UNIVERZITET U TUZLI FAKULTET ELEKTROTEHNIKE ENERGETSKA ELEKTROTEHNIKA

MATERIJALI U MEMS-U

Profesor: Dr.sc. Nerdina Mehinovi, van.prof.

Studenti: Dambi Maid Halilagi rma Murselovi !lmir

SADRAJ:
1. UVOD...................................................................................................................................... 3 2. MATERIJALI U MEMS/NEMS SISTEMIMA.............................................................................3 2.1. MATERIJALI NA BAZI SILICIJA........................................................................................3 2.1.1 MONOKRISTALNI SILICIJ ..........................................................................................4 2.1.2 POLIKRISTALNI I AMORFNI SILICIJ .........................................................................7 2.1.3 POROZNI SILICIJ .......................................................................................................9 2.1.4 SILICIJ DIOKSID (SIO2) .............................................................................................9 2.1. SILICIJEV NITRID (S!3N4) .......................................................................................1" 2.2 MATERIJALI NA BAZI #ERMANIJA ...............................................................................11 2.2.1 POLIKTRISTALNI #ERMANIJ ..................................................................................11 2.2.2 POLIKTRISTALNI SILICIJ$#ERMANIJ (S!#%) ..........................................................12 2.3 METALNI MATERIJALI NA BAZI NE&ELJEZNI' LE#RUA ............................................12 3. POLUVODI(I ZA A#RESIVNE SREDINE ............................................................................13 3.1 SILICIJ KARBID (S!C) .....................................................................................................13 3.2 DIJAMANT ...................................................................................................................... 1 3.3 POLUVODI(I RIJETKI' LE#URA ..................................................................................17 3.4 FEROELEKTRI(NI MATERIJALI ....................................................................................19 4. POLIMERNI MATERIJALI .....................................................................................................19 4.1 POLIIMIDI ........................................................................................................................ 19 4.2 SU$) ............................................................................................................................... 2" 4.3 PAR*LENE ..................................................................................................................... 2" 4.4 LI+UID CR*STAL POL*MER (TEKU,I KRISTALNI POLIMER) ....................................21 4. BUDU,I TRENDOVI .......................................................................................................23

1. UVOD
"edno od na#vani#ih $nanstvenih dostignua posl#ednn#ih %& godina $asigurno su bila ra$vo# M'MS ( mi)roele)tromehani*)ih sistema i n#ihova novi#a ina*ica N'MS + nano mi)roele)tromehani*)i sistemi. ,apravo ri#e* #e o tehnologi#ama )o#e predstavl#au s)lopove u mi)ro i nano svi#etu )o#i su prvi puta bili )ori-teni i$umom mi)roprocesora i integriranih )rugova, a danas ih nala$imo u sva)om proi$vodu )o#i u sebi ima ne)i obli) mi)ro ili nano sen$ora ./0. Na#uo*l#ivi#i prim#er upotrebe ovih sistema #e u industri#i ra*unars)ih )omponenata, )o#e nas sva)im danom fascinira#u svo#im performansama poput procesora sa vi-e #e$gri, bio+ mi)ro*ipova i sl. 1stale prim#ene ure2a#a M'MS u)l#u*u#u hemi#s)a os#etila, os#etila plina, infracrvene dete)tore i ari-na pol#a $a promatran#e $eml#ine ravnine, svemirs)u nau)u i prim#enu u odbrani od ra)eta, pi)osatelita $a prim#enu u svemiru, te ra$ni hidrauli*)i, pneumats)i i ostali potro-a*)i proi$vodi. M'MS ure2a#i ta)o2er se prim#en#u#u u sistemima $a magnets)o spreman#e podata)a, gd#e su se ra$vili $a viso)u gustou sniman#a magnets)ih dis)ova. Dobro ra$umi#evan#e M'MS i N'MS sistema $ahti#eva, pri#e svega, ne)a osnovna $nan#a i materi#alima )ori-tenima u n#ihovo# i$radi. 1b$irom )a)o su oni temel#ni nosioci svo#stava, pravilan odabir e omoguit *esto i posti$an#e optimalnih performansi. Dana-n#i M'MS3N'MS ure2a#i su ri#et)o proi$vedeni od samo #ednog materi#ala, uglavnom se radi o spe)tru materi#ala, gd#e sva)i odra2u#e vanu fun)ci#u *esto radei u spre$i s onim drugim..40 5in#enica $a-to su materi#ali ovd#e vani #est i usm#erenost u pravcu povean#a n#ihove pou$danosti: otpornosti na tro-en#e, dinami*)e i$drl#ivosti i otpornosti na )rh)i lom, a posebno vana i $na*a#na #e stru)tura i stan#e povr-ine )o#a mora biti glat)a i hemi#s)i a)tivna. 6a)o2er M'MS3N'MS ure2a#i su s)loni viso)im stati*)im tren#ima u normalnom radu )o#e u )ona*nici mogu dovesti do loma ( )vara. 7 sl#edeim poglavl#ima biti e pri)a$ane osnovne s)upine materi#ala )o#e se danas )oriste u M'MS3N'MS sustavima8 materi#ali na ba$i silici#a,germani#a, materi#ali na ba$i ne+el#e$nih legura, priodni materi#ali 9poluvodi*i u agresivnim sredinama:, poluvodi*i ri#et)ih legura, feroele)tri*ni materi#ali i polimeri.

2. MATERIJALI U MEMS/NEMS SISTEMIMA

2.1. MATERIJALI NA BAZI SILICIJA 1snovna sirovina $a industri#s)o dobivan#e silici#a #e )varcni pi#esa) 9Si1%:. Sam postupa) dobivan#a sasto#i se i$ redu)ci#e silici# ( )varcnog pi#es)a, pri viso)o# temperaturi, u$ prisustvo el#e$a, odnosno formiran#e ferosilici#a 9legure el#e$a i silici#a: i$ )o#eg se hemi#s)im postup)om i$dva#a poli)ristalni silici#. 1d ta)vo dobivenog poli)ristalnog silici#a posli#e pre*i-avan#a dobiva se mono)ristalni silici#. Poli)ristalni i mono)ristalni silici# na#*e-e su )ori-teni poluvodi*)i materi#ali u mi)ro i nanotehnologi#ama $a dobivan#e sen$ora i integriranih )rugova. ;lavna prednost Si #e viso)i indire)tni energets)i po#as. <irina energets)og po#asa #e bitna i poel#no #e da bude -to vea, #er #e tada vea i gorn#a grani*na radna temperatura, )o#a

predstavl#a temperaturu pri )o#o# nasta#u inten$ivni termalni prelasci ele)trona i$ valentnog u vodl#ivi po#as. =adna temperatura Si #e do %&& >?, a indire)tni energets)i po#as i$nosi @,@@ eA.

2.1.1 MONOKRISTALNI SILICIJ Mono)ristalni silici# )oristi se $a i$radu silici#eve mono)ristalne plo*ice 9 eng. wafer:. $gled silici#eve mono)ristalne plo*ice pri)a$an #e slikom 2.

Slika 1. Silicijska monokris alna !lo"ica

Silici#eva mono)ristalna plo*ica se dobiva i$ mono)ristalnog ingota 9-tapa: silici#a )o#i se ree u plo*ice debl#ine %/& ( 4/& Bm posebnim pilama u obli)u )oluta ili laserom. $gled silici#evog mono)ristalnog ignota pri)a$an #e slikom #.

Slika2. Silicije$ monokris alni ingo

Dul#ina originalnog silici#s)og )ristala #e do % m, a prom#er od % do pre)o %& cm. Na)on re$an#a silici#eve mono)ristalne plo*ice i$ mono)ristalnoga ignota povr-ina plo*ice osta#e mehani*)i o-tedena, pa #e $bog toga potrebno provesti bru-en#e plo*ice, a na)on toga poliran#e t)aninom do viso)og opti*)og s#a#a. Na ta# na*in dobi#e se silici#s)a plo*ica pravilnog )runog obli)a s #ednim ravnim bridom. 6a# se ravni brid obli)u#e ta)o da predstavl#a #edan to*no odre2en )ristalografs)i sm#er i n#egov proces obli)ovan#a odvi#a se #o- do) #e mono)ristal u obli)u -ip)e. 6o*nost tog ravnog brida tehnologi#s)i #e vana $a pravilan raspored *ipova po plo*ici. Narastan#e mono)ristalnog silici#a na supstratu 9podlo$i: opisu#e se )ro$ tehnolo-)i postupa) u )o#em se plo*ice )oriste )ao podloga 9)lica: $a rast )ristala epita)si#alnim postup)om. 'pita)si#alni rast #e proces nano-en#a epita)si#alnog n+slo#a atoma Si i atoma prim#esa na p+tip podloge. Proces se odvi#a u epita)si#alnom rea)toru na temperaturi od o)o @&&& >?. Debl#ina epita)si#alnog slo#a #e reda C+@& Bm. ,a vri#eme epita)si#alnog rasta plinovi )o#i sadrava#u silici#eve atome stru#e pre)o silici#evih plo*ica. Na#*e-de upotrebl#avani plin #e vodi) sa silici#+ tetra)loridom 9Si?lD: ili silanom 9SiHD:. Aodi)ovom redu)ci#om silici#+tetra)lorida ili piroliti*)om de)ompo$ici#om silana dobiva#u se silici#evi atomi )o#i se taloe na povr-ini silici#evih plo*ica. ,bog prirode epita)si#alnog procesa silici#evi atomi de se taloiti ravnom#erno na )ristalnu stru)turu plo*ice. Da bi se ostvarile ra$li*ite ele)trons)e )omponente potrebno #e imati P i N tip poluvodi*a. 6a# P i N tip poluvodi*a unose se ti#e)om procesa u )ontroliranim i$nosima donors)ih ili a)ceptors)ih atoma u stru#u nose*eg plina i ta)o se taloe na plo*ici $a#edno sa silici#evim atomima. Da bi se $a-titila nane-ena povr-ina P i N tipa poluvodi*a provodi se o)sidaci#a povr-ine silici#a. 1)sidirana povr-ina silici#a ta)o2er slui )ao diele)tri) M1S ( )onden$atora i tran$istora, te )ao i$olator pre)o )o#ega se nanose metalne ve$e me2u po#edinim )omponentama monolitnog integriranog s)lopa. 6a)o2er, o)sidirana povr-ina $a-tidu#e povr-inu da )emi#s)i te-)o reagira s van#s)im elemetnima i spo#evima. 1)sidaci#a povr-ine silici#a obi*no se postie termi*)im rastom silici#+dio)sida ili piroliti*)om depo$ici#om silici# nitrida. Debl#ina o)sidnog slo#a #e &,@ Bm. Na)on pasivi$aci#e povr-ine nano-en#em o)sidnog slo#a, povr-ina silici#eve plo*ice po)riva se fotoos#etl#ivom emul$i#om po$natom )ao fotore$ist. 7)oli)o se u o)sidnom slo#u eli napraviti otvor $a sele)tivnu difu$i#u prim#esa tada na opti*)o# masci podru*#e )o#e odgovara otvoru $a difu$i#u mora biti nepro$irno $a ultral#ubi*asto svi#etlo. 7sl#ed d#elovan#a ultral#ubi*astog svi#etla dola$i do polimeri$aci#e fotore$ista u osvi#etl#enom di#elu, a u neosvi#etl#enom di#elu fotore$ist osta#e nepolimeri$iran. Arsta fotore$ista )o#i se polimeri$ira pod ut#eca#em ultral#ubi*astog svi#etla na$iva se negativni fotore$ist. D#elovan#em odgovara#udeg ra$vi#a*a odstran#u#e se nepolimeri$irani fotore$ist i$ neosvi#etl#enog di#ela, do) na polimeri$irani fotore$ist ta# ra$vi#a* ne d#elu#e. D#elovan#em

flourovodi*ne )iseline u)lan#a se slo# silici# ( dio)sida s povr-ine )o#a ni#e pre)rivena polimeri$iranim fotore$istom, a )iselinom se u)lan#a preostali slo# silici# + dio)sida s odgovara#udim otvorima $a difu$i#u prim#esa. Eotolitografs)i postupa) pri)a$an #e slikom %.

Slika #. &rika' fo oli ografksog !os (!ka ;d#e #e: a) oksi*irana !lo"ica+ ,) nano-enje fo ore'is a na oksi*ni sloj+ c) *jelo$anje na fo ore'is (l ralj(,i"as im s$ej lom+ *) !o*r("ja ne!olimeri'iranog fo ore'is a+ e) o*s ranjenej ne!olimeri'iranog fo ore'is a+ f) o*s ranjenje oksi*nog sloja+ g) o*s ranjenje !olimeri'iranog fo ore'is a

Postup)om difu$i#e upravl#ivo se unose prim#ese u plo*icu )ro$ difu$i#s)e otvore. Difu$i#om prim#esa P ( tipa na epita)si#alni N ( slo# 9ili obrnuto: formira se PN spo#. Na)on -to su fotolitografs)im postup)om i postup)om difu$i#e napravl#ene po#edine )omponente s)lopova vr-i se postupa) metali$aci#e )o#im se i$ra2u#u ve$e i$me2u metalnih )onta)ata s po#edinim )omponentama s)lopova, )ao i van#s)e ve$e pre)o slo#a o)sida. Na#*e-di materi#al )o#i se )oristi $a metali$aci#u #e alumini# $bog toga -to ima ni$a) i$nos ele)tri*ne otpornosti i dobro pri#an#a na slo# silici#evog dio)sida, te dobro odvodi toplinu. Posli#e ovih postupa)a dobiva se )ona*an i$gled plo*ice. Plo*ica se sasto#i od FpeletaF i FulicaF. Sva)i pelet predstavl#a #ednu )omponentu 9npr. diodu:. Gona*an i$gled plo*ice pri)a$an #e slikom ..

Slika %. Kona"an i'gle* !lo"ice

Prednosti mehani*)ih svo#stava mono)ristalnog silici#a omoguu#u mu -iro)u prim#enu )ao materi#ala u nanotehnologi#i. Mono)ristalni silici# ima poel#na mehani*)a svo#stva, odnosno Houngov modul elasti*nosti mu i$nosi @I& ;pa, -to mu omoguu#e prim#enu u i$radi membrana, $a i$radu pie$ootpornih sen$ora $a m#eren#e tla)a, a)celerometara i mehani*)ih re$onatora. 2.1.2 &OLIKRISTALNI I AMOR/NI SILICIJ

Poli)ristalni silici# svo#u prim#enu u nanotehnologi#i nala$i )ao stru)turni materi#al, na n#ega se potom nanosi slo# Si1% )ao rtvovani materi#al, do) se po#edine stru)ture napravl#ene od poli)ristalnog silici#a i$olira#u silici# nitridom 9SiCND:. Poli)ristalni silici# nanosi se na povr-inu od mono)ristalnog silici#a. God Si1% se temperaturno moe pota)nuti rast nano*estica ili se moe nani#eti na poli)ristalni silici# pri -iro)om spe)tru temperatura odnosno od %/& >? do @@/& >?. 6o omogudu#e da se ta)o nane-eni Si1% moe podvrgnuti )asni#im toplins)im obradama $a pobol#-an#e svo#stava materi#ala. Si1% se i$ra$ito dobro topi u florovidi*nim )iselinama 9HE: )o#e ne o-tedu#u poli)ristalni silici# i $bog toga se ove )iseline )oriste $a s)idan#e Si1% rtvovanih slo#eva. Pri i$radi nanoprocesora i integriranih s)lopova filmovi poli)ristalnog silici#a se uobi*a#eno nanose JP?AD postup)om 9loK+ pressure chemical vapour deposition:. =ea)tor $a nano-en#e poli)ristalnog silici#a JP?AD postup)om sadri uareni $id )o#i se $agri#ava sa toplins)i uarenom pedi. 1va# proces se na#*e-e odvi#a pri temperaturama od /L& >? do 4/& >? i tla)u od @&& do D&& mmHg 9@C C%L do /C C@C Pa:. Plin )o#i se na#*e-e )oristi $a nano-en#e poli)ristalnog silici#a u tim pedima #e silan 9SiHD:. Mi)rostru)tura tan)ih filmova poli)ristalnog silici#a sadri ra$li*ita mala $rna *i#a su ori#entaci#a i mi)rostru)tura fun)ci#a depo$ici#s)og nano-en#a. 1tpornost poli)ristalnog silici#a se ta)o2er moe modificirati metodama dodavan#a prim#esa )o#e su ra$vi#ene $a mono)ristalni silici#. Na#*e-e )ori-teni princip $a dodavan#e
7

prim#esa #e difu$i#a, poglavito u)oli)o nanosimo vedu )oli*inu tan)og slo#a. Eosfor #e na#*e-e )ori-teni element $a dodavan#e $ato -to difudira $natno bre u poli)ristalni silici# nego u mono)ristalni. 1sim difu$i#e $a dodavan#e prim#esa u poli)ristalni silici# se ta)o2er )oristi i implantaci#a iona. Na)on implantaci#e iona potrebno #e provesti viso)otemperaturno aren#e da bi se a)tivirala ele)tri*na svo#stva u implantiranim ionima i da bi se popravile gre-)e nastale implantaci#om iona u slo# poli)ristalnog silici#a. Na ova# na*in pove*ava se i ele)tri*na provodl#ivost poli)ristalnog silici#evog slo#a. Dodavan#e prim#esa u poli)ristalni silici# na#*e-de se provodi ?AD postup)om u )o#em se na#*e-e )oriste plinovi diboran 9M%H4: ili fosfin 9PHC:. Dodavan#em prim#esa ne samo da se pobol#-ava provodl#ivost poli)ristalnog silici#a ved se i ubr$ava proces nano-en#a slo#a poli)ristalnog silici#a na podlogu. Na#*e-di element )o#i de ubr$ati nano-en#e slo#a poli)ristalnog silici#a #e bor, do) de fosfor sman#iti br$inu nano-en#a. 6oplins)a provodl#ivost poli)ristalnog silici#a u $ana*a#no# #e ovisnosti o n#egovo# mi)rostru)turi i o uv#etima depo$ici#s)og nano-en#a. God tan)o nane-enih slo#eva toplins)a vodl#ivost #e o)o %/ N vri#ednosti toplins)e vodl#ivosti mono)ristalnog silici#a. God debelih slo#eva sa veli)im $rnima toplins)a provodl#ivost varira od /& N do L/ N vri#ednosti mono)ristalnog silici#a. ,aostala napre$an#a )o#a nasta#u nano-en#em poli)ristalnoga slo#a silici#a ovisiti de o mi)rostru)turi slo#a. 7 slo#evima poli)ristalnog silici#a nanesenim depo$ici#om pod tipi*nim uv#etima 9%&& mm H; O %4 4/4 Pa, 4%/ >?: #avit de se tla*na $aostala napre$an#a. Na##a*a tla*na napre$an#a #avl#a#u se u amorfnom silici#u i poli)ristalnim silici#s)im slo#evima sa rasporedom )ristala u sm#eru @@& )ristalne re-et)e. Prim#er sm#erova redan#a )ristala u )ristalno# re-etci pri)a$an #e na slici 0

Slika .. &rimjer smjero$a re*o$a kris ala

Da bi se sman#ila tla*na $aostala napre$an#a )oristi se aren#e. Prim#erice aren#em povr-ins)og slo#a poli)ristalnog silici#a na temperaturi od @&&& >? u du-i*no# atmosferi moe se sman#iti i$nos tla*nog $aostalog napre$an#a sa /&& MPa na man#e od @& Mpa. 7 )oli)o #e podloga na )o#u #e nane-en slo# poli)ristalnog silici#a toplins)i os#etl#iva $a redu)ci#u $aostalih napre$an#a )oristi se =6! metoda 9ra!i* 1ermal annealing:. God slo#eva sa sitno$rnatom mi)rostru)turom #avl#a#u se vla*na $aostala napre$an#a. Da bi se i$b#eglo viso)otemperaturno aren#e ra$vi#en #e pristup )o#i $apravo )oristi svo#stva $aostalih napre$an#a poli)ristalnog silici#a )o#a su nastala $bog nano-en#a poli)ristalnih multislo#eva u ra$li*itim uv#etima $bog potrebe da bi se na*inili poli)ristalni multislo#evi el#ene debl#ine i i$nosa napre$an#a. ,amisao od )o#e se )renulo bila #e da se ti vi-estru)i slo#evi sasto#e od nai$m#eni*nih vla*nih i tla*nih poli)ristalnih silici#s)ih slo#eva )o#i su nataloeni pravilnim redosl#edom. 7tvr2eno #e da se slo#evi i$loeni vla*nom napre$an#u sasto#e od fino$rnatog poli)ristalnog silici#a )o#i nasta#e na temperaturi od /P& >?, do) su slo#evi i$loeni tla*nom napre$an#u na*in#eni od poli)ristalnih slo#eva s @@& sm#erom or#entaci#e )ristala 9$i*i slik( 0: i ne-eni su na temperaturi od 4@/ >?. Mududi da u)upno napre$an#e )ompo$itnoga filma, )o#i #e na*in#en od tih slo#eva, $avisi od bro#a nai$m#eni*nih slo#eva i debl#ine sva)og po#edinog slo#a do-lo se na ide#u da se i$ra*una#u parametri )o#i bi
)

omogudili da se poli)ristalni multislo#evi silici#a nanose na ta)ve na*ine da na )ra#u )ada formira#u )ompo$itni film on gotovo da nema $aostalih napre$an#a niti porasta napre$an#a #er su se ta napre$an#a gotovo poni-tila ra$li*itim or#entaci#ama poli)ristalnih multislo#eva silici#a. 1vim postup)om postignuto #e sman#en#e napre$an#a be$ upotrebe viso)otemperaturnog aren#a -to se smatra $na*a#nim napret)om. Gao alternativa $a viso)otemperaturni JP?AD postupa) ra$vi#en #e nis)otemperaturni PAD postupa) )o#i proi$vodi tan)e filmove silici#a $a temperaturno os#etl#ive povr-ine. 6a)o2er se po#avio i P'?AD postupa) )ao alternativa JP?DA+u procesu $a proi$vodn#u povr-ins)ih mi)rostru)tura ba$iranih na silici#u )o#e se nanose na temperaturno os#etl#ive povr-ine. 2.1.# &ORO2NI SILICIJ Poro$ni silici# se proi$vodi na sobno# temperaturi ele)trohemi#s)im graviran#em silici#a u fluorovodi*no# )iselini 9HE:. 7)oli)o se poro$ni silici# nam#esti )ao ele)troda u fluorovodi*no# )iselini, tada nosioci po$itivnog nabo#a na povr-ini silici#a omogudu#u ra$m#enu flourovih atoma sa vodi)ovim atomima. 1va ra$m#ena se nastavl#a u podpovr-ins)om podru*#u -to dovodi do odstran#ivan#a silici#a )o#i sadri flour. Gvaliteta gravirane povr-ine pove$ana #e sa gustoom rupa na povr-ini -to se )ontrolira primi#en#enom #a*inom stru#e. God prim#ene viso)e stru#e gustoa rupa #e viso)a i gravirana povr-ina #e glat)a. ,a nis)u stru#u gustoa rupa #e nis)a i rupe su o)upl#ene u lo)ali$iranim podru*#ima )o#e su pove$ane sa nepravilnostima povr-ine. Nepravilnosti povr-ine se uvedava#u graviran#em -to dovodi do stvaran#a pora. Aeli*ina pora i n#ihova gustoa #e pove$ana sa vrstom )ori-tenog silici#a i uv#etima u ele)tro)emi#s)o# deli#i. 1vim postup)om mono)ristalni i poli)ristalni silici# se moe pretvoriti u poro$ni silici#. Aiso)i povr-ins)o ( volumens)i om#er *ini poro$ni silici# primaml#ivim materi#alom $a plinovitu i te)uu prim#enu, )ao na prim#er $a proi$vodn#u filter membrana i apsorbira#uih slo#eva )od dete)tiran#a prisustva hemi#s)ih elemenata i )od dete)tiran#a mase. Poro$ni poli)ristalni silici# se trenutno ra$vi#a )ao stru)turni materi#al $a va)uum pa)iran#e na ra$ini *ipova. 1va tehni)a se )oristi $a pa)iran#e mi)roproi$vedenog m#ernog ure2a#a $a va)uum )o#i moe omoguiti m#eren#e ovisnosti pritisa) ( vri#eme. 2.1.% SILICIJ 3IOKSI3 4SIO2) Silici# dio)sid #e #edan od na#-ire )ori-tenih materi#ala u proi$vodn#i M'MS+a 9mi)ro ele)tro mehani*)ih sustava:. Silici# dio)sid se )oristi )ao rtvovani materi#al pri mi)roobradi poli)ristalne silici#s)e povr-ine $ato -to se la)o moe u)loniti 9rastopiti: )ori-ten#em rastvara*a )o#i ne napada#u poli)ristalni silici#. Silici# dio)sid #e na-iro)o )ori-ten )ao $a-titna mas)a prili)om procesa suhog graviran#a debelih poli)ristalnih silici#s)ih filmova $ato -to #e hemi#s)i otporan na suho gravira#ue procese $a poli)ristalni silici#. Silici# dio)sidni filmovi ta)o2er se )oriste )ao slo#evi $a pasivi$aci#u povr-ine $a ure2a#e )o#i su os#etl#ivi na o)oli-ne uv#ete. Na#*e-e )ori-teni procesi $a proi$vodn#u silici# dio)sidnih filmova $a obra2ivan#e poli)ristalnih silici#s)ih povr-ina su toplins)a o)sidaci#a i JP?AD. 6oplins)a o)sidaci#a silici#a se provodi na temperaturama od I&& >? do @%&& >? u prisustvu )isi)a ili pare. Mudui da #e toplins)a o)sidaci#a sam po sebi ograni*en proces, ma)simalna pra)ti*na debl#ina filma )o#a se moe postii i$nosi o)o % Bm, -to #e dovol#no $a mnoge rtvovane prim#ene. Silici# dio)sidni filmovi se mogu deponirati na ra$li*ite i vrste podloga )ori-ten#em JP?AD metode. 1penito JP?AD

metoda omoguu#e na*in deponiran#a debelih Si1% filmova na temperaturama mnogo niim nego )od toplins)e o)sidaci#e. 1vi Si1% filmovi po$nati su )ao o)sidi nis)e temperature ili J61 9low em!era (re o5i*es: i oni ima#u vi-u br$inu graviran#a 9ure$ivan#a: u fluorovodi*no# )iselini 9HE: nego o)sidi )o#ima treba toplins)a a)tivaci#a 9 1ermal o5i*es:, -to drugim ri#e*ima dovodi do breg na*ina proi$vodn#e. Eilmovi od fosforsili)atnog sta)la 9PS; O !1os!1osilica e glass: se mogu napraviti )ori-ten#em s)oro istog procesa deponiran#a )ao $a J61 filmove u)oli)o dodamo plin )o#i sadri fosfor . PS; filmovi su veoma )orisni )ao rtveni slo#evi bududi da se bre gravira#u u povr-inu u fluorovodi*no# )iselini 9HE: nego J61 filmovi. PS; i J61 filmovi se deponira#u u nis)otla*nim pedima sa uarenim $idovima na sli*ne na*ine )ao u prethodno opisanim postupcima $a poli)ristalni silici#. Po*etni plinovi u)l#u*u#u SiHD )ao i$vor silici#a, 1% )ao i$vor )isi)a, a $a PS; se )oristi PHC )ao i$vor fosfora. J61 i PS; filmovi su na#*e-de deponirani na temperaturama od D%/ >? do D/& >? i tla)ovima u rasponu od %&& mmHg do D&& mmHg od 9od %4 4/4 Pa do /C C@C Pa:. Gao posl#edica nis)ih temperatura deponiran#a J61 i PS; filmovi su r#e2i nego toplins)i o)sidi $bog ulaen#a )isi)a u film. pa) J61 filmovi se mogu $gusnuti postup)om aren#a na viso)o# temperaturi od @&&&>?. Nis)a gustoda J61 i PS; filmova #e d#elomi*no odgovorna $a povedanu br$inu graviran#a u fluorovodi*no# )iselini 9HE:. 6oplins)i proi$veden silici# dio)sid 9termal Si1%: i J61 postupa) se )oriste )ao ele)tri*ni i$olatori $a M'MS prim#ene. Posto#ee napre$an#e u toplins)i dobivenom silici# dio)sidu #e tla*no i n#egova snaga i$nosi C&& MPa. God J61 postup)a uobi*a#eno napre$an#e #e vla*no i ono i$nosi @&& MPa do D&& MPa. Dodavan#em fosfora sman#u#u se vla*na $aostala napre$an#e na otprili)e @& Mpa u)oli)o #e )oncentraci#a fosfora L N. Gara)teristi)e J61 i PS; filmova ovisne su o uv#etima proi$vodn#e )ao i )od poli)ristalnog silici#a. P'?AD 9 &lasma en1ance* c1emical $a!o(r *e!osi ion: proces #o- #e #edna uobi*a#ena metoda $a proi$vodn#u filmova silici#s)ih o)sida. ,bog )ori-ten#a pla$me $a rastavl#an#e predprocesnih plinova, temperature )o#e su potrebne da bi se deponirali P'?AD o)sidni filmovi su nie nego one potrebne $a deponiran#e JP?AD filmova. $ tog ra$loga P'?AD o)sidi su i$ra$ito u*estalo )ori-teni $a mas)iran#e, pasivi$aci#u i )ao $a-titni slo#evi posebno $a ure2a#e prevu*ene metalima. Gvarc #e )ristalografs)i obli) silici# dio)sida i ima $animl#iva svo#stva $a M'MS prim#enu. Gvarc #e opti*)i providan, ima pie$oele)tri*na svo#stva i ele)tri*ni #e i$olator. Gvarcna podno#a se )oriste $a viso)o)valitetne -iro)opo#asne plo*ice )o#e se mogu masovno mi)roobli)ovati )ori-ten#em ani$otropnog ure$ivan#a. "o- #edan materi#al na ba$i silici# dio)sida )o#i se )oristi u M'MS apli)aci#ama #e S1; 9Spin ( on ( glass:. S1; #e polimerni materi#al sa vis)o$no-u povol#nom $a prevla*en#e vrtn#om 9spin coating:. 2.1.. SILICIJ67 NITRI3 4Si#N%) Silici#ev nitrid 9SiCND: ima -iro)u upotrebu u M'MS apli)aci#ama )ao ele)tri*ni i$olator, $a pasivi$aci#u povr-ine, $a $a-titu prili)om graviran#a i )ao materi#al $a membrane i ostale verti)alne stru)ture. ,a deponiran#e tan)ih SiCND filmova se )oriste dvi#e metode, a to su JP?AD i P'?AD metode. P'?AD silici#s)i nitrid #e veinom nestehiometri#s)i i moe sadravati $na*a#ne )oncentraci#e vodi)a. Gori-ten#e P'?AD silici#s)og nitrida u mi)roproi$vodnim procesima #e ograni*eno $bog podlonosti br$om i$garan#u u fluorovodi*no# )iselini. No ipa) P'?AD metoda nudi mogunost deponiran#a silici# nitridnih filmova )o#i nema#u $aostala napre$an#a, -to de omoguiti da )asni#e nede dodi do pucan#a filmova. ,a ra$li)u od P'?AD postup)a, JP?AD metodom nanesen SiCND #e i$ra$ito otporan na hemi)ali#e,

1"

-to ga *ini omil#enim materi#alom $a masovnu proi$vodn#u ure2a#a na povr-ina ba$iranim na silici#u. JP?AD metodom nanesen SiCND #e *esto )ori-ten )ao i$olaci#s)i slo# #er ima dobru otpornost. JP?AD SiCND filmovi se deponira#u u hori$ontalnim pedima )o#e su sli*ne peima )o#e se )oriste $a deponiran#e poli)ristalnog silici#a. 6ipi*ne temperature deponiran#a su i$me2u P&& >? i I&& >?, a tipi*ni tla)ovi su %&& mmHg i /&& mmHg 9%4 4/4 Pa i 44 4D@Pa:. Standardi plinovi )o#i se )oriste $a dobivan#e SiCND filmova su di)orosilan 9SiH%?l%: i amoni#a) 9NHC:. Mi)rostru)tura filmova deponiranih na ta# na*in #e amorfna. ,aostala napre$an#a u stehiometri#s)om SiCND su vla*na, veli)og su i$nosa i i$nose o)o @ ;Pa. 6oli)o veli)a $aostala napre$an#a u$ro)u#u da na filmovima )o#i su debl#i od ne)oli)o deseta)a mi)rometara nasta#u pu)otine. No ipa) tan)i stehiometri#s)i SiCND filmovi se upotrebl#ava#u )ao mehani*)e potporne stru)ture i ele)tri*ni i$olatori u pie$ootpornim sen$orima $a tla). Da bi se omoguila upotreba SiCND filmova $a prim#ene )o#e $ahti#eva#u membrane )o#e treba#u biti mi)rons)i tan)e, i$drl#ive i hemi#s)i otporne vr-i se deponiran#e JP?AD postup)om. 1va)o deponirani filmovi, )o#i se *esto smatra#u )ao bogati silici#em ili nis)otla*nim nitridom, nam#erno su deponirani sa suvi-)om silici#a $ato da bi se #ednostavno sman#ila proporci#a NHC prema SiH%?l% $a vri#eme deponiran#a. Eilmovi )o#i su gotovo be$ $aostalih napre$an#a mogu se deponirati na ta# na*in -to demo upotri#ebiti om#er NHC :SiH%?l% u i$nosu @:4, na temperaturi depo$ici#e L/& >? i tla)u od /&& mmHg 944 4D@ Pa:. Povedavan#em ud#ela silici#a dovodi se do sman#en#a vla*nih napre$an#a, ali ta)o2er i do sman#en#a br$ine graviran#a spomenutih filmova u fluorovodi*no# )iselini. No upravo ova)va svo#stva su omoguila ra$vo# metoda proi$vodn#e )o#a ina*e ne bi bila mogua sa stehiometri#s)im SiCND. Prim#erice silici# nitrid sa nis)im stupn#em napre$an#a se povr-ins)i mi)roobli)ovao )ori-ten#em poli)ristalnog silici#a )ao rtvovanog materi#ala. 1vo #e posebno vana odli)a prili)om proi$vodn#e nitrids)ih filmova )o#i ima#u veli)u otpornost na fluorovodi*ne )iseline. 2.2 MATERIJALI NA BAZI GERMANIJA ;ermani# #e )emi#s)i element @D.grupe periodnog sustava. Prisustvo germani#a u prirodi #e relativno veli)o. ndustri#s)i germani# dobiva se )ao sporedni proi$vod u proi$vodn#i cin)a i )o)sa. Postupa) dobivan#a sasto#i se u proi$vodn#i germani# tetra)lorida 9;e?lD: od )o#eg se )emi#s)im putem i$dva#a poli)ristalni germani#, )o#i #e osnova $a dobivan#e mono)ristalnog germani#a. ma sli*nu stru)turu )ao u silici#, metalne #e bo#e, tvrd i )rt. 5isti germani# ne reagira na vodi), a sa )isi)om gradi germani# mono)sid ili germani# dio)sid )o#i se dobro otapa u vodi pri *emu nasta#e i$ra$ito ele)tri*no vodl#iva otopina. Gemi#s)i reagira sa sumporom, du-i)om, a pri povi-enim temperaturama i sa halogenim elementima. ;odine @ID/. napravl#ena #e prva dioda i to od germani#a, @IDL. godine i transistor. Danas )ao poluvodi*)i material u veli)o# m#eri $ami#en#em #e silici#em. Prednost silici#a #e u vedo# -irini energets)og po#asa, -to $na*i da se moe be$ vedeg termi*)og -uma, )oristiti i na dvostru)o vedim temperaturama 9do %&&&?:. 1sim toga silici# #e #eftini#i. 7 ele)trotehnici germani# se u novi#e vri#eme )oristi $a speci#alne poluvodi*e. .P0 2.2.1 &OLIKTRISTALNI 86RMANIJ

11

6an)i filmovi poli)ristalnog germani#a mogu biti nane-eni JP?AD tehni)om na temperaturama niim od C%/&? na silici#, germani# ili silici#+germani# *estice. ;ermani# ne tvori #e$gre na povr-ini silici#a *ime se spre*ava )ori-ten#e $a-titnih filmova )o#i bi spri#e*ili rea)ci#u dva#u materi#ala. Na)on naparivan#a germani#a poel#no #e provesti odarivan#e na temperaturi od o)o 4&&&? u tra#an#u od C&s, na)on *ega u materi#alu gotovo da i ne posto#e $aostala napre$an#a. Mehani*)a svo#stva poli)ristalnog germani#a su usporediva sa poli)ristalnim silici#em 9modul elasti*nosti o)o @C% ;Pa: i lomna ilavost i$me2u @./ ( C.& ;Pa. 1b$irom )a)o m#e-avine vode, du-idne )iseline u )lorovodi*ne )iseline postupno nagri$a#u germani#, do) poli)ristalni silici# i silici# nenagri$a#u, poli)ristalni germani# moe biti )ori-ten )ao rtvena podloga na di#elovima napravl#enima na ba$i silici#a, na#*e-de su to sen$ori topline i pritis)a. .40 2.2.2 &OLIKTRISTALNI SILICIJ986RMANIJ 4Si8e) Sli*no )ao i poli)ristalni germani#, poli)ristalni silici# germani# moe biti nane-en ?AD tehni)om na bilo )o#i slo# na ba$i silici#a8 #edino -to su temperature naparivan#a i$me2u D/& ( 4%/ &?, gd#e vi-a temperatura $na*i i veda $aostala napre$an#a. Gao u poli)ristalni silici#, Si;e moe biti dodan bor i fosfor )a)o bi se pobol#-ala svo#stva vodl#ivosti. Ai-i udio germani#a $na*i i vedu os#etl#ivost povr-ine na provodl#ivost i $aostala napre$an#a. Danas se poli)ristalni germani# na#*e-de )oristi )ao $a i$radu termoos#etl#ivih elemenata posebice $bog svo#e nis)e toplins)e provodl#ivosti )o#a #e sli*na silici#u. 2.3 METALNI MATERIJALI NA BAZI NEELJEZNIH LEGRUA Moe se tvrditi da se od svih )ategori#a materi#ala pove$anih s M'MS+om, metali ubra#a#u me2u one )o#i na#vi-e obeava#u. 6a tvrdn#a prvenstveno po*iva na *in#enici )a)o se metalni tan)i filmovi )oriste u mnogim ra$li*itim tehni)ama + od gravirnih mas)i )o#i se )oriste u proi$vodn#i ure2a#a $a meduspo#nice pa do stru)turnih elemenata )od mi)roos#etila i mi)ropobu2ivala. Metalni tan)i filmovi mogu biti nane-eni )oristedi -iro) raspon tehni)a, u)l#u*u#udi i isparavan#e, raspr-ivan#e, ?AD i ele)tronano-en#e. !lumini#i 9!l: i $lato 9!u: se ubra#a#u u -iro)o )ori-tenu grupu metala u mi)roproi$vedenim ele)trons)im i ele)tromehani*)im ure2a#ima. Pored ovih vanih ele)tri*nih fun)ci#a, !l i !u su ta)oder poel#ni )ao ele)tromehani*)i materi#ali. Magnets)o pobu2ivalo u mi)roure2a#ima opdenito $ahti#eva da magnets)i slo#evi budu relativno debeli 9deseci do stotine mi)rometara: $a generiran#e magnets)og pol#a dovol#no veli)e snage da inducira el#eno po)retan#e. Pored elementarnih metala i #ednostavno )ombiniranih legura, sloeni#e metalne legure obicno )ori-tene u )omerci#alnim ma)ros)ops)im prim#enama sve vi-e pronala$e svo# put u M'MS prim#enama. "edan ta)av prim#er #e legura titana po$nata )ao 6i+4!l+DA. Sastavl#ena #e od LL N titana, 4 N alumini#a i D N vanadi#a. 1va legura se -iro)o )oristi u )omerci#alnom $ra)oplovstvu $bog svo#e teine, *vrstoe i temperaturne toleranci#e. 6a)o2er #edna od *e-e )ori-tenih legura, i to s efe)tom pris#etl#ivosti obli)a #e i 6iNi, )o#a se moe #a)o la)o obli)ovati u tan)e filmove i )oristiti u magnets)im a)tuatorima $a pri#enos viso)ofre)ventnih signala.

12

3. POLUVODII ZA AGRESIVNE SREDINE

3.1 SILICIJ KARBID (SiC) Dugo vremena silici# )arbid 9Si?: #e bio prepo$nat )ao vodei poluvodi*)i materi#al $a upotrebu pri viso)im temperaturama i ele)troni*)im ure2a#ima $a viso)u stru#u, a trenutno #e u procesu n#egov ra$vo# )ao prirodnog poluvodi*a u M'MS apli)aci#ama. Si? #e polimorfan materi#al )o#i posto#i u )ubi*no#, he)sagonalno# i romboidno# )ristalno# stru)turi. Gubi*ni obli) Si? $ove se C?+Si? i n#egova ele)trons)a bari#era i$nosi %.C A, -to #e *ini dvostru)o vedom nego )od silici#a. 6a)o2er su ot)riveni mnogi he)sagonalni DH+Si? i romboidni prototipovi 4H+Si?. 'le)trons)e bari#ere DH 9%.IA: i 4H Si? 9C.%A: su *a) vede nego )od C?+Si? filmova. Si? filmovima se mogu dodavati prim#ese ta)o da )reira#u n9 i! i !9 i! materi#ala. Houng+ov modul Si? #o- #e uvi#e) predmet istraivan#a, ali na#*e-de se )rede i$me2u C&& ;Pa i D/& ;Pa -to ovisi o mi)rostru)turi i tehnici m#eren#a. Si? #e materi#al )o#i se ne topi, nego radi#e sublimira na temperaturama vi-im od @L&& >?. Mono)ristalne DH ( i 4H ( Si? plo*ice su )omerci#alno dostupne no di#ametralno su man#e i mnogo s)upl#e nego Si plo*ice. 6an)i filmovi Si? mogu se u$ga#ati ili deponirati )ori-ten#em veli)og bro#a ra$li*itih tehni)a. Da bi se dobili viso)o)valitetni mono)ristalni filmovi na#*e-de se )oriste !P?AD i JP?AD procesi. Homoepita)si#alni rast DH ( i 4H ( Si? da#e viso)o)valitetne filmove )o#i su povol#ni $a mi)roele)trons)e prim#ene, ali samo pod uv#etom a)o se )oriste na podlogama od istog materi#ala. 1vi procesi na#*e-de $ahti#eva#u prisustvo plinova SiHD i cCHL i provode se na temperaturama i$me2u @/&& >? i @P&& >?. 'pita)si#alni filmovi sa provodno-du !: i!a i n: i!a u$ga#a#u se )ori-ten#em alumini#a i bora $a filmove p + tipa, a $a u$go# filmova samo n + tipa )oriste se du-i) i fosfor. Du-i) #e toli)o u*in)ovit u mi#en#an#u provodnosti Si? pa #e $bog toga u$go# Si? filmova be$ prim#esa du-i)a i$u$etno te-)o postidi.!P?AD i JP?AD postupci se ta)o2er )oriste $a deponiran#e C? ( Si? na silici#s)u povr-inu. 7 ovom slu*a#u heteroepita)si#alni rast #e mogud uspr)os %&N neslagan#u )ristalne re-et)e me2u )ristalima silici#a i C?+Si? )ristalima. 1va# proces rasta u)l#u*u#e dva )ora)a. Prvi )ora) se na$iva )arboni$aci#a i pretvara na#blii dio povr-ine silici#s)e podloge u C?(Si? ta)o -to ga i$lae hidrougl#i*no# ili hidrovodi*no# sm#esi na temperaturama vi-im od @%&& >?. Na ta# na*in )arboni$irani slo# formira )ristalnu po$adinu na )o#o# se C?+Si? film moe u$go#iti ta)o -to se doda#e plin )o#i sadri silici# u hidrovodi*nu ili hidrougl#i*nu sm#esu. Neslagan#em )ristalne re-et)e i$me2u silici#a i C?(Si? re$ultira formiran#em )ristalnih nepravilnosti u C?(Si? filmovima sa gustoom nepravilnosti )o#a #e na#vi-a u )arboni$iranom slo#u, a sman#u#e se sa povedan#em debl#ine. Gvaliteta )ristala C?+Si? filma ni#e ni priblina )ao )od epita)si#alno u$go#enih DH( i 4H+Si? filmova. No $bog *in#enice da se C?+Si? film moe u$go#iti na silici#evim povr-inama omogueno #e i )ori-ten#e mnogih silici#evih mi)roproi$vodnih tehni)a $a proi$vodn#u mehani*)ih ure2a#a sa nane-enim C?+Si?. 6im mi)roproi$vodnim tehni)ama proi$vode se mi)rosen$ori $a prom#enu tla)a i nanoele)tromehani*)i ure2a#i $a prom#enu re$onanci#e. Poli)ristalni Si? se moe ra$noli)o upotrebl#avati u M'MS apli)aci#ama nego n#egovi mono)ristalni oblici. ,a ra$li)u od mono)ristalnog silici#a, poli)ristalni silici# se moe deponirati na ra$li*ite tipove povr-ine u)l#u*u#udi materi#ale )ao -to su poli)ristalni silici#, silici# dio)sid i SiCND. Na#*e-de )ori-tene tehni)e $a to su JP?AD i !P?AD. Deponiran#e poli)ristalnog silici#a $aht#eva $natno man#e temperature povr-ine nego )od epita)si#alnih

13

filmova $a )o#e su potrebne temperature od P&& >? do @%&& >?. !morfni Si? se moe deponirati na *a) man#im temperaturama 9%/ do D&& >?: )oristedi se P'?AD tehni)om i tehni)om raspr-ivan#a. Mi)rostru)tura poli)ristalnih Si? filmova ovisna #e o temperaturi, povr-ini i tehnici nano-en#a. Si? filmovi )o#i su deponirani !P?AD i JP?AD tehni)om ima#u viso)a vla*na napre$an#a veli*ine ne)oli)o tisuda MPa. 6a)o2er gradi#enti $aostalih napre$an#a su preteno viso)i -to dovodi do $na*a#nog savo#nog i$vi#an#a ravnina i ta savi#an#a se lo)ali$ira#u na #edno# lo)aci#i. Qaren#e posli#e deponiran#a #e nepra)ti*no $a filmove deponirane na silici#s)u povr-inu $bog toplins)e stabilnosti silici#a bududi da temperature )o#e su potrebne da bi se $na*a#no modificirala povr-ina na#*e-de prela$e granicu topl#ivosti plo*ice.,a JP?AD postup)e )o#i )oriste SiH%?l% i ?%H% plinove posto#i ve$a i$me2u tla)a $a deponiran#e i $aostalih napre$an#a -to omoguu#e deponiran#e poli)ristalnih Si? filmova be$ prim#esa gotovo be$ $aostalih napre$an#a i sa be$na*a#nim gradi#entima napre$an#a. 1va# postupa) se )asni#e primi#enio i na filmove )o#ima su dodavane prim#ese du-i)a. $ravna masovna mi)roproi$vodn#a Si? #e i$ra$ito te-)a $bog )emi#s)e inertnosti Si?. a)o )onvencionalne mo)re )emi#s)e tehni)e nisu efe)tivne, ne)oli)o ele)tro)emi#s)ih procesa )ori-tenih $a graviran#e su se po)a$ale dobrim i )ori-teni su u proi$vodn#i 4H(Si? sen$ora $a tla). Procesi graviran#a se mora#u birati prema provodl#ivosti materi#ala, pa $bog toga dimen$i#s)a )ontrola graviranih slo#eva $avisna #e o mogudnosti formiran#a slo#eva sa dodanim prim#esama, -to se #edino moe postidi sa implantaci#om iona bududi da difu$i#a i$ )rutih elemenata ni#e mogua na prihvatl#ivim temperaturama. 1va# uv#et ograni*ava geometri#s)u )omple)snost -ablons)i proi$vedenih stru)tura, #er se ova)ve stru)ture bol#e proi$vode postupcima nano-en#a pla$mom. ,a proi$vodn#u tan)ih, trodimen$ionalnih dobrih svo#stava Si? stru)ture ra$vi#ena #e tehni)a )alupl#en#a. Galupi se proi$vode od silici#eve povr-ine )ori-ten#em D= ' 9*ee! reac i$e ion e c1ing O dubo)o rea)tivno nano-en#e iona: postup)a i potom se ti )alupi pune Si? sa )ombinaci#om tan)og epita)si#alnog i debelog poli)ristalnog filma nanesenog ?AD procesom. Proces nano-en#a tan)og filma )oristi se da bi $a-titio )alup od bra$di )o#e su nastale sa agresivnim pun#en#em )alupa rastueg Si?. Proces pun#en#a )alupa obavi#a sve povr-ine )alupa sa Si? filmom *i#a #e debl#ina onoli)a )oli)o #e )alup dubo). Da bi se oslobodila Si? stru)tura, povr-ina se prvo mehani*)i ispolira da bi se ot)rili presi#eci silici#eva )alupa, na)on toga povr-ina se uroni u otopine $a nagri$an#e )o#e de potpuno rastopiti )alup. Masovno mi)roobli)ovane Si? stru)ture se mogu proi$vesti i )ori-ten#em sinteriranog Si? praha. 6a)o posto#i proces gd#e se Si? )arbidne )omponente, prim#erice )ao -to su mi)ro plins)i motorni rotori, mogu proi$vesti od silici# )arbidnog praha )ori-ten#em mi)rorea)tivnog procesa $a sinteriran#e. Galupi $a to su mi)roobli)ovani od silici#a )ori-ten#em D= ' metode i popun#eni su sa silici# )arbidnim i ugl#i*nim prahom i ispun#enim sa fenolnom smolom. Galupi su potom rea)ci#s)i sinterirani )ori-ten#em vrudeg i$ostati*)og pre-an#a. Si? )omponente se tada osloba2a#u i$ silici#evog )alupa sa mo)rim )emi#s)im otapan#em. 1vim postup)om postignuto volumno sman#en#e )omponenata #e bilo man#e od CN. Savo#na *vrstoda i tvrdoda po Aic)ersu $a ta# mi)rorea)ci#s)i sinterirani materi#al #e grubo o)o P& do L& N )omerci#alno dostupnih rea)ci#s)i sinteriranih Si?, i ta #e ra$li)a nastala $bog prisutnosti neta)nutog silici#a u mi)rons)im )omponentama. Nadal#e ra$vi#en #e proces )o#im se ra$vi#a#u silici# )arbo nitridne 9Si?N: M'MS stru)ture i one se dobiva#u tal#en#em polimernih tvorevina )o#e se mogu ubri$gavati. 1va metoda )oristi S7+L fotootporan polimer $a )alup. S7+ L #e polimer )o#eg #e mogue vi-estru)o obli)ovati sv#etlo-du #er )od n#ega debeli filmovi se mogu proi$vesti )ori-ten#em )onvencionalnih fotolitografs)ih tehni)a. Na)on -to su proi$vedeni )alupi su popun#eni sa Si?N polimernom tvorevinom, lagano su polirani i nami#en#eni su $a ra$noli)e toplins)e obrade. ,a vri#eme toplins)e obrade S7+L materi#al se raspadne i na ta# na*in

14

se oslobodi silici# )arbo nitridna 9Si?N: stru)tura. 6a)o dobivena Si?N stru)tura $adrava gotovo ista svo#stva )ao i stehiometri#s)i Si?. a)o Si? ne moe biti graviran )ori-ten#em standardnih mo)rih metoda ure$ivan#a, on se moe nani#eti )ori-ten#em standardnih metoda suhog ure$ivan#a. = ' procesi )o#i )oriste m#e-avine na ba$i fluora )ao -to su ?HEC i SE4 )o#i su )ombinirani sa 1%, a )at)ada i sa inertnim plinom H% )oriste se da bi napravili ova)av film. Aiso)i udio )isi)a u ovim pla$mama opdenito ne do$vol#ava )ori-ten#e fotootpornog materi#ala )ao mas)e 9$a-tite:, pa su $bog toga ra2ene tvrde mas)e od materi#ala )ao !l, Ni i 61. = ' ba$irani proces $a povr-ins)o nano-en#e Si? )oristi nano-en#e poli)ristalnih silici#evih slo#eva na #ednoslo#ne ure2a#e. ?P = ' proces nano-en#a Si? )oristi SE4 pla$mu i Ni ili 61 mas)e $a ure$ivan#e i ra$vi#en #e $a masovnu proi$vodn#u Si? podloga sa stru)turnom debl#inom )o#a nadma-u#e @&& Bm. Do pri#e )o#e godine #e bilo #a)o te-)o proi$vesti vi-eslo#ne tan)e filmove sa i$ravnim = ' procesom $ato -to su parametri graviran#a na rtvovane slo#eve bili mnogo vedi nego $a Si? stru)turne slo#eve pa #e te slo#eve bilo vrlo te-)o dimen$i#s)i )ontrolirati. Da bi se ri#e-io ova# problem ra$vi#en #e mi)ro )alupni proces $a nano-en#e Si? filma na povr-ine sa rtvovanim slo#em. 7 su-tini mi)ro )alupna tehni)a #e tan)i film )o#i #e analogan masovno# mi)roproi$vodno# tehnici )o#a #e rani#e predstavl#ena. Mi)roproi$vodni proces )oristi poli)ristalni silici# i Si1% filmove )ao )alupe, te rtvovane slo#eve na podlo$i, gd#e su Si1% )alupi )ori-teni sa poli)ristalnim silici#s)im rtvovanim slo#evima i obratno. 1vi filmovi su deponirani i umnoeni )ori-ten#em )onvencionalnih metoda. Ai-estru)i Si? filmovi se #ednostavno deponira#u u mi)ro )alupe, a potom se mehani*)o poliran#e )oristi da bi u)lonilo vi-estru)i Si? sa gorn#ih di#elova )alupa. ,atim se )oriste pri)ladna otapala )o#a u)lan#a#u )alupe i rtvovane slo#eve. Mi)ro )alupna tehnologi#a $apravo )oristi ra$li)e u )emi#s)im svo#stvima tri metala u ovom sistemu na ta# na*in da premo-u#e pote-)ode )o#e se pove$u#u sa )emi#s)im u)lan#an#em Si?. 1va tehnologi#a #e poglavito ra$vi#ena $a proi$vodn#u vi-eslo#nih prevla)a i usp#e-no se )oristi $a proi$vodn#u Si? mi)romotora. 3.2 DIJAMANT Di#amant #e po$nat )ao na#tvr2i prirodni materi#al, -to ga *ini idealnim $a o)ruen#a i$loena viso)om tro-en#u. Di#amant ima #a)o veli)u energets)u bari#eru 9/./ eA: -to ga *ini privla*nim $a ele)troni*)e ure2a#e )o#i rade na viso)im temperaturama. Di#amant be$ prim#esa #e viso)o)valitetni i$olator, a u)oli)o mu se doda#u prim#ese bora moe se dobiti p + tip vodi*a. Di#amant ima #a)o viso) Houngov modul elasti*nosti 9@&C/ ;Pa: -to ga *ini poel#nim $a viso)ofre)frentne mi)roproi$vedene re$onatore, i me2u na#bol#im #e prirodnim inertnim materi#alima -to ga *ini povol#nim $a te-)e hemi#s)e uv#ete. ,a ra$li)u od Si? )ori-ten#e di#amanta $a M'MS apli)aci#e #e trenutno ograni*eno na poli)ristalne i amorfne materi#ale, bududi da mono)ristalne di#amantne plo*ice #o- nisu e)onoms)i isplative. Poli)ristalni di#amantni filmovi se mogu deponirati na silici# i Si1% povr-ine ?AD metodom, no povr-ine )at)ada na sebi mora#u sadravati di#amantni prah da bi se omogudilo nasta#an#e filma. 1pdenito *estice di#amanta bre se prihvada#u na silici#eve povr-ine nego na Si1% povr-ine. Masovna proi$vodn#a di#amanta sa )ori-ten#em suhog i mo)rog postup)a graviran#a #e i$ra$ito te-)a $bog veli)e inertnosti di#amanta. Di#amantne stru)ture se ni)ada ne obra2u#u )ori-ten#em masovnih mi)roobli)ovanih silici#evih )alupa. Silici#evi )alupi su proi$vedeni )ori-ten#em )onvencionalnih mi)roobli)ovnih tehni)a i pun#eni su sa poli)ristalnim di#amantom

deponiranim HE?AD 91o filamen c1emical $a!o(r *e!osi ion: postup)om. HE?AD proces )oristi H% i ?HD plinove. Proces se provodi na temperaturi povr-ine od L/& >? do I&& >? i na tla)u od /& mmHg 94 44D Pa:. Prvotno #e na silici#s)u povr-inu nanesen di#amantni prah )o#i de se deponirati sa di#amantnim *esticama. Na)on deponiran#a gorn#a povr-ina se ispolira sa vrudom plahtom. Na)on poliran#a sli#edi u)lan#an#e silici#evih )alupa sa )iselinom $a u)lan#an#e silici#a )o#a ostavl#a $a sobom mi)roobra2enu di#amantnu stru)turu. Mududi da su )onvencionalne = ' metode bile neefi)asne $a nano-en#e di#amantnog slo#a ra$vi#ale su se sele)tivne tehni)e deponiran#a. "edna od )ori-tenih metoda bila #e sele)tivno si#an#e praha di#amanta *ime bi se napravila podloga $a rast di#amantnih stru)tura. 6a# proces sele)tivnog si#an#a )oristio #e model litografs)og fotore$ista. Naneseni fotore$ist #e po)renut di#amantom i deponiran #e na )romom prevu*ene silici#s)e plo*ice. ,a vri#eme naleta rasta di#amanta naneseni fotore$ist #e #a)o br$o isparavao ostavl#a#udi $a sobom $asi#ane di#amantne *estice na el#enim lo)aci#ama. Na tim lo)aci#ama potom #e u$go#en di#amantni film. Drugi proces )oristi sele)tivno nano-en#e di#amanta dire)tno na rtvovanim slo#evima. 1va# proces )ombinira )onvencionalno si#an#e di#amanta sa fotolitografs)im modelom i nagri$an#em da bi se proi$vele mi)roobli)ovane di#amantne stru)ture na Si1% rtvovanom slo#u. Proces se mnoe provesti na #edan od dva na*ina. Prvi pristup $apo*in#e sa si#an#em na o)sidirano# silici#s)o# plo*ici. Plo*ica #e prevu*ena sa fotore$istom i fotolitografs)i #e obra2ena. Nemas)irana podru*#a $asi#anog Si1% filma su d#elomi*no nagriena formira#udi ta)o povr-inu )o#a #e nepovol#na $a rast di#amanta. Na)on toga fotore$ist #e u)lon#en i di#amantni film #e deponiran na $asi#ana podru*#a. Drugi pristup ta)o2er po*in#e sa o)sidiranim silici#s)im plo*icama. Plo*ica #e prevu*ena sa fotore$istom, fotolitografs)i #e obra2ena i na)on toga na n#u su $asi#ane di#amantne *estice. Eotore$ist #e $atim u)lon#en, ostavl#a#udi $a sobom podru*#a $asi#anih slo#eva )o#a su pogodna $a sele)tivan rast. 6reda metoda povr-ins)e mi)roobrade poli)ristalnih di#amantnih filmova sli#edi )onvencionalni pristup deponiran#a filmova, suhog graviran#a i otpu-tan#a. Hemi#s)a inertnost di#amanta dovela #e do toga da #e veina )onvencionalnih pla$ma postupa)a bes)orisna. No ipa) pla$me sa ioni$iranim )isi)om mogu se )oristiti da bi se nani#eli di#amantni tan)i filmovi. "ednostavni povr-ins)i mi)roobradni proces $apo*in#e sa nano-en#em poli)ristalnog silici#s)og rtvovanog slo#a na SiCND prevu*ene silici#s)e plo*ice. Poli)ristalni silici#s)i slo# #e $asi#an )ori-ten#em di#amantnih *estica u otopini i na ta# na*in di#amant se nanosi HE?AD postup)om. Mudui da fotore$isti nisu otporni na pla$me sa mole)ulama )isi)a nanosi se alumini#s)a mas)a. Di#amantni filmovi su potom naneseni sa )isi)ovom ioni$iranom $ra)om pla$me, a stru)ture su potom oslobo2ene nagri$an#em poli)ristalnog silici#a sa )ali#evom )iselinom 9G1H:. 1va# proces #e )ori-ten da bi se napravile re$onantne bo*ne stru)ture, ali $na*a#an gradi#ent napre$an#a u filmovima *ini te ure2a#e nefun)cionalnima. 1penito gleda#ui )onvencionalna HE?AD metoda $aht#eva da se na povr-ine nanesu $asi#ani slo#evi )o#i de omoguiti rast di#amantnog slo#a. No ra$vi#ena #e M'N metoda 9,aise* en1ance* n(clea ion: )o#a omoguu#e rast di#amanta na ne$asi#anim povr-inama silici#a. 6o se moe dogoditi a)o se silici#s)e povr-ine mas)ira#u sa nanesenim Si1% filmom, sele)tivan rast di#amanta de nastati na i$loenim silici#evim povr-inama i na)on toga mali udio fluorovodi*ne otopine 9HE: #e dovol#an da u)loni di#amant )o#i se #avio na Si1% masci. 1vim na*inom proi$veden #e di#amantni rotor i stator mi)romotora na silici#s)o# plo*ici. Di#amant #e #a)o te-)o, ali ne i nemogue nani#eti )oristei se )onvencionalnim = ' metodama. Po$nato #e da se di#amant moe nani#eti u )isi)ovim pla$mama, no ove pla$me mogu biti problemati*ne $a i$radu M'MS ure2a#a $ato -to #e nano-en#e i$otropno. 7 s)ladu sa posl#edn#im napredcima u = ' metodi i mi)roproi$vodnim tehni)ama ra$vi#alo se #e i nano-en#e di#amanta posebno $a M'MS apli)aci#e. Di#amantni

1-

filmovi )o#i su se dobivali )ori-ten#em )onvencionalnih tehni)a si#an#a na povr-inu plo*ice ima#u viso) gradi#ent napre$an#a i hrapavu povr-inu )ao re$ultat veli)ih $rna poli)ristalnih filmova. ;ruba povr-ins)a morfologi#a re$ultirala #e grubim bo*nim stranama nanesenih stru)tura i grubom povr-inom filmova. Poliran#e u ovom slu*a#u ni#e bilo tehni*)i i$vedivo $bog viso)e tvrdode di#amanta. Ga)o bi se sman#ile povr-ins)e hrapavosti ra$vi#eni su ultranano)ristalni di#amantni filmovi 97?ND O (l rananocr;s alline *iamon*: #er su oni imali $natno gla2u morfologi#u povr-ine od di#amantnih slo#eva u$go#enih )onvencionalnim metodama. ,a ra$li)u od )onvencionalnih ?AD di#amantnih filmova )o#i su u$go#eni )ori-ten#em sm#ese H% i ?HD, ultranano)ristalni filmovi se u$ga#a#u od sm#ese !r, H% i ?4& ili od !r, H% i ?HD. Eilmovi su se po)a$ali )ao pri)ladne prevla)e na silici#s)u povr-inu i usp#e-no su se )oristile u ne)oli)o povr-ins)ih mi)roproi$vodnih procesa. Potom #e ova tehnologi#a pro-irena na nis)o deponira#ude temperature )o#e )oriste viso)o)valitetne nano)ristalne di#amantne filmove )o#i se deponira#u na temperaturama od D&& >? *inedi ta)o filmove pri)ladne $a nano-en#e na silici#eve tehnologi#e integriranih )rugova. Druga alternativna metoda depo$ici#e )o#a se po)a$ala pri)ladnom $a di#amante u M'MS apli)aci#ama ba$irana #e na pulsira#uo# lasers)o# depo$ici#i. Proces se odvi#a u viso)o va)uums)o# )omori )ori-ten#em pulsira#udeg e)siple)s lasera 9e5ci!le5 laser: da odstrani pirolits)u grafitnu metu 9!;rol; ic gra!1i e:. Materi#al i$ ubri$gavalice se deponira na povr-inu )o#a se nala$i na sobno# temperaturi. Po$adins)i plinovi N%, H% i !r mogu se uvesti da bi prilagodili tla) nano-en#a i svo#stva filma. 6a)o naneseni filmovi sasto#e se od tetragonalnog $arobl#enog ugl#i)a )o#i #e amorfan i odatle nasta#e amorfan di#amant. Su)ladno tome filmovi be$ napre$an#a se mogu nani#eti pravilnim i$borom parametara nano-en#a ili )rat)im postup)om aren#a na)on nano-en#a. !morfni di#amant ima mnoga svo#stva identi*na mono)ristalnom di#amantu, )ao prim#erice viso)a tvrdoa 9LL ;Pa:, viso)i Houng+ov modul elasti*nosti 9@@&&;Pa: i hemi#s)a inertnost. Mnoge #ednoslo#ne mi)ropovr-ine su proi$vedene )ori-ten#em ovih filmova, d#elomi*no $bog toga -to se filmovi mogu br$o nani#eti na o)sidne rtvovane slo#eve ili $ato -to se mogu nani#eti o)sidnom pla$mom .40 3.3 POLUVODII RIJETKIH LEGURA ;alium arsenid 9;a!s:, indium fosfit 9 nP: i materi#ali od do A s)upine periodnog sistema ima#u poel#na pie$oele)tri*na i opti*)o ele)tri*na svo#stva, potom viso)o pie$ootporne )onstante i -iro)e ele)trons)e bari#ere u odnosu na silici#, -to ih *ini pri)ladnim $a ra$noli)e sen$ore i opti*)o ele)tri*ne apli)aci#e. Spomenuti materi#ali od do A s)upine sa poel#nim svo#stvima $a poluvodi*e ri#et)ih legura pri)a$ani su na slici <.

17

Sli)a 4. Materi#ali od

. do A. s)upine sa poel#nim svo#stvima $a poluvodi*e ri#et)ih legura

straivan#a su dovela do ra$vo#a ;a!s i nP podloga. ,a ra$li)u od materi#ala poput silici#a i materi#ala od do A s)upine sa poel#nim svo#stvima $a poluvodi*e ri#et)ih legura, ;a!s i nP se mogu deponirati )ao tro)omponentne i *etvero)omponentne legure sa )ristalnom re-et)om )o#a priblino odgovara binarnim legurama i$ )o#ih su i$vedene. ;ali# arsenid 9;a!s: ima )ristalnu stru)turu sm#ese cin)a sa ele)trons)om bari#erom od @.D eA -to omogudu#e gali# arsenidnim ele)trons)im instrumentima da fun)cionira#u na viso)im temperaturama od *a) C/& >?. Aiso)o)valitetne mono)ristalne plo*ice od ovih legura su )omerci#alno dostupne. 'pita)si#alni slo#evi gali# arsenida i n#egove legure nasta#u MM' 9molec(lar ,eam e!i a5;: postup)om rasta. ;a!s ne fun)cionira bol#e od silici#a u smislu mehani*)ih )ara)teristi)a, me2utim n#egova *vrstoa i lomna ilavost su #o- uvi#e) pri)ladne $a mi)romehani*)e ure2a#e. Mi)roobli)ovan#e gali# arsenida #e relativno #ednostavno $ato -to n#egove )ristalne re-et)e odgovara#u )ristalnim re-et)ama tro)omponentnih i *etvero)omponentnih legura, ali ima#u dovol#no ra$li*ite )emi#s)e )ara)teristi)e da ih se moe is)oristiti )ao rtvene slo#eve. Da bi se pre)inulo graviran#e u gali# arsenidnim slo#evima )oriste se epita)si#alni slo#evi i metode implantiranih iona. Aiso)a energi#a )od implantaci#e iona omoguu#e proi$vodn#u membrana debelu ne)oli)o mi)rometara. 7)oli)o se gali# arsenidne plo*ice gravira#u ta)o da se prvo napravi titra#uda povr-ina pri#e nego se i$vr-i implantaci#a iona tada se mogu proi$vesti titra#ude membrane. 1va)ve stru)ture mogu i$drati mnogo vede defle)tirane amplitude nego ravne povr-ine. Mi)roobli)ovan#e indi# fosfata 9 nP: vrlo #e nali) tehni)ama )ori-tenim $a gali# arsenid. Mnoga svo#stva indi# fosfata su sli*na svo#stvima gali# arsenida u pogledu )ristalne stru)ture, )rutosti i tvrdoe, no ipa) opti*)a svo#stva indi# fosfata *ine ga naro*ito prihvatl#ivim $a mi)ro+opti*)o+mehani*)e ure2a#e. Gao i )od gali# arsenida mono)ristalne plo*ice od indi#
1)

fosfata su la)o nabavl#ive. 6a)o2er su la)o nabavl#ive i )ristalne re-et)e tro)omponentnih i *etvero)omponentnih legura )ao -to su n;a!s, n!l!s, n;a!sP i n;a!l!s. Sve ove legure se mogu )oristiti ili )ao pre)ida*i graviran#a ili )ao rtveni slo#evi u $avisnosti o hemi#i graviran#a. Gori-ten#em indi# fosfatnih ba$iranih tehni)a $a mi)roobli)ovan#e mogu se proi$vesti $ra*ni filteri, mostovne stru)ture i tor$i#s)e membrane od indi# fosfata i n#egovih legura. 7$ proi$vodn#u gali# arsenida i indi# fosfata i materi#al indi# arsenid 9 n!s: moe biti mi)roobli)ovan u stru)ture ure2a#a. 7nato* PN neslagan#u )ristalne re-et)e i$me2u indi# arsenida i gali# arsenida ipa) viso)o)valitetni epita)si#alni slo#evi se mogu u$go#iti na gali# arsenidnim podlogama. 6an)i indi# arsenidni filmovi su u$ga#ani dire)tno na gali# arsenidnim podlogama putem MM' i gravirani su )ori-ten#em otopine )o#a sadri H%1, H%1% i H%S1D. 3. !EROELEKTRINI MATERIJALI Pie$oele)tri*ni materi#ali igra#u vanu ulogu u M'MS tehnici $a prim#enu )od o*itavan#a i mehani*)og pobu2ivan#a. 7 pie$oele)tri*)om materi#alu, mehani*)o napre$an#e proi$vodi polari$aci#u i obratno, napons)i inducirana polari$aci#a proi$vodi mehani*)o napre$an#e. Mnogi nesimetri*ni materi#ali, )ao -to su )varc, ;a!s i cin) o)sid 9,n1: po)a$u#u ne)a pie$oele)tri*na svo#stva. 6o omoguu#e da se pie$oele)tri*ni materi#al rabi u os#etilnim ili pobudiva*)im prim#enama $a )o#e pie$oele)tri*ni materi#ali posebno dobro odgovara#u. "edan od *e-e )ori-tenih materi#ala u M'MS tehnici #e P,6 odnosno cir)oni#+titanat )o#i se odli)u#e viso)om pie$o+ele)tri*nom )onstantom, a )oristi se na#*e-e $a sen$ore po)reta. 6a)o2er P,6 se moe usp#e-no nani#eti u tan)om slo#u na osnovni materi#al ?AD ili sol+gel postup)om. Poton#i #e posebno $animl#iv $bog mogudnosti )ontrole debl#ine nane-enog slo#a.

4. POLIMERNI MATERIJALI
.1 POLIIMIDI Poliimidi predstavl#a#u vanu grupu polimera )o#i su dobro po$icionirani $a mnoge tehni)e )o#e se )oriste u )onvencionalnim M'MS obradama. 1penito, polimeri se mogu dobiti masovnom proi$vodn#om ili pa) mogu biti deponirani )ao tan)i filmovi postup)om prevla*en#a vrtn#om 9s!in coa ing:. Poliimidni slo#evi se mogu nani#eti )ori-ten#em uobi*a#enih tehni)a suhog graviran#a i procesima na vrlo viso)im temperaturama. 1va obil#e#a *ine poliimide privla*nom grupom polimera $a M'MS apli)aci#e )o#e $ahti#eva#u polimernu stru)turu ili povr-ins)e slo#eve poput mi)roproi$vedenih biomedicins)ih ure2a#a gd#e su inertnost i fle)sibilnost bitni parametri. Poliimid se )oristi )ao otporni mehani*)i materi#al $a mi)roproi$vedene $vu*ne membrane. 6a)o2er se od ovog materi#ala proi$vode i sen$ori $a smi*no napre$an#e. Gemi#s)a i temperaturna i$drl#ivost poliimida omoguu#e n#ihovu upotrebu )ao rtvovanog slo#a $a vei bro# ope )ori-tenih materi#ala. 6a)o2er #e do)a$ano da se poliimidi mogu )oristiti )ao rtvovani slo#evi $a P'?AD nano-en#e silici# )arbida. Na podru*#u mi)roproi$vedenih biomedicins)ih ure2a#a poliimidi dobiva#u pan#u )ao povr-ins)i materi#al $a implantira#ude ure2a#e, -to dugu#u svo#o# potenci#alno# bio)ompa)tibilnosti i mehani*)o# fle)sibilnosti.

19

.2 SU"# S7+L #e negativni fotore$ist nali) na epo)sidnu plasti)u )o#i dobiva veli)u pan#u #er se moe upotri#ebiti u M'MS procesima na ra$noli)e na*ine. 6o #e 7A os#etl#iv fotore$ist )o#i #e )reiran $a prim#ene gd#e #e potreban #ednoslo#ni fotore$ist sa debl#inama o)o /&& Bm. S7+L ima poel#na )emi#s)a svo#stva -to omoguava n#egovo )ori-ten#e )ao )alupnog materi#ala )o#i moe proi$vesti stru)ture ra$li*itih dimen$i#a procesom ele)troplatiran#a ili )ao stru)turnog materi#ala $a )ontrolu i modifi)aci#u mi)roproto)a. straivan#a su potvrdila da #e S7+L polimer bol#i od poliimida po svo#em modulu elasti*nosti. Dodatne upotrebe S7+L su da se )oristi )ao materi#al )o#im demo sre$ati masu silici#s)og oscilators)og vesla i time prilagoditi fre)frenci#a $ra)e. Proces sre$ivan#a mase silici#s)og oscilators)og vesla pomodu S7+L stupova na silici#s)im veslima ma)simalno )oristi relativnu )emi#s)u stabilnost S7+L smole )o#a #e nane-ena na veli)e mase i )o#e su potom i$re$barene )ori-ten#em standardnih procesa i$lagan#a 7A $ra)ama. S7+L ta)o2er moe posluiti )ao materi#al $a slo# spa#an#a u procesima spa#an#a plo*ica. 7sporedba ne)oli)o 7A fotodefiniranih polimernih materi#ala #e po)a$ala da #e S7+L imao na#vi-u spo#nu mod $a debl#ine slo#eva do @&& Bm. .3 PAR$LENE ParRlene #e #o- #edan polimerni M'MS materi#al )o#i se na tri-tu po#avl#u#e dobrim di#elom $ahval#u#ui svo#o# bio)ompa)tibilnosti. ParRlene #e posebno privla*an sa stanovi-ta proi$vodn#e #er moe biti deponiran putem ?AD metode na sobno# temperaturi. Proces deponiran#a parRlena #e prilago2ava#udi -to omoguava nano-en#e parlRens)ih slo#eva na prethodno proi$vedene stru)ture )ao -to su prim#erice Si+mi)roiglice, membrans)i filteri *estica napravl#enih od nis)o( napre$nog sili)on nitrida i ta)o2er mi)roproi$vedeni opti*)i s)eneri prethodno napravl#eni od polRimide3!u. ,a parRlene se ta)o2er moe redi da #e to #edinstvena polimerna prilagodl#iva prevla)a )o#a se prilago2ava s)oro sva)om obli)u, u)l#u*u#udi pu)otinama, vrhovima, o-trim rubovima, a i ravnim i$loenim povr-inama. ParRleni su #edino ograni*eni vi-om ci#enom $bog n#ihove os#etl#ivosti na one*i-den#a i potrebe da se )oristi va)uum metoda prim#en#ivan#a. Dodatno svo#o# fun)ci#i )ao materi#ala $a $a-titnu prevla)u, od parRlene se u stvari mogu mi)roproi$vesti i neovisno sto#ede )omponente. Dao do)a$ ovo# tvrdn#i $nanstvenici su pri)a$ali metodu $a pravl#en#e masovnih mi)roproi$vedenih parRlene mi)rostupova $a plins)e )romatografe. $gled plins)og )romatografa pri)a$an #e na slici =.

2"

Sli)a P. $gled plins)og )romatografa

ParRlene mi)rostupovi se proi$vode )ori-ten#em mi)ro )alupne D= ' 9 3ee! Reac i$e ( Ion 6 c1ing O dubo)o rea)tivno+ion graviran#e: metode pomou )o#e se na#pri#e proi$vedu silici#evi )alupi, a potom se oni prevla*e parRlenom da bi stvorili tri strane mi)rostupova. 7 proi$vodn#i mi)rostupova )oriste se dvi#e plo*ice pa #e i ta druga plo*ica )o#a #e i$ra2ena od silici#a presvu*ena paralRenom, te su potom ob#e plo*ice spo#ene $a#edno putem procesa spa#an#a difu$i#om. Na)on spa#an#a )alup se sa stru)ture u)lan#a otapan#em u )ali#evom hidro)sidu 9G1H:. Posto#i i suhi postupa) osloba2an#a )omponenata )o#e su povr-ins)i mi)roobli)ovane parRlenom. God ovog postup)a raspr-eni Si #e is)ori-ten )ao rtveni slo# na )o#i se stavl#a debeli fotore$ist. ParRlene se potom nanosi na fotore$ist i uobli*ava u el#eni stru)turni obli). Proces osloba2an#a ova)o presvu*ene povr-ine sa parlRenom #e dvofa$ni. Prvo se fotore$ist rastvara u acetonu. Gao re$ultat toga doga2a se da se parRlens)a stru)tura $ali#epi $a raspr-eni silici#. Sl#ededi )ora) #e suho graviran#e MrEC+om )o#i rastvara silici# i osloba2a parRlens)e stru)ture. 1vim postup)om usp#e-no se spa#a#u parRlens)e F$ra)eF duine @ mm i debl#ine D,/ Bm . LI%UID CR$STAL POL$MER (TEKU&I KRISTALNI POLIMER) 6e)ui )ristalni polimer 9JP?: #e viso)o+fun)cionalna termoplasti)a )o#a se trenutno )oristi $a i$radu mati*nih plo*a pri)a$anih na slici > i na aparatima $a pa)ovan#e ele)trons)ih ure2a#a.

Sli)a L. Prim#ena JiSuid crRstal polRmer+a

21

7 $adn#e vri#eme ova termoplasti)a #a ispitivana $a prim#ene u M'MS apli)aci#ama )o#e $ahti#eva#u materi#al )o#i #e mehani*)i savitl#iv, ele)tri*ni i$olator, hemi#s)i tra#an i nepropustan $a vlagu. JP? se moe spo#iti sa samim sobom i drugim materi#alima )o#i su )ori-teni $a podloge u nanotehnologi#i )ao prim#erice sta)lo i silici#. Spa#an#e te)ueg )ristalnog polimera sa samim sobom ili ne)im drugim materi#alom vr-i se putem toplins)og plastificiran#a 9 ermal lamina ion:. Prevla)a od ovog materi#ala moe se mi)roproi$vesti upotrebom )isi)ove mi)ropla$me i #a)o #e otporna na fluorovodi*ne )iseline 9HE: i mnoge metalne ure$iva*e. !psorpci#a vlage te)ueg )rustalnog polimera #e man#a od &,&% N -to #e $natno man#e u)oli)o se uspore2u#e sa poliimidom *i#a #e apsorpci#a vlage o)o @N i upravo ova svo#stva ga *ine pri)ladnim materi#alom $a pa)ovan#a. 1va# materi#al se danas )oristi $a obavi#an#e M'MS =E 9Ra*io /re?(enc;: )onden$atora. ,a ovu prim#enu te)udi )ristalni polimer #e upotri#ebl#en u te)udo# formi i )ori-ten #e da bi spo#io i $ali#epio sta)leni mi)ro + vrh sa prethodno i$ra2enim mi)ro(mostovnim )onden$atorom. 6e)udi )ristalni polimer #e i$abran $a ovu upotrebu d#elomi*no i $bog toga -to u$ spomenute )ara)teristi)e ima #a)o ni$a) stupan# gubl#en#a radio fre)venci#e, -to ga *ini vrlo pri)ladnim materi#alom $a =E M'MS pa)ovan#e. 6e)ui )ristalni polimer ta)o2er #e i$ra$ito ra$novrstan materi#al )o#i #e #a)o )ompa)tibilan sa mnogim standardnim metodama nano-en#a silici#a. 6a)o #e do)a$ano da se metode $a nano-en#e silici#a u ovom slu*a#u mogu is)oristiti $a pravl#en#e i$bo*enih dete)tora to)a od te)ueg )ristalnog polimera )o#i sadre metalne m#era*e pritis)a. 6a)o2er se mogu proi$voditi i membrans)i dodirni dete)tori )o#i )oriste Ni?r m#era*e pritis)a. Na osnovu ovog materi#ala #e ra$vi#ena i mehani*)i savitl#iva, multi ( )analna mi)roele)trodna sistemats)a stru)tura $a neurons)u stimulaci#u i sniman#e, )o#a #e pri)a$ana slikom 1@.

S !"# $. Multi )analna mi)roele)trodna sistemats)a stru)tura $a neurons)u stimulaci#u i sniman#e

22

.' BUDU&I TRENDOVI Mr$i ra$vo# M'MS+a $adn#ih ne)oli)o godina dogodio se $ahval#u#udi u)l#u*ivan#u novih materi#ala u ovu tehnologi#u #er su oni pro-irili fun)cionalnost mi)roproi$vedenih ure2a#a i to i$nad mogunosti )o#e su se mogle postidi prim#enom #edino silici#a. 1va na)lonost )a u)l#u*ivan#u novih materi#ala de se sigurno nastaviti i u budunosti sa ot)rivan#em novih oblasti prim#ene $a nano i mi)roproi$vedene ure2a#e. Mnoge od ovih prim#ena $asigurno de $ahti#evati i nove materi#ale i nove procese da bi proi$veli mi)ro i nano obra2ene ure2a#e. 6renutno )onvencionalne metode $a mi)roobra2ivan#e upotrebl#ava#u Fs+vrha+na+doleF pristup 9 o!9*own: )o#i $apo*in#e ili sa FdebelimF podlogama ili tan)im filmovima. 7 s)oro# budunosti pretpostavl#a se da de M'MS i N'MS apli)aci#e u)l#u*iti materi#ale )o#i su napravl#eni )oristedi se Fs+dna+na+goreF pristupom 9,o om9(!:. ,na*a#ni i$a$ov )a)o $a di$a#nere, ta)o i $a inen#ere proi$vodn#e de biti )a)o da sastave o!9*own i ,o om9(! pristupe da bi stvorili ure2a#e i sisteme )o#i se ne mogu napraviti )oristedi samo #edan od procesa. S ob$irom da #e nanotehnologi#a #edna od na#mladih $nanosti evidentno #e )a)o ona ima #o- mnogo m#esta $a napredovan#e. Medutim, #edan od )l#u*nih problema u o)viru n#enog evolutivnog napret)a #est ta# -to ostale grane $nanosti nisu na odgovara#uco# ra$ini i to uveli)e usporava ra$vo# same nanotehnologi#e. Samim time, #o- uvi#e) ni#e moguce govoriti o o$bil#nim pro#e)tima unutar ove TTproblemati)eTT, no vec #e sada ra$vidno )a)o ce n#ena prim#ena biti -iro)ospe)tarna, naime danas #e ona #ouvi#e) ogranicena na laboratori#s)i prostor i trenutno eg$istira is)l#ucivo unutar n#ega. Mitno #e naglasiti )a)o nacelo rada nanotehnologi#e i pro#e)tiran#e nanotehnolo-)ih ureda#a pociva na opona-an#u prim#era mehani$ama i$ prirode, -to upucu#e na cin#enicu )a)o veli)u po$ornost treba posvetiti upravo samo# prirodi i n#enom fun)cionalnom TT)ara)teruTT, #er #e posve #asno )a)o nam ona #o- mnogo toga ima $a ponuditi. 7ostalom i sama iva bica su sat)ana od guste mree ra$licitih i prirodnih nanoureda#a.

23