ELEKTROTEHNIKA

9 DIODA

ƒ Strujno-naponska karakteristika
ƒ PN spoj – tehnologijski uvjeti
ƒ Temperaturni utjecaji
ƒ Radna točka
ƒ Primjena - ispravljač
ƒ Tiristor i trijak

125
 Dioda

9.1. Karakteristika diode

Dioda je elektronički element s dva priključka: anodom (A) i katodom (K).
Glavno je svojstvo diode vođenje struje i samo u jednom smjeru (kad je
anoda pozitivnija od katode), na što ukazuje i njen elektronički simbol
(slika 9.1 a). Idealna bi dioda posjedovala strujno-naponsku karakteristiku
prema slici 9.1. b) s modelom:
i = 0 za v ≤ 0
(9.1)
v = 0 za i ≥ 0
Slična svojstva ima mehanička sklopka: u isključenom stanju kad se
priključi na bilo koji napon v kroz nju ne teče struja i, dok u uključenom
stanju kroz nju teče struja u iznosu kojeg određuju ostali elementi strujnog
kruga. Na sklopki u uključenom stanju napon je u idealnom slučaju jednak
nuli.

A + - K v

a) b)
Slika 9–1 a) oznake uz simbol diode
b) strujno-naponska karakteristika idealne diode

Realna poluvodička dioda sadrži p-n spoj; priključak na p je anoda, a

priključak na n je katoda. Struja kroz diodu i ovisi o naponu anoda-katoda
v prema:
⎡ ⎛⎜⎜ v ⎞⎟⎟ ⎤ ⎛ v ⎞
⎜⎜ n V ⎟⎟
i = I S ⎢e ⎝ T ⎠ − 1⎥ = I Se ⎝ T ⎠ − I S
nV
(9.2)
⎢ ⎥
⎣ ⎦
gdje su:
a) IS –struja zasićenja p-n spoja (saturation current)
b) n – emisijski koeficijent s vrijednošću između 1 i 2
c) VT – termički napon, zadan sa
kT
VT = (9.3)
q
koji na sobnoj temperaturi iznosi oko 25 mV.
Pri v>0 dioda je propusno polarizirana (forward-biased), dok je pri v<0
nepropusno polarizirana (reversed-biased). Grafički prikaz izraza (9.2)
naziva se statička strujno-naponska karakteristika diode (slika 9.2). Posebni
126
ELEKTROTEHNIKA

dio nepropusno polariziranog područja je proboj (breakdown), s probojnim

naponom -VZ.

nepropusno propusno
područje područje

-VZ
0 VF v

proboj
Slika 9–2 Statička karakteristika realne silicijske diode

9.2. PN-spoj: kontaktni potencijal, struja spoja

9.2.1. Kontaktni potencijal

Idealni pn-spoj dobije se kad se jednoliko dopirani p-tip materijala
diskontinuirano promijeni u n-tip materijala. U stvarnosti se pn-spojevi
formiraju unošenjem veće gustoće nečistoća p-tipa do neke dubine u slabije
dopirani poluvodič n-tipa ili obratno.
Radi različitih gustoća pokretnih nositelja oko granice, postoji jaka težnja
da većinske šupljine iz p-tipa difundiraju u n-tip poluvodiča, a većinski
elektroni iz n-tipa u materijal p-tipa. Kad šupljine prijeđu granicu, u
materijalu n-tipa rekombiniraju se s većinskim slobodnim elektronima.
Slično, kad elektroni pređu spoj u područje p-tipa, rekombiniraju se s
većinskim šupljinama. S obje strane granice ostvaruje se tako područje
praktično bez većinskih nositelja i naziva se prijelazno ili osiromašeno (engl.
depeletion) područje.
E
n
p

q x

E x

V x
VC

Slika 9-3 Jednodimenzijski prikaz idealnog simetričnog pn-spoja

s raspodjelom naboja, el. polja i potencijala

127
 Dioda

Dijelovi osiromašenog područja prestaju biti nabojski neutralni, jer

nepomični ioni dopiranih materijala ostaju bez ranije ravnoteže s većinskim
nositeljima. Nabojski nepokriveni donorski ioni čine osiromašeno područje
blizu spoja unutar n-tipa poluvodiča pozitivno nabijenim, dok područje
blizu spoja unutar p-tipa materijala ostaje negativno nabijeno
akceptorskim ionima (prostorni naboj). Nastaje unutrašnje električno polje
E usmjereno od pozitivnih prema negativnim ionima.
Električno polje na prijelaznom području stvara razliku potencijala VC koja
se naziva potencijalna barijera ili konaktni potencijal. Potencijalna barijera
sprečava daljnji tok većinskih nositelja preko spoja pod ravnotežnim
uvjetima (kad ne teče struja jer su drift i difuzija su u ravnoteži).

drift

qVC
p
energija

difuzija
EC

difuzija n
drift EV

0 x

osiromašeno područje

Slika 9-4 Energetske razine na pn-spoju bez vanjskog napona

U ravnotežnim uvjetima kontaktni potencijal VC iznosi:

kT ⎛ N A N D ⎞
VC = ln ⎜ 2 ⎟ (9.4)
q ⎝ ni ⎠
i ne mijenja se značajno s temperaturom. Za silicij VC iznosi između 0,5 i
0,8 V, za germanij između 0,1 i 0,2 V, a za galijev arsenid oko 1,5 V.

9.2.2. p-n spoj pod naponom

Kad se na pn spoj primijeni vanjski napon VS (0<VS<VC) s pozitivnim
potencijalom na p-strani spoja (propusna polarizacija, engl. forward-
biased), vanjsko se polje suprotstavlja unutrašnjem, ukupna se razlika
potencijala na spoju smanjuje na VC−VS, a osiromašeno područje suzuje.
Za VS=VC osiromašeno područje iščezne i većinski se nositelji lako prenose
preko granice iza koje su manjinski i zbog rekombinacija gustoća im opada.
Kad se pak na p-stranu spoja primijeni negativni napon VS (reverzna
polarizacija, engl. reversed-biased), ukupna razlika potencijala na spoju
iznosi VC+|VS|, osiromašeno područje se širi i za većinske nositelje
barijera je još teže savladiva. Malobrojni manjinski nositelji omogućuju tek

128
ELEKTROTEHNIKA

neznatnu struju preko spoja. Slika 9-5 prikazuje raspodjelu potencijala oko
granice u propusnoj i nepropusnoj polarizaciji pn-spoja.

p n

VS=0 VC
propusna
VS>0 polarizacija
V0-VS

zaporna polarizacija V0+VS

VS<0

Slika 9-5 Dijagrami potencijala na pn-spoju

9.2.3. Struja spoja

Kad se na pn-spoj s temperaturom T priključi napon VS, teče struja:
⎡ ⎛⎜ qVS ⎞⎟ ⎤
I = I S ⎢e ⎝ kT ⎠ − 1⎥ (9.5)
⎢⎣ ⎥⎦

gdje je IS struja zasićenja (engl. saturation) ovisna o geometriji spoja i

parametrima materijala, te temperaturi.
Jednadžba (9.5) pogodna je za izračun struje i pri propusnoj (VS>0) i pri
nepropusnoj polarizaciji (VS<0) pn-spoja. Pri zapornoj polarizaciji struja je
praktično jednaka struji zasićenja IS. U propusnoj polarizaciji jedinica se
unutar zagrade može zanemariti, te struja spoja raste eksponencijalno s
porastom priključenog napona VS.

9.2.4. Propusno polarizirano područje

U propusno polariziranom području napon v je pozitivan. Na sobnoj
temperaturi za napone v>0,1 V drugi član u jednadžbi (9.5) može se
zanemariti te ostaje prevladavajuća struja uslijed difuzije:
⎛ v ⎞
⎜⎜ ⎟⎟
⎝ n VT
i = I Se ⎠
(9.6)

U radnoj točki diode pri v=VD teče struja i=ID te vrijedi:

129
 Dioda
⎛ VD ⎞
⎜⎜ ⎟⎟
I D = I Se ⎝ n VT ⎠ (9.7)

VD
Omjer jednak je statičkom otporu u radnoj točki. Zbog izrazite
ID
nelinearnosti karakteristike može poprimati vrlo različite iznose, a u
zapornom je velik. Omjer malih promjena napona i struje diode u nekoj
radnoj točki je dinamički otpor, u praksi značajniji od statičkoga. Pri sporim
promjenama dinamički se otpor može odrediti na statičkoj karakteristici
(diferencijski otpor), za što je uputno najprije jednadžbu (9.6) derivirati po v:
⎛ v ⎞
⎜⎜ ⎟⎟
⎝ n VT
di I e ⎠
= S (9.8)
dv n VT
⎛ VD ⎞
⎜⎜ n V ⎟⎟
di I e⎝ T ⎠ I
v =VD = S = D (9.9)
dv nVT nVT
odakle je dinamički otpor diode rd jednak:
dv nVT
rd = v =VD = (9.10)
di ID
i opada s porastom struje. Recipročna vrijednost dinamičkog otpora rd
naziva se dinamička vodljivost gd.
Konstanta n i struja zasićenja IS iz izraza (9.6) mogu se za pojedinu diodu
odrediti ako postoje vrijednosti parova napona i struje dobiveni npr.
mjerenjem (tablica).

Tablica 9–1 Primjer izmjerenih vrijednosti na diodi

propusni napon [V] propusna struja [A]

0,1 0,133⋅10-12
0,2 1,790⋅10-12
0,3 24,02⋅10-12
0,4 0,321⋅10-9
0,5 4,310⋅10-9
0,6 57,69⋅10-9
0,7 7,726⋅10-7

Na rasponu napona od 0,1 do 0,7 V vrijednosti struje mijenjaju se za 5

redova veličina, što navodi na prikladnost logaritamskog grafičkog prikaza.
Logaritmiranje jednadžbe (9.6) daje:

130
ELEKTROTEHNIKA

v
ln (i ) = + ln ( I S ) (9.11)
n VT
što se u koordinatama (v, ln(i)) grafički predočuje kao pravac s nagibom
1/nVT i odsječkom ln(IS) na ordinati. Karakteristika s logaritmom struje
znatno je korisnija od one s linearnom strujom, jer pokriva veći raspon
vrijednosti i omogućuje lako očitavanje parametara, pa u praksi prevladava.

Slika 9–6 Karakteristika diode u propusnoj polarizaciji s logaritmom struje

9.2.5. Zaporno polarizirano područje

Pri v<−0,1 V prvi se član u izrazu (9.5) može zanemariti prema drugom, te
preostaje samo vrlo malena struja drifta i=−IS. Zaporna struja u praksi
neznatno raste s povećanjem zapornog napona. Silicijske diode imaju pri
istim okolnostima znatno manju zapornu struju od germanijskih. Statički i
dinamički otpor diode u zapornoj polarizaciji poprimaju vrlo visoke
vrijednosti.
Pri zapornom naponu negativnijemem od −VZ nastaju preveliki iznosi
električnog polja na osiromašenom području i kod dioda opće namjene
dolazi do znatnog porasta struje popraćenog povećanim lokalnim
zagrijavanjem i toplinskom destrukcijom (proboj). Silicijske diode imaju veći
iznos napona VZ od germanijskih, tj. mogu podnositi veće zaporne napone.

131
 Dioda

9.2.6. Temperaturni efekti

Temperaturni efekti potječu od utjecaja temperature na gustoću nosilaca i
njihova svojstva. Kako su i termički napon VT i struja zasićenja IS ovisni o
temperaturi, postoji temperaturna ovisnost karakteristika i u propusnom i
u zapornom području.
Struja zasićenja ovisi o temperaturi približno prema:
⎡ EG ⎤
⎢ − kT ⎥
I S = k1T 3e ⎣ ⎦
(9.12)

gdje je k1 konstanta razmjernosti, a EG širina zabranjenog pojasa. Pri

sobnim temperaturama reverzna struja mijenja se približno 15% K-1 za
silicijeve i germanijeve diode i otprilike se udvostručuje pri porastu
temperature za 5 K.

Slika 9–7 Temperaturna ovisnost struje zasićenja

Moguće je struju zasićenja pri temeperaturi T2 izraziti pomoću struje

zasićenja pri temperaturi T1:
⎡kS (T2 −T1 ) ⎤⎦
I S (T2 ) = I S (T1 ) e ⎣ (9.13)

gdje je kS=0,072 K-1.

U propusnoj polarizaciji pri povišenju temperature struja diode se na istom
naponu povećava, te se i–v karakteristika približava ordinati.

132
ELEKTROTEHNIKA

T2 T1

-2mV/°C

T2 > T1
I

v
Slika 9–8 Propusna karakteristika diode pri promjeni temperature

Na konstantnoj struji u propusnom području napon v opada s povećanjem

mV
temperature približno 2 , što se katkad koristi za mjerenje
K
temperature. Vrijedi uočiti da pri povišenju temperature raste i napon
proboja VZ.
Pri prolasku struje dioda se zagrijava. Stvorena toplina
W = ∫ vi dt (9.14)

mora u ravnotežnom stanju biti jednaka odvedenoj u istom vremenu.

Pritom temperatura p-n spoja ne smije nadmašiti graničnu (za silicij oko
200 C). Za održavanje temperature ispod granične u zahtjevnim
slučajevima potrebno je dodatno hlađenje.

9.2.7. Modeli diode

Za različite potrebe koriste se različiti modeli kojima se oponaša djelovanje
diode. Za statičke i kvazistatičke primjene modeli su drugačiji od
dinamičkih, a i oni se razlikuju za različite frekvencije i iznose promjena.
Model nekad treba, a nekad ne treba sadržavati npr. područje proboja,
zapornu struju, temperaturnu ovisnost i dr. Pri velikim promjenama
napona i struje rabe se obično drugačiji modeli od onih za male promjene.
U jednostavnim statičkim slučajevima zadovoljava model idealne diode
prema slici 9.1. Analitički model prema izrazu (9.5) nelinearan je i zahtijeva
više računanja. Tablica 9.2 sadrži neke najjednostavnije statičke modele
temeljene na idealnoj diodi s grafom i analitičkim iskazom strujno-
naponske ovisnosti, prikladne za brzu analizu strujnih krugova s diodom.
Osim modela s uključenim probojem prikazani se modeli u zapornom
području ponašaju poput idealne diode, što je blisko realnosti zbog vrlo
male reverzne struje pri sobnoj temperaturi. Za odnose u strujnom krugu
prihvatljiv je model idealne diode i u propusnom području ako se napon na

133
 Dioda

vodljivoj diodi može zanemariti prema naponima na ostalim elementima

strujnog kruga.

Tablica 9–2 Aproksimacije karakteristike diode za veliki signal

model i-v graf i shema analitički opis

i
idealna id i = 0 za v < 0
dioda v v = 0 za i > 0

i
s id v = VF za i >0
naponskim +
v − VF i =0 za v < VF
izvorom
VF

v
i i= za v >0
r r
sa serijskim ctgα = r Δv
otporom id r =
α v Δi v > 0
i =0 za v <0

i
sa serijskim r r
otporom i v = VF + i r za v > VF
naponskim v + id i =0 za v < VF
izvorom VF −VF

i VZ
−
r + r v = VF + i r za v > VF
s id
uključenim id i =0 za − V Z < v < VF
−V Z v rZ +
probojem
VF −VF v = − (V Z + i rZ ) za v < −V Z
rZ

Dinamičkim se modelima nastoji obuhvatiti ponašanje diode prilikom brzih

promjena radne točke koje se očituje ponajviše u kašnjenju posljedica za
uzrocima. Stoga dinamički modeli sadrže uz ostalo elemente za pohranu
energije, kapacitete. Primjerice, u zapornoj polarizaciji prostorni naboj u
osiromašenom području mijenja se pri promjeni zapornog napona, što
navodi na spojni kapacitet Cj. Pri većem zapornom naponu spojni kapacitet
je manji radi povećane širine osiromašenog područja. U propusnoj
polarizaciji promjena gustoće manjinskih nosilaca pri promjeni radne točke
mijenja naboj uz granicu, što je razlog pridjeljivanja difuzijskog kapaciteta
Cd tom radnom području. Difuzijski kapacitet znatno je veći od spojnog.
Razlikuju se dinamički modeli za propusno i nepropusno područje, za

134
ELEKTROTEHNIKA

velike promjene radne točke i za male promjene, kao i za različita

frekvencijska područja. Dinamičko se ponašanje zanemaruje kad su
vremena kašnjenja zanemarljivo mala prema trajanju promjena pozicije
radne točke.

Slika 9–9 Visokofrekvencijski model diode

9.2.8. Osnovne vrste dioda

Spoj p-n izvodi se na različite načine poprimajući različita svojstva, a i za
razne je potrebe razvijen niz dioda specifičnog ponašanja i pripadnih
naziva.
Normalna p-n dioda ima opću namjenu i pripada joj dosadašnji opis.
Zener dioda posjeduje izrazito strmu probojnu karakteristiku u III.
kvadrantu pri zapornom naponu do oko 5 V zahvaljujući pojavi nazvanoj
Zenerov proboj. Pri tome električno polje u osiromašenom području raste do
vrijednosti na kojoj se raskidaju kovalentne veze i intenzivno generiraju
parovi. U I. kvadrantu karakteristika je jednaka onoj kod normalne diode. S
radnom točkom u III. kvadrantu Zenerova dioda služi za održanje stalnog
napona na iznosima manjima od 6,2 V.
Lavinska (avalanche) dioda ima karakteristiku sličnu karakteristici
Zenerove diode, no zaporni napon proboja je iznad 7 V. Pri velikom iznosu
zapornog polja manjinski nosioci u osiromašenom području stječu tako
veliku kinetičku energiju da u atomima s kojima se sudaraju generiraju
nove nosioce koji se dalje lavinski umnožavaju.
LED (Light-emitting diode) emitira zračenje s pn spoja protjecanog
propusnom strujom. Građom i vrstom materijala optimirana je na
naglašavanje onih rekombinacija u graničnom području koje imaju za
posljedicu emisiju fotona. Ovisno o vrsti materijala i gustoći dopiranja
postižu se različite valne dužine (od infracrvenih do ultraljubičastih) i
naponi koljena propusne karakteristike (od 1,2 V na više). Podvrsta su
laserske diode s rezonancijskim efektom na određenoj valnoj dužini.
Fotodioda ima pn spoj izložen djelovanju fotona koji generiraju nosioce
naboja. Može se optimirati na izvor struje (sunčana ćelija, pn spoj veće
površine) ili na senzorsku primjenu kad struja u zapornoj polarizaciji ovisi
o intenzitetu zračenja. Par LED-fotodioda (optoizolator) omogućuje prijenos
podataka bez galvanske veze.

135
 Dioda

Schottky dioda koristi umjesto normalnog pn spoja vezu poluvodič-metal.

Odlikuje se malim propusnim naponom, malom zapornom strujom i malim
kapacitetom pa se koristi za brza preklapanja.
Varicap dioda služi kao kondenzator promjenjivog kapaciteta Cj pri
promjeni zapornog napona. Primjenjuje se pri naponskom upravljanju
frekvencije u oscilatorima.

9.3. Analiza strujnih krugova s diodom

9.3.1. Radna točka

Najjednostavniji strujni krug s diodom sastoji se od istosmjernog izvora s
naponom VDC, otpora R i diode. Struju kruga i=ID određuju orijentacija
elemenata kruga i iznosi njihovih parametara. Par vrijednosti (VD, ID) je
ujedno točka karakteristike diode i naziva se radna točka.
R

VDC v

-
Slika 9–10 Jednostavni strujni krug s diodom

Primjena 2. Kirchhoffovog zakona na krug na slici 9-10 daje:

VDC = Ri + v (9.15)

gdje je i struja kruga, a v napon na diodi. Izraz je linearna funkcija, tj.

jednadžba pravca u koordinatnom sustavu v, i.
Na propusno polariziranoj diodi vrijedi izraz (9.5) s nelinearnom ovisnošću
v i i:
⎛ v ⎞
⎜⎜ n V ⎟⎟
i = I Se ⎝ T ⎠
(9.16)

Koordinate radne točke (i=ID, v=VD) mogu se iz jednadžbi (9.15) i (9.16)

naći primjenom različitih metoda. U grafičkoj metodi jednadžbe se nacrtaju
i presjecište grafova je tražena radna točka (VD, ID).

136
ELEKTROTEHNIKA

i
VDC
R

ID radni pravac

VD VDC v

Slika 9–11 Radna točka u serijskom spoju izvora, diode i otpora

Radna točka dijeli napon izvora VDC na napon na diodi VD i napon na

otporu VDC−VD. Pri promjenljivom naponu izvora mijenja se položaj radne
točke i raspodjela napona na diodi i otporu. Pri velikim vrijednostima
napona izvora VDC često se u propusnom području napon diode VD može
zanemariti, što znači korištenje modela idealne diode.

9.3.2. Poluvalno ispravljanje

Ispravljanje je postupak pretvorbe izmjeničnog napona u istosmjerni,
potreban za napajanje istosmjernog trošila s izmjenične mreže.
Najjednostavniji poluvalni ispravljač može se zamisliti izveden s brzom
sklopkom koja uključuje trošilo na izvor tijekom npr. pozitivnog poluvala
napona izvora, dok je isključena tijekom negativnog. U spoju s izvorom
izmjeničnog napona v i = VM sin (ω t ) i trošilom omskog otpora R funkciju
takve sklopke ostvaruje idealna dioda.

Slika 9–12 Dioda kao idealna sklopka

Tijekom pozitivnog poluvala (vi>0) dioda vodi struju i djeluje kao uključena
sklopka, pa je napon vo na otporu:
vo = vi (9.17)

137
 Dioda

Za vi<0, dioda je reverzno polarizirana, djeluje kao isključena sklopka i

vrijedi:
vo = 0 (9.18)

ili analitički
⎧⎪V sin (ω t ) za 2 (k − 1) π ≤ ω t ≤ ( 2k − 1) π ⎫⎪
vo = ⎨ M ⎬ pri k = 1,2,3... (9.19)
⎩⎪ 0 za ( 2k − 1) π ≤ ω t ≤ 2kπ ⎭⎪

Takav se oblik naziva poluvalno ispravljeni oblik, periodičan je s vremenom

2π
ponavljanja T = i prikazuje ga slika 9-13.
ω

v i ,v o
VM

vo
T /2 T t
0 π 2π ωt

vi R
−VM vi

Slika 9–13 Poluvalni ispravljač

a) spoj b) valni oblici

Struja kruga jednaka je po Ohmovom zakonu

vo
i= (9.20)
R
i ima vremensku zavisnost istog oblika kao i napon. Srednja vrijednost
periodičnog napona jednaka je srednjoj vrijednosti u jednom periodu i
primijenjena na ispravljeni napon vo iznosi:
T
1
T ∫0
Vsr = v o dt (9.21)

koja za uvršteni vo prema izrazu (9.17) daje vrijednost

VM
Vsr = (9.22)
π
Izrazi (9.21) i (9.22) mogu se primijeniti i na struju istog oblika. Primjećuje
se da je srednja vrijednost općenito jednaka konstantnom članu (s
frekvencijom nula) u Fourier-ovom redu koji izražava bilo koji periodički, pa
i ovaj poluvalno ispravljeni oblik.
Efektivna vrijednost mjerodavna je za toplinske učinke i jednaka je
kvadratnom korijenu iz srednje vrijednosti kvadrata trenutnih iznosa (engl.
root-mean-square: RMS), a za poluvalno ispravljeni napon vo iznosi

138
ELEKTROTEHNIKA

T
1 2
T ∫0
Vef = v o dt (9.23)

te izračunata za uvršteni (9.17) daje

VM
Vef = (9.24)
2
Može se uočiti da je efektivna vrijednost jednaka drugom korijenu iz snage
signala (vidi Parseval-ovu jednadžbu u Fourier-ovoj analizi).
Dioda u poluvalnom ispravljaču treba biti u stanju podnositi efektivnu
struju Ief koja je zagrijava, te na frekvenciji izvora periodički pojavljujuće
zaporni napon VM i tjemenu struju IM.
Glavni su nedostaci poluvalnog ispravljanja:
ƒ istosmjerne veličine trošila izrazito su impulsne na frekvenciji izvora
napajanja, što za mnoge primjene nije prihvatljivo,
ƒ vremenski isprekidano je opterećenje izvora,
ƒ izmjenični izvor je nesimetrično opterećen (istosmjernom
komponentom).
Ako se paralelno trošilu priključi kondenzator s kapacitetom C, postižu se
sljedeći efekti ovisni o iznosu vremenske konstante RC:
ƒ povećava se srednji iznos istosmjernog napona na trošilu i struje
kroz trošilo,
ƒ smanjuje se valovitost napona na trošilu (vomax−vomin),
ƒ skraćuje se vrijeme (kut) vođenja diode,
ƒ diodu i izvor opterećuju strujni impulsi većih tjemenih iznosa,
ƒ dioda je opterećena većim reverznim naponom
(za RC → ∞, v Z → 2VM ).

v i ,v o , i D vo
VSR
VM

iD
VRM
t1 t2 T t
iR 0 α1 α 2 π 2π ωt
iD
vi C R v0=vC

−VM vi

Slika 9–14 Kondenzator paralelan otporu u poluvalnom ispravljaču

139
 Dioda

9.4. Tiristor i trijak

Dioda se može promatrati kao sklopka koja istosmjerno trošilo uključuje
početkom pozitivnog poluvala na napon izmjeničnog izvora, a isključuje na
završetku poluvala. Srednja vrijednost napona i struje te srednja snaga na
trošilu nepromjenljivi su kod uobičajenog stalnog napona izvora. Osobito bi
kod trošila velikih snaga dobro došla mogućnost promjene snage
istosmjernog trošila (od najveće do nule), za što bi trebalo osigurati laku
promjenu srednje vrijednosti ispravljenog napona (od najveće do nule). Kad
bi brza sklopka mogla kontrolirano uključivati i isključivati i u trenutcima
koji nisu samo granice poluvala, to bi bilo postignuto.
α
Neka sklopka uključuje u trenutku t = , a isključuje krajem poluvala u
ω
π
t= u spoju prema slici 9-15 trošilo otpora R na izvor s naponom
ω
v i = VM sin (ω t ) . Na trošilu će postojati napon

⎧⎪VM sin (ω t ) za ⎡⎣2 (k − 1) π + α ⎦⎤ ≤ ω t ≤ ( 2k − 1) π ⎫⎪ pri k = 1,2,3...

vo = ⎨ ⎬ (9.25)
⎪⎩ 0 za ( 2k − 1) π ≤ ω t ≤ 2kπ ⎪⎭ te 0 ≤ α ≤ π
Srednja vrijednost napona vo iznosi
2π π
1 1 V
∫ v o dt = VM sin (ωt ) d(ωt ) = M (1 + cos α )
2π α∫
Vsr = (9.26)
2π 0 2π

VM
i može se mijenjati promjenom kuta okidanja α između 0 i .
π

v i ,v o
VM vo

vo 0 α π 2π ωt

vi R
−VM β vi

Slika 9–15 Tiristorski ispravljač

a) shema b) valni oblici napona

Elektronički element kojim se približno ostvaruje opisano ponašanje naziva

se tiristor. Slika 9-15 prikazuje spoj tiristorskog ispravljača i valni oblik
prema izrazu (9.26). Na mjestu sklopke nalazi se tiristor.

140
ELEKTROTEHNIKA
anoda
i
anoda b
P
J1
N
J2
upravljačka P
upravljačka 0
elektroda J3
N
elektroda d c a vAK
katoda

katoda

Slika 9–16 Tiristor, sastav, simbol i statička karakteristika

a) područje blokiranja b) područje vođenja
c) zaporno područje d) područje proboja

Slika 9-16 prikazuje građu, simbol i statičku karakteristiku tiristora. U

statičkoj karakteristici područje a) je područje blokiranja. Pri pozitivnim
naponima vAK struja ne teče. Ako vAK nadmaši prekretnu vrijednost ili ako
se strujnim impulsom prekretna vrijednost smanji, tiristor provede i radna
točka skače u područje vođenja b). Struja tada ovisi o ostalim elementima
strujnog kruga, a napon vAK poprima iznos 1 do 2 V, ovisno o struji. U
području zaporne polarizacije c) pri negativnim vAK struja ne teče, dok pri
prevelikim iznosima zapornog napona dolazi do proboja d). Područja c) i d)
slična su istima kod diode.
Uvjeti za provođenje tiristora su anoda A pozitivnija od katode K (to ima
dioda) i dostatna struja upravljačke elektrode G. U tiristorskom ispravljaču
ta dostatna struja ostvaruje se najčešće strujnim impulsom na upravljačkoj
elektrodi u željenom trenutku (pri kutu okidanja α na slici 9-16 b). Strujni
impuls dobiva se iz prikladnog impulsnog generatora. Standardni tiristor
prestaje voditi kad struja koja teče smjerom anoda – katoda padne ispod
minimalne struje držanja IH, što se pri omskom teretu događa na kraju
svakog pozitivnog poluvala. Tijekom vođenja (kut vođenja β) promjene struje
upravljačke elektrode kod standardnih titistora nemaju učinka. U stanju
vođenja anoda je pozitivnija od katode za 1 do 3 V, ovisno o struji. Preveliki
zaporni naponi dovode do proboja kao kod diode.
Postoje inačice tiristora s mogućnošću prekidanja vođenja prikladnim
strujnim impulsom na upravljačkoj elektrodi i nazivaju se GTO (Gate-Turn-
Off) tiristori. Primjenjuju se pri velikim snagama.
Potreba da se upravlja snagom u oba poluvala izmjeničnog napona dovodi
do antiparalelnog spoja dva tiristora. Jedan od tiristora upravlja pri jednom
smjeru struje, drugi pri suprotnom. Element s ponašanjem poput takvog
spoja naziva se trijak.

141
 Dioda
MT1 MT1

upravljačka i
elektroda

MT2 MT2

0
vMT
N MT1
MT2 P N P
N N upravljačka
elektroda -i
Slika 9–17 Ekvivalentni spoj, simbol, sastav i statička karakteristika

Statička karakteristika trijaka simetrična je s obzirom na ishodište. Glavni

priključci između kojih se trijak ponaša kao sklopka označuju se s MT1 i
MT2 (Main Terminal). Tiristor i trijak izrađuju se i kao komponente velikih
snaga, te sudjeluju u upravljanju velikim energijama.

Primjer 9.1
Na propusno polariziranoj diodi izmjereni su parovi napona i struje prema
tablici. Treba naći struju zasićenja IS i emisijski koeficijent diode n te
grafički prikazati ln(i)=f(v).

Tablica 9–3 Tablica uz primjer 9.1

propusni napon [V] propusna struja [A]

0,1 0,133⋅10-12
0,2 1,790⋅10-12
0,3 24,02⋅10-12
0,4 0,321⋅10-9
0,5 4,310⋅10-9
0,6 57,69⋅10-9
0,7 7,726⋅10-7

Rješenje
% Diodni parametri
vt = 25.67e-3;

142
ELEKTROTEHNIKA
v = [0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7];
i = [0.133e-12 1.79e-12 24.02e-12 321.66e-12 4.31e-9 57.69e-9
772.58e-9];
lni = log(i); % prirodni log struje
% linearni model najbolje prilagoden podacima
p_fit = polyfit(v,lni,1);
% linearna jednadzba je y = m*x + b
b = p_fit(2);
m = p_fit(1);
ifit = m*v + b;
% racunanje Is i n
Is = exp(b)
n = 1/(m*vt)
% crtanje linearne ovisnosti ln(i)=f(v)
plot(v,ifit,'b', v, lni,'or')
axis([0,0.8,-35,-10])
xlabel('napon, V')
ylabel('ln(i)')
title('Propusno podrucje silicijske diode prema mjernim
podacima')

Poziv programa daje:

>>Is =
9.9525e-015
n =
1.5009

i grafički prikaz:

Slika 9–18 Slika zu primjer 9.1

Prema (9.11) odsječak na ordinati pri v=0 jednak je ln (i ) = ln ( I S ) .

143
 Dioda

Primjer 9.2
Za strujni krug sa serijskim spojem naponskog izvora, otpornika i diode
zadano je: R=100 Ω, VDC=10 V, IS=10-12 A, n=1,1 (uz pretpostavku da je
temperatura 25°C). Treba:
a) pomoću Matlab programa nacrtati propusnu karakteristiku diode i
radni pravac trošila,
b) iz grafa očitati koordinate radne točke diode.
Rješenje
% Odredjivanje radne tocke koristenjem graficke tehnike
% jednadzba diode
k = 1.38e-23; q = 1.6e-19;
t1 = 273 + 25; vt = k*t1/q;
v1 = 0.25:0.0005:1.1;
i1 = 1.0e-14*exp(v1/(1.1*vt));
% radni pravac iz KZ2: 10=(1.0e2)i2 + v2
vdc = 10;
r = 1.0e2;
v2 = 0:2:10;
i2 = (vdc - v2)/r;
% crtanje
plot(v1,i1,'r', v2,i2,'b')
axis([0,2, 0, 0.15])
title('Odredivanje radne tocke grafickom metodom')
xlabel('napon, V')
ylabel('struja, A')
text(0.4,1.05e-1,'radni pravac')
text(1.08,0.3e-1,'karakteristika diode')

Slika 9–19 Slika uz primjer 9.2

Iz crteža se može očitati: ID=0,09 A i VD=0,85 V.

144
ELEKTROTEHNIKA

Primjer 9.3

Slika 9–20 Slika uz primjer 9.3

Bateriju s naponom VB=11,8 V treba puniti preko idealne diode u strujnom

krugu prema slici. Napon izvora iznosi vs(t)=18 sin(120 πt) V, a otpornik
ima vrijednost R=100 Ω. Pomoću Matlab programa treba:
a) nacrtati ulazni napon,
b) nacrtati struju kroz diodu,
c) izračunati kut vođenja diode,
d) izračunati vršnu (tjemenu) vrijednost struje.
Rješenje
Dioda vodi (id>0) kad je vs>VB što se u prvom periodu ostvaruje pri kutu
Θ1<ωt<Θ2 i ponavlja svakih 2π. Za granice vrijedi
11,8
18 sin θ1 = 18 sin (120π t1 ) = VB = 11,8 → θ1 = arcsin = 0,7149 rad
18
18 sin θ 2 = 18 sin (120π t 2 ) = VB = 11,8

Zbog simetrije vrijedi: θ 2 = π − θ1 = π − 0,7149 = 2, 4267 rad

Kut vođenja iznosi θ 2 − θ1 = 2, 4267 − 0,7149 = 1,7118 radijana.

Dioda ne vodi (id=0) kad je vs<VB što je u jednom ciklusu ispunjeno pri
kutevima ωt<Θ1 i ωt>Θ2.
Tijekom vođenja struja id iznosi:
v S − VB
id =
R
π
a njena tjemena vrijednost nastupa u ωt = i iznosi
2
VM − VB 18 − 11,8
IT = = = 0,062 A
R 100
Matlab program
% Krug za punjenje baterije
r = 100;
period = 1/60;
period2 = period*2;

145
 Dioda
inc =period/100;
npts = period2/inc;
vb = 11.8;
t = [];
for i = 1:npts
t(i) = (i-1)*inc;
vs(i) = 18*sin(120*pi*t(i));
if vs(i) > vb
idiode(i) = (vs(i) -vb)/r;
else
idiode(i) = 0;
end
end
subplot(211), plot(t,vs)
% graf ulaznog napona
xlabel('vrijeme, s')
ylabel('napon, V')
text(0.027,10, 'ulazni napon')
subplot(212), plot(t,idiode)
% graf struje diode
xlabel('vrijeme, s')
ylabel('struja, A')
text(0.027, 0.7e-1, 'struja diode')

% kut vodjenja
theta1 = asin(vb/18); theta2 = pi - theta1;
kut = (theta2 - theta1)
% vrsna vrijednost struje
vrsna_vr = (18*sin(pi/2) - vb)/r
% pcurrent = max(idiode)
koji pozivom daje:
>> pr6_4
kut =
0.2724
vrsna_vr =
6.2000e-004

Slika 9–21 Slika uz primjer 9.3

146