02A 03A 08A 32A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
# Pins
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Single Device
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
14 14 14 14 14
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Dual Device
Triple Device ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Quad Device
NAND
NOR
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
AND
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OR
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Exclusive OR
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Exclusive NOR
AND−NOR
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
AND−OR
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
2−Input
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
3−Input ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4−Input
8−Input
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
13−Input
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Schmitt−Trigger Inputs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Open−Drain Outputs
http://onsemi.com
13
GATES (Continued)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC Devices Have CMOS−Compatible Inputs.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC HC
86A 132A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
# Pins 14 14
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Single Device
Dual Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Triple Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Quad Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
NAND
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
NOR
AND
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
OR
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Exclusive OR
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Exclusive NOR ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
AND−NOR
AND−OR
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
2−Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
3−Input ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4−Input
8−Input
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
13−Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Schmitt−Trigger Inputs ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Open−Drain Outputs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
http://onsemi.com
14
SCHMITT TRIGGERS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Functional
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Functional Equivalent
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Equivalent CMOS
Device LSTTL Device Number
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Number
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MC74 ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Function
Device
74
MC1XXXX
or CDXXXX
Direct Pin
Compatibility
of
Pins
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC14A Hex Schmitt−Trigger Inverter LS14 4584 LS/CMOS 14
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HCT14A Hex Schmitt−Trigger Inverter with LSTTL−Compatible LS14 4584 LS 14
Inputs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC132A Quad 2−Input NAND Gate with Schmitt−Trigger Inputs LS132 4093 LS 14
BUS TRANSCEIVERS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Functional
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Functional Equivalent
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Equivalent CMOS
Device LSTTL Device Number
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Number
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MC74 ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Function
Device
74
MC1XXXX
or CDXXXX
Direct Pin
Compatibility
of
Pins
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC245A Octal 3−State Noninverting Bus Transceiver LS245 LS 20
HCT245A Octal 3−State Noninverting Bus Transceiver with LS245 LS 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
LSTTL−Compatible Inputs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
HC Devices Have CMOS−Compatible Inputs. HCT Devices Have LSTTL−Compatible Inputs.
ÎÎÎ HC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Device
HCT
245A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
# Pins 20
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Quad Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Octal Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Buffer
Storage Capability
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Inverting Outputs
Noninverting Outputs
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Common Output Enable
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Active−Low Output Enable ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Active−High Output Enable
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Direction Control
http://onsemi.com
15
LATCHES
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Functional
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Functional Equivalent
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Equivalent CMOS
Device LSTTL Device Number
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Number
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MC74 ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Function
Device
74
MC1XXXX
or CDXXXX
Direct Pin
Compatibility
of
Pins
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC373A Octal 3−State Noninverting Transparent Latch LS373 LS373 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HCT373A Octal 3−State Noninverting Transparent Latch with LS373 LS373 20
LSTTL−Compatible Inputs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HC573A
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HCT573A ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Octal 3−State Noninverting Transparent Latch
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Octal 3−State Noninverting Transparent Latch with
LS373
LS373
LS573
LS573
20
20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
LSTTL−Compatible Inputs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
HC Devices Have CMOS−Compatible Inputs. HCT Devices Have LSTTL−Compatible Inputs.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ HC HC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HCT HCT
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Device 373A 573A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
# Pins 20 20
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Single Device
Dual Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Octal Device
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Number of Bits Controlled by Latch Enable:
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
8
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Transparent
Addressable
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Readback Capability
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Inverting Outputs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Common Latch Enable, Active−Low
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
3−State Outputs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Common Output Enable, Active−Low
These devices are identical in function and are different in pinout only: HC/HCT373A and HC/HCT573A
http://onsemi.com
16
FLIP−FLOPS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Functional
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Functional Equivalent
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Equivalent CMOS
Device LSTTL Device Number
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Number
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MC74 ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Function
Device
74
MC1XXXX
or CDXXXX
Direct Pin
Compatibility
of
Pins
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
HC74A Dual D Flip−Flop with Set and Reset LS74,LS74A *4013 LS 14
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
HCT74A Dual D Flip−Flop with Set and Reset with LS74,LS74A 4013 LS 14
LSTTL−Compatible Inputs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HC174A
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HC175A ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Hex D Flip−Flop with Common Clock and Reset
ÎÎÎ
Quad D Flip−Flop with Common Clock and Reset
LS174
LS175
4174
4175
LS/CMOS
LS/CMOS
16
16
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HC273A
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HCT273A ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Octal D Flip−Flop with Common Clock and Reset
ÎÎÎ
Octal D Flip−Flop with Common Clock and Reset with
LS273
LS273
LS
LS
20
20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
LSTTL−Compatible Inputs
HC374A Octal 3−State Noninverting D Flip−Flop LS374 LS374 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HCT374A
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Octal 3−State Noninverting D Flip−Flop with
ÎÎÎ
LSTTL−Compatible Inputs
LS374 LS374 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
HC574A Octal 3−State Noninverting D Flip−Flop LS374 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
HCT574A Octal 3−State Noninverting D Flip−Flop with LS374 20
LSTTL−Compatible Inputs
*Suggested alternative
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
HC Devices Have CMOS−Compatible Inputs. HCT Devices Have LSTTL−Compatible Inputs.
ÎÎÎ HC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
HCT HC HC
74A 174A 175/A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
# Pins 14 16 16
Type D D D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Dual Device
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Quad Device ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Hex Device
Octal Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Common Clock
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Negative−Transition Clocking ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎ
Positive−Transition Clocking
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Common, Active−Low Data Enables
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Noninverting Outputs
Inverting Outputs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
3−State Outputs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Common, Active−Low Output Enables
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Common Reset
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Active−Low Reset
Active−High Reset
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Active−Low Set
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Transceiver
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Direction Control
http://onsemi.com
17
FLIP−FLOPS (Continued)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
HC Devices Have CMOS−Compatible Inputs. HCT Devices Have LSTTL−Compatible Inputs.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ HC HC HC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
HCT HCT HCT
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Device 273A 374A 574A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
# Pins 20 20 20
Type D D D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Dual Device
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Quad Device ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Hex Device
Octal Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Common Clock
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Negative−Transition Clocking ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎ
Positive−Transition Clocking
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Common, Active−Low Data Enables
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Noninverting Outputs
Inverting Outputs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
3−State Outputs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Common, Active−Low Output Enables
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Common Reset
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Active−Low Reset
Active−High Reset
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Active−Low Set
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Transceiver
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Direction Control
These devices are identical in function and are different in pinout only: HC374A and HC574A
http://onsemi.com
18
DIGITAL DATA SELECTORS/MULTIPLEXERS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Functional
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Functional Equivalent
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Equivalent CMOS
Device LSTTL Device Number
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Number
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MC74 ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Function
Device
74
MC1XXXX
or CDXXXX
Direct Pin
Compatibility
of
Pins
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC157A Quad 2−Input Noninverting Data Selector/Multiplexer LS157 LS 16
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC251 8−Input Data Selector/Multiplexer with 3−State Outputs LS251 *4512 LS 16
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC253 Dual 4−Input Data Selector/Multiplexer with 3−State LS253 LS 16
Outputs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
HC257
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Quad 2−Input Data Selector/Multiplexer with 3−State
ÎÎÎÎÎ
Outputs
*Suggested alternative
ÎÎÎ
LS257B LS 16
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC Devices Have CMOS−Compatible Inputs.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Device 157A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
# Pins 16
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Description One of
two 4−bit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
words is
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
selected
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Single Device
Dual Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Quad Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Data Latch with Active−Low Latch Enable
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Common Address
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
1−Bit Binary Address
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2−Bit Binary Address
3−Bit Binary Address
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Address Latch (Transparent)
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Address Latch (Non−transparent)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Active−Low Address Latch Enable
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Noninverting Output
Inverting Output
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
3−State Outputs
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Common Output Enable
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Active−High Output Enable
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Active−Low Output Enable
ÎÎÎ
http://onsemi.com
19
DECODERS/DEMULTIPLEXERS/DISPLAY DRIVERS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Functional
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Functional Equivalent
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Equivalent CMOS
Device LSTTL Device Number
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Number
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MC74 ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Function
Device
74
MC1XXXX
or CDXXXX
Direct Pin
Compatibility
of
Pins
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC138A 1−of−8 Decoder/Demultiplexer LS138 *4028 LS 16
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
HCT138A 1−of−8 Decoder/Demultiplexer with LSTTL−Compatible LS138 *4028 LS 16
Inputs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HC139A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Dual 1−of−4 Decoder/Demultiplexer
*Suggested alternative
LS139 4556 LS/CMOS 16
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HC Devices Have CMOS−Compatible Inputs.
ÎÎÎÎ
HC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HCT HC
Device 138A 139A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
# Pins
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Input Description
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
16
3−Bit Binary
16
2−Bit Binary
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Address Address
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Output Description One of 8 One of 4
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Single Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Dual Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Address Input Latch
Active−High Latch Enable
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Active−Low Latch Enable
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Active−Low Inputs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Active−Low Outputs
Active−High Outputs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Active−Low Output Enable
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Active−High Output Enable ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Active−Low Reset
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Active−Low Blanking Input ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Active−High Blanking Input
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Active−Low Lamp−Test Input
Phase Input (for LCD’s)
Implies the device has two such enables
http://onsemi.com
20
ANALOG SWITCHES/MULTIPLEXERS/DEMULTIPLEXERS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Functional
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Functional Equivalent
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Equivalent CMOS
Device LSTTL Device Number
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Number
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MC74 ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Function
Device
74
MC1XXXX
or CDXXXX
Direct Pin
Compatibility
of
Pins
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC4051A 8−Channel Analog Multiplexer/Demultiplexer 4051 CMOS 16
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC4052A Dual 4−Channel Analog Multiplexer/Demultiplexer 4052 CMOS 16
HC4053A Triple 2−Channel Analog Multiplexer/Demultiplexer 4053 CMOS 16
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC4066A Quad Analog Switch/Multiplexer/Demultiplexer 4066,4016 CMOS 14
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HC4316/A
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HC4851A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Quad Analog Switch/Multiplexer/Demultiplexer with
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Separate Analog and Digital Power Supplies
*4016 16
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Analog Multiplexer/Demultiplexer with Injection Current *4051 20
Effect Control
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HC4852A
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Analog Multiplexer/Demultiplexer with Injection Current
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Effect Control
*Suggested alternative
*4052 20
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
HC Devices Have CMOS−Compatible Inputs.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ HC HC HC HC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Device 4051A 4052A 4053A 4066A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
# Pins 16 16 16 14
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Description A 3−Bit Address A 2−Bit Address A 3−Bit Address 4 Independently
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Selects One of 8 Selects One of 4 Selects Varying Controlled
Switches Switches Combinations of Switches
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
the 6 Switches
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Single Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Dual Device
Triple Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Quad Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
1−to−1 Multiplexing
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
2−to−1 Multiplexing
4−to−1 Multiplexing
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
8−to−1 Multiplexing
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Active−High ON/OFF Control
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Common Address Inputs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
2−Bit Binary Address
3−Bit Binary Address
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Address Latch with Active−Low Latch
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Enable
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
Common Switch Enable
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Active−Low Enable ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Active−High Enable
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Separate Analog and Control Reference
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Power Supplies
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Switched Tubs (for RON and Prop. Delay
Improvement)
http://onsemi.com
21
ANALOG SWITCHES/MULTIPLEXERS/DEMULTIPLEXERS (Continued)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
HC Devices Have CMOS−Compatible Inputs.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
HC HC HC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Device 4316A 4851A 4852A
# Pins 16 20 20
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Description
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
4 Independently
Controlled Switches
A 3−Bit Address
Selects One of 8
A 3−Bit Address
Selects Varying
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
(Has a Separate Switches Combinations of
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Analog Lower (Has Injection Current the 6 Switches
Power Supply) Protection) (Has Injection Current
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Protection)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Single Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Dual Device
Triple Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Quad Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
1−to−1 Multiplexing
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
2−to−1 Multiplexing
4−to−1 Multiplexing
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
8−to−1 Multiplexing
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Active−High ON/OFF Control
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Common Address Inputs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
2−Bit Binary Address
3−Bit Binary Address
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
Common Switch Enable
ÎÎÎÎÎÎÎ
Active−Low Enable ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Active−High Enable
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Separate Analog and Control Reference Power Supplies
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Switched Tubs (for RON and Prop. Delay Improvement)
njection Current Protection
http://onsemi.com
22
SHIFT REGISTERS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Functional
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Functional Equivalent
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Equivalent CMOS
Device LSTTL Device Number
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Number
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MC74 ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Function
Device
74
MC1XXXX
or CDXXXX
Direct Pin
Compatibility
of
Pins
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC164A 8−Bit Serial−Input/Parallel−Output Shift Register LS164 LS 14
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC165A 8−Bit Serial− or Parallel−Input/Serial−Output Shift Register LS165 *4021 LS 16
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC589A 8−Bit Serial− or Parallel−Input/Serial−Output Shift Register 16
with 3−State Output
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
HC595A
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
8−Bit Serial−Input/Serial− or Parallel−Output Shift Register
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
with Latched 3−State Outputs
*Suggested alternative
16
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC Devices Have CMOS−Compatible Inputs.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC HC HC HC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Device 164A 165A 589A 595A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
# Pins 14 16 16 16
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4−Bit Register
8−Bit Register
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Serial Data Input
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parallel Data Inputs ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Serial Output Only
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parallel Outputs ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Inverting Output
Noninverting Output
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Shifts One Direction Only ÎÎÎ
Serial Shift/Parallel Load Control
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Shifts Both Directions
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Positive−Transition Clocking
Active−High Clock Enable
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Input Data Enable
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Data Latch with Active−High Latch Clock
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
3−State Outputs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Output Latch with Active−High Latch Clock
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Active−Low Output Enable
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Active−Low Reset
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
http://onsemi.com
23
COUNTERS
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Functional
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Functional Equivalent
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Equivalent CMOS
Device LSTTL Device Number
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Number
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MC74 ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Function
Device
74
MC1XXXX
or CDXXXX
Direct Pin
Compatibility
of
Pins
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC161A Presettable 4−Bit Binary Counter with Asynchronous LS161,LS161A LS 16
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Reset
HC163A Presettable 4−Bit Binary Counter with Synchronous Reset LS161,LS161A LS 16
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC390A Dual 4−Stage Binary Ripple Counter with ÷ 2 and ÷ 5 16
Sections 16
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
HC393A
HC4020A ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Dual 4−Stage Binary Ripple Counter
14−Stage Binary Ripple Counter
LS393 *4520
4020
LS
CMOS
14
16
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC4040A 12−Stage Binary Ripple Counter 4040 CMOS 16
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
HC4060A 14−Stage Binary Ripple Counter with Oscillator 4060 CMOS 16
*Suggested alternative
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
HC Devices Have CMOS−Compatible Inputs.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
HC HC HC HC HC HC HC
Device 161A 163A 390A 393A 4020A 4040A 4060A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
# Pins
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Single Device
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
16
16
16 14 16
16
16
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Dual Device
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Number of Ripple Counter Internal Stages 4 4 14 12 14
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Number of Stages with Available Outputs 4 4 12 12 10
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Count Up
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
4−Bit Binary Counter
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
BCD Counter
Decimal Counter
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Separate ÷ 2 Section
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Separate ÷ 5 Section ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
On−Chip Oscillator Capability
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Positive−Transition Clocking
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Negative−Transition Clocking
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Active−High Clock Enable
Active−Low Clock Enable
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Active−High Reset
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Active−High Count Enable
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
4−Bit Binary Preset Data Inputs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
BCD Preset Data Inputs
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Active−Low Load Preset
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Carry Output
implies the device has two such enables
http://onsemi.com
24
MISCELLANEOUS DEVICES
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Functional
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Functional Equivalent
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Equivalent CMOS
Device LSTTL Device Number
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Number
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MC74 ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Function
Device
74
MC1XXXX
or CDXXXX
Direct Pin
Compatibility
of
Pins
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
HC4046A Phase−Locked Loop 4046 CMOS 16
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
HC4538A Dual Precision Monostable Multivibrator 4538,4528 CMOS 16
(Retriggerable, Resettable)
http://onsemi.com
25
CHAPTER 2
Data Sheets
http://onsemi.com
26
MC74HC00A
Features
• Pb−Free Packages are Available*
MARKING
DIAGRAMS
• Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads 14
• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS and TTL PDIP−14
MC74HC00AN
• Operating Voltage Range: 2 to 6 V
N SUFFIX
CASE 646 AWLYYWW
• Low Input Current: 1 A 1
• High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices 14
• In Compliance With the JEDEC Standard No. 7 A Requirements SOIC−14
HC00A
D SUFFIX
• Chip Complexity: 32 FETs or 8 Equivalent Gates CASE 751A
AWLYWW
1
14
LOGIC DIAGRAM HC
TSSOP−14
1 DT SUFFIX 00A
A1 3
Y1 CASE 948G ALYW
2
B1
1
4
A2 6 A = Assembly Location
5 Y2
B2 WL or L = Wafer Lot
Y = AB YY or Y = Year
9 WW or W = Work Week
A3 8
10 Y3
B3
12 FUNCTION TABLE
A4 11
13 Y4 Inputs Output
B4
A B Y
PIN 14 = VCC
PIN 7 = GND L L H
L H H
Pinout: 14−Lead Packages (Top View) H L H
VCC B4 A4 Y4 B3 A3 Y3 H H L
14 13 12 11 10 9 8
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 28 of this data sheet.
1 2 3 4 5 6 7
A1 B1 Y1 A2 B2 Y2 GND
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package 260
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are
not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
damage may occur and reliability may be affected.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/C from 65 to 125C
SOIC Package: – 7 mW/C from 65 to 125C
TSSOP Package: − 6.1 mW/C from 65 to 125C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 2.0 6.0 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin, Vout DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND) 0 VCC V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TA Operating Temperature, All Package Types – 55 + 125 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tr, tf Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V 0 1000 ns
(Figure 1) VCC = 4.5 V 0 500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ VCC = 6.0 V 0 400
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping†
MC74HC00AN PDIP−14 2000 Units / Box
MC74HC00ANG PDIP−14 2000 Units / Box
(Pb−Free)
http://onsemi.com
28
MC74HC00A
http://onsemi.com
29
MC74HC00A
tf tr
VCC
90%
INPUT 50%
A OR B
10% GND
tPLH tPHL
90%
OUTPUT Y 50%
10%
tTLH tTHL
TEST
POINT
OUTPUT
DEVICE
UNDER
TEST CL*
A
Y
B
http://onsemi.com
30
MC74HC02A
Features
MARKING
• Pb−Free Packages are Available* DIAGRAMS
• Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads 14
TSSOP−14 HC
LOGIC DIAGRAM DT SUFFIX 02A
CASE 948G ALYW
2
A1 1 1
3 Y1
B1
A = Assembly Location
5 WL or L = Wafer Lot
A2 4
Y2 YY or Y = Year
6
B2 WW or W = Work Week
Y=A+B
8
A3 10 FUNCTION TABLE
9 Y3
B3 Inputs Output
11 A B Y
A4 13
12 Y4 L L H
B4 L H L
PIN 14 = VCC H L L
PIN 7 = GND H H L
PIN ASSIGNMENT
GND 7 8 A3
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package 260
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are
not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
damage may occur and reliability may be affected.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/C from 65 to 125C
SOIC Package: – 7 mW/C from 65 to 125C
TSSOP Package: − 6.1 mW/C from 65 to 125C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 2.0 6.0 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin, Vout DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND) 0 VCC V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TA Operating Temperature, All Package Types – 55 + 125 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tr, tf Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V 0 1000 ns
(Figure 1) VCC = 4.5 V 0 500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ VCC = 6.0 V 0 400
http://onsemi.com
32
MC74HC02A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Test Conditions
VCC
V
– 55 to
25C 85C 125°C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIH Minimum High−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 2.0 1.5 1.5 1.5 V
Voltage |Iout| 20 A 3.0 2.1 2.1 2.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 3.15 3.15 3.15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 4.2 4.2 4.2
VIL Maximum Low−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 2.0 0.5 0.5 0.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 20 A 3.0
4.5
6.0
0.9
1.35
1.8
0.9
1.35
1.8
0.9
1.35
1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOH
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 20 A
2.0
4.5
1.9
4.4
1.9
4.4
1.9
4.4
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 5.9 5.9 5.9
Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA 3.0 2.48 2.34 2.20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 4.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 5.2 mA 6.0 5.48 5.34 5.2
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VIH or VIL 2.0 0.1 0.1 0.1 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 20 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
3.0 0.26 0.33 0.4
|Iout| 4.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 5.2 mA 6.0 0.26 0.33 0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin Maximum Input Leakage Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 A
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Quiescent Supply
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
|Iout| = 0 A
6.0 1.0 10 40 A
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
85C 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter V 25C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Input A or B to Output Y 2.0 75 95 110 ns
tPHL (Figures 1 and 2) 3.0 30 40 55
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 15 19 22
6.0 13 16 19
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTLH,
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, Any Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 2)
2.0
3.0
75
30
95
40
110
55
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 15 19 22
6.0 13 16 19
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cin
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Capacitance — 10 10 10 pF
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
33
MC74HC02A
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping†
MC74HC02AN PDIP−14 2000 Units / Box
MC74HC02ANG PDIP−14 2000 Units / Box
(Pb−Free)
tf tr TEST POINT
http://onsemi.com
34
MC74HC03A
DESIGN GUIDE 1
A = Assembly Location
Criteria Value Unit WL or L = Wafer Lot
Internal Gate Count* 7.0 ea YY or Y = Year
Internal Gate Propagation Delay 1.5 ns WW or W = Work Week
ORDERING INFORMATION
Pinout: 14−Lead Packages (Top View)
Device Package Shipping
VCC B4 A4 Y4 B3 A3 Y3
14 13 12 11 10 9 8 MC74HC03AN PDIP−14 2000 / Box
MC74HC03AD SOIC−14 55 / Rail
MC74HC03ADR2 SOIC−14 2500 / Reel
MC74HC03ADT TSSOP−14 96 / Rail
1 2 3 4 5 6 7 MC74HC03ADTR2 TSSOP−14 2500 / Reel
A1 B1 Y1 A2 B2 Y2 GND
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA cuit. For proper operation, Vin and
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air Plastic DIP† 750 mW
tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500
level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
260
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 2.0 6.0 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin, Vout DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND) 0 VCC V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TA Operating Temperature, All Package Types – 55 + 125 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tr, tf Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V 0 1000 ns
(Figure 1) VCC = 4.5 V 0 500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
VCC = 6.0 V 0 400
http://onsemi.com
36
MC74HC03A
http://onsemi.com
37
MC74HC03A
VCC
tr tf
1kΩ Rpd
VCC
90%
INPUT A 50% OUTPUT TEST
10% GND DEVICE POINT
tPZL tPLZ UNDER
HIGH TEST CL*
90% IMPEDANCE
OUTPUT Y 50%
10% 10%
VOL
tTHL *Includes all probe and jig capacitance
25
VCC=5V
TYPICAL
T=25°C
20
I D, SINK CURRENT (mA)
T=25°C
15
T=85°C
10 T=125°C
EXPECTED MINIMUM*
5
0
0 1 2 3 4 5
VO, OUTPUT VOLTAGE (VOLTS)
*The expected minimum curves are not guarantees, but are design aids.
VCC VCC
VCC +
VR
−
PULLUP +
RESISTOR VF
A1 −
1/4 Y1
OUTPUT 1/4 1/4
HC03
B1 LED1 HC03 HC03
A2 DESIGN EXAMPLE
1/4 Y2
CONDITIONS: ID10mA
B2 HC03 LED2
USING FIGURE NO TAG TYPICAL
CURVE, at ID=10mA, VDS0.4V
LED
ENABLE V VF VO
An
1/4 Yn R CC
ID
HC03
Bn
5V 1.7V 0.4V
OUTPUT = Y1 • Y2 • . . . • Yn 10mA
= A1B1 • A2B2 • . . . • AnBn 290
USE R = 270Ω
http://onsemi.com
38
MC74HC04A
Hex Inverter
High−Performance Silicon−Gate CMOS
The MC74HC04A is identical in pinout to the LS04 and the
MC14069. The device inputs are compatible with Standard CMOS
outputs; with pullup resistors, they are compatible with LSTTL http://onsemi.com
outputs.
The device consists of six three−stage inverters.
Features PDIP−14
N SUFFIX
• Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads CASE 646
• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS and TTL
• Operating Voltage Range: 2 to 6V
SOIC−14
• Low Input Current: 1A D SUFFIX
• High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices CASE 751A
LOGIC DIAGRAM
MARKING DIAGRAMS
1 2
A1 Y1 14
MC74HC04AN
3 4 AWLYYWW
A2 Y2
1
5 6 14
A3 Y3
Y=A HC04A
9 8 AWLYWW
A4 Y4
1
11 10 14
A5 Y5
HC
04A
13 12 ALYW
A6 Y6
1
A = Assembly Location
Pinout: 14−Lead Packages (Top View) WL or L = Wafer Lot
VCC A6 Y6 A5 Y5 A4 Y4 YY or Y = Year
14 13 12 11 10 9 8 WW or W = Work Week
FUNCTION TABLE
Inputs Outputs
A Y
L H
1 2 3 4 5 6 7 H L
A1 Y1 A2 Y2 A3 Y3 GND
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please ORDERING INFORMATION
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques See detailed ordering and shipping information in the package
Reference Manual, SOLDERRM/D. dimensions section on page 40 of this data sheet.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Tstg
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎ
Storage Temperature
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
– 65 to + 150 C
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package 260
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
This device contains protection circuitry to guard against damage due to high static voltages or electric fields. However, precautions must
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
be taken to avoid applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this high−impedance circuit. For proper operation,
Vin and Vout should be constrained to the range GND (Vin or Vout) VCC. Unused inputs must always be tied to an appropriate logic
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
voltage level (e.g., either GND or VCC). Unused outputs must be left open.
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
†Derating − Plastic DIP: – 10 mW/C from 65 to 125C
SOIC Package: – 7 mW/C from 65 to 125C
TSSOP Package: − 6.1 mW/C from 65 to 125C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 2.0 6.0 V
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin, Vout DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND) 0 VCC V
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TA Operating Temperature, All Package Types – 55 + 125 C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tr, tf Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V 0 1000 ns
(Figure 1) VCC = 4.5 V 0 500
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ORDERING INFORMATION
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ VCC = 6.0 V 0 400
Device Order N
Number
mber Package Shipping†
MC74HC04AN PDIP−14 2000 / Box
MC74HC04ANG PDIP−14 2000 / Box
(Pb−Free)
http://onsemi.com
40
MC74HC04A
http://onsemi.com
41
MC74HC04A
tf tr
VCC
90%
INPUT A 50%
10% GND
tPLH tPHL
90%
OUTPUT Y 50%
10%
tTLH tTHL
TEST
POINT
OUTPUT
DEVICE
UNDER
TEST CL*
A Y
http://onsemi.com
42
MC74HC08A
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping
1 2 3 4 5 6 7
MC74HC08AN PDIP−14 2000 / Box
A1 B1 Y1 A2 B2 Y2 GND
MC74HC08AD SOIC−14 55 / Rail
MC74HC08ADR2 SOIC−14 2500 / Reel
MC74HC08ADT TSSOP−14 96 / Rail
MC74HC08ADTR2 TSSOP−14 2500 / Reel
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
2.0
0
6.0
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V
– 55
0
+ 125
1000
C
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 1) VCC = 4.5 V 0 500
VCC = 6.0 V 0 400
http://onsemi.com
44
MC74HC08A
http://onsemi.com
45
MC74HC08A
tr tf
VCC
90%
INPUT 50%
A OR B
10% GND
tPLH tPHL
90%
OUTPUT Y 50%
10%
tTLH tTHL
TEST
POINT
OUTPUT
DEVICE
UNDER
TEST CL*
A
Y
B
http://onsemi.com
46
MC74HC125A,
MC74HC126A
4 4 Y1 3 12 A4
OE2 OE2
OE2 4 11 Y4
9 8 Y3 9 8 Y3
A3 A3 A2 5 10 OE3
Y2 6 9 A3
10 10
OE3 OE3 GND 7 8 Y3
12 11 12 11
A4 Y4 A4 Y4
13 13
OE4 OE4
PIN 14 = VCC
PIN 7 = GND ORDERING INFORMATION
FUNCTION TABLE Device Package Shipping
HC125A HC126A MC74HC12xAN PDIP−14 2000 / Box
Inputs Output Inputs Output MC74HC12xAD SOIC−14 55 / Rail
A OE Y A OE Y
MC74HC12xADR2 SOIC−14 2500 / Reel
H L H H H H
L L L L H L MC74HC12xADT TSSOP−14 96 / Rail
X H Z X L Z MC74HC12xADTR2 TSSOP−14 2500 / Reel
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V be taken to avoid applications of any
± 20 voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin mA
voltages to this high−impedance cir-
± 35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iout DC Output Current, per Pin mA cuit. For proper operation, Vin and
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 75 mA Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
range GND (Vin or Vout) VCC.
PD Power Dissipation in Still Air Plastic DIP† 750 mW
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
SOIC Package† 500 tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TSSOP Package† 450 level (e.g., either GND or VCC).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C Unused outputs must be left open.
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TL Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
(Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package) 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/C from 65 to 125C
SOIC Package: – 7 mW/C from 65 to 125C
TSSOP Package: – 6.1 mW/C from 65 to 125C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 2.0 6.0 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin, Vout DC Input Voltage, Output Voltage 0 VCC V
(Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types – 55 + 125 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 1)
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
0
0
0
1000
500
400
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIH Minimum High−Level Input Vout = VCC – 0.1 V 2.0 1.5 1.5 1.5 V
Voltage |Iout| 20 µA 3.0 2.1 2.1 2.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 3.15 3.15 3.15
6.0 4.2 4.2 4.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Low−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = 0.1 V
|Iout| 20 µA
2.0
3.0
0.5
0.9
0.5
0.9
0.5
0.9
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 1.35 1.35 1.35
6.0 1.8 1.8 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOH
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH
|Iout| 20 µA
2.0
4.5
6.0
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH |Iout| 3.6 mA
|Iout| 6.0 mA
3.0
4.5
2.48
3.98
2.34
3.84
2.2
3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 7.8 mA 6.0 5.48 5.34 5.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VIL 2.0 0.1 0.1 0.1 V
Voltage |Iout| 20 µA 4.5 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIL |Iout| 3.6 mA 3.0 0.26 0.33 0.4
|Iout| 6.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 7.8 mA 6.0 0.26 0.33 0.4
http://onsemi.com
48
MC74HC125A, MC74HC126A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Leakage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IOZ Maximum Three−State Output in High−Impedance State 6.0 ± 0.5 ± 5.0 ± 10 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Leakage Current Vin = VIL or VIH
Vout = VCC or GND
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Quiescent Supply
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
Iout = 0 µA
6.0 4.0 40 160
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
µA
(DL129/D).
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
85C 125C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter V 25C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Input A to Output Y 2.0 90 115 135 ns
tPHL (Figures 1 and 3) 3.0 36 45 60
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 18 23 27
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 15 20 23
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLZ, Maximum Propagation Delay, Output Enable to Y 2.0 120 150 180 ns
tPHZ (Figures 2 and 4) 3.0 45 60 80
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 24 30 36
6.0 20 26 31
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPZL,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPZH ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Y
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 2 and 4)
2.0
3.0
90
36
115
45
135
60
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 18 23 27
6.0 15 20 23
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, Any Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 3)
2.0
3.0
60
22
75
28
90
34
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 12 15 18
6.0 10 13 15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cin
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cout
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Input Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Three−State Output Capacitance
—
—
10
15
10
15
10
15
pF
pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Output in High−Impedance State)
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
49
MC74HC125A, MC74HC126A
SWITCHING WAVEFORMS
VCC
OE (HC125A) 50%
tr tf GND
VCC
90% VCC
INPUT A 50%
10% OE (HC126A) 50%
GND
tPHL GND
tPLH
OUTPUT Y 90% tPZL tPLZ
HIGH
50%
10% IMPEDANCE
OUTPUT Y 50%
10% VOL
tTLH tTHL tPZH tPHZ
90% VOH
OUTPUT Y 50% HIGH
Figure 1.
IMPEDANCE
Figure 2.
*Includes all probe and jig capacitance *Includes all probe and jig capacitance
VCC
OE
A Y
HC125A
(1/4 OF THE DEVICE)
VCC
OE
A Y
HC126A
(1/4 OF THE DEVICE)
http://onsemi.com
50
MC74HC132A
TSSOP−14 HC
DT SUFFIX 132A
CASE 948G ALYW
A1 1 14 VCC 1
B1 2 13 B4
Y1 3 12 A4 A = Assembly Location
L, WL = Wafer Lot
A2 4 11 Y4 Y, YY = Year
B2 5 10 B3 W, WW = Work Week
Y2 6 9 A3
GND 7 8 Y3 FUNCTION TABLE
Inputs Output
Figure 1. Pin Assignment A B Y
L L H
L H H
H L H
H H L
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 52 of this data sheet.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
1
A1
3
Y1
2
B1
A2 4
6
Y2
5
B2
Y = AB
9
A3
8
Y3
10
B3
A4 12
11
Y4
13
B4
PIN 14 = VCC
PIN 7 = GND
ORDERING INFORMATION
Device Order N mber
Number Package Shipping†
MC74HC132AN PDIP−14 2000 Units / Box
MC74HC132ANG PDIP−14 2000 Units / Box
(Pb−Free)
http://onsemi.com
52
MC74HC132A
MAXIMUM RATINGS
Symbol Parameter Value Unit
VCC Positive DC Supply Voltage 0.5 to 7.0 V
VIN Digital Input Voltage 0.5 to 7.0 V
VOUT DC Output Voltage Output in 3−State 0.5 to 7.0 V
High or Low State 0.5 to VCC 0.5
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 2.0 6.0 V
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIN, VOUT DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND) 0 VCC V
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TA Operating Temperature, All Package Types 55 125 C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tr, tf Input Rise and Fall Time (Figure 3) − No Limit ns
(Note 6)
6. When VIN
0.5 VCC, ICC >> quiescent current.
7. Unused inputs may not be left open. All inputs must be tied to a high−logic voltage level or a low−logic input voltage level.
http://onsemi.com
53
MC74HC132A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
VT+max ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Maximum Positive−Going
Test Conditions
VOUT = 0.1 V
V
2.0
55C to 25C
1.5
85C
1.5
125C
1.5
Unit
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Input Threshold Voltage |IOUT| 20 A 4.5 3.15 3.15 3.15
(Figure 5) 6.0 4.2 4.2 4.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
VT+min
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Minimum Positive−Going
ÎÎ
Input Threshold Voltage
VOUT = 0.1 V
|IOUT| 20 A
2.0
4.5
1.0
2.3
0.95
2.25
0.95
2.25
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
(Figure 5) 6.0 3.0 2.95 2.95
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VT–max Maximum Negative−Going VOUT = VCC – 0.1 V 2.0 0.9 0.95 0.95 V
Input Threshold Voltage |IOUT| 20 A 4.5 2.0 2.05 2.05
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
(Figure 5) 6.0 2.6 2.65 2.65
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VT–min Minimum Negative−Going VOUT = VCC – 0.1 V 2.0 0.3 0.3 0.3 V
Input Threshold Voltage |IOUT| 20 A 4.5 0.9 0.9 0.9
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
(Figure 5) 6.0 1.2 1.2 1.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VHmax Maximum Hysteresis VOUT = 0.1 V or VCC – 0.1 V 2.0 1.2 1.2 1.2 V
|IOUT| 20 A
ÎÎ
Voltage 4.5 2.25 2.25 2.25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(Note 8)
(Figure 5) 6.0 3.0 3.0 3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
VHmin
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
(Note 8) ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(Figure 5) ÎÎÎÎ
Minimum Hysteresis
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
VOUT = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|IOUT| 20 A
2.0
4.5
6.0
0.2
0.4
0.5
0.2
0.4
0.5
0.2
0.4
0.5
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOH
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Minimum High−Level
ÎÎÎÎ
Output Voltage
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
VIN VT−min or VT+max
|IOUT| 20 A
2.0
4.5
6.0
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
VIN −VT−min or VT+max
|IOUT| 4.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
|IOUT| 5.2 mA 6.0 5.48 5.34 5.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VOL Maximum Low−Level VIN ≥ VT+max 2.0 0.1 0.1 0.1 V
Output Voltage |IOUT| 20 A 4.5 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VIN ≥ VT+max |IOUT| 4.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.4
|IOUT| 5.2 mA 6.0 0.26 0.33 0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IIN
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input Leakage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = VCC or GND 6.0 0.1 1.0 1.0 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Maximum Quiescent
ÎÎÎÎ
Supply Current
(per Package) ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = VCC or GND
IOUT = 0 A
6.0 1.0 10 40 A
http://onsemi.com
54
MC74HC132A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH, ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
Parameter
Maximum Propagation Delay, Input A or B to Output Y
V
2.0
55C to 25C
125
85C
155
125C
190
Unit
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎ
tPHL (Figures 3 and 4) 4.5 25 31 38
6.0 21 26 32
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTLH,
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTHL ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎ
Maximum Output Transition Time, Any Output
ÎÎ
ÎÎÎÎ
(Figures 3 and 4)
2.0
4.5
75
15
95
19
110
22
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
6.0 13 16 19
Cin Maximum Input Capacitance — 10 10 10 pF
10. For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see the ON Semiconductor High−Speed
CMOS Data Book (DL129/D).
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
CPD Power Dissipation Capacitance (per Gate) (Note 11) 24 pF
11. Used to determine the no−load dynamic power consumption: P D = C PD V CC 2 f + I CC V CC . For load considerations, see the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
TEST POINT
tr tf
VCC OUTPUT
90%
INPUT 50% DEVICE
A OR B 10% GND UNDER
tPHL tPLH CL*
TEST
90%
Y 50%
10%
tTHL tTLH
*Includes all probe and jig capacitance
http://onsemi.com
55
MC74HC132A
3
VHtyp
(VOLTS)
2
2 3 4 5 6
VCC, POWER SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
VHtyp = (VT+ typ) − (VT− typ)
Figure 5. Typical Input Threshold, VT+, VT− Versus Power Supply Voltage
VCC VCC
VH VH
VT+ VIN VT+
VIN VT−
VT−
GND GND
VOH VOH
VOUT VOUT
VOL VOL
VCC
VOUT
VIN
(a)A SCHMITT TRIGGER SQUARES UP INPUTS (b)A SCHMITT TRIGGER OFFERS MAXIMUM
(a)WITH SLOW RISE AND FALL TIMES NOISE IMMUNITY
http://onsemi.com
56
MC74HC132A
http://onsemi.com
57
MC74HC138A
1−of−8 Decoder/
Demultiplexer
High−Performance Silicon−Gate CMOS
The MC74HC138A is identical in pinout to the LS138. The device
inputs are compatible with standard CMOS outputs; with pullup
resistors, they are compatible with LSTTL outputs. http://onsemi.com
The HC138A decodes a three−bit Address to one−of−eight
MARKING
active−low outputs. This device features three Chip Select inputs, two
DIAGRAMS
active−low and one active−high to facilitate the demultiplexing,
16
cascading, and chip−selecting functions. The demultiplexing function
PDIP−16
is accomplished by using the Address inputs to select the desired N SUFFIX MC74HC138AN
16 AWLYYWW
device output; one of the Chip Selects is used as a data input while the CASE 648
other Chip Selects are held in their active states. 1
1
• Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads 16
• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS and TTL SO−16
HC138A
• Operating Voltage Range: 2.0 to 6.0 V 16
D SUFFIX
CASE 751B
AWLYWW
• Low Input Current: 1.0 µA 1
1
• High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices 16
• In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard TSSOP−16 HC
No. 7A 16 DT SUFFIX 138A
• Chip Complexity: 100 FETs or 29 Equivalent Gates 1
CASE 948F ALYW
LOGIC DIAGRAM 1
1 15 A = Assembly Location
A0 Y0 WL = Wafer Lot
ADDRESS 14
2 Y1 YY = Year
INPUTS A1 13
Y2 WW = Work Week
3 12
A2 Y3 ACTIVE−LOW
11 OUTPUTS
Y4 PIN ASSIGNMENT
10
Y5
9 A0 1 16 VCC
Y6
7
Y7 A1 2 15 Y0
A2 3 14 Y1
6
CS1
CHIP− PIN 16 = VCC CS2 4 13 Y2
4
SELECT CS2 PIN 8 = GND
CS3 5 12 Y3
INPUTS 5
CS3 CS1 6 11 Y4
FUNCTION TABLE Y7 7 10 Y5
Inputs Outputs GND 8 9 Y6
CS1CS2 CS3 A2 A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
X X H X X X H H H H H H H H
X H X X X X H H H H H H H H
L X X X X X H H H H H H H H
H L L L L L L H H H H H H H ORDERING INFORMATION
H L L L L H H L H H H H H H
Device Package Shipping
H L L L H L H H L H H H H H
H L L L H H H H H L H H H H MC74HC138AN PDIP−16 2000 / Box
H L L H L L H H H H L H H H MC74HC138AD SOIC−16 48 / Rail
H L L H L H H H H H H L H H
MC74HC138ADR2 SOIC−16 2500 / Reel
H L L H H L H H H H H H L H
H L L H H H H H H H H H H L MC74HC138ADT TSSOP−16 96 / Rail
H = high level (steady state); L = low level (steady state); X = don’t care MC74HC138ADTR2 TSSOP−16 2500 / Reel
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA cuit. For proper operation, Vin and
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW
tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500
level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package)
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
260
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
Î ÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
Parameter
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
Min
2.0
Max
6.0
Unit
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
0
– 55
VCC
+ 125
V
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 2)
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
0
0
0
1000
500
400
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC −55C to
25C 85C 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V Unit
VIH Minimum High−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 2.0 1.5 1.5 1.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 20 µA 3.0
4.5
6.0
2.1
3.15
4.2
2.1
3.15
4.2
2.1
3.15
4.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Low−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout| 20 µA
2.0
3.0
0.5
0.9
0.5
0.9
0.5
0.9
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 1.35 1.35 1.35
6.0 1.8 1.8 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOH
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 20 µA
2.0
4.5
6.0
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA
|Iout| 4.0 mA
3.0
4.5
2.48
3.98
2.34
3.84
2.20
3.70
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 5.2 mA 6.0 5.48 5.34 5.20
http://onsemi.com
59
MC74HC138A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC −55C to
25C 85C 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V Unit
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VIH or VIL 2.0 0.1 0.1 0.1 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 20 µA 4.5
6.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA 3.0 0.26 0.33 0.40
|Iout| 4.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 5.2 mA 6.0 0.26 0.33 0.40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin Maximum Input Leakage Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current
µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC Maximum Quiescent Supply Vin = VCC or GND 6.0 4 40 160
Current (per Package) Iout = 0 µA
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ Parameter
VCC
V
−55C to
25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Input A to Output Y 2.0 135 170 205 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPHL (Figures 1 and 4) 3.0 90 125 165
4.5 27 34 41
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 23 29 35
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, CS1 to Output Y 2.0 110 140 165 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPHL (Figures 2 and 4) 3.0 85 100 125
4.5 22 28 33
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 19 24 28
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, CS2 or CS3 to Output Y 2.0 120 150 180 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPHL (Figures 3 and 4) 3.0 90 120 150
4.5 24 30 36
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 20 26 31
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tTLH, Maximum Output Transition Time, Any Output 2.0 75 95 110 ns
tTHL (Figures 2 and 4) 3.0 30 40 55
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
6.0
15
13
19
16
22
19
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cin Maximum Input Capacitance — 10 10 10 pF
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
60
MC74HC138A
SWITCHING WAVEFORMS
tr tf
VALID VALID
VCC
VCC INPUT CS1 90%
INPUT A 50% 50%
10% GND
GND
tPHL tPLH
tPLH tPHL
90%
50%
OUTPUT Y 50% OUTPUT Y 10%
tTHL tTLH
Figure 1. Figure 2.
TEST POINT
tf tr
VCC OUTPUT
90%
INPUT 50% DEVICE
CS2, CS3 10% GND UNDER
tPHL tPLH TEST CL*
90%
50%
OUTPUT Y 10%
tTHL tTLH
*Includes all probe and jig capacitance
Figure 3.
Figure 4. Test Circuit
PIN DESCRIPTIONS
ADDRESS INPUTS Address inputs. For any other combination of CS1, CS2, and
A0, A1, A2 (Pins 1, 2, 3) CS3, the outputs are at a logic high.
Address inputs. These inputs, when the chip is selected,
OUTPUTS
determine which of the eight outputs is active−low.
Y0 − Y7 (Pins 15, 14, 13, 12, 11, 10, 9, 7)
CONTROL INPUTS Active−low Decoded outputs. These outputs assume a
CS1, CS2, CS3 (Pins 6, 4, 5) low level when addressed and the chip is selected. These
Chip select inputs. For CS1 at a high level and CS2, CS3 outputs remain high when not addressed or the chip is not
at a low level, the chip is selected and the outputs follow the selected.
http://onsemi.com
61
MC74HC138A
15
Y0
14
Y1
13
1 Y2
A0
12
2 Y3
A1
11
Y4
3
A2
10
Y5
5
CS3
4 9
CS2 Y6
7
Y7
6
CS1
http://onsemi.com
62
MC74HC139A
SELECTa 1 16 VCC
A0a 2 15 SELECTb
A1a 3 14 A0b 16
16
Y0a 4 13 A1b HC
1
139A
Y1a 5 12 Y0b
TSSOP−16 ALYW
Y2a 6 11 Y1b DT SUFFIX
CASE 948F 1
Y3a 7 10 Y2b
GND 8 9 Y3b
FUNCTION TABLE
Inputs Outputs
ORDERING INFORMATION
Select A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3
Device Package Shipping
H X X H H H H
L L L L H H H MC74HC139AN PDIP−16 2000/Box
L L H H L H H MC74HC139AD SOIC−16 48/Rail
L H L H H L H
L H H H H H L MC74HC139ADR2 SOIC−16 2500/Reel
MC74HC139ADT TSSOP−16 96/Rail
X = don’t care
MC74HC139ADTR2 TSSOP−16 2500/Reel
2 4
ADDRESS A0a Y0a
INPUTS 3 5
A1a Y1a ACTIVE−LOW
6 OUTPUTS
Y2a
7
Y3a
1 PIN 16 = VCC
SELECTa PIN 8 = GND
14 12
ADDRESS A0b Y0b
INPUTS 13 11
A1b Y1b ACTIVE−LOW
10 OUTPUTS
Y2b
9
Y3b
15
SELECTb
http://onsemi.com
64
MC74HC139A
1. Absolute maximum continuous ratings are those values beyond which damage to the device may occur. Extended exposure to these
conditions or conditions beyond those indicated may adversely affect device reliability. Functional operation under absolute maximum−rated
conditions is not implied.
2. IO absolute maximum rating must be observed.
3. Tested to EIA/JESD22−A114−A.
4. Tested to EIA/JESD22−A115−A.
5. Tested to JESD22−C101−A.
6. Tested to EIA/JESD78.
7. For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage
Parameter
(Referenced to GND)
Min
2.0
Max
6.0
Unit
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIN, VOUT
ÎÎÎÎ
TA ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
(Referenced to GND) 0
55
VCC
125
V
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(Figure 3)
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
0
0
0
1000
500
400
ns
8. Unused inputs may not be left open. All inputs must be tied to a high−logic voltage level or a low−logic input voltage level.
http://onsemi.com
65
MC74HC139A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIH ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Minimum High−Level Input
Test Conditions
VOUT = 0.1 V or VCC 0.1 V
V
2.0
55C to 25C
1.5
85C
1.5
125C
1.5
Unit
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Voltage |IOUT| 20 A 4.5 3.15 3.15 3.15
6.0 4.2 4.2 4.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Low−Level Input
ÎÎ
VOUT = 0.1 V or VCC 0.1 V
|IOUT| 20 A
2.0
4.5
0.5
1.35
0.5
1.35
0.5
1.35
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 1.8 1.8 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Output VIN = VIH or VIL 2.0 1.9 1.9 1.9 V
Voltage |IOUT| 20 A 4.5 4.4 4.4 4.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 5.9 5.9 5.9
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = VIH or VIL |IOUT| 4.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.70
|IOUT| 5.2 mA 6.0 5.48 5.34 5.20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Low−Level Output
ÎÎ
VIN = VIH or VIL
|IOUT| 20 A
2.0
4.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 0.1 0.1 0.1
|IOUT| 4.0 mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = VIH or VIL 4.5 0.26 0.33 0.40
|IOUT| 5.2 mA 6.0 0.26 0.33 0.40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
IIN
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input Leakage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = VCC or GND 6.0 0.1 1.0 1.0 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ICC Maximum Quiescent Supply VIN = VCC or GND 6.0 4 40 160 A
Current (per Package) IOUT = 0 A
9. Information on typical parametric values can be found in the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ Parameter V 55C to 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH,
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(Figures 1 and 3)
ÎÎ
Maximum Propagation Delay, Select to Output Y
ÎÎ
2.0
4.5
6.0
115
23
20
145
29
25
175
35
30
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH,
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Input A to Output Y
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(Figures 2 and 3)
ÎÎ
2.0
4.5
115
23
145
29
175
35
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 20 25 30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tTLH, Maximum Output Transition Time, Any Output 2.0 75 95 110 ns
tTHL (Figures 1 and 3) 4.5 15 19 22
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 13 16 19
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Cin Maximum Input Capacitance − 10 10 10 pF
10. For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see the ON Semiconductor High−Speed
CMOS Data Book (DL129/D).
11. Used to determine the no−load dynamic power consumption: P D = C PD V CC 2 f I CC V CC . For load considerations, see the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
66
MC74HC139A
tf tr
VCC VALID VALID
90% VCC
50%
SELECT 10% GND INPUT A 50%
tPHL tPLH GND
tPLH tPHL
90%
50%
OUTPUT Y 10% OUTPUT Y 50%
tTHL tTLH
TEST POINT
OUTPUT
DEVICE
UNDER
CL*
TEST
http://onsemi.com
67
MC74HC139A
PIN DESCRIPTIONS
ADDRESS INPUTS inputs. A high level on this input forces all outputs to a high
level.
A0a, A1a, A0b, A1b (Pins 2, 3, 14, 13)
Address inputs. These inputs, when the respective 1−of−4 OUTPUTS
decoder is enabled, determine which of its four active−low
Y0a − Y3a, Y0b − Y3b (Pins 4 − 7, 12, 11, 10, 9)
outputs is selected.
Active−low outputs. These outputs assume a low level
CONTROL INPUTS when addressed and the appropriate Select input is active.
These outputs remain high when not addressed or the
Selecta, Selectb (Pins 1, 15)
appropriate Select input is inactive.
Active−low select inputs. For a low level on this input, the
outputs for that particular decoder follow the Address
SELECT
Y0
Y1
A0
Y2
Y3
A1
http://onsemi.com
68
MC74HC14A
Hex Schmitt−Trigger
Inverter
High−Performance Silicon−Gate CMOS
The MC74HC14A is identical in pinout to the LS14, LS04 and the
HC04. The device inputs are compatible with Standard CMOS http://onsemi.com
outputs; with pullup resistors, they are compatible with LSTTL
outputs. MARKING
The HC14A is useful to “square up” slow input rise and fall times. DIAGRAMS
Due to hysteresis voltage of the Schmitt trigger, the HC14A finds 14
applications in noisy environments. PDIP−14
N SUFFIX MC74HC14AN
CASE 646 AWLYYWW
Features
• Pb−Free Packages are Available*
1
14
• Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads SOIC−14
• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS and TTL D SUFFIX
HC14A
AWLYWW
• Operating Voltage Range: 2.0 to 6.0 V
CASE 751A
•
1
Low Input Current: 1.0 A 14
• High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices
HC
TSSOP−14
• In Compliance With the JEDEC Standard No. 7.0 A Requirements DT SUFFIX 14A
• Chip Complexity: 60 FETs or 15 Equivalent Gates CASE 948G ALYW
LOGIC DIAGRAM 1
1 2 A = Assembly Location
A1 Y1
WL or L = Wafer Lot
YY or Y = Year
3 4 WW or W = Work Week
A2 Y2
5 6 FUNCTION TABLE
A3 Y3
Inputs Outputs
Y=A
9 8 A Y
A4 Y4 Pin 14 = VCC
Pin 7 = GND L H
H L
11 10
A5 Y5
13 12
A6 Y6 ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 70 of this data sheet.
Pinout: 14−Lead Packages (Top View)
VCC A6 Y6 A5 Y5 A4 Y4
14 13 12 11 10 9 8 *For additional information on our Pb−Free strategy
and soldering details, please download the
ON Semiconductor Soldering and Mounting
Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
1 2 3 4 5 6 7
A1 Y1 A2 Y2 A3 Y3 GND
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature Range – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package 260
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are
not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
damage may occur and reliability may be affected.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/C from 65 to 125C
SOIC Package: – 7 mW/C from 65 to 125C
TSSOP Package: − 6.1 mW/C from 65 to 125C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 2.0 6.0 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin, Vout DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to 0 VCC V
GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature Range, All Package Types – 55 + 125 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Input Rise/Fall Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 1)
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
0
0
No Limit*
No Limit*
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 6.0 V 0 No Limit*
*When Vin = 50% VCC, ICC > 1mA
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping†
MC74HC14AN PDIP−14 2000 Units / Box
MC74HC14ANG PDIP−14 2000 Units / Box
(Pb−Free)
http://onsemi.com
70
MC74HC14A
http://onsemi.com
71
MC74HC14A
tf tr
VCC
90%
INPUT A 50%
10% GND
tPLH tPHL
90%
OUTPUT Y 50%
10%
tTLH tTHL
TEST
POINT
OUTPUT
DEVICE
UNDER
TEST CL*
http://onsemi.com
72
MC74HC14A
3
(VT+) VHtyp
2
(VT−)
2 3 4 5 6
VCC, POWER SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Typical Input Threshold, VT+, VT− versus Power Supply Voltage
A Y
(a) A Schmitt−Trigger Squares Up Inputs With Slow Rise and Fall Times (b) A Schmitt−Trigger Offers Maximum Noise Immunity
VCC VCC
VH VH
VT+ VT+
Vin Vin
VT− VT−
GND GND
VOH VOH
Vout Vout
VOL VOL
http://onsemi.com
73
MC74HC157A
•
1
In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard 1
No. 7A 16
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package) 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage
2.0
0
6.0
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TA Operating Temperature, All Package Types – 55 + 125 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tr, tf Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V 0 1000 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 1) VCC = 4.5 V 0 500
VCC = 6.0 V 0 400
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIH
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = VCC – 0.1 V
|Iout| 20 µA
2.0
3.0
4.5
1.5
2.1
3.15
1.5
2.1
3.15
1.5
2.1
3.15
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIL ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Low−Level Input Vout = 0.1 V
|Iout| 20 µA
6.0
2.0
4.2
0.5
4.2
0.5
4.2
0.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage 3.0 0.9 0.9 0.9
4.5 1.35 1.35 1.35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 1.8 1.8 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Output Vin = VIH 2.0 1.9 1.9 1.9 V
Voltage |Iout| 20 µA 4.5 4.4 4.4 4.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH |Iout| 2.4 mA
|Iout| 6.0 mA
6.0
3.0
5.9
2.48
5.9
2.34
5.9
2.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 3.98 3.84 3.7
|Iout| 7.8 mA 6.0 5.48 5.34 5.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VOL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Low−Level Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIL
|Iout| 20 µA
2.0
4.5
6.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIL |Iout| 2.4 mA
|Iout| 6.0 mA
|Iout| 7.8 mA
3.0
4.5
6.0
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
0.4
0.4
0.4
http://onsemi.com
75
MC74HC157A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Leakage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IOZ Maximum Three−State Output in High−Impedance State 6.0 ± 0.5 ± 5.0 ± 10 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Leakage Current Vin = VIL or VIH
Vout = VCC or GND
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Quiescent Supply
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
Iout = 0 µA
6.0 4.0 40 160
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
µA
(DL129/D).
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
85C 125C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter V 25C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Input A or B to Output Y 2.0 105 130 160 ns
tPHL (Figures 1 and 4) 3.0 65 85 115
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 21 26 32
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 18 22 27
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Select to Output Y 2.0 110 140 165 ns
tPHL (Figures 2 and 4) 3.0 70 90 115
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 22 28 33
6.0 19 24 28
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Output Y
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 3 and 4)
2.0
3.0
100
60
125
80
150
110
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 20 25 30
6.0 17 21 26
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, Any Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 4)
2.0
3.0
75
27
95
32
110
36
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 15 19 22
6.0 13 16 19
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cin
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Capacitance — 10 10 10 pF
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
76
MC74HC157A
PIN DESCRIPTIONS
INPUTS The data present on these pins is in its noninverted form. For
A0, A1, A2, A3 (Pins 2, 5, 11, 14) the Output Enable input at a high level, the outputs are at a
Nibble A inputs. The data present on these pins is low level.
transferred to the outputs when the Select input is at a low
CONTROL INPUTS
level and the Output Enable input is at a low level. The data Select (Pin 1)
is presented to the outputs in noninverted form.
Nibble select. This input determines the data word to be
B0, B1, B2, B3 (Pins 3, 6, 10, 13) transferred to the outputs. A low level on this input selects
Nibble B inputs. The data present on these pins is the A inputs and a high level selects the B inputs.
transferred to the outputs when the Select input is at a high Output Enable (Pin 15)
level and the Output Enable input is at a low level. The data
is presented to the outputs in noninverted form. Output Enable input. A low level on this input allows the
selected input data to be presented at the outputs. A high
OUTPUTS level on this input sets all outputs to a low level.
Y0, Y1, Y2, Y3 (Pins 4, 7, 9, 12)
Data outputs. The selected input Nibble is presented at
these outputs when the Output Enable input is at a low level.
SWITCHING WAVEFORMS
tr tf tr tf
VCC VCC
90% SELECT 90%
INPUT A OR B 50% 50%
10% GND 10% GND
tPLH tPHL tPLH tPHL
90% OUTPUT Y 90%
OUTPUT Y 50% 50%
10% 10%
tTLH tTHL tTLH tTHL
tr tf
VCC
OUTPUT 90%
50%
ENABLE 10% GND
tPHL tPLH
90%
OUTPUT Y 50%
10%
tTHL tTLH
Figure 3. HC157A
TEST POINT
OUTPUT
DEVICE
UNDER
TEST CL*
http://onsemi.com
77
MC74HC157A
2
A0
4
3 Y0
B0
5
A1
7
6 Y1
B1
NIBBLE
11 DATA
OUTPUTS A2 OUTPUTS
10 9 Y2
B2
14
A3
12 Y3
13
B3
15
OUTPUT ENABLE
1
SELECT
http://onsemi.com
78
MC74HC161A,
MC74HC163A
Presettable Counters
High−Performance Silicon−Gate CMOS
The MC74HC161A and HC163A are identical in pinout to the
LS161 and LS163. The device inputs are compatible with standard
http://onsemi.com
CMOS outputs; with pull−up resistors, they are compatible with
LSTTL outputs.
MARKING
The HC161A and HC163A are programmable 4−bit binary counters DIAGRAMS
with asynchronous and synchronous reset, respectively.
16
• Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads 16
FUNCTION TABLE
ORDERING INFORMATION
Inputs Output
Clock Reset* Load Enable P Enable T Q Device Package Shipping
3 14
P0 Q0
PRESET 4 13 BCD OR
P1 Q1
DATA BINARY
5 12
INPUTS P2 Q2 OUTPUT
6 11
P3 Q3
2 15 RIPPLE
CLOCK CARRY
OUT
1
RESET
9 PIN 16 = VCC
LOAD
PIN 8 = GND
7
COUNT ENABLE P
ENABLES 10
ENABLE T
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DEVICE/MODE TABLE
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Device
Count
Mode Reset Mode
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
HC161A Binary Asynchronous
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
HC163A Binary Synchronous
http://onsemi.com
80
MC74HC161A, MC74HC163A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage
Parameter
(Referenced to GND)
Min
2.0
Max
6.0
Unit
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
(Referenced to GND)
55
0 VCC
125
V
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time (Figure 4)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 2.0 V
VCC = 3.0 V
0
0
1000
600
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 4.5 V 0 500
VCC = 6.0 V 0 400
7. Unused inputs may not be left open. All inputs must be tied to a high− or low−logic input voltage level.
http://onsemi.com
81
MC74HC161A, MC74HC163A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ VCC Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V –55 to 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIH Minimum High−Level Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 2.0 1.5 1.5 1.5 V
Input Voltage |Iout| 20 A 3.0 2.1 2.1 2.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
6.0
3.15
4.2
3.15
4.2
3.15
4.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIL Maximum Low−Level Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 2.0 0.5 0.5 0.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Input Voltage |Iout| 20 A 3.0 0.9 0.9 0.9
4.5 1.35 1.35 1.35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VOH ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Minimum High−Level Vin = VIH or VIL
6.0
2.0
1.8
1.9
1.8
1.9
1.8
1.9 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Voltage |Iout| 20 A 4.5 4.4 4.4 4.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 5.9 5.9 5.9
Vin = VIH or VIL |Iout| 3.6 mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
3.0 2.48 2.34 2.2
|Iout| 4.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 5.2 mA 6.0 5.48 5.34 5.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOL Maximum Low−Level Vin = VIH or VIL 2.0 0.1 0.1 0.1 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output Voltage |Iout| 20 A 4.5 0.1 0.1 0.1
6.0 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL |Iout| 3.6 mA
|Iout| 4.0 mA
3.0
4.5
0.26
0.26
0.33
0.33
0.4
0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 5.2 mA 6.0 0.26 0.33 0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin Maximum Input Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 A
Leakage Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Maximum Quiescent
ÎÎÎ
Supply Current ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VCC or GND
Iout = 0 A
6.0 4.0 40 160
8. Information on typical parametric values can be found in the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
A
http://onsemi.com
82
MC74HC161A, MC74HC163A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ VCC
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Figure V – 55 to 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
fmax Maximum Clock Frequency 4, 10 2.0 6 5 4 MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
(50% Duty Cycle) 3.0 15 12 10
(Note 9) 4.5 30 24 20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
6.0 35 28 24
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH Maximum Propagation Delay, 4, 10 2.0 120 160 200 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Clock to Q 3.0 75 120 150
4.5 20 23 28
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
6.0 16 20 22
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL 4, 10 2.0 145 185 220 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
3.0 100 135 150
4.5 22 25 30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
6.0 18 20 23
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL Maximum Propagation Delay, 5, 10 2.0 145 185 220 ns
Reset to Q (HC161A Only) 3.0 100 135 150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
6.0
20
17
22
19
25
21
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH Maximum Propagation Delay, 6, 10 2.0 110 150 190 ns
Enable T to Ripple Carry Out 3.0 60 115 140
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
6.0
16
14
18
15
20
17
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL 6, 10 2.0 135 175 210 ns
3.0 100 130 160
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
4.5 18 20 22
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
6.0 15 16 20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH Maximum Propagation Delay, 4, 10 2.0 120 160 200 ns
Clock to Ripple Carry Out 3.0 75 135 150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
4.5 22 27 30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
6.0 18 22 25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL 4, 10 2.0 145 185 220 ns
3.0 100 135 150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
4.5 22 28 35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
6.0 20 24 28
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL Maximum Propagation Delay, 5, 10 2.0 155 190 230 ns
Reset to Ripple Carry Out 3.0 120 140 155
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
(HC161A Only) 4.5 22 26 30
6.0 18 22 25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTLH,
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTHL ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Any Output ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Output Transition Time,
ÎÎÎ
5, 10 2.0
3.0
75
30
95
40
110
55
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
4.5 15 19 22
6.0 13 16 19
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cin
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input Capacitance 4, 10 — 10 10 10
9. Applies to noncascaded/nonsynchronous clocked configurations only with synchronously cascaded counters. (1) Clock to Ripple Carry Out
pF
propagation delays. (2) Enable T or Enable P to Clock setup times and (3) Clock to Enable T or Enable P hold times determine fmax. However,
if Ripple Carry out of each stage is tied to the Clock of the next stage (nonsynchronously clocked) the fmax in the table above is applicable.
See Applications information in this data sheet.
10. For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see the ON Semiconductor High−Speed
CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
83
MC74HC161A, MC74HC163A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TIMING REQUIREMENTS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ VCC
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Figure V – 55 to 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
tsu Minimum Setup Time, 8 2.0 40 60 80 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Preset Data Inputs to Clock 3.0 20 30 40
4.5 15 20 30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
6.0 12 18 20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
tsu Minimum Setup Time, 8 2.0 60 75 90 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Load to Clock 3.0 25 30 40
4.5 15 20 30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
6.0 12 18 20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
tsu Minimum Setup Time, 7 2.0 60 75 90 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Reset to Clock (HC163A Only) 3.0 25 30 40
4.5 20 25 35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
6.0 17 23 25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
tsu Minimum Setup Time, 9 2.0 80 95 110 ns
Enable T or Enable P to Clock 3.0 35 40 50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
6.0
20
17
25
23
35
25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
th Minimum Hold Time, 8 2.0 3 3 3 ns
Clock to Load or Preset Data Inputs 3.0 3 3 3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
6.0
3
3
3
3
3
3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
th Minimum Hold Time, 7 2.0 3 3 3 ns
Clock to Reset (HC163A Only) 3.0 3 3 3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
4.5 3 3 3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
6.0 3 3 3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
th Minimum Hold Time, 9 2.0 3 3 3 ns
Clock to Enable T or Enable P 3.0 3 3 3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
4.5 3 3 3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
6.0 3 3 3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
trec Minimum Recovery Time, 5 2.0 80 95 110 ns
Reset Inactive to Clock (HC161A Only) 3.0 35 40 50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
4.5 15 20 26
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
6.0 12 17 23
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
trec Minimum Recovery Time, 8 2.0 80 95 110 ns
Load Inactive to Clock 3.0 35 40 50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
4.5 15 20 26
6.0 12 17 23
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tw
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Clock ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Minimum Pulse Width,
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4 2.0
3.0
60
25
75
30
90
40
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
4.5 12 15 18
6.0 10 13 15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tw
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Minimum Pulse Width,
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Reset (HC161A Only) ÎÎÎ
ÎÎÎ
5 2.0
3.0
60
25
75
30
90
40
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
4.5 12 15 18
6.0 10 13 15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input Rise and Fall Times
ÎÎÎ
2.0
3.0
1000
800
1000
800
1000
800
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
4.5 500 500 500
6.0 400 400 400
http://onsemi.com
84
MC74HC161A, MC74HC163A
FUNCTION DESCRIPTION
15 5
14 6
13 7
12 11 10 9 8
http://onsemi.com
85
MC74HC161A, MC74HC163A
SWITCHING WAVEFORMS
tr tf tw
VCC VCC
CLOCK 90%
50% RESET 50%
10% GND GND
tw tPHL
1/fmax
ANY 50%
tPLH tPHL
OUTPUT
ANY 90% trec
50%
OUTPUT 10% VCC
CLOCK 50%
tTLH tTHL GND
Figure 4. Figure 5.
tr tf
VCC 50%
ENABLE T 90% RESET
50%
10% GND
tPLH tPHL tsu th
RIPPLE 90%
50% VCC
CARRY 10% CLOCK 50%
OUT
tTLH tTHL GND
VALID
INPUTS VCC
P0, P1, 50%
P2, P3 GND VALID
TEST CIRCUIT
TEST POINT
OUTPUT
DEVICE
UNDER
TEST CL*
Figure 10.
http://onsemi.com
86
T0 14
R Q0 Q0
C
C
LOAD
3 LOAD Q0
P0 P0
Figure 11. 4−Bit Binary Counter with Asynchronous Reset (MC74HC161A)
T1 13
R Q1 Q1
C
C
LOAD
LOAD Q1
P1 4 P1
MC74HC161A, MC74HC163A
T2 12
R Q2 Q2
C
C
http://onsemi.com
LOAD
5 LOAD Q2
P2 P2
87
T3 11
R Q3 Q3
C
C
LOAD
6 LOAD
P3 P3
15 RIPPLE
CARRY
OUT
7
ENABLE P
VCC= PIN 16
10 GND = PIN 8
ENABLE T
1
RESET R
The flip−flops shown in the circuit diagrams are Toggle−Enable flip−flops. A Toggle−
Enable flip−flop is a combination of a D flip−flop and a T flip−flop. When loading data from
9 LOAD
LOAD Preset inputs P0, P1, P2, and P3, the Load signal is used to disable the Toggle input (Tn) of
LOAD the flip−flop. The logic level at the Pn input is then clocked to the Q output of the flip−flop
2 on the next rising edge of the clock.
CLOCK C A logic zero on the Reset device input forces the internal clock (C) high and resets the Q
C output of the flip−flop low.
MC74HC161A, MC74HC163A
RESET (HC161A)
(ASYNCHRONOUS)
RESET (HC163A)
(SYNCHRONOUS)
LOAD
P0
PRESET P1
DATA
INPUTS P2
P3
CLOCK (HC161A)
CLOCK (HC163A)
ENABLE P
COUNT
ENABLES
ENABLE T
Q0
Q1
OUTPUTS
Q2
Q3
RIPPLE
CARRY 12 13 14 15 0 1 2
OUT COUNT INHIBIT
RESET LOAD
http://onsemi.com
88
T0 14
R Q0 Q0
C
C
LOAD
3 LOAD Q0
P0 P0
Figure 13. 4−Bit Binary Counter with Synchronous Reset (MC74HC163A)
T1 13
R Q1 Q1
C
C
LOAD
4 LOAD Q1
P1 P1
MC74HC161A, MC74HC163A
T2 12
R Q2 Q2
C
C
LOAD
http://onsemi.com
5 LOAD Q2
P2 P2
89
T3 11
R Q3 Q3
C
C
LOAD
6 LOAD
P3 P3
15 RIPPLE
CARRY
OUT
7
ENABLE P
VCC= PIN 16
10 GND = PIN 8
ENABLE T
1
RESET R
The flip−flops shown in the circuit diagrams are Toggle−Enable flip−flops. A Toggle−
Enable flip−flop is a combination of a D flip−flop and a T flip−flop. When loading data from
9 LOAD
LOAD Preset inputs P0, P1, P2, and P3, the Load signal is used to disable the Toggle input (Tn) of
LOAD the flip−flop. The logic level at the Pn input is then clocked to the Q output of the flip−flop
2 on the next rising edge of the clock.
CLOCK C A logic zero on the Reset device input forces the internal clock (C) high and resets the Q
C output of the flip−flop low.
MC74HC161A, MC74HC163A
LOAD
R Q0 Q1 Q2 Q3 R Q0 Q1 Q2 Q3 R Q0 Q1 Q2 Q3
RESET
NOTE: When used in these cascaded configurations the clock fmax guaranteed limits may not apply. Actual performance will
depend on number of stages. This limitation is due to set up times between Enable (Port) and Clock.
LOAD
ENABLE P
ENABLE T
R Q0 Q1 Q2 Q3 R Q0 Q1 Q2 Q3 R Q0 Q1 Q2 Q3
RESET
http://onsemi.com
90
MC74HC161A, MC74HC163A
HC163A HC163A
Q2 OUTPUT Q2 OUTPUT
Q3 Q3
RESET RESET
The HC163A facilitates designing counters of any modulus with minimal external logic. The output is glitch−free due to
the synchronous Reset.
http://onsemi.com
91
MC74HC164A
8−Bit Serial−Input/Parallel−
Output Shift Register
High−Performance Silicon−Gate CMOS
The MC74HC164A is identical in pinout to the LS164. The device
inputs are compatible with standard CMOS outputs; with pullup http://onsemi.com
resistors, they are compatible with LSTTL outputs.
The MC74HC164A is an 8−bit, serial−input to parallel−output shift MARKING
register. Two serial data inputs, A1 and A2, are provided so that one DIAGRAMS
input may be used as a data enable. Data is entered on each rising edge 14
of the clock. The active−low asynchronous Reset overrides the Clock PDIP−14
N SUFFIX MC74HC164AN
and Serial Data inputs. AWLYYWW
CASE 646
Features 1
• This device is manufactured with a Pb−Free external lead finish 14
only* SOIC−14
HC164A
D SUFFIX
• Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads CASE 751A
AWLYWW
FUNCTION TABLE
Inputs Outputs ORDERING INFORMATION
Reset Clock A1 A2 QA QB … QH Device Package Shipping†
L X X X L L … L
MC74HC164AN PDIP−14 2000 / Box
H X X No Change
H H D D QAn … QGn MC74HC164AD SOIC−14 55 / Rail
H D H D QAn … QGn MC74HC164ADR2 SOIC−14 2500 / Reel
D = data input MC74HC164ADT TSSOP−14 96 / Rail
QAn − QGn = data shifted from the preceding
MC74HC164ADTR2 TSSOP−14 2500 / Reel
stage on a rising edge at the clock input.
†For information on tape and reel specifications,
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please including part orientation and tape sizes, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Reference Manual, SOLDERRM/D. Brochure, BRD8011/D.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package) 260
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are
not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/C from 65 to 125C
SOIC Package: – 7 mW/C from 65 to 125C
TSSOP Package: − 6.1 mW/C from 65 to 125C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 2.0 6.0 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin, Vout DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND) 0 VCC V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TA Operating Temperature, All Package Types – 55 + 125 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ
tr, tf Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V 0 1000 ns
(Figure 1) VCC = 4.5 V 0 500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 6.0 V 0 400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Test Conditions
VCC
V
−55C to
25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIH Minimum High−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 2.0 1.5 1.5 1.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage |Iout| 20 A 3.0 2.1 2.1 2.1
4.5 3.15 3.15 3.15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 4.2 4.2 4.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIL Maximum Low−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 2.0 0.5 0.5 0.5 V
|Iout| 20 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage 3.0 0.9 0.9 0.9
4.5 1.35 1.35 1.35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 1.8 1.8 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Output Vin = VIH or VIL 2.0 1.9 1.9 1.9 V
Voltage |Iout| 20 A 4.5 4.4 4.4 4.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA
6.0
3.0
5.9
2.48
5.9
2.34
5.9
2.20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 4.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.70
|Iout| 5.2 mA 6.0 5.48 5.34 5.20
http://onsemi.com
93
MC74HC164A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ VCC −55C to
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VIH or VIL 2.0 0.1 0.1 0.1 V
Voltage |Iout| 20 A 4.5 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA 3.0 0.26 0.33 0.40
|Iout| 4.0 mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 0.26 0.33 0.40
|Iout| 5.2 mA 6.0 0.26 0.33 0.40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Leakage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC Maximum Quiescent Supply Vin = VCC or GND 6.0 4 40 160 A
Current (per Package) Iout = 0 A
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6 ns)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC −55C to
Symbol Parameter V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
fmax
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 4)
2.0
3.0
10
20
10
20
10
20
MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 40 35 30
6.0 50 45 40
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Clock to Q
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 4)
2.0
3.0
4.5
160
100
32
200
150
40
250
200
48
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Reset to Q
6.0
2.0
27
175
34
220
42
260 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 2 and 4) 3.0 100 150 200
4.5 35 44 53
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTLH, ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, Any Output
6.0
2.0
30
75
37
95
45
110 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tTHL (Figures 1 and 4) 3.0 27 32 36
4.5 15 19 22
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 13 16 19
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cin Maximum Input Capacitance — 10 10 10 pF
NOTES:
1. For propagation delays with loads other than 50 pF, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
2. Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
94
MC74HC164A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
TIMING REQUIREMENTS (Input tr = tf = 6 ns)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ VCC −55C to
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tsu Minimum Setup Time, A1 or A2 to Clock 2.0 25 35 40 ns
(Figure 3) 3.0 15 20 25
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 7 8 9
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 5 6 6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
th Minimum Hold Time, Clock to A1 or A2 2.0 3 3 3 ns
(Figure 3) 3.0 3 3 3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 3 3 3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 3 3 3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
trec Minimum Recovery Time, Reset Inactive to Clock 2.0 3 3 3 ns
(Figure 2) 3.0 3 3 3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 3 3 3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 3 3 3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Clock 2.0 50 60 75 ns
(Figure 1) 3.0 26 35 45
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 12 15 20
6.0 10 12 15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tw
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(Figure 2) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum Pulse Width, Reset
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
3.0
50
26
60
35
75
45
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 12 15 20
6.0 10 12 15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(Figure 1) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Input Rise and Fall Times
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
3.0
1000
800
1000
800
1000
800
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 500 500 500
6.0 400 400 400
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
http://onsemi.com
95
MC74HC164A
PIN DESCRIPTIONS
SWITCHING WAVEFORMS
tr tf tw
VCC VCC
90% RESET 50%
CLOCK 50%
10% GND GND
tw tPHL
1/fmax
Q 50%
tPLH tPHL
90% trec
Q 50% VCC
10%
CLOCK 50%
tTLH tTHL GND
Figure 1. Figure 2.
TEST POINT
VALID OUTPUT
VCC DEVICE
A1 OR A2 50% UNDER
GND TEST CL*
tsu th
VCC
CLOCK 50%
GND
*Includes all probe and jig capacitance
http://onsemi.com
96
MC74HC164A
8
CLOCK
1
A1
2 D Q D Q D Q D Q D Q D Q D Q D Q
A2
R R R R R R R R
9
RESET
3 4 5 6 10 11 12 13
QA QB QC QD QE QF QG QH
TIMING DIAGRAM
CLOCK
A1
A2
RESET
QA
QB
QC
QD
QE
QF
QG
QH
http://onsemi.com
97
MC74HC174A
FUNCTION TABLE
Inputs Output A = Assembly Location
L, WL = Wafer Lot
Reset Clock D Q Y, YY = Year
L X X L W, WW = Work Week
H H H
H L L
H L X No Change ORDERING INFORMATION
H X No Change Device Package Shipping
MC74HC174AN PDIP−16 2000/Box
D0 3 2 Q0
D1 4 5
Q1
D2 6 7 Q2
DATA NONINVERTING
INPUTS D3 11 10 Q3 OUTPUTS
D4 13 12 Q4
14 15
D5 Q5
CLOCK 9
PIN 16 = VCC
PIN 8 = GND
RESET 1
DESIGN/VALUE TABLE
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Design Criteria
ÎÎÎÎ
Value Units
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Internal Gate Count* 40.5 ea.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Internal Gate Propagation Delay 1.5 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Internal Gate Power Dissipation
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
5.0 W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Speed Power Product
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
.0075 pJ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*Equivalent to a two−input NAND gate.
http://onsemi.com
99
MC74HC174A
1. Absolute maximum continuous ratings are those values beyond which damage to the device may occur. Extended exposure to these
conditions or conditions beyond those indicated may adversely affect device reliability. Functional operation under absolute maximum−rated
conditions is not implied.
2. IO absolute maximum rating must be observed.
3. Tested to EIA/JESD22−A114−A.
4. Tested to EIA/JESD22−A115−A.
5. Tested to JESD22−C101−A.
6. Tested to EIA/JESD78.
7. For high frequency or heavy load considerations, see the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage
Parameter
(Referenced to GND)
Min
2.0
Max
6.0
Unit
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIN,VOUT
ÎÎÎÎ
TA ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
(Referenced to GND) (Note 8)
55
0 VCC
125
V
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time (Figure 8)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
0
0
0
1000
500
400
ns
8. Unused inputs may not be left open. All inputs must be tied to a high− or low−logic input voltage level.
http://onsemi.com
100
MC74HC174A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIH ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Minimum High−Level Input
Test Conditions
VOUT = 0.1 V or VCC – 0.1 V
V
2.0
55C to 25C
1.5
85C
1.5
125C
1.5
Unit
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Voltage |IOUT| 20 A 4.5 3.15 3.15 3.15
6.0 4.2 4.2 4.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Low−Level Input
ÎÎ
VOUT = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|IOUT| 20 A
2.0
4.5
0.5
1.35
0.5
1.35
0.5
1.35
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 1.8 1.8 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Output VIN = VIH or VIL 2.0 1.9 1.9 1.9 V
Voltage |IOUT| 20 A 4.5 4.4 4.4 4.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 5.9 5.9 5.9
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = VIH or VIL
|IOUT| 4.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
|IOUT| 5.2 mA 6.0 5.48 5.34 5.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VOL Maximum Low−Level Output VIN = VIH or VIL 2.0 0.1 0.1 0.1 V
|IOUT| 20 A
ÎÎ
Voltage 4.5 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ VIN = VIH or VIL
6.0 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
|IOUT| 4.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.4
|IOUT| 5.2 mA 6.0 0.26 0.33 0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
IIN
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input Leakage Current
ÎÎ
Maximum Quiescent Supply
VIN = VCC or GND
VIN = VCC or GND
6.0
6.0
0.1
4.0
1.0
40
1.0
160
A
A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Current (per Package) IOUT = 0 A
9. Information on typical parametric values, along with high frequency or heavy load considerations, can be found in the ON Semiconductor
High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ Parameter V 55C to 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
fmax
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle)
ÎÎ
ÎÎÎÎ
(Figures 8 and 11)
2.0
4.5
6.0
6.0
30
35
4.8
24
28
4.0
20
24
MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
Maximum Propagation Delay, Clock to Q
ÎÎ
ÎÎÎÎ
(Figures 9 and 11)
2.0
4.5
110
22
140
28
165
33
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
6.0 19 24 28
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
tPLH Maximum Propagation Delay, Reset to Q 2.0 110 140 160 ns
tPHL (Figures 2 and 11) 4.5 21 28 32
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎ
6.0 19 24 27
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
tTLH Maximum Output Transition Time, Any Output 2.0 75 95 110 ns
tTHL (Figures 8 and 11) 4.5 15 19 22
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎ
6.0 13 16 19
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
Cin Maximum Input Capacitance 10 10 10 pF
10. For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see the ON Semiconductor High−Speed
CMOS Data Book (DL129/D).
11. Used to determine the no−load dynamic power consumption: P D = C PD V CC 2 f + I CC V CC . For load considerations, see the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
101
MC74HC174A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tsu ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎ
Minimum Setup Time, Data to Clock
Figure
10
V
2.0
Min
50
Max Min
65
Max Min
75
Max Unit
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
4.5 10 13 15
6.0 9.0 11 13
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
th
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Minimum Hold Time, Clock to Data
ÎÎ
10 2.0
4.5
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 5.0 5.0 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
trec Minimum Recovery Time, 9 2.0 5.0 5.0 5.0 ns
Reset Inactive to Clock 4.5 5.0 5.0 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 5.0 5.0 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Clock 8 2.0 75 95 110 ns
4.5 15 19 22
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 13 16 19
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Reset 9 2.0 75 95 110 ns
ÎÎ
4.5 15 19 22
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tr, tf ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Maximum Input Rise and Fall Times 8
6.0
2.0
13
1000
16
1000
19
1000 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
4.5 500 500 500
6.0 400 400 400
CLOCK 9
C 2
3 Q Q0
D0 D
R
RESET 1
C 5
4 Q Q1
D1 D
R
C 7
6 Q Q2
D2 D
R
C 10
11 Q Q3
D3 D
R
C 12
13 Q Q4
D4 D
R
C 15
14 Q Q5
D5 D
R
http://onsemi.com
102
MC74HC174A
tr tf
VCC tw
90%
RESET VCC
CLOCK 50%
50%
10% GND GND
tw tPHL
1/fmax
tPLH tPHL Q
90% trec
Q 50% VCC
10% 50%
CLOCK GND
tTLH tTHL
TEST POINT
VALID
VCC
OUTPUT
DATA 50% DEVICE
GND UNDER
tsu th TEST CL*
VCC
CLOCK 50%
GND
*Includes all probe and jig capacitance
http://onsemi.com
103
MC74HC175A
PIN 16 = VCC D0 4 13 D3
PIN 8 = GND D1 5 12 D2
Q1 6 11 Q2
FUNCTION TABLE
Q1 7 10 Q2
Inputs Outputs
GND 8 9 CLOCK
Reset Clock D Q Q
L X X L H
H H H L
H L L H
H L X No Change ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping
MC74HC175AN PDIP−16 2000 / Box
MC74HC175AD SOIC−16 48 / Rail
MC74HC175ADR2 SOIC−16 2500 / Reel
MC74HC175ADT TSSOP−16 96 / Rail
MC74HC175ADTR2 TSSOP−16 2500 / Reel
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package) 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
2.0
0
6.0
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V
– 55
0
+ 125
1000
C
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ
(Figure 1) VCC = 3.0 V 0 600
VCC = 4.5 V 0 500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ VCC = 6.0 V 400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIH
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout| 20 µA
2.0
3.0
1.5
2.1
1.5
2.1
1.5
2.1
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 3.15 3.15 3.15
6.0 4.2 4.2 42
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Low−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout| 20 µA
2.0
3.0
0.5
0.9
0.5
0.9
0.5
0.9
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 1.35 1.35 1.35
6.0 1.80 1.80 1.80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOH
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 20 µA
2.0
4.5
1.9
4.4
1.9
4.4
1.9
4.4
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 5.9 5.9 5.9
Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
3.0 2.48 2.34 2.20
|Iout| 4.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.70
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 5.2 mA 6.0 5.48 5.34 5.20
http://onsemi.com
105
MC74HC175A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ VCC – 55 to
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VIH or VIL 2.0 0.1 0.1 0.1 V
Voltage |Iout| 20 µA 4.5 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA 3.0 0.26 0.33 0.40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 4.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.40
|Iout| 5.2 mA 6.0 0.26 0.33 0.40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Leakage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC Maximum Quiescent Supply Vin = VCC or GND 6.0 4 40 160 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current (per Package) Iout = 0 µA
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6 ns)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
V 25C 85C 125C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Unit
fmax Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle) 2.0 6 4.8 4 MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(Figures 1 and 4)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
3.0
4.5
6.0
10
30
35
8.0
24
28
6
20
24
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Clock to Q or Q
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 4)
2.0
3.0
150
75
190
90
225
110
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 26 32 38
6.0 22 28 33
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Reset to Q or Q
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 2 and 4)
2.0
3.0
125
70
155
85
190
110
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 22 27 34
6.0 19 24 30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, Any Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 4)
2.0
3.0
75
27
95
32
110
36
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 15 19 22
6.0 13 16 19
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cin
NOTES: ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Capacitance — 10 10 10 pF
1. For propagation delays with loads other than 50 pF, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
2. Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
106
MC74HC175A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
TIMING REQUIREMENTS (Input tr = tf = 6 ns)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ VCC – 55 to
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tsu Minimum Setup Time, Data to Clock 2.0 100 125 150 ns
(Figure 3) 3.0 45 65 85
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 20 25 30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 17 21 26
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
th Minimum Hold Time, Clock to Data 2.0 5 5 5 ns
(Figure 3) 3.0 3 3 3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 3 3 3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 3 3 3
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
trec Minimum Recovery Time, Reset Inactive to Clock 2.0 100 125 150 ns
(Figure 2) 3.0 45 65 85
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 20 25 30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 17 21 26
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Clock 2.0 80 100 120 ns
(Figure 1) 3.0 45 65 85
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 16 20 24
6.0 14 17 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tw
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(Figure 2) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum Pulse Width, Reset
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
3.0
80
45
100
65
120
85
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 16 20 24
6.0 14 17 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(Figure 1) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Input Rise and Fall Times
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
3.0
1000
800
1000
800
1000
800
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 500 500 500
6.0 400 400 400
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
http://onsemi.com
107
MC74HC175A
SWITCHING WAVEFORMS
tw
VCC
50%
RESET
GND
tf tr tPHL
VCC
90%
CLOCK 50% 50%
GND Q
10%
tw tPLH
1/fmax
Q 50%
tPLH tPHL
90% trec
Q or Q 50%
10% VCC
CLOCK
50%
tTLH tTHL
GND
Figure 1. Figure 2.
VALID
VCC
DATA
GND
tsu th
VCC
CLOCK 50%
GND
Figure 3.
TEST CIRCUIT
TEST POINT
OUTPUT
DEVICE
UNDER
TEST CL*
Figure 4.
http://onsemi.com
108
MC74HC175A
D0 4 D Q 2 Q0
C
9 3 Q0
CLOCK C
R
D1 5 D Q 7 Q1
C
6 Q1
C
R
D2 12 D Q 10 Q2
C
11 Q2
C
R
D3 13 D Q 15 Q3
C
14 Q3
C
R
RESET 1
http://onsemi.com
109
MC74HC1G00
5
IN A 2
1 H1M
IN A PIN ASSIGNMENT
& OUT Y
IN B 1 IN B
2 IN A
Figure 2. Logic Symbol 3 GND
4 OUT Y
5 VCC
FUNCTION TABLE
Inputs Output
A B Y
L L H
L H H
H L H
H H L
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 113 of this data sheet.
MAXIMUM RATINGS
Symbol Parameter Value Unit
VCC DC Supply Voltage 0.5 to 7.0 V
VIN DC Input Voltage 0.5 to VCC 0.5 V
VOUT DC Output Voltage 0.5 to VCC 0.5 V
IIK DC Input Diode Current 20 mA
IOK DC Output Diode Current 20 mA
IOUT DC Output Sink Current 12.5 mA
ICC DC Supply Current per Supply Pin 25 mA
TSTG Storage Temperature Range 65 to 150 C
TL Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds 260 C
TJ Junction Temperature Under Bias 150 C
JA Thermal Resistance SC70−5/SC−88A (Note 1) 350 C/W
TSOP−5 230
PD Power Dissipation in Still Air at 85C SC70−5/SC−88A 150 mW
TSOP−5 200
MSL Moisture Sensitivity Level 1
FR Flammability Rating Oxygen Index: 28 to 34 UL 94 V−0 @ 0.125 in
VESD ESD Withstand Voltage Human Body Model (Note 2)
2000 V
Machine Model (Note 3)
200
Charged Device Model (Note 4) N/A
ILATCHUP Latchup Performance Above VCC and Below GND at 125C (Note 5) 500 mA
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
1. Measured with minimum pad spacing on an FR4 board, using 10 mm−by−1 inch, 2 ounce copper trace with no air flow.
2. Tested to EIA/JESD22−A114−A.
3. Tested to EIA/JESD22−A115−A.
4. Tested to JESD22−C101−A.
5. Tested to EIA/JESD78.
TJ = 120C
TJ = 100C
TJ = 110C
TJ = 80C
80 1,032,200 117.8
90 419,300 47.9
100 178,700 20.4 1
110 79,600 9.4
1 10 100 1000
120 37,000 4.2
TIME, YEARS
130 17,800 2.0
140 8,900 1.0 Figure 3. Failure Rate vs. Time Junction Temperature
http://onsemi.com
111
MC74HC1G00
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VCC TA = 25C TA 85C 55C TA 125C
Symbol Parameter Test Conditions (V) Min Typ Max Min Max Min Max Unit
VIH Minimum High−Level 2.0 1.5 1.5 1.5 V
Input Voltage 3.0 2.1 2.1 2.1
4.5 3.15 3.15 3.15
6.0 4.20 4.20 4.20
VIL Maximum Low−Level 2.0 0.5 0.5 0.5 V
Input Voltage 3.0 0.9 0.9 0.9
4.5 1.35 1.35 1.35
6.0 1.80 1.80 1.80
VOH Minimum High−Level VIN = VIH or VIL 2.0 1.9 2.0 1.9 1.9 V
Output Voltage IOH = −20 A 3.0 2.9 3.0 2.9 2.9
VIN = VIH or VIL 4.5 4.4 4.5 4.4 4.4
6.0 5.9 6.0 5.9 5.9
VIN = VIH or VIL
IOH = −2 mA 4.5 4.18 4.31 4.13 4.08
IOH = −2.6 mA 6.0 5.68 5.80 5.63 5.58
VOL Maximum Low−Level VIN = VIH or VIL 2.0 0.0 0.1 0.1 0.1 V
Output Voltage IOL = 20 A 3.0 0.0 0.1 0.1 0.1
VIN = VIH or VIL 4.5 0.0 0.1 0.1 0.1
6.0 0.0 0.1 0.1 0.1
VIN = VIH or VIL
IOL = 2 mA 4.5 0.17 0.26 0.33 0.40
IOL = 2.6 mA 6.0 0.18 0.26 0.33 0.40
IIN Maximum Input VIN = 6.0 V or GND 6.0 0.1 1.0 1.0 A
Leakage Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Min Max Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPLH, Maximum VCC = 5.0 V CL = 15 pF 3.5 15 20 25 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPHL Propagation Delay
Delay,
Input A or B to Y VCC = 2.0 V CL = 50 pF 19 100 125 155
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 3.0 V 10.5 27 35 90
VCC = 4.5 V 7.5 20 25 35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 6.0 V 6.5 17 21 26
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tTLH, Output Transition VCC = 5.0 V CL = 15 pF 3 10 15 20 ns
tTHL Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 2.0 V CL = 50 pF 25 125 155 200
VCC = 3.0 V 16 35 45 60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 4.5 V 11 25 31 38
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 6.0 V 9 21 26 32
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
CIN Maximum Input 5 10 10 10 pF
Capacitance
6. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC. CPD is used to determine the no−load dynamic
power consumption; PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
http://onsemi.com
112
MC74HC1G00
VCC
tf tr
INPUT OUTPUT
A or B 90% VCC INPUT
50%
10% GND CL*
tPLH tPHL
90%
50%
OUTPUT Y 10%
*Includes all probe and jig capacitance.
tTLH tTHL
A 1−MHz square input wave is recommended for
propagation delay tests.
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
113
MC74HC1G02
IN B 1 5 VCC 5
1 H3M
IN A 2 SOT23−5/TSOP−5/SC59−5
DT SUFFIX Pin 1
CASE 483
GND 3 4 OUT Y
d = Date Code
M = Month Code
Figure 1. Pinout (Top View)
PIN ASSIGNMENT
1 IN B
IN A
≥1 OUT Y 2 IN A
IN B
3 GND
Figure 2. Logic Symbol 4 OUT Y
5 VCC
FUNCTION TABLE
Inputs Output
A B Y
L L H
L H L
H L L
H H L
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 117 of this data sheet.
MAXIMUM RATINGS
Symbol Parameter Value Unit
VCC DC Supply Voltage 0.5 to 7.0 V
VIN DC Input Voltage 0.5 to VCC 0.5 V
VOUT DC Output Voltage 0.5 to VCC 0.5 V
IIK DC Input Diode Current 20 mA
IOK DC Output Diode Current 20 mA
IOUT DC Output Sink Current 12.5 mA
ICC DC Supply Current per Supply Pin 25 mA
TSTG Storage Temperature Range 65 to 150 C
TL Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds 260 C
TJ Junction Temperature Under Bias 150 C
JA Thermal Resistance SC70−5/SC−88A (Note 1) 350 C/W
TSOP−5 230
PD Power Dissipation in Still Air at 85C SC70−5/SC−88A 150 mW
TSOP−5 200
MSL Moisture Sensitivity Level 1
FR Flammability Rating Oxygen Index: 28 to 34 UL 94 V−0 @ 0.125 in
VESD ESD Withstand Voltage Human Body Model (Note 2)
2000 V
Machine Model (Note 3)
200
Charged Device Model (Note 4) N/A
ILATCHUP Latchup Performance Above VCC and Below GND at 125C (Note 5) 500 mA
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
1. Measured with minimum pad spacing on an FR4 board, using 10 mm−by−1 inch, 2 ounce copper trace with no air flow.
2. Tested to EIA/JESD22−A114−A.
3. Tested to EIA/JESD22−A115−A.
4. Tested to JESD22−C101−A.
5. Tested to EIA/JESD78.
TJ = 120C
TJ = 100C
TJ = 110C
TJ = 80C
80 1,032,200 117.8
90 419,300 47.9
100 178,700 20.4 1
110 79,600 9.4
1 10 100 1000
120 37,000 4.2
TIME, YEARS
130 17,800 2.0
140 8,900 1.0 Figure 3. Failure Rate vs. Time Junction Temperature
http://onsemi.com
115
MC74HC1G02
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VCC TA = 25C TA 85C 55C TA 125C
Symbol Parameter Test Conditions (V) Min Typ Max Min Max Min Max Unit
VIH Minimum High−Level 2.0 1.5 1.5 1.5 V
Input Voltage 3.0 2.1 2.1 2.1
4.5 3.15 3.15 3.15
6.0 4.20 4.20 4.20
VIL Maximum Low−Level 2.0 0.5 0.5 0.5 V
Input Voltage 3.0 0.9 0.9 0.9
4.5 1.35 1.35 1.35
6.0 1.80 1.80 1.80
VOH Minimum High−Level VIN = VIH or VIL 2.0 1.9 2.0 1.9 1.9 V
Output Voltage IOH = −20 A 3.0 2.9 3.0 2.9 2.9
VIN = VIH or VIL 4.5 4.4 4.5 4.4 4.4
6.0 5.9 6.0 5.9 5.9
VIN = VIH or VIL
IOH = −2 mA 4.5 4.18 4.31 4.13 4.08
IOH = −2.6 mA 6.0 5.68 5.80 5.63 5.58
VOL Maximum Low−Level VIN = VIH or VIL 2.0 0.0 0.1 0.1 0.1 V
Output Voltage IOL = 20 A 3.0 0.0 0.1 0.1 0.1
VIN = VIH or VIL 4.5 0.0 0.1 0.1 0.1
6.0 0.0 0.1 0.1 0.1
VIN = VIH or VIL
IOL = 2 mA 4.5 0.17 0.26 0.33 0.40
IOL = 2.6 mA 6.0 0.18 0.26 0.33 0.40
IIN Maximum Input VIN = 6.0 V or GND 6.0 0.1 1.0 1.0 A
Leakage Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPLH, ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Test Conditions
VCC = 5.0 V CL = 15 pF
Min Typ
3.5
Max
15
Min Max
20
Min Max
25
Unit
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPHL Propagation Delay
Delay,
Input A or B to Y VCC = 2.0 V CL = 50 pF 19 100 125 155
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 3.0 V 10.5 27 35 90
VCC = 4.5 V 7.5 20 25 35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 6.0 V 6.5 17 21 26
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tTLH, Output Transition VCC = 5.0 V CL = 15 pF 3 10 15 20 ns
tTHL Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 2.0 V CL = 50 pF 25 125 155 200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 3.0 V 16 35 45 60
VCC = 4.5 V 11 25 31 38
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 6.0 V 9 21 26 32
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
CIN Maximum Input 5 10 10 10 pF
Capacitance
6. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC. CPD is used to determine the no−load dynamic
power consumption; PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
http://onsemi.com
116
MC74HC1G02
tf tr INPUT
INPUT OUTPUT
A or B 90% VCC
50%
10% GND CL*
tPLH tPHL
90%
50%
OUTPUT Y 10%
*Includes all probe and jig capacitance.
tTLH tTHL
A 1−MHz square input wave is recommended for
propagation delay tests.
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
117
MC74HC1G04
Single Inverter
The MC74HC1G04 is a high speed CMOS inverter fabricated with
silicon gate CMOS technology.
The internal circuit is composed of multiple stages, including a
buffer output which provides high noise immunity and stable output.
The MC74HC1G04 output drive current is 1/2 compared to
MC74HC series.
http://onsemi.com
• High Speed: tPD = 7 ns (Typ) at VCC = 5 V
• Low Power Dissipation: ICC = 1 A (Max) at TA = 25C MARKING
• High Noise Immunity DIAGRAMS
• Balanced Propagation Delays (tpLH = tpHL)
•
5
Symmetrical Output Impedance (IOH = IOL = 2 mA)
1 H5d
• Chip Complexity: FET = 105
• Pb−Free Packages are Available
SC70−5/SC−88A/SOT−353
DF SUFFIX
CASE 419A Pin 1
NC 1 5 VCC 5
H5M
1
IN A 2 SOT23−5/TSOP−5/SC59−5
DT SUFFIX Pin 1
CASE 483
GND 3 4 OUT Y
d = Date Code
M = Month Code
Figure 1. Pinout (Top View)
PIN ASSIGNMENT
1 NC
2 IN A
IN A 1 OUT Y
3 GND
FUNCTION TABLE
Input A Output Y
L H
H L
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 121 of this data sheet.
MAXIMUM RATINGS
Symbol Parameter Value Unit
VCC DC Supply Voltage 0.5 to 7.0 V
VIN DC Input Voltage 0.5 to VCC 0.5 V
VOUT DC Output Voltage 0.5 to VCC 0.5 V
IIK DC Input Diode Current 20 mA
IOK DC Output Diode Current 20 mA
IOUT DC Output Sink Current 12.5 mA
ICC DC Supply Current per Supply Pin 25 mA
TSTG Storage Temperature Range 65 to 150 C
TL Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds 260 C
TJ Junction Temperature Under Bias 150 C
JA Thermal Resistance SC70−5/SC−88A (Note 1) 350 C/W
TSOP−5 230
PD Power Dissipation in Still Air at 85C SC70−5/SC−88A 150 mW
TSOP−5 200
MSL Moisture Sensitivity Level 1
FR Flammability Rating Oxygen Index: 28 to 34 UL 94 V−0 @ 0.125 in
VESD ESD Withstand Voltage Human Body Model (Note 2)
2000 V
Machine Model (Note 3)
200
Charged Device Model (Note 4) N/A
ILATCHUP Latchup Performance Above VCC and Below GND at 125C (Note 5) 500 mA
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
1. Measured with minimum pad spacing on an FR4 board, using 10 mm−by−1 inch, 2 ounce copper trace with no air flow.
2. Tested to EIA/JESD22−A114−A.
3. Tested to EIA/JESD22−A115−A.
4. Tested to JESD22−C101−A.
5. Tested to EIA/JESD78.
TJ = 120C
TJ = 100C
TJ = 110C
TJ = 80C
80 1,032,200 117.8
90 419,300 47.9
100 178,700 20.4 1
110 79,600 9.4
1 10 100 1000
120 37,000 4.2
TIME, YEARS
130 17,800 2.0
140 8,900 1.0 Figure 3. Failure Rate vs. Time Junction Temperature
http://onsemi.com
119
MC74HC1G04
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VCC TA = 25C TA 85C 55C TA 125C
Symbol Parameter Test Conditions (V) Min Typ Max Min Max Min Max Unit
VIH Minimum High−Level 2.0 1.5 1.5 1.5 V
Input Voltage 3.0 2.1 2.1 2.1
4.5 3.15 3.15 3.15
6.0 4.20 4.20 4.20
VIL Maximum Low−Level 2.0 0.5 0.5 0.5 V
Input Voltage 3.0 0.9 0.9 0.9
4.5 1.35 1.35 1.35
6.0 1.80 1.80 1.80
VOH Minimum High−Level VIN = VIH or VIL 2.0 1.9 2.0 1.9 1.9 V
Output Voltage IOH = −20 A 3.0 2.9 3.0 2.9 2.9
VIN = VIH or VIL 4.5 4.4 4.5 4.4 4.4
6.0 5.9 6.0 5.9 5.9
VIN = VIH or VIL
IOH = −2 mA 4.5 4.18 4.31 4.13 4.08
IOH = −2.6 mA 6.0 5.68 5.80 5.63 5.58
VOL Maximum Low−Level VIN = VIH or VIL 2.0 0.0 0.1 0.1 0.1 V
Output Voltage IOL = 20 A 3.0 0.0 0.1 0.1 0.1
VIN = VIH or VIL 4.5 0.0 0.1 0.1 0.1
6.0 0.0 0.1 0.1 0.1
VIN = VIH or VIL
IOL = 2 mA 4.5 0.17 0.26 0.33 0.40
IOL = 2.6 mA 6.0 0.18 0.26 0.33 0.40
IIN Maximum Input VIN = 6.0 V or GND 6.0 0.1 1.0 1.0 A
Leakage Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPLH, ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Test Conditions
VCC = 5.0 V CL = 15 pF
Min Typ
3.5
Max
15
Min Max
20
Min Max
25
Unit
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPHL Propagation Delay
Delay,
Input A or B to Y VCC = 2.0 V CL = 50 pF 18 100 125 155
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 3.0 V 10 27 35 90
VCC = 4.5 V 7 20 25 35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 6.0 V 6 17 21 26
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tTLH, Output Transition VCC = 5.0 V CL = 15 pF 3 10 15 20 ns
tTHL Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 2.0 V CL = 50 pF 25 125 155 200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 3.0 V 16 35 45 60
VCC = 4.5 V 11 25 31 38
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 6.0 V 9 21 26 32
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
CIN Maximum Input 5 10 10 10 pF
Capacitance
6. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC. CPD is used to determine the no−load dynamic
power consumption; PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
http://onsemi.com
120
MC74HC1G04
tr tf INPUT OUTPUT
90% VCC
50% CL*
INPUT A 10% GND
tPHL tPLH
OUTPUT Y 90%
50%
10% *Includes all probe and jig capacitance.
tTHL tTLH A 1−MHz square input wave is recommended for
propagation delay tests.
Tape
Logic Temp and
Device Order Circuit Range Device Package Reel Package Tape and
Number Indicator Identifier Technology Function Suffix Suffix Type Reel Size†
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
121
MC74HC1G08
5
IN B 1 5 VCC
1 H2M
SOT23−5/TSOP−5/SC59−5
IN A 2 DT SUFFIX Pin 1
CASE 483
Figure 1. Pinout
PIN ASSIGNMENT
1 IN B
2 IN A
IN A 3 GND
& OUT Y
IN B 4 OUT Y
5 VCC
Figure 2. Logic Symbol
FUNCTION TABLE
Inputs Output
A B Y
L L L
L H L
H L L
H H H
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 125 of this data sheet.
MAXIMUM RATINGS
Symbol Parameter Value Unit
VCC DC Supply Voltage 0.5 to 7.0 V
VIN DC Input Voltage 0.5 to VCC 0.5 V
VOUT DC Output Voltage 0.5 to VCC 0.5 V
IIK DC Input Diode Current 20 mA
IOK DC Output Diode Current 20 mA
IOUT DC Output Sink Current 12.5 mA
ICC DC Supply Current per Supply Pin 25 mA
TSTG Storage Temperature Range 65 to 150 C
TL Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds 260 C
TJ Junction Temperature Under Bias 150 C
JA Thermal Resistance SC70−5/SC−88A/SOT−353 (Note 1) 350 C/W
SOT23−5/TSOP−5/SC59−5 230
PD Power Dissipation in Still Air at 85C SC70−5/SC−88A/SOT−353 150 mW
SOT23−5/TSOP−5/SC59−5 200
MSL Moisture Sensitivity Level 1
FR Flammability Rating Oxygen Index: 28 to 34 UL 94 V−0 @ 0.125 in
VESD ESD Withstand Voltage Human Body Model (Note 2)
2000 V
Machine Model (Note 3)
200
Charged Device Model (Note 4) N/A
ILATCHUP Latchup Performance Above VCC and Below GND at 125C (Note 5) 500 mA
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
1. Measured with minimum pad spacing on an FR4 board, using 10 mm−by−1 inch, 2 ounce copper trace with no air flow.
2. Tested to EIA/JESD22−A114−A.
3. Tested to EIA/JESD22−A115−A.
4. Tested to JESD22−C101−A.
5. Tested to EIA/JESD78.
TJ = 120C
TJ = 100C
TJ = 110C
TJ = 80C
80 1,032,200 117.8
90 419,300 47.9
100 178,700 20.4 1
110 79,600 9.4
1 10 100 1000
120 37,000 4.2
TIME, YEARS
130 17,800 2.0
140 8,900 1.0 Figure 3. Failure Rate vs. Time Junction Temperature
http://onsemi.com
123
MC74HC1G08
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VCC TA = 25C TA 85C 55C TA 125C
Symbol Parameter Test Conditions (V) Min Typ Max Min Max Min Max Unit
VIH Minimum High−Level 2.0 1.5 1.5 1.5 V
Input Voltage 3.0 2.1 2.1 2.1
4.5 3.15 3.15 3.15
6.0 4.20 4.20 4.20
VIL Maximum Low−Level 2.0 0.5 0.5 0.5 V
Input Voltage 3.0 0.9 0.9 0.9
4.5 1.35 1.35 1.35
6.0 1.80 1.80 1.80
VOH Minimum High−Level VIN = VIH or VIL 2.0 1.9 2.0 1.9 1.9 V
Output Voltage IOH = −20 A 3.0 2.9 3.0 2.9 2.9
VIN = VIH or VIL 4.5 4.4 4.5 4.4 4.4
6.0 5.9 6.0 5.9 5.9
VIN = VIH or VIL
IOH = −2 mA 4.5 4.18 4.31 4.13 4.08
IOH = −2.6 mA 6.0 5.68 5.80 5.63 5.58
VOL Maximum Low−Level VIN = VIH or VIL 2.0 0.0 0.1 0.1 0.1 V
Output Voltage IOL = 20 A 3.0 0.0 0.1 0.1 0.1
VIN = VIH or VIL 4.5 0.0 0.1 0.1 0.1
6.0 0.0 0.1 0.1 0.1
VIN = VIH or VIL
IOL = 2 mA 4.5 0.17 0.26 0.33 0.40
IOL = 2.6 mA 6.0 0.18 0.26 0.33 0.40
IIN Maximum Input VIN = 6.0 V or GND 6.0 0.1 1.0 1.0 A
Leakage Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPLH, ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Test Conditions
VCC = 5.0 V CL = 15 pF
Min Typ
3.5
Max
15
Min Max
20
Min Max
25
Unit
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPHL Propagation Delay
Delay,
Input A or B to Y VCC = 2.0 V CL = 50 pF 20 100 125 155
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 3.0 V 11 27 35 90
VCC = 4.5 V 8 20 25 35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 6.0 V 7 17 21 26
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tTLH, Output Transition VCC = 5.0 V CL = 15 pF 3 10 15 20 ns
tTHL Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 2.0 V CL = 50 pF 25 125 155 200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 3.0 V 16 35 45 60
VCC = 4.5 V 11 25 31 38
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 6.0 V 9 21 26 32
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
CIN Maximum Input 5 10 10 10 pF
Capacitance
http://onsemi.com
124
MC74HC1G08
VCC
tr tf
VCC OUTPUT
INPUT
90%
INPUT 50%
10% GND CL*
A or B
tPLH tPHL
90%
50%
OUTPUT Y 10%
*Includes all probe and jig capacitance.
tTLH tTHL
A 1−MHz square input wave is recommended for
propagation delay tests.
Tape
Logic Temp and
Device Order Circuit Range Device Package Reel Package Tape and
Number Indicator Identifier Technology Function Suffix Suffix Type Reel Size†
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
125
MC74HC1G14
1 HAM
NC 1 5 VCC
SOT23−5/TSOP−5/SC59−5
DT SUFFIX Pin 1
IN A 2 CASE 483
d = Date Code
GND 3 4 OUT Y M = Month Code
L H
H L
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 129 of this data sheet.
MAXIMUM RATINGS
Symbol Parameter Value Unit
VCC DC Supply Voltage 0.5 to 7.0 V
VIN DC Input Voltage 0.5 to VCC 0.5 V
VOUT DC Output Voltage 0.5 to VCC 0.5 V
IIK DC Input Diode Current 20 mA
IOK DC Output Diode Current 20 mA
IOUT DC Output Sink Current 12.5 mA
ICC DC Supply Current per Supply Pin 25 mA
TSTG Storage Temperature Range 65 to 150 C
TL Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds 260 C
TJ Junction Temperature Under Bias 150 C
JA Thermal Resistance SC70−5/SC−88A/SOT−353 (Note 1) 350 C/W
SOT23−5/TSOP−5/SC59−5 230
PD Power Dissipation in Still Air at 85C SC70−5/SC−88A/SOT−353 150 mW
SOT23−5/TSOP−5/SC59−5 200
MSL Moisture Sensitivity Level 1
FR Flammability Rating Oxygen Index: 28 to 34 UL 94 V−0 @ 0.125 in
VESD ESD Withstand Voltage Human Body Model (Note 2)
2000 V
Machine Model (Note 3)
200
Charged Device Model (Note 4) N/A
ILATCHUP Latchup Performance Above VCC and Below GND at 125C (Note 5) 500 mA
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
1. Measured with minimum pad spacing on an FR4 board, using 10 mm−by−1 inch, 2 ounce copper trace with no air flow.
2. Tested to EIA/JESD22−A114−A.
3. Tested to EIA/JESD22−A115−A.
4. Tested to JESD22−C101−A.
5. Tested to EIA/JESD78.
TJ = 120C
TJ = 100C
TJ = 110C
TJ = 80C
80 1,032,200 117.8
90 419,300 47.9
100 178,700 20.4 1
110 79,600 9.4
1 10 100 1000
120 37,000 4.2
TIME, YEARS
130 17,800 2.0
140 8,900 1.0 Figure 3. Failure Rate vs. Time Junction Temperature
http://onsemi.com
127
MC74HC1G14
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VCC TA = 25C TA 85C 55C TA 125C
Symbol Parameter Test Conditions (V) Min Typ Max Min Max Min Max Unit
VT Positive−Going VOUT = 0.1 V 2.0 1.00 1.34 1.50 0.95 1.60 0.90 1.60 V
Input Threshold |IOUT| 20 A 3.0 1.50 2.02 2.5 1.45 2.60 1.40 2.60
Voltage 4.5 2.30 2.97 3.15 2.25 3.15 2.20 3.15
6.0 3.00 3.93 4.20 2.95 4.20 2.90 4.20
VT Negative−Going VOUT = VCC 0.1 2.0 0.55 0.86 1.15 0.55 1.20 0.55 1.25 V
Input Threshold V 3.0 1.0 1.44 1.80 1.0 1.85 1.0 1.90
Voltage |IOUT| 20 A 4.5 1.75 2.28 2.75 1.75 2.8 1.75 2.85
6.0 2.65 3.14 3.65 2.65 3.7 2.65 3.75
VH Hysteresis Voltage VOUT = 0.1 V or 2.0 0.20 0.478 0.8 0.20 0.8 0.20 0.8 V
VOUT = VCC −0.1 3.0 0.25 0.584 0.95 0.25 0.55 0.25 0.95
V 4.5 0.30 0.686 1.1 0.30 1.1 0.30 1.1
|IOUT| 20 A 6.0 0.40 0.790 1.25 0.40 1.5 0.40 1.25
VOH Minimum High−Level VIN = VIH or VIL 2.0 1.9 2.0 1.9 1.9 V
Output Voltage IOH = −20 A 3.0 2.9 3.0 2.9 2.9
4.5 4.4 4.5 4.4 4.4
6.0 5.9 6.0 5.9 5.9
VIN VT Min
IOH = 2 mA 4.5 4.18 4.31 4.13 4.08
IOH = 2.6 mA 6.0 5.68 5.80 5.63 5.58
VOL Maximum Low−Level VIN ≥ VT Max 2.0 0.0 0.1 0.1 0.1 V
Output Voltage IOL = 20 A 3.0 0.0 0.1 0.1 0.1
4.5 0.0 0.1 0.1 0.1
6.0 0.0 0.1 0.1 0.1
VIN = VIH or VIL
IOL = 2 mA 4.5 0.17 0.26 0.33 0.40
IOL = 2.6 mA 6.0 0.18 0.26 0.33 0.40
IIN Maximum Input VIN = 6.0 V or GND 6.0 0.1 1.0 1.0 A
Leakage Current
ICC Maximum Quiescent VIN = VCC or GND 6.0 1.0 10 40 A
Supply Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
TA = 25C TA 85C 55C TA 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Min Max Min Max Unit
tPLH, Maximum VCC = 5.0 V CL = 15 pF 3.5 15 20 25 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPHL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
Propagation Delay
Delay,
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Input A or B to Y
ÎÎ
ÎÎ
VCC = 2.0 V
VCC = 3.0 V
CL = 50 pF 19
10.5
100
27
125
35
155
90
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 4.5 V 7.5 20 25 35
VCC = 6.0 V 6.5 17 21 26
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tTLH,
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tTHL
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Time
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
Output Transition
ÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 5.0 V
VCC = 2.0 V
CL = 15 pF
CL = 50 pF
3
25
10
125
15
155
20
200
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 3.0 V 16 35 45 60
VCC = 4.5 V 11 25 31 38
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 6.0 V 9 21 26 32
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
CIN Maximum Input 5 10 10 10 pF
Capacitance
http://onsemi.com
128
MC74HC1G14
tr tf
INPUT OUTPUT
90% VCC
50%
INPUT A 10% GND CL*
tPHL tPLH
OUTPUT Y 90%
50%
10%
*Includes all probe and jig capacitance.
tTHL tTLH A 1−MHz square input wave is recommended for
propagation delay tests.
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
129
MC74HC1G32
1 H4M
SOT23−5/TSOP−5/SC59−5
IN B 1 5 VCC DT SUFFIX Pin 1
CASE 483
IN A 2
d = Date Code
M = Month Code
GND 3 4 OUT Y
PIN ASSIGNMENT
1 IN B
Figure 1. Pinout 2 IN A
3 GND
4 OUT Y
IN A ≥1 5 VCC
OUT Y
IN B
FUNCTION TABLE
Figure 2. Logic Symbol
Inputs Output
A B Y
L L L
L H H
H L H
H H H
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 133 of this data sheet.
MAXIMUM RATINGS
Symbol Parameter Value Unit
VCC DC Supply Voltage 0.5 to 7.0 V
VIN DC Input Voltage 0.5 to VCC 0.5 V
VOUT DC Output Voltage 0.5 to VCC 0.5 V
IIK DC Input Diode Current 20 mA
IOK DC Output Diode Current 20 mA
IOUT DC Output Sink Current 12.5 mA
ICC DC Supply Current per Supply Pin 25 mA
TSTG Storage Temperature Range 65 to 150 C
TL Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds 260 C
TJ Junction Temperature Under Bias 150 C
JA Thermal Resistance SC70−5/SC−88A/SOT−353 (Note 1) 350 C/W
SOT23−5/TSOP−5/SC59−5 230
PD Power Dissipation in Still Air at 85C SC70−5/SC−88A/SOT−353 150 mW
SOT23−5/TSOP−5/SC59−5 200
MSL Moisture Sensitivity Level 1
FR Flammability Rating Oxygen Index: 28 to 34 UL 94 V−0 @ 0.125 in
VESD ESD Withstand Voltage Human Body Model (Note 2)
2000 V
Machine Model (Note 3)
200
Charged Device Model (Note 4) N/A
ILATCH−P Latchup Performance Above VCC and Below GND at 125C (Note 5) 500 mA
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
1. Measured with minimum pad spacing on an FR4 board, using 10 mm by 1 inch, 2 ounce copper trace with no air flow.
2. Tested to EIA/JESD22−A114−A.
3. Tested to EIA/JESD22−A115−A.
4. Tested to JESD22−C101−A.
5. Tested to EIA/JESD78.
TJ = 120C
TJ = 100C
TJ = 110C
TJ = 80C
80 1,032,200 117.8
90 419,300 47.9
100 178,700 20.4 1
110 79,600 9.4
1 10 100 1000
120 37,000 4.2
TIME, YEARS
130 17,800 2.0
140 8,900 1.0 Figure 3. Failure Rate vs. Time Junction Temperature
http://onsemi.com
131
MC74HC1G32
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VCC TA = 25C TA 85C 55C TA 125C
Symbol Parameter Test Conditions (V) Min Typ Max Min Max Min Max Unit
VIH Minimum High−Level 2.0 1.5 1.5 1.5 V
Input Voltage 3.0 2.1 2.1 2.1
4.5 3.15 3.15 3.15
6.0 4.20 4.20 4.20
VIL Maximum Low−Level 2.0 0.5 0.5 0.5 V
Input Voltage 3.0 0.9 0.9 0.9
4.5 1.35 1.35 1.35
6.0 1.80 1.80 1.80
VOH Minimum High−Level VIN = VIH or VIL 2.0 1.9 2.0 1.9 1.9 V
Output Voltage IOH = −20 A 3.0 2.9 3.0 2.9 2.9
VIN = VIH or VIL 4.5 4.4 4.5 4.4 4.4
6.0 5.9 6.0 5.9 5.9
VIN = VIH or VIL
IOH = −2 mA 4.5 4.18 4.31 4.13 4.08
IOH = −2.6 mA 6.0 5.68 5.80 5.63 5.58
VOL Maximum Low−Level VIN = VIH or VIL 2.0 0.0 0.1 0.1 0.1 V
Output Voltage IOL = 20 A 3.0 0.0 0.1 0.1 0.1
VIN = VIH or VIL 4.5 0.0 0.1 0.1 0.1
6.0 0.0 0.1 0.1 0.1
VIN = VIH or VIL
IOL = 2 mA 4.5 0.17 0.26 0.33 0.40
IOL = 2.6 mA 6.0 0.18 0.26 0.33 0.40
IIN Maximum Input VIN = 6.0 V or GND 6.0 0.1 1.0 1.0 A
Leakage Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Min Max Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPLH, Maximum VCC = 5.0 V CL = 15 pF 3.5 15 20 25 ns
tPHL Propagation Delay
Delay,
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Input A or B to Y VCC = 2.0 V CL = 50 pF 20 100 125 155
VCC = 3.0 V 12 27 35 90
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 4.5 V 8 20 25 35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 6.0 V 7 17 21 26
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tTLH, Output Transition VCC = 5.0 V CL = 15 pF 3 10 15 20 ns
tTHL Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 2.0 V CL = 50 pF 25 125 155 200
VCC = 3.0 V 16 35 45 60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 4.5 V 11 25 31 38
VCC = 6.0 V 9 21 26 32
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
CIN
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Input
ÎÎÎ
Capacitance ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
5 10 10 10 pF
http://onsemi.com
132
MC74HC1G32
tr tf INPUT
OUTPUT
VCC
90%
INPUT 50%
10% GND CL*
A or B
tPLH tPHL
90%
50%
OUTPUT Y 10%
*Includes all probe and jig capacitance.
tTLH tTHL
A 1−MHz square input wave is recommended for
propagation delay tests.
http://onsemi.com
133
MC74HC1GU04
NC 1 5 VCC
5
1 H6M
IN A 2
SOT23−5/TSOP−5/SC59−5
DT SUFFIX Pin 1
CASE 483
GND 3 4 OUT Y
d = Date Code
M = Month Code
Figure 1. Pinout
PIN ASSIGNMENT
1 NC
IN A 1 OUT Y 2 IN A
3 GND
Figure 2. Logic Symbol
4 OUT Y
5 VCC
FUNCTION TABLE
Input A Output Y
L H
H L
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 137 of this data sheet.
MAXIMUM RATINGS
Symbol Parameter Value Unit
VCC DC Supply Voltage 0.5 to 7.0 V
VIN DC Input Voltage 0.5 to VCC 0.5 V
VOUT DC Output Voltage 0.5 to VCC 0.5 V
IIK DC Input Diode Current 20 mA
IOK DC Output Diode Current 20 mA
IOUT DC Output Sink Current 12.5 mA
ICC DC Supply Current per Supply Pin 25 mA
TSTG Storage Temperature Range 65 to 150 C
TL Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds 260 C
TJ Junction Temperature Under Bias 150 C
JA Thermal Resistance SC70−5/SC−88A/SOT−353 (Note 1) 350 C/W
SOT23−5/TSOP−5/SC59−5 230
PD Power Dissipation in Still Air at 85C SC70−5/SC−88A/SOT−353 150 mW
SOT23−5/TSOP−5/SC59−5 200
MSL Moisture Sensitivity Level 1
FR Flammability Rating Oxygen Index: 28 to 34 UL 94 V−0 @ 0.125 in
VESD ESD Withstand Voltage Human Body Model (Note 2)
2000 V
Machine Model (Note 3)
200
Charged Device Model (Note 4) N/A
ILATCHUP Latchup Performance Above VCC and Below GND at 125C (Note 5) 500 mA
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
1. Measured with minimum pad spacing on an FR4 board, using 10 mm−by−1 inch, 2 ounce copper trace with no air flow.
2. Tested to EIA/JESD22−A114−A.
3. Tested to EIA/JESD22−A115−A.
4. Tested to JESD22−C101−A.
5. Tested to EIA/JESD78.
TJ = 120C
TJ = 100C
TJ = 110C
TJ = 80C
80 1,032,200 117.8
90 419,300 47.9
100 178,700 20.4 1
110 79,600 9.4
1 10 100 1000
120 37,000 4.2
TIME, YEARS
130 17,800 2.0
140 8,900 1.0 Figure 3. Failure Rate vs. Time Junction Temperature
http://onsemi.com
135
MC74HC1GU04
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VCC TA = 25C TA 85C 55C TA 125C
Symbol Parameter Test Conditions (V) Min Typ Max Min Max Min Max Unit
VIH Minimum High−Level 2.0 1.7 1.7 1.7 V
Input Voltage 3.0 2.45 2.45 2.45
4.5 3.60 3.60 3.60
6.0 4.80 4.80 4.80
VIL Maximum Low−Level 2.0 0.3 0.3 0.3 V
Input Voltage 3.0 0.5 0.5 0.5
4.5 0.9 0.9 0.9
6.0 1.20 1.20 1.20
VOH Minimum High−Level VIN = VIH or VIL 2.0 1.8 2.0 1.8 1.8 V
Output Voltage IOH = −20 A 3.0 2.7 3.0 2.7 2.7
VIN = VIH or VIL 4.5 4.0 4.5 4.0 4.0
6.0 5.5 5.9 5.5 5.5
VIN = VIH or VIL
IOH = −2 mA 4.5 4.18 4.33 4.13 4.08
IOH = −2.6 mA 6.0 5.68 5.76 5.63 5.58
VOL Maximum Low−Level VIN = VIH or VIL 2.0 0.0 0.1 0.1 0.1 V
Output Voltage IOL = 20 A 3.0 0.0 0.1 0.1 0.1
VIN = VIH or VIL 4.5 0.0 0.1 0.1 0.1
6.0 0.0 0.1 0.1 0.1
VIN = VIH or VIL
IOL = 2 mA 4.5 0.26 0.33 0.40
IOL = 2.6 mA 6.0 0.26 0.33 0.40
IIN Maximum Input VIN = 6.0 V or GND 6.0 0.1 1.0 1.0 A
Leakage Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPLH, ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Test Conditions
VCC = 5.0 V CL = 15 pF
Min Typ
3
Max
15
Min Max
20
Min Max
25
Unit
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPHL Propagation Delay
Delay,
Input A or B to Y VCC = 2.0 V CL = 50 pF 17 100 125 155
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 3.0 V 9 27 35 90
VCC = 4.5 V 7 20 25 35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 6.0 V 6.5 17 21 26
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tTLH, Output Transition VCC = 5.0 V CL = 15 pF 4 10 15 20 ns
tTHL Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 2.0 V CL = 50 pF 25 125 155 200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 3.0 V 16 35 45 60
VCC = 4.5 V 12 25 31 38
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC = 6.0 V 10 21 26 32
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
CIN Maximum Input 5 10 10 10 pF
Capacitance
http://onsemi.com
136
MC74HC1GU04
tr tf
90% VCC
INPUT OUTPUT
50%
INPUT A 10% GND
tPHL tPLH CL*
OUTPUT Y 90%
50%
10%
tTHL tTLH
*Includes all probe and jig capacitance.
A 1−MHz square input wave is recommended for
propagation delay tests.
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
137
MC74HC240A
Octal 3−State Inverting
Buffer/Line Driver/Line
Receiver
High−Performance Silicon−Gate CMOS
The MC74HC240A is identical in pinout to the LS240. The device
inputs are compatible with standard CMOS outputs; with pullup http://onsemi.com
resistors, they are compatible with LSTTL outputs.
MARKING
This octal noninverting buffer/line driver/line receiver is designed
DIAGRAMS
to be used with 3−state memory address drivers, clock drivers, and
20
other sub−oriented systems. The device has inverting outputs and two
PDIP−20
active−low output enables. N SUFFIX
MC74HC240AN
The HC240A is similar in function to the HC244A. AWLYYWW
20 CASE 738
• Output Drive Capability: 15 LSTTL Loads 1 1
LOGIC DIAGRAM 1
2 18 A = Assembly Location
A1 YA1
WL = Wafer Lot
YY = Year
4 16
A2 YA2 WW = Work Week
6 14
A3 YA3 PIN ASSIGNMENT
8 12 ENABLE A 1 20 VCC
A4 YA4
DATA INVERTING A1 2 19 ENABLE B
INPUTS 11 9 OUTPUTS
B1 YB1 YB4 3 18 YA1
13 7 A2 4 17 B4
B2 YB2
YB3 5 16 YA2
15 5 A3 6 15 B3
B3 YB3
YB2 7 14 YA3
17 3
B4 YB4 A4 8 13 B2
YB1 9 12 YA4
GND 10 11 B1
PIN 20 = VCC
1
OUTPUT ENABLE A PIN 10 = GND
ENABLES 19
ENABLE B
FUNCTION TABLE ORDERING INFORMATION
Inputs Outputs Device Package Shipping
Enable A, MC74HC240AN PDIP−20 1440 / Box
Enable B A, B YA, YB
MC74HC240ADW SOIC−WIDE 38 / Rail
L L H
MC74HC240ADWR2 SOIC−WIDE 1000 / Reel
L H L
H X Z MC74HC240ADT TSSOP−20 75 / Rail
Z = high impedance MC74HC240ADTR2 TSSOP−20 2500 / Reel
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 35 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 75 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package) 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
2.0
0
6.0
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V
– 55
0
+ 125
1000
C
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 1) VCC = 4.5 V 0 500
VCC = 6.0 V 0 400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
85C 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V 25C Unit
VIH Minimum High−Level Input Vout = VCC – 0.1 V 2.0 1.5 1.5 1.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 20 µA 3.0
4.5
6.0
2.1
3.15
4.2
2.1
3.15
4.2
2.1
3.15
4.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Low−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = 0.1 V
|Iout| 20 µA
2.0
3.0
0.5
0.9
0.5
0.9
0.5
0.9
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 1.35 1.35 1.35
6.0 1.8 1.8 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOH
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH
|Iout| 20 µA
2.0
4.5
6.0
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH |Iout| 2.4 mA
|Iout| 6.0 mA
|Iout| 7.8 mA
3.0
4.5
2.48
3.98
2.34
3.84
2.2
3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 5.48 5.34 5.2
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VIL 2.0 0.1 0.1 0.1 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 20 µA 4.5
6.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIL |Iout| 2.4 mA 3.0 0.26 0.33 0.4
|Iout| 6.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 7.8 mA 6.0 0.26 0.33 0.4
http://onsemi.com
139
MC74HC240A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Leakage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IOZ Maximum Three−State Output in High−Impedance State 6.0 ± 0.5 ± 5.0 ± 10 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Leakage Current Vin = VIL or VIH
Vout = VCC or GND
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Quiescent Supply
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
Iout = 0 µA
6.0 4.0 40 160
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
µA
(DL129/D).
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6 ns)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
85C 125C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter V 25C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, A to YA or B to YB 2.0 80 100 120 ns
tPHL (Figures 1 and 3) 3.0 40 50 60
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 16 20 24
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 14 17 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLZ, Maximum Propagation Delay, Output Enable to YA or YB 2.0 110 140 165 ns
tPHZ (Figures 2 and 4) 3.0 60 70 80
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 22 28 33
6.0 19 24 28
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPZL,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPZH ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Output Enable to YA or YB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 2 and 4)
2.0
3.0
110
60
140
70
165
80
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 22 28 33
6.0 19 24 28
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, Any Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 3)
2.0
3.0
60
23
75
27
90
32
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 12 15 18
6.0 10 13 15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cin
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cout
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Input Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Three−State Output Capacitance (Output in
—
—
10
15
10
15
10
15
pF
pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
High−Impedance State)
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
140
MC74HC240A
SWITCHING WAVEFORMS
VCC
tr tf ENABLE 50%
DATA INPUT VCC GND
90% tPZL tPLZ
A OR B 50% HIGH
10% GND
50% IMPEDANCE
tPHL tPLH OUTPUT Y
90% 10% VOL
50% tPZH tPHZ
OUTPUT 90% VOH
10%
YA OR YB OUTPUT Y 50%
HIGH
tTHL tTLH
IMPEDANCE
Figure 1. Figure 2.
*Includes all probe and jig capacitance *Includes all probe and jig capacitance
PIN DESCRIPTIONS
http://onsemi.com
141
MC74HC240A
LOGIC DETAIL
TO THREE OTHER
A OR B INVERTERS
ONE OF 8
INVERTERS
VCC
DATA
INPUT
A OR B
YA
OR
YB
ENABLE A
OR ENABLE B
http://onsemi.com
142
MC74HC244A
Octal 3−State Noninverting
Buffer/Line Driver/
Line Receiver
High−Performance Silicon−Gate CMOS
The MC74HC244A is identical in pinout to the LS244. The device
inputs are compatible with standard CMOS outputs; with pullup http://onsemi.com
resistors, they are compatible with LSTTL outputs. MARKING
This octal noninverting buffer/line driver/line receiver is designed DIAGRAMS
to be used with 3−state memory address drivers, clock drivers, and 20
other bus−oriented systems. The device has noninverting outputs and PDIP−20
MC74HC244AN
two active−low output enables. N SUFFIX
AWLYYWW
The HC244A is similar in function to the HC240A. 20 CASE 738
1
• Output Drive Capability: 15 LSTTL Loads 1
20
• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS, and TTL SOIC WIDE−20
• Operating Voltage Range: 2 to 6 V 20
1
DW SUFFIX HC244A
AWLYYWW
CASE 751D
• Low Input Current: 1 µA
1
• High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices 20
1
LOGIC DIAGRAM
A = Assembly Location
2 18 WL = Wafer Lot
A1 YA1
YY = Year
4 16 WW = Work Week
A2 YA2
PIN ASSIGNMENT
6 14
A3 YA3
ENABLE A 1 20 VCC
8 12
A4 YA4 A1 2 19 ENABLE B
DATA NONINVERTING
YB4 3 18 YA1
INPUTS 11 9 OUTPUTS
B1 YB1 A2 4 17 B4
13 7 YB3 5 16 YA2
B2 YB2
A3 6 15 B3
15 5 YB2 7 14 YA3
B3 YB3
A4 8 13 B2
17 3
B4 YB4
YB1 9 12 YA4
GND 10 11 B1
1 PIN 20 = VCC
OUTPUT ENABLE A PIN 10 = GND
ENABLES 19
ENABLE B
ORDERING INFORMATION
FUNCTION TABLE
Device Package Shipping
Inputs Outputs
Enable A, MC74HC244AN PDIP−20 1440 / Box
Enable B A, B YA, YB MC74HC244ADW SOIC−WIDE 38 / Rail
L L L MC74HC244ADWR2 SOIC−WIDE 1000 / Reel
L H H
H X Z MC74HC244ADT TSSOP−20 75 / Rail
Z = high impedance MC74HC244ADTR2 TSSOP−20 2500 / Reel
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 35 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 75 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Plastic DIP, SOIC, SSOP or TSSOP Package) 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
2.0
0
6.0
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V
– 55
0
+ 125
1000
C
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 1) VCC = 4.5 V 0 500
VCC = 6.0 V 0 400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
85C 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V 25C Unit
VIH Minimum High−Level Input Vout = VCC – 0.1 V 2.0 1.5 1.5 1.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 20 µA 3.0
4.5
6.0
2.1
3.15
4.2
2.1
3.15
4.2
2.1
3.15
4.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Low−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = 0.1 V
|Iout| 20 µA
2.0
3.0
0.5
0.9
0.5
0.9
0.5
0.9
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 1.35 1.35 1.35
6.0 1.8 1.8 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOH
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH
|Iout| 20 µA
2.0
4.5
6.0
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH |Iout| 2.4 mA
|Iout| 6.0 mA
|Iout| 7.8 mA
3.0
4.5
2.48
3.98
2.34
3.84
2.2
3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 5.48 5.34 5.2
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VIL 2.0 0.1 0.1 0.1 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 20 µA 4.5
6.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIL |Iout| 2.4 mA 3.0 0.26 0.33 0.4
|Iout| 6.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 7.8 mA 6.0 0.26 0.33 0.4
http://onsemi.com
144
MC74HC244A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Leakage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IOZ Maximum Three−State Output in High−Impedance State 6.0 ± 0.5 ± 5.0 ± 10 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Leakage Current Vin = VIL or VIH
Vout = VCC or GND
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Quiescent Supply
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
Iout = 0 µA
6.0 4.0 40 160 µA
NOTE: Information on typical parametric values and high frequency or heavy load considerations can be found in Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6 ns)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
85C 125C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter V 25C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, A to YA or B to YB 2.0 96 115 135 ns
tPHL (Figures 1 and 3) 3.0 50 60 70
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 18 23 27
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 15 20 23
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLZ, Maximum Propagation Delay, Output Enable to YA or YB 2.0 110 140 165 ns
tPHZ (Figures 2 and 4) 3.0 60 70 80
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 22 28 33
6.0 19 24 28
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPZL,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPZH ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Output Enable to YA or YB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 2 and 4)
2.0
3.0
110
60
140
70
165
80
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 22 28 33
6.0 19 24 28
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, Any Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 3)
2.0
3.0
60
23
75
27
90
32
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 12 15 18
6.0 10 13 15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cin
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cout
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Input Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Three−State Output Capacitance (Output in
—
—
10
15
10
15
10
15
pF
pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
High−Impedance State)
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
145
MC74HC244A
SWITCHING WAVEFORMS
tr tf VCC
DATA INPUT VCC ENABLE 50%
90%
A OR B 50% A OR B GND
10% GND tPZL tPLZ
tPLH tPHL HIGH
OUTPUT 90% 50% IMPEDANCE
50% OUTPUT Y
YA OR YB 10% VOL
10% tPZH tPHZ
tTLH tTHL 90% VOH
OUTPUT Y 50%
HIGH
IMPEDANCE
Figure 1. Figure 2.
TEST CIRCUITS
*Includes all probe and jig capacitance *Includes all probe and jig capacitance
PIN DESCRIPTIONS
http://onsemi.com
146
MC74HC244A
LOGIC DETAIL
TO THREE OTHER
A OR B INVERTERS
ONE OF 8
INVERTERS
VCC
DATA
INPUT
A OR B
YA
OR
YB
ENABLE A OR
ENABLE B
http://onsemi.com
147
MC74HC245A
•
PDIP−20
Operating Voltage Range: 2 to 6 V N SUFFIX
• Low Input Current: 1 A CASE 783
20
1 HC245A
ALYW
TSSOP−20
DT SUFFIX
CASE 948E
A = Assembly Location
L, WL = Wafer Lot
Y, YY = Year
W, WW = Work Week
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping
MC74HC245AN PDIP−20 18 Units/Rail
DIRECTION 1 20 VCC
A1 2 19 OUTPUT ENABLE
A2 3 18 B1
A3 4 17 B2
A4 5 16 B3
A5 6 15 B4
A6 7 14 B5
A7 8 13 B6
A8 9 12 B7
GND 10 11 B8
FUNCTION TABLE
Control Inputs
Output
Enable Direction Operation
L L Data Transmitted from Bus B to Bus A
L H Data Transmitted from Bus A to Bus B
H X Buses Isolated (High−Impedance State)
X = don’t care
2 18
A1 B1
3 17
A2 B2
4 16
A3 B3
5 15
A A4 B4 B
DATA 6 14 DATA
PORT A5 B5 PORT
7 13
A6 B6
8 12
A7 B7
9 11
A8 B8
1
DIRECTION
19
OUTPUT ENABLE
PIN 10 = GND
PIN 20 = VCC
http://onsemi.com
149
MC74HC245A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 2.0 6.0 V
Vin, Vout DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND) 0 VCC V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V
–55
0
+125
1000
C
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
(Figure 3)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
0
0
500
400
http://onsemi.com
150
MC74HC245A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC
Symbol Parameter Test Conditions V –55 to 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIH
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Minimum High−Level Input
ÎÎ
Vout = VCC – 0.1 V
|Iout| 20 A
2.0
3.0
1.5
2.1
1.5
2.1
1.5
2.1
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
4.5 3.15 3.15 3.15
6.0 4.2 4.2 4.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VIL Maximum Low−Level Input Vout = 0.1 V 2.0 0.5 0.5 0.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Voltage |Iout| 20 A 3.0 0.9 0.9 0.9
4.5 1.35 1.35 1.35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 1.8 1.8 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Output Vin = VIH 2.0 1.9 1.9 1.9 V
Voltage |Iout| 20 A 4.5 4.4 4.4 4.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Vin = VIH |Iout| 2.4 mA
|Iout| 6.0 mA
6.0
3.0
5.9
2.48
5.9
2.34
5.9
2.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
4.5 3.98 3.84 3.7
|Iout| 7.8 mA 6.0 5.48 5.34 5.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VIL 2.0 0.1 0.1 0.1 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Voltage |Iout| 20 A 4.5 0.1 0.1 0.1
6.0 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Vin = VIL |Iout| 2.4 mA
|Iout| 6.0 mA
|Iout| 7.8 mA
3.0
4.5
6.0
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
0.4
0.4
0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input Leakage Current Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
IOZ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Three−State Leakage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Output in High−Impedance State
Vin = VIL or VIH
Vout = VCC or GND
6.0 ± 0.5 ± 5.0 ± 10 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎ
Maximum Quiescent Supply
ÎÎÎÎÎÎ
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
Iout = 0 A
6.0 4.0 40 160 A
7. Information on typical parametric values and high frequency or heavy load considerations can be found in the ON Semiconductor
High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6 ns)
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC
Symbol Parameter V –55 to 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH,
ÎÎÎÎ
tPHL
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
A to B, B to A
ÎÎÎÎ
(Figures 1 and 3)
ÎÎ
Maximum Propagation Delay,
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
2.0
3.0
4.5
75
55
15
95
70
19
110
80
22
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 13 16 19
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPLZ, Maximum Propagation Delay, 2.0 110 140 165 ns
tPHZ Direction or Output Enable to A or B 3.0 90 110 130
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
(Figures 2 and 4)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
4.5
6.0
22
19
28
24
33
28
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPZL, Maximum Propagation Delay, 2.0 110 140 165 ns
tPZH Output Enable to A or B 3.0 90 110 130
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
(Figures 2 and 4) 4.5 22 28 33
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 19 24 28
tTLH, Maximum Output Transition Time, 2.0 60 75 90 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tTHL Any Output 3.0 23 27 32
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
(Figures 1 and 3) 4.5 12 15 18
6.0 10 13 15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cin
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cout ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input Capacitance (Pin 1 or Pin 19)
ÎÎ
Maximum Three−State I/O Capacitance
(I/O in High−Impedance State)
—
—
10
15
10
15
10
15
pF
pF
8. For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see the ON Semiconductor High−Speed
CMOS Data Book (DL129/D).
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
CPD Power Dissipation Capacitance (Per Transceiver Channel) (Note 9) 40 pF
9. Used to determine the no−load dynamic power consumption: P D = C PD V CC 2 f + I CC V CC . For load considerations, see the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
151
MC74HC245A
VCC
DIRECTION 50%
GND
tr tf
VCC VCC
INPUT 90% OUTPUT 50%
A OR B 50%
10% ENABLE GND
GND
tPZL tPLZ
tPLH tPHL HIGH
OUTPUT 90% IMPEDANCE
50% 50%
B OR A A OR B
10% 10% VOL
tPZH tPHZ
tTLH tTHL 90% VOH
A OR B 50%
HIGH
IMPEDANCE
*Includes all probe and jig capacitance *Includes all probe and jig capacitance
http://onsemi.com
152
MC74HC245A
2
A1
18
B1
3
A2
17
B2
4
A3
16
B3
5
A4
A 15 B
B4
DATA DATA
PORT PORT
6
A5
14
B5
7
A6
13
B6
8
A7
12
B7
9
A8
11
B8
1
DIRECTION
19
OUTPUT ENABLE
http://onsemi.com
153
MC74HC273A
No. 7A 1
20
• Chip Complexity: 264 FETs or 66 Equivalent Gates
TSSOP−20 HC
LOGIC DIAGRAM 20 273A
DT SUFFIX
2 1 CASE 948E ALYW
3 Q0
D0
4 5 1
D1 Q1
7 6 A = Assembly Location
D2 Q2 WL = Wafer Lot
8 9 YY = Year
DATA D3 Q3 NONINVERTING WW = Work Week
INPUTS 13 12
D4 Q4 OUTPUTS
14
D5 15 PIN ASSIGNMENT
Q5
17
D6 16
18 Q6 RESET 1 20 VCC
D7 19
Q7 Q0 2 19 Q7
11
CLOCK
D0 3 18 D7
PIN 20 = VCC D1 4 17 D6
1 PIN 10 = GND
RESET
Q1 5 16 Q6
FUNCTION TABLE Q2 6 15 Q5
Inputs Output D2 7 14 D5
Reset Clock D Q
D3 8 13 D4
L X X L
H H H Q3 9 12 Q4
H L L GND 10 11 CLOCK
H L X No Change
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
H X No Change
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ORDERING INFORMATION
Design Criteria Value Units
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Device Package Shipping
Internal Gate Count* 66 ea
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MC74HC273AN PDIP−20 1440 / Box
Internal Gate Propagation Delay 1.5 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MC74HC273ADW SOIC−WIDE 38 / Rail
µW
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Power Dissipation 5.0 MC74HC273ADWR2 SOIC−WIDE 1000 / Reel
MC74HC273ADT TSSOP−20 75 / Rail
MC74HC273ADTR2 TSSOP−20 2500 / Reel
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Design Criteria Value Units
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Speed Power Product
*Equivalent to a two−input NAND gate.
.0075 pJ
http://onsemi.com
155
MC74HC273A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
2.0
0
6.0
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V
– 55
0
+ 125
1000
C
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 1) VCC = 4.5 V 0 500
VCC = 6.0 V 0 400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
85C 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V 25C Unit
VIH Minimum High−Level Input Vout = VCC – 0.1 V 2.0 1.5 1.5 1.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 20 µA 3.0
4.5
6.0
2.1
3.15
4.2
2.1
3.15
4.2
2.1
3.15
4.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Low−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = 0.1 V
|Iout| 20 µA
2.0
3.0
0.5
0.9
0.5
0.9
0.5
0.9
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 1.35 1.35 1.35
6.0 1.8 1.8 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOH
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH
|Iout| 20 µA
2.0
4.5
6.0
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH |Iout| 2.4 mA
|Iout| 6.0 mA
|Iout| 7.8 mA
3.0
4.5
2.48
3.98
2.34
3.84
2.2
3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 5.48 5.34 5.2
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VIL 2.0 0.1 0.1 0.1 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 20 µA 4.5
6.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIL |Iout| 2.4 mA 3.0 0.26 0.33 0.4
|Iout| 6.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 7.8 mA 6.0 0.26 0.33 0.4
http://onsemi.com
156
MC74HC273A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Leakage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IOZ Maximum Three−State Output in High−Impedance State 6.0 ± 0.5 ± 5.0 ± 10 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Leakage Current Vin = VIL or VIH
Vout = VCC or GND
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Quiescent Supply
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
Iout = 0 µA
6.0 4.0 40 160
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
µA
(DL129/D).
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
85C 125C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter V 25C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fmax Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle) 2.0 6.0 5.0 4.0 MHz
(Figures 1 and 4) 3.0 15 10 8.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 30 24 20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 35 28 24
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH Maximum Propagation Delay, Clock to Q 2.0 145 180 220 ns
tPHL (Figures 1 and 4) 3.0 90 120 140
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 29 36 44
6.0 25 31 38
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Reset to Q
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 2 and 4)
2.0
3.0
145
90
180
120
220
140
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 29 36 44
6.0 25 31 38
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTLH
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, Any Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 4)
2.0
3.0
75
27
95
32
110
36
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 15 19 22
6.0 13 16 19
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cin
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Capacitance 10 10 10 pF
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
157
MC74HC273A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TIMING REQUIREMENTS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
– 55 to 25C 85C 125C
VCC
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Fig. Volts Min Max Min Max Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tsu Minimum Setup Time, Data to Clock 3 2.0 60 75 90 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
3.0 23 27 32
4.5 12 15 18
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 10 13 15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
th Minimum Hold Time, Clock to Data 3 2.0 3.0 3.0 3.0 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
3.0 3.0 3.0 3.0
4.5 3.0 3.0 3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 3.0 3.0 3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
trec Minimum Recovery Time, Reset Inactive to 2 2.0 5.0 5.0 5.0 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Clock 3.0 5.0 5.0 5.0
4.5 5.0 5.0 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 5.0 5.0 5.0
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Clock 1 2.0 60 75 90 ns
3.0 23 27 32
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎ
4.5
6.0
12
10
15
13
18
15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Reset 2 2.0 60 75 90 ns
3.0 23 27 32
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎ
4.5
6.0
12
10
15
13
18
15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tr, tf Maximum Input Rise and Fall Times 1 2.0 1000 1000 1000 ns
3.0 800 800 800
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
4.5 500 500 500
6.0 400 400 400
http://onsemi.com
158
MC74HC273A
SWITCHING WAVEFORMS
tr tf tw
VCC VCC
90% RESET 50%
CLOCK 50%
10% GND GND
tw tPHL
1/fmax 50%
Q
tPLH tPHL
90% trec
Q 50% VCC
10% CLOCK 50%
tTLH tTHL GND
Figure 1. Figure 2.
VALID
VCC
DATA 50%
GND
tsu th
VCC
CLOCK 50% EXPANDED LOGIC DIAGRAM
GND
Figure 3. C 2
3 Q Q0
D0 DR
C 5
4 Q Q1
D1 DR
C 6
7 Q Q2
TEST POINT D2 DR
C 9
OUTPUT 8 Q Q3
D3 DR NONINVERTING
DEVICE DATA
UNDER OUTPUTS
CL* INPUTS C
TEST 12
13 Q Q4
D4 DR
C 15
14 Q Q5
D5 DR
*Includes all probe and jig capacitance
C 19
18 Q Q7
D7 DR
11
http://onsemi.com
159
MC74HC32A
4 TSSOP−14 HC
A2 6 DT SUFFIX 32A
5 Y2
B2 CASE 948G ALYW
Y = A+B
9 1
A3 8
10 Y3 A = Assembly Location
B3 WL or L = Wafer Lot
YY or Y = Year
12
A4 11 WW or W = Work Week
13 Y4
B4
FUNCTION TABLE
PIN 14 = VCC
PIN 7 = GND Inputs Output
A B Y
Pinout: 14−Lead Packages (Top View)
L L L
VCC B4 A4 Y4 B3 A3 Y3 L H H
14 13 12 11 10 9 8 H L H
H H H
1 2 3 4 5 6 7 ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping
A1 B1 Y1 A2 B2 Y2 GND
MC74HC32AN PDIP−14 2000 / Box
MC74HC32AD SOIC−14 55 / Rail
MC74HC32ADR2 SOIC−14 2500 / Reel
MC74HC32ADT TSSOP−14 96 / Rail
MC74HC32ADTR2 TSSOP−14 2500 / Reel
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
2.0
0
6.0
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V
– 55
0
+ 125
1000
C
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 1) VCC = 4.5 V 0 500
VCC = 6.0 V 0 400
http://onsemi.com
161
MC74HC32A
http://onsemi.com
162
MC74HC32A
tr tf
VCC
90%
INPUT 50%
A OR B
10% GND
tPLH tPHL
90%
OUTPUT Y 50%
10%
tTLH tTHL
TEST
POINT
OUTPUT
DEVICE
UNDER
TEST CL*
A
Y
B
http://onsemi.com
163
MC74HC373A
20
Features
• Pb−Free Packages are Available*
20
TSSOP−20 HC
373A
DT SUFFIX
• Output Drive Capability: 15 LSTTL Loads 1 CASE 948E ALYW
• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS and TTL 1
• Operating Voltage Range: 2.0 to 6.0 V
20
• Low Input Current: 1.0 A SOEIAJ−20
74HC373A
F SUFFIX
• High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices 20
1
CASE 967
AWLYWW
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 166 of this data sheet.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
OUTPUT 1 20 VCC
ENABLE
Q0 2 19 Q7
D0 3 18 D7
D1 4 17 D6
3 2
D0 Q0 Q1 5 16 Q6
4 5 Q2 6 15 Q5
D1 Q1
7 6 D2 7 14 D5
D2 Q2
8 9 D3 8 13 D4
DATA D3 Q3 NONINVERTING
INPUTS 13 Q3 9 12 Q4
12 OUTPUTS
D4 Q4
GND 10 11 LATCH
14 15 ENABLE
D5 Q5
17 16 Figure 5. PIN ASSIGNMENT
D6 Q6
18 19
D7 Q7
FUNCTION TABLE
11 PIN 20 = VCC Inputs Output
LATCH ENABLE
1 PIN 10 = GND Output Latch
OUTPUT ENABLE Enable Enable D Q
L H H H
Figure 4. LOGIC DIAGRAM L H L L
L L X No Change
H X X Z
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
X = Don’t Care
Z = High Impedance
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Design Criteria
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Count*
Value
46.5
Units
ea
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Internal Gate Propagation Delay
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Power Dissipation
1.5
5.0
ns
W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Speed Power Product
*Equivalent to a two−input NAND gate.
0.0075 pJ
http://onsemi.com
165
MC74HC373A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 35 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 75 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Plastic DIP, SOIC, SSOP or TSSOP Package) 260
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are
not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/C from 65 to 125C
SOIC Package: – 7 mW/C from 65 to 125C
TSSOP Package: − 6.1 mW/C from 65 to 125C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 2.0 6.0 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin, Vout DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND) 0 VCC V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TA Operating Temperature, All Package Types – 55 + 125 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ
tr, tf Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V 0 1000 ns
(Figure 1) VCC = 4.5 V 0 500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 6.0 V 0 400
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping†
MC74HC373AN PDIP−20 1440 Units / Box
MC74HC373ANG PDIP−20 1440 Units / Box
(Pb−Free)
http://onsemi.com
166
MC74HC373A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions VCC V – 55 to 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VIH Minimum High−Level Input Vout = VCC – 0.1 V 2.0 1.5 1.5 1.5 V
Voltage |Iout| 20 A 3.0 2.1 2.1 2.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
4.5 3.15 3.15 3.15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 4.2 4.2 4.2
VIL Maximum Low−Level Input Vout = 0.1 V 2.0 0.5 0.5 0.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Voltage |Iout| 20 A 3.0 0.9 0.9 0.9
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
4.5 1.35 1.35 1.35
6.0 1.8 1.8 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Output Vin = VIH 2.0 1.9 1.9 1.9 V
|Iout| 20 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Voltage 4.5 4.4 4.4 4.4
6.0 5.9 5.9 5.9
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Vin = VIH |Iout| 2.4 mA 3.0 2.48 2.34 2.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
|Iout| 6.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.7
|Iout| 7.8 mA 6.0 5.48 5.34 5.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Low−Level Output
ÎÎ
Vin = VIL
|Iout| 20 A
2.0
4.5
6.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Vin = VIL |Iout| 2.4 mA
|Iout| 6.0 mA
|Iout| 7.8 mA
3.0
4.5
6.0
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
0.4
0.4
0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
IOZ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Maximum Three−State ÎÎ
Maximum Input Leakage Current
ÎÎ
Vin = VCC or GND
Output in High−Impedance State
6.0
6.0
± 0.1
± 0.5
± 1.0
± 5.0
± 1.0
± 10
A
A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Leakage Current Vin = VIL or VIH
Vout = VCC or GND
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Quiescent Supply
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
Iout = 0 A
6.0 4.0 40 160 A
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
– 55 to 25C 85C 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter VCC V Unit
tPLH Maximum Propagation Delay, Input D to Q 2.0 125 155 190 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPHL (Figures 1 and 5) 3.0 80 110 130
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
4.5 25 31 38
6.0 21 26 32
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPLH Maximum Propagation Delay, Latch Enable to Q 2.0 140 175 210 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPHL (Figures 2 and 5) 3.0 90 120 140
4.5 28 35 42
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 24 30 36
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPLZ Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q 2.0 150 190 225 ns
tPHZ (Figures 3 and 6) 3.0 100 125 150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
4.5 30 38 45
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 26 33 38
tPZL Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q 2.0 150 190 225 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPZH (Figures 3 and 6) 3.0 100 125 150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
4.5 30 38 45
6.0 26 33 38
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTLH
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTHL
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(Figures 1 and 5)
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, Any Output
ÎÎ
2.0
3.0
4.5
60
23
12
75
27
15
90
32
18
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 10 13 15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Cin Maximum Input Capacitance 10 10 10 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Cout Maximum Three−State Output Capacitance 15 15 15 pF
(Output in High−Impedance State)
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
CPD Power Dissipation Capacitance (Per Enabled Output)* 36 pF
* Used to determine the no−load dynamic power consumption: PD = CPD VCC 2 f + ICC VCC . For load considerations, see Chapter 2 of the
ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
167
MC74HC373A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TIMING REQUIREMENTS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
– 55 to 25C 85C 125C
VCC
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Fig. Volts Min Max Min Max Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tsu Minimum Setup Time, Input D to Latch Enable 4 2.0 25 30 40 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
3.0 20 25 30
4.5 5.0 6.0 8.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 5.0 6.0 7.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
th Minimum Hold Time, Latch Enable to Input D 4 2.0 5.0 5.0 5.0 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
3.0 5.0 5.0 5.0
4.5 5.0 50 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 5.0 5.0 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Latch Enable 2 2.0 60 75 90 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
3.0 23 27 32
4.5 12 15 18
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 10 13 15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tr, tf Maximum Input Rise and Fall Times 1 2.0 1000 1000 1000 ns
3.0 800 800 800
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎ
4.5
6.0
500
400
500
400
500
400
SWITCHING WAVEFORMS
tr tf tw
VCC VCC
90%
INPUT D 50% LATCH ENABLE 50%
10% GND GND
tPLH tPHL tPLH tPHL
90%
Q 50%
10%
Q 50%
tTLH tTHL
Figure 6. Figure 7.
VCC
OUTPUT
50%
ENABLE
GND VALID
tPZL tPLZ VCC
HIGH
INPUT D 50%
IMPEDANCE
Q 50% GND
10% VOL tsu th
tPZH tPHZ VCC
VOH LATCH ENABLE 50%
90%
Q 1.3 V GND
HIGH
IMPEDANCE
Figure 8. Figure 9.
http://onsemi.com
168
MC74HC373A
TEST CIRCUITS
TEST POINT
TEST POINT
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
3 4 7 8 13 14 17 18
D Q D Q D Q D Q D Q D Q D Q D Q
LE LE LE LE LE LE LE LE
11
2 5 6 9 12 15 16 19
Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7
http://onsemi.com
169
MC74HC374A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 35 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 75 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Plastic DIP, SOIC, SSOP or TSSOP Package) 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
2.0
0
6.0
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V
– 55
0
+ 125
1000
C
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 1) VCC = 4.5 V 0 500
VCC = 6.0 V 0 400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Test Conditions
VCC
V
– 55 to
25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIH Minimum High−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 2.0 1.50 1.50 1.50 V
Voltage |Iout| 20 µA 3.0 2.10 2.10 2.10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
6.0
3.15
4.20
3.15
4.20
3.15
4.20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIL Maximum Low−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 2.0 0.50 0.50 0.50 V
Voltage |Iout| 20 µA 3.0 0.90 0.90 0.90
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 1.35 1.35 1.35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 1.80 1.80 1.80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Output Vin = VIH or VIL 2.0 1.90 1.90 1.90 V
Voltage |Iout| 20 µA 4.5 4.40 4.40 4.40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 5.90 5.90 5.90
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA 3.0 2.48 2.34 2.20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 6.0 mA 4.5 2.98 3.84 3.70 V
|Iout| 7.8 mA 6.0 5.48 5.34 5.20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VOL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Low−Level Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 20 µA
2.0
4.5
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 0.10 0.10 0.10
Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
3.0 0.26 0.33 0.40
|Iout| 6.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.40 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 7.8 mA 6.0 0.26 0.33 0.40
http://onsemi.com
171
MC74HC374A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ VCC – 55 to
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin Maximum Input Leakage Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IOZ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Three−State
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Leakage Current
ÎÎÎ
Output in High−Impedance State
Vin = VIL or VIH
6.0 ± 0.5 ± 5.0 ± 10 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = VCC or GND
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC Maximum Quiescent Supply Vin = VCC or GND 6.0 4 40 160 µA
Current (per Package) Iout = 0 µA
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ Parameter
VCC
V
– 55 to
25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
fmax
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
6
15
30
5
10
24
4
8
20
MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Input Clock to Q
6.0
2.0
35
125
28
155
24
190 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPHL (Figures 1 and 5) 3.0 80 110 130
4.5 25 31 38
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLZ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q
6.0
2.0
21
150
26
190
32
225 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPHZ (Figures 3 and 6) 3.0 100 125 150
4.5 30 38 45
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 26 33 38
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLZ Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q 2.0 150 190 225 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPHZ (Figures 3 and 6) 3.0 100 125 150
4.5 30 38 45
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 26 33 38
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tTLH Maximum Output Transition Time, Any Output 2.0 75 95 110 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tTHL (Figures 1 and 5) 3.0 27 32 36
4.5 15 19 22
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 13 16 19
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cin Maximum Input Capacitance 10 10 10 pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cout Maximum Three−State Output Capacitance 15 15 15 pF
(Output in High−Impedance State)
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
172
MC74HC374A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TIMING REQUIREMENTS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
– 55 to 25C 85C 125C
VCC
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Fig. Volts Min Max Min Max Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tsu Minimum Setup Time, Data to Clock 3 2.0 50 65 75 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
3.0 40 50 60
4.5 10 13 15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 9 11 13
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
th Minimum Hold Time, Clock to Data 3 2.0 5.0 5.0 5.0 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
3.0 5.0 50 5.0
4.5 5.0 5.0 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 5.0 5.0 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Clock 1 2.0 60 75 90 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
3.0 23 27 32
4.5 12 15 18
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 10 13 15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tr, tf Maximum Input Rise and Fall Times 1 2.0 1000 1000 1000 ns
3.0 800 800 800
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎ
4.5
6.0
500
400
500
400
500
400
SWITCHING WAVEFORMS
tr tf VCC
VCC OUTPUT
90% 50%
ENABLE
50% GND
CLOCK
10% GND tPZL tPLZ
HIGH
tW IMPEDANCE
1/fmax Q 50%
10% VOL
tPLH tPHL
tPZH tPHZ
90%
Q 90% VOH
50% Q
10% 50%
HIGH
tTLH tTHL IMPEDANCE
Figure 1. Figure 2.
VALID
VCC
DATA 50%
GND
tsu th
VCC
CLOCK 50%
GND
Figure 3.
http://onsemi.com
173
MC74HC374A
TEST CIRCUITS
*Includes all probe and jig capacitance *Includes all probe and jig capacitance
Figure 4. Figure 5.
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
3 4 7 8 13 14 17 18
D Q D Q D Q D Q D Q D Q D Q D Q
C C C C C C C C
11
Clock
Output 1
Enable
2 5 6 9 12 15 16 19
Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7
http://onsemi.com
174
MC74HC390A
PIN 16 = VCC
2, 14 PIN 8 = GND
RESET
FUNCTION TABLE
Clock
ORDERING INFORMATION
A B Reset Action Device Package Shipping
X X H Reset MC74HC390AN PDIP−16 2000 / Box
÷ 2 and ÷ 5
MC74HC390AD SOIC−16 48 / Rail
X L Increment
÷2 MC74HC390ADR2 SOIC−16 2500 / Reel
X L Increment MC74HC390ADT TSSOP−16 96 / Rail
÷5 MC74HC390ADTR2 TSSOP−16 2500 / Reel
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 2.0 6.0 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
Vin, Vout DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND) 0 VCC V
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
TA Operating Temperature, All Package Types – 55 + 125
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
tr, tf Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V 0 1000 ns
(Figure 1) VCC = 3.0 V 0 600
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
VCC = 4.5 V 0 500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 6.0 V 0 400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIH
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout| 20 µA
2.0
3.0
1.5
2.1
1.5
2.1
1.5
2.1
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 3.15 3.15 3.15
6.0 4.2 4.2 4.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Low−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout| 20 µA
2.0
3.0
4.5
0.5
0.9
1.35
0.5
0.9
1.35
0.5
0.9
1.35
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VOH ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Minimum High−Level Output Vin = VIH or VIL
6.0
2.0
1.8
1.9
1.8
1.9
1.8
1.9 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage |Iout| 20 µA 4.5 4.4 4.4 4.4
6.0 5.9 5.9 5.9
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA
|Iout| 4.0 mA
3.0
4.5
2.48
3.98
2.34
3.84
2.20
3.70
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 5.2 mA 6.0 5.48 5.34 5.20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VIH or VIL 2.0 0.1 0.1 0.1 V
Voltage |Iout| 20 µA 4.5 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA
6.0
3.0
0.1
0.26
0.1
0.33
0.1
0.40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 4.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.40
|Iout| 5.2 mA 6.0 0.26 0.33 0.40
http://onsemi.com
176
MC74HC390A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ VCC – 55 to
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin Maximum Input Leakage Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Quiescent Supply
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
Iout = 0 µA
6.0 4 40 160
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
µA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(DL129/D).
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tf = tf = 6 ns)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Guaranteed Limit
– 55 to
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC
Symbol Parameter V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
fmax
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 3)
2.0
3.0
4.5
10
15
30
9
14
28
8
12
25
MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 50 45 40
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Clock A to QA 2.0 70 80 90 ns
tPHL (Figures 1 and 3) 3.0 40 45 50
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
6.0
24
20
30
26
36
31
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Clock A to QC 2.0 200 250 300 ns
tPHL (QA connected to Clock B) 3.0 160 185 210
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 3) 4.5 58 65 70
6.0 49 62 68
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Clock B to QB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 3)
2.0
3.0
70
40
80
45
90
50
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 26 33 39
6.0 22 28 33
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Clock B to QC
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 3)
2.0
3.0
4.5
90
56
37
105
70
46
180
100
56
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 31 39 48
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Clock B to QD 2.0 70 80 90 ns
tPHL (Figures 1 and 3) 3.0 40 45 50
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
6.0
26
22
33
28
39
33
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPHL Maximum Propagation Delay, Reset to any Q 2.0 80 95 110 ns
(Figures 2 and 3) 3.0 48 65 75
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 30 38 44
6.0 26 33 39
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, Any Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 3)
2.0
3.0
75
27
95
32
110
36
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 15 19 22
6.0 13 15 19
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cin Maximum Input Capacitance — 10 10 10 pF
1. For propagation delays with loads other than 50 pF, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
2. Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
177
MC74HC390A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
TIMING REQUIREMENTS (Input tr = tf = 6 ns)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ VCC – 55 to
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
trec Minimum Recovery Time, Reset Inactive to Clock A or Clock B 2.0 25 30 40 ns
(Figure 2) 3.0 15 20 30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 10 13 15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 9 11 13
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Clock A, Clock B 2.0 75 95 110 ns
(Figure 1) 3.0 27 32 36
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 15 19 22
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 13 15 19
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Reset 2.0 75 95 110 ns
(Figure 2) 3.0 27 32 36
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 20 24 30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 18 22 28
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tf, tf Maximum Input Rise and Fall Times 2.0 1000 1000 1000 ns
(Figure 1) 3.0 800 800 800
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 500 500 500
6.0 400 400 400
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
PIN DESCRIPTIONS
INPUTS OUTPUTS
Clock A (Pins 1, 15) and Clock B (Pins 4, 15) QA (Pins 3, 13)
Clock A is the clock input to the ÷ 2 counter; Clock B is Output of the ÷ 2 counter.
the clock input to the ÷ 5 counter. The internal flip−flops are
toggled by high−to−low transitions of the clock input. QB, QC, QD (Pins 5, 6, 7, 9, 10, 11)
Outputs of the ÷ 5 counter. QD is the most significant bit.
CONTROL INPUTS QA is the least significant bit when the counter is connected
Reset (Pins 2, 14) for BCD output as in Figure 4. QB is the least significant bit
Asynchronous reset. A high at the Reset input prevents when the counter is operating in the bi−quinary mode as in
counting, resets the internal flip−flops, and forces QA Figure 5.
through QD low.
SWITCHING WAVEFORMS
tf tr tw
90% VCC VCC
CLOCK 50% 50%
RESET
10% 10% GND GND
tw tPHL
1/fmax
tPLH tPHL Q 50%
90%
Q 50% trec
10% VCC
CLOCK 50%
tTLH tTHL
GND
Figure 1. Figure 2.
http://onsemi.com
178
MC74HC390A
TEST CIRCUIT
TEST POINT
OUTPUT
DEVICE
UNDER
TEST CL*
4, 12
CLOCK B C Q
5, 11
D Q QB
R
C Q
6, 10 Q
D Q C
R
C
7, 9 Q
D Q D
R
2, 14
RESET
TIMING DIAGRAM
(QA Connected to Clock B)
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 1 2 3 4 5 6
CLOCK A
RESET
QA
QB
QC
QD
http://onsemi.com
179
MC74HC390A
APPLICATIONS INFORMATION
Each half of the MC54/74HC390A has independent ÷ 2 To obtain a bi−quinary count sequence, the input signals
and ÷ 5 sections (except for the Reset function). The ÷ 2 and connected to the Clock B input, and output QD is connected
÷ 5 counters can be connected to give BCD or bi−quinary to the Clock A input (Figure 5). QA provides a 50% duty
(2−5) count sequences. If Output QA is connected to the cycle output. The bi−quinary count sequence function table
Clock B input (Figure 4), a decade divider with BCD output is given in Table 2.
is obtained. The function table for the BCD count sequence
is given in Table 1.
Count QD QC QB QA Count QA QD QC QB
0 L L L L 0 L L L L
1 L L L H 1 L L L H
2 L L H L 2 L L H L
3 L L H H 3 L L H H
4 L H L L 4 L H L L
5 L H L H 8 H L L L
6 L H H L 9 H L L H
7 L H H H 10 H L H L
8 H L L L 11 H L H H
9 H L L H 12 H H L L
*QA connected to Clock B input. ** QD connected to Clock A input.
CONNECTION DIAGRAMS
1, 15 3, 13 1, 15 3, 13
÷2 QA ÷2 QA
CLOCK A CLOCK A
COUNTER COUNTER
5, 11 5, 11 QB
QB 4, 12
CLOCK B 4, 12 CLOCK B ÷5 6, 10
÷5 6, 10
QC COUNTER QC
COUNTER 7, 9 7, 9
QD QD
2, 14 2, 14
RESET RESET
http://onsemi.com
180
MC74HC393A
FUNCTION TABLE
Inputs
Clock Reset Outputs
ORDERING INFORMATION
X H L
H L No Change Device Package Shipping
L L No Change MC74HC393AN PDIP−14 2000 / Box
L No Change
L Advance to MC74HC393AD SOIC−14 55 / Rail
Next State MC74HC393ADR2 SOIC−14 2500 / Reel
MC74HC393ADT TSSOP−14 96 / Rail
MC74HC393ADTR2 TSSOP−14 2500 / Reel
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
2.0
0
6.0
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V
– 55
0
+ 125
1000
C
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ
VCC = 3.0 V 0 600
(Figure 1) VCC = 4.5 V 0 500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ VCC = 6.0 V 0 400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIH
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout| 20 µA
2.0
3.0
1.5
2.1
1.5
2.1
1.5
2.1
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 3.15 3.15 3.15
6.0 4.2 4.2 4.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Low−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout| 20 µA
2.0
3.0
0.5
0.9
0.5
0.9
0.5
0.9
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 1.35 1.35 1.35
6.0 1.80 1.80 1.80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOH
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 20 µA
2.0
4.5
1.9
4.4
1.9
4.4
1.9
4.4
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 5.9 5.9 5.9
Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
3.0 2.48 2.34 2.20
|Iout| 4.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.70
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 5.2 mA 6.0 5.48 5.34 5.20
http://onsemi.com
182
MC74HC393A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ VCC – 55 to
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VIH or VIL 2.0 0.1 0.1 0.1 V
Voltage |Iout| 20 µA 4.5 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA 3.0 0.26 0.33 0.40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 4.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.40
|Iout| 5.2 mA 6.0 0.26 0.33 0.40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Leakage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC Maximum Quiescent Supply Vin = VCC or GND 6.0 4 40 160 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current (per Package) Iout = 0 µA
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6 ns)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
V 25C 85C 125C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Unit
fmax Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle) 2.0 10 9 8 MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
(Figures 1 and 3)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
3.0
4.5
6.0
15
30
50
14
28
45
12
25
40
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Clock to Q1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 3)
2.0
3.0
70
40
80
45
90
50
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 24 30 36
6.0 20 26 31
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Clock to Q2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 3)
2.0
3.0
100
56
105
70
180
100
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 34 45 55
6.0 20 38 48
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Clock to Q3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 3)
2.0
3.0
130
80
150
105
180
130
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 44 55 70
6.0 37 47 58
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Clock to Q4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 3)
2.0
3.0
160
110
250
185
300
210
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 52 65 82
6.0 44 55 65
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Reset to any Q
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 2 and 3)
2.0
3.0
4.5
80
48
30
95
65
38
110
75
50
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTLH, ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, Any Output
6.0
2.0
26
75
33
95
43
110 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tTHL (Figures 1 and 3) 3.0 27 32 36
4.5 15 19 22
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Cin
NOTES:
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Capacitance
6.0
—
13
10
16
10
19
10 pF
1. For propagation delays with loads other than 50 pF, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
2. Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
183
MC74HC393A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
TIMING REQUIREMENTS (Input tr = tf = 6 ns)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter
VCC
V
– 55 to
25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
trec Minimum Recovery Time, Reset Inactive to Clock 2.0 25 30 40 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 2) 3.0 15 20 30
4.5 10 13 15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 9 11 13
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Clock 2.0 75 95 110 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 1) 3.0 27 32 36
4.5 15 19 22
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 13 15 19
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Reset 2.0 75 95 110 ns
(Figure 2) 3.0 27 32 36
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
6.0
15
13
19
15
22
19
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tr, tf Maximum Input Rise and Fall Times 2.0 1000 1000 1000 ns
(Figure 1) 3.0 800 800 800
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
6.0
500
400
500
400
500
400
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
http://onsemi.com
184
MC74HC393A
PIN DESCRIPTIONS
INPUTS OUTPUTS
Clock (Pins 1, 13) Q1, Q2, Q3, Q4 (Pins 3, 4, 5, 6, 8, 9, 10, 11)
Clock input. The internal flip−flops are toggled and the Parallel binary outputs Q4 is the most significant bit.
counter state advances on high−to−low transitions of the
clock input.
CONTROL INPUTS
Reset (Pins 2, 12)
Active−high, asynchronous reset. A separate reset is
provided for each counter. A high at the Reset input prevents
counting and forces all four outputs low.
SWITCHING WAVEFORMS
tf tr tw
90% VCC
VCC
CLOCK 50% RESET 50%
10%
GND GND
tw tPHL
1/fmax
tPLH tPHL 50%
Q
90%
Q 50% trec
10% VCC
CLOCK 50%
GND
tTLH tTHL
Figure 1. Figure 2.
C Q
4, 10
D Q Q2
*Includes all probe and jig capacitance
C Q
6, 8
D Q Q4
2, 12
RESET
http://onsemi.com
185
MC74HC393A
TIMING DIAGRAM
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 0
CLOCK
RESET
Q1
Q2
Q3
Q4
COUNT SEQUENCE
Outputs
Count Q4 Q3 Q2 Q1
0 L L L L
1 L L L H
2 L L H L
3 L L H H
4 L H L L
5 L H L H
6 L H H L
7 L H H H
8 H L L L
9 H L L H
10 H L H L
11 H L H H
12 H H L L
13 H H L H
14 H H H L
15 H H H H
http://onsemi.com
186
MC74HC4020A
• 16 DT SUFFIX 20A
High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices ALYW
CASE 948F
• In Compliance With JEDEC Standard No. 7A Requirements 1
1
• Chip Complexity: 398 FETs or 99.5 Equivalent Gates
A = Assembly Location
WL = Wafer Lot
LOGIC DIAGRAM YY = Year
9 WW = Work Week
Q1
7
Q4
5 FUNCTION TABLE
Q5
4
Q6 Clock Reset Output State
10 6
Clock Q7
13 L No Charge
Q8
12 L Advance to Next State
Q9
14 X H All Outputs Are Low
Q10
15
Q11
1
Q12
2
Q13
3
Q14
ORDERING INFORMATION
11 Pin 16 = VCC
Reset Device Package Shipping
Pin 8 = GND
MC74HC4020AN PDIP−16 2000 / Box
VCC Q11 Q10 Q8 Q9 Reset Clock Q1
MC74HC4020AD SOIC−16 48 / Rail
16 15 14 13 12 11 10 9
MC74HC4020ADR2 SOIC−16 2500 / Reel
MC74HC4020ADT TSSOP−16 96 / Rail
Pinout: 16−Lead Plastic Package
MC74HC4020ADTR2 TSSOP−16 2500 / Reel
(Top View)
1 2 3 4 5 6 7 8
Q12 Q13 Q14 Q6 Q5 Q7 Q4 GND
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature Range – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
260
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 2.0 6.0 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin, Vout DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND) 0 VCC V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TA Operating Temperature Range, All Package Types – 55 + 125 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tr, tf Input Rise/Fall Time VCC = 2.0 V 0 1000 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ
(Figure 1) VCC = 3.0 V 0 600
VCC = 4.5 V 0 500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 6.0 V 0 400
http://onsemi.com
188
MC74HC4020A
http://onsemi.com
189
MC74HC4020A
PIN DESCRIPTIONS
INPUTS OUTPUTS
Clock (Pin 10) Q1, Q4—Q14 (Pins 9, 7, 5, 4, 6, 13, 12, 14, 15, 1, 2, 3)
Negative−edge triggering clock input. A high−to−low Active−high outputs. Each Qn output divides the Clock
transition on this input advances the state of the counter. input frequency by 2N.
Reset (Pin 11)
Active−high reset. A high level applied to this input
asynchronously resets the counter to its zero state, thus
forcing all Q outputs low.
SWITCHING WAVEFORMS
tf tr VCC
VCC Clock 50%
90%
Clock 50% GND
10% trec
GND
tw tw
VCC
1/fMAX
tPLH tPHL Reset 50%
GND
90% tPHL
Q1 50%
10%
Any Q 50%
tTLH tTHL
Figure 1. Figure 2.
http://onsemi.com
190
MC74HC4020A
TEST
POINT
VCC
Qn OUTPUT
50%
DEVICE
GND UNDER
tPLH tPHL TEST CL*
Qn+1 50%
10
Clock C Q C Q C Q C Q C Q C Q
C Q C Q C Q C Q C Q C
R R
11
Reset
Q6 = Pin 4 Q9 = Pin 12 VCC = Pin 16
Q7 = Pin 6 Q10 = Pin 14 GND = Pin 8
Q8 = Pin 13 Q11 = Pin 15
http://onsemi.com
191
MC74HC4020A
Q4
Q5
Q6
Q7
Q8
Q9
Q10
Q12
Q13
Q14
APPLICATIONS INFORMATION
Time−Base Generator feeds the HC4020A. Selecting outputs Q5, Q10, Q11, and
A 60Hz sinewave obtained through a 1.0 Megohm resistor Q12 causes a reset every 3600 clocks. The HC20 decodes the
connected directly to a standard 120 Vac power line is counter outputs, produces a single (narrow) output pulse,
applied to the input of the MC54/74HC14A, Schmitt-trigger and resets the binary counter. The resulting output frequency
inverter. The HC14A squares−up the input waveform and is 1.0 pulse/minute.
VCC VCC
1/6 of HC14A
1.0M HC4020A
13
Clock Q5
12 1.0 Pulse/Minute
1
≥20pF Q10 8 2 6 Output
120Vac 1/2 1/2
4
60Hz 10 HC20 HC20
5
Q11
9
Q12
NOTE: Ground MUST be isolated
by a transformer or
opto−isolator for safety
reasons.
http://onsemi.com
192
MC74HC4040A
1 2 3 4 5 6 7 8
Q12 Q6 Q5 Q7 Q4 Q3 Q2 GND
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature Range – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
260
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
2.0
0
6.0
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature Range, All Package Types
ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V
– 55
0
+ 125
1000
C
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ
(Figure 1) VCC = 3.0 V 0 600
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 4.5 V 0 500
VCC = 6.0 V 0 400
http://onsemi.com
194
MC74HC4040A
http://onsemi.com
195
MC74HC4040A
PIN DESCRIPTIONS
INPUTS OUTPUTS
Q1 thru Q12 (Pins 9, 7, 6, 5, 3, 2, 4, 13, 12, 14, 15, 1)
Clock (Pin 10)
Negative−edge triggering clock input. A high−to−low Active−high outputs. Each Qn output divides the Clock
transition on this input advances the state of the counter. input frequency by 2N.
SWITCHING WAVEFORMS
tf tr VCC
VCC Clock 50%
90%
Clock 50% GND
10% trec
GND
tw tw
VCC
1/fMAX
tPLH tPHL Reset 50%
GND
90% tPHL
Q1 50%
10%
Any Q 50%
tTLH tTHL
Figure 1. Figure 2.
http://onsemi.com
196
MC74HC4040A
TEST
POINT
VCC
Qn OUTPUT
50%
DEVICE
GND UNDER
tPLH tPHL TEST CL*
Qn+1 50%
10
Clock C Q C Q C Q C Q C Q C Q
C Q C Q C Q C Q C Q C
R R
11
Reset
Q4 = Pin 5 Q7 = Pin 4 VCC = Pin 16
Q5 = Pin 3 Q8 = Pin 13 GND = Pin 8
Q6 = Pin 2 Q9 = Pin 12
http://onsemi.com
197
MC74HC4040A
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Q8
Q9
Q10
Q11
Q12
APPLICATIONS INFORMATION
Time−Base Generator waveform and feeds the HC4040A. Selecting outputs Q5,
A 60Hz sinewave obtained through a 100 K resistor Q10, Q11, and Q12 causes a reset every 3600 clocks. The
connected to a 120 Vac power line through a step down HC20 decodes the counter outputs, produces a single
transformer is applied to the input of the MC54/74HC14A, (narrow) output pulse, and resets the binary counter. The
Schmitt-trigger inverter. The HC14A squares−up the input resulting output frequency is 1.0 pulse/minute.
VCC
1.0M HC4040A
13
Clock Q5
12 1.0 Pulse/Minute
1
≥20pF Q10 8 2 6 Output
120Vac 1/2 1/2
4
60Hz 10 HC20 HC20
5
Q11
9
Q12
NOTE: Ground MUST be isolated
by a transformer or
opto−isolator for safety
reasons.
http://onsemi.com
198
MC74HC4046A
Phase−Locked Loop
High−Performance Silicon−Gate CMOS
The MC74HC4046A is similar in function to the MC14046 Metal
gate CMOS device. The device inputs are compatible with standard
CMOS outputs; with pullup resistors, they are compatible with
LSTTL outputs. http://onsemi.com
The HC4046A phase−locked loop contains three phase
comparators, a voltage−controlled oscillator (VCO) and unity gain MARKING
op−amp DEM OUT. The comparators have two common signal inputs, DIAGRAMS
COMP IN, and SIG IN. Input SIG IN and COMP IN can be used directly 16
PDIP−16
coupled to large voltage signals, or indirectly coupled (with a series MC74HC4046AN
N SUFFIX
capacitor to small voltage signals). The self−bias circuit adjusts small 16
CASE 648
AWLYYWW
voltage signals in the linear region of the amplifier. Phase comparator 1
1
1 (an exclusive OR gate) provides a digital error signal PC1 OUT and 16
maintains 90 degrees phase shift at the center frequency between SO−16
SIG IN and COMP IN signals (both at 50% duty cycle). Phase HC4046A
D SUFFIX
16 AWLYWW
comparator 2 (with leading−edge sensing logic) provides digital error CASE 751B
1
signals PC2 OUT and PCP OUT and maintains a 0 degree phase shift 1
between SIG IN and COMP IN signals (duty cycle is immaterial). The 16
linear VCO produces an output signal VCOOUT whose frequency is HC40
TSSOP−16
determined by the voltage of input VCO IN signal and the capacitor 16 DT SUFFIX 46A
and resistors connected to pins C1A, C1B, R1 and R2. The unity gain CASE 948F ALYW
1
op−amp output DEM OUT with an external resistor is used where the
1
VCO IN signal is needed but no loading can be tolerated. The inhibit 16
input, when high, disables the VCO and all op−amps to minimize
SOEIAJ−16
standby power consumption. F SUFFIX 74HC4046B
Applications include FM and FSK modulation and demodulation, 16 AWLYWW
CASE 966
frequency synthesis and multiplication, frequency discrimination, 1
1
tone decoding, data synchronization and conditioning,
voltage−to−frequency conversion and motor speed control. A = Assembly Location
WL = Wafer Lot
• Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads YY = Year
• Low Power Consumption Characteristic of CMOS Devices WW = Work Week
• Operating Speeds Similar to LSTTL
• Wide Operating Voltage Range: 3.0 to 6.0 V
• Low Input Current: 1.0 µA Maximum (except SIGIN and COMPIN) ORDERING INFORMATION
• In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard Device Package Shipping
No. 7A
MC74HC4046AN PDIP−16 2000 / Box
• Low Quiescent Current: 80 µA Maximum (VCO disabled)
MC74HC4046AD SOIC−16 48 / Rail
• High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices
MC74HC4046ADR2 SOIC−16 2500 / Reel
• Diode Protection on all Inputs
MC74HC4046AF SOIC−EIAJ See Note 1
• Chip Complexity: 279 FETs or 70 Equivalent Gates
MC74HC4046AFEL SOIC−EIAJ See Note 1
1. For ordering information on the EIAJ version of the
SOIC packages, please contact your local ON
Semiconductor representative.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Value Unit This device contains protection
circuitry to guard against damage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 1.5 to VCC + 1.5 V fields. However, precautions must
be taken to avoid applications of any
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
± 20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin mA voltages to this high−impedance cir-
cuit. For proper operation, Vin and
± 25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iout DC Output Current, per Pin mA
Vout should be constrained to the
± 50 range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins mA
Unused inputs must always be
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
PD Power Dissipation in Still Air Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Tstg
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL ÎÎÎ
Storage Temperature
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
– 65 to + 150 C
C
Unused outputs must be left open.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Plastic DIP and SOIC Package† 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/C from 65 to 125C
SOIC Package: – 7 mW/C from 65 to 125C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND) NON−VCO
3.0
2.0
6.0
6.0
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
0
– 55
VCC
+ 125
V
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time
ÎÎÎ
ÎÎ
(Pin 5)
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
0
0
1000
500
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 6.0 V 0 400
http://onsemi.com
200
MC74HC4046A
VCC – 55 to
Symbol Parameter Test Conditions Volts 25C ≤ 85°C ≤ 125°C Unit
VIH Minimum High−Level Input Vout = 0.1 V or VCC − 0.1 V 2.0 1.5 1.5 1.5 V
Voltage DC Coupled |Iout| ≤ 20 µA 4.5 3.15 3.15 3.15
SIGIN, COMPIN 6.0 4.2 4.2 4.2
VIL Maximum Low−Level Input Vout = 0.1 V or VCC − 0.1 V 2.0 0.5 0.5 0.5 V
Voltage DC Coupled |Iout| ≤ 20 µA 4.5 1.35 1.35 1.35
SIGIN, COMPIN 6.0 1.8 1.8 1.8
VOH Minimum High−Level Vin = VIH or VIL 2.0 1.9 1.9 1.9 V
Output Voltage |Iout| ≤ 20 µA 4.5 4.4 4.4 4.4
PCPOUT, PCnOUT 6.0 5.9 5.9 5.9
Vin = VIH or VIL
|Iout| ≤ 4.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.7
|Iout| ≤ 5.2 mA 6.0 5.48 5.34 5.2
(continued)
VCC – 55 to
Symbol Parameter Test Conditions Volts 25C ≤ 85°C ≤ 125°C Unit
VOL Maximum Low−Level Vout = 0.1 V or VCC − 0.1 V 2.0 0.1 0.1 0.1 V
Output Voltage Qa−Qh |Iout| ≤ 20 µA 4.5 0.1 0.1 0.1
PCPOUT, PCnOUT 6.0 0.1 0.1 0.1
Vin = VIH or VIL
|Iout| ≤ 4.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.4
|Iout| ≤ 5.2 mA 6.0 0.26 0.33 0.4
Iin Maximum Input Leakage Cur- Vin = VCC or GND 2.0 ± 3.0 ± 4.0 ± 5.0 µA
rent 3.0 ± 7.0 ± 9.0 ± 11.0
SIGIN, COMPIN 4.5 ± 18.0 ± 23.0 ± 27.0
6.0 ± 30.0 ± 38.0 ± 45.0
http://onsemi.com
201
MC74HC4046A
VCC – 55 to
Symbol Parameter Test Conditions Volts 25C ≤ 85°C ≤ 125°C Unit
VIH Minimum High−Level Vout = 0.1 V or VCC − 0.1 V 3.0 2.1 2.1 2.1 V
Input Voltage |Iout| ≤ 20 µA 4.5 3.15 3.15 3.15
INH 6.0 4.2 4.2 4.2
VIL Maximum Low−Level Vout = 0.1 V or VCC − 0.1 V 3.0 0.90 0.9 0.9 V
Input Voltage |Iout| ≤ 20 µA 4.5 1.35 1.35 1.35
INH 6.0 1.8 1.8 1.8
VOH Minimum High−Level Vin = VIH or VIL 3.0 1.9 1.9 1.9 V
Output Voltage |Iout| ≤ 20 µA 4.5 4.4 4.4 4.4
VCOOUT 6.0 5.9 5.9 5.9
Vin = VIH or VIL
|Iout| ≤ 4.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.7
|Iout| ≤ 5.2 mA 6.0 5.48 5.34 5.2
VOL Maximum Low−Level Vout = 0.1 V or VCC − 0.1 V 3.0 0.1 0.1 0.1 V
Output Voltage |Iout| ≤ 20 µA 4.5 0.1 0.1 0.1
VCOOUT 6.0 0.1 0.1 0.1
Vin = VIH or VIL
|Iout| ≤ 4.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.4
|Iout| ≤ 5.2 mA 6.0 0.26 0.33 0.4
Iin Maximum Input Vin = VCC or GND 6.0 0.1 1.0 1.0 µA
Leakage Current
INH, VCOIN
Min Max Min Max Min Max
VVCOIN Operating Voltage Range at INH = VIL 3.0 0.1 1.0 0.1 1.0 0.1 1.0 V
VCOIN over the range 4.5 0.1 2.5 0.1 2.5 0.1 2.5
specified for R1; For 6.0 0.1 4.0 0.1 4.0 0.1 4.0
linearity see Fig. 15A,
Parallel value of R1 and R2
should be > 2.7 kΩ
R1 Resistor Range 3.0 3.0 300 3.0 300 3.0 300 kΩ
4.5 3.0 300 3.0 300 3.0 300
6.0 3.0 300 3.0 300 3.0 300
R2 3.0 3.0 300 3.0 300 3.0 300
4.5 3.0 300 3.0 300 3.0 300
6.0 3.0 300 3.0 300 3.0 300
C1 Capacitor Range 3.0 40 No pF
4.5 40 Limit
6.0 40
http://onsemi.com
202
MC74HC4046A
[VCO Section]
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
Guaranteed Limit
[Demodulator Section]
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Guaranteed Limit
http://onsemi.com
203
MC74HC4046A
SWITCHING WAVEFORMS
VCC
VCC SIGIN
SIGIN, COMPIN INPUT 50%
INPUTS 50% GND
GND VCC
tPHL tPLH COMPIN
50%
INPUT
90% GND
PCPOUT, PC1OUT tPHZ
50% tPZH
PC3OUT VOH
OUTPUTS PC2OUT 90%
10% 50%
OUTPUT HIGH
tTHL tTLH IMPEDANCE
Figure 1. Figure 2.
VCC
SIGIN
INPUT 50% TEST POINT
GND
OUTPUT
VCC DEVICE
COMPIN UNDER
50% TEST CL*
INPUT
GND
tPLZ
tPZL
HIGH
IMPEDANCE
PC2OUT 50%
*INCLUDES ALL PROBE AND JIG CAPACITANCE
OUTPUT 10% VOL
http://onsemi.com
204
MC74HC4046A
DETAILED CIRCUIT DESCRIPTION up to Vref of the comparators, the oscillator logic flips the
capacitor which causes the mirror to charge the opposite side
Voltage Controlled Oscillator/Demodulator Output of the capacitor. The output from the internal logic is then
The VCO requires two or three external components to taken to VCO output (Pin 4).
operate. These are R1, R2, C1. Resistor R1 and Capacitor C1 The input to the VCO is a very high impedance CMOS
are selected to determine the center frequency of the VCO input and thus will not load down the loop filter, easing the
(see typical performance curves Figure 14). R2 can be used filters design. In order to make signals at the VCO input
to set the offset frequency with 0 volts at VCO input. For accessible without degrading the loop performance, the
example, if R2 is decreased, the offset frequency is VCO input voltage is buffered through a unity gain Op−amp
increased. If R2 is omitted the VCO range is from 0 Hz. The to Demod Output. This Op−amp can drive loads of 50K
effect of R2 is shown in Figure 24, typical performance ohms or more and provides no loading effects to the VCO
curves. By increasing the value of R2 the lock range of the input voltage (see Figure 12).
PLL is increased and the gain (volts/Hz) is decreased. Thus, An inhibit input is provided to allow disabling of the VCO
for a narrow lock range, large swings on the VCO input will and all Op−amps (see Figure 5). This is useful if the internal
cause less frequency variation. VCO is not being used. A logic high on inhibit disables the
Internally, the resistors set a current in a current mirror, as VCO and all Op−amps, minimizing standby power
shown in Figure 5. The mirrored current drives one side of consumption.
the capacitor. Once the voltage across the capacitor charges
VREF
+ I1
_
12
R2 CURRENT
MIRROR
I1 + I2 = I3
I2 4 VCOOUT
VCOIN 9 +
_
11
R1 I3
DEMODOUT 10 +
_
C1
(EXTERNAL)
6 7
Vref
+ +
−
INH 5
The output of the VCO is a standard high speed CMOS feed external prescalers (counters) to enable frequency
output with an equivalent LS−TTL fan out of 10. The VCO synthesis.
output is approximately a square wave. This output can
either directly feed the COMPIN of the phase comparators or
http://onsemi.com
205
MC74HC4046A
VCC
VCC
SIGIN
14 PC2OUT
13
VCC
COMPIN
3 PCPOUT
1
PC3OUT
15
PC1OUT
2
Phase Comparator 1 two input signals must be in phase. When the input
This comparator is a simple XOR gate similar to the frequency is fmax, the VCO input must be VCC and the phase
74HC86. Its operation is similar to an overdriven balanced detector inputs must be 180 degrees out of phase.
modulator. To maximize lock range the input frequencies
must have a 50% duty cycle. Typical input and output
waveforms are shown in Figure 7. The output of the phase SIGIN
detector feeds the loop filter which averages the output
COMPIN
voltage. The frequency range upon which the PLL will lock
onto if initially out of lock is defined as the capture range. PC1OUT
The capture range for phase detector 1 is dependent on the VCC
VCOIN
loop filter design. The capture range can be as large as the GND
lock range, which is equal to the VCO frequency range.
To see how the detector operates, refer to Figure 7. When
Figure 7. Typical Waveforms for PLL Using
two square wave signals are applied to this comparator, an
Phase Comparator 1
output waveform (whose duty cycle is dependent on the
phase difference between the two signals) results. As the The XOR is more susceptible to locking onto harmonics
phase difference increases, the output duty cycle increases of the SIGIN than the digital phase detector 2. For instance,
and the voltage after the loop filter increases. In order to a signal 2 times the VCO frequency results in the same
achieve lock when the PLL input frequency increases, the output duty cycle as a signal equal to the VCO frequency.
VCO input voltage must increase and the phase difference The difference is that the output frequency of the 2f example
between COMPIN and SIGIN will increase. At an input is twice that of the other example. The loop filter and VCO
frequency equal to fmin, the VCO input is at 0 V. This range should be designed to prevent locking on to
requires the phase detector output to be grounded; hence, the harmonics.
http://onsemi.com
206
MC74HC4046A
Phase Comparator 2 and will cause the output to go high until the VCO leading
This detector is a digital memory network. It consists of edge is seen, potentially for an entire SIGIN period. This
four flip−flops and some gating logic, a three state output would cause the VCO to speed up during that time. When
and a phase pulse output as shown in Figure 6. This using PC1, the output of that phase detector would be
comparator acts only on the positive edges of the input disturbed for only the short duration of the noise spike and
signals and is independent of duty cycle. would cause less upset.
Phase comparator 2 operates in such a way as to force the
PLL into lock with 0 phase difference between the VCO Phase Comparator 3
output and the signal input positive waveform edges. Figure This is a positive edge−triggered sequential phase
8 shows some typical loop waveforms. First assume that detector using an RS flip−flop as shown in Figure 6. When
SIGIN is leading the COMPIN. This means that the VCO’s the PLL is using this comparator, the loop is controlled by
frequency must be increased to bring its leading edge into positive signal transitions and the duty factors of SIGIN and
proper phase alignment. Thus the phase detector 2 output is COMP IN
set high. This will cause the loop filter to charge up the VCO are not important. It has some similar characteristics to the
input, increasing the VCO frequency. Once the leading edge edge sensitive comparator. To see how this detector works,
of the COMPIN is detected, the output goes TRI−STATE assume input pulses are applied to the SIG IN and
holding the VCO input at the loop filter voltage. If the VCO COMP IN ’s as shown in Figure 9. When the SIGIN leads the
still lags the SIGIN then the phase detector will again charge COMPIN, the flop is set. This will charge the loop filter and
up the VCO input for the time between the leading edges of cause the VCO to speed up, bringing the comparator into
both waveforms. phase with the SIG IN. The phase angle between SIGIN and
If the VCO leads the SIGIN then when the leading edge of COMP IN varies from 0° to 360° and is 180° at fo. The
the VCO is seen; the output of the phase comparator goes voltage swing for PC3 is greater than for PC2 but
low. This discharges the loop filter until the leading edge of consequently has more ripple in the signal to the VCO.
the SIGIN is detected at which time the output disables itself When no SIG IN is present the VCO will be forced to fmax as
again. This has the effect of slowing down the VCO to again opposed to fmin when PC2 is used.
make the rising edges of both waveforms coincidental. The operating characteristics of all three phase
When the PLL is out of lock, the VCO will be running comparators should be compared to the requirements of the
either slower or faster than the SIGIN. If it is running slower system design and the appropriate one should be used.
the phase detector will see more SIGIN rising edges and so
the output of the phase comparator will be high a majority SIGIN
of the time, raising the VCO’s frequency. Conversely, if the
VCO is running faster than the SIGIN, the output of the COMPIN
VCC
PC2OUT
detector will be low most of the time and the VCO’s output
GND
frequency will be decreased. HIGH IMPEDANCE OFF−STATE
As one can see, when the PLL is locked, the output of VCOIN
phase comparator 2 will be disabled except for minor PCPOUT
corrections at the leading edge of the waveforms. When PC2
is TRI−STATED, the PCP output is high. This output can be
Figure 8. Typical Waveforms for PLL Using
used to determine when the PLL is in the locked condition. Phase Comparator 2
This detector has several interesting characteristics. Over
the entire VCO frequency range there is no phase difference
between the COMPIN and the SIGIN. The lock range of the SIGIN
PLL is the same as the capture range. Minimal power was COMPIN
consumed in the loop filter since in lock the detector output
is a high impedance. When no SIGIN is present, the detector PC3OUT
VCC
VCOIN
will see only VCO leading edges, so the comparator output
GND
will stay low, forcing the VCO to fmin.
Phase comparator 2 is more susceptible to noise, causing
the PLL to unlock. If a noise pulse is seen on the SIGIN, the Figure 9. Typical Waveform for PLL Using
comparator treats it as another positive edge of the SIGIN Phase Comparator 3
http://onsemi.com
207
MC74HC4046A
800 VCC=6.0 V
VCC=3.0 V
4.0
VCC=4.5 V
VCC=3.0 V
R I = (k Ω )
I I ( µ A)
400
VCC=4.5 V 0
VCC=6.0 V
0
1/2 VCC−1.0 V 1/2 VCC 1/2 VCC+1.0 V −4.0
1/2VCC − 500 mV 1/2 VCC 1/2 VCC + 500 mV
VI (V)
VI (V)
Figure 10. Input Resistance at SIGIN, COMPIN with Figure 11. Input Current at SIGIN, COMPIN with
∆VI = 1.0 V at Self−Bias Point ∆VI = 500 mV at Self−Bias Point
DEMOD OUT
15
6.0
R1=3.0kΩ
10
FREQUENCY STABILITY (%)
R1=100kΩ
5.0 R1=300kΩ
VCC=6.0 V RS=300k
OUT
15 R1=3.0kΩ
10
R1=3.0kΩ
R1=300kΩ 8.0 R1=300kΩ
FREQUENCY STABILITY (%)
10
FREQUENCY STABILITY (%)
Figure 13B. Frequency Stability versus Ambient Figure 13C. Frequency Stability versus Ambient
Temperature: VCC = 4.5 V Temperature: VCC = 6.0 V
http://onsemi.com
208
MC74HC4046A
23 70
VCC = 4.5 V VCC = 6.0 V
21 VCC = 6.0 V 60
19
50 VCC = 3.0 V
f VCO(MHz)
17 VCC = 4.5 V
f VCO (KHz)
40
15
30
13
VCC = 3.0 V 20
11
R1 = 3.0 kΩ R1 = 3.0 kΩ
9 10
C1 = 39 pF C1 = 0.1 µF
7.0 0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
VVCOIN (V) VVCOIN (V)
Figure 14A. VCO Frequency (fVCO) as a Function Figure 14B. VCO Frequency (fVCO) as a Function
of the VCO Input Voltage (VVCOIN) of the VCO Input Voltage (VVCOIN)
2.0 1.0
VCC = 6.0 V
VCC = 4.5 V 0.9
0.8 VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
VCC = 3.0 V 0.7
VCC = 3.0 V
f VCO (KHz)
f VCO(MHz)
0.6
1.0 0.5
0.4
0.3
R1 = 300 kΩ 0.2
R1 = 300 kΩ
C1 = 39 pF 0.1 C1 = 0.1 µF
0 0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
VVCOIN (V) VVCOIN (V)
Figure 14C. VCO Frequency (fVCO) as a Function Figure 14D. VCO Frequency (fVCO) as a Function
of the VCO Input Voltage (VVCOIN) of the VCO Input Voltage (VVCOIN)
2.0
VCC=
C1 = 1.0 µF
4.5 V
1.0 f2
6.0 V
f0
∆ f VCO (%)
3.0 V f0′
0
4.5 V f1
6.0 V
−1.0
R2 = ∞; ∆V = 0.5 V
3.0 V C1 = 39 pF
−2.0
MIN 1/2 VCC MAX
100 101 102 103
R1 (kΩ) ∆V = 0.5 V OVER THE VCC RANGE:
FOR VCO LINEARITY
f0′ = (f1 + f2) / 2
LINEARITY = (f0′ − f0) / f0′) x 100%
Figure 15A. Frequency Linearity versus Figure 15B. Definition of VCO Frequency Linearity
R1, C1 and VCC
http://onsemi.com
209
MC74HC4046A
105 105
PR1 ( µW)
PR2 ( µW)
VCC=6.0V, C1=40pF
VCC=6.0V, C1=1.0 µF
104 VCC=4.5V, C1=40pF 104
VCC=4.5V, C1=1.0 µF
VCC=4.5V, C1=40pF
VCC=3.0V, C1=40pF VCC=4.5V, C1=1.0 µF
Figure 16. Power Dissipation versus R1 Figure 17. Power Dissipation versus R2
102 6.0 V
(Hz)
4.5 V
3.0 V
105
VCO
VCC=6.0 V
R1=3.0kΩ
f
VCC=4.5 V
101 104
VCC=3.0 V R1=100kΩ
103
R1=300kΩ
100 102
101 102 103 101 102 103 104 105 106
RS (kΩ) C1 (pF)
Figure 18. DC Power Dissipation of Figure 19. VCO Center Frequency versus C1
Demodulator versus RS
108 VCC=
108
R1=∞; VVCOIN=1/2 VCC FOR VCC=4.5V AND 6.0V;
6.0 V VVCOIN=1/3 VCC FOR VCC=3.0V; INH=GND; Tamb=25°C
107 4.5 V VCC=4.5V; R2=∞
3.0 V 107
6.0 V
106 4.5 V
3.0 V
106
2 fL (Hz)
off (Hz)
6.0 V
105 4.5 V
3.0 V
105
f
104 R2=3.0kΩ
103 104
R2=100kΩ
101 102
101 102 103 104 105 106 10−7 10−6 10−5 10−4 10−3 10−2 10−1
C1 (pF) R1C1
Figure 20. Frequency Offset versus C1 Figure 21. Typical Frequency Lock Range (2fL)
versus R1C1
http://onsemi.com
210
MC74HC4046A
20 14
R1=3.0kΩ
C1=39pF
R1=10kΩ 12
15
10
R1=20kΩ
FREQ. (MHz)
FREQ. (MHz)
R1=30kΩ
8.0
10 6.0
R1=3kΩ
R1=40kΩ
R1=10kΩ
R1=20kΩ
R1=50kΩ
4.0 R1=30kΩ
R1=40kΩ
5.0 2.0 R1=50kΩ
R1=100kΩ
R1=100kΩ
0 R1=300kΩ
C1=39pF R1=300kΩ
0 −2.0
1.0 101 102 103 104 105 100 101 102 103 104 105 106
R2 (kΩ) R2 (kΩ)
Figure 22. R2 versus fmax Figure 23. R2 versus fmin
20
C1=39pF
R1=10kΩ
2f L (MHz)
R1=3.0kΩ
R1=20kΩ
10 R1=30kΩ
R1=40kΩ
R1=50kΩ
R1=100kΩ
R1=300kΩ
0
1.0 101 102 103 104 105
R2 (kΩ)
http://onsemi.com
211
MC74HC4046A
APPLICATION INFORMATION
The following information is a guide for approximate values of R1, R2, and C1. Figures 19, 20, and 21 should be used as
references as indicated below, also the values of R1, R2, and C1 should not violate the Maximum values indicated in the DC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS tables.
http://onsemi.com
212
MC74HC4051A,
MC74HC4052A,
MC74HC4053A
Analog Multiplexers /
Demultiplexers
High−Performance Silicon−Gate CMOS http://onsemi.com
MARKING
The MC74HC4051A, MC74HC4052A and MC74HC4053A utilize DIAGRAMS
silicon−gate CMOS technology to achieve fast propagation delays,
16
low ON resistances, and low OFF leakage currents. These analog
PDIP−16
multiplexers/demultiplexers control analog voltages that may vary N SUFFIX MC74HC405xAN
across the complete power supply range (from VCC to VEE). 16 AWLYYWW
CASE 648
The HC4051A, HC4052A and HC4053A are identical in pinout to 1
1
the metal−gate MC14051AB, MC14052AB and MC14053AB. The 16
Channel−Select inputs determine which one of the Analog SO−16
Inputs/Outputs is to be connected, by means of an analog switch, to the HC405xA
D SUFFIX
16 AWLYYWW
Common Output/Input. When the Enable pin is HIGH, all analog CASE 751B
1
switches are turned off. 1
The Channel−Select and Enable inputs are compatible with standard 16
CMOS outputs; with pullup resistors they are compatible with LSTTL SO−16 WIDE
outputs. HC405xA
16 DW SUFFIX
AWLYWW
These devices have been designed so that the ON resistance (Ron) is CASE 751G
more linear over input voltage than Ron of metal−gate CMOS analog 1 1
switches. 16
For a multiplexer/demultiplexer with injection current protection,
see HC4851A and HC4852A. TSSOP−16 HC40
5xA
• Fast Switching and Propagation Speeds 16 DT SUFFIX
CASE 948F ALYW
• Low Crosstalk Between Switches 1
1
• Diode Protection on All Inputs/Outputs 16
• Analog Power Supply Range (VCC − VEE) = 2.0 to 12.0 V SOEIAJ−16
• Digital (Control) Power Supply Range (VCC − GND) = 2.0 to 6.0 V 16
F SUFFIX 74HC405xA
ALYW
• Improved Linearity and Lower ON Resistance Than Metal−Gate 1
CASE 966
Counterparts 1
• Low Noise A = Assembly Loca-
• In Compliance With the Requirements of JEDEC Standard No. 7A tion
WL = Wafer Lot
• Chip Complexity: HC4051A — 184 FETs or 46 Equivalent Gates YY = Year
HC4052A — 168 FETs or 42 Equivalent Gates WW = Work Week
HC4053A — 156 FETs or 39 Equivalent Gates
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 225 of this data sheet.
13
L L L L X0
X0 L L L H X1
14
X1 L L H L X2
15 3 COMMON L L H H X3
X2 X
ANALOG 12 OUTPUT/ L H L L X4
INPUTS/ X3 MULTIPLEXER/ INPUT L H L H X5
OUTPUTS X4 1 DEMULTIPLEXER
L H H L X6
5
X5 L H H H X7
2 H X X X NONE
X6
4
X7 X = Don’t Care
11
A
CHANNEL 10
SELECT B Pinout: MC74HC4051A (Top View)
INPUTS 9
C VCC X2 X1 X0 X3 A B C
6
ENABLE 16 15 14 13 12 11 10 9
PIN 16 = VCC
PIN 7 = VEE
PIN 8 = GND
1 2 3 4 5 6 7 8
X4 X6 X X7 X5 Enable VEE GND
1 2 3 4 5 6 7 8
Y0 Y2 Y Y3 Y1 Enable VEE GND
http://onsemi.com
214
MC74HC4051A, MC74HC4052A, MC74HC4053A
1 2 3 4 5 6 7 8
Y1 Y0 Z1 Z Z0 Enable VEE GND
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Value Unit This device contains protection
circuitry to guard against damage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC Positive DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V
(Referenced to VEE) – 0.5 to + 14.0 due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fields. However, precautions must
VEE Negative DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 7.0 to + 5.0 V be taken to avoid applications of any
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
voltage higher than maximum rated
VIS Analog Input Voltage VEE − 0.5 to V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
voltages to this high−impedance cir-
VCC + 0.5
cuit. For proper operation, Vin and
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin Digital Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V Vout should be constrained to the
range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
I DC Current, Into or Out of Any Pin ± 25 mA Unused inputs must always be
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
level (e.g., either GND or VCC).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
EIAJ/SOIC Package† 500
TSSOP Package† 450 Unused outputs must be left open.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Tstg
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL ÎÎÎ
Storage Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
– 65 to + 150 C
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/C from 65 to 125C
EIAJ/SOIC Package: – 7 mW/C from 65 to 125C
TSSOP Package: − 6.1 mW/C from 65 to 125C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
215
MC74HC4051A, MC74HC4052A, MC74HC4053A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC Positive DC Supply Voltage (Referenced to GND) 2.0 6.0 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Referenced to VEE) 2.0 12.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VEE Negative DC Supply Voltage, Output (Referenced to − 6.0 GND V
GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIS
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Analog Input Voltage
ÎÎ
ÎÎÎ
Digital Input Voltage (Referenced to GND)
VEE
GND
VCC
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIO*
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Static or Dynamic Voltage Across Switch
ÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature Range, All Package Types – 55
1.2
+ 125
V
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise/Fall Time
ÎÎÎ
ÎÎ
(Channel Select or Enable Inputs)
VCC = 2.0 V
VCC = 3.0 V
0
0
1000
600
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 4.5 V 0 500
VCC = 6.0 V 0 400
*For voltage drops across switch greater than 1.2V (switch on), excessive VCC current may be
drawn; i.e., the current out of the switch may contain both VCC and switch input components.
The reliability of the device will be unaffected unless the Maximum Ratings are exceeded.
DC CHARACTERISTICS — Digital Section (Voltages Referenced to GND) VEE = GND, Except Where Noted
Guaranteed Limit
VCC
Symbol Parameter Condition V −55 to 25°C ≤85°C ≤125°C Unit
VIH Minimum High−Level Input Ron = Per Spec 2.0 1.50 1.50 1.50 V
Voltage, Channel−Select or 3.0 2.10 2.10 2.10
Enable Inputs 4.5 3.15 3.15 3.15
6.0 4.20 4.20 4.20
VIL Maximum Low−Level Input Ron = Per Spec 2.0 0.5 0.5 0.5 V
Voltage, Channel−Select or 3.0 0.9 0.9 0.9
Enable Inputs 4.5 1.35 1.35 1.35
6.0 1.8 1.8 1.8
Iin Maximum Input Leakage Current, Vin = VCC or GND, 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
Channel−Select or Enable Inputs VEE = − 6.0 V
ICC Maximum Quiescent Supply Channel Select, Enable and µA
Current (per Package) VIS = VCC or GND; VEE = GND 6.0 1 10 20
VIO = 0 V VEE = − 6.0 6.0 4 40 80
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
216
MC74HC4051A, MC74HC4052A, MC74HC4053A
Symbol Parameter Condition VCC VEE −55 to 25°C ≤85°C ≤125°C Unit
Ron Maximum “ON” Resistance Vin = VIL or VIH; VIS = VCC to 4.5 0.0 190 240 280 Ω
VEE; IS ≤ 2.0 mA 4.5 − 4.5 120 150 170
(Figures 1, 2) 6.0 − 6.0 100 125 140
Vin = VIL or VIH; VIS = VCC or 4.5 0.0 150 190 230
VEE (Endpoints); IS ≤ 2.0 mA 4.5 − 4.5 100 125 140
(Figures 1, 2) 6.0 − 6.0 80 100 115
∆Ron Maximum Difference in “ON” Vin = VIL or VIH; 4.5 0.0 30 35 40 Ω
Resistance Between Any Two VIS = 1/2 (VCC − VEE); 4.5 − 4.5 12 15 18
Channels in the Same Package IS ≤ 2.0 mA 6.0 − 6.0 10 12 14
Ioff Maximum Off−Channel Leakage Vin = VIL or VIH; µA
Current, Any One Channel VIO = VCC − VEE; 6.0 − 6.0 0.1 0.5 1.0
Switch Off (Figure 3)
Maximum Off−Channel HC4051A Vin = VIL or VIH; 6.0 − 6.0 0.2 2.0 4.0
Leakage Current, HC4052A VIO = VCC − VEE; 6.0 − 6.0 0.1 1.0 2.0
Common Channel HC4053A Switch Off (Figure 4) 6.0 − 6.0 0.1 1.0 2.0
Ion Maximum On−Channel HC4051A Vin = VIL or VIH; 6.0 − 6.0 0.2 2.0 4.0 µA
Leakage Current, HC4052A Switch−to−Switch = 6.0 − 6.0 0.1 1.0 2.0
Channel−to−Channel HC4053A VCC − VEE; (Figure 5) 6.0 − 6.0 0.1 1.0 2.0
http://onsemi.com
217
MC74HC4051A, MC74HC4052A, MC74HC4053A
300 180
160
250
Ron , ON RESISTANCE (OHMS)
140
200 120
125°C 125°C
100
150
25°C 80
25°C
−55 °C
100 60
40 −55 °C
50
20
0 0
0 0.25 0.5 0.75 1.0 1.25 1.5 1.75 2.0 2.25 0 0.25 0.5 0.75 1.0 1.25 1.5 1.75 2.0 2.25 2.5 2.75 3.0
VIS, INPUT VOLTAGE (VOLTS), REFERENCED TO VEE VIS, INPUT VOLTAGE (VOLTS), REFERENCED TO VEE
Figure 1a. Typical On Resistance, VCC − VEE = 2.0 V Figure 1b. Typical On Resistance, VCC − VEE = 3.0 V
http://onsemi.com
218
MC74HC4051A, MC74HC4052A, MC74HC4053A
120 105
100 90
Ron , ON RESISTANCE (OHMS)
20 15
0 0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
VIS, INPUT VOLTAGE (VOLTS), REFERENCED TO VEE VIS, INPUT VOLTAGE (VOLTS), REFERENCED TO VEE
Figure 1c. Typical On Resistance, VCC − VEE = 4.5 V Figure 1d. Typical On Resistance, VCC − VEE = 6.0 V
80 60
70
50
Ron , ON RESISTANCE (OHMS)
Figure 1e. Typical On Resistance, VCC − VEE = 9.0 V Figure 1f. Typical On Resistance, VCC − VEE = 12.0 V
PLOTTER
PROGRAMMABLE
POWER MINI COMPUTER DC ANALYZER
SUPPLY
− + VCC
DEVICE
UNDER TEST
GND VEE
http://onsemi.com
219
MC74HC4051A, MC74HC4052A, MC74HC4053A
VCC VCC
VCC VCC
VEE 16 VEE 16
ANALOG I/O
OFF OFF
VCC A VCC
NC OFF COMMON O/I OFF COMMON O/I
VIH 6 VIH 6
7 7
8 8
VEE VEE
Figure 3. Maximum Off Channel Leakage Current, Figure 4. Maximum Off Channel Leakage Current,
Any One Channel, Test Set−Up Common Channel, Test Set−Up
VCC VOS
VCC VCC
A 16 0.1µF 16 dB
ON fin ON METER
VEE N/C CL* RL
OFF COMMON O/I
VCC ANALOG I/O
VIL 6 6
7 7
8 8
VEE VEE
*Includes all probe and jig capacitance
6 6
7 7 VCC
8 Vin ≤ 1 MHz 8 11
tr = tf = 6 ns
VEE VCC VEE
CHANNEL SELECT CHANNEL SELECT
VIL or VIH GND
*Includes all probe and jig capacitance *Includes all probe and jig capacitance
Figure 7. Off Channel Feedthrough Isolation, Figure 8. Feedthrough Noise, Channel Select to
Test Set−Up Common Out, Test Set−Up
http://onsemi.com
220
MC74HC4051A, MC74HC4052A, MC74HC4053A
VCC
VCC
16
VCC
CHANNEL ON/OFF COMMON O/I
50% TEST
SELECT ANALOG I/O
POINT
OFF/ON CL*
GND
tPLH tPHL
6
ANALOG 7
OUT 50%
8
CHANNEL SELECT
Figure 9a. Propagation Delays, Channel Select Figure 9b. Propagation Delay, Test Set−Up Channel
to Analog Out Select to Analog Out
VCC
16
ANALOG I/O COMMON O/I
VCC TEST
ON
ANALOG POINT
IN 50% CL*
GND
tPLH tPHL
6
7
ANALOG 8
OUT 50%
Figure 10a. Propagation Delays, Analog In Figure 10b. Propagation Delay, Test Set−Up
to Analog Out Analog In to Analog Out
Figure 11a. Propagation Delays, Enable to Figure 11b. Propagation Delay, Test Set−Up
Analog Out Enable to Analog Out
http://onsemi.com
221
MC74HC4051A, MC74HC4052A, MC74HC4053A
VCC
VIS A
VCC
16 16
RL VOS
fin ON ON/OFF COMMON O/I
ANALOG I/O NC
0.1µF OFF/ON
OFF
VEE RL CL* RL CL* VCC
RL 6
7
6 VEE 8 11
7
8 CHANNEL SELECT
Figure 12. Crosstalk Between Any Two Figure 13. Power Dissipation Capacitance,
Switches, Test Set−Up Test Set−Up
0
VIS
VCC VOS −10 FUNDAMENTAL FREQUENCY
0.1µF 16 −20
TO
fin ON DISTORTION −30
RL METER
CL* −40
dB
−50
DEVICE
−60
6 SOURCE
−70
7
8 −80
VEE −90
*Includes all probe and jig capacitance
− 100
1.0 2.0 3.125
FREQUENCY (kHz)
Figure 14a. Total Harmonic Distortion, Test Set−Up Figure 14b. Plot, Harmonic Distortion
APPLICATIONS INFORMATION
The Channel Select and Enable control pins should be at outputs to VCC or GND through a low value resistor helps
VCC or GND logic levels. VCC being recognized as a logic minimize crosstalk and feedthrough noise that may be
high and GND being recognized as a logic low. In this picked up by an unused switch.
example: Although used here, balanced supplies are not a
VCC = +5V = logic high requirement. The only constraints on the power supplies are
GND = 0V = logic low that:
The maximum analog voltage swings are determined by VCC − GND = 2 to 6 volts
the supply voltages VCC and VEE. The positive peak analog VEE − GND = 0 to −6 volts
voltage should not exceed VCC. Similarly, the negative peak VCC − VEE = 2 to 12 volts
analog voltage should not go below VEE. In this example, and VEE ≤ GND
the difference between VCC and VEE is ten volts. Therefore, When voltage transients above VCC and/or below VEE are
using the configuration of Figure 15, a maximum analog anticipated on the analog channels, external Germanium or
signal of ten volts peak−to−peak can be controlled. Unused Schottky diodes (Dx) are recommended as shown in Figure
analog inputs/outputs may be left floating (i.e., not 16. These diodes should be able to absorb the maximum
connected). However, tying unused analog inputs and anticipated current surges during clipping.
http://onsemi.com
222
MC74HC4051A, MC74HC4052A, MC74HC4053A
VCC VCC
+5V VCC
16 Dx 16 Dx
+5V +5V
ANALOG ANALOG
ON ON/OFF
−5V SIGNAL SIGNAL −5V
Dx Dx
VEE VEE
6 11 TO EXTERNAL CMOS
7 10 CIRCUITRY 0 to 5V 7
8 9 DIGITAL SIGNALS 8
−5V VEE
+5V +5V
11 LEVEL 13
A X0
SHIFTER
14
X1
10 LEVEL 15
B X2
SHIFTER
12
X3
9 LEVEL 1
C X4
SHIFTER
5
X5
6 LEVEL 2
ENABLE X6
SHIFTER
4
X7
3
X
Figure 18. Function Diagram, HC4051A
http://onsemi.com
223
MC74HC4051A, MC74HC4052A, MC74HC4053A
10 LEVEL 12
A X0
SHIFTER
14
X1
9 LEVEL 15
B X2
SHIFTER
11
X3
13
X
6 LEVEL 1
ENABLE Y0
SHIFTER
5
Y1
2
Y2
4
Y3
3
Y
11 LEVEL 13
A X1
SHIFTER
12
X0
14
X
10 LEVEL 1
B Y1
SHIFTER
2
Y0
15
Y
9 LEVEL 3
C Z1
SHIFTER
5
Z0
4
Z
6 LEVEL
ENABLE
SHIFTER
http://onsemi.com
224
MC74HC4051A, MC74HC4052A, MC74HC4053A
http://onsemi.com
225
MC74HC4060A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature Range – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
260
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
2.5*
0
6.0
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature Range, All Package Types
ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise/Fall Time VCC = 2.0 V 0
– 55
1000
+ 125
ns
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 1) VCC = 4.5 V 0 500
VCC = 6.0 V 0 400
*The oscillator is guaranteed to function at 2.5 V minimum. However, parametrics are tested
at 2.0 V by driving Pin 11 with an external clock source.
http://onsemi.com
227
MC74HC4060A
http://onsemi.com
228
MC74HC4060A
http://onsemi.com
229
MC74HC4060A
PIN DESCRIPTIONS
OUTPUTS
Q4—Q10, Q12−Q14 (Pins 7, 5, 4, 6, 13, 15, 1, 2, 3)
Active−high outputs. Each Qn output divides the Clock
input frequency by 2N. The user should note the Q1, Q2, Q3
and Q11 are not available as outputs.
SWITCHING WAVEFORMS
tw
tf tr VCC
VCC Reset 50%
90%
Osc In 50% GND
10% GND tPHL
tw
1/fMAX
tPLH tPHL Q 50%
90% trec
Q 50% VCC
10%
Osc In 50%
tTLH tTHL GND
Figure 1. Figure 2.
TEST
POINT
VCC
Qn OUTPUT
50%
DEVICE
GND UNDER
tPLH tPHL TEST CL*
Qn+1 50%
http://onsemi.com
230
MC74HC4060A
C Q C Q C Q C Q C Q C Q
C Q C Q C Q C Q C Q C
R R
9
Osc Out 2
11
Osc In
12
Reset
12
Reset
R1
C1 C2
http://onsemi.com
231
MC74HC4060A
TABLE 1. CRYSTAL OSCILLATOR AMPLIFIER SPECIFICATIONS (TA = 25°C; Input = Pin 11, Output = Pin 10)
Type Positive Reactance (Pierce)
Input Resistance, Rin 60MΩ Minimum
Output Impedance, Zout (4.5V Supply) 200Ω (See Text)
Input Capacitance, Cin 5pF Typical
Output Capacitance, Cout 7pF Typical
Series Capacitance, Ca 5pF Typical
Open Loop Voltage Gain with Output at Full Swing, α 3Vdc Supply 5.0 Expected Minimum
4Vdc Supply 4.0 Expected Minimum
5Vdc Supply 3.3 Expected Minimum
6Vdc Supply 3.1 Expected Minimum
RS LS CS
1 2 1 2 1 Re Xe 2
CO
RS −jXC2 R
Rload
Ca
−jXCo
jXLs
Zload Xload
−jXCs −jXC Cin Cout
Figure 9. Series Equivalent Crystal Load Figure 10. Parasitic Capacitances of the Amplifier
http://onsemi.com
232
MC74HC4060A
DESIGN PROCEDURES
The following procedure applies for oscillators operating below 2MHz where Z is a resistor R1. Above 2MHz, additional
impedance elements should be considered: Cout and Ca of the amp, feedback resistor Rf, and amplifier phase shift error from
180°C.
Step 1: Calculate the equivalent series circuit of the crystal at the frequency of oscillation.
jXCo(Rs jXLs jXCs)
Ze Re jXe
jXCo Rs jXLs jXCs
Reactance jXe should be positive, indicating that the crystal is operating as an inductive reactance at the oscillation frequency.
The maximum Rs for the crystal should be used in the equation.
Step 2: Determine β, the attenuation, of the feedback network. For a closed-loop gain of 2,Aνβ = 2,β = 2/Aν where Aν is
the gain of the HC4060A amplifier.
Step 3: Determine the manufacturer’s loading capacitance. For example: A manufacturer may specify an external load
capacitance of 32pF at the required frequency.
Step 4: Determine the required Q of the system, and calculate Rload, For example, a manufacturer specifies a crystal Q of
100,000. In-circuit Q is arbitrarily set at 20% below crystal Q or 80,000. Then Rload = (2πfoLS/Q) − Rs where Ls and Rs are
crystal parameters.
Step 5: Simultaneously solve, using a computer,
XC XC2
(with feedback phase shift = 180°) ( Eq 1 )
R Re XC2 (Xe XC)
ReXC2
Xe XC2 XC XCload (where the loading capacitor is an external load, not including Co) ( Eq 2 )
R
RXCoXC2 [(XC XC2)(XC XCo) XC(XC XCo XC2)]
Rload ( Eq 3 )
X2C2(XC XCo)2 R2(XC XCo XC2)2
Here R = Rout + R1. Rout is amp output resistance, R1 is Z. The C corresponding to XC is given by C = C1 + Cin.
Alternately, pick a value for R1 (i.e, let R1 = RS). Solve Equations 1 and 2 for C1 and C2. Use Equation 3 and the fact that
Q = 2πfoLs/(Rs + Rload) to find in-circuit Q. If Q is not satisfactory pick another value for R1 and repeat the procedure.
CHOOSING R1 the first overtone. Rf must be large enough so as to not affect
Power is dissipated in the effective series resistance of the the phase of the feedback network in an appreciable manner.
crystal. The drive level specified by the crystal manufacturer
is the maximum stress that a crystal can withstand without ACKNOWLEDGEMENTS AND RECOMMENDED
damage or excessive shift in frequency. R1 limits the drive REFERENCES
level. The following publications were used in preparing this
To verify that the maximum dc supply voltage does not data sheet and are hereby acknowledged and recommended
overdrive the crystal, monitor the output frequency as a for reading:
function of voltage at Osc Out 2 (Pin 9). The frequency Technical Note TN-24, Statek Corp.
should increase very slightly as the dc supply voltage is Technical Note TN-7, Statek Corp.
increased. An overdriven crystal will decrease in frequency D. Babin, “Designing Crystal Oscillators”, Machine
or become unstable with an increase in supply voltage. The Design, March 7, 1985.
operating supply voltage must be reduced or R1 must be D. Babin, “Guidelines for Crystal Oscillator Design”,
increased in value if the overdriven condition exists. The Machine Design, April 25, 1985.
user should note that the oscillator start-up time is ALSO RECOMMENDED FOR READING:
proportional to the value of R1. E. Hafner, “The Piezoelectric Crystal Unit-Definitions
SELECTING Rf and Method of Measurement”, Proc. IEEE, Vol. 57, No. 2,
The feedback resistor, Rf, typically ranges up to 20MΩ. Rf Feb., 1969.
determines the gain and bandwidth of the amplifier. Proper D. Kemper, L. Rosine, “Quartz Crystals for Frequency
bandwidth insures oscillation at the correct frequency plus Control”, Electro-Technology, June, 1969.
roll-off to minimize gain at undesirable frequencies, such as P. J. Ottowitz, “A Guide to Crystal Selection”, Electronic
Design, May, 1966.
http://onsemi.com
233
MC74HC4060A
Q4
Q5
Q6
Q7
Q8
Q9
Q10
Q12
Q13
Q14
http://onsemi.com
234
MC74HC4066A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
circuitry to guard against damage
VCC Positive DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 14.0 V
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIS
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin ÎÎÎ
Analog Input Voltage (Referenced to GND)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Digital Input Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to VCC + 0.5
– 0.5 to VCC + 0.5
V
V
fields. However, precautions must
be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
PD ÎÎÎ
DC Current Into or Out of Any Pin
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP†
± 25
750
mA
mW
voltages to this high−impedance cir-
cuit. For proper operation, Vin and
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
EIAJ/SOIC Package† 500
range GND (Vin or Vout) VCC.
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 °C tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
level (e.g., either GND or VCC).
TL Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds °C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
(Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package) 260 I/O pins must be connected to a
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur. properly terminated line or bus.
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
†Derating − Plastic DIP: – 10 mW/°C from 65° to 125°C
EIAJ/SOIC Package: – 7 mW/°C from 65° to 125°C
TSSOP Package: − 6.1 mW/°C from 65° to 125°C
For high frequency or heavy load considerations, see the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Positive DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Analog Input Voltage (Referenced to GND) GND
2.0 12.0
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vin
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIO*
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Digital Input Voltage (Referenced to GND)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Static or Dynamic Voltage Across Switch
GND
−
VCC
1.2
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time, ON/OFF Control
–55 + 125 °C
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Inputs (Figure 10)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 2.0 V
VCC = 3.0 V
VCC = 4.5 V
0
0
0
1000
600
500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 9.0 V 0 400
VCC = 12.0 V 0 250
*For voltage drops across the switch greater than 1.2 V (switch on), excessive VCC current may be drawn; i.e., the current out of the switch may
contain both VCC and switch input components. The reliability of the device will be unaffected unless the Maximum Ratings are exceeded.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTIC Digital Section (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC – 55 to
Symbol Parameter Test Conditions V 25°C 85°C 125°C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIH
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
Minimum High−Level Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ON/OFF Control Inputs
Ron = Per Spec 2.0
3.0
1.5
2.1
1.5
2.1
1.5
2.1
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
4.5 3.15 3.15 3.15
9.0 6.3 6.3 6.3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
12.0 8.4 8.4 8.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VIL Maximum Low−Level Voltage Ron = Per Spec 2.0 0.5 0.5 0.5 V
ON/OFF Control Inputs 3.0 0.9 0.9 0.9
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
4.5
9.0
12.0
1.35
2.7
3.6
1.35
2.7
3.6
1.35
2.7
3.6
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input Leakage Current
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ON/OFF Control Inputs
Vin = VCC or GND 12.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ICC Maximum Quiescent Supply Current (per Package) Vin = VCC or GND 6.0 2 20 40 A
VIO = 0 V 12.0 4 40 160
NOTE: Information on typical parametric values can be found in the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
236
MC74HC4066A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS Analog Section (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC – 55 to
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V 25°C 85°C 125°C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Ron Maximum “ON” Resistance Vin = VIH 2.0† − − −
VIS = VCC to GND 3.0† − − −
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
IS 2.0 mA (Figures 1, 2) 4.5 120 160 200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
9.0 70 85 100
12.0 70 85 100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Vin = VIH
VIS = VCC or GND (Endpoints)
IS 2.0 mA (Figures 1, 2)
2.0
3.0
4.5
−
−
70
−
−
85
−
−
120
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
9.0
12.0
50
50
60
60
80
80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Ron Maximum Difference in “ON” Vin = VIH 2.0 − − −
Resistance Between Any Two VIS = 1/2 (VCC − GND) 4.5 20 25 30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Channels in the Same Package IS 2.0 mA 9.0 15 20 25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
12.0 15 20 25
A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Ioff Maximum Off−Channel Leakage Vin = VIL 12.0 0.1 0.5 1.0
Current, Any One Channel VIO = VCC or GND
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Switch Off (Figure 3)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Ion Maximum On−Channel Leakage Vin = VIH 12.0 0.1 0.5 1.0 A
Current, Any One Channel VIS = VCC or GND
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ (Figure 4)
†At supply voltage (VCC) approaching 3 V the analog switch−on resistance becomes extremely non−linear. Therefore, for low−voltage
operation, it is recommended that these devices only be used to control digital signals.
NOTE: Information on typical parametric values can be found in the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, ON/OFF Control Inputs: tr = tf = 6 ns)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC – 55 to
V 25°C 85°C 125°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Unit
tPLH, Maximum Propagation Delay, Analog Input to Analog Output 2.0 40 50 60 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
(Figures 8 and 9)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ 3.0 30 40 50
ÎÎ
4.5 10 13 15
9.0 10 13 15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
12.0 10 13 15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPLZ, Maximum Propagation Delay, ON/OFF Control to Analog Output 2.0 80 90 110 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPHZ (Figures 10 and 11) 3.0 60 70 80
4.5 30 38 45
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
9.0 25 28 30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
12.0 25 28 30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPZL, Maximum Propagation Delay, ON/OFF Control to Analog Output 2.0 80 90 100 ns
tPZH (Figures 10 and 1 1) 3.0 45 50 60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
4.5 25 32 37
9.0 25 32 37
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎC ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Maximum Capacitance ÎÎ
ÎÎ ON/OFF Control Input
12.0
−
25
10
32
10
37
10 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Control Input = GND
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Analog I/O − 35 35 35
Feedthrough − 1.0 1.0 1.0
NOTES:
1. For propagation delays with loads other than 50 pF, see the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
2. Information on typical parametric values can be found in the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
237
MC74HC4066A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ADDITIONAL APPLICATION CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND Unless Noted)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ Limit*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC 25°C
Symbol Parameter Test Conditions V 54/74HC Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BW
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
or ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum On−Channel Bandwidth
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fin = 1 MHz Sine Wave
Adjust fin Voltage to Obtain 0 dBm at VOS
4.5
9.0
150
160
MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Minimum Frequency Response Increase fin Frequency Until dB Meter Reads – 3 dB 12.0 160
(Figure 5) RL = 50 , CL = 10 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
−
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(Figure 6) ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Off−Channel Feedthrough Isolation
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fin Sine Wave
Adjust fin Voltage to Obtain 0 dBm at VIS
fin = 10 kHz, RL = 600 , CL = 50 pF
4.5
9.0
− 50
− 50
dB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
12.0 − 50
fin = 1.0 MHz, RL = 50 , CL = 10 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 − 40
9.0 − 40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
12.0 − 40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
− Feedthrough Noise, Control to Vin 1 MHz Square Wave (tr = tf = 6 ns) 4.5 60 mVPP
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Switch Adjust RL at Setup so that IS = 0 A 9.0 130
( g
(Figure 7)) RL = 600 , CL = 50 pF 12.0 200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RL = 10 k, CL = 10 pF 4.5
9.0
30
65
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
12.0 100
fin Sine Wave
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
− Crosstalk Between Any Two 4.5 – 70 dB
Switches Adjust fin Voltage to Obtain 0 dBm at VIS 9.0 – 70
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
( g
(Figure 12)) fin = 10 kHz, RL = 600 , CL = 50 pF 12.0 – 70
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fin = 1.0 MHz, RL = 50 , CL = 10 pF 4.5 – 80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
9.0 – 80
12.0 – 80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THD
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 14) ÎÎÎ
Total Harmonic Distortion
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fin = 1 kHz, RL = 10 k, CL = 50 pF
THD = THDMeasured − THDSource
VIS = 4.0 VPP sine wave 4.5 0.10
%
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIS = 8.0 VPP sine wave
VIS = 11.0 VPP sine wave
*Guaranteed limits not tested. Determined by design and verified by qualification.
9.0
12.0
0.06
0.04
http://onsemi.com
238
MC74HC4066A
400
350
RON @ 2 V 300
250
200
150
+25 °C
100
+125°C
50 −55°C
0
0.00 0.20 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.40 1.60 1.80 2.00
200
180
160
140
RON @ 3 V
120
100
80
60 +25 °C
40 +125°C
−55°C
20
0
0.00 0.20 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.40 1.60 1.80 2.00 2.20 2.40 2.60 2.80 3.00
200
180 +25 °C
+125°C
160
−55°C
140
RON @ 4.5 V
120
100
80
60
40
20
0
0.00 0.50 1.00 1.50 2.00 2.50 3.00 3.50 4.00 4.50
http://onsemi.com
239
MC74HC4066A
90
80
70
60
RON @ 6 V
50
40
30
+25 °C
20
+125°C
10 −55°C
0
0.00 0.50 1.00 1.50 2.00 2.50 3.00 3.50 4.00 4.50 5.00 5.50 6.00
90
+25 °C
80
+125°C
70 −55°C
60
RON @ 9V
50
40
30
20
10
0
0.00 1.00 2.00 3.00 4.00 5.00 6.00 7.00 8.00 9.00
60
50
40
RON @ 12 V
30
20
+25 °C
10 +125°C
−55°C
0
0.00 1.00 2.00 3.00 4.00 5.00 6.00 7.00 8.00 9.00 10.00 11.00 12.00
http://onsemi.com
240
MC74HC4066A
PLOTTER
PROGRAMMABLE
POWER MINI COMPUTER DC ANALYZER
SUPPLY
− + VCC
DEVICE
UNDER TEST
GND
VCC
VCC VCC
GND 14 VCC 14
A ON N/C
VCC A OFF GND
Figure 3. Maximum Off Channel Leakage Current, Figure 4. Maximum On Channel Leakage Current,
Any One Channel, Test Set−Up Test Set−Up
http://onsemi.com
241
MC74HC4066A
SELECTED
CONTROL
SELECTED VCC INPUT
CONTROL
7 INPUT 7
*Includes all probe and jig capacitance. *Includes all probe and jig capacitance.
14
RL RL
VOS
OFF/ON IS
VCC
CL*
50%
SELECTED ANALOG IN
CONTROL GND
Vin ≤ 1 MHz 7 INPUT tPLH tPHL
tr = tf = 6 ns
VCC
GND CONTROL
50%
ANALOG OUT
*Includes all probe and jig capacitance.
http://onsemi.com
242
MC74HC4066A
VCC tr tf
14 VCC
90%
ANALOG IN ANALOG OUT TEST CONTROL 50%
ON POINT 10% GND
CL*
tPZL tPLZ
HIGH
IMPEDANCE
SELECTED VCC 50%
10% VOL
CONTROL
7 ANALOG
INPUT tPZH tPHZ
OUT
90% VOH
50%
*Includes all probe and jig capacitance. HIGH
IMPEDANCE
Figure 9. Propagation Delay Test Set−Up Figure 10. Propagation Delay, ON/OFF Control
to Analog Out
1
POSITIONWHEN TESTING tPHZ AND tPZH VIS
2
POSITIONWHEN TESTING tPLZ AND tPZL VCC
1
14
RL VOS
2
VCC fin ON
VCC 14 1 k 0.1 F
1
TEST OFF
ON/OFF POINT
2 VCC OR GND
CL* RL CL* RL CL*
RL
SELECTED
SELECTED
CONTROL VCC/2 VCC/2
CONTROL
INPUT
INPUT
7
7
VCC/2
*Includes all probe and jig capacitance. *Includes all probe and jig capacitance.
Figure 11. Propagation Delay Test Set−Up Figure 12. Crosstalk Between Any Two Switches,
Test Set−Up
VCC
A
VIS
14 VCC VOS
0.1 F TO
N/C OFF/ON N/C fin ON DISTORTION
CL* METER
RL
SELECTED VCC/2
7 CONTROL SELECTED VCC
INPUT CONTROL
7
INPUT
ON/OFF CONTROL
Figure 13. Power Dissipation Capacitance Figure 14. Total Harmonic Distortion, Test Set−Up
Test Set−Up
http://onsemi.com
243
MC74HC4066A
0
−10 FUNDAMENTAL FREQUENCY
−20
−30
−40
dBm
−50
DEVICE
−60
SOURCE
−70
−80
−90
APPLICATION INFORMATION below, the difference between VCC and GND is twelve volts.
Therefore, using the configuration in Figure 16, a maximum
The ON/OFF Control pins should be at VCC or GND logic analog signal of twelve volts peak−to−peak can be
levels, VCC being recognized as logic high and GND being controlled.
recognized as a logic low. Unused analog inputs/outputs When voltage transients above VCC and/or below GND
may be left floating (not connected). However, it is are anticipated on the analog channels, external diodes (Dx)
advisable to tie unused analog inputs and outputs to VCC or are recommended as shown in Figure 17. These diodes
GND through a low value resistor. This minimizes crosstalk should be small signal, fast turn−on types able to absorb the
and feedthrough noise that may be picked−up by the unused maximum anticipated current surges during clipping. An
I/O pins. alternate method would be to replace the Dx diodes with
The maximum analog voltage swings are determined by Mosorbs (Mosorb is an acronym for high current surge
the supply voltages VCC and GND. The positive peak analog protectors). Mosorbs are fast turn−on devices ideally suited
voltage should not exceed VCC. Similarly, the negative peak for precise DC protection with no inherent wear out
analog voltage should not go below GND. In the example mechanism.
VCC VCC
VCC = 12 V
14 Dx 16 Dx
+ 12 V + 12 V
ANALOG I/O ANALOG O/I
ON ON
0V 0V
Dx Dx
SELECTED SELECTED
VCC
CONTROL CONTROL
OTHER CONTROL OTHER CONTROL
INPUT INPUT
INPUTS INPUTS
7 (VCC OR GND) 7 (VCC OR GND)
http://onsemi.com
244
MC74HC4066A
+5 V +5 V
VDD = 5 V VCC = 5 TO 12 V
13 1 16 ANALOG 14 ANALOG
3 SIGNALS SIGNALS
5 HC4066A
7 MC14504 2 5
9 4 6 CONTROL
11 6 14 INPUTS
14 8 10 15 7
1 OF 4
CHANNEL 4
SWITCHES
1 OF 4
CHANNEL 3
SWITCHES
COMMON I/O
1 OF 4
CHANNEL 2
SWITCHES
−
1 OF 4 OUTPUT
CHANNEL 1 1 OF 4
SWITCHES INPUT + LF356 OR
SWITCHES
EQUIVALENT
0.01 F
1 2 3 4
CONTROL INPUTS
http://onsemi.com
245
MC74HC4316A
1 ANALOG 2
XA YA
SWITCH
15
A ON/OFF CONTROL LEVEL
TRANSLATOR
4 ANALOG 3
XB YB
SWITCH
5 ANALOG
B ON/OFF CONTROL LEVEL
TRANSLATOR OUTPUTS/INPUTS
10 ANALOG 11
XC YC PIN 16 = VCC
SWITCH
6 PIN 8 = GND
C ON/OFF CONTROL LEVEL PIN 9 = VEE
TRANSLATOR GND ≥ VEE
13 ANALOG 12
XD YD
SWITCH
14
D ON/OFF CONTROL LEVEL
7 TRANSLATOR
ENABLE
http://onsemi.com
247
MC74HC4316A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
VCC Positive DC Supply Voltage (Ref. to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
(Ref. to VEE) – 0.5 to + 14.0 due to high static voltages or electric
fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
VEE Negative DC Supply Voltage (Ref. to GND) – 7.0 to + 0.5 V be taken to avoid applications of any
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
voltage higher than maximum rated
VIS Analog Input Voltage VEE – 0.5 V
to VCC + 0.5 voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Vin DC Input Voltage (Ref. to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V Vout should be constrained to the
range GND (Vin or Vout) VCC.
± 25
ÎÎÎÎ
I
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Into or Out of Any Pin
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
mA
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air Plastic DIP* 750 mW
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
EIAJ/SOIC Package*
TSSOP Package*
500
450
level (e.g., either GND or VCC).
Unused outputs must be left open.
I/O pins must be connected to a
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 °C
properly terminated line or bus.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
TL Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds °C
(Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package) 260
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*Derating − Plastic DIP: – 10 mW/°C from 65° to 125°C
EIAJ/SOIC Package: – 7 mW/°C from 65° to 125°C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TSSOP Package: − 6.1 mW/°C from 65° to 125°C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor
High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Parameter
Positive DC Supply Voltage (Ref. to GND)
Min
2.0
Max
6.0
Unit
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIS ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Negative DC Supply Voltage (Ref. to GND)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Analog Input Voltage
– 6.0
VEE
GND
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vin
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIO* ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Digital Input Voltage (Ref. to GND)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Static or Dynamic Voltage Across Switch
GND
−
VCC
1.2
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V
– 55
0
+ 125
1000
°C
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(Control or Enable Inputs) VCC = 3.0 V 0 600
(Figure 10) VCC = 4.5 V 0 500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC = 6.0 V 0 400
*For voltage drops across the switch greater than 1.2 V (switch on), excessive VCC current may be drawn; i.e., the current out of the switch may
contain both VCC and switch input components. The reliability of the device will be unaffected unless the Maximum Ratings are exceeded.
http://onsemi.com
248
MC74HC4316A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS Digital Section (Voltages Referenced to GND) VEE = GND Except Where Noted
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Test Conditions
VCC
V
– 55 to
25°C 85°C 125°C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIH Minimum High−Level Voltage, Ron = Per Spec 2.0 1.5 1.5 1.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Control or Enable Inputs 3.0 2.1 2.1 2.1
4.5 3.15 3.15 3.15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 4.2 4.2 4.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIL Maximum Low−Level Voltage, Ron = Per Spec 2.0 0.5 0.5 0.5 V
Control or Enable Inputs 3.0 0.9 0.9 0.9
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 1.35 1.35 1.35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 1.8 1.8 1.8
± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin Maximum Input Leakage Vin = VCC or GND 6.0
Current, Control or Enable VEE = – 6.0 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Inputs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC Maximum Quiescent Supply Vin = VCC or GND A
Current (per Package) VIO = 0 V VEE = GND 6.0 2 20 40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VEE = – 6.0 6.0 4 40 160
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS Analog Section (Voltages Referenced to VEE)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Test Conditions
VCC
V
VEE
V
– 55 to
25°C 85°C 125°C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Ron
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum “ON” Resistance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH
VIS = VCC to VEE
IS 2.0 mA (Figures 1, 2)
2.0*
45
4.5
0.0
0.0
− 4.5
−
160
90
−
200
110
−
240
130
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 − 6.0 90 110 130
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH 2.0 0.0 − − −
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIS = VCC or VEE (Endpoints) 4.5 0.0 90 115 140
IS 2.0 mA (Figures 1, 2) 4.5 − 4.5 70 90 105
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 − 6.0 70 90 105
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Ron Maximum Difference in “ON” Vin = VIH 2.0 0.0 − − −
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Resistance Between Any Two VIS = 1/2 (VCC − VEE) 4.5 0.0 20 25 30
Channels in the Same Package IS 2.0 mA 4.5 – 4.5 15 20 25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 – 6.0 15 20 25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Ioff Maximum Off−Channel Vin = VIL 6.0 – 6.0 0.1 0.5 1.0 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Leakage Current, Any One VIO = VCC or VEE
Channel Switch Off (Figure 3)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Ion
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
Maximum On−Channel
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Leakage Current, Any One
Channel
Vin = VIH
VIS = VCC or VEE
(Figure 4)
6.0 – 6.0 0.1 0.5 1.0 A
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
*At supply voltage (VCC − VEE) approaching 2.0 V the analog switch−on resistance becomes extremely non−linear. Therefore, for low−voltage
operation, it is recommended that these devices only be used to control digital signals.
http://onsemi.com
249
MC74HC4316A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Control or Enable tr = tf = 6 ns, VEE = GND)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter
VCC
V
– 55 to
25°C 85°C 125°C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Analog Input to Analog Output 2.0 40 50 60 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPHL (Figures 8 and 9) 4.5 6 8 9
6.0 5 7 8
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLZ,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHZ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Control or Enable to Analog Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 10 and 11)
2.0
4.5
130
40
160
50
200
60
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 30 40 50
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPZL, Maximum Propagation Delay, Control or Enable to Analog Output 2.0 140 175 250 ns
tPZH (Figures 10 and 11) 4.5 40 50 60
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 30 40 50
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
C Maximum Capacitance ON/OFF Control − 10 10 10 pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
and Enable Inputs
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Control Input = GND
Analog I/O − 35 35 35
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Feedthrough − 1.0 1.0 1.0
1. For propagation delays with loads other than 50 pF, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
2. Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
250
MC74HC4316A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ADDITIONAL APPLICATION CHARACTERISTICS (GND = 0 V)
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC VEE Limit*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V V 25°C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
BW Maximum On–Channel Bandwidth or fin = 1 MHz Sine Wave 2.25 – 2.25 150 MHz
Minimum Frequency Response Adjust fin Voltage to Obtain 0 dBm at VOS 4.50 – 4.50 160
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 5) Increase fin Frequency Until dB Meter 6.00 – 6.00 160
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Reads – 3 dB RL = 50 , CL = 10 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
− Off–Channel Feedthrough Isolation fin Sine Wave 2.25 – 2.25 – 50 dB
(Figure 6) Adjust fin Voltage to Obtain 0 dBm at VIS 4.50 – 4.50 – 50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
fin = 10 kHz, RL = 600 , CL = 50 pF 6.00 – 6.00 – 50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
fin = 1.0 MHz, RL = 50 , CL = 10 pF 2.25 – 2.25 – 40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
4.50 – 4.50 – 40
6.00 – 6.00 – 40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
−
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Switch ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Feedthrough Noise, Control to
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin 1 MHz Square Wave (tr = tf = 6 ns)
Adjust RL at Setup so that IS = 0 A
RL = 600 , CL = 50 pF
2.25
4.50
– 2.25
– 4.50
60
130
mVPP
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 7) 6.00 – 6.00 200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
RL = 10 k, CL = 10 pF 2.25 – 2.25 30
4.50 – 4.50 65
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
6.00 – 6.00 100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
− Crosstalk Between Any Two fin Sine Wave 2.25 – 2.25 – 70 dB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Switches Adjust fin Voltage to Obtain 0 dBm at VIS 4.50 – 4.50 – 70
(Figure 12) fin = 10 kHz, RL = 600 , CL = 50 pF 6.00 – 6.00 – 70
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
fin = 1.0 MHz, RL = 50 , CL = 10 pF 2.25
4.50
– 2.25
– 4.50
– 80
– 80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
6.00 – 6.00 – 80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
THD Total Harmonic Distortion fin = 1 kHz, RL = 10 k, CL = 50 pF %
(Figure 14) THD = THDMeasured − THDSource
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VIS = 4.0 VPP sine wave 2.25 – 2.25 0.10
VIS = 8.0 VPP sine wave 4.50 – 4.50 0.06
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
*Limits not tested. Determined by design and verified by qualification.
VIS = 11.0 VPP sine wave 6.00 – 6.00 0.04
http://onsemi.com
251
MC74HC4316A
TBD TBD
TBD TBD
PLOTTER
PROGRAMMABLE
POWER MINI COMPUTER DC ANALYZER
SUPPLY
TBD
− + VCC
DEVICE
UNDER TEST
GND VEE
http://onsemi.com
252
MC74HC4316A
VCC
VCC VCC
VEE 16 VCC 16
A ON N/C
VCC A OFF
O/I
VEE
VIL VIH
7 SELECTED 7 SELECTED
8 CONTROL 8 CONTROL
9 INPUT 9 INPUT
VEE VEE
Figure 3. Maximum Off Channel Leakage Current, Figure 4. Maximum On Channel Leakage Current,
Any One Channel, Test Set−Up Test Set−Up
VIS
VCC VCC VCC
16 RL 16
TO dB TO dB
fin ON fin OFF
METER METER
0.1 F RL CL* 0.1 F RL RL CL*
VCC
7 7
SELECTED SELECTED
8 8
CONTROL CONTROL
9 9
INPUT INPUT
VEE VEE
*Includes all probe and jig capacitance. *Includes all probe and jig capacitance.
VCC
16
TEST
ON/OFF POINT VCC
RL
RL CL*
7 50%
8 ANALOG IN
9 SELECTED GND
CONTROL tPLH tPHL
VEE INPUT
CONTROL 50%
ANALOG OUT
*Includes all probe and jig capacitance.
Figure 7. Feedthrough Noise, Control to Analog Out, Figure 8. Propagation Delays, Analog In to
Test Set−Up Analog Out
http://onsemi.com
253
MC74HC4316A
VCC
16 tr tf
ANALOG I/O ANALOG O/I TEST ENABLE VCC
ON POINT 50%
50 pF* CONTROL GND
tPZL tPLZ
HIGH
7 SELECTED VCC IMPEDANCE
8 50%
CONTROL 10% VOL
9 ANALOG
INPUT tPZH tPHZ
OUT 90% VOH
50%
HIGH
*Includes all probe and jig capacitance. IMPEDANCE
Figure 9. Propagation Delay Test Set−Up Figure 10. Propagation Delay, ON/OFF Control
to Analog Out
VIS
1
POSITIONWHEN TESTING tPHZ AND tPZH
1 2
POSITIONWHEN TESTING tPLZ AND tPZL
VCC
RL
2 fin 16
VCC RL
VCC 1 k 0.1 F ON
16
1 CL*
TEST ANALOG I/O
ON/OFF POINT
2
50 pF* TEST
OFF POINT
CONTROL RL CL*
OR 7
8 VCC
ENABLE
9 SELECTED
8 CONTROL
9 VEE INPUT
*Includes all probe and jig capacitance. *Includes all probe and jig capacitance.
Figure 11. Propagation Delay Test Set−Up Figure 12. Crosstalk Between Any Two Switches,
Test Set−Up (Adjacent Channels Used)
VCC
A
VIS
16 VCC VOS
10 F 16
TO
N/C ON/OFF N/C fin ON DISTORTION
RL CL* METER
7
8 SELECTED
7
9 CONTROL SELECTED
8 VCC
INPUT CONTROL
VEE 9
INPUT
VEE
CONTROL
Figure 13. Power Dissipation Capacitance Figure 14. Total Harmonic Distortion, Test Set−Up
Test Set−Up
http://onsemi.com
254
MC74HC4316A
APPLICATIONS INFORMATION
0
−10 FUNDAMENTAL FREQUENCY
−20
−30
−40
dBm
−50
DEVICE
−60
SOURCE
−70
−80
−90
− 100
1.0 2.0 3.0
FREQUENCY (kHz)
The Enable and Control pins should be at VCC or GND Therefore, using the configuration in Figure 16, a maximum
logic levels, VCC being recognized as logic high and GND analog signal of twelve volts peak−to−peak can be
being recognized as a logic low. Unused analog controlled.
inputs/outputs may be left floating (not connected). When voltage transients above VCC and/or below VEE are
However, it is advisable to tie unused analog inputs and anticipated on the analog channels, external diodes (Dx) are
outputs to VCC or VEE through a low value resistor. This recommended as shown in Figure 17. These diodes should
minimizes crosstalk and feedthrough noise that may be be small signal, fast turn−on types able to absorb the
picked up by the unused I/O pins. maximum anticipated current surges during clipping. An
The maximum analog voltage swings are determined by alternate method would be to replace the Dx diodes with
the supply voltages VCC and VEE. The positive peak analog MOSORBs (MOSORB is an acronym for high current
voltage should not exceed VCC. Similarly, the negative peak surge protectors). MOSORBs are fast turn−on devices
analog voltage should not go below VEE. In the example ideally suited for precise dc protection with no inherent wear
below, the difference between VCC and VEE is 12 V. out mechanism.
VCC VCC
VCC = 6 V
16 Dx 16 Dx
+6V +6V
ANALOG I/O ANALOG O/I
ON ON
−6 V −6 V VCC
Dx SELECTED Dx
+6V SELECTED CONTROL VEE
CONTROL INPUT
VEE
INPUT
ENABLE CONTROL VEE ENABLE CONTROL
VEE INPUTS INPUTS
8 (VCC OR GND) (VCC OR GND)
−6 V
http://onsemi.com
255
MC74HC4316A
VCC = 5 V +5 V
VCC = 12 V
12 V R1
POWER GND = 6 V
SUPPLY
R2
VEE = 0 V
R1 = R2
VCC
ANALOG ANALOG
INPUT R3 OUTPUT
SIGNAL 1 OF 4 SIGNAL 12 V
12 VPP
SWITCHES 0
C R4
R1 = R2
R3 = R4
VEE
1 OF 4
CHANNEL 4
SWITCHES
1 OF 4
CHANNEL 3
SWITCHES
COMMON I/O
1 OF 4
CHANNEL 2
SWITCHES
−
1 OF 4 OUTPUT
CHANNEL 1 1 OF 4
SWITCHES INPUT + LF356 OR
SWITCHES
EQUIVALENT
0.01 F
1 2 3 4
CONTROL INPUTS
http://onsemi.com
256
MC74HC4538A
CX1 RX1
VCC
1 2
4 6
TRIGGER A1 Q1
INPUTS 5 7
B1 Q1
3
RESET 1
CX2 RX2
VCC
15 14
12 10
TRIGGER A2 Q2
INPUTS 11 9
B2 Q2
13
PIN 16 = VCC RESET 2
PIN 8 = GND
RX AND CX ARE EXTERNAL COMPONENTS
PIN 1 AND PIN 15 MUST BE HARD WIRED TO GND
FUNCTION TABLE
Inputs Outputs
Reset A B Q Q
H H
H L
H X L Not Triggered
H H X Not Triggered
H L,H, H Not Triggered
H L L,H, Not Triggered
L X X L H
X X Not Triggered
http://onsemi.com
258
MC74HC4538A
3. Absolute maximum continuous ratings are those values beyond which damage to the device may occur. Extended exposure to these
conditions or conditions beyond those indicated may adversely affect device reliability. Functional operation under absolute maximum−rated
conditions is not implied.
4. IO absolute maximum rating must be observed.
5. Tested to EIA/JESD22−A114−A.
6. Tested to EIA/JESD22−A115−A.
7. Tested to JESD22−C101−A.
8. Tested to EIA/JESD78.
9. For high frequency or heavy load considerations, see the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
*The HC4538A will function at 2.0 V but for optimum pulse−width stability, VCC should be above 3.0 V.
†The maximum allowable values of Rx and Cx are a function of the leakage of capacitor Cx, the leakage of the HC4538A, and leakage due to board layout
and surface resistance. For most applications, Cx/Rx should be limited to a maximum value of 10 F/1.0 M. Values of Cx > 1.0 F may cause a
problem during power down (see Power Down Considerations). Susceptibility to externally induced noise signals may occur for Rx > 1.0 M.
10. Unused inputs may not be left open. All inputs must be tied to a high−logic voltage level or a low−logic input voltage level.
11. Information on typical parametric values can be found in the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
259
MC74HC4538A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limits
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
–55 to 25C 85C 125C
VCC
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions Volts Min Max Min Max Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VIH Minimum High−Level Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 2.0 1.5 1.5 1.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Input Voltage |Iout| 20 µA 4.5 3.15 3.15 3.15
6.0 4.2 4.2 4.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
VIL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Input Voltage ÎÎÎ
Maximum Low−Level
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
ÎÎ
|Iout| 20 µA
2.0
4.5
0.5
1.35
0.5
1.35
0.5
1.35
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 1.8 1.8 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Vin = VIH or VIL 2.0 1.9 1.9 1.9 V
Output Voltage |Iout| 20 µA 4.5 4.4 4.4 4.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 5.9 5.9 5.9
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| − 4.0 mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
4.5 3.98 3.84 3.7
|Iout| − 5.2 mA 6.0 5.48 5.34 5.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
VOL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Low−Level
ÎÎÎ
Output Voltage ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
ÎÎ
|Iout| 20 µA
2.0
4.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 4.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
|Iout| 5.2 mA 6.0 0.26 0.33 0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Iin Maximum Input Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Leakage Current
(A, B, Reset)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Leakage Current ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Vin = VCC or GND
ÎÎ
6.0 ± 50 ± 500 ± 500 nA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(Rx, Cx)
µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ICC Maximum Quiescent Vin = VCC or GND 6.0 130 220 350
Supply Current Q1 and Q2 = Low
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(per package) Iout = 0 µA
Standby State
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Maximum Supply
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Vin = VCC or GND
Q1 and Q2 = High 25C –45C to 85C –55C to 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
(per package) Iout = 0 µA
Active State Pins 2 and 14 = 0.5 VCC 6.0 400 600 800 µA
http://onsemi.com
260
MC74HC4538A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
AC CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
Guaranteed Limits
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
–55 to 25C 85C 125C
VCC
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Volts Min Max Min Max Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tPLH Maximum Propagation Delay 2.0 175 220 265 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Input A or B to Q 4.5 35 44 53
(Figures 6 and 8) 6.0 30 37 45
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
Input A or B to NQ
ÎÎÎÎÎ
Maximum Propagation Delay
ÎÎ
2.0
4.5
195
39
245
49
295
59
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(Figures 6 and 8) 6.0 33 42 50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tPHL Maximum Propagation Delay 2.0 175 220 265 ns
Reset to Q 4.5 35 44 53
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(Figures 7 and 8) 6.0 30 37 45
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tPLH Maximum Propagation Delay 2.0 175 220 265 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Reset to NQ 4.5 35 44 53
(Figures 7 and 8) 6.0 30 37 45
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTLH,
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTHL ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, Any Output
ÎÎÎ
(Figures 7 and 8)
ÎÎÎÎÎ
2.0
4.5
75
15
95
19
110
22
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 13 16 19
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Cin Maximum Input Capacitance (A. B, Reset) — 10 10 10 pF
(Cx, Rx) 25 25 25
12. For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see the ON Semiconductor High−Speed
CMOS Data Book (DL129/D).
*Used to determine the no−load dynamic power consumption: P D = CPD VCC 2 f + ICC VCC . For load considerations, see the ON Semiconductor
High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TIMING CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limits
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
–55 to 25C 85C 125C
VCC
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Volts Min Max Min Max Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
trec Minimum Recovery Time, Inactive to A or B 2.0 0 0 0 ns
(Figure 7) 4.5 0 0 0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 0 0 0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tw
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 6)
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Minimum Pulse Width, Input A or B
ÎÎ
2.0
4.5
6.0
60
12
10
75
15
13
90
18
15
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tw
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 7) ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
Minimum Pulse Width, Reset
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
2.0
4.5
60
12
75
15
90
18
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 10 13 15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tr, tf Maximum Input Rise and Fall Times, Reset 2.0 1000 1000 1000 ns
(Figure 7) 4.5 500 500 500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 400 400 400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
A or B 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(Figure 7) 4.5 No Limit
6.0
http://onsemi.com
261
MC74HC4538A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OUTPUT PULSE WIDTH CHARACTERISTICS (CL = 50 pF)t
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Conditions Guaranteed Limits
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
–55 to 25C 85C 125C
VCC
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Timing Components Volts Min Max Min Max Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
τ Output Pulse Width* Rx = 10 kΩ, Cx = 0.1 µF 5.0 0.63 0.77 0.6 0.8 0.59 0.81 ms
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(Figures 6 and 8)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
— Pulse Width Match — — ± 5.0 %
Between Circuits in the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
same Package
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
— Pulse Width Match — — ± 10 %
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Variation (Part to Part)
*For output pulse widths greater than 100 µs, typically τ = kRxCx, where the value of k may be found in Figure 5.
0.8 10 s
k, OUTPUT PULSE WIDTH CONSTANT
TA = 25°C
1s VCC = 5 V, TA = 25°C
0.6 10 ms
(TYPICAL)
1 ms
0.5 100 µs 1 MΩ
10 µs 100 kΩ
0.4
1 µs 10 kΩ
0.3 100 ns 1 kΩ
1 2 3 4 5 6 7 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100
VCC, POWER SUPPLY VOLTAGE (VOLTS) CAPACITANCE (µF)
Figure 5. Typical Output Pulse Width Constant, Figure 6. Output Pulse Width versus Timing Capacitance
k, versus Supply Voltage
(For output pulse widths > 100 µs: τ = kRxCx)
1.1
Rx = 100 kΩ TA = 25°C
(NORMALIZED TO 5 V NUMBER)
Cx = 1000 pF
1
OUTPUT PULSE WIDTH (τ)
0.9
0.8
Rx = 1 MΩ
0.7 Cx = 0.1 µF
0.6
0.5
1 2 3 4 5 6 7
VCC, POWER SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
http://onsemi.com
262
MC74HC4538A
1.1
0.9
0.85
VCC = 3 V
0.8
−75 −50 −25 0 25 50 75 100 125 150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
1.03
(NORMALIZED TO 25C NUMBER)
OUTPUT PULSE WIDTH (τ)
1.02 Rx = 10 kΩ
Cx = 0.1 µF
1.01
VCC = 5.5 V
0.99
0.98 VCC = 5 V
VCC = 4.5 V
0.97
−75 −50 −25 0 25 50 75 100 125 150
tw(H)
VCC
50%
A GND
tw(L)
B VCC
50%
GND
tPLH τ tPLH τ
50%
Q
tPHL τ tPHL τ
Q
50%
http://onsemi.com
263
MC74HC4538A
tr tf
VCC
90%
A 10% GND
trr
VCC
50%
B GND
tf tf
VCC
90%
RESET 50%
10% GND
tw(L) trec
tTLH τ + trr
tPHL
90% (RETRIGGERED PULSE)
50% 50%
Q 10%
tTHL tPLH
Q
90%
50%
10%
TEST POINT
OUTPUT
DEVICE
UNDER
TEST CL*
http://onsemi.com
264
MC74HC4538A
PIN DESCRIPTIONS
http://onsemi.com
265
MC74HC4538A
RxCx
UPPER
REFERENCE OUTPUT
CIRCUIT LATCH
−
VCC + Vre,
UPPER
M1 LOWER
VCC REFERENCE
CIRCUIT
2 kΩ −
M2 + Q
Vre,
LOWER
M3
TRIGGER
CONTROL CIRCUIT
A
C Q
TRIGGER CONTROL
CB RESET CIRCUIT
B R
RESET
POWER
ON
RESET
RESET LATCH
http://onsemi.com
266
MC74HC4538A
CIRCUIT OPERATION
7
trr
TRIGGER INPUT A
(PIN 4 OR 12)
TRIGGER INPUT B
(PIN 5 OR 11) 8
24
9
TRIGGER-CONTROL 3 14
CIRCUIT OUTPUT
4 11 21 23
15 17
RX/CX INPUT
12
(PIN 2 OR 14)
Vref UPPER 25
Vref LOWER 13
5 18
UPPER REFERENCE
CIRCUIT 13
LOWER REFERENCE 6 16
CIRCUIT
RESET INPUT
20
(PIN 3 OR 13)
1
RESET LATCH
22
10
2 19
Q OUTPUT
(PIN 6 OR 10)
τ τ τ + trr
http://onsemi.com
267
MC74HC4538A
When Cx charges up to the reference voltage of the upper occurs, the output of the reset latch goes low (#22), turning
reference circuit (#17), the output of the upper reference on transistor M1. Thus Cx is allowed to quickly charge up to
circuit goes low (#18). This causes the output latch to toggle, VCC (#23) to await the next trigger signal.
taking the Q output of the HC4538A to a low state (#19), and On power up of the HC4538A the power−on reset circuit
completing the time−out cycle. will be high causing a reset condition. This will prevent the
trigger−control circuit from accepting a trigger input during
POWER−DOWN CONSIDERATIONS this state. The HC4538A’s Q outputs are low and the Q not
Large values of Cx may cause problems when powering outputs are high.
down the HC4538A because of the amount of energy stored
in the capacitor. When a system containing this device is RETRIGGER OPERATION
powered down, the capacitor may discharge from VCC When used in the retriggerable mode (Figure 12), the
through the input protection diodes at pin 2 or pin 14. HC4538A may be retriggered during timing out of the
Current through the protection diodes must be limited to 30 output pulse at any time after the trigger−control circuit
mA; therefore, the turn−off time of the VCC power supply flip−flop has been reset (#24), and the voltage across Cx is
must not be faster than t = VCCC x /(30 mA). For example, above the lower reference voltage. As long as the Cx voltage
if VCC = 5.0 V and Cx = 15 µF, the VCC supply must turn off is below the lower reference voltage, the reset of the
no faster than t = (5.0 V)(15 µF)/30 mA = 2.5 ms. This is flip−flop is high, disabling any trigger pulse. This prevents
usually not a problem because power supplies are heavily M3 from turning on during this period resulting in an output
filtered and cannot discharge at this rate. pulse width that is predictable.
When a more rapid decrease of VCC to zero volts occurs, The amount of undershoot voltage on RxCx during the
the HC4538A may sustain damage. To avoid this possibility, trigger mode is a function of loop delay, M3 conductivity,
use an external damping diode, Dx, connected as shown in and V DD. Minimum retrigger time, trr (Figure 7), is a
Figure 11. Best results can be achieved if diode Dx is chosen function of 1) time to discharge R x C x from V DD to lower
to be a germanium or Schottky type diode able to withstand reference voltage (T discharge); 2) loop delay (T delay); 3)
large current surges. time to charge Rx C x from the undershoot voltage back to the
lower reference voltage (Tcharge).
RESET AND POWER ON RESET OPERATION Figure 13 shows the device configured in the
A low voltage applied to the Reset pin always forces the non−retriggerable mode.
Q output of the HC4538A to a low state. For additional information, please see Application Note
The timing diagram illustrates the case in which reset (AN1558/D) titled Characterization of Retrigger Time in
occurs (#20) while Cx is charging up toward the reference the HC4538A Dual Precision Monostable Multivibrator.
voltage of the upper reference circuit (#21). When a reset
DX
CX VCC
RX
Q
A
B Q
RESET
http://onsemi.com
268
MC74HC4538A
TYPICAL APPLICATIONS
CX RX CX RX
RISING−EDGE RISING−EDGE
TRIGGER TRIGGER VCC
VCC
Q Q
A A
B Q
B Q
B = VCC
CX RX CX RX
FALLING−EDGE
VCC TRIGGER VCC
A = GND
Q
Q
A
B Q B Q
FALLING−EDGE
TRIGGER
RESET = VCC RESET = VCC
Figure 16. Retriggerable Monostable Circuitry Figure 17. Non−retriggerable Monostable Circuitry
GND N/C
A = GND
RXCX
Q N/C
VCC
B
Q N/C
RESET
http://onsemi.com
269
MC74HC4851A,
MC74HC4852A
Analog Multiplexers/
Demultiplexers with
Injection Current Effect
Control http://onsemi.com
1
A = Assembly Location
WL or L = Wafer Lot
YY or Y = Year
WW or W = Work Week
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 279 of this data sheet.
1 2 3 4 5 6 7 8
X4 X6 X X7 X5 Enable NC GND
Figure 2. MC74HC4851A 16−Lead Pinout (Top View)
http://onsemi.com
271
MC74HC4851A, MC74HC4852A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC Positive DC Supply Voltage (Referenced to GND) –0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Any Pin) (Referenced to GND) –0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
I DC Current, Into or Out of Any Pin 25 mA
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 cuit. For proper operation, Vin and
TSSOP Package† 450 Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
range GND (Vin or Vout) VCC.
Tstg Storage Temperature Range –65 to + 150 °C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
TL Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 °C tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Seconds 260 level (e.g., either GND or VCC).
Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package Unused outputs must be left open.
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/°C from 65° to 125°C
SOIC Package: – 7 mW/°C from 65° to 125°C
TSSOP Package: − 6.1 mW/°C from 65° to 125°C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Positive DC Supply Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage (Any Pin)
(Referenced to GND)
(Referenced to GND)
2.0
GND
6.0
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIO*
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TA ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Static or Dynamic Voltage Across Switch
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature Range, All Package Types
0.0
– 55
1.2
+ 125
V
°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise/Fall Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
(Channel Select or Enable Inputs)
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
0
0
1000
500
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC = 6.0 V 0 400
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*For voltage drops across switch greater than 1.2 V (switch on), excessive VCC current may
be drawn; i.e., the current out of the switch may contain both VCC and switch input compo-
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
nents. The reliability of the device will be unaffected unless the Maximum Ratings are ex-
ceeded.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC CHARACTERISTICS — Digital Section (Voltages Referenced to GND) VEE = GND, Except Where Noted
Guaranteed Limit
VCC
Symbol Parameter Condition V −55 to 25°C ≤85°C ≤125°C Unit
VIH Minimum High−Level Input Ron = Per Spec 2.0 1.50 1.50 1.50 V
Voltage, Channel−Select or Enable 3.0 2.10 2.10 2.10
Inputs 4.5 3.15 3.15 3.15
6.0 4.20 4.20 4.20
VIL Maximum Low−Level Input Ron = Per Spec 2.0 0.50 0.50 0.50 V
Voltage, Channel−Select or Enable 3.0 0.90 0.90 0.90
Inputs 4.5 1.35 1.35 1.35
6.0 1.80 1.80 1.80
Iin Maximum Input Leakage Current Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 A
on Digital Pins (Enable/A/B/C)
ICC Maximum Quiescent Supply Vin(digital) = VCC or GND 6.0 2 20 40 A
Current (per Package) Vin(analog) = GND
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
272
MC74HC4851A, MC74HC4852A
http://onsemi.com
273
MC74HC4851A, MC74HC4852A
1100 1100
1000 1000
900 900
R on , ON RESISTANCE (OHMS)
R on , ON RESISTANCE (OHMS)
−55°C
800 800
+25°C
700 700
+125°C
600 600
500 500
−55°C
400 400
+25°C
300 300 +125°C
200 200
100 100
0 0
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 0.0 0.6 1.2 1.8 2.4 3.0
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS), REFERENCED TO GND Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS), REFERENCED TO GND
660 440
600 400
540 360
R on , ON RESISTANCE (OHMS)
R on , ON RESISTANCE (OHMS)
480 320
−55°C
420 280
+25°C
360 −55°C 240
+125°C
300 200
+25°C
240 160
+125°C
180 120
120 80
60 40
0 0
0.0 0.9 1.8 2.7 3.6 4.5 0.0 1.2 2.4 3.6 4.8 6.0
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS), REFERENCED TO GND Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS), REFERENCED TO GND
http://onsemi.com
274
MC74HC4851A, MC74HC4852A
VCC = 5V
Iin
5V 6V
5V VCC
VCC
HC4051A Microcontroller
Sensor
Channel 1
Channel 2
Channel 3
Channel 4
Channel 5
Channel 6
Channel 7
Channel 8
(8x Identical Circuitry) Common Out A/D − Input
5V VCC
VCC
HC4851A Microcontroller
Sensor
Channel 1
Channel 2
Channel 3
Channel 4
Channel 5
Channel 6
Channel 7
Channel 8
(8x Identical Circuitry) Common Out A/D − Input
http://onsemi.com
275
MC74HC4851A, MC74HC4852A
PLOTTER
VCC
PROGRAMMABLE
POWER MINI COMPUTER DC ANALYZER VCC
VEE 16
SUPPLY
OFF
− + VCC VCC A
NC OFF COMMON O/I
DEVICE
UNDER TEST
VIH 6
ANALOG IN COMMON OUT
8
GND
VCC
VIH 6 VIL 6
8 8
Figure 14. Maximum Off Channel Leakage Current, Figure 15. Maximum On Channel Leakage Current,
Common Channel, Test Set−Up Channel to Channel, Test Set−Up
VCC
VCC
16
VCC
CHANNEL ON/OFF COMMON O/I
50% TEST
SELECT ANALOG I/O
POINT
OFF/ON CL*
GND
tPLH tPHL
6
ANALOG
OUT 50%
8
CHANNEL SELECT
Figure 16. Propagation Delays, Channel Select Figure 17. Propagation Delay, Test Set−Up Channel
to Analog Out Select to Analog Out
http://onsemi.com
276
MC74HC4851A, MC74HC4852A
VCC
16
ANALOG I/O COMMON O/I
VCC TEST
ON
ANALOG POINT
IN 50% CL*
GND
tPLH tPHL
6
ANALOG 8
OUT 50%
Figure 18. Propagation Delays, Analog In Figure 19. Propagation Delay, Test Set−Up
to Analog Out Analog In to Analog Out
Figure 20. Propagation Delays, Enable to Figure 21. Propagation Delay, Test Set−Up
Analog Out Enable to Analog Out
VCC
A
VCC
16
ON/OFF COMMON O/I
ANALOG I/O NC
OFF/ON
6 VCC
8 11
CHANNEL SELECT
http://onsemi.com
277
MC74HC4851A, MC74HC4852A
Gate = VCC
Disabled Analog Mux Input (Disabled) Common Analog Output
Vin > VCC + 0.7V Vout > VCC
P+ P+
+
+
+
INJECTION 13
11 CURRENT X0
A CONTROL
INJECTION 14
CURRENT X1
CONTROL
10 INJECTION
B 15
CURRENT X2
CONTROL
INJECTION 12
CURRENT X3
CONTROL
9 INJECTION
C 1
CURRENT X4
CONTROL
INJECTION 5
CURRENT X5
CONTROL
INJECTION 2
6 CURRENT X6
ENABLE CONTROL
INJECTION 4
CURRENT X7
CONTROL
INJECTION 3
CURRENT X
CONTROL
http://onsemi.com
278
MC74HC4851A, MC74HC4852A
INJECTION 13
10 CURRENT X0
A CONTROL
INJECTION 14
CURRENT X1
CONTROL
9 INJECTION 15
B
CURRENT X2
CONTROL
INJECTION 12
CURRENT X3
CONTROL
INJECTION 13
CURRENT X
CONTROL
6 INJECTION
ENABLE 1
CURRENT Y0
CONTROL
INJECTION 5
CURRENT Y1
CONTROL
INJECTION 2
CURRENT Y2
CONTROL
INJECTION 4
CURRENT Y3
CONTROL
INJECTION 3
CURRENT Y
CONTROL
Figure 25. Function Diagram, HC4852A
http://onsemi.com
279
MC74HC540A
20
1
HC540A
TSSOP−20 ALYW
DT SUFFIX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 CASE 948E
OE1 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 GND
A = Assembly Location
Figure 1. Pinout: 20−Lead Packages (Top View)
L, WL = Wafer Lot
Y, YY = Year
W, WW = Work Week
FUNCTION TABLE
Inputs ORDERING INFORMATION
Output Y
OE1 OE2 A Device Package Shipping
L L L H MC74HC540AN PDIP−20 1440/Box
L L H L
MC74HC540ADW SOIC−WIDE 38/Rail
H X X Z
MC74HC540ADWR2 SOIC−WIDE 1000/Reel
X H X Z
MC74HC540ADT TSSOP−20 75/Rail
Z = High Impedance
X = Don’t Care MC74HC540ADTR2 TSSOP−20 2500/Reel
2 18
A1 Y1
3 17
A2 Y2
4 16
A3 Y3
5 15
Data A4 Y4 Inverting
Inputs 6 14 Outputs
A5 Y5
7 13
A6 Y6
8 12
A7 Y7
9 11
A8 Y8
1
Output OE1
OE2 PIN 20 = VCC
Enables 19 PIN 10 = GND
http://onsemi.com
281
MC74HC540A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage
Parameter
(Referenced to GND)
Min
2.0
Max
6.0
Unit
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
(Referenced to GND)
55
0 VCC
125
V
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time (Figure 3)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
0
0
0
1000
500
400
ns
7. Unused inputs may not be left open. All inputs must be tied to a high− or low−logic input voltage level.
http://onsemi.com
282
MC74HC540A
http://onsemi.com
283
MC74HC540A
VCC
OE1 or OE2
tr tf 50% 50%
*Includes all probe and jig capacitance *Includes all probe and jig capacitance
To 7 Other Inverters
INPUT A
OUTPUT Y
OE1
OE2
http://onsemi.com
284
MC74HC540A
PIN DESCRIPTIONS
http://onsemi.com
285
MC74HC541A
VCC OE2 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 Y8
20 19 18 17 16 15 14 13 12 11
20
1
HC541A
TSSOP−20 ALYW
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 DT SUFFIX
OE1 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 GND CASE 948E
2 18
A1 Y1
3 17
A2 Y2
4 16
A3 Y3
5 15
Data A4 Y4 Noninverting
Inputs 6 14 Outputs
A5 Y5
7 13
A6 Y6
8 12
A7 Y7
9 11
A8 Y8
http://onsemi.com
287
MC74HC541A
11. Absolute maximum continuous ratings are those values beyond which damage to the device may occur. Extended exposure to these
conditions or conditions beyond those indicated may adversely affect device reliability. Functional operation under absolute maximum−rated
conditions is not implied.
12. IO absolute maximum rating must be observed.
13. Tested to EIA/JESD22−A114−A.
14. Tested to EIA/JESD22−A115−A.
15. Tested to JESD22−C101−A.
16. Tested to EIA/JESD78.
17. For high frequency or heavy load considerations, see the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage
Parameter
(Referenced to GND)
Min
2.0
Max
6.0
Unit
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIN, VOUT
ÎÎÎÎ
TA ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature Range, All Package Types
(Referenced to GND) 0
55
VCC
125
V
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(Figure 10)
ÎÎÎ
Input Rise/Fall Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
0
0
0
1000
500
400
ns
18. Unused inputs may not be left open. All inputs must be tied to a high−logic voltage level or a low−logic input voltage level.
http://onsemi.com
288
MC74HC541A
19. Information on typical parametric values can be found in the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
20. For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see the ON Semiconductor High−Speed
CMOS Data Book (DL129/D).
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V, VEE = 0 V
CPD Power Dissipation Capacitance (Per Buffer) (Note 21) 35 pF
21. Used to determine the no−load dynamic power consumption: P D = C PD V CC 2 f + I CC V CC . For load considerations, see the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
289
MC74HC541A
tr tf
VCC
90%
INPUT A 50%
10% GND
tPLH tPHL
90%
50%
OUTPUT Y
10%
tTLH tTHL
VCC
OE1 or OE2 50% 50%
GND
tPZL tPLZ
HIGH
IMPEDANCE
OUTPUT Y 50%
10% VOL
tPZH tPHZ
90% VOH
OUTPUT Y
50%
HIGH
IMPEDANCE
TEST TEST
POINT POINT
CONNECT TO VCC WHEN
OUTPUT 1 k
OUTPUT TESTING tPLZ AND tPZL.
DEVICE DEVICE CONNECT TO GND WHEN
UNDER UNDER TESTING tPHZ and tPZH.
CL* TEST CL*
TEST
*Includes all probe and jig capacitance *Includes all probe and jig capacitance
PIN DESCRIPTIONS
http://onsemi.com
290
MC74HC541A
To 7 Other Buffers
INPUT A
OUTPUT Y
OE1
OE2
http://onsemi.com
291
MC74HC573A
A = Assembly Location
WL = Wafer Lot
YY = Year
WW = Work Week
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 294 of this data sheet.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
OUTPUT
2 19 1 20 VCC
D0 Q0 ENABLE
3 18 D0 2 19 Q0
D1 Q1
4 17 D1 3 18 Q1
D2 Q2
DATA 5 16 NONINVERTING D2 4 17 Q2
D3 Q3
INPUTS 6 15 OUTPUTS
D4 Q4 D3 5 16 Q3
7 14
D5 Q5 D4 6 15 Q4
8 13
D6 Q6 D5 7 14 Q5
9 12
D7 Q7 D6 8 13 Q6
11 D7 9 12 Q7
LATCH ENABLE
PIN 20 = VCC GND 10 11 LATCH
1 ENABLE
OUTPUT ENABLE PIN 10 = GND
FUNCTION TABLE
Inputs Output
Output Latch
Enable Enable D Q
L H H H
L H L L
L L X No Change
H X X Z
X = Don’t Care
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Z = High Impedance
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Design Criteria Value Units
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Count* 54.5 ea.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Internal Gate Propagation Delay
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Power Dissipation
1.5
5.0
ns
W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Speed Power Product
*Equivalent to a two−input NAND gate.
0.0075 pJ
http://onsemi.com
293
MC74HC573A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iout DC Output Current, per Pin ± 35 mA cuit. For proper operation, Vin and
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 75 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW Unused inputs must always be
tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500
TSSOP Package† 450 level (e.g., either GND or VCC).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Plastic DIP, TSSOP or SOIC Package) 260
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings
applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/C from 65 to 125C
SOIC Package: – 7 mW/C from 65 to 125C
TSSOP Package: −6.1 mW/°C from 65 to 125C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
Î ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
2.0
0
6.0
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types – 55 + 125 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 1)
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
0
0
0
1000
500
400
ns
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping†
MC74HC573AN PDIP−20 1440 Units / Box
MC74HC573ANG PDIP−20 1440 Units / Box
(Pb−Free)
http://onsemi.com
294
MC74HC573A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
VCC Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V – 55 to 25C 85C 125C Unit
VIH Minimum High−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 2.0 1.5 1.5 1.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Voltage |Iout| 20 A 3.0 2.1 2.1 2.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
4.5 3.15 3.15 3.15
6.0 4.2 4.2 4.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VIL Maximum Low−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 2.0 0.5 0.5 0.5 V
|Iout| 20 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Voltage 3.0 0.9 0.9 0.9
4.5 1.35 1.35 1.35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 1.8 18 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Output Vin = VIH or VIL 2.0 1.9 1.9 1.9 V
Voltage |Iout| 20 A 4.5 4.4 4.4 4.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 5.9 5.9 5.9
|Iout| ≤ 2.4mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Vin = VIH or VIL 3.0 2.48 2.34 2.2
|Iout| 6.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
|Iout| 7.8 mA 6.0 5.48 5.34 5.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VOL Maximum Low−Level Output Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 2.0 0.1 0.1 0.1 V
Voltage |Iout| 20 A 4.5 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 0.1 0.1 0.1
|Iout| ≤ 2.4mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Vin = VIH or VIL 3.0 0.26 0.33 0.4
|Iout| 6.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
|Iout| 7.8 mA 6.0 0.26 0.33 0.4
± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Iin Maximum Input Leakage Current Vin = VCC or GND 6.0
IOZ Maximum Three−State Output in High−Impedance State 6.0 – 0.5 – 5.0 – 10 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Leakage Current Vin = VIL or VIH
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Vout = VCC or GND
ICC Maximum Quiescent Supply Vin = VCC or GND 6.0 4.0 40 160 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Current (per Package) IIoutI = 0 A
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VCC Guaranteed Limit
V – 55 to 25C 85C 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Unit
tPLH, Maximum Propagation Delay, Input D to Q 2.0 150 190 225 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPHL (Figures 1 and 5) 3.0 100 140 180
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
4.5 30 38 45
6.0 26 33 38
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Latch Enable to Q 2.0 160 200 240 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPHL (Figures 2 and 5) 3.0 105 145 190
4.5 32 40 48
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 27 34 41
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPLZ, Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q 2.0 150 190 225 ns
tPHZ (Figures 3 and 6) 3.0 100 125 150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
4.5 30 38 45
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 26 33 38
tPZL, Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q 2.0 150 190 225 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPZH (Figures 3 and 6) 3.0 100 125 150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
4.5 30 38 45
6.0 26 33 38
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTLH,
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTHL
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(Figures 1 and 5)
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, Any Output
ÎÎ
2.0
3.0
4.5
60
27
12
75
32
15
90
36
18
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 10 13 15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Cin Maximum Input Capacitance 10 10 10 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Cout Maximum Three−State Output Capacitance (Output in High−Impedance 15 15 15 pF
State)
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
CPD Power Dissipation Capacitance (Per Enabled Output)* 23 pF
* Used to determine the no−load dynamic power consumption: PD = CPD VCC 2 f + ICC VCC . For load considerations, see Chapter 2 of the
ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
295
MC74HC573A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TIMING REQUIREMENTS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
– 55 to 25C 85C 125C
VCC
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Fig. V Min Max Min Max Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tsu Minimum Setup Time, Input D to Latch Enable 4 2.0 50 65 75 ns
3.0 40 50 60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
4.5 10 13 15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 9.0 11 13
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
th Minimum Hold Time, Latch Enable to Input D 4 2.0 5.0 5.0 5.0 ns
3.0 5.0 5.0 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
4.5 5.0 5.0 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 5.0 5.0 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Latch Enable 2 2.0 75 95 110 ns
3.0 60 80 90
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
4.5 15 19 22
6.0 13 16 19
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Maximum Input Rise and Fall Times 1 2.0 1000 1000 1000 ns
ÎÎÎÎÎ
3.0 800 800 800
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
4.5 500 500 500
6.0 400 400 400
http://onsemi.com
296
MC74HC573A
SWITCHING WAVEFORMS
VCC
LATCH
tr tf 50%
ENABLE
VCC
90% GND
INPUT D 50%
10% GND tw
tPLH tPHL
90% tPLH tPHL
Q 50%
10%
tTLH tTHL Q 50%
OUTPUT 3.0 V
ENABLE 50% VALID
GND VCC
tPZL tPLZ INPUT D 50%
HIGH GND
Q 50% IMPEDANCE tSU th
10% VOL VCC
tPZH tPHZ LATCH 50%
90% VOH GND
ENABLE
Q 1.3 V
HIGH
IMPEDANCE
Figure 19. Figure 20.
2
D0 D 19
Q Q0
TEST POINT LE
3
D1 D 18
OUTPUT Q Q1
LE
DEVICE
UNDER 4
D2 D 17
TEST CL* Q Q2
LE
5
D3 D 16
Q Q3
LE
*Includes all probe and jig capacitance 6
D4 D 15
Q Q4
Figure 21. Test Circuit LE
7
D5 D 14
Q Q5
LE
8
D6 D 13
TEST POINT Q Q6
LE
CONNECT TO VCC WHEN 9
OUTPUT 1 k D7
TESTING tPLZ AND tPZL. D 12
DEVICE Q Q7
CONNECT TO GND WHEN LE
UNDER TESTING tPHZ AND tPZH.
TEST CL*
11
LATCH ENABLE
1
OUTPUT ENABLE
*Includes all probe and jig capacitance
http://onsemi.com
297
MC74HC574A
20
1
HC574A
TSSOP−20 ALYW
DT SUFFIX
CASE 948E
A = Assembly Location
L, WL = Wafer Lot
Y, YY = Year
W, WW = Work Week
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping
MC74HC574AN PDIP−20 1440/Box
MC74HC574ADW SOIC−WIDE 38/Rail
MC74HC574ADWR2 SOIC−WIDE 1000/Reel
MC74HC574ADT TSSOP−20 75/Rail
MC74HC574ADTR2 TSSOP−20 2500/Reel
OUTPUT 1 20 VCC
ENABLE
D0 2 19 Q0
D1 3 18 Q1 FUNCTION TABLE
D2 4 17 Q2 Inputs Output
D3 5 16 Q3 OE Clock D Q
D4 6 15 Q4 L H H
L L L
D5 7 14 Q5
L L,H, X No Change
D6 8 13 Q6 H X X Z
D7 9 12 Q7 X = Don’t Care
Z = High Impedance
GND 10 11 CLOCK
2 19
D0 Q0
3 18
D1 Q1
4 17
D2 Q2
DATA 5 16 NONINVERTING
D3 Q3
INPUTS 6 15 OUTPUTS
D4 Q4
7 14
D5 Q5
8 13
D6 Q6
9 12
D7 Q7
11
CLOCK
PIN 20 = VCC
1 PIN 10 = GND
OUTPUT ENABLE
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Design Criteria Value Units
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Internal Gate Count* 66.5 ea.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Internal Gate Propagation Delay
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.5 ns
W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Internal Gate Power Dissipation 5.0
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Speed Power Product 0.0075 pJ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*Equivalent to a two−input NAND gate.
http://onsemi.com
299
MC74HC574A
1. Absolute maximum continuous ratings are those values beyond which damage to the device may occur. Extended exposure to these
conditions or conditions beyond those indicated may adversely affect device reliability. Functional operation under absolute maximum−rated
conditions is not implied.
2. IO absolute maximum rating must be observed.
3. Tested to EIA/JESD22−A114−A.
4. Tested to EIA/JESD22−A115−A.
5. Tested to JESD22−C101−A.
6. Tested to EIA/JESD78.
7. For high frequency or heavy load considerations, see the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
8. Unused inputs may not be left open. All inputs must be tied to a high− or low−logic input voltage level.
http://onsemi.com
300
MC74HC574A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
V
Symbol Parameter Test Conditions 55 to 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIH
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Minimum High−Level Input
ÎÎÎ
Vout = VCC – 0.1 V
|Iout| 20 A
2.0
3.0
4.5
1.5
2.1
3.15
1.5
2.1
3.15
1.5
2.1
3.15
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
6.0 4.2 4.2 4.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
VIL Maximum Low−Level Input Vout = 0.1 V 2.0 0.5 0.5 0.5 V
|Iout| 20 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Voltage 3.0 0.9 0.9 0.9
4.5 1.35 1.35 1.35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
6.0 1.8 1.8 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Output Vin = VIH 2.0 1.9 1.9 1.9 V
Voltage |Iout| 20 A 4.5 4.4 4.4 4.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
6.0 5.9 5.9 5.9
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Output Vin = VIH |Iout| 2.4 mA 3.0 2.48 2.34 2.2 V
Voltage |Iout| 6.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
|Iout| 7.8 mA 6.0 5.48 5.34 5.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Low−Level Output
ÎÎÎ
Vin = VIL
|Iout| 20 A
2.0
4.5
6.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIL |Iout| 2.4 mA
|Iout| 6.0 mA
|Iout| 7.8 mA
3.0
4.5
6.0
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
0.4
0.4
0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input Leakage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Vin = VCC or GND 6.0 0.1 1.0 1.0 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IOZ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Maximum Three−State
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Leakage Current
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Output in High−Impedance State
Vin = VIL or VIH
Vout = VCC or GND
6.0 0.5 5.0 10 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Quiescent Supply
ÎÎÎ
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
Iout = 0 A
6.0 4.0 40 160
9. Information on typical parametric values can be found in the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
A
http://onsemi.com
301
MC74HC574A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
V
Symbol Parameter 55 to 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fmax Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle) 2.0 6.0 4.8 4.0 MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 26 and 29) 3.0 15 10 8.0
4.5 30 24 20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 35 28 24
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Clock to Q 2.0 160 200 240 ns
tPHL (Figures 26 and 29) 3.0 105 145 190
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 32 40 48
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 27 34 41
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLZ, Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q 2.0 150 190 225 ns
tPHZ (Figures 27 and 30) 3.0 100 125 150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 30 38 45
6.0 26 33 38
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPZL,
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPZH ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 27 and 30)
2.0
3.0
4.5
140
90
28
175
120
35
210
140
42
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
60 24 30 36
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tTLH, Maximum Output Transition Time, any Output 2.0 60 75 90 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tTHL (Figures 26 and 29) 3.0 27 32 36
4.5 12 15 18
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 10 13 15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cin Maximum Input Capacitance 10 10 10 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cout Maximum Three−State Output Capacitance, Output in High−Impedance 15 15 15 pF
State
10. For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see the ON Semiconductor High−Speed
CMOS Data Book (DL129/D).
*Used to determine the no−load dynamic power consumption: P D = C PD V CC 2 f + I CC V CC . For load considerations, see the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Figure Volts Min Max Min Max Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tsu Minimum Setup Time, Data to Clock 28 2.0 50 65 75 ns
3.0 40 50 60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
4.6 10 13 15
6.0 9.0 11 13
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
th
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
Minimum Hold Time, Clock to Data
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
28 2.0
3.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
4.5 5.0 5.0 5.0
6.0 5.0 5.0 5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tw
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Minimum Pulse Width, Clock
ÎÎ
26 2.0
3.0
4.5
75
60
15
95
80
19
110
90
22
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 13 16 19
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tr, tf Maximum Input Rise and Fall Times 26 2.0 1000 1000 1000 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
3.0 800 800 800
4.5 500 500 500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0 400 400 400
http://onsemi.com
302
MC74HC574A
SWITCHING WAVEFORMS
tr tf
3.0 V
VCC 1.3 V
90%
CLOCK 50% GND
10% GND tPZL tPLZ
tw HIGH
1/fmax 1.3 V IMPEDANCE
Q
tPLH tPHL 10% VOL
tPZH tPHZ
90% 90% VOH
Q 50% Q
10% HIGH
IMPEDANCE
tTLH tTHL
TEST POINT
VALID OUTPUT
VCC DEVICE
DATA 50% UNDER
GND TEST CL*
tsu th
VCC
CLOCK 50%
GND
*Includes all probe and jig capacitance.
C 19
2 Q Q0
D0 D
C 18
3 Q Q1
D1 D
C 17
4 Q Q2
D2 D
C 16
TEST POINT 5 Q Q3
D3 D
CONNECT TO VCC WHEN
OUTPUT 1 kΩ
TESTING tPLZ AND tPZL. C 15
DEVICE CONNECT TO GND WHEN 6 Q Q4
D4 D
UNDER TESTING tPHZ AND tPZH.
TEST CL*
C 14
7 Q Q5
D5 D
11
CLOCK
1
OUTPUT ENABLE
http://onsemi.com
303
MC74HC589A
8−Bit Serial or
Parallel−Input/Serial−Output
Shift Register with 3−State
Output
High−Performance Silicon−Gate CMOS http://onsemi.com
15
A
1 B 1 16 VCC
B
2 C 2 15 A
C VCC = PIN 16
PARALLEL 3 D 3 14 SA
DATA D GND = PIN 8
4 DATA SHIFT SERIAL SHIFT/
INPUTS E E 4 13
LATCH REGISTER PARALLEL LOAD
5
F F 5 12 LATCH CLOCK
6
G SERIAL G 6 11 SHIFT CLOCK
7 9
H QH DATA H 7 10 OUTPUT ENABLE
OUTPUT
12 GND 8 9 QH
LATCH CLOCK
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage
Parameter
(Referenced to GND)
Min
2.0
Max
6.0
Unit
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
(Referenced to GND) 0
55
VCC
125
V
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC = 2.0 V
VCC = 3.0 V
0
0
1000
800
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 1) VCC = 4.5 V 0 500
VCC = 6.0 V 400
7. Unused inputs may not be left open. All inputs must be tied to a high−logic voltage level or a low−logic input voltage level.
http://onsemi.com
305
MC74HC589A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIH ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Minimum High−Level Input
Test Conditions
Vout = 0.1 V or VCC 0.1 V
V
2.0
55C to 25C
1.5
85C
1.5
125C
1.5
Unit
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Voltage |Iout| 20 A 3.0 2.1 2.1 2.1
4.5 3.15 3.15 3.15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 4.2 4.2 4.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VIL Maximum Low−Level Input Vout = 0.1 V or VCC 0.1 V 2.0 0.5 0.5 0.5 V
|Iout| 20 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Voltage 3.0 0.9 0.9 0.9
4.5 1.35 1.35 1.35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 1.8 1.8 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Vin = VIH or VIL 2.0 1.9 1.9 1.9 V
Output Voltage |Iout| 20 A 4.5 4.4 4.4 4.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 5.9 5.9 5.9
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA 3.0 2.48 2.34 2.20
|Iout| 6.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.70
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
|Iout| 7.8 mA 6.0 5.48 5.34 5.20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Low−Level
ÎÎÎÎ
Output Voltage
ÎÎÎÎÎÎ
Vin = VIH
|Iout| 20 A
2.0
4.5
6.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA
|Iout| 6.0 mA
|Iout| 7.8 mA
3.0
4.5
6.0
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
0.40
0.40
0.40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input Leakage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Vin = VCC or GND 6.0 0.1 1.0 1.0 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IOZ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Three−State
ÎÎÎÎ
Leakage Current
ÎÎÎÎÎÎ
Output in High−Impedance State
Vin = VIL or VIH
Vout = VCC or GND
6.0 0.5 5.0 10 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Maximum Quiescent
ÎÎÎÎ
Supply Current
(per Package)
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Vin = VCC or GND
Iout = 0 A
6.0 4 40 160 A
8. Information on typical parametric values can be found in the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
306
MC74HC589A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
fmax ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Parameter
Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle)
V
2.0
55C to 25C
6.0
85C
4.8
125C
4.0
Unit
MHz
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
(Figures 2 and 8) 3.0 15 10 8.0
4.5 30 24 20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 35 28 24
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Latch Clock to QH 2.0 175 225 275 ns
3.0 100 110 125
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPHL (Figures 1 and 8)
4.5 40 50 60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 30 40 50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Shift Clock to QH 2.0 160 200 240 ns
tPHL (Figures 2 and 8) 3.0 90 130 160
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
4.5 30 40 48
6.0 25 30 40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH,
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(Figures 4 and 8) ÎÎ
Maximum Propagation Delay, Serial Shift/Parallel Load to QH
ÎÎ
2.0
3.0
160
90
200
130
240
160
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
4.5
ÎÎÎÎÎ
30
ÎÎÎÎ
40
ÎÎÎÎ
48
6.0 25 30 40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLZ,
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHZ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(Figures 3 and 9) ÎÎ
Maximum Propagation Delay, Output Enable to QH
ÎÎ
2.0
3.0
4.5
150
80
27
170
100
30
200
130
40
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 23 25 30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPZL, Maximum Propagation Delay, Output Enable to QH 2.0 150 170 200 ns
3.0 80 100 130
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tPZH (Figures 3 and 9)
4.5 27 30 40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 23 25 30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tTLH, Maximum Output Transition Time, Any Output 2.0 60 75 90 ns
tTHL (Figures 1 and 8) 3.0 23 27 31
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
4.5 12 15 18
6.0 10 13 15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cin
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input Capacitance − 10 10 10 pF
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cout
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎ
Maximum Three−State Output Capacitance
ÎÎÎÎÎÎ
(Output in High−Impedance State)
− 15 15
9. For propagation delays with loads other than 50 pF, see the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
15 pF
10. Information on typical parametric values can be found in the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
307
MC74HC589A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tsu ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Parameter
Minimum Setup Time, A−H to Latch Clock
V
2.0
55C to 25C
100
85C
125
125C
150
Unit
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
(Figure 5) 3.0 40 50 60
4.5 20 25 30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 17 21 26
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tsu Minimum Setup Time, Serial Data Input SA to Shift Clock 2.0 100 125 150 ns
3.0 40 50 60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
(Figure 6)
4.5 20 25 30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 17 21 26
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tsu Minimum Setup Time, Serial Shift/Parallel Load to Shift Clock 2.0 100 125 150 ns
(Figure 7) 3.0 40 50 60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
4.5 20 25 30
6.0 17 21 26
ÎÎÎÎ
th
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(Figure 5) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Minimum Hold Time, Latch Clock to A−H
ÎÎ
2.0
3.0
25
10
30
12
40
15
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
4.5
ÎÎÎÎÎ
5
ÎÎÎÎ
6
ÎÎÎÎ
8
6.0 5 6 7
ÎÎÎÎ
th
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(Figure 6) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Minimum Hold Time, Shift Clock to Serial Data Input SA
ÎÎ
2.0
3.0
4.5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 5 5 5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Shift Clock 2.0 75 95 110 ns
3.0 40 50 60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
(Figure 2)
4.5 15 19 23
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.0 13 16 19
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Latch Clock 2.0 80 100 120 ns
(Figure 1) 3.0 40 50 60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
4.5 16 20 24
6.0 14 17 20
ÎÎÎÎ
tw
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
(Figure 4) ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Minimum Pulse Width, Serial Shift/Parallel Load
ÎÎ
2.0
3.0
80
40
100
50
120
60
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
4.5
ÎÎÎÎÎ
16
ÎÎÎÎ
20
ÎÎÎÎ
24
6.0 14 17 20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input Rise and Fall Times
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2.0 1000 1000 1000 ns
ÎÎÎÎÎÎ
(Figure 1) 3.0 800 800 800
4.5 500 500 500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎ
6.0 400 400 400
11. Information on typical parametric values can be found in the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
308
MC74HC589A
FUNCTION TABLE
Inputs Resulting Function
Serial Parallel Data Shift
Output Serial Shift/ Latch Shift Input Inputs Latch Register Output
Operation Enable Parallel Load Clock Clock SA A−H Contents Contents QH
Force Output into High H X X X X X X X Z
Impedance State
Switching Waveforms
tr tf
1/fmax
VCC
LATCH 90% tw
50% VCC
CLOCK 10% GND SHIFT
tw 50%
CLOCK GND
tPLH tPHL
tPLH tPHL
90%
QH 50%
10% QH 50%
tTLH tTHL
VCC
OUTPUT 50%
ENABLE GND tw
tPZL tPLZ VCC
HIGH SERIAL SHIFT/ 50% 50%
IMPEDANCE PARALLEL LOAD GND
50%
QH tPLH tPHL
10% VOL
tPZH tPHZ
90% VOH QH 50%
QH 50% HIGH
IMPEDANCE
Figure 5. Figure 6.
http://onsemi.com
309
MC74HC589A
Switching Waveforms
DATA DATA
VALID VALID
VCC VCC
A−H 50% SA 50%
GND GND
tsu th tsu th
Figure 7. Figure 8.
VCC
SERIAL SHIFT/ 50%
PARALLEL GND
LOAD tsu
SHIFT 50%
CLOCK
Figure 9.
*Includes all probe and jig capacitance. *Includes all probe and jig capacitance.
Pin Descriptions
Data Inputs data in stage H is shifted out QH, being replaced by the data
A, B, C, D, E, F, G, H (Pins 15, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7) previously stored in stage G.
Parallel data inputs. Data on these inputs are stored in the Latch Clock (Pin 12)
data latch on the rising edge of the Latch Clock input. Data latch clock. A low−to−high transition on this input
SA (Pin 14) loads the parallel data on inputs A−H into the data latch.
Serial data input. Data on this input is shifted into the shift Output Enable (Pin 10)
register on the rising edge of the Shift Clock input if Serial Active−low output enable A high level applied to this pin
Shift/Parallel Load is high. Data on this input is ignored forces the QH output into the high impedance state. A low
when Serial Shift/Parallel Load is low. level enables the output. This control does not affect the state
Control Inputs of the input latch or the shift register.
http://onsemi.com
310
MC74HC589A
SHIFT CLOCK
SERIAL DATA
INPUT, SA
OUTPUT
ENABLE
SERIAL SHIFT/
PARALLEL LOAD
LATCH CLOCK
A L H L L
B L L L L
C L H L L
PARALLEL D L L L L
DATA
INPUTS
E L H L H
F L H L H
G L L L L
H L H H H
QH
ÉÉÉÉ
HIGH IMPEDANCE
SERIAL SHIFT
H L H H
SERIAL SHIFT
L H L H L H L L
SERIAL SHIFT
L H L H H
SERIAL
SHIFT
http://onsemi.com
311
MC74HC589A
OUTPUT 10
ENABLE
14
SA
SHIFT
11
CLOCK
SERIAL SHIFT/ 13
PARALLEL
LOAD
12
LATCH STAGE A
CLOCK
15
A D Q
C S
D
C Q
R
STAGE B
1
B D Q
C S
D
C Q
R
PARALLEL
DATA 2
INPUTS C STAGE C*
3
D STAGE D*
4
E STAGE E*
5
F STAGE F*
6
G STAGE G*
STAGE H
VCC
7
H D Q
C S
D 9
C Q QH
R
*Stages C thru G (not shown in detail) are identical to stages A and B above.
http://onsemi.com
312
MC74HC595A
8−Bit Serial−Input/Serial or
Parallel−Output Shift
Register with Latched
3−State Outputs
High−Performance Silicon−Gate CMOS http://onsemi.com
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iout DC Output Current, per Pin ± 35 mA cuit. For proper operation, Vin and
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 75 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW
tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500
level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package) 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 2.0 6.0 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin, Vout DC Input Voltage, Output Voltage 0 VCC V
(Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V
– 55
0
+ 125
1000
C
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 1) VCC = 4.5 V 0 500
VCC = 6.0 V 0 400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
25C 85C 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V Unit
VIH Minimum High−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 2.0 1.5 1.5 1.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 20 µA 3.0
4.5
6.0
2.1
3.15
4.2
2.1
3.15
4.2
2.1
3.15
4.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Low−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout| 20 µA
2.0
3.0
0.5
0.9
0.5
0.9
0.5
0.9
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 1.35 1.35 1.35
6.0 1.8 1.8 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOH
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Output
ÎÎÎÎ
Voltage, QA − QH
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 20 µA
2.0
4.5
1.9
4.4
1.9
4.4
1.9
4.4
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 5.9 5.9 5.9
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA 3.0 2.48 2.34 2.2
|Iout| 6.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 7.8 mA 6.0 5.48 5.34 5.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VIH or VIL 2.0 0.1 0.1 0.1 V
|Iout| 20 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage, QA − QH 4.5 0.1 0.1 0.1
6.0 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA
|Iout| 6.0 mA
|Iout| 7.8 mA
3.0
4.5
6.0
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
0.4
0.4
0.4
http://onsemi.com
314
MC74HC595A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
25C 85C 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V Unit
VOH Minimum High−Level Output Vin = VIH or VIL 2.0 1.9 1.9 1.9 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Voltage, SQH
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IIoutI 20 µA 4.5
6.0
4.4
5.9
4.4
5.9
4.4
5.9
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA 3.0 2.98 2.34 2.2
IIoutI 4.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IIoutI 5.2 mA 6.0 5.48 5.34 5.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VIH or VIL 2.0 0.1 0.1 0.1 V
IIoutI 20 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage, SQH 4.5 0.1 0.1 0.1
6.0 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA
IIoutI 4.0 mA
IIoutI 5.2 mA
3.0
4.5
6.0
0.26
0.26
0.26
0.33
0.33
0.33
0.4
0.4
0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Leakage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IOZ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Leakage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Three−State
ÎÎÎÎ
Current, QA − QH
ÎÎÎ
Output in High−Impedance State
Vin = VIL or VIH
Vout = VCC or GND
6.0 ± 0.5 ± 5.0 ± 10 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Quiescent Supply
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
lout = 0 µA
6.0 4.0 40 160 µA
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
Symbol Parameter V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
fmax
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 7)
2.0
3.0
4.5
6.0
15
30
4.8
10
24
4.0
8.0
20
MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 35 28 24
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Shift Clock to SQH 2.0 140 175 210 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPHL (Figures 1 and 7) 3.0 100 125 150
4.5 28 35 42
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 24 30 36
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPHL Maximum Propagation Delay, Reset to SQH 2.0 145 180 220 ns
(Figures 2 and 7) 3.0 100 125 150
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 29 36 44
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
6.0
ÎÎÎÎ
25
ÎÎÎ
31
ÎÎÎÎ
38
tPLH,
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Latch Clock to QA − QH
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 3 and 7)
2.0
3.0
140
100
175
125
210
150
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 28 35 42
6.0 24 30 36
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLZ,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHZ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Output Enable to QA − QH
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 4 and 8)
2.0
3.0
4.5
150
100
30
190
125
38
225
150
45
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 26 33 38
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPZL, Maximum Propagation Delay, Output Enable to QA − QH 2.0 135 170 205 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPZH (Figures 4 and 8) 3.0 90 110 130
4.5 27 34 41
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 23 29 35
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tTLH, Maximum Output Transition Time, QA − QH 2.0 60 75 90 ns
tTHL (Figures 3 and 7) 3.0 23 27 31
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 12 15 18
6.0 10 13 15
http://onsemi.com
315
MC74HC595A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
25C 85C 125C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter V Unit
tTLH, Maximum Output Transition Time, SQH 2.0 75 95 110 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tTHL (Figures 1 and 7) 3.0 27 32 36
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 15 19 22
6.0 13 16 19
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cin
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cout ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Input Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Three−State Output Capacitance (Output in
High−Impedance State), QA − QH
—
—
10
15
10
15
10
15
pF
pF
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
TIMING REQUIREMENTS (Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter
VCC
V
25C to
– 55C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tsu Minimum Setup Time, Serial Data Input A to Shift Clock 2.0 50 65 75 ns
(Figure 5) 3.0 40 50 60
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
6.0
10
9.0
13
11
15
13
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tsu Minimum Setup Time, Shift Clock to Latch Clock 2.0 75 95 110 ns
(Figure 6) 3.0 60 70 80
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 15 19 22
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 13 16 19
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
th Minimum Hold Time, Shift Clock to Serial Data Input A 2.0 5.0 5.0 5.0 ns
(Figure 5) 3.0 5.0 5.0 5.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 5.0 5.0 5.0
6.0 5.0 5.0 5.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
trec
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 2) ÎÎÎ
Minimum Recovery Time, Reset Inactive to Shift Clock
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
3.0
50
40
65
50
75
60
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 10 13 15
6.0 9.0 11 13
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tw
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 2) ÎÎÎ
Minimum Pulse Width, Reset
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
3.0
60
45
75
60
90
70
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 12 15 18
6.0 10 13 15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tw
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 1) ÎÎÎ
Minimum Pulse Width, Shift Clock
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
50
40
10
65
50
13
75
60
15
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tw ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Minimum Pulse Width, Latch Clock
6.0
2.0
9.0
50
11
65
13
75 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 6) 3.0 40 50 60
4.5 10 13 15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 9.0 11 13
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tr, tf Maximum Input Rise and Fall Times 2.0 1000 1000 1000 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 1) 3.0 800 800 800
4.5 500 500 500
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 400 400 400
http://onsemi.com
316
MC74HC595A
FUNCTION TABLE
PIN DESCRIPTIONS
http://onsemi.com
317
MC74HC595A
SWITCHING WAVEFORMS
tr tf tw
VCC VCC
SHIFT 90% 50%
50% RESET
CLOCK GND
10% GND
tw tPHL
1/fmax 50%
OUTPUT
tPLH tPHL SQH
90% trec
OUTPUT
SQH 50% SHIFT VCC
10% 50%
CLOCK
tTLH tTHL GND
Figure 1. Figure 2.
VCC
LATCH VCC OUTPUT 50%
50% ENABLE GND
CLOCK
GND tPZL tPLZ
HIGH
50% IMPEDANCE
tPLH tPHL OUTPUT Q
10% VOL
90%
QA−QH 50% tPZH tPHZ
90% VOH
OUTPUTS 10%
OUTPUT Q 50% HIGH
tTLH tTHL
IMPEDANCE
Figure 3. Figure 4.
VCC
SHIFT
VALID 50%
CLOCK
VCC GND
SERIAL
50% tsu
INPUT A
GND VCC
tsu th LATCH
50%
VCC CLOCK
SWITCH GND
50% tw
CLOCK
GND
Figure 5. Figure 6.
TEST CIRCUITS
*Includes all probe and jig capacitance *Includes all probe and jig capacitance
Figure 7. Figure 8.
http://onsemi.com
318
MC74HC595A
OUTPUT 13
ENABLE
LATCH 12
CLOCK
SERIAL 14 15
D Q D Q QA
DATA
INPUT A SRA LRA
R
1
D Q D Q QB
SRB LRB
R
2
D Q D Q QC
SRC LRC
R
3
D Q D Q QD
SRD LRD PARALLEL
R DATA
OUTPUTS
4
D Q D Q QE
SRE LRE
R
5
D Q D Q QF
SRF LRF
R
6
D Q D Q QG
SRG LRG
R
7
D Q D Q QH
SHIFT
11
CLOCK SRH LRH
R
10 SERIAL
RESET 9 DATA
OUTPUT SQH
http://onsemi.com
319
MC74HC595A
TIMING DIAGRAM
SHIFT
CLOCK
SERIAL DATA
INPUT A
RESET
LATCH
CLOCK
OUTPUT
ENABLE
QA
QB
QC
QD
QE
QF
QG
QH
SERIAL DATA
OUTPUT SQH
NOTE: implies that the output is in a high−impedance
state.
http://onsemi.com
320
MC74HC74A
2 5
DATA 1 Q1 A = Assembly Location
3 6 WL or L = Wafer Lot
CLOCK 1 Q1
YY or Y = Year
4 WW or W = Work Week
SET 1
PIN 14 = VCC
PIN 7 = GND
13
RESET 2 PIN ASSIGNMENT
12 9
DATA 2 Q2 RESET 1 1 14 VCC
11 8
CLOCK 2 Q2 DATA 1 2 13 RESET 2
10 CLOCK 1 3 12 DATA 2
SET 2
SET 1 4 11 CLOCK 2
Figure 14. LOGIC DIAGRAM
Q1 5 10 SET 2
FUNCTION TABLE Q1 6 9 Q2
Inputs Outputs GND 7 8 Q2
Set Reset Clock Data Q Q
L H X X H L
H L X X L H ORDERING INFORMATION
L L X X H* H* See detailed ordering and shipping information in the package
H H H H L dimensions section on page 322 of this data sheet.
H H L L H
H H L X No Change
**For additional information on our Pb−Free strategy
H H H X No Change
and soldering details, please download the
H H X No Change ON Semiconductor Soldering and Mounting
Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
*Both outputs will remain high as long as Set and Reset are low, but the output
states are unpredictable if Set and Reset go high simultaneously.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA cuit. For proper operation, Vin and
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW Unused inputs must always be
SOIC Package† 500 tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ TSSOP Package† 450 level (e.g., either GND or VCC).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package) 260
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
300
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings
applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/C from 65 to 125C
SOIC Package: – 7 mW/C from 65 to 125C
TSSOP Package: − 6.1 mW/C from 65 to 125C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
2.0
0
6.0
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types – 55 + 125 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time
ÎÎÎ
VCC = 2.0 V 0 1000 ns
ÎÎÎÎÎ
(Figures 1, 2, 3) VCC = 3.0 V 0 600
VCC = 4.5 V 0 500
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ VCC = 6.0 V 0 400
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping†
MC74HC74AN PDIP−14 2000 Units / Box
MC74HC74ANG PDIP−14 2000 Units / Box
(Pb−Free)
http://onsemi.com
322
MC74HC74A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
25C 85C 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V Unit
VIH Minimum High−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 2.0 1.5 1.5 1.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 20 A 3.0
4.5
2.1
3.15
2.1
3.15
2.1
3.15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
6.0
ÎÎÎÎ
4.2
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.2 4.2
VIL 2.0 0.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Low−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 0.5 0.5
Voltage |Iout| 20 A 3.0 0.9 0.9 0.9
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 1.35 1.35 1.35
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 1.8 1.8 1.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Output Vin = VIH or VIL 2.0 1.9 1.9 1.9 V
Voltage |Iout| 20 A 4.5 4.4 4.4 4.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA
|Iout| 4.0 mA
6.0
3.0
5.9
2.48
5.9
2.34
5.9
2.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 3.98 3.84 3.7
|Iout| 5.2 mA 6.0 5.48 5.34 5.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VOL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Low−Level Output
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 20 A
2.0
4.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 0.1 0.1 0.1
Vin = VIH or VIL |Iout| 2.4 mA 3.0 0.26 0.33 0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 4.0 mA
|Iout| 5.2 mA
4.5
6.0
0.26
0.26
0.33
0.33
0.4
0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin Maximum Input Leakage Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 A
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Quiescent Supply
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
Iout = 0 A
6.0 2.0 20 80
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(DL129/D).
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
– 55 to
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC
Symbol Parameter V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
fmax
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 4)
2.0
3.0
4.5
6.0
15
30
4.8
10
24
4.0
8.0
20
MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 35 28 24
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Clock to Q or Q 2.0 100 125 150 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPHL (Figures 1 and 4) 3.0 75 90 120
4.5 20 25 30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 17 21 26
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Set or Reset to Q or Q 2.0 105 130 160 ns
tPHL (Figures 2 and 4) 3.0 80 95 130
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
6.0
21
18
26
22
32
27
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tTLH, Maximum Output Transition Time, Any Output 2.0 75 95 110 ns
tTHL (Figures 1 and 4) 3.0 30 40 55
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 15 19 22
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 13 16 19
Cin Maximum Input Capacitance — 10 10 10 pF
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
323
MC74HC74A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
TIMING REQUIREMENTS (Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ VCC – 55 to
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tsu Minimum Setup Time, Data to Clock 2.0 80 100 120 ns
(Figure 3) 3.0 35 45 55
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
6.0
16
14
20
17
24
20
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
th Minimum Hold Time, Clock to Data 2.0 3.0 3.0 3.0 ns
(Figure 3) 3.0 3.0 3.0 3.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ 4.5 3.0 3.0 3.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 3.0 3.0 3.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
trec Minimum Recovery Time, Set or Reset Inactive to Clock 2.0 8.0 8.0 8.0 ns
(Figure 2) 3.0 8.0 8.0 8.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
6.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Clock 2.0 60 75 90 ns
(Figure 1) 3.0 25 30 40
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
6.0
12
10
15
13
18
15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Set or Reset 2.0 60 75 90 ns
(Figure 2) 3.0 25 30 40
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
6.0
12
10
15
13
18
15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tr, tf Maximum Input Rise and Fall Times 2.0 1000 1000 1000 ns
(Figures 1, 2, 3) 3.0 800 800 800
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
6.0
500
400
500
400
500
400
http://onsemi.com
324
MC74HC74A
SWITCHING WAVEFORMS
tw
tf tr VCC
VCC SET OR 50%
90%
CLOCK 50% RESET GND
10% GND tPHL
tw
1/fmax Q OR Q 50%
tPLH tPHL
tPLH
90%
50%
Q or Q 10% Q OR Q 50%
trec
tTLH tTHL
VCC
CLOCK 50%
GND
Figure Figure
15. 16.
TEST POINT
VALID
VCC
DATA 50% OUTPUT
GND DEVICE
tsu th UNDER
VCC TEST CL*
50%
CLOCK GND
*Includes all probe and jig capacitance
4, 10
SET
2, 12 5, 9
DATA Q
3, 11
CLOCK
6, 8
Q
1, 13
RESET
http://onsemi.com
325
MC74HCT04A
Hex Inverter
With LSTTL−Compatible Inputs
High−Performance Silicon−Gate CMOS
The MC74HCT04A may be used as a level converter for interfacing
TTL or NMOS outputs to High−Speed CMOS inputs.
http://onsemi.com
The HCT04A is identical in pinout to the LS04.
MARKING
• Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads DIAGRAMS
• TTL/NMOS−Compatible Input Levels 14
• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS and TTL PDIP−14
N SUFFIX MC74HCT04AN
• Operating Voltage Range: 4.5 to 5.5V CASE 646 AWLYYWW
• Low Input Current: 1µA 1
• In Compliance With the JEDEC Standard No. 7A Requirements 14
SOIC−14
• Chip Complexity: 48 FETs or 12 Equivalent Gates D SUFFIX
HCT04A
AWLYWW
CASE 751A
LOGIC DIAGRAM 1
14
1 2 TSSOP−14 HCT
A1 Y1
DT SUFFIX 04A
CASE 948G ALYW
3 4
A2 Y2 1
A = Assembly Location
WL or L = Wafer Lot
5 6
A3 Y3 YY or Y = Year
WW or W = Work Week
Y=A
9 8 Pin 14 = VCC
A4 Y4
Pin 7 = GND FUNCTION TABLE
Inputs Outputs
11 10
A5 Y5
A Y
L H
13 12
A6 Y6 H L
VCC A6 Y6 A5 Y5 A4 Y4
14 13 12 11 10 9 8
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping
MC74HCT04AN PDIP−14 2000 / Box
MC74HCT04AD SOIC−14 55 / Rail
MC74HCT04ADR2 SOIC−14 2500 / Reel
1 2 3 4 5 6 7 MC74HCT04ADT TSSOP−14 96 / Rail
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature Range – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
4.5
0
5.5
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Operating Temperature Range, All Package Types
ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise/Fall Time (Figure 1)
– 55
0
+ 125
500
C
ns
http://onsemi.com
327
MC74HCT04A
∆ICC Additional Quiescent Supply Vin = 2.4V, Any One Input ≥ −55°C 25 to 125°C
Current Vin
i = VCC or GND
GND, Other Inputs
Iout = 0µA 5.5 2.9 2.4 mA
1. Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
2. Total Supply Current = ICC + Σ∆ICC.
http://onsemi.com
328
MC74HCT04A
tf tr
3.0V
2.7V
INPUT A 1.3V
0.3V GND
tPLH tPHL
90%
OUTPUT Y 1.3V
10%
tTLH tTHL
TEST
POINT
OUTPUT
DEVICE
UNDER
TEST CL*
A Y
http://onsemi.com
329
MC74HCT138A
1−of−8 Decoder/
Demultiplexer with LSTTL
Compatible Inputs
High−Performance Silicon−Gate CMOS
http://onsemi.com
The MC74HCT138A is identical in pinout to the LS138. The
HCT138A may be used as a level converter for interfacing TTL or MARKING
NMOS outputs to High Speed CMOS inputs. DIAGRAMS
The HCT138A decodes a three−bit Address to one−of−eight 16
active−lot outputs. This device features three Chip Select inputs, two PDIP−16
MC74HCT138AN
active−low and one active−high to facilitate the demultiplexing, 16
N SUFFIX
AWLYYWW
cascading, and chip−selecting functions. The demultiplexing function CASE 648
1
is accomplished by using the Address inputs to select the desired 1
device output; one of the Chip Selects is used as a data input while the 16
other Chip Selects are held in their active states. SO−16
HCT138A
D SUFFIX
• Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads 16
CASE 751B
AWLYWW
•
1
TTL/NMOS Compatible Input Levels 1
• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS, and TTL 16
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping
MC74HCT138AN PDIP−16 2000 / Box
MC74HCT138AD SOIC−16 48 / Rail
MC74HCT138ADR2 SOIC−16 2500 / Reel
MC74HCT138ADT TSSOP−16 96 / Rail
MC74HCT138ADTR2 TSSOP−16 2500 / Reel
A0 1 16 VCC
A1 2 15 Y0
A2 3 14 Y1
CS2 4 13 Y2
CS3 5 12 Y3
CS1 6 11 Y4
Y7 7 10 Y5
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
GND 8 9 Y6
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Design Criteria Value Units
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Count* 30.5 ea.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Internal Gate Propagation Delay
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
1.5 ns
µW
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Power Dissipation 5.0
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Speed Power Product .0075 pJ
http://onsemi.com
331
MC74HCT138A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA cuit. For proper operation, Vin and
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air Plastic DIP† 750 mW
tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500
level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Plastic DIP, TSSOP or SOIC Package) 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Min Max Unit
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 4.5 5.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TA
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
0
– 55
VCC
+ 125
V
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Input Rise and Fall Time (Figure 1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
0 500 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Test Conditions
VCC
V
– 55 to
25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIH Minimum High−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 4.5 2.0 2.0 2.0 V
|Iout| 20 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage 5.5 2.0 2.0 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIL Maximum Low−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 4.5 0.8 0.8 0.8 V
Voltage |Iout| 20 µA 5.5 0.8 0.8 0.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOH
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 20 µA
4.5
5.5
4.4
5.4
4.4
5.4
4.4
5.4
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 4.0 µA 4.5 3.98 3.84 3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VIH or VIL 4.5 0.1 0.1 0.1 V
Voltage |Iout| 20 µA 5.5 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 4.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Leakage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC Maximum Quiescent Supply Vin = VCC or GND 5.5 4.0 40 160 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current (per Package) Iout = 0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
∆ICC Additional Quiescent Supply Vin = 2.4 V, Any One Input ≥ − 55C 25C to 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Vin
i = VCC or GND
GND, Other Inputs
lout = 0 µA 5.5 2.9 2.4 mA
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
http://onsemi.com
332
MC74HCT138A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VCC = 5.0 V ± 10%, CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
– 55 to
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Input A to Output Y 30 38 45 ns
tPHL (Figures 1 and 4)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, CS1 to Output Y
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 2 and 4)
27 34 41 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, CS2 or CS3 to Output Y
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 3 and 4)
30 38 45 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tTLH, Maximum Output Transition Time, Any Output 15 19 22 ns
tTHL (Figures 2 and 4)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cin
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Input Rise and Fall Time
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Capacitance
500
10
500
10
500
10
ns
pF
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
15
Y0
14
Y1
13
1 Y2
A0
12
2 Y3
A1
11
Y4
3
A2
10
Y5
5
CS3
4 9
CS2 Y6
7
Y7
6
CS1
http://onsemi.com
333
MC74HCT138A
SWITCHING WAVEFORMS
tr tf
VALID VALID
3V
3V 2.7 V
INPUT CS1 1.3 V
INPUT A 1.3 V 0.3 V GND
GND
tPHL tPLH
tPLH tPHL
90%
OUTPUT Y 1.3 V
1.3 V 10%
OUTPUT Y
tTHL tTLH
Figure 1. Figure 2.
tr tf
3V
2.7 V
INPUT 1.3 V
CS2, CS3 0.3 V GND
tPHL tPLH
90%
OUTPUT Y 1.3 V
10%
tTHL tTLH
Figure 3.
TEST CIRCUIT
TEST POINT
OUTPUT
DEVICE
UNDER
TEST CL*
Figure 4.
http://onsemi.com
334
MC74HCT14A
Hex Schmitt−Trigger
Inverter with LSTTL
Compatible Inputs
High−Performance Silicon−Gate CMOS
http://onsemi.com
The MC74HCT14A may be used as a level converter for interfacing
TTL or NMOS outputs to high−speed CMOS inputs. MARKING
The HCT14A is useful to “square up” slow input rise and fall times. DIAGRAMS
Due to the hysteresis voltage of the Schmitt trigger, the HCT14A finds
14
applications in noisy environments.
PDIP−14
• Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads N SUFFIX MC74HCT14AN
AWLYYWW
• TTL/NMOS−Compatible Input Levels
CASE 646
1
• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS, and TTL
• Operating Voltage Range: 4.5 to 5.5 V 14
• Low Input Current: 1.0 A SOIC−14 HCT14A
• In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard D SUFFIX AWLYWW
CASE 751A
No. 7A 1
• Chip Complexity: 72 FETs or 18 Equivalent Gates
14
TSSOP−14 HCT
DT SUFFIX 14A
CASE 948G ALYW
14
EIAJ−14
F SUFFIX HCT14A
CASE 965 AWLYWW
A = Assembly Location
L, WL = Wafer Lot
Y, YY = Year
W, WW = Work Week
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping
MC74HCT14AN PDIP−14 2000/Box
MC74HCT14AD SOIC−14 55/Rail
MC74HCT14ADR2 SOIC−14 2500/Reel
MC74HCT14ADTR2 TSSOP−14 2000/Reel
MC74HCT14AFEL EIAJ−14 2000/Reel
A1 1 14 VCC
Y1 2 13 A6 FUNCTION TABLE
A2 3 12 Y6 Input Output
Y2 4 11 A5 A Y
A3 5 10 Y5 L H
H L
Y3 6 9 A4
GND 7 8 Y4
1 2
A1 Y1
3 4
A2 Y2
5 6
A3 Y3
Y=A
9 8
A4 Y4
PIN 14 = VCC
PIN 7 = GND
11 10
A5 Y5
13 12
A6 Y6
http://onsemi.com
336
MC74HCT14A
1. Absolute maximum continuous ratings are those values beyond which damage to the device may occur. Extended exposure to these
conditions or conditions beyond those indicated may adversely affect device reliability. Functional operation under absolute maximum−rated
conditions is not implied.
2. Tested to EIA/JESD22−A114−A.
3. Tested to EIA/JESD22−A115−A.
4. Tested to JESD22−C101−A.
5. Tested to EIA/JESD78.
6. For high frequency or heavy load considerations, see the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 4.5 5.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VI, VO DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND) 0 VCC V
55 125 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TA Operating Temperature, All Package Types
tr, tf Input Rise and Fall Time (Figure 7) — (Note 7) ns
http://onsemi.com
337
MC74HCT14A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
VTmax ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎ
ÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Maximum Positive−Going
Test Conditions
VO = 0.1 V or VCC – 0.1 V
Volts
4.5
Min Max
1.9
Min Max
1.9
Min Max
1.9
Unit
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Input Threshold Voltage |Iout| 20 A 5.5 2.1 2.1 2.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VTmin Minimum Positive−Going VO = 0.1 V or VCC – 0.1 V 4.5 1.2 1.2 1.2 V
Input Threshold Voltage |Iout| 20 A 5.5 1.4 1.4 1.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
VTmax
Î
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ ÎÎÎÎÎ
Maximum Negative−Going
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Input Threshold Voltage
VO = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout| 20 A
4.5
5.5
1.2
1.4
1.2
1.4
1.2
1.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VTmin Minimum Negative−Going VO = 0.1 V or VCC – 0.1 V 4.5 0.5 0.5 0.5
|Iout| 20 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Input Threshold Voltage 5.5 0.6 0.6 0.6
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VH max Maximum Hysteresis VO = 0.1 V or VCC – 0.1 V 4.5 1.4 1.4 1.4
Voltage |Iout| 20 A 5.5 1.5 1.5 1.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
VH min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Minimum Hysteresis
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ VO = 0.1 V or VCC – 0.1 V 4.5 0.4 0.4 0.4
ÎÎÎ
ÎÎ ÎÎÎÎÎ
Voltage |Iout| 20 A 5.5 0.4 0.4 04
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VOH Minimum High−Level VI < VTmin 4.5 4.4 4.4 4.4 V
Output Voltage |Iout| 20 A 5.5 5.4 5.4 5.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎ
VI < VTmin
|Iout| 4.0 mA
4.5 3.98 3.84 3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VOL Maximum Low−Level VI ≥ VTmax 4.5 0.1 0.1 0.1 V
Output Voltage |Iout| 20 A 5.5 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ VI ≥ VTmax 4.5 0.26 0.33 0.4
ÎÎ ÎÎ
|Iout| 4.0 mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IIK
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ VI = VCC or GND 5.5 0.1 1.0 1.0 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Leakage Current
A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ ÎÎÎÎÎ
ICC Maximum Quiescent VI = VCC or GND 5.5 1.0 10 40
Supply Current Iout = 0 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ ÎÎÎÎÎ
(per package)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
55C 25C to 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ICC Additional Quiescent VI = 2.4 V, Any One Input 5.5 2.9 2.4 mA
Supply Current VI = VCC or GND, Other Inputs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
lout = 0 A
9. Information on typical parametric values can be found in the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions Figures Min Max Min Max Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH,
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Delay, Input A to Output
VCC = 5.0 V 10%
CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns
7&8 32 40 48 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Y (L to H)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ ÎÎÎÎÎ
tTLH, Maximum Output VCC = 5.0 V 10% 7&8 15 19 22 ns
tTHL Transition Time, Any CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Output
10. For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see the ON Semiconductor High−Speed
CMOS Data Book (DL129/D).
11. Used to determine the no−load dynamic power consumption: P D = C PD V CC 2 f + I CC V CC . For load considerations, see the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
338
MC74HCT14A
TEST POINT
tf tr
INPUT A 2.7 V 3V
OUTPUT
1.3 V DEVICE
0.3 V GND
tPLH tPHL UNDER
TEST CL*
90%
1.3 V
OUTPUT Y 10%
tTLH tTHL
*Includes all probe and jig capacitance.
http://onsemi.com
339
MC74HCT244A
Octal 3−State Noninverting
Buffer/Line Driver/
Line Receiver with
LSTTL−Compatible Inputs
High−Performance Silicon−Gate CMOS http://onsemi.com
The MC74HCT244A is identical in pinout to the LS244. This
device may be used as a level converter for interfacing TTL or NMOS MARKING
outputs to High−Speed CMOS inputs. The HCT244A is an octal DIAGRAMS
noninverting buffer line driver line receiver designed to be used with 20
3−state memory address drivers, clock drivers, and other bus−oriented PDIP−20
MC74HCT244AN
N SUFFIX
systems. The device has non−inverted outputs and two active−low CASE 738
AWLYYWW
20
output enables. 1
1
The HCT244A is the noninverting version of the HCT240. See also 20
HCT241. SOIC WIDE−20
HCT244A
• Output Drive Capability: 15 LSTTL Loads 20
1
DW SUFFIX
AWLYYWW
CASE 751D
• TTL NMOS−Compatible Input Levels
1
• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS, and TTL 20
•
A = Assembly Location
Chip Complexity: 112 FETs or 28 Equivalent Gates WL = Wafer Lot
LOGIC DIAGRAM YY = Year
WW = Work Week
2 18
A1 YA1
PIN ASSIGNMENT
4 16
A2 YA2 ENABLE A 1 20 VCC
6 14 A1 2 19 ENABLE B
A3 YA3
YB4 3 18 YA1
8 12
A4 YA4 A2 4 17 B4
DATA INPUTS NONINVERTING
11 9 OUTPUTS YB3 5 16 YA2
B1 YB1
A3 6 15 B3
13 7
B2 YB2 YB2 7 14 YA3
15 5 A4 8 13 B2
B3 YB3
YB1 9 12 YA4
17 3 GND 10 11 B1
B4 YB4
1 PIN 20 = VCC
OUTPUT ENABLE A
ENABLES ENABLE B 19 PIN 10 = GND
ORDERING INFORMATION
FUNCTION TABLE
Device Package Shipping
Inputs Outputs
Enable A, MC74HCT244AN PDIP−20 1440 / Box
Enable B A, B YA, YB MC74HCT244ADW SOIC−WIDE 38 / Rail
L L L MC74HCT244ADWR2 SOIC−WIDE 1000 / Reel
L H H
H X Z MC74HCT244ADT TSSOP−20 75 / Rail
Z = high impedance, X = don’t care MC74HCT244ADTR2 TSSOP−20 2500 / Reel
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 35 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 75 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Plastic DIP, SOIC, SSOP or TSSOP Package) 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
4.5
0
5.5
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time (Figure 1)
– 55
0
+ 125
500
C
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
V 25C 85C 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions Unit
VIH Minimum High−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 4.5 2 2 2 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIL ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Low−Level Input
|Iout| 20 µA
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
5.5
4.5
2
0.8
2
0.8
2
0.8 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage |Iout| 20 µA 5.5 0.8 0.8 0.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Output Vin = VIH or VIL 4.5 4.4 4.4 4.4 V
Voltage |Iout| 20 µA 5.5 5.4 5.4 5.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 6 mA 4.5 3.98 3.84 3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Low−Level Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 20 µA
4.5
5.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 6 mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 0.26 0.33 0.4
± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin Maximum Input Leakage Vin = VCC or GND 5.5
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IOZ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Three−State
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Leakage Current
ÎÎÎ
Output in High−Impedance State
Vin = VIL or VIH
5.5 ± 0.5 ± 5.0 ± 10 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = VCC or GND
µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC Maximum Quiescent Supply Vin = VCC or GND 5.5 4 40 160
Current (per Package) Iout = 0 µA
http://onsemi.com
341
MC74HCT244A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
∆ICC ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Additional Quiescent Supply Vin = 2.4 V, Any One Input ≥ −55C 25C to 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Vin
i = VCC or GND
GND, Other Inputs
lout = 0 µA 5.5 2.9 2.4 mA
NOTES:
1. Information on typical parametric values along with frequency or heavy load considerations can be found in Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
2. Total Supply Current = ICC + Σ∆ICC.
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VCC = 5.0 V ± 10%, CL = 50 pF, Input tr = tf = 6 ns)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
– 55 to
85C 125C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter 25C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, A to YA or B to YB 20 25 30 ns
tPHL (Figures 1 and 3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLZ,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHZ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Output Enable to YA or YB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 2 and 4)
26 33 39 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPZL, Maximum Propagation Delay, Output Enable to YA or YB 22 28 33 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPZH (Figures 2 and 4)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tTLH, Maximum Output Transition Time, Any Output 12 15 18 ns
tTHL (Figures 1 and 3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Cin
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cout ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Input Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Three−State Output Capacitance (Output in
10
15
10
15
10
15
pF
pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
High−Impedance State)
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
SWITCHING WAVEFORMS
3V
tr tf ENABLE 1.3 V
INPUT 3V A OR B GND
2.7 V tPZL tPLZ
A OR B 1.3 V
0.3 V HIGH
GND
1.3 V IMPEDANCE
tPLH tPHL OUTPUT Y
OUTPUT 90% 10% VOL
1.3 V tPZH tPHZ
YA OR YB 90% VOH
10%
OUTPUT Y 1.3 V
tTLH tTHL HIGH
IMPEDANCE
Figure 1. Figure 2.
http://onsemi.com
342
MC74HCT244A
TEST CIRCUITS
*Includes all probe and jig capacitance *Includes all probe and jig capacitance
Figure 3. Figure 4.
LOGIC DETAIL
TO THREE OTHER
A OR B INVERTERS
ONE OF 8
BUFFERS
VCC
DATA INPUT
A OR B
YA
OR
YB
ENABLE A OR ENABLE B
http://onsemi.com
343
MC74HCT245A
Octal 3−State Noninverting
Bus Transceiver with LSTTL
Compatible Inputs
High−Performance Silicon−Gate CMOS
The MC74HCT245A is identical in pinout to the LS245. This
device may be used as a level converter for interfacing TTL or NMOS
http://onsemi.com
outputs to High Speed CMOS inputs.
The MC74HCT245A is a 3−state noninverting transceiver that is MARKING
used for 2−way asynchronous communication between data buses. DIAGRAMS
The device has an active−low Output Enable pin, which is used to 20
place the I/O ports into high−impedance states. The Direction control PDIP−20
MC74HCT245AN
determines whether data flows from A to B or from B to A. N SUFFIX
AWLYYWW
• Output Drive Capability: 15 LSTTL Loads 20 CASE 738
1
• TTL/NMOS Compatible Input Levels 1
20
• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS and TTL SOIC WIDE−20
• Operating Voltage Range: 4.5 to 5.5 V 20
1
DW SUFFIX HCT245A
AWLYYWW
CASE 751D
• Low Input Current: 1.0 µA
1
• In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard 20
No. 7A TSSOP−20 HCT
• Chip Complexity: 304 FETs or 76 Equivalent Gates 20 DT SUFFIX 245A
1 CASE 948E ALYW
LOGIC DIAGRAM
2 18 1
A1 B1
3 17 A = Assembly Location
A2 B2
WL = Wafer Lot
4 16
A3 B3 YY = Year
A 5 15 B WW = Work Week
A4 B4
DATA 6 14 DATA
PORT A5 B5 PORT
7 13 PIN ASSIGNMENT
A6 B6
8 12
A7 B7 DIRECTION 1 20 VCC
9 11
A8 B8 A1 2 19 OUTPUT ENABLE
1 A2 3 18 B1
DIRECTION PIN 20 = VCC
19 A3 4 17 B2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
OUTPUT ENABLE PIN 10 = GND
A4 5 16 B3
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Design Criteria Value Units
A5 6 15 B4
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Internal Gate Count*
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Propagation Delay
76
1.0
ea
ns
A6
A7
7
8
14
13
B5
B6
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ µW A8 9 12 B7
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Power Dissipation 5.0
GND 10 11 B8
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Speed Power Product 0.005 pJ
*Equivalent to a two−input NAND gate.
FUNCTION TABLE
ORDERING INFORMATION
Control Inputs
Device Package Shipping
Output
Enable Direction Operation MC74HCT245AN PDIP−20 1440 / Box
L L Data Transmitted from Bus B to Bus A MC74HCT245ADW SOIC−WIDE 38 / Rail
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 35 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 75 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Plastic DIP, SOIC, SSOP or TSSOP Package) 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
Parameter
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
Min
4.5
Max
5.5
Unit
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TA
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
0
– 55
VCC
+ 125
V
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Input Rise and Fall Time (Figure 1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
0 500 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Test Conditions
VCC
V
– 55 to
25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIH Minimum High−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 4.5 2.0 2.0 2.0 V
Voltage |Iout| 20 µA 5.5 2.0 2.0 2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Low−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout| 20 µA
4.5
5.5
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Output Vin = VIH or VIL 4.5 4.4 4.4 4.4 V
Voltage |Iout| 20 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
g
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
5.5 5.4 5.4 5.4
Vin = VIH or VIL
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 6.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VIH or VIL 4.5 0.1 0.1 0.1 V
Voltage |Iout| 20 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
g
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
5.5 0.1 0.1 0.1
Vin = VIH or VIL
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 6.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin Maximum Input Leakage Current Vin = VCC or GND, Pins 1 or 19 5.5 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC Maximum Quiescent Supply Vin = VCC or GND 5.5 4.0 40 160 µA
Current (per Package) Iout = 0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
IOZ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Three−State
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Leakage Current
ÎÎÎ
Output in High−Impedance State
Vin = VIL or VIH
5.5 ± 0.5 ± 5.0 ± 10 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = VCC or GND, I/O Pins
∆ICC ≥ −55C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Additional Quiescent Supply Vin = 2.4 V, Any One Input 25C to 125C
Current Vin
i = VCC or GND
GND, Other Inputs
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
lout = 0 µA 5.5 2.9 2.4 mA
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
http://onsemi.com
345
MC74HCT245A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VCC = 5.0 V ± 10%, CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
– 55 to
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, A to B or B to A 22 28 33 ns
tPHL (Figures 1 and 3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLZ,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHZ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Direction or Output Enable to A or B
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 2 and 4)
30 36 42 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPZL,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPZH
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Output Enable to A or 8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 2 and 4)
30 36 42 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tTLH, Maximum Output Transition Time. any Output 12 15 18 ns
tTHL (Figures 1 and 3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Cin
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cout
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Input Capacitance (Pin 1 or 19)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Three−State I/O Capacitance, (I/O in High−Impedance
10
15
10
15
10
15
pF
pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
State)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
346
MC74HCT245A
SWITCHING WAVEFORMS
3.0 V
DIRECTION 1.3 V 1.3 V
GND
3.0 V
tr tf OUTPUT 1.3 V
INPUT 3.0 V ENABLE GND
2.7 V
A OR B 1.3 V tPZL tPLZ
0.3 V GND HIGH
tPLH tPHL 1.3 V IMPEDANCE
A OR B
OUTPUT 90% 10% VOL
1.3 V tPZH tPHZ
B OR A VOH
10% 90%
A OR B 1.3 V
tTLH tTHL HIGH
IMPEDANCE
Figure 1. Figure 2.
*Includes all probe and jig capacitance *Includes all probe and jig capacitance
http://onsemi.com
347
MC74HCT245A
2
A1
18
B1
3
A2
17
B2
4
A3
16
B3
5
A4
A
DATA 15
B4
PORT B
6 DATA
A5 PORT
14
B5
7
A6
13
B6
8
A7
12
B7
9
A8
11
B8
1
DIRECTION
19
OUTPUT ENABLE
http://onsemi.com
348
MC74HCT273A
3 2 RESET 1 20 VCC
D0 Q0
4 5 Q0 2 19 Q7
D1 Q1
7 6 D0 3 18 D7
D2 Q2
8 9 D1 4 17 D6
DATA D3 Q3 NONINVERTING
INPUTS 13 12 Q1 5 16 Q6
D4 Q4 OUTPUTS
14 Q2 6 15 Q5
D5 15
Q5 D2 7 14 D5
17
D6 16
18 Q6 D3 8 13 D4
D7 19
11 Q7 Q3 9 12 Q4
CLOCK
GND 10 11 CLOCK
PIN 20 = VCC
1 PIN 10 = GND
RESET
FUNCTION TABLE ORDERING INFORMATION
Inputs Output Device Package Shipping
Reset Clock D Q MC74HCT273AN PDIP−20 1440 / Box
L X X L MC74HCT273ADW SOIC−WIDE 38 / Rail
H H H
H L L MC74HCT273ADWR2 SOIC−WIDE 1000 / Reel
H L X No Change
H X No Change
X = Don’t Care
Z = High Impedance
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C Unused outputs must be left open.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TL Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds C
(SOIC or Plastic DIP) 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/C from 65 to 125C
SOIC Package: – 7 mW/C from 65 to 125C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
Î ÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 4.5 5.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
Vin, Vout DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND) 0 VCC V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
TA Operating Temperature, All Package Types – 55 + 125 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
tr, tf Input Rise and Fall Time (Figure 1) 0 500 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIH
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout| 20 µA
4.5
5.5
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIL Maximum Low−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 4.5 0.8 0.8 0.8 V
|Iout| 20 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage 5.5 0.8 0.8 0.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Output Vin = VIH or VIL 4.5 4.4 4.4 4.4 V
Voltage |Iout| 20 µA 5.5 5.4 5.4 5.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 4.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VIH or VIL 4.5 0.1 0.1 0.1 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage |Iout| 20 µA 5.5 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 4.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Leakage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VCC or GND 5.5 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Quiescent Supply
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
Iout = 0 µA
5.5 4.0 40 160 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
∆ICC Additional Quiescent Supply Vin = 2.4 V, Any One Input ≥ −55C 25C to 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Vin
i = VCC or GND
GND, Other Inputs
lout = 0 µA 5.5 2.9 2.4 mA
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
http://onsemi.com
350
MC74HCT273A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VCC = 5.0 V ± 10%, CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
– 55 to
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Fig. 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fmax Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle) 1, 4 30 24 20 MHz
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Clock to Q 1, 4 25 28 35 ns
tPHL
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTLH,
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Reset to Q
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, Any Output
2, 4
1, 5
25
18
28
20
35
22
ns
ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTHL
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TIMING REQUIREMENTS (VCC = 5.0 V ± 10%, CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
– 55 to 25C 85C 125C
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tsu
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter
Minimum Setup Time, Data to Clock
Fig.
3
Min
10
Max Min
12
Max Min
15
Max Unit
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
th
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î ÎÎÎ
Minimum Hold Time, Clock to Data
ÎÎ
ÎÎÎ
3 3.0 3.0 3.0 ns
trec
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tw
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Minimum Recovery Time, Set or Reset Inactive to Clock
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Minimum Pulse Width, Clock
2
1
5.0
12
5.0
15
5.0
18
ns
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tw
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Minimum Pulse Width, Set or Reset 2 12 15 18 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Rise and Fall Times 1 500 500 500 ns
http://onsemi.com
351
MC74HCT273A
SWITCHING WAVEFORMS
tr tf tw
3.0 V 3.0 V
2.7 V RESET 1.3 V
CLOCK 1.3 V
0.3 V GND GND
tw tPHL
1/fmax 1.3 V
Q
tPLH tPHL
90% trec
Q 1.3 V 3.0 V
10% CLOCK 1.3 V
tTLH tTHL GND
Figure 1. Figure 2.
TEST POINT
VALID OUTPUT
3.0 V DEVICE
DATA 1.3 V UNDER
GND TEST CL*
tsu th
3.0 V
1.3 V
CLOCK GND
*Includes all probe and jig capacitance
Figure 3. Figure 4. Test Circuit
C 2
3 Q Q0
D0 DR
C 5
4 Q Q1
D1 DR
C 6
7 Q Q2
D2 DR
C 9
8 Q Q3
D3 DR NONINVERTING
DATA
OUTPUTS
INPUTS C 12
13 Q Q4
D4 DR
C 15
14 Q Q5
D5 DR
C 16
17 Q Q6
D6 DR
C 19
18 Q Q7
D7 DR
11
CLOCK
1
RESET
http://onsemi.com
352
MC74HCT373A
PIN ASSIGNMENT
OUTPUT 1 20 VCC
ENABLE
Q0 2 19 Q7
LOGIC DIAGRAM
D0 3 18 D7
D1 4 17 D6
3 2
D0 Q0 Q1 5 16 Q6
4 5
D1 Q1 Q2 6 15 Q5
7 6
D2 Q2 D2 7 14 D5
DATA 8 9 D3 8 13 D4
D3 Q3 NONINVERTING
INPUTS 13 12
D4 Q4 OUTPUTS Q3 9 12 Q4
14 15 GND 10 11 LATCH
D5 Q5 ENABLE
17 16
D6 Q6
18 19
FUNCTION TABLE
D7 Q7
Inputs Output
Output Latch
11 PIN 20 = VCC Enable Enable D Q
LATCH ENABLE
1 PIN 10 = GND
OUTPUT ENABLE L H H H
L H L L
L L X No Change
H X X Z
X = don’t care
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Z = high impedance
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Design Criteria Value Units
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Count* 49 ea.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Propagation Delay 1.5 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Power Dissipation 5.0 W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Speed Power Product 0.0075 pJ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*Equivalent to a two−input NAND gate.
http://onsemi.com
354
MC74HCT373A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 35 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 75 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500
450 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package†
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 °C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Plastic DIP, SOIC, SSOP or TSSOP Package) 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
4.5
0
5.5
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time (Figure 1)
– 55
0
+ 125
500
°C
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
V 25°C 85°C 125°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions Unit
VIH Minimum High−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 4.5 2.0 2.0 2.0 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIL ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Low−Level Input
|Iout| 20 A
4.5
2.0
0.8
2.0
0.8
2.0
0.8 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage |Iout| 20 A 5.5 0.8 0.8 0.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Output Vin = VIH or VIL 4.5 4.4 4.4 4.4 V
Voltage |Iout| 20 A 5.5 5.4 5.4 5.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 6.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VIH or VIL 4.5 0.1 0.1 0.1 V
|Iout| 20 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage 5.5 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 6.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Leakage Cur-
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
rent
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VCC or GND 5.5 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IOZ Maximum Three−State Output in High−Impedance State 5.5 ± 0.5 ± 5.0 ± 10 A
Leakage Current Vin = VIL or VIH
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = VCC or GND
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Quiescent Supply
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
Iout = 0 A
5.5 4.0 40 160 A
http://onsemi.com
355
MC74HCT373A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICC ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Additional Quiescent Supply Vin = 2.4 V, Any One Input 5.5 ≥ −55°C 25°C to 125°C mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Vin = VCC or GND,
GND Other Inputs
lout = 0 A 2.9 2.4
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VCC = 5.0 V ± 10%, CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter
– 55 to
25°C 85°C 125°C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Input D to Q 28 35 42 ns
tPHL (Figures 1 and 5)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Latch Enable to Q
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 2 and 5)
32 40 48 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLZ, Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q 30 38 45 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPHZ (Figures 3 and 6)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPZL, Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q 35 44 53 ns
tPZH (Figures 3 and 6)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, Any Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 5)
12 15 18 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cin Maximum Input Capacitance 10 10 10 pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cout Maximum Three−State Output Capacitance 15 15 15 pF
(Output in High−Impedance State)
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
TIMING REQUIREMENTS (VCC = 5.0 V ± 10%, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
– 55 to
Symbol Parameter 25°C 85°C 125°C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tsu
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum Setup Time, Input D to Latch Enable
ÎÎÎÎ
(Figure 4)
ÎÎÎ
10 13 15 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
th Minimum Hold Time, Latch Enable to Input D 10 13 15 ns
(Figure 4)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tw
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum Pulse Width, Latch Enable
ÎÎÎÎ
(Figure 2)
ÎÎÎ
12 15 18 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
(Figure 1)
ÎÎÎ
Maximum Input Rise and Fall Times
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
500 500 500 ns
http://onsemi.com
356
MC74HCT373A
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
3 4 7 8 13 14 17 18
D Q D Q D Q D Q D Q D Q D Q D Q
LE LE LE LE LE LE LE LE
LATCH 11
ENABLE
OUTPUT 1
ENABLE
2 5 6 9 12 15 16 19
Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7
SWITCHING WAVEFORMS
tr tf tw
3V 3V
2.7 V
INPUT D 1.3 V LATCH ENABLE 1.3 V 1.3 V
0.3 V GND GND
tPLH tPHL tPLH tPHL
90%
Q 1.3 V
10%
Q 1.3 V
tTLH tTHL
Figure 1. Figure 2.
3V
OUTPUT
1.3 V
ENABLE
GND VALID
tPZL tPLZ 3V
HIGH
INPUT D 1.3 V
IMPEDANCE
Q 1.3 V GND
10% VOL tsu th
tPZH tPHZ 3V
VOH LATCH ENABLE 1.3 V
90%
Q 1.3 V GND
HIGH
IMPEDANCE
Figure 3. Figure 4.
http://onsemi.com
357
MC74HCT373A
TEST CIRCUITS
*Includes all probe and jig capacitance *Includes all probe and jig capacitance
Figure 5. Figure 6.
http://onsemi.com
358
MC74HCT374A
PIN ASSIGNMENT
OUTPUT
1 20 VCC
ENABLE
Q0 2 19 Q7
LOGIC DIAGRAM D0 3 18 D7
D1 4 17 D6
3 2
D0 Q0
Q1 5 16 Q6
4 5
D1 Q1
Q2 6 15 Q5
7 6
D2 Q2
D2 7 14 D5
8 9
DATA D3 Q3
NONINVERTING D3 8 13 D4
INPUTS 13 12
D4 Q4 OUTPUTS
Q3 9 12 Q4
14 15
D5 Q5
GND 10 11 CLOCK
17 16
D6 Q6
18 19
D7 Q7
CLOCK
11 FUNCTION TABLE
Inputs Output
Output
PIN 20 = VCC
1 Enable Clock D Q
PIN 10 = GND
OUTPUT ENABLE
L H H
L L L
L L,H, X No Change
H X X Z
X = don’t care
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Z = high impedance
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Design Criteria Value Units
Internal Gate Count* 69 ea.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Propagation Delay 1.5 ns
µW
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Power Dissipation 5.0
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Speed Power Product .0075 pJ
*Equivalent to a two−input NAND gate.
http://onsemi.com
360
MC74HCT374A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 35 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 75 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Plastic DIP, SOIC, SSOP or TSSOP Package) 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
4.5
0
5.5
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time (Figure 1)
– 55
0
+ 125
500
C
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
V 25C 85C 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions Unit
VIH Minimum High−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 4.5 2.0 2.0 2.0 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VIL ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Low−Level Input
|Iout| 20 µA
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
5.5
4.5
2.0
0.8
2.0
0.8
2.0
0.8 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage |Iout| 20 µA 5.5 0.8 0.8 0.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Output Vin = VIH or VIL 4.5 4.4 4.4 4.4 V
Voltage |Iout| 20 µA 5.5 5.4 5.4 5.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 6.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Low−Level Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 20 µA
4.5
5.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 6.0 mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 0.26 0.33 0.4
± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin Maximum Input Leakage Vin = VCC or GND 5.5
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IOZ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Three−State
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Leakage Current
ÎÎÎ
Output in High−Impedance State
Vin = VIL or VIH
5.5 ± 0.5 ± 5.0 ± 10 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = VCC or GND
µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC Maximum Quiescent Supply Vin = VCC or GND 5.5 4.0 40 160
Current (per Package) Iout = 0 µA
http://onsemi.com
361
MC74HCT374A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
∆ICC ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Additional Quiescent Supply Vin = 2.4 V, Any One Input ≥ −55C 25C to 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current Vin = VCC or GND,
GND Other Inputs
lout = 0 µA 5.5 2.9 2.4 mA
NOTE: 1. Total Supply Current = ICC + Σ∆ICC.
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VCC = 5.0 V ± 10%, CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter
– 55 to
25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fmax Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle) 30 24 20 MHz
(Figures 1 and 4)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Clock to Q
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 4)
31 39 47 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLZ,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHZ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 2 and 5)
30 38 45 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPZL, Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q 30 38 45 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPZH (Figures 2 and 5)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tTLH, Maximum Output Transition Time, Any Output 12 15 18 ns
tTHL (Figures 1 and 4)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cin
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Capacitance 10 10 10 pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Cout
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Three−State Output Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Output in High−Impedance State)
15 15 15
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TIMING REQUIREMENTS (VCC = 5.0 V ± 10%, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
– 55 to
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tsu Minimum Setup Time, Data to Clock 12 15 18 ns
(Figure 3)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
th
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum Hold Time, Clock to Data
ÎÎÎÎ
(Figure 3)
ÎÎÎ
5.0 5.0 5.0 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Clock 12 15 18 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figure 1)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tr, tf Maximum Input Rise and Fall Times 500 500 500 ns
(Figure 1)
http://onsemi.com
362
MC74HCT374A
SWITCHING WAVEFORMS
tr tf 3V
VCC OUTPUT 1.3 V
CLOCK 2.7 V
1.3 V ENABLE GND
0.3 V GND tPZL tPLZ
tw HIGH
IMPEDANCE
1/fmax Q 1.3 V
10% VOL
tPLH tPHL tPZH tPHZ
90% VOH
1.3 V 90%
Q 10% Q 1.3 V HIGH
tTLH tTHL IMPEDANCE
Figure 1. Figure 2.
VALID
DATA 3V
1.3 V
GND
tsu th
3V
CLOCK 1.3 V
GND
Figure 3.
TEST CIRCUITS
*Includes all probe and jig capacitance *Includes all probe and jig capacitance
Figure 4. Figure 5.
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
3 4 7 8 13 14 17 18
D Q D Q D Q D Q D Q D Q D Q D Q
C C C C C C C C
11
CLOCK
OUTPUT 1
ENABLE 2 5 6 9 12 15 16 19
Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7
http://onsemi.com
363
MC74HCT541A
4 16 FUNCTION TABLE
A3 Y3
Inputs
Output Y
5 15 OE1 OE2 A
Data A4 Y4 Non−Inverting
Inputs Outputs L L L L
6 14
A5 Y5 L L H H
H X X Z
7 13
A6 Y6 X H X Z
Z = High Impedance
8 12 X = Don’t Care
A7 Y7
9 11
Pinout: 20−Lead Packages (Top View)
A8 Y8
VCC OE2 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 Y8
1 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11
Output OE1
OE2 PIN 20 = VCC
Enables
19 PIN 10 = GND
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
OE1 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 GND
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 35 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 75 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Tstg Storage Temperature Range – 65 to + 150 C Unused outputs must be left open.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TL Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds C
Plastic DIP or SOIC Package 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/C from 65 to 125C
SOIC Package: – 7 mW/C from 65 to 125C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
Î ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
4.5
0
5.5
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature Range, All Package Types – 55 + 125 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise/Fall Time (Figure 1)
Guaranteed Limit
VCC
Symbol Parameter Condition V −55 to 25°C ≤85°C ≤125°C Unit
VIH Minimum High−Level Input Vout = 0.1V or VCC − 0.1V 4.5 2.0 2.0 2.0 V
Voltage |Iout| ≤ 20µA 5.5 2.0 2.0 2.0
VIL Maximum Low−Level Input Vout = 0.1V or VCC − 0.1V 4.5 0.8 0.8 0.8 V
Voltage |Iout| ≤ 20µA 5.5 0.8 0.8 0.8
VOH Minimum High−Level Output Vin = VIH or VIL 4.5 4.4 4.4 4.4 V
Voltage |Iout| ≤ 20µA 5.5 5.4 5.4 5.4
Vin = VIH or VIL |Iout| ≤ 6.0mA 4.5 3.98 3.84 3.70
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VIH or VIL 4.5 0.1 0.1 0.1 V
Voltage |Iout| ≤ 20µA 5.5 0.1 0.1 0.1
Vin = VIH or VIL |Iout| ≤ 6.0mA 4.5 0.26 0.33 0.40
Iin Maximum Input Leakage Current Vin = VCC or GND 5.5 ±0.1 ±1.0 ±1.0 µA
IOZ Maximum Three−State Leakage Output in High Impedance State 5.5 ±0.5 ±5.0 ±10.0 µA
Current Vin = VIL or VIH
Vout = VCC or GND
ICC Maximum Quiescent Supply Vin = VCC or GND 5.5 4 40 160 µA
Current (per Package) Iout = 0µA
∆ICC Additional Quiescent Supply Vin = 2.4V, Any One Input ≥ −55°C 25 to 125°C
Current Vin = VCC or GND
GND, Oth
Other IInputs
t
Iout = 0µA 5.5 2.9 2.4 mA
1. Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
2. Total Supply Current = ICC + Σ∆ICC.
http://onsemi.com
365
MC74HCT541A
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
SWITCHING WAVEFORMS
tr tf 3.0V
OE1 or OE2 1.3V 1.3V
90% 3.0V
GND
INPUT A 1.3V tPZL tPLZ
HIGH
10% GND IMPEDANCE
tPLH tPHL OUTPUT Y 1.3V
10%
90% VOL
1.3V tPZH tPHZ
OUTPUT Y
10% 90% VOH
OUTPUT Y
tTHL 1.3V
tTLH
HIGH
IMPEDANCE
Figure 1. Figure 2.
TEST CIRCUITS
TEST TEST
POINT POINT
CONNECT TO VCC WHEN
OUTPUT OUTPUT 1kΩ
TESTING tPLZ AND tPZL.
DEVICE DEVICE CONNECT TO GND WHEN
UNDER UNDER TESTING tPHZ and tPZH.
TEST CL* TEST CL*
*Includes all probe and jig capacitance *Includes all probe and jig capacitance
Figure 3. Figure 4.
http://onsemi.com
366
MC74HCT541A
PIN DESCRIPTIONS
LOGIC DETAIL
To 7 Other
Buffers
VCC
One of Eight
Buffers
INPUT A
OUTPUT Y
OE1
OE2
http://onsemi.com
367
MC74HCT573A
FUNCTION TABLE
Inputs Output
Output Latch
Enable Enable D Q
L H H H
L H L L
L L X No Change
H X X Z
X = Don’t Care
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Z = High Impedance
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Design Criteria Value Units
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Count* 58.5 ea
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Propagation Delay 1.5 ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Internal Gate Power Dissipation
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Speed Power Product
5.0
0.0075
µW
pJ
*Equivalent to a two−input NAND gate.
http://onsemi.com
369
MC74HCT573A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Plastic DIP, TSSOP or SOIC Package) 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Min Max Unit
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 4.5 5.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TA
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
0
– 55
VCC
+ 125
V
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time (Figure 1) 0 500 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIH
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout| 20 µA
4.5
5.5
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIL Maximum Low−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 4.5 0.8 0.8 0.8 V
Voltage |Iout| 20 µA 5.5 0.8 0.8 0.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOH
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 20 µA
4.5
5.5
4.4
5.4
4.4
5.4
4.4
5.4
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 6.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Low−Level Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 20 µA
4.5
5.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 6.0 mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 0.26 0.33 0.4
± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin Maximum Input Leakage Current Vin = VCC or GND 5.5
IOZ Maximum Three−State Output in High−Impedance State 5.5 ± 0.5 ± 5.0 ± 10 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎ
Leakage Current
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIL or VIH
Vout = VCC or GND
µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC Maximum Quiescent Supply Vin = VCC or GND 5.5 4.0 40 160
Current (per Package) Iout 0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
∆ICC
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Additional Quiescent Supply
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = 2.4 V, Any One Input
Vin = VCC or GND,
lout = 0 µA
GND Other Inputs
5.5
≥ – 55C
2.9
25C to 125C
2.4 mA
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
http://onsemi.com
370
MC74HCT573A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VCC = 5.0 V ± 10%, CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
– 55 to
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Input D to Output Q 30 38 45 ns
tPHL (Figures 1 and 5)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPLH
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tPHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Latch Enable to Q
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 2 and 5)
30 38 45 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TPLZ,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TPHZ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 3 and 6)
28 35 42 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tTZL, Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q 28 35 42 ns
tTZH (Figures 3 and 6)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, any Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 5)
12 15 18 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Cin
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Cout ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Input Capacitance
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Three−State Output Capacitance
10
15
10
15
10
15
pF
pF
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Output in High−Impedance State)
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TIMING REQUIREMENTS (VCC = 5.0 V ± 10%, CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
– 55 to 25C 85C 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Fig. Min Max Min Max Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
tsu Minimum Setup Time, Input D to Latch Enable 4 10 13 15 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
th Minimum Hold Time, Latch Enable to Input D 4 5.0 5.0 5.0 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Latch Enable 2 15 19 22 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
tr, tf Maximum Input Rise and Fall Times 1 500 500 500 ns
http://onsemi.com
371
MC74HCT573A
SWITCHING WAVEFORMS
3.0 V
LATCH
tr tf 1.3 V
ENABLE
3.0 V
2.7 V GND
INPUT D 1.3 V
0.3 V GND tw
tPLH tPHL
90% tPLH tPHL
Q 1.3 V
10%
tTLH tTHL Q 1.3 V
Figure 1. Figure 2.
OUTPUT 3.0 V
ENABLE 1.3 V VALID
GND 3.0 V
tPZL tPLZ INPUT D 1.3 V
HIGH GND
Q 1.3 V IMPEDANCE tSU th
10% VOL 3.0 V
tPZH tPHZ LATCH 1.3 V
90% VOH GND
ENABLE
Q 1.3 V
HIGH
IMPEDANCE
Figure 3. Figure 4.
11
LATCH ENABLE
*Includes all probe and jig capacitance
1
OUTPUT ENABLE
Figure 6. Test Circuit
http://onsemi.com
372
MC74HCT574A
FUNCTION TABLE
Inputs Output
OE Clock D Q
L H H
L L L
L L,H, X No Change
H X X Z
X = don’t care
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Z = high impedance
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Design Criteria Value Units
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Internal Gate Count*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Propagation Delay
71.5
1.5
ea
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Power Dissipation 5.0 µW
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Speed Power Product
*Equivalent to a two−input NAND gate.
0.0075 pJ
http://onsemi.com
374
MC74HCT574A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 35 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 75 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C Unused outputs must be left open.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TL Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds C
(Plastic DIP or SOIC Package) 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/C from 65 to 125C
SOIC Package: – 7 mW/C from 65 to 125C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
Î ÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) 4.5 5.5 V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
Vin, Vout DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND) 0 VCC V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
TA Operating Temperature, All Package Types – 55 + 125 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
tr, tf Input Rise and Fall Time (Figure 1) 0 500 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIH
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout| 20 µA
4.5
5.5
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIL Maximum Low−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 4.5 0.8 0.8 0.8 V
|Iout| 20 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage 5.5 0.8 0.8 0.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Output Vin = VIH or VIL 4.5 4.4 4.4 4.4
Voltage |Iout| 20 µA 5.5 5.4 5.4 5.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 6.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.7
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VIH or VIL 4.5 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage |Iout| 20 µA 5.5 0.1 0.1 0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 6.0 mA 4.5 0.26 0.33 0.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Input Leakage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VCC or GND 5.5 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Quiescent Supply
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current (per Package)
1. Output in high−impedance state.
Vin = VCC or GND
Iout = 0 µA 5.5 4.0 40 160 µA
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
http://onsemi.com
375
MC74HCT574A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ VCC – 55 to
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
IOZ Maximum Three−State Vin = VIL or VIH (Note 1) 5.5 − 0.5 – 5.0 – 10 µA
Leakage Vout = VCC or GND
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
∆ICC
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Current ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Additional Quiescent Supply
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = 2.4 V, Any One Input
Vin
i = VCC or GND
lout = 0 µA
GND, Other Inputs
5.5
≥ – 55C
2.9
25C to 125C
2.4 mA
1. Output in high−impedance state.
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VCC = 5.0 V ± 10%, CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
– 55 to
85C 125C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter 25C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fMAX Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle) (Figures 1 and 4) 30 24 20 MHz
tPLH, Maximum Propagation Delay, Clock to Q 30 38 45 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tPHL
tPLZ, ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
(Figures 1 and 4)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q 28 35 42 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPHZ (Figures 2 and 5)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPZH, Maximum Propagation Delay Time, Output Enable to Q 28 35 42 ns
tPZL (Figures 2 and 5)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tTLH,
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, Any Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1, 2 and 4)
12 15 18 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tTHL
Cin Maximum Input Capacitance 10 10 10 pF
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TIMING REQUIREMENTS (VCC = 5.0 V ± 10%, CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎ – 55 to 25C
Guaranteed Limit
85C 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tsu
ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
Parameter
Minimum Setup Time, Data to Clock
Fig.
3
Min
10
Max Min
13
Max Min
15
Max Unit
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
th
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tw ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎ
Minimum Hold Time, Clock to Data
ÎÎÎ
ÎÎ
Minimum Pulse Width, Clock
3
1
5.0
15
5.0
19
5.0
22
ns
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, If
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
Maximum Input Rise and Fall Times 1 500 500 500 ns
http://onsemi.com
376
MC74HCT574A
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
2 3 4 5 6 7 8 9
11
CLOCK
D D D D D D D D
C C C C C C C C
Q Q Q Q Q Q Q Q
ENABLE 1
OUTPUT
19 18 17 16 15 14 13 12
Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7
SWITCHING WAVEFORMS
tr tf
3.0 V 3.0 V
2.7 V OUTPUT
CLOCK 1.3 V 1.3 V
0.3 V GND ENABLE GND
tw tPZL tPLZ
HIGH
1/fmax
1.3 V IMPEDANCE
tPLH tPHL Q
10% VOL
90% tPZH tPHZ
Q 1.3 V 90% VOH
10% Q 1.3 V HIGH
tTLH tTHL IMPEDANCE
Figure 1. Figure 2.
TEST POINT
VALID OUTPUT
3.0 V DEVICE
1.3 V UNDER
DATA GND TEST CL*
tsu th
3.0 V
1.3 V
CLOCK GND
*Includes all probe and jig capacitance
TEST POINT
CONNECT TO VCC WHEN
OUTPUT 1 kΩ
TESTING tPLZ AND tPZL.
DEVICE CONNECT TO GND WHEN
UNDER TESTING tPHZ AND tPZH.
TEST CL*
http://onsemi.com
377
MC74HCT74A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SET 2
H H L X No Change
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
H H H X No Change
Design Criteria Value Units
H H X No Change
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Internal Gate Count*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
34 ea. *Both outputs will remain high as long as Set and
Reset are low, but the output states are unpredict-
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Propagation Delay 1.5 ns able if Set and Reset go high simultaneously.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Internal Gate Power Dissipation 5.0 µW
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ORDERING INFORMATION
Speed Power Product .0075 pJ
Device Package Shipping
*Equivalent to a two−input NAND gate.
MC74HCT74AN PDIP−14 2000 / Box
MC74HCT74AD SOIC−14 55 / Rail
MC74HCT74ADR2 SOIC−14 2500 / Reel
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C Unused outputs must be left open.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TL Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds C
(Plastic DIP or SOIC Package) 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
†Derating — Plastic DIP: –10mW/C from 65 to 125C
SOIC Package: –7mW/C from 65 to 125C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
4.5
0
5.5
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types – 55 + 125 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Input Rise and Fall Time (Figure 1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
0 500 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Test Conditions
VCC
V
– 55 to
25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIH
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V
|Iout| 20 µA
4.5
5.5
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VIL Maximum Low−Level Input Vout = 0.1 V or VCC – 0.1 V 4.5 0.8 0.8 0.8 V
|Iout| 20 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Voltage 5.5 0.8 0.8 0.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOH Minimum High−Level Output Vin = VIH or VIL 4.5 4.4 4.4 4.4 V
Voltage |Iout| 20 µA 5.5 5.4 5.4 5.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 4.0 mA 4.5 3.98 3.84 3.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Low−Level Output
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 20 µA
4.5
5.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = VIH or VIL
|Iout| 4.0 mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 0.26 0.33 0.4
± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin Maximum Input Leakage Vin = VCC or GND 5.5
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Quiescent Supply
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
Iout = 0 µA
5.5 2.0 20 80 µA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
∆ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Additional Quiescent Supply
Current
Vin = 2.4 V, Any One Input
Vin = VCC or GND,
GND Other Inputs
≥ −55C 25C to 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ lout = 0 µA 5.5 2.9 2.4 mA
http://onsemi.com
379
MC74HCT74A
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
http://onsemi.com
380
MC74HCT74A
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
fmax Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle) 30 24 20 MHz
(Figures 1 and 4)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tPLH,
tPHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Clock to Q or Q
(Figures 1 and 4)
24 30 36 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tPLH,
tPHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Propagation Delay, Set or Reset to Q or Q
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 2 and 4)
24 30 36 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tTLH,
tTHL ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Maximum Output Transition Time, Any Output
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
(Figures 1 and 4)
15 19 22 ns
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Cin Maximum Input Capacitance 10 10 10 pF
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TIMING REQUIREMENTS (VCC = 5.0 V ± 10%, CL = 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎ
– 55 to
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
25C 85C 125C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
Symbol Parameter Fig. Min Max Min Max Min Max Units
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
tsu Minimum Setup Time, Data to Clock 3 15 19 22 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
th Minimum Hold Time, Clock to Data 3 3 3 3 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
trec Minimum Recovery Time, Set or Reset Inactive to Clock 2 6 8 9 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Clock 1 15 19 22 ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
tw Minimum Pulse Width, Set or Reset 2 15 19 22 ns
tr, tf Maximum Input Rise and Fall Times 1 500 500 500 ns
http://onsemi.com
381
MC74HCT74A
SWITCHING WAVEFORMS
tw
tr tf 3V
SET OR 1.3 V
2.7 V 3V GND
CLOCK RESET
1.3 V tPHL
0.3 V GND
tw Q OR Q 1.3 V
1/fmax tPLH
Figure 1. Figure 2.
VALID
3V TEST POINT
DATA 1.3 V
OUTPUT
GND
DEVICE
tsu th UNDER
TEST CL*
3V
1.3 V GND
CLOCK
Figure 3. Figure 4.
2, 12 5, 9
DATA Q
3, 11
CLOCK
6, 8
Q
1, 13
RESET
http://onsemi.com
382
MC74HCU04A
5 6 PIN ASSIGNMENT
A3 Y3
Y=A A1 1 14 VCC
9 8 Y1 2 13 A6
A4 Y4
A2 3 12 Y6
11 10 Y2 4 11 A5
A5 Y5
A3 5 10 Y5
PIN 14 = VCC
13 12 PIN 7 = GND Y3 6 9 A4
A6 Y6
GND 7 8 Y4
FUNCTION TABLE
Inputs Outputs
A Y
ORDERING INFORMATION
L H
H L Device Package Shipping
MC74HCU04AN PDIP−14 2000 / Box
MC74HCU04AD SOIC−14 55 / Rail
MC74HCU04ADR2 SOIC−14 2500 / Reel
MC74HCU04ADT TSSOP−14 96 / Rail
MC74HCU04ADTR2 TSSOP−14 2500 / Reel
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter Value Unit This device contains protection
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC DC Supply Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to + 7.0 V circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin DC Input Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V fields. However, precautions must
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
be taken to avoid applications of any
Vout DC Output Voltage (Referenced to GND) – 0.5 to VCC + 0.5 V
voltage higher than maximum rated
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin DC Input Current, per Pin ± 20 mA voltages to this high−impedance cir-
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
cuit. For proper operation, Vin and
Iout DC Output Current, per Pin ± 25 mA
Vout should be constrained to the
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ICC DC Supply Current, VCC and GND Pins ± 50 mA range GND (Vin or Vout) VCC.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused inputs must always be
PD Power Dissipation in Still Air Plastic DIP† 750 mW tied to an appropriate logic voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
SOIC Package† 500 level (e.g., either GND or VCC).
TSSOP Package† 450
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unused outputs must be left open.
Tstg Storage Temperature – 65 to + 150 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Lead Temperature, 1 mm from case for 10 Seconds
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package 260
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎ
ÎÎÎ Parameter Min Max Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Vin, Vout
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
ÎÎ
ÎÎÎ
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
2.0
0
6.0
VCC
V
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Operating Temperature, All Package Types
ÎÎ
ÎÎÎ
Input Rise and Fall Time (Figure 1)
– 55
—
+ 125
No
C
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Limit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIH
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = 0.5 V*
|Iout| 20 µA
2.0
3.0
1.7
2.5
1.7
2.5
l.7
2.5
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 3.6 3.6 3.6
6.0 4.8 4.8 4.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VIL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Low−Level Input
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vout = VCC – 0.5 V*
|Iout| 20 µA
2.0
3.0
0.3
0.5
0.3
0.5
0.3
0.5
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 0.8 0.8 0.8
6.0 1.1 1.1 1.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VOH
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Voltage ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Minimum High−Level Output
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = GND
|Iout| 20 µA
2.0
4.5
6.0
1.8
4.0
5.5
1.8
4.0
5.5
1.8
4.0
5.5
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Vin = GND |Iout| 2.4 mA
|Iout| 4.0 mA
3.0
4.5
2.36
3.86
2.26
3.76
2.20
3.70
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 5.2 mA 6.0 5.36 5.26 5.20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VOL Maximum Low−Level Output Vin = VCC 2.0 0.2 0.2 0.2 V
Voltage |Iout| 20 µA 4.5 0.5 0.5 0.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ Vin = VCC |Iout| 2.4 mA
6.0
3.0
0.5
0.32
0.5
0.32
0.5
0.32
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
|Iout| 4.0 mA 4.5 0.32 0.37 0.40
|Iout| 5.2 mA 6.0 0.32 0.37 0.40
http://onsemi.com
384
MC74HCU04A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Guaranteed Limit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC – 55 to
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol Parameter Test Conditions V 25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Iin Maximum Input Leakage Vin = VCC or GND 6.0 ± 0.1 ± 1.0 ± 1.0 µA
Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
Maximum Quiescent Supply
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Current (per Package)
Vin = VCC or GND
Iout = 0 µA
6.0 1 10 40 µA
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*For VCC = 2.0 V, Vout = 0.2 V or VCC − 0.2 V.
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CL = 50 pF, Input tr = tf = 6 ns)
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Guaranteed Limit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Parameter
VCC
V
– 55 to
25C 85C 125C Unit
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tPLH, Maximum Propagation Delay, Input A to Output Y 2.0 70 90 105 ns
tPHL (Figures 1 and 2) 3.0 40 45 50
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ
ÎÎÎ ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
6.0
14
12
18
15
21
18
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
tTLH, Maximum Output Transition Time, Any Output 2.0 75 95 110 ns
tTHL (Figures 1 and 2) 3.0 27 32 36
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5 15 19 22
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
6.0 13 16 19
Cin Maximum Input Capacitance — 10 10 10 pF
NOTES:
1. For propagation delays with loads other than 50 pF, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
2. Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
http://onsemi.com
385
MC74HCU04A
TEST POINT
tr tf
VCC OUTPUT
90% DEVICE
INPUT A 50%
10% GND UNDER
TEST CL*
tPHL tPLH
90%
OUTPUT Y 50%
10%
tTHL tTLH *Includes all probe and jig capacitance
LOGIC DETAIL
(1/6 of Device Shown)
VCC
A Y
http://onsemi.com
386
MC74HCU04A
TYPICAL APPLICATIONS
R2 R1
C1 C2
Vout
R2 VCC
1M
VCC +V
http://onsemi.com
387
CHAPTER 3
Case Outlines and Package Dimensions
http://onsemi.com
388
CASE OUTLINES AND PACKAGE DIMENSIONS
PDIP−14
CASE 646−06
ISSUE N
DATE 04 MAY 2004
1
SCALE 1:1
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
14 8 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION L TO CENTER OF LEADS
B WHEN FORMED PARALLEL.
4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE
1 7 MOLD FLASH.
5. ROUNDED CORNERS OPTIONAL.
A INCHES MILLIMETERS
DIM MIN MAX MIN MAX
F L A 0.715 0.770 18.16 18.80
B 0.240 0.260 6.10 6.60
C 0.145 0.185 3.69 4.69
N D 0.015 0.021 0.38 0.53
C F 0.040 0.070 1.02 1.78
G 0.100 BSC 2.54 BSC
−T− H 0.052 0.095 1.32 2.41
J 0.008 0.015 0.20 0.38
SEATING
PLANE K 0.115 0.135 2.92 3.43
K J L 0.290 0.310 7.37 7.87
H G D 14 PL M M −−− 10 −−− 10
N 0.015 0.039 0.38 1.01
0.13 (0.005) M
GENERIC
MARKING DIAGRAM*
14
XXXXXXXXXXXX
XXXXXXXXXXXX
STYLES ON NEXT PAGE AWLYYWWG
1
http://onsemi.com
389
PDIP−14
CASE 646−06
ISSUE N
DATE 04 MAY 2004
STYLE 1: STYLE 2: STYLE 3: STYLE 4:
PIN 1. COLLECTOR CANCELLED CANCELLED PIN 1. DRAIN
2. BASE 2. SOURCE
3. EMITTER 3. GATE
4. NO 4. NO
CONNECTION CONNECTION
5. EMITTER 5. GATE
6. BASE 6. SOURCE
7. COLLECTOR 7. DRAIN
8. COLLECTOR 8. DRAIN
9. BASE 9. SOURCE
10. EMITTER 10. GATE
11. NO 11. NO
CONNECTION CONNECTION
12. EMITTER 12. GATE
13. BASE 13. SOURCE
14. COLLECTOR 14. DRAIN
http://onsemi.com
390
PDIP−16
CASE 648−08
ISSUE T
16 DATE 04 MAY 2004
1
SCALE 1:1
NOTES:
−A− 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
16 9 3. DIMENSION L TO CENTER OF LEADS
WHEN FORMED PARALLEL.
B 4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE
1 8 MOLD FLASH.
5. ROUNDED CORNERS OPTIONAL.
F INCHES MILLIMETERS
C L DIM MIN MAX MIN MAX
A 0.740 0.770 18.80 19.55
S B 0.250 0.270 6.35 6.85
C 0.145 0.175 3.69 4.44
−T− SEATING D 0.015 0.021 0.39 0.53
PLANE F 0.040 0.70 1.02 1.77
G 0.100 BSC 2.54 BSC
H K M H 0.050 BSC 1.27 BSC
J
G J 0.008 0.015 0.21 0.38
D 16 PL K 0.110 0.130 2.80 3.30
L 0.295 0.305 7.50 7.74
0.25 (0.010) M T A M M 0 10 0 10
S 0.020 0.040 0.51 1.01
STYLE 1: STYLE 2:
PIN 1. CATHODE PIN 1. COMMON DRAIN
2. CATHODE 2. COMMON DRAIN GENERIC
3. CATHODE 3. COMMON DRAIN
4. CATHODE 4. COMMON DRAIN MARKING DIAGRAM*
5. CATHODE 5. COMMON DRAIN
6. CATHODE 6. COMMON DRAIN
7. CATHODE 7. COMMON DRAIN 16
8. CATHODE 8. COMMON DRAIN XXXXXXXXXXXX
9. ANODE 9. GATE
10. ANODE 10. SOURCE XXXXXXXXXXXX
11. ANODE 11. GATE AWLYYWWG
12. ANODE 12. SOURCE
13. ANODE 13. GATE
1
14. ANODE 14. SOURCE
15. ANODE 15. GATE
16. ANODE 16. SOURCE
XXXXX = Specific Device Code
A = Assembly Location
WL = Wafer Lot
YY = Year
WW = Work Week
G = Pb−Free Package
http://onsemi.com
391
PDIP
CASE 724−03
ISSUE D DATE 07/15/1987
SCALE 1:1
−A− NOTES:
1. CHAMFERED CONT OUR OPT IONA L .
24 13 2. DIMENS ION L T O CENT ER OF L EA DS W HEN
F ORME D PARALLEL.
−B− 3. DIME NSIONING A ND T OL E RA NCING PE R A NSI
1 12 Y 14. 5M, 1982.
4. CONT ROL L ING DIME NSION: INCH.
INCHES MILLIMETERS
L DIM MIN MAX MIN MAX
C A 1.2301.26531.2532.13
B 0.2500.270 6.35 6.85
C 0.1450.175 3.69 4.44
−T− K NOTE 1 D 0.0150.020 0.38 0.51
SEATING E 0.050 BSC 1.27 BSC
PLANE N M F 0.0400.060 1.02 1.52
E G 0.100 BSC 2.54 BSC
G F J 24 PL J 0.0070.012 0.18 0.30
K 0.110 0.140 2.80 3.55
0.25 (0.010) M T B M L 0.300 BSC 7.62 BSC
D 24 PL
0 15 0 15
M
0.25 (0.010) M T A M N 0.0200.040 0.51 1.01
PDIP
CASE 738−03
ISSUE E DATE 06/26/1987
SCALE 1:1
−A−
NOTES:
1. DIMENSIONING A ND T OL ERA NCING PER
20 11 A NSI Y 14. 5M, 1982.
2. CONT ROL L ING DIME NSION: INCH.
B 3. DIMENSION L T O CENT ER OF L EA D WHEN
1 10 F ORME D PARALLEL.
4. DIME NSION B DOE S NOT INCL UDE MOL D
FLASH.
C L
INCHES MILLIMETERS
DIM MIN MAX MIN MAX
A 1.010 1.070 25.6627.17
B 0.2400.260 6.10 6.60
−T− C 0.1500.180 3.81 4.57
K D 0.0150.022 0.39 0.55
SEATING
PLANE E 0.050 BSC 1.27 BSC
M
F 0.0500.070 1.27 1.77
E N G 0.100 BSC 2.54 BSC
J 0.0080.015 0.21 0.38
G F K 0.110 0.140 2.80 3.55
J 20 PL
L 0.300 BSC 7.62 BSC
D 20 PL 0.25 (0.010) M T B M 0 15
M 0 15
0.25 (0.010) M T A M N 0.0200.040 0.51 1.01
http://onsemi.com
392
SOIC−8 NB
8 CASE 751−07
ISSUE AD
1
DATE 18 NOV 2004
SCALE 1:1
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
−X− ANSI Y14.5M, 1982.
A 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)
8 5 PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
B S 0.25 (0.010) M Y M PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL
1 IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT
4 MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
−Y− K 6. 751−01 THRU 751−06 ARE OBSOLETE. NEW
STANDARD IS 751−07.
G MILLIMETERS INCHES
DIM MIN MAX MIN MAX
C N X 45 A 4.80 5.00 0.189 0.197
B 3.80 4.00 0.150 0.157
SEATING
PLANE C 1.35 1.75 0.053 0.069
−Z− D 0.33 0.51 0.013 0.020
G 1.27 BSC 0.050 BSC
0.10 (0.004) H 0.10 0.25 0.004 0.010
H M J J 0.19 0.25 0.007 0.010
D K 0.40 1.27 0.016 0.050
M 0 8 0 8
N 0.25 0.50 0.010 0.020
0.25 (0.010) M Z Y S X S
S 5.80 6.20 0.228 0.244
GENERIC
MARKING DIAGRAM*
RECOMMENDED FOOTPRINT
8 8
XXXXXX XXXXXX
ALYWX AYWWX
1.52
0.060 1 1
IC Discrete
7.0 4.0
0.275 XXXXX = Specific Device Code
0.155
A = Assembly Location
L = Wafer Lot
Y = Year
W, WW = Work Week
= Pb−Free Package
0.6 1.270
0.024 0.050
*This information is generic. Please refer
SCALE 6:1 mm
inches
to device data sheet for actual part
marking. Pb−Free indicator, “G”, may
or not be present.
http://onsemi.com
393
SOIC−8 NB
CASE 751−07
ISSUE AD
DATE 18 NOV 2004
STYLE 25:
PIN 1. VIN
2. N/C
3. REXT
4. GND
5. IOUT
6. IOUT
7. IOUT
8. IOUT
http://onsemi.com
394
SOIC−14
CASE 751A−03
ISSUE G
14
DATE 30 APR 2004
1
SCALE 1:1
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
−A− 3. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION.
14 8 4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)
PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE
DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE
−B− P 7 PL DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.127
(0.005) TOTAL IN EXCESS OF THE D
0.25 (0.010) M B M DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
1 7 MILLIMETERS INCHES
DIM MIN MAX MIN MAX
G R X 45 F A 8.55 8.75 0.337 0.344
C B 3.80 4.00 0.150 0.157
C 1.35 1.75 0.054 0.068
D 0.35 0.49 0.014 0.019
F 0.40 1.25 0.016 0.049
−T− G 1.27 BSC 0.050 BSC
K M J
SEATING D 14 PL J 0.19 0.25 0.008 0.009
PLANE K 0.10 0.25 0.004 0.009
0.25 (0.010) MA T B S S M 0 7 0 7
P 5.80 6.20 0.228 0.244
R 0.25 0.50 0.010 0.019
GENERIC
MARKING DIAGRAM*
STYLE 1: STYLE 2: STYLE 3: STYLE 4:
14
PIN 1. COMMON CATHODE CANCELLED PIN 1. NO CONNECTION PIN 1. NO CONNECTION
2. ANODE/CATHODE 2. ANODE 2. CATHODE XXXXXXXXXX
3. ANODE/CATHODE 3. ANODE 3. CATHODE
4. NO CONNECTION 4. NO CONNECTION 4. NO CONNECTION AWLYWWG
5. ANODE/CATHODE 5. ANODE 5. CATHODE
6. NO CONNECTION 6. NO CONNECTION 6. NO CONNECTION 1
7. ANODE/CATHODE 7. ANODE 7. CATHODE
8. ANODE/CATHODE 8. ANODE 8. CATHODE
9. ANODE/CATHODE 9. ANODE 9. CATHODE XXXXX = Specific Device Code
10. NO CONNECTION 10. NO CONNECTION 10. NO CONNECTION A = Assembly Location
11. ANODE/CATHODE 11. ANODE 11. CATHODE
12. ANODE/CATHODE 12. ANODE 12. CATHODE WL = Wafer Lot
13. NO CONNECTION 13. NO CONNECTION 13. NO CONNECTION Y = Year
14. COMMON ANODE 14. COMMON CATHODE 14. COMMON ANODE
WW = Work Week
G = Pb−Free Package
STYLE 5: STYLE 6: STYLE 7: STYLE 8:
PIN 1. COMMON CATHODE PIN 1. CATHODE PIN 1. ANODE/CATHODE PIN 1. COMMON CATHODE *This information is generic. Please refer to
2. ANODE/CATHODE 2. CATHODE 2. COMMON ANODE 2. ANODE/CATHODE
3. ANODE/CATHODE 3. CATHODE 3. COMMON CATHODE 3. ANODE/CATHODE device data sheet for actual part marking.
4. ANODE/CATHODE 4. CATHODE 4. ANODE/CATHODE 4. NO CONNECTION Pb−Free indicator, “G” or microdot “ ”,
5. ANODE/CATHODE 5. CATHODE 5. ANODE/CATHODE 5. ANODE/CATHODE may or may not be present.
6. NO CONNECTION 6. CATHODE 6. ANODE/CATHODE 6. ANODE/CATHODE
7. COMMON ANODE 7. CATHODE 7. ANODE/CATHODE 7. COMMON ANODE
8. COMMON CATHODE 8. ANODE 8. ANODE/CATHODE 8. COMMON ANODE
9. ANODE/CATHODE 9. ANODE 9. ANODE/CATHODE 9. ANODE/CATHODE
10. ANODE/CATHODE 10. ANODE 10. ANODE/CATHODE 10. ANODE/CATHODE
11. ANODE/CATHODE 11. ANODE 11. COMMON CATHODE 11. NO CONNECTION
12. ANODE/CATHODE 12. ANODE 12. COMMON ANODE 12. ANODE/CATHODE
13. NO CONNECTION 13. ANODE 13. ANODE/CATHODE 13. ANODE/CATHODE
14. COMMON ANODE 14. ANODE 14. ANODE/CATHODE 14. COMMON CATHODE
http://onsemi.com
395
SOIC
CASE 751B−05
ISSUE J DATE 04/28/1993
SCALE 1:1
−A−
NOTES:
1. DIMENSIONING A ND T OL ERA NCING PER
A NSI Y 14. 5M, 1982.
16 9 2. CONT ROL L ING DIME NSION: MIL L IME T E R.
3. DIMENSIONS A A ND B DO NOT INCL UDE
−B− P MOL D PR OT R USION.
8 PL
4. MA XIMUM MOL D PROT RUSION 0. 15 (0. 006)
1 8
0.25 (0.010) M B S PER S IDE.
5. DIME NSION D DOE S NOT INCL UDE DA MB A R
PROT RUSION. A L L OWA B LE DA MB A R
PROT RUSION SHA L L B E 0. 127 (0. 005) T OTAL
IN EXCES S OF T HE D DIMENS ION A T
MA XIMUM MA T ERIA L CONDIT ION.
G
MILLIMETERS INCHES
DIM MIN MAX MIN MAX
F A 9.8010.00 0.386 0.393
K R X 45 B 3.80 4.000.1500.157
C 1.35 1.750.0540.068
D 0.35 0.490.0140.019
C F 0.40 1.250.0160.049
−T− SEATING G 1.27 BSC 0.050 BSC
PLANE J J 0.19 0.250.0080.009
M
K 0.10 0.250.0040.009
D 16 PL M 0 7 0 7
P 5.80 6.200.2290.244
0.25 (0.010) MA T B S S R 0.25 0.500.0100.019
http://onsemi.com
396
SOIC
CASE 751B−05
ISSUE J DATE 04/28/1993
http://onsemi.com
397
SO−20 WB
CASE 751D−05
ISSUE G
DATE 30 APR 2004
SCALE 1:1
D
A
NOTES:
1. DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
20 11 2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
M
X 45
3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD
H
M
PROTRUSION.
E
10X
h
5. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION
SHALL BE 0.13 TOTAL IN EXCESS OF B
1 10 DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
MILLIMETERS
20X B B DIM MIN MAX
A 2.35 2.65
0.25 M T A S B S A1 0.10 0.25
B 0.35 0.49
C 0.23 0.32
D 12.6512.95
E 7.40 7.60
A e 1.27 BSC
H 10.0510.55
L
h 0.25 0.75
SEATING L 0.50 0.90
PLANE
18X e A1 0 7
T C
GENERIC
MARKING DIAGRAM*
20
XXXXXXXXXXX
XXXXXXXXXXX
AWLYYWWG
http://onsemi.com
398
SOIC
CASE 751E−04
ISSUE E DATE 06/18/1993
SCALE 1:1
−A−
24 13 NOTES:
1. DIMENSIONING A ND T OL ERA NCING PER
A NSI Y 14. 5M, 1982.
2. CONT ROL L ING DIME NSION: MIL L IME T E R.
3. DIMENSIONS A A ND B DO NOT INCL UDE
−B− 12X P MOL D PR OT R USION.
4. MA XIMUM MOL D PROT RUSION 0. 15 (0. 006)
0.010 (0.25) M B M
PER S IDE.
5. DIME NSION D DOE S NOT INCL UDE DA MB A R
1 12 PROT RUSION. A L L OW A B LE DA MB A R
PROT RUSION SHA L L B E 0. 13 (0. 005) T OTAL IN
E XCE S OF D DIME NSION A T MA XIMUM
MAT ERIA L CONDIT ION.
24X D J
MILLIMETERS INCHES
0.010 (0.25) MB T A S S
DIM MIN MAX MIN MAX
A 15.2515.54 0.601 0.612
F B 7.40 7.600.2920.299
C 2.35 2.650.0930.104
R X 45 D 0.35 0.490.0140.019
F 0.41 0.900.0160.035
G 1.27 BSC 0.050 BSC
C J 0.23 0.320.0090.013
K 0.13 0.290.0050.01 1
−T− M 0 8 0 8
SEATING M P 10.0510.550.3950.415
PLANE 22X G K R 0.25 0.750.0100.029
http://onsemi.com
399
TSSOP−20
CASE 948E−02
ISSUE B DATE 16 JUN 2003
SCALE 2:1
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION:
MILLIMETER.
20X K REF 3. DIMENSION A DOES NOT INCLUDE
MOLD FLASH, PROTRUSIONS OR GATE
0.15 (0.006) T U S 0.10 (0.004) MV T U S S
BURRS. MOLD FLASH OR GATE BURRS
K SHALL NOT EXCEED 0.15 (0.006) PER
ÍÍÍÍ
SIDE.
K1 4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE
20 11 INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION.
ÍÍÍÍ
2X L/2 INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION
SHALL NOT EXCEED 0.25 (0.010) PER
J J1
ÍÍÍÍ
B SIDE.
5. DIMENSION K DOES NOT INCLUDE
L −U− DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE
PIN 1 DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08
IDENT SECTION N−N (0.003) TOTAL IN EXCESS OF THE K
DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
1 10 CONDITION.
6. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN
N 0.25 (0.010) FOR REFERENCE ONLY.
7. DIMENSION A AND B ARE TO BE
0.15 (0.006) T U S DETERMINED AT DATUM PLANE −W−.
A M
MILLIMETERS INCHES
−V− DIM MIN MAX MIN MAX
A 6.40 6.600.252 0.260
N B 4.30 4.500.1690.177
C −−− −−−
1.20 0.047
F D 0.05 0.150.0020.006
F 0.50 0.750.0200.030
DETAIL E G 0.65 BSC 0.026 BSC
H 0.27 0.370.01 1 0.015
J 0.09 0.200.0040.008
−W− J1 0.09 0.160.0040.006
C K 0.19 0.300.0070.012
K1 0.19 0.250.0070.010
L 6.40 BSC 0.252 BSC
D G
H M 0 8 0 8
DETAIL E
0.100 (0.004)
GENERIC
−T− SEATING
PLANE MARKING DIAGRAM*
XXXX
XXXX
ALYW
http://onsemi.com
400
TSSOP
CASE 948F−01
ISSUE O DATE 12/20/1994
SCALE 2:1
16X K REF
0.10 (0.004) MV T U S S
0.15 (0.006) T U S
K
ÏÏÏ
ÎÎÎ
K1
NOTES:
ÎÎÎ
ÏÏÏ
16 9 1.DIMENSIONING A ND T OL ERA NCING PER
2X L/2 J1 A NSI Y 14. 5M, 1982.
2.C ONT ROL L ING DIME NS ION: MIL L IME T E R.
3.D IME NSION A DOE S NOT INCL UDE MOL D
B F L A SH. PROT RUSIONS OR G A TE B URRS .
SECTION N−N MOL D F L A S H OR G A TE B URRS H SA L L NOT
L −U− E XCE E D 0. 15 (0. 006) PE R SIDE .
J 4.D IME NSION B DOE S NOT INCL UDE
PIN 1
INT ERL EA D F L A S H OR PROT RUS ION.
IDENT. INT ERL EA D F L A S H OR PROT RUS ION SHA L L
1 8 NOT EXCEED
0. 25 (0. 010) PE R SIDE .
N 5.D IME NSION K DOE S NOT INCL UDE DA MB A R
0.25 (0.010) PROT RUSION. A L L OW A B LE DA MB A R
PROT RUSION SHA L L B E 0. 08 (0. 003) T OTAL IN
0.15 (0.006) T U S
A M E XCE S OF T HE K DIME NS ION A T MA XIMUM
MAT ERIA L CONDIT ION.
−V− 6.T ERMINA L NUMB ERS A RE S HOWN F OR
REF ERENCE ONLY.
N 7.D IMENSION A A ND B A RE TO B E
DET ERMINED A T DATUM PLA NE − W −.
F MILLIMETERS INCHES
DIM MIN MAX MIN MAX
DETAIL E A 4.90 5.10 0.193 0.200
B 4.30 4.500.1690.177
C −−− 1.20 −−− 0.047
D 0.05 0.150.0020.006
http://onsemi.com
401
TSSOP
CASE 948G−01
ISSUE O DATE 12/07/1994
SCALE 2:1
ÎÎÎ
ÏÏ
0.15 (0.006) T U S
A K DET ERMINED A T DATUM PLA NE − W −.
MILLIMETERS INCHES
−V− K1 DIM MIN MAX MIN MAX
ÎÎÎ
ÏÏ
A 4.90 5.10 0.193 0.200
B 4.30 4.500.1690.177
ÎÎÎ
ÏÏ
J J1 C −−− 1.20 −−− 0.047
D 0.05 0.150.0020.006
F 0.50 0.750.0200.030
SECTION N−N G 0.65 BSC 0.026 BSC
H 0.50 0.600.0200.024
J 0.09 0.200.0040.008
J1 0.09 0.160.0040.006
C −W− K 0.19 0.300.0070.012
K1 0.19 0.250.0070.010
0.10 (0.004) L 6.40 BSC 0.252 BSC
M 0 8 0 8
−T− SEATING D G H DETAIL E
PLANE
http://onsemi.com
402
SOEIAJ−14
CASE 965−01
ISSUE O DATE 01/19/1994
http://onsemi.com
403
SOEIAJ−16
CASE 966−01
ISSUE O DATE 01/19/1994
SCALE 1:1
NOTES:
1.DIMENSIONING A ND T OL ERA NCING PER
A NSI Y 14. 5M, 1982.
2.C ONT ROL L ING DIME NS ION: MIL L IME T E R.
3.D IME NSIONS D A ND E DO NOT INCL UDE
16 9 LE MOL D F L A SH OR PROT RUSIONS A ND A RE
MEA S URED A T THE PA RTING L INE. MOL D
Q1 F L A SH OR PROT RUSIONS SHA L L NOT E XCE E D
0. 15 (0. 006) PE R SIDE .
E HE M 4.T ERMINA L NUMB ERS A RE S HOW
N F OR
REF ERENCE ONLY.
5.T HE L E A D W IDT H DIME NSION (b ) DOE S NOT
INCL UDE DA MB A R PROT RUS ION. A L L OWABLE
1 8 L DA MB A R PROT RUS ION S HA L L B E 0. 08 (0. 003)
TOTA L IN EXCES S OF THE L EA D W IDTH
DETAIL P DIME NSION A T MA XIMUM MA TERIAL
Z CONDITION. DA MB A R CA NNOT B E L OCA T E D ON
D T HE L OW ER RA DIUS OR T HE F OOT. MINIMUM
SPA CE B E T W E E N PROT RUSIONS A ND
A DJ A CENT L EA D TO B E 0. 46 ( 0. 018).
VIEW P
e A MILLIMETERS INCHES
c DIM MIN MAX MIN MAX
A −−− 2.05 −−− 0.081
A1 0.05 0.200.0020.008
b 0.35 0.500.0140.020
c 0.18 0.270.0070.01 1
A1 D 9.9010.500.3900.413
b E 5.10 5.450.2010.215
e 1.27 BSC 0.050 BSC
0.13 (0.005) M 0.10 (0.004) HE 7.40 8.200.2910.323
L 0.50 0.850.0200.033
LE 1.10 1.500.0430.059
M 0 10 0 10
Q1 0.70 0.900.0280.035
Z −−− 0.78 −−− 0.031
http://onsemi.com
404
SOEIAJ−20
CASE 967−01
ISSUE O DATE 01/19/1990
SCALE 2:1
NOTES:
1.DIMENSIONING A ND T OL ERA NCING PER
A NSI Y 14. 5M, 1982.
2.C ONT ROL L ING DIME NS ION: MIL L IME T E R.
3.D IME NSIONS D A ND E DO NOT INCL UDE
LE MOL D F L A SH OR PROT RUSIONS A ND A RE
20 11
MEA S URED A T THE PA RTING L INE. MOL D
Q1 F L A SH OR PROT RUSIONS SHA L L NOT E XCE E D
0. 15 (0. 006) PE R SIDE .
4.T ERMINA L NUMB ERS A RE S HOW
N F OR
E HE M REF ERENCE ONLY.
5.T HE L E A D W IDT H DIME NSION (b ) DOE S NOT
INCL UDE DA MB A R PROT RUS ION. A L L OWABLE
L DA MB A R PROT RUS ION S HA L L B E 0. 08 (0. 003)
1 10 TOTA L IN EXCES S OF THE L EA D W IDTH
DIME NSION A T MA XIMUM MA TERIAL
Z DETAIL P CONDITION. DA MB A R CA NNOT B E L OCA T E D ON
T HE L OW ER RA DIUS OR T HE F OOT. MINIMUM
D SPA CE B E T W E E N PROT RUSIONS A ND
A DJ A CENT L EA D TO B E 0. 46 ( 0. 018).
VIEW P MILLIMETERS INCHES
e A DIM MIN MAX MIN MAX
c A −−− 2.05 −−− 0.081
A1 0.05 0.200.0020.008
b 0.35 0.500.0140.020
c 0.18 0.270.0070.01 1
D 12.3512.800.4860.504
b A1 E 5.10 5.450.2010.215
e 1.27 BSC 0.050 BSC
0.13 (0.005) M 0.10 (0.004) HE 7.40 8.200.2910.323
L 0.50 0.850.0200.033
LE 1.10 1.500.0430.059
M 0 10 0 10
Q1 0.70 0.900.0280.035
Z −−− 0.81 −−− 0.032
http://onsemi.com
405
CHAPTER 4
Index
http://onsemi.com
406
High−Speed CMOS Device Index
http://onsemi.com
407
High−Speed CMOS Device Index
http://onsemi.com
408
High−Speed CMOS Device Index
http://onsemi.com
409
ON Semiconductor and the ON logo are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no
warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any
and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual
performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the
rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other
application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer
shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any
claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal
Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.