ELEKTRONIKA

- analogna (signal može biti unutar cijelog raspona) ili digitalna elektronika (signal ima diskretnu veličinu: kod
binarnog signal ima određenu veličinu ili je nema uopće  informacija je vrlo otporna na smetnje)
- signali (napon, struja, naboji) prenose informacije
- elektronički elementi (dioda, tranzistor, tiristor)  el. sklopovi  el. komponente  el. uređaji
- statističke karakteristike (neovisne o vremenu, pri frekvenciji nula) i dinamičke karakteristike
- promtraju se granične (granica stalne struje Imax i granica stalnog napona Vmax ) i tipične vrijednosti
- za izradu poluvodiča najčešće se koristi četverovalentni silicij (nekada se koristio germanij)
- poluvodiči se po vodljivosti nalaze između izolatora i vodiča (na vodljivost utječu temp. i dodatak primjesa)
 vodljivost poluvodiča raste s porastom temperature (kod metala je suprotno)
 poluvodiči bez primjesa se nazivaju intrinsičnima, a oni s primjesama ekstrinsičnima

INTRINSIČNI POLUVODIČI
- pri apsorbiranju energije elektroni im s valentnog energetskog pojasa, preko zabranjenog pojasa, preskaču na
vodljivi pojas  energija zabrnjenog energetskog pojasa (procijepa), EG : 1,12 eV za Si , 0,66 eV za Ge
- pri porastu temp., elektroni iz kov. veze prelaze iz valentnog u vodljivi pojas pri čemu na tim mjestima nastaju
šupljine poz. naboja (ionizacija)  šupljine i elektroni su pokretni unutar kov. veze te ih ima jednak broj
 popunjavanje šupljina elektronima unutar kov. veze naziva se rekombinacija
- gustoća (koncentracija) slobodnih elektrona ( ni ) u intrisničnim je poluvodičkom materijalu jednaka gustoći
šupljina ( pi ), a izračunava se preko zakona o akciji mase: p n = ni2 = konst. ; ni = pi = A T 1,5 e - EG /( kT) [cm-
3
]
 T [K] , k = 1,38*1023 J/K ili 8,62*10-5 eV/K , EG [eV] , A (konstanta ovisna o materijalu)
 ni ( ili pi ) raste s T te za silicij na 300 K vrijedi: ni = pi = 1,52*1010 cm-3
v
- pokretljivost je omjer srednje brzine nosilaca i električnog polja: μ =
E
 za silicij na 300 K vrijedi: μn = 1500 cm2/Vs (pokreljivost elektrona) , μp = 500 cm2/Vs (pokr. šupljina)
- vodljivost intrinsičnog poluvodiča: σi = q (ni μn + pi μp)
 σi [S/cm] (vodljivost) , q = 1,6*10-19 C
 ako se na poluvodič primijeni el. polje, gibanje elektrona i šupljina postaje usmjereno (gibaju se u
međusobno suprotnom smjeru) te, pošto elektroni imaju veću poketljivost od šupljina, struja elektrona bit će
znatno veća od struje šupljina

EKSTRINIČNI POLUVODIČI
- dobivaju se unošenjem stranih atoma u poluvodički materijal (dopiranje), čime se bitno mijenja vodljivost
- razmatrat će se ponašanje četverovaletnog silicija na sobnim temperaturama pri dopiranju
- atomi teže imati 8 elektrona u valetnoj ljusci pa će dopirani x-valentan atom od kovalentne veze s silicijem
primiti 4 elektrona, a sam će ih još imati x
 ako je x =3, strani atom je akceptor (primatelj, „A“): jedan elektron koji je manjka će iz nekog drugog
mjesta pripasti toj vezi te će se pojaviti jedna slobodna šupljina  p-tip poluvodiča, većinski pokretni
nositelji su šupljine (gustoća im je za više redova veća od intrinsične), a manjinski elektroni
 ako je x = 5, strani atom je donor (darivatelj, „D“): jedan elektron koji je viška neće pripadati vezi, već će
biti slobodan  n-tip poluvodiča, većinski pokretni nositelji su elektroni, a manjinski šupljine (gustoća im je
za više redova manja od intrinsične)
- u n-tipu (/p-tipu) poluvodiča nije moguće održati intrinstičnu gustoću šupljina (/elektrona) jer kad se pojavi
slobodna šupljina (/elektron), ubrzo je popunjena zbog nadintrinsične gustoće slobodnih elektrona (/šupljina),
tj. brzo se događaju rekombinacije
- zakon o akciji mase: p n = ni2 = konst.
- zahtjev nabojske neutralnosti: p + ND = n + NA  zbroj poz. naboja od intr. šupljina i neg. naboja od donora
moraju biti jednak zbroju neg. naboja od intr. elektrona i poz. naboja od akceptora
 i n-tip i p-tip su nabojski neutralni
 u n-tipu poluvodiča (indeks „n“) gustoća donora je za više redova veća od intrinsične gustoće elektona (uz
to je i ni >> pi ; za silicij na sobnoj temperaturi vrijedi: ND = 1017 cm-3 , ni = 1,5*1010 cm-3 ) pa vrijedi: nn =
ND , np = ni2 / ND
 u p-tipu poluvodiča (indeks „p“) gustoća akceptora je za više redova veća od intrinsične gustoće šupljina
(uz to je i pi >> ni ; za silicij na sobnoj temperaturi vrijedi: NA = 1017 cm-3 , pi = 1,5*1010 cm-3 ) pa vrijedi:
pp = NA , np = ni2 / NA
- ako se poluvodiču dodaju i donori i akceptori, rezultantna će gustoća biti jednaka razlici njihovih pojedinih
gustoća s karakterom veće

GUSTOĆA STRUJE
- razlikujemo struju drifta (pomaka) i struju difuzije: struja drifta posljedica je djelovanja el. poja, a struja
difuzije posljedica je kretanja nositelja iz područja njihove više gustoće u područje njihove niže gustoće
- gustoća struje drifta Jdrift djeluje u smjeru el. polja, a zbroj je gustoće struje drifta elektrona i šupljina:
Jdrift = Jn drift + Jp drift = σ E = q (n μn + p μp) E [A/cm2]

p-n SPOJ
- dopira se n-tip manje gustoće, a u njega se do neke dubine dopira p-tip veće gustoće
 većinske šupljine iz p-tipa oko granice prijeđu u n-tip te se tamo rekombiniraju s većinskim elektronima oko
granice, pri čemu oko granice nastane prijelazno ili osiromašeno područje (područje bez većinskih nositelja s
obje strane granice)
 dopirani ioni su nepomični, a pošto nema više većinskih nositelja oko granice, osiromašeno područje
prestaje biti nabojski neutralno: n-tip oko granice postaje pozitivno nabijen, a p-tip oko granice neg. nabijen
 na prijelaznom je području nastalo unutrašnje el. polje usmjereno od pozitivnih prema negativnim ionima,
koje stvara razliku potencijala VC (potencijalna barijera, kontaktni potencijal ili napon koljena)
 VC sprječava daljnji tok većinskih nositelja udaljenih od granice preko spoja na način da struja drifta
poništava struju difuzije te je ukupna struja nula (struja difuzije je od toka većinskih nositelja preko granice, a
struja drifta od pokr. većinskih nositelja u smjeru el. polja, tj. suprotno od smjera pada njihove gustoće)
 u takvim ravnotežnim uvjetima vrijedi: VC = k T / q * ln ( NA ND / ni2 )
- za silicij na sobnoj temperaturi vrijedi: VC = 0,7 V

- kada se na p-stranu (koja je sad negativno nabijena) primijeni negativni napon VS manji od VZ (VS < 0 < VZ,
reverzna ili zaporna polarizacija ili „reverse-bias“ pri čemu je VZ napon proboja, oko -50 V), ukupna razlika
potencijala na spoju je - VZ + VS = - VZ - |VS| , osiromašeno područje se širi i većinskim nosiocima ga je još
teže prijeći  ako je VS apsolutno manji od ili apsolutno jednak VZ , dolazi do proboja te počinje teći
zamjetna struja drifta (I<0) koja je ogromna i može uništiti spoj
- kada se na p-stranu primijeni pozitivni napon VS manji od VC (0 < VS < VC, propusna polarizacija ili
„forward-bias“), ukupna razlika potencijala na spoju je - VC + VS , osiromašeno područje se sužuje i
većinskim nosiocima ga je lakše prijeći  ako je VS jednak ili veći od VC , osiromašeno područje nestaje te
počinje teći zamjetna struja difuzije (I>=0) koja teče u obrnutom smjeru od unutrašnjeg el. polja

- manjinski nositelji omogućuju neznatnu struju preko spoja u cijelom području (zapornu, preostalu ili reverznu
struju), tj. i prije nego VS prijeđe VZ ili VC (u neg. smjeru kod reverzne, a u poz. smjeru kod propusne
polarizacije), ali je ta struja zanemarivo mala u odnosu na struju većinskih nositelja

STRUJA p-n SPOJA

q VS
( )
I = IS [ kT - 1 ] , IS je struja zasićenja (ovisi o geometriji spoja, o parametrima materijala i o temp.), a I
e
je struja p-n spoja
 vrijedi za izračun struje i pri zapornoj i pri propusnoj polarizaciji (kod zaporne polarizacije i IS i VS imaju
neg. predznak pa je graf zrcaljen za 180°, uz razliku da je napon proboja puno veći i nakon njega je graf malo
strmiji nego nakon kontaktnog potencijala)

DIODA
- elektronički element koji struju samo u jednom smjeru (u smjeru nacrtanog simbola)
- ima dva priključka: anodu (A, dio na kojem struja ulazi u element, žica na tom kraju elementa je duža i na
tom dijelu elementa je prsten) i katodu (K)  kod propusne polarizacije A je +, a kod zaporne –
- idealna dioda (ponaša se kao sklopka): i=0  v<=0 (zatvorena sklopka) , v=0  i>=0 (otvorena sklopka)
 predočuje se kao pravac od određene neg. vrijednosti do ishodišta po apscisi i kao pravac od ishodišta do
određene poz. vrijednosti po ordinati
- realna dioda (ponaša se kao p-n spoj): kod propusne polarizacije je na p-stranu je priključen +, a na n-stranu –
v
( )
 i = IS [ n VT - 1 ] , VT = k T / q (termički napon, pri 25 °C je 25,7 mV) , IS je struja zasićenja p-n spoja ,
e
n je emisijski koeficijent (ima vrijednost između 1 i 2) , i je struja kroz diodu , v je pad napona na diodi
 navedena jednadžba je dobivena iz jednadžbe za struju p-n spoja uz dodavanje emisijskog faktora (jer se
radi o realnoj izvedbi); kad je na sobnoj temperaturi v > 0,1 V (za propusno pol. područje) ili v < - 0,1 V
(za zaporno pol. područje), jedinica se može zanemariti
VD
( )
 u radnoj točki diode je v = VD , i = ID te vrijedi: ID = IS n VT
e
 RD = VD / ID (statički otpor, u radnoj točki)
 di / dv = ID / (n VT)  rD = dv /di = n VT / ID (dinamički otpor)  gD = 1 / rD (dinamička vodljivost)

- model idealne diode sa serijskim otporom: v<0  i =0 , v>=0  i=v/r

 predočuje se kao pravac od određene neg. vrijednosti do ishodišta po apscisi i kao pravac s konstantnim
nagibom od ishodišta do određene poz. vrijednosti u prvom kvadrantu
- model idealne diode s naponskim izvorom (model idealizirane diode): predočuje se kao model idealne diode,
ali pomaknut udesno
- model id. diode sa serijskim otporom i naponskim izvorom: predočuje se kao model id. diode sa serijskim
otporom, ali pomaknut udesno
- svi navedeni modeli osim realnog u zapornom području imaju struju jednaku nuli jer ionako ne smijemo doći
do napona proboja
- za odnose u strujnom krugu prihvatljiv je model idealne diode (zadovoljava u statičkim slučajevima kakve mi
imamo: male promjene i stalna frekvencija), dok se za dinamičke slučajeve koriste dinamički modeli (modeli
koji uz ostalo sadrže kondenzatore, za pohranu energije)

TEMPERATURNI EFEKTI
EG
IS = k1 T3
e
(-
kT
)
, IS (T2) = IS (T1) e k s ( T2 - T1 ) , ks = 0,072 K-1  pri porastu temperature graf postaje strmiji

VRSTE DIODA
- p-n dioda – općenita, pripada joj navedeni opis
- Zener dioda – ima definirano koljeno u zapornom području (za razliku od obične diode) pri -5 V te služi za
održavanje stalnog napona u iznosima pozitivnijim od -6,2 V
- lavinska (avalanche) dioda – slična Zener diodi, razlika je u tome što joj je koljeno kod negativnijeg napon
(-7 V) te se i sama koristi kod negativnijih napona
- LED – emitira fotone s p-n spoja kojim protječe propusna struja, ovisno o vrsti materijala i gustoći dopiranja
postižu se različite valne duljine i naponi koljena u propusnom području (od 1,2 V na više)  podvrsta je
laserska dioda
- fotodioda – p-n spoj izložen djelovanju fotona koji pobuđuju nositelje, može se optimirati na izvor struje (npr.
sunčana ćelija) ili koristiti kao senzor  par LED-fotodioda (optoizolator) omogućuje prijenos podataka bez
električne struje
- Schottky dioda – umjesto p-n spoja koristi vezu poluvodič-metal, a odlikuje se malim naponom koljena u
prop. području, malom zapornom strujom i malim kapacitetom pa se koristi kao sklopka za brza preklapanja
- varicap dioda – pri promjeni zapornog napona ponaša se kao kondenzator promjenjivog kapaciteta pa se
primjenjuje pri naponskom upravljanju frekvencije u oscilatorima

DIODA U STRUJNOM KRUGU

- u krugu s istosmjernim naposnkim izvorom, otpornikom i serijski propusno spojenom diodom vrijedi:
Vizv = Ri + v  na v-i dijagramu se na apscisi označi Vizv , a na ordinati Vizv / R te se spajanjem dobije
v
( )
radni pravac; na istom dijagramu se nacrta eksponencijalna funkcija i = IS n VT te je presijecanjem tih
e
dvaju grafa određena radna točka diode (VD, ID)  pad napona na otporniku je onaj preostali, tj. Vizv – VD

POLUVALNO ISPRAVLJANJE
- ispravljanje je postupak pretvorbe izmjeničnog napona u istosmjerni  najjednostavniji model bi bila
sklopka koja se tako brzo preklapa da propušta samo jedan smjer napona
 može se ostvariti idealnom diodom: kod vizv>0 dioda je propusno polarizirana i kroz nju teče struja i , ali
na njoj nema pada napona v , a kod vizv<=0 dioda je zaporno polarizirana i kroz nju ne teče struja (i=0), ali
na njoj je pad napona v = vizv
 ako izvor daje izmjenični sinusoidalni napon maksimalne vrijednosti VM , onda će kroz diodu proći samo
jedan poluval napona (pozitivni), a umjesto drugog poluvala će napon na diodi biti nula  srednja vrijednost
napona na diodi bit će Vsr = VM / π , a efektivna Vef = VM / 2  analogno vrijedi i za struju sinusoidalnog
oblika
 za toplinske učinke su mjerodavne efektivne veličine
- nedostaci poluvalnog ispravljanja: istosmjerne veličine trošila izrazito su impulsne pa je opterećenje kruga
nesimetrično i vremenski isprekidano
 zbog toga se kod poluvalnog ispravljanja diodi paralelno spaja kondenzator: povećavaju se Vsr i Isr ,
smanjuju se valovitost veličina i impulsni efekt (nema više dijelova s naponom jednakim nuli), skraćuje se
vrijeme (kut) vođenja diode te je dioda opterećena većim zapornim naponom ( vZ  -2 VM , zbog toga jer
RC  beskonačno )
 napon i struja na diodi idu od neke visoke vrijednosti na sinusoidi do vrha sinusoide te zatim
eksponencijalno padaju do te iste vrijednosti (na ovom dijelu energija pohranjena u kondenatoru održava
napon i struju na diodi, a dioda je za to vrijeme nakratko propusno polarizirana pa potpuno reverzno, a onda
opet nakratko propusno)

TIRISTOR I TRIJAK
- idealna dioda daje pozitivni poluvalni napon unutar jednog perioda od kuta 0 do kuta π te stoga troši stalni
srednji napon, stalnu srednju struju i stalnu srednju snagu  tiristor se koristi kada želimo smanjiti srednji
napon, srednju struju i srednju snagu: "sklopka" se uključuje kod nekog kuta između 0 i π (kut okidanja, α), a
isključuje se kod kuta π što znači tiristor modificira dio od kuta 0 do kuta α
- izvedba tiristora: dioda na koju je spojena upravljačka elektroda kroz upravljačku elektrodu se pri kutu
okidanja dovodi strujni impuls
- jedan tiristor djeluje samo u jednom smjeru (daje istosmjernu struju)  za djelovanje u oba smjera (davanje
izmjenične struje) koristi se trijak – elektronički element sastavljen od dva antiparalelna tiristora

TRANZISTOR
- elektronički element koji se najčešće koristi kao pojačalo ili kao sklopka
- najčešće vrste: BJT i FET (JFET te MOSFET)
- za tranzistor u funkciji sklopke vrijedi: u području zasićenja (za BJT) ili u triodnom području (za FET)
ponaša se kao uključena sklopka, a u području zapiranja (i za BJT i za FET) ponaša se kao isključena sklopka
- bitne nesavršenosti tranzistora u funkciji sklopke: napon nije 0 kad se tranzistor ponaša kao uključena
sklopka, struja nije 0 kad se tranzistor ponaša kao isključena sklopka te je ograničena brzina uključivanja i
isključivanja tranzistora

http://www.electronics-tutorials.ws/category/transistor

BIPOLARNI TRANZISTOR (BJT)

- tranzistor za čije se upravljanje koristi struja
- sastoji se od izvoda B (baza), E (emiter) i C (kolektor) koji su spojeni na p-n-p (rjeđe) ili na n-p-n spoj
(češće)  B daje signal koji se pojačava te se tako pojačani signal dobiva na C
- najlakše je promatrati smjerove gibanja elektrona kroz spoj, a onda postaviti struje koje su po definiciji
obrnute od smjerova gibanja elektrona
- p-n-p spoj: p-strana kod E je srednje širine i jako dopirana te ima slobodne šupljine, n- strana (kod B) je vrlo
uska i slabo dopirana te ima slobodne elektrone, a p-strana kod C je najšira i srednje dopirana te ima slobodne
šupljine; struja teče od E te se raspodjeljuje na B i C
- n-p-n spoj: p-strana kod E je srednje širine i jako dopirana te ima slobodne šupljine, n- strana (kod B) je vrlo
uska i slabo dopirana te ima slobodne elektrone, a p-strana kod C je srednje širine i srednje dopirana te ima
slobodne šupljine; elektroni se dovode na p-stranu kod E te jedan dio njih preko n-strane odlazi na B, a drugi
dio još na na p-stranu kod C
 struja teče od C te se raspodjeljuje na B i E (takav spoj se najčešće koristi u praksi)
VBE VBC
( ) ( )
- Ebers-Mollov model n-p-n tranzistora: IBE = IE S [ VT - 1 ] , IBC = IC S [ VT - 1 ]
e e
IE = IBE - αBC IBC , IC = - IBC + αBE IBE , IB = (1 – αBE) IBE + (1 – αBC) IBC , αBE IC S = αBC IE S = IS
IS = JS A , IS = q Dn ni^2 / QB ( A je površina BE spoja, JS je gustoća struje zasićenja, Dn je srednja
difuzijska konstanta elektrona, ni je intrinsična gustoća nositelja u siliciju (1,45*10^10 cm^-3 za 300 K), a
QB je broj atoma dopiranih u bazi po jediničnoj površini, tj. To je površinska gustoća)
- iznos veličina αF i αR su manji od 1
 kod p-n-p tranzistora smjer dioda u modelu i naponski polariteti u jednadžbama su obrnuti
- pošto se svaki od p-n spoj može nalaziti ili u propusnom ili u zapornom području, tranzistor (sastoji se od
dva p-n spoja) se može nalaziti u četiri područja: u prvom kvadrantu je VBE poz., a VBC neg. (tj. -VBC je poz.)
 I. kv.: unaprijedno aktivno područje, II. kv.: područje zapiranja, III. kv.: reverzno aktivno područje, IV. kv.:
područje zasićenja
- izlazne karakteristike tranzistora prikazuju se IC-VCE grafom s konstantnim vrijednostima IB
 graf raste konkavno do neke vrijednosti (područje zasićenja), zatim raste blago linearno do neke druge
vrijednosti (aktivno područje), a nakon toga raste konveksno i vrlo strmo (područje proboja)
 za područje zapiranja vrijedi da je IB=IE=IC=0 te se ono nalazi malo iznad osi apscise

UNAPRIJEDNO AKTIVNO PODRUČJE

- najčešće korišteno područje, BE spoj je polariziran propusno ("F" kao "forward"), a BC spoj zaporno ("R"
kao "reverse")  vrijedi: βF = αF / (1 - αF ) , βR = αR / (1 - αR )

REVERZNO AKTIVNO PODRUČJE

- vrlo se rijetko koristi

PODRUČJA ZSIĆENJA I ZAPIRANJA

- u području zasićenja tranzistor se ponaša kaao uključena, a u području zapiranja kao isključena sklopka

FET („FIELD-EFFECT TRANSISTOR“)

- tranzistori za čije se upravljanje koristi napon
- pokretni nosioci nisu većinski i i manjinski nosioci, nego nosioci samo jednog polariteta: elektroni kod n-
kanalnog FET-a, a šupljine kod p-kanalnog FET-a
- bavit ćemo se samo n-kanalnom izvedbom jer ima bolja bolja svojstva
- postoje dvije vrste FET-a: JFET i MOSFET

JFET
- sastavljen je od tri područja: od vrata (G, "gate"), izvora ili uvoda (S, "source") i odvoda (D, "drain")
- simbol n-kanalnog JFET-a ima strelicu kod G usmjerenu prema sredini
- struja vratiju ne teče ( IG=0 ) zbog izolacijskog sloja između vrata i kanala
- može se nalaziti u tri područja: u području zapiranja, u triodnom (omskom) području i u području zasićenja
MOSFET
- sastavljen je od četiri područja: od vrata, izvora ili uvoda, odvoda i podloge
- struja vratiju ne teče ( IG=0 ) zbog izolacijskog sloja između vrata i kanala
- može se nalaziti u tri područja: u području zapiranja, u triodnom (omskom) području i u području zasićenja

POLUVODIČKA OSJETILA (SENZORI)

- termistor – koristi se za mjerenja i nadzor temperature, kada nije potrebna prevelika točnost
 za mjerenje temperatura u području od 0 do 100 °C može se koristiti i dioda, zbog njenog svojstva da joj
se promjenom temperature mijenja propusni napon
- fotootpornik (LDR) – pri dobroj osvjetljenosti ima mali otpor, a pri slaboj osvjetljenosti ima veliki otpor
 u usporedbi s fotodiodom i fototranzistorom ima najlošija dinamička svojstva pa se primjenjuje samo pri
sporim promjenama rasvjete (do frekvencija od 1 kHz)
- poluvodička osjetila imaju dobra dinamička svojstva te male dimenzije, no dosta su ovisni o temperaturi

ISPRAVLJAČI
- uređaji koji ulaznu izmjeničnu veličinu preoblikuju u istovrsnu izlaznu istosmjernu veličinu
- vrste: jednofazni i višefazni, poluvalni i punovalni, upravljivi i neupravljivi, niskofrekv. i visokofrekv.

POJAČALA
- elektronički sklopovi čija je promjena izlazne veličine veća od promjene istovrsne ulazne veličine
- pojačanje (A, prijenosna funkcija): A = (izl. vel.)/(ul. vel.)
 za |A|<1 govori se o gušenju
- za male signale pretpostavlja se da je pojačanje linearno ovisno o veličinama ulaznih i izlaznih signala
- vrste pojačala s ozbirom na donju (fd) i gornju graničnu frekvenciju (fg): istosmjerna (fd=0), niskofrekv. (NF)
i visokofrekv. (VF)
- za niz od više pojačala (kaskadu vrijedi): A = A1 * A2 * ... * An , A(dB) = ∑ Ai,(dB)
- prilagodba otpora: za naponsko pojačanje – Rul >> Rizl , za strujno pojačanje – Rul << Rizl , za pojačanje
snage – Rul = Rizl

+ ako je razlika napona na ulazu izvan aktivnog područja označenog s delta V, tj. apsoluno iznad V napajanja,
onda izlaz operacijskog računala postaje blizak jednom naponu napajanja što se naziva zasićenjem
+ simetrično je napajanje najčešće i ostvaruje se naponima suprotnih polariteta istih vrijednosti (npr + – 15
V), a referentna je točka njihova srednja točka
+ povratna veza ostvaruje se povratkom dijela izlazne veličine na ulaz čime se postižu nova svojstva
+ invertirajuće pojačalo (invertor): uizl = uul + i (Ro + R) , uizl = A (uul+ – uul-) = – A (uul + i R)  uizl pribl.= –
Ro/R * uul , uul = uul+ – uul- , A = uizl/uul pribl.= – Ro/R
+ neinvertirajuće pojačalo: uizl = uul + i (Ro + R) , uizl = A (uul+ – uul-) = A (uul – i R)  uizl pribl.= – Ro/R *
uul , uul = uul+ – uul- , A = uizl/uul pribl.= 1 + Ro/R
+ sumator: uizl = – Ro ∑ (uul,i/Ri)
+ integrator: uizl = – 1/(RC) * ( integral od uul(t) dt ) + u0  u0 je početni napon na kondenzatoru
+ derivator: uizl = – RC * duul/dt
+ u povratnoj vezi op. pojačala mogu biti i nelinearni elementi, pa i čitavi sklopovi, čime se mogu ostvariti
različite nelinearne operacije nad ulaznim naponom