Edited by Foxit Reader

ĐHBK TP HCM–KHOA ĐIỆN-ĐIỆN TỬ Copyright(C) by Foxit Software Company,2005-2008

BỘ MÔN ĐIỆN TỬ For Evaluation Only.
GV: HỒ TRUNG MỸ

HƯỚNG DẪN ÔN TẬP MÔN DỤNG CỤ LK ĐIỆN TỬ

HỌC KỲ 2 – NĂM HỌC 2008-2009
Chú ý:
• Đề kiểm tra trắc nghiệm gồm có 40 Æ 50 câu
• Số đề: 4 đến 8
• Đề thi không cho sử dụng tài liệu

Trọng tâm ôn thi của các chương như sau:

Chương 5. VẬT LÝ BÁN DẪN
1. Phân loại vật liệu theo điện dẫn suất (hay điện trở suất) và khe năng lượng.
2. Sự hình thành dải năng lượng. Khái niệm dải dẫn, dải hóa trị và dải cấm. Khe năng lượng EG.
3. Thế nào gọi là bán dẫn trực tiếp, bán dẫn gián tiếp. Cho thí dụ loại bán dẫn nào là trực tiếp, gián tiếp?
4. Bán dẫn nội tại và bán dẫn có pha tạp chất.
5. Đặc tính của phân bố Fermi-Dirac. Khi nhiệt độ tăng thì đặc tính này thay đổi như thế nào?
6. Mức (năng lượng) Fermi EF trong chất rắn: EF nằm ở đâu trong chất dẫn đện, bán dẫn và cách điện?
7. Phân bố Botlzmann: nồng độ điện tử và lỗ ở cân bằng nhiệt

8. Nồng độ hạt dẫn nội tại ni

Khi nhiệt độ thay đổi thì ni bị ảnh hưởng như thế nào?
9. Thế nào chất donor, acceptor? Trong bản phân loại tuần hoàn, nếu ta dùng bán dẫn thuộc nhóm IV thì
các chất donor và acceptor thuộc các nhóm nào? Các mức năng lượng donor ED và acceptor EA nằm ở
đâu trong giản đồ năng lượng của chất bán dẫn?
10. Sự hình thành bán dẫn loại N, loại P. Hạt dẫn đa số hạt dẫn thiểu số. Định luật tác động khối lượng của
chất bán dẫn (nội tại và có pha tạp chất) ở cân bằng nhiệt: n.p = ni2
11. Nồng độ hạt dẫn trong bán dẫn loại N ở cân bằng nhiệt (nếu ND >> ni) nn ≈ ND và pn = ?
12. Nồng độ hạt dẫn trong bán dẫn loại P ở cân bằng nhiệt (nếu NA >> ni) pp ≈ NA và np = ?
13. Bán dẫn có bổ chính (còn được gọi là bán dẫn bù) ở cân bằng nhiệt (xét nồng độ tạp chất >>ni):
Với bán dẫn loại N (ND > NA), ta có nồng độ hạt dẫn đa số nn và nồng độ hạt dẫn thiểu số pn:

Với bán dẫn loại P (NA > ND), ta có nồng độ hạt dẫn đa số pp và nồng độ hạt dẫn thiểu số np:

HDOT-DCLKĐT–Trang 1/15
Chương 7. DIODE TIẾP XÚC PN ( DIODE CHUYỂN TIẾP PN)
7.1 TIẾP XÚC PN (CHUYỂN TIẾP PN) (nhắc lại các lý thuyết đã đề cập trong chương 6)
• Định nghĩa của tiếp xúc PN loại bước (step), loại biến đổi đều (graded)
• Sự tạo thành tiếp xúc PN:

Hình 7.1 Sự tạo thành tiếp xúc PN: (a) Các miền bán dẫn P và N trước khi tạo thành tiếp xúc; (b) Giản đồ
năng lượng của tiếp xúc PN (Evac là mức năng lượng chân không, WP là bề rộng miền nghèo bên P và WN là
bề rộng miền nghèo bên N).

• Tiếp xúc PN chưa có phân cực

o sự hình thành miền nghèo-chuyển động của hạt dẫn?
o miền nghèo, miền trung hòa.
o thế nội khuếch tán φ B (hay Vbi)
kT ⎛ NDNA ⎞ ⎛ nn 0 ⎞ ⎛ pp 0 ⎞
φB = ln ⎜⎜ 2 ⎟⎟ = VT ln ⎜ ⎟ = VT ln ⎜ ⎟
q ⎝ ni ⎠ ⎝ np 0 ⎠ ⎝ pn 0 ⎠
o miền điện tích không gian
NAWP = NDWN

2ε Sφ B ⎛ 1 1 ⎞
W = WP + WN = ⎜ + ⎟
q ⎝ NA ND ⎠

HDOT-DCLKĐT–Trang 2/15
 Hình 7.2 Tiếp xúc PN chưa có phân cực

Hình 7.3 Các phân cực có thể có ở tiếp xúc PN

• Tiếp xúc PN được phân cực thuận (forward bias)

o Phân cực thuận? (thế tại P > thế tại N).
o Khi phân cực thuận tăng thì : miền nghèo giảm và điện trở miền nghèo giảm.
o Phương trình dòng điện qua tiếp xúc PN được phân cực thuận:
(
IF = I 0 eVA /VT − 1 )
với I0 là dòng điện bão hòa ngược và khi nhiệt độ tăng thì I0 tăng.

• Tiếp xúc PN ở phân cực ngược (reverse bias)

o Phân cực ngược? (thế tại P < thế tại N).
o Dòng điện ngược: IR ≈ I0 (khi nhiệt độ tăng thì I0 tăng)

• Dòng điện sinh tái hợp

Dòng điện tái hợp thắng thế ở phân cực thuận thấp và dòng điện khuếch tán thắng thế ở phân cực thuận
cao hơn.
(
IF = I 0 eVA /ηVT − 1 )
với η là hệ số lý tưởng (hệ số phát xạ) có trị từ 1 đến 2 tùy theo vật liệu chế tạo, thí dụ với Ge là 1, với Si là
1.1 hoặc từ 1.2 đến 2

HDOT-DCLKĐT–Trang 3/15
 Hình 7.4 Dòng diode ( ln I = f(V) ) ở phân cực thuận
(Với e=điện tích điện tử; kB=hằng số Boltzmann; rS= điện trở khối)).

o xem hình 7.4 các độ dốc khác nhau do cái gì ảnh hưởng?
o tác động của η đến đặc tuyến I-V như thế nào?

• Điện trở vật liệu khối RS

(
IF = I 0 e(VA− IFRS )/VT − 1)
tác động của RS đến đặc tuyến I-V như thế nào?

• Điện dung tiếp xúc PN

o với phân cực ngược (VA= –VR < 0): hình thành điện dung miền nghèo.
Điện dung miền nghèo trên một đơn vị diện tích mặt cắt ngang Cdep (F/cm2):
ε
Cdep =
S

W
với
2ε S (φ B + VR ) ⎛ 1 1 ⎞
W= ⎜ + ⎟
q ⎝ N A ND ⎠
khi áp ngược VR tăng thì Cdep giảm và ngược lại. Người ta ứng dụng hiệu ứng này để chế tạo diode
biến dung (varicap hay varactor).
o với phân cực thuận: hình thành điện dung khuếch tán. Cdiff : điện dung khuếch tán trên một đơn
vị diện tích mặt cắt ngang.
• Đánh thủng tiếp xúc PN (xảy ra khi áp phân cực ngược đủ lớn) có 3 loại:
o Đánh thủng do nhiệt: với nhiệt độ thường thì không ảnh hưởng.
o Đánh thủng thác lũ (nhân thác lũ): do ion hóa va chạm khi hạt dẫn chuyển động trong điện
trường. Đánh thủng thác lũ có hệ số nhiệt dương.
o Đánh thủng hiệu ứng Zener (hay đường hầm): do hiệu ứng đường hầm và đánh thủng này có hệ
số nhiệt âm.
• Nhận biết đánh thủng thác lũ và Zener qua điện áp đánh thủng VBR:
thường thì VBR < 4 V là đánh thủng Zener; VBR > 6V là đánh thủng thác lũ ; 4V ≤ VBR ≤ 6V được thiết
kế sử dụng cả hai loại đánh thủng thác lũ và Zener.

HDOT-DCLKĐT–Trang 4/15
7.2 DIODE TIẾP XÚC PN
• Xem hình 7-1, 7-3 và 7-5.Các công thức (7-4), (7-5)
• Ảnh hưởng của η và RS lên đặc tuyến diode như thế nào?
khi có η > 1, RS > 0 thì đường cong mới so với cũ (RS=0 và η=1) như thế nào?
• Ảnh hưởng của nhiệt độ lên đặc tuyến của diode:
o ở phần phân cực thuận: nhiệt độ tăng thì đường cong dịch về trái so với cũ.
o ở phần phân cực ngược: nhiệt độ tăng thì tùy theo loại đánh thủng thác lũ
và/hay Zener mà dịch về trái hay phải hay ít thay đổi so với đường cong cũ.
• Điện dung tiếp xúc PN
o với phân cực ngược: có điện dung tiếp xúc CJ [F] (J=junction=tiếp xúc)
CJ = A.Cdep = ε SA
W
với A: diện tích mặt cắt ngang; εS hằng số điện môi bán dẫn; W: bề rộng miền nghèo.

o với phân cực thuận: có điện dung khuếch tán CD [F] (D=diffusion=khuếch tán)
IDτ T
CD ≅
VT
với τT là thời đi qua diode (còn gọi là thời gian chuyển tiếp [T=transit])

Hình 7.5 Điện dung của diode tiếp xúc PN với phân cực ngược VA = –VR ( chú ý : V0=Vbi)
• Điện trở động rD và điện trở tĩnh RD của diode
o Điện trở động rD (còn gọi là điện trở AC)
dVD VT VT kT
rD = = = =
dID ID IQ qIQ
ở T=300oK thì rD ≈ 0.025V/ID
với VD, ID là áp và dòng qua diode, IQ là ID ở điểm làm việc Q.

o Điện trở tĩnh RD (còn gọi là điện trở DC): RD=VD/ID=VQ/IQ

• Các mô hình diode:

Xem mô hình diode lý tưởng và mô hình sụt áp hằng (chú ý VON ≡ Vγ)
9 Mô hình DC
Mô Phương trình Sơ đồ tương đương Đặc tuyến
hình (FB=phân cực thuận (A=Anode; K=Cathode)
RB=phân cực ngược)
Lý
tưởng

HDOT-DCLKĐT–Trang 5/15
 Sụt áp
hằng

Sụt áp
hằng
với
RF

9 Mô hình AC

Hình 5.6 Diode với tín hiệu nhỏ

Mô hình diode tín hiệu nhỏ với tần số thấp:

Phân cực với VDQ < VON VDQ > VON
Mạch tương đương

với rd là điện trở AC của diode

rr điện trở ngược > 10 MOhm
Chú ý với tần số cao thì có thêm điện dung song song.

7.3 Các loại diode khác

o Diode chỉnh lưu: diode tiếp xúc PN thông thường
- chỉnh lưu: cho dòng điện đi qua 1 chiều (từ anode sang cathode)
- thường thì có điện áp đánh thủng lớn.
o Diode ổn áp (còn gọi là diode Zener)
- Sử dụng hiệu ứng đánh thủng Zener và/hoặc hiệu ứng đánh thủng thác lũ.
- Xem lại ảnh hưởng của nhiệt độ? Với điện áp đánh thủng VBR= –VZ (với VZ>0) thì TCVZ < 0
với đánh thủng Zener và TCVZ >0 với đánh thủng thác lũ.
o Diode biến dung (varicap hay varactor)
- ứng dụng điện dung tiếp xúc CJ=f(VR), khi VR tăng thì CJ giảm. Chú ý là - sử dụng varicap với
phân cực ngược.

HDOT-DCLKĐT–Trang 6/15
 Hình 5.7 Mô hình diode Zener với phân cực ngược VR > VZ0
o Diode Schottky
- tạo từ tiếp xúc M-S (M=Metal=kim loại và S=Semiconductor=bán dẫn), thí dụ M là platium và
S là bán dẫn loại N hình thành diode Schottky với Anode bên M và cathode bên S.
- có rào thế nhỏ ( ~ 0.3V)
- hoạt động tắt/dẫn ở tốc độ chuyển mạch cao.

Chương 8. BJT (TRANSISTOR TIẾP XÚC LƯỠNG CỰC)

• Tại sao có tên gọi lưỡng cực ? tiếp xúc (hay chuyển tiếp hay mối nối)?
• Cấu tạo BJT loại NPN và loại PNP.Ký hiệu jE, jC. Nồng độ tạp chất của các miền?

(a) Transistor NPN

(b) Transistor PNP

Hình 8.1. Transistor BJT
• Ở ký hiệu BJT thì mũi tên ở cực E có ý nghĩa gì?
• BJT ở chế độ tích cực:

HDOT-DCLKĐT–Trang 7/15
• Hệ số vận chuyển miền nền B, hiệu suất cực phát γE ?
BJT tốt có B, γE tiến gần tới 1.
• độ lợi dòng điện cực nền chung α = B.γE = IC/IE
• độ lợi dòng điện cực phát chung β = α / (1– α ) = IC/IB
o β cao cần: tốc độ tái hợp thấp ở miền nền và thời gian chuyển tiếp (đi qua) ngắn ở miền nền
o β phụ thuộc vào IC.

• Các chế độ làm việc của BJT và đặc điểm của chúng?
• Các cấu hình mắc BJT:

Hình 8.2 Transistor PNP: (a) Các cách mắc BJT; (b) Đặc tuyến ra ở cấu hình CB và CE
Hãy nêu đặc điểm của các cách mắc với ứng dụng khóa điện tử và mạch khuếch đại?

• Điều chế miền nền: Xét BJT NPN phân cực ở chế độ tích cực [thuận] (khuếch đại), nếu VCE tăng ⇒ bề
rộng hiệu dụng của miền nền giảm ⇒ dòng IC tăng. Nghĩa là bề rộng miền nền bị thay đổi (điều chế) khi
điện áp VCE thay đổi.
• Điện áp Early VA: giá trị điện áp tại điểm nằm trên trục hoành mà mọi đường cong IC theo VCE (ở phần
khuếch đại) đều đi qua điểm này.
Độ dốc tại điểm làm việc (vùng khuếch đại)
dIC IC IC
= ≈ (nếu VA >> VCE)
dVCE VCE + VA VA

• Điện áp đánh thủng BVCBO , BVCEO

o CB: BVCBO không bị ảnh hưởng bởi IE.
o CE: BVCEO bị ảnh hưởng bởi IB (IB tăng thì BVCEO giảm)
HDOT-DCLKĐT–Trang 8/15
 Hình 8.3 Một thí dụ về đánh thủng ở BJT
• Với 3 cấu hình mắc BJT (CB, CE, và CC) thì cấu hình nào được chọn cho BJT làm công tắc (khoá)? tại
sao?
• Transistor Schottky: cấu tạo, ứng dụng
1
• BJT tần số cao: Tần số cắt fT =
2πτ ec
• Các đặc tuyến BJT: vào, ra và truyền đạt
• Mô hình tín hiệu nhỏ của BJT (tần số trung bình)

(a) Mô hình pi (mắc CE)

(b) Mô hình T
• Mô hình tần số cao của BJT ở chế độ tích cực:

Tần số cắt fT (khi đó β =1)

HDOT-DCLKĐT–Trang 9/15
• Mô hình tham số h. Các tham số h cho BJT cấu hình CE:
∂vBE vBE VT VT
hie ≡ rπ ≡ rbe ≡ = = β re = β ≈β
∂iB VCE iB vCE =0 IE ICQ

∂iC iC
hfe ≡ β ≡ = = gmhie
∂iB VCE iB vCE =0

ICQ
gm =
VT

1 ∂vCE vCE VA +VCEQ VA

rC ≡ ≡ = = ; (nếu VA >> VCE)
hoe ∂iC IB iC iB =0 ICQ ICQ
Chú ý: βdc = hFE = IC/IB ; βac = hfe = ic/ib (ở tần số thấp βac = βdc )
• Dòng điện rĩ (rò) trong BJT (nhiệt độ tăng dẫn đến dòng rĩ tăng)
o cấu hình CB:IC = αIE + ICBO
o cấu hình CE: IC = βIB + ICEO
với ICEO = ICBO/(1-α)
• Gương dòng điện (Current mirror)
Mạch Điều kiện để là nguồn dòng Phương trình
1. Q1 và Q2 có đặc tính giống Dòng điện tải:
nhau
2. Q1 và Q2 luôn ở chế độ tích
cực thuận (dẫn đến có giới
hạn với điện trở tải RL)

với dòng chuẩn IR:

Chương 9. FET
FET là transistor hiệu ứng trường, có cực cổng G cách ly với kênh dẫn qua tiếp xúc PN (JFET) hoặc qua
chất cách điện (MOSFET). FET thuộc dụng cụ đơn cực.
9.1 JFET (tập trung JFET kênh N)
ƒ Cấu tạo của JFET kênh N, kênh P. Hình sau cho thấy cấu tạo của JFET kênh N

HDOT-DCLKĐT–Trang 10/15
 ƒ Ký hiệu
JFET kênh N JFET kênh P

ƒ Đặc tuyến ra và truyền đạt của JFET. Các miền hoạt động và cách nhận biết các miển này. Khi ở
miền Ohm ta có thể hoán đổi D và S.

Hình 7.1 Đặc tuyến ra của JFET kênh N (với VGS(off) = –Vp < 0; Vp là điện áp nghẹt)
ƒ Công thức dòng ID ở chế độ bão hòa
ƒ Mô hình tín hiệu nhỏ của JFET.
9.2 MOSFET (tập trung MOSFET loại giàu kênh N [ MOSFET kênh dẫn chưa lắp sẵn loại N])
ƒ Tụ MOS – Các chế độ: tích lũy, nghèo và đảo ngược
ƒ Ký hiệu của MOSFET

(a) loại giàu kênh N (NMOS loại giàu)

(b) loại giàu kênh P (PMOS loại giàu)

HDOT-DCLKĐT–Trang 11/15
 ƒ Nguyên tắc hoạt động của MOSFET
ƒ Đặc tuyến ra và truyền đạt của MOSFET. Các miền hoạt động và cách nhận biết các miển này.

ƒ Mô hình tín hiệu nhỏ của JFET/MOSFET

Tần số thấp Tần số cao

ro = điệntrở ra CS = (VA+VDSQ)/IDQ
ro ≈ VA /IDQ
Tần số cắt fT = gm/(2π(Cgs+Cgd))

Mô hình Π-hỗn hợp của MOSFET và JFET (ở miền bão hòa)

MOSFET JFET
G D G D

+ +

v gs ro
v gs ro gmvgs
gmvgs −
− S
S

I D = K (VGS − Vt ) 2 I D = K (VGS − Vt ) 2
V D = V DD − R D I D VD = V DD − R D I D
g m = 2 K (VGS − Vt ) 2 I DSS ID
gm =
g m = 4 KI D VP I DSS

VA VA
ro = ro =
ID
ID
với
ƒ VA = tương tự điện áp Early ở BJT
ƒ Vt=VTH= điện áp ngưỡng
HDOT-DCLKĐT–Trang 12/15
 Edited by Foxit Reader
ƒ Vp = điện áp nghẹt/nghẽn Copyright(C) by Foxit Software Company,2005-2008
2 Evaluation Only.
ƒ IDSS= dòng bão hòa (khi VGS=0, IDSS=KVFor
t )
ƒ K = tham số dẫn điện (A/V2)
o Với MOSFET: K= μnCoxW/(2L) (W ≡ Z = bề rộng kênh dẫn; L=chiều dài kênh dẫn)

Phần bài tập.

Chương 7. Diode
7.1 Xác định xem diode nào được phân cực thuận hay phân cực ngược trong các hình E7.1 và E7.2

Hình E7.1 Hình E7.2

7.2 Cho mạch ở hình E7.3, giả sử VON=0.7V với diode Si và VON=0.3V với diode Ge. Áp dụng mô hình
diode sụt áp hằng, hãy tìm dòng điện I khi:
a) Cả hai diode D1 và D2 là diode Si.
b) D1 loại Si và D2 là loại Ge.

Hình E7.3 Hình E7.4 Hình E7.5

7.3 Với mạch hình E7.4, hãy tính I, VR và VD với mô hình diode:
a) lý tưởng
b) sụt áp hằng với VON=0.7V
c) đầy đủ với rF=50Ω và VON=0.7V
7.4 Cho mạch ở hình E7.5, hãy tìm dòng điện qua diode D1 và dòng điện qua D2, giả sử dùng mô hình diode
sụt áp hằng với VON=0.7V.
7.5 Hãy tìm IX và VX (điện thế so với điện thế đất) ở 2 trường hợp của mạch ở hình E7.6 với mô hình sụt áp
hằng có VON=Vγ = 0.6V.

VX VX
IX IX

Hình E7.6
Chương 8. BJT
8.1 Với các trường hợp sau BJT hoạt động ở miền nào?
a) NPN: VBE = –2V, VCE = 12V d) PNP: VEB = 0.7V, VCE = –15V
b) NPN: VBE = 0.7V, VCE = 15V e) PNP: VBE = 3V, VEC = 10V
c) NPN: VBE = 0.7V, VCE = 0V f) PNP: VBE = –0.7V, VCE=0V
8.2 Hãy xác định xem các BJT trong hình E8.1 được phân cực ở miền hoạt động nào?
HDOT-DCLKĐT–Trang 13/15
 Hình E8.1 Hình E8.2
8.3 Cho mạch ở hình E8.2 phải chọn R1 và VCC bằng bao nhiêu để có VCE=5V và IC=2mA, biết VBE=0.7V?
8.4 Hãy tìm điểm làm việc và mô hình tín hiệu nhỏ của các BJT trong hình E8.3? Biết IS=8x10–16A (IC = IS
exp(VBE/VT)), β=100 và VA=∞.

Hình E8.3
8.5 Với mạch ở hình E8.4, hãy tìm dãi giá trị của RB để bảo đàm BJT vẫn ở chế độ bão hòa khi vin=2V và
β=50. (giả sử VBEsat=0.8V và VCEsat=0.2V)

Hình E8.4 Hình E8.5

8.6 Với hình E8.5, hãy tìm trị tối thiểu của β1 và β2 để cho Q1 và Q2 vẫn ở chế độ bão hòa khi Vin=5V. Biết
RB=5KΩ, RC1=RC2=2KΩ.
8.7 Tính IR hoặc IC2 hoặc giới hạn điện trở tải RL trong mạch gương dòng điện.
HDOT-DCLKĐT–Trang 14/15
Chương 9. FET
Tập trung khảo sát JEFT kênh N và MOSFET loại giàu kênh N (N-EMOS)
9.1 Tìm miền hoạt động của FET khi biết VG, VD, VS và Vp (với JFET) hoặc VTH (với MOSFET)
Xác định miền làm việc của các N-EMOS M1 trong mạch sau: (biết VTH=0.4V)

Hình E9.1
9.2 Với mạch hình E9.2, hãy tìm VR nếu biết VDD=2V, VGG=5V, R= 1KΩ , VTH=2V và K= 20μA/V2.

Hình E9.2 Hình E9.3

9.3Với mạch hình E9.3, hãy tìm VDS1? Giả sử Q1 và Q2 giống nhau, nếu biết E=10V, R1=10KΩ,
R2=15KΩ, VTH=2V và K= 100μA/V2.
9.4 Các chế độ của tụ MOS khi biết VTH và VGS.
9.5 Thực hiện nguồn dòng với JFET ở chế độ bảo hòa.

HDOT-DCLKĐT–Trang 15/15