10. 5.

TRANZISTOR

02/14/17 imun Tomas 1

10. 5. TRANZISTOR
Tranzistor je najpoznatiji poluvodiki element modernih elektronikih sklopova (integriranih
krugova, elektronikih raunala itd). Otkrili su ga 1948. godine ameriki fiziari Johan Bar-
deen, William Shockley i Walter Brattain. Mnogi znanstvenici smatraju da je otkrie tranzi-
stora najvee znanstveno otkrie u 20. stoljeu. Tranzistor se sastoji od triju slojeva poluvo-
dikih materijala (silicija, germanija), to je zapravo spoj dviju dioda. Prema rasporedu
slojeva, razlikujemo dva tipa tranzistora: NPN-tranzistor (slika)

i PNP-tranzistor (slika).

Dakle, kod NPN-tranzistora tanka ploica P-poluvodia nalazi se izmeu dviju ploica
N-poluvodia, a kod PNP-tranzistora, tanka ploica N-poluvodia nalazi se izmeu dviju2
ploica P-poluvodia. Ta se tri sloja redom zovu emiter (E), baza (B) i kolektor (C).
Emiter, baza i kolektor imaju metalne prikljuke pomou kojih se tranzistor spaja u vanjski
elektrini krug (slika).

3
10.5.1. NAELO RADA TRANZISTORA
Naelo rada tranzistora razmotrit emo na
Ako se tranzistor prikljui na izvor struje
NPN-tranzistoru. Kod tranzistora, slino kao
tako da je emiter prikljuen na negativni
i kod diode, odmah nakon spajanja ploica
pol (-), a kolektor na pozitivni pol (+)
na njihovim dodirnim plohama, zbog difuzije
izvora, tj. u kolektorski krug, tada kroz
slobodnih elektrona i upljina, javljaju se
tranzistor ne tee struja (slika).
dva zaporna sloja: jedan izmeu emitera i
baze (EB), i drugi izmeu baze i kolektora
(BC) slika.

Razlog je sljedei. Kad je tranzistor prikljuen samo u kolektorski krug, tada su emiter i baza
tranzistora ukljueni u propusnom smjeru (NP-spoj), pa se EB zaporni sloj smanjuje, a baza i
kolektor (PN-spoj) ukljueni su u nepropusnom smjeru pa se BC zaporni sloj poveava.
Dakle, BC zaporni sloj stvara veliki otpor pa stoga kroz tranzistor ne tee struja. Tako 4
prikljuen tranzistor djeluje kao otpornik velikog otpora, praktino kao izolator.
Meutim, ako se na jo jedan pomoni izvor struje baza tranzistora prikljui na pozitivni pol
tog izvora, a emiter na negativni, to stanje bitno se mijenja (slika).

Tada je tranzistor ukljuen u dva strujna kruga (bazni i kolektorski).

5
Kad je tranzistor tako spojen, tada dolazi do uinka koji je bitan za rad tranzistora. Budui da
je u baznom krugu emiter spojen na negativni pol izvora, a baza na pozitivni, tada je NP-spoj
(emiter i baza) ukljuen u propusnom smjeru pa tim krugom tee bazna struja (IB ). im
bazna struja pone tei, istodobno slobodni elektroni iz emitera naviru u bazu i preplavljuju
je. Za rad NPN-tranzistora vano je da je baza tranzistora vrlo tanka (oko 1m) i da je
koncentracija atoma akceptora u bazi manja od koncentracije atoma donora u emiteru. U
takvoj bazi jedan manji broj slobodnih elektrona koji su stigli iz emitera nalijee na upljine
pa se rekombinira, jedan takoer manji broj elektrona tvori baznu struju, dok vei broj
prolazi kroz PN-spoj u BC-zaporni sloj. U BC-zapornom sloju djeluje jako unutarnje (dodirno)
elektrino polje koje elektrone iz baze ubrzava prema kolektoru pa kolektorskim krugom tee
jaka struja (IC ). Dakle, kroz tranzistor teku tri struje: kolektorska (IC ), bazna (IB ) i emiterska
(IE ). Pritom je IE=IC+IB.

Struja u kolektorskom strujnom krugu ovisi o baznoj struji. Kada nema bazne struje,
tranzistor djeluje kao otpornik velikog otpora pa kolektorskim krugom praktino struja ne
tee. Ako struja tee baznim krugom, tee i kolektorskim krugom. Pritom male promjene
bazne struje uzrokuju razmjerno velike promjene kolektorske struje. Stoga kolektorska struja
moe biti stotinjak i vie puta jaa od bazne. Dakle, tranzistor djeluje kao promjenljivi
otpornik iji se otpor moe regulirati pomou bazne struje.

6
Zbog tog svojstva tranzistor se koristi za pojaavanje elektrinih signala i kao elektronika
sklopka. Naime, male promjene jakosti slabih elektrinih signala u baznom krugu tranzistora
izazivaju velike promjene jakosti elektrinog signala u kolektorskom krugu. Na taj nain
tranzistorom se pojaava elektrini signal, tj. tranzistor djeluje kao pojaalo. Elektrini signal
koji treba pojaati ukljuuje se u bazni krug, a pojaan signal dobiva se u kolektorskom
krugu. Kako se elektrini signal (zvuk) iz mikrofona pojaava tranzistorom pokazuje slika.

Tranzistor se rabi i kao sklopka. Ako nema bazne struje, otpor tranzistora je jako velik,
kolektorskim krugom struja praktino ne tee, to odgovara otvorenoj sklopki. Ako bazna
struja tee, otpor tranzistora je malen, pa tee struja i kolektorskim krugom, a to odgovara
zatvorenoj sklopki. Tranzistor kao sklopka sastavni je dio elektronikih ureaja (npr. u
raunalima tranzistorske sklopke obavljaju logike operacije: I, ILI i NE).
7
 10.5.2. UNIPOLARNI TRANZISTORI
Tranzistor s efektom polja (FET)
Naelo rada tranzistora razmatrali smo na NPN-tranzistoru. Ista fizikalna naela vrijede i za
PNP-tranzistor, a razlika je jedino u tome to su u NPN-tranzistoru veinski nositelji struje
slobodni elektroni, a u PNP-tranzistoru upljine. Takvi tranzistori nazivaju se bipolarni tran-
zistori. Pored tih tranzistora u praksi se esto rabe i unipolarni tranzistori. To su tranzistori
kod kojih u voenju struje sudjeluje samo jedna vrsta naboja (ili samo elektroni ili samo
upljine) i struja prolazi samo kroz poluvodiki materijal jednog tipa. Po tome su dobili naziv
unipolarni tranzistori. Od tih tranzistora najpoznatiji je tranzistor s efektom polja, skraeno
FET (engl. Field Effect Transistor) slika.

Kao to se vidi iz slike, taj tranzistor je graen je od N-poluvodia u koji je sa strane ugraen
tanki sloj P-poluvodia. Na tranzistoru se nalaze tri metalna prikljuka:
- prikljuak G (eng. gate vrata) nalazi se na P-poluvodiu,
- prikljuak S (eng. source izvor, uvod) nalazi se na jednoj strani N-poluvodia i
- prikljuak D (eng. drain odvod) nalazi se na drugoj strani N-poluvodia.
Dio N-poluvodia ispod P-poluvodia naziva se kanal.

8
Naelo rada unipolarnog tranzistora s efektom polja temelji se na promjeni irine vodljivog
kanala. Promjena irine kanala vri se pomou poprenog elektrinog polja koje stvara
istosmjerni napon UGS, tako to se prikljuak G spoji na negativni, a S na pozitivni pol izvora
napona (slika).

Dakle, PN-spoj je tada ukljuen u nepropusnom smjeru. Zbog toga se oko dodirnih ploha P
i N-poluvodia formira zaporni sloj koji suzi vodljivi dio kanala. to je napon UGS vei, jae
je i popreno elektrino polje. Rezultat toga je vei zaporni sloj i manja irina kanala.
Dakle, u njemu ima manje slobodnih elektrona. Prema tome, irina vodljivog kanala regulira
se pomou poprenog elektrinog polja koje stvara napon UGS.

9
Ako se prikljuci S i D spoje na jo jedan izvor napona USD tako da je S prikljuak spojen na
negativni, a D na pozitivni pol izvora, tada e kroz kanal tei struja (slika).

Struja tee od prikljuka D prema S, a nositelji struje su slobodni elektroni. Jakost struje
regulira se pomou poprenog elektrinog polja, tj. napona UGS, pa je odatle i naziv
tranzistor s efektom polja. Ovi tipovi tranzistora grade se kada na jednu poluvodiku ploicu
treba ugraditi velik broj minijaturnih tranzistora.

10
Metalnooksidni tranzistor s efektom polja (MOSFET)
MOSFET (od engl. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Tranzistor) je jedan od najbroj-
nijih i najmanjih tranzistora. Napravljen je tako to se na osnovni uzorak poluvodia, npr. na
N-poluvodi, sa strane ugrade dva umetka P-poluvodia (slika).

Metalna vrata G su tankim slojem izolatora (npr. silicijeva oksida-SiO2 ) odvojena od osno-
vnog uzorka, tj. N-poluvodia.

11
Kada se vrata G prikljue na negativni pol izvora, a kontakt K na pozitivni, tada se izmeu
vrata G i kontakta K stvara jako elektrino polje koje od vrata potiskuje elektrone dublje u
podlogu, a privlai upljine. Zbog toga izmeu izvora S i odvoda D nastaje vodljivi kanal.
Ulazni signal koji elimo pojaati prikljuujemo na vrata G. Jakost struje koja prolazi kroz
kanal ovisi o njegovoj irini, a irina kanala ovisi o naponu ulaznog signala koji se pojaava
(slika).

12
Neke izvedbe tranzistora 13