Fisica Cuantica PDF

Apuntes de apoyo a la asignatura
COMPLEMENTOS de FSICA
E.T.S. de Ingeniera Informtica
UNIVERSIDAD DE SEVILLA
Francisco L. Mesa Ledesma
II
Copyright 2002 by Francisco L. Mesa Ledesma; esta informacin

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OR TORT (INCLUDING NEGLIGENCE OR OTHERWISE) ARISING IN ANY WAY OUT OF THE USE OF THIS WORK, EVEN IF ADVISED OF THE POSSIBILITY OF SUCH DAMAGE.
END OF TERMS AND CONDITIONS
2
Apuntes de CF
FLML
Prefacio
La presente coleccin de notas sobre Fsica Cuntica y Fsica del
Estado Slido pretende ser una ayuda al estudiante en la asignatura cuatrimestral Complementos de Fsica de la E.T.S. de Ingeniera Informtica de la Universidad de Sevilla. Aunque estas notas han sido
inspiradas por diversas fuentes (permtaseme destacar y agradecer la
importante contribucin de los profesores de la ETS de Ingeniera Informtica del Departamento de Fsica Aplicada 1 de la Universidad de
Sevilla), cualquier defecto o error slo es atribuible al autor de estos
apuntes. Es importante resaltar que estas notas no pueden ni deben
sustituir a otros textos ms elaborados sobre la materia.
El objetivo principal de la materia presentada es dotar al alumno
de algunos de los fundamentos fsicos elementales en los que se basa
el funcionamiento de los dispositivos y sistemas usados en Informtica. Gran parte de la tecnologa actual de los computadores se basa
en la Electrnica. Dado que la Electrnica consiste bsicamente en el
control del flujo de los electrones en materiales conductores y semiconductores, es evidente la necesidad de estudiar el comportamiento
de dichos electrones en metales y semiconductores. Este estudio se
llevar a cabo mediante una serie de temas introductorios de Fsica
Cuntica y Atmica donde se presentan las propiedades fundamentales de las partculas cunticas. Posteriormente se analiza el comportamiento de los electrones en metales y semiconductores, para lo cual
debemos considerar sus caractersticas cunticas y estadsticas. Finalmente, estudiaremos el comportamiento de la unin p-n puesto que
es la base de multitud de dispositivos electrnicos y optoelectrnicos
usados en la tecnologa de los computadores.
F RANCISCO L. M ESA L EDESMA
Sevilla, febrero de 2001
III
IV
Apuntes de CF
FLML
ndice general
1.
Fundamentos de Fsica Cuntica
1.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2. Cuantizacin de la radiacin . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.1.
Espectros pticos . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.2. Efecto fotoelctrico . . . . . . . . . . . . . . . . .
Dualidad de la radiacin . . . . . . . . . . . . . . . . .
10
1.4. Modelo atmico de Bohr . . . . . . . . . . . . . . . . . .
11
1.5. Dualidad de la materia . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
15
1.5.1. Hiptesis de De Broglie . . . . . . . . . . . . . .
15
1.5.2. Verificacin experimental . . . . . . . . . . . . .
17
1.5.3.
Naturaleza de la onda . . . . . . . . . . . . . . .
19
1.6. Principio de Heisenberg . . . . . . . . . . . . . . . . . .
21
1.3.
1.6.1.
2.
Principio de incertidumbre
posicin/momento . . . . . . . . . . . . . . . . .
21
1.6.2. Principio de incertidumbre energa-tiempo . . .
24
1.7. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
26
Ecuacin de Schrdinger. Aplicaciones
29
2.1. Ecuacin de Schrdinger . . . . . . . . . . . . . . . . . .
29
2.2. Partcula ligada. Cuantizacin . . . . . . . . . . . . . . .
32
2.2.1. Partcula Libre . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
32
2.2.2.
Pozo potencial infinito monodimensional . . .
33
2.2.3.
Pozo de potencial tridimensional . . . . . . . .
36
2.3. Efecto tnel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
39
2.4. tomos hidrogenoides . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
2.4.1.
Nmeros cunticos . . . . . . . . . . . . . . . .
40
2.4.2.
Spin del electrn . . . . . . . . . . . . . . . . . .
44
NDICE GENERAL
VI
3.
4.
5.
6.
Apuntes de CF
2.5. Tabla peridica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
45
47
Materia Condensada
51
3.1. Estados de Agregacin de la Materia . . . . . . . . . . .
51
3.2.
Gas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
53
3.3.
Monocristal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
56
3.4.
Estructuras reticulares . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
57
3.4.1. Redes de Bravais . . . . . . . . . . . . . . . . . .
57
3.4.2. Parmetros de la estructura reticular . . . . . . .
58
3.5. Observacin de las estructuras cristalinas . . . . . . . .
60
61
Electrones libres en metales
63
4.1.
Fenomenologa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
63
4.2.
Modelo clsico del electrn libre . . . . . . . . . . . . .
65
4.2.1. Hiptesis bsicas . . . . . . . . . . . . . . . . . .
66
4.2.2. Dependencia con la temperatura . . . . . . . . .
68
4.2.3. Fallos del modelo de Drude . . . . . . . . . . . .
69
4.3. Modelo cuntico del electrn libre . . . . . . . . . . . .
69
4.3.1. Funcin densidad de estados . . . . . . . . . . .
70
4.3.2. Distribucin de Fermi-Dirac . . . . . . . . . . . .
70
4.3.3. Conduccin elctrica . . . . . . . . . . . . . . . .
73
4.3.4. Fallos del modelo de Sommerfeld . . . . . . . .
74
74
Electrones en una red peridica
77
5.1.Modelo cuntico del electrn ligado . . . . . . . . . . . . .
77
5.1.1. Aproximacin de fuerte enlace . . . . . . . . . .
79
5.1.2. Bandas de energa . . . . . . . . . . . . . . . . .
82
5.2.
Aislantes, Semiconductores y Conductores . . . . . . .
84
5.3.
Masa efectiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
86
5.4. Huecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
90
92
Bandas de Energa en Semiconductores
95
FLML
NDICE GENERAL
VII
6.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
95
6.2.
Generacin y recombinacin de electrones y huecos . .
96
6.3. Semiconductores Intrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . .
98
6.3.1. Descripcin cualitativa . . . . . . . . . . . . . . .
98
6.3.2.
Probabilidad de ocupacin de electrones y huecos100
6.3.3. Posicin del nivel de Fermi para semiconductores

intrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
6.3.4. Funcin densidad de estados para electrones y
huecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
6.3.5. Distribucin energtica de huecos y electrones . 103
6.4. Semiconductores Extrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . 105
6.4.1. Semiconductor tipo n . . . . . . . . . . . . . . . . 105
6.4.2. Semiconductor tipo p . . . . . . . . . . . . . . . . 106
6.4.3. Distribucin energtica de huecos y electrones . 107
6.5. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
7.
Portadores de carga en Semiconductores
111
7.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111

7.2. Concentracin de electrones y huecos . . . . . . . . . . 111
7.2.1. Ley de accin masas . . . . . . . . . . . . . . . . 114
7.3. Compensacin y Neutralidad de la carga
espacial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
7.3.1.
Clculo aproximado de n y p . . . . . . . . . . . 117
7.3.2. Clculo de EF para semiconductores intrnsecos

y extrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
7.4. Conductividad elctrica en semiconductores . . . . . . 120
7.5. Corrientes de Arrastre y Difusin . . . . . . . . . . . . . 122
7.5.1. Proceso de difusin . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
7.5.2.
Corriente de difusin . . . . . . . . . . . . . . . 123
7.5.3. Corriente total . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124

7.5.4.
7.6.
Campo elctrico interno . . . . . . . . . . . . . . 125
Velocidad de generacin y recombinacin . . . . . . . . 128
7.7. Ecuacin de continuidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130

7.7.1. Ecuacin de difusin
. . . . . . . . . . . . . . . 132
7.7.2. Inyeccin constante de portadores . . . . . . . . 133

FLML
Apuntes de CF
NDICE GENERAL
VIII

8.
Unin p-n
137
8.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137

8.2. Unin p-n en equilibrio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
8.2.1. Potencial de Contacto . . . . . . . . . . . . . . . 138
8.2.2. Regin de carga espacial . . . . . . . . . . . . . . 141
8.3. Unin p-n polarizada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
8.3.1. Descripcin cualitativa de las corrientes en la unin143
8.3.2. Ecuacin del diodo. Clculo simplificado . . . . 147
8.4. Lser Semiconductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151
8.4.1. Propiedades elctricas . . . . . . . . . . . . . . . 152
8.4.2. Propiedades pticas . . . . . . . . . . . . . . . . 154
8.4.3. Estructura del lser semiconductor . . . . . . . . 158
8.5. Aplicaciones del Lser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161
8.5.1. Aplicaciones del Lser de Inyeccin . . . . . . . 162
A. Constantes fundamentales
167
B. Energa y longitud de onda de una partcula relativista
169
C. Promedios estadsticos
171
C.1. Sistemas Discretos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171

C.2. Sistemas Continuos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
Apuntes de CF
D. Propiedades de algunos materiales semiconductores
173
E. Invarianza del nivel de Fermi en equilibrio
175
FLML
Captulo 1
Fundamentos de Fsica
Cuntica
1.1. Introduccin
De una forma muy genrica denominaremos Fsica Cuntica a
la Fsica que se desarroll a principios del siglo XX para explicar el
comportamiento de los fenmenos que ocurren a muy pequea escala
(el mbito microscpico donde los rdenes de magnitud involucrados son: distancia 1 , masa 1027 kg, energa 1019 J). Esta
nueva Fsica complementa a la denominada Fsica Clsica que se desarroll para ser aplicada en el mbito macroscpico (fenmenos que
involucran rdenes de magnitud del orden de 1 m, 1 kg, 1 J) y que podemos identificar, por ejemplo, con las leyes de Newton, las ecuaciones de Maxwell, etc. Antes de introducir los fundamentos de la Fsica
Cuntica, es conveniente resaltar que la Fsica Cuntica trajo consigo,
adems de nuevos resultados, cambios conceptuales muy importantes
que afectan a la forma en la que habitualmente entendemos el mundo
que nos rodea. No obstante, cabe sealar que estos cambios conceptuales afectan drsticamente a nuestra visin del mundo microscpico pero no tanto a la del mundo macroscpico (aunque obviamente
muchos fenmenos macroscpicos slo pueden entenderse con base
en los principios de la Fsica Cuntica).
La Fsica siempre afronta el estudio de los fenmenos mediante el
estudio de modelos, esto es, representaciones parciales de la realidad.
Es entonces importante aclarar que lo que se estudia no es directamente la realidad sino el modelo que nosotros hacemos de ella. Usualmente, el modelo es una simplificacin de la realidad que recoge, no
obstante, las caractersticas esenciales del aspecto fsico en el que estemos interesados. As, si queremos estudiar el efecto de la gravedad sobre los cuerpos, un posible modelo elemental sera el suponer que los
cuerpos son puntuales (su masa est concentrada en un punto), que
la gravedad es constante y que se desprecia el efecto del rozamiento
1
Captulo 1. Fundamentos de Fsica Cuntica
con el aire. Este modelo simplificado explicara satisfactoriamente, por

ejemplo, el tiempo que tarda en caer una piedra desde cierta altura pero no describira muy adecuadamente la cada de una hoja de papel.
En consecuencia, el estudio de este ltimo fenmeno requerira el uso
de otro modelo ms complejo. En este sentido, es interesante constatar que la mayora de los modelos que intentan describir el mundo
macroscpico se basan parcialmente en el sentido comn (esto es, en
la manera en la que nuestros sentidos perciben la realidad). De esta
forma, se suponen caractersticas generales como
continuidad de la materia y la energa (es decir, la materia y la
energa pueden tomar cualquier valor e intercambiarse en cualquier cantidad);
diferenciacin objetiva entre fenmenos ondulatorios y corpusculares;
posibilidad de minimizar completamente el efecto del observador sobre el fenmeno observado, etc.
Cuando se afronta el estudio de los fenmenos microscpicos (por
ejemplo, el estudio de los tomos), una primera posibilidad sera la
de partir de los modelos y categoras que se usaron con xito en el
mbito macroscpico y extrapolarlos al nuevo mbito de muy pequeas escalas. En este sentido podramos considerar el tomo como un
sistema de cargas puntuales (algunas de ellas en movimiento) regidas
por las leyes de la Electrodinmica. No obstante, al iniciar el estudio
del mbito microscpico se observ que la extrapolacin directa de los
modelos macroscpicos llevaba irremediablemente a resultados muy
dispares con la realidad. Hubo, por tanto, que hacer un gran esfuerzo
no slo para desarrollar muevas leyes fsicas sino tambin para olvidar muchos de los conceptos y categoras vlidas en el mbito macroscpico y buscar otros nuevos que fuesen aplicables al mbito microscpico. Gran parte de la dificultad de la nueva Fsica Cuntica recae
en el hecho de que las leyes que rigen el comportamiento del mbito
microscpico son tremendamente antiintuitivas.
Este primer tema mostrar, siguiendo un cierto orden cronolgico,
los fundamentos de la Fsica Cuntica; en concreto nos centraremos
en la presentacin de las leyes bsicas y discutiremos algunas de sus
consecuencias ms inmediatas. Un buen entendimiento de estas leyes
y sus consecuencias ser fundamental para la posterior comprensin
del comportamiento de los electrones en los materiales conductores y
semiconductores. En consecuencia, la comprensin fsica de los fenmenos cunticos nos proporcionar la base necesaria para entender el
funcionamiento de los mltiples dispositivos electrnicos y optoelectrnicos que son la base de la actual tecnologa de los computadores
y previsiblemente nos dotar de la base cientfica imprescindible para
entender futuros desarrollos de la tecnologa informtica.
Apuntes de CF
FLML
1.2. Cuantizacin de la radiacin

El inicio de la Fsica Cuntica puede situarse en el final del siglo
XIX, momento en el que se estaba estudiando la interaccin de la radiacin con la materia. En concreto se estaba investigando la naturaleza del espectro de radiacin emitida por los distintos cuerpos.
1.2.1.
Espectros pticos
Es un hecho bien conocido que cualquier cuerpo caliente emite radiacin electromagntica1 . La distribucin con respecto a la frecuencia, ,
de esta radiacin se conoce como espectro. Las observaciones experimentales permitieron establecer la existencia de varios tipos de espectros: espectros discretos (emitidos por gases de tomos aislados),
espectros de bandas (emitidos por gases moleculares) y espectros continuos (emitidos por cuerpos slidos). A continuacin esbozaremos
algunas de las caractersticas de los espectros discretos y continuos.
Espectros Discretos
Empricamente se comprob que la radiacin emitida (y absorbida) por sustancias formadas por elementos qumicos aislados
(en forma de gases) tena un carcter discreto; esto es, estas sustancias solo emiten (y absorben) radiacin para un conjunto discreto de frecuencias. Este hecho experimental era muy sorprendente e imposible de explicar en el marco de la Fsica Clsica.
Para el caso del hidrgeno (H) se comprob que su espectro est
formado por una familia de lneas espectrales cuya longitud de
onda ( = c/, c 3 108 m/s) sigue la siguiente ley emprica:

1
1
1
= R
2
(1.1)
m < n( N ) ,
m2
n
que se conoce como formula de Rydberg-Ritz y donde R =
1,0967 107 m1 es la denominada constante de Rydberg. Para
cada valor de m y variando n se obtienen distintas familias de
lneas espectrales conocidas como las series del hidrgeno. Una
expresin particular para el espectro visible del H, conocido como serie de Balmer, fue obtenida en 1885 por Balmer, siendo, no
obstante un caso particular de la ley general (1.1) cuando m = 2.
Es importante resaltar que la frmula de Rydberg-Ritz es una ley
completamente emprica que fue propuesta en ese momento sin
1 La explicacin clsica de este hecho se basa en la suposicin de que la temperatura es una medida de la energa cintica media de las partculas que componen
la materia. Dado que la materia est compuesta de tomos y stos a su vez estn
formados por partculas cargadas, un cuerpo caliente puede considerarse como un
conjunto de osciladores cargados (se supone que, debido a su menor masa, la carga
negativa oscila en torno al ncleo de carga positiva). Estos osciladores de carga emiten entonces radiacin electromagntica al igual que lo hacen los dipolos elctricos
oscilantes.
FLML
Apuntes de CF
ninguna explicacin fsica que justificase el ajuste sorprendente

de dicha expresin con los resultados experimentales.
Espectros Continuos
Estos espectros son emitidos por los cuerpos slidos. Dado que
la emisin de los slidos dependa en parte de su composicin,
en el estudio de estos espectros se buscaba un cuerpo cuya emisin fuese independiente de la forma y composicin particular
del emisor. En este sentido, se define como cuerpo negro a un
emisor cuyo espectro no dependa de su forma y composicin.
Un estudio siguiendo las leyes de la Fsica Clsica, que queda
fuera del alcance de este tema, permite establecer que la expresin terica para la radiancia espectral, R() (intensidad de la radiacin emitida con frecuencias comprendidas entre y + d)
viene dada por
(1.2)
R ( ) 2 T ,
donde T es la temperatura absoluta (en grados Kelvin) del cuerpo negro.
R(n)
curva terica
curva
experimental
Cuando la expresin terica (1.2) se comparaba con los datos experimentales (ver figura adjunta), se observaba una buena concordancia para bajas frecuencias pero una discrepancia total para frecuencias
altas. Esta discrepancia es tan importante (para frecuencias muy altas R() tiende a cero segn los datos experimentales mientras que el
resultado terico tiende a infinito) que se conoce como catstrofe ultravioleta puesto que las diferencias empiezan a ser muy importantes
para frecuencias de radiacin ultravioleta. La catstrofe ultravioleta
es una clarsima constatacin de que haba algo fundamentalmente
errneo en la aplicacin de las leyes conocidas hasta ese momento al
estudio del espectro de radiacin del cuerpo negro.
Afortunadamente, en 1900 Planck incorpor un nuevo enfoque a
este problema que sorprendentemente conduca a una teora que se
ajustaba perfectamente a los resultados experimentales. La propuesta
de Planck fue que
Hiptesis de Planck
los osciladores atmicos realizan intercambios de energa con la radiacin de modo que la accin, S
(energatiempo), vara nicamente en mltiplos de
h = 6,62 1034 Js.
La cantidad de intercambio de accin mnima, h, se conoce como constante de Planck y tiene por valor
Constante de Planck
h = 6,62 1034 Js = 4,135 1015 eVs
(1.3)
(1 eV = 1,6 1019 J, e = 1,6 1019 C es el mdulo de la carga del

electrn en el S.I.).
Apuntes de CF
FLML
La anterior hiptesis implicaba que en el periodo T de oscilacin

de los osciladores atmicos, el intercambio de accin, S, deba ser
S = nh = E T
n = 1, 2, . . . ,
(1.4)
siendo E la energa puesta en juego en el intercambio energtico. A

partir de (1.4) encontramos entonces que
E = nh
1
= nh .
T
(1.5)
La anterior expresin, fruto de la hiptesis de Planck, indica que

el intercambio energtico mnimo es h y que cualquier otro intercambio energtico siempre se produce en mltiplos de esta cantidad. Este
resultado tiene dos implicaciones muy destacadas:
1.
La interaccin energtica entre dos sistemas no puede hacerse

menor que h. Este resultado es abiertamente opuesto a la hiptesis clsica de que la interaccin entre dos sistemas poda hacerse tan pequea como se quisiera.
2.
La energa puesta en juego en las interacciones est cuantizada.

De nuevo, este sorprendente resultado contradice la hiptesis
acerca del carcter continuo de la energa.
Es interesante finalmente notar que las consecuencias anteriores

apenas tienen efecto en las interacciones entre sistemas macroscpicos. Ello es debido a que los valores de energa puestos en juego en los
intercambios energticos son generalmente mucho ms altos que h,
por lo que la existencia de una cantidad mnima de energa de intercambio apenas difiere de la suposicin de que sta sea infinitesimal.
Este hecho provoca que la cuantizacin energtica sea prcticamente
inapreciable haciendo, por tanto, aceptable el hecho de que la energa
se considere continua a efectos prcticos.
1.2.2. Efecto fotoelctrico

Otro efecto muy destacado fruto de la interaccin entre la luz y
la materia es el efecto fotoelctrico. Este efecto se produce cuando al
incidir luz sobre ciertos metales, stos emiten electrones (que denominaremos fotoelectrones). Un dispositivo experimental apropiado para
estudiar el efecto fotoelctrico se muestra en la figura adjunta y consiste en un tubo de vaco con dos placas metlicas en su interior. Al
incidir luz de intensidad I () sobre el metal del que est compuesto la
placa C, ste emite electrones que, si son acelerados por un potencial
(V) impuesto entre las placas situadas en el interior del tubo de vaco,
son arrastrados hasta la placa A. Este flujo de electrones da lugar a
una corriente elctrica, i, que es detectada por el ampermetro puesto
a tal efecto.
FLML
I(n)
+ C
A -
i
V
Apuntes de CF
Una de las principales ventajas del anterior montaje experimental

es que nos permite determinar la energa cintica, E c , de los fotoelectrones. Notemos que si V < 0, el campo impuesto entre las placas
acelera los fotoelectrones hacia la placa A, pero si V > 0, el campo
elctrico frenar los fotoelectrones dificultando as su camino hacia el
nodo. El efecto de frenado ser total cuando la energa que proporciona el campo a los fotoelectrones, eV, sea igual a la energa cintica
mxima, Ec,max , de los fotoelectrones, esto es, cuando
eVR = Ec,max ,
(1.6)
siendo VR el valor de potencial elctrico conocido como potencial de

frenado.
El estudio experimental del efecto fotoelctrico pone de manifiesto
las siguientes caractersticas:
La emisin fotoelctrica es instantnea.
I2(n)
I1(n)
I2(n)>I1(n)
VAC
VR
VR
Existe cierta frecuencia para la radiacin incidente, conocida como frecuencia umbral, 0 , por debajo de la cual no existe emisin
fotoelctrica, independientemente de la intensidad de dicha radiacin; es decir, i = 0 I () si < 0
Al aumentar la intensidad de la radiacin, aumenta el nmero
de fotoelectrones emitidos y, en consecuencia, la intensidad de
la corriente es mayor.
Para una frecuencia fija, la energa cintica de los fotoelectrones
no depende de la intensidad de la radiacin incidente.
La energa cintica mxima de los fotoelectrones (cuya magnitud
es proporcional al potencial de frenado VR ) muestra una dependencia lineal de la frecuencia.
n0
La mayora de los anteriores resultados experimentales resultan

realmente sorprendentes y contradictorias cuando se intentan interpretar a partir de los postulados de la Fsica Clsica. En este marco, la
luz es
una onda electromagntica cuya energa est repartida de forma
continua en el frente de ondas;
su intensidad promedio, I, viene dada por la expresin
I=
1
0 cE02 ,
2
(1.7)
donde 0 es la permitividad del vaco y E0 es la amplitud del

campo elctrico de la onda luminosa. Es interesante notar que,
segn (1.7), la intensidad (y por tanto la energa) de la onda electromagntica no depende de la frecuencia sino simplemente de
la amplitud del campo elctrico.
Apuntes de CF
FLML
En el metal hay que considerar que los electrones susceptibles de

ser emitidos estn ligados al metal con una cierta energa umbral
e , denominada tambin funcin trabajo. Para que un electrn sea desprendido del metal, ste debe adquirir una energa suficiente para
romper su ligadura con el metal, manifestndose el posible exceso
de energa en forma de energa cintica del electrn emitido. Desde
este punto de vista, la luz incidente en el ctodo ser la encargada de
proporcionar (durante cierto intervalo de tiempo) la energa suficiente a cada electrn para que ste puede salir del metal. No obstante,
el clculo terico del tiempo requerido para que se inicie la emisin
proporciona un valor muchsimo mayor que el observado experimentalmente (recurdese que el efecto fotoelctrico es prcticamente instantneo). Por otra parte, si mantenemos fija la frecuencia y aumentamos la intensidad de la radiacin luminosa, esperamos de acuerdo
a la expresin (1.7) que llegue ms energa al metal y que, por tanto,
la energa cintica de los fotoelectrones aumente. Hemos visto que la
experiencia contradice esta suposicin, mostrando que dicha energa
cintica mxima no depende de la intensidad de la radiacin incidente
sino sorprendentemente de su frecuencia.
E JEMPLO 1.1 Calcule el tiempo que habra que esperar para que se produjese
el efecto fotoelctrico si una radiacin luminosa emitida por una fuente de luz
de P = 100 W y rendimiento luminoso = 8 % incide sobre un metal que est
situado a 1 m de distancia y cuya funcin trabajo es e = 4 eV. Suponga que el
radio aproximado de un tomo es r atomo = 1.
La intensidad luminosa, I, emitida por la fuente de luz que llega al metal
es
I=
2
P
100
= 0,08
= W/m2 ,
2
2
4R
41
por lo que la potencia captada por cada tomo vendr dada por
2
=
Ptomo = I rtomo
2
1020 = 2 1020 W .
Finalmente, el tiempo de espera, t, para que se acumule la energa umbral

suficiente, e , es
t =
e
Ptomo
4 1,6 10 19
32 s .
2 1020
Ntese que el clculo del tiempo de espera calculado segn el modelo

ondulatorio de la radiacin luminosa nos da un valor (t 32 s) muchsimo
ms alto que el observado experimentalmente (emisin espontnea).
En 1905, A. Einstein proporcion una explicacin satisfactoria al

efecto fotoelctrico aportando adems una concepcin revolucionaria
de la energa radiante. Bsicamente Einstein, partiendo la hiptesis de
Planck acerca de la cuantizacin del intercambio energtico, dio un
FLML
Apuntes de CF
paso ms extendiendo la nueva idea de cuantizacin a la propia energa radiante (y no slo a su posible intercambio). En concreto, Einstein
explic el efecto fotoelctrico a partir de las dos siguientes hiptesis:
1.
La energa de la onda electromagntica de frecuencia no est

distribuida continuamente en el frente de onda sino que est localizada en pequeos paquetes (entes como partculas) llamados
fotones cuya energa es
E = h = h .
Energa del fotn
(1.8)
(h = h/2, = 2).
hn
Radiacin incidiendo
en el metal
Metal
electrn liberado
del metal
e-
Ec
2.
El efecto fotoelctrico es fruto de procesos individuales de intercambio instantneo de la energa del fotn con la del electrn.
El primer punto indica que Einstein concibe la onda electromagntica

como un conjunto de paquetes discretos de energa h, esto es, la propia energa de la onda estara cuantizada. El efecto fotoelctrico podra
entonces verse como un conjunto de choques elsticos individuales
entre los fotones de la radiacin incidente y los electrones ligados del
interior del metal. Supuesta que la energa se conserva en este choque, el fotn cede toda su energa h al electrn, adquiriendo ste por
tanto una energa que sera empleada parcialmente para vencer la funcin trabajo, e , apareciendo la restante en forma de energa cintica,
Ec , esto es,
(1.9)
h = Ec + e .
Dado que la expresin (1.6) relaciona la energa cintica de los fotoelectrones con el potencial de frenado, VR , tenemos que

Ec = h e
eVr = h e ,
Ec = eVR
lo que nos permite escribir finalmente
Ecuacin de Einstein para el

efecto fotoelctrico
VR =
h
e
.
e
e
(1.10)
El sencillo desarrollo anterior muestra que existe una relacin lineal

entre VR y , siendo la pendiente de esta recta h/e. Tambin explica
la existencia de una frecuencia umbral, 0 = e /h, por debajo de la
cual no puede existir efecto fotoelctrico (puesto que la energa cintica asociada al electrn sera negativa). La expresin terica (1.10) coincide satisfactoriamente con los resultados experimentales, confirmando la sorprendente hiptesis de la naturaleza fotnica de la radiacin
y proporcionando una prueba adicional de que la constante h introducida por Planck es una constante fundamental de la Naturaleza y no,
simplemente, una constante arbitraria de ajuste.
Dado que la emisin de fotoelectrones crece al aumentar la intensidad de la radiacin, I, esta magnitud debe estar relacionada con el
Apuntes de CF
FLML
nmero de choques y, en consecuencia, puede relacionarse con la densidad de fotones, N f (nmero de fotones por unidad de tiempo y rea),
de la radiacin. Podemos escribir, por tanto, que
I = N f h .
(1.11)
Por otra parte, dado que los fotones transportan una energa E,
tambin deben transportar un momento lineal p. En su teora de la
Relatividad Especial, Einstein demostr que el momento lineal de los
fotones estaba relacionado con su energa mediante la siguiente relacin:
E
p= ,
(1.12)
c
siendo c la velocidad de la luz. Como la energa del fotn es E = h,
encontramos que
h
h
,
(1.13)
p=
=
c
momento del fotn
donde se ha tenido en cuenta que la frecuencia de la onda, , est

relacionada con su longitud de onda, , mediante = c.
E JEMPLO 1.2 Una radiacin luminosa de = 2000 e intensidad I = 3 mW/m 2
incide sobre un metal de Cu cuya funcin trabajo es e = 1 eV. Calcule (a) el
nmero de fotones por unidad de tiempo y rea que llegan al metal; (b) el momento de cada uno de los fotones; y (c) la energa cintica de los fotoelectrones
emitidos.
(a) Para calcular el nmero de fotones por unidad de tiempo y rea debemos aplicar la expresin (1.11), para lo cual debemos obtener primero
la frecuencia, , de la radiacin:
=
c
3 108
=
= 1,5 1015 Hz ,
2 107
por lo que la energa, E, de cada fotn ser

E = h = 6,63 10 34 1,5 1015 9,95 10 19 J = 6,21 eV .
La aplicacin de (1.11) nos dice que
Nf =
I
3 103
fotones
=
3,017 10 15
.
E
m2 s
9,95 10 19
(b) El momento del fotn puede calcularse a partir de

p=
h
6,63 10 34
=
3,31 10 27 kgm/s
2 107
(c) Finalmente la energa cintica de los fotoelectrones emitidos, de acuerdo a la expresin (1.10), vendr dada por
Ec = h e = 6,21 eV 1 eV = 5,21 eV .
FLML
Apuntes de CF
10
1.3.
Dualidad de la radiacin
A la vista de la discusin presentada en el anterior apartado, nos

encontramos con que existen dos concepciones distintas de la radiacin electromagntica:
Onda electromagntica (OEM)
La visin clsica de la radiacin interpreta que sta es una onda
de modo que su energa y momento se distribuye continuamente en el frente de ondas. Segn hemos visto, la intensidad de la
onda, I, puede relacionarse con la amplitud del campo elctrico,
E0 , mediante
1
I = 0 cE02 .
2
Fotones
Segn la interpretacin de Einstein, la radiacin electromagntica puede considerarse como un conjunto discreto de paquetes
de energa E = h, de modo que la intensidad de la radiacin,
de acuerdo con (1.11), puede escribirse como
I = N f h .
Segn la visin clsica, la intensidad de la onda depende del valor
de la amplitud del campo elctrico y segn la interpretacin fotnica, del nmero de fotones. En consecuencia, podemos observar que el
nmero de fotones debe ser proporcional al cuadrado de la amplitud
del campo elctrico,
(1.14)
N f E02 ,
donde debemos interpretar esta densidad de fotones, N f , en trminos puramente probabilsticos. Este hecho nos permite establecer un
punto comn de relacin entre las visiones clsica y fotnica de la radiacin y establecer, en general, que
el cuadrado de la amplitud del campo elctrico de la onda electromagntica, E02 (r, t), es proporcional a la probabilidad de localizar en un instante t a los fotones en un
dV centrado en el punto r.
Desde el punto de vista del modelo fotnico, el campo elctrico
de la onda electromagntica juega el papel de una funcin matemtica que determina la probabilidad de encontrar a los fotones en un
determinado punto e instante. En aquellos puntos donde el campo
elctrico tenga un valor alto de amplitud ser, por tanto, ms probable encontrar fotones que all donde la amplitud presente un valor
bajo. En la prctica, la conveniencia de usar uno de los dos modelos
(OEM/fotones) vendr determinada por la relacin entre la cantidad
Apuntes de CF
FLML
1.4. Modelo atmico de Bohr
11
de energa de los fotones y la energa puesta en juego en la posible

interaccin. Si la energa en la interaccin, E, es del orden de la energa de los fotones, h, entonces se debe usar el modelo fotnico. Por el
contrario, si E h (esto es, si en la interaccin intervienen muchos
fotones conjuntamente), el modelo ondulatorio ser ms apropiado.

En este apartado discutiremos el modelo que propuso N. Bohr en
1913 para el tomo de hidrgeno. Este modelo fue propuesto como
consecuencia de los problemas que presentaba el modelo nuclear de
Rutherford (este modelo se supone conocido por el alumno). En concreto, Rutherford propuso un modelo planetario del tomo compuesto por un sistema de cargas globalmente neutro donde supuso
que exista un ncleo de carga positiva muy pequeo y muy msico
rodeado de cargas negativas (electrones) de muy poca masa orbitando continuamente a su alrededor. Este modelo, muy vlido en cuanto
a la idea de un tomo formado por un ncleo y electrones a su alrededor, presentaba dos problemas fundamentales:
1.
2.
Inestabilidad del tomo.

Segn la teora clsica del Electromagnetismo, una carga acelerada radia y como los electrones orbitando en torno al ncleo
describen un movimiento acelerado, estos electrones deban estar radiando. Si estos electrones radian energa, esto significa que
deban estar perdiendo energa cintica de forma continua, lo
que a su vez implica que tras un breve lapso de tiempo los electrones deberan colapsar en el ncleo. Este razonamiento clsico conduce inevitablemente a un tomo inestable con todos los
electrones atrapados en el ncleo, en abierta contradiccin con
las suposiciones iniciales de un ncleo de carga positiva en torno
al cual los electrones orbitan de forma estable.
Emisin de un espectro continuo.

Segn el razonamiento clsico anterior, la radiacin emitida por
el tomo deba ser continua, puesto que la supuesta prdida de
energa cintica del electrn en forma de radiacin electromagntica se realizara de forma continua. Esta suposicin es de nuevo contraria al hecho experimental de que las sustancias formadas por elementos puros emiten un espectro discreto.
Basado en el modelo de Rutherford e incorporando la concepcin

fotnica de la radiacin propuesta por Einstein, Bohr propuso un sorprendente modelo para el tomo de hidrgeno (el tomo ms simple
de la naturaleza, compuesto nicamente por dos cargas: una positiva
en el ncleo protn y otra negativa electrn orbitando a su alrededor) basado en los siguientes tres postulados:
FLML
Apuntes de CF
12
1.
En vez de las infinitas rbitas, con cualquier valor de radio, que

son permitidas por la Fsica Clsica, los electrones pueden tomar
nicamente aquellas rbitas en las que se verifique que el mdulo de su momento angular, L (L = r p, por lo que L = m e vr
siendo m e = 9,1 1031 kg la masa del electrn, v el mdulo de
la velocidad y r el valor del radio), sea un mltiplo de h :
L = m e vr = nh
Ei
n = 1, 2, 3, . . .
(1.15)
2.
Un electrn en una de las rbitas anteriores no emite radiacin

electromagntica. Estas rbitas corresponden por tanto a estados estacionarios, es decir, estados en los que la energa del tomo es constante en el tiempo.
3.
Si un electrn est inicialmente en una rbita de energa Ei y

transita hacia una rbita de menor energa E f , se emite radiacin
electromagntica (un fotn) de frecuencia
hn
Ef
Ei E f
.
h
(1.16)
Consecuencias del modelo de Bohr

Los postulados propuestos por Bohr conducen a las siguientes consecuencias:
Fc
Radio de las rbitas permitidas

Para un electrn que est situado en una rbita estacionaria de
radio r debe cumplirse que los mdulos de la fuerza centrfuga,
Fc , y la de atraccin electrosttica del ncleo, Fe , se compensen,
esto es,
(1.17)
Fc = Fe ,
o equivalentemente
m e v2
e2
=
.
r
40 r2
Fe
(1.18)
Si tenemos en cuenta la expresin (1.15), podemos escribir
e2
me n2 h 2
=
,
r m2e r2
40 r2
(1.19)
de donde obtenemos finalmente, al despejar el radio, que

rn = n2 r0 = r0 , 4r0 , 9r0 , . . .
Radio de las orbitas

estacionarias del hidrgeno
siendo
r0 =
Apuntes de CF
40 h 2
0,53
e2 m e
(1.20)
(1.21)
FLML
13
(1 = 1010 m).
El electrn en el tomo de hidrgeno slo puede tomar aquellas
rbitas discretas cuyos radios verifiquen (1.20). Dado que la menor rbita que puede tomar el electrn en el tomo de hidrgeno
es r0 , este dato podra ser considerado como el tamao de dicho tomo. Comprobaciones experimentales demuestran que r 0
coincide muy aproximadamente con el tamao medido para el
radio de los tomos de hidrgeno.
Cuantizacin de la energa del tomo de H
En una rbita estacionaria, y que por tanto verifica (1.18), debe
cumplirse que
e2
.
(1.22)
m e v2 =
40 r
La energa, E, del electrn en una rbita estacionaria (y, en consecuencia, en un estado estacionario) ser la suma de su energa
cintica, Ec , ms la energa potencial electrosttica, E p , debido al
efecto de carga positiva del ncleo, esto es,
E = Ec + E p =
1
1 e2
m e v2
,
2
40 r
expresin que puede reescribirse, teniendo en cuenta (1.22), como

1 1 e2
.
(1.23)
E=
2 40 r
Dado que el radio de la rbita est cuantizado (rn = n2 r0 ), la
energa del estado estacionario lo estar igualmente. En consecuencia la energa del estado estacionario caracterizado por el
nmero cuntico n puede escribirse como
E0
E0
E0
En = 2 = E0 , , , . . . ,
n
4
9
(1.24)
donde E0 es la energa del estado elemental del tomo de hidrgeno (n = 1), que viene dada por
e2
e4 m e
= 2 2 13,6 eV .
E0 =
80 r0
80 h
Energa de los estados estacionarios del H
n=
n=3
n=2
E = 0
n=1
E1= -E0
E2= -E0 /4
(1.25)
Los posibles estados de energa con n > 1 se conocen como estados excitados. El hecho de que la energa de los distintos estados
sea negativa debe entenderse en el sentido de que hay que proporcionar energa para sacar al electrn de esos estados, esto
es, el electrn est ligado al tomo de hidrgeno por esa cantidad de energa. En este sentido, podemos decir que la energa de
ionizacin del tomo de hidrgeno es de 13.6 eV; es decir, hay que
dar al menos esa energa al tomo de H en su estado fundamental para poder extraerle el electrn.
FLML
Apuntes de CF
14
Espectro del hidrgeno

Teniendo en cuenta la hiptesis (1.16) junto con la expresin (1.24)
obtenida anteriormente, la frecuencia de la radiacin emitida en
la transicin de un electrn desde un estado caracterizado por n i
hasta otro estado de menor energa caracterizado por n f vendra
dada por
E
E

20 + 20
ni
nf
1
E0
1
=
2 ,
(1.26)
=
h
h n2f
ni
o equivalentemente, teniendo en cuenta que = c,

1
E0
1
1
=
2 ,
hc n2f
ni
(1.27)
donde E0 /hc 1,0974 107 m1 . Esta expresin terica, obtenida nicamente a partir de las hiptesis de Bohr, coincide plenamente con la frmula emprica de RydbergRitz (1.1). Si admitimos que esta sorprendente y total coincidencia no es mera casualidad debemos entonces admitir que el modelo de Bohr
proporciona un marco terico novedoso, muy original y consistente para entender el espectro del tomo de hidrgeno. Podemos afirmar, por tanto, que el espectro discreto del H es fruto de
la cuantizacin de los estados energticos de este tomo2 y de la naturaleza fotnica de la radiacin.
Es interesante notar finalmente que, aunque el modelo atmico de
Bohr proporcion un marco terico muy satisfactorio que pudo explicar las caractersticas esenciales del tomo de hidrgeno, cuando este
mismo modelo se intento aplicar a tomos con ms de un electrn no
result tan eficaz. Por ejemplo, este modelo no pudo explicar el valor
de la energa de ionizacin ni el espectro discreto del tomo de helio (el tomo de helio consta ya de dos protones en el ncleo y dos
electrones orbitando). Este hecho debe interpretarse en el sentido de
que, aunque el modelo de Bohr supuso un avance fundamental en la
comprensin del tomo, era un modelo simple que no tena en cuenta
algunas de las propiedades ms caractersticas (todava por descubrir)
de las partculas cunticas. Los apartados siguientes explorarn algunas de estas propiedades.
E JEMPLO 1.3 Un tomo de H es excitado de manera que al volver a su estado fundamental (de mnima energa) emite una radiacin de frecuencia =
3,023 10 15 Hz. Calcule el nmero cuntico del estado excitado as como su
radio.
2 Un
experimento muy relevante, llevado a cabo en 1914 por J. Frank y G. Hertz,

demostr empricamente que la cuantizacin de los estados energticos es una caracterstica comn de todos los tomos.
Apuntes de CF
FLML
1.5. Dualidad de la materia
15
Supuesto que En sea la energa del estado excitado de nmero cuntico

n, sabemos que la energa, E, puesta en juego en la transicin ser
E = En E0 = h ,
por lo que
En = E + E0 = h + E0
= 4,135 10 15 eVs 3,023 10 15 s1 13,6eV = 1,55 eV .

Para calcular el nmero cuntico, debemos tener en cuenta que
En =
por lo que

n=
E0
=
En
E0
,
n2

13,6
=3.
1,55
El electrn fue excitado hasta el estado de nmero cuntico n = 3.

Segn el modelo de Bohr, el radio de la rbita del electrn en este estado
ser
r3 = 9r0 4,77 .

1.5.1. Hiptesis de De Broglie
En 1924, L. de Broglie, suponiendo la existencia de una simetra
interna en la naturaleza, sugiri que el carcter dual onda/corpsculo
exhibido por los fotones era igualmente aplicable a todas las partculas
materiales. En concreto la hiptesis de L. de Broglie fue
El movimiento de una partcula material viene determinado por las propiedades ondulatorias de propagacin
de una onda piloto cuya longitud de onda, , y frecuencia, , estn asociadas con el momento lineal, p, y
la energa, E, de la partcula segn
=
=
h
p
E
h
o bien
p = h k
(1.28)
o bien
E = h .
(1.29)
Relaciones de de Broglie
Debe notarse que en la onda piloto asociada a las partculas NO SE

CUMPLE que = c/ (esto slo era vlido en ondas electromagnticas/fotones en el espacio libre). Este hecho podemos relacionarlo con
FLML
Para una partcula = c/
Apuntes de CF
16
la expresin de la energa de una partcula libre3 , E, proporcionada

por la Relatividad Especial,
E2 = m20 c4 + p2 c2 ,
(1.30)
donde m 0 es la masa en reposo de la partcula material ntese que

para los fotones, cuya masa en reposo es nula, m 0 = 0, la expresin
anterior se reduce a (1.12). Puede comprobarse que al sustituir (1.28)
y (1.29) en (1.30) encontramos una relacin entre la y la de la onda
piloto ms complicada que la que existe para ondas electromagnticas.
En el caso de partculas libres cuya velocidad, v, sea mucho menor
que la velocidad de la luz (v2 c2 ), el Apndice B muestra que la
energa cintica de dicha partcula puede expresarse como
Ec =
p2
,
2m0
(1.31)
por lo que el momento y la longitud de onda de la partcula puede

expresarse como

(1.32)
p = 2m0 Ec = mv .
y
=
h
.
2m0 Ec
(1.33)
Es interesante resaltar que, debido al pequeo valor de la constante de Planck, los fenmenos tpicamente ondulatorios de interferencia
y/o difraccin de las partculas macroscpicas son prcticamente imposibles de detectar. Dado que la longitud de onda de estas partculas
macroscpicas es mucho menor que las distancia tpicas en el mbito macroscpico, podemos ignorar el carcter ondulatorio de estas
partculas.
E JEMPLO 1.4 Calcular la longitud de onda asociada a (1) una pelota de tenis de
m = 50g y v = 40m/s; y (b) un electrn sometido a un potencial de aceleracin
V = 100V.
(1) En este caso, el momento lineal es
p = mv = 0,05 40 = 2 kgm/s
y la longitud de onda ser
=
h
6,6 10 34
=
3,3 10 34 m .
p
2
Como puede observarse, la longitud de onda asociada a la pelota de tenis es muchsimo ms pequea que el tamao de un tomo de H. Esta es
tan pequea que es totalmente indetectable por cualquier dispositivo experimental. Una posible manera de aumentar esta es hacer que la masa de la
3 partcula
Apuntes de CF
sobre la que no se ejercen fuerzas externas
FLML
17
partcula sea muy pequea, en la prctica del orden de la masa de las partculas elementales (electrones, protones, ....)
(2) Si el electrn est sometido a cierto potencial de aceleracin, V, entonces,
supuesto que parte del reposo, la energa cintica que adquiere ser justamente la energa potencial elctrica que pierde la partcula cargada, esto es,
Ec = eV = 100 eV .
La longitud de onda asociada a esta partcula ser entonces
=
h
6,6 10 34
=
1,2 .
2 9,1 10 31 1,6 10 19 100
2m e eV
Esta longitud de onda es muy pequea pero al menos es del orden del tamao de los tomos.
1.5.2. Verificacin experimental

Antes de describir el experimento que verific el carcter ondulatorio de interferencia y/o difraccin las partculas materiales, debemos notar que para que un fenmeno ondulatorio sea observable
es necesario que las dimensiones de los objetos con los que interacta
la onda sean del orden de la longitud de onda. Segn ha mostrado el
Ejemplo 1.4, la longitud de onda de las partculas elementales puede
ser del orden de , por lo que se necesitara que su onda piloto interactuase con objetos de esas dimensiones. Un posible objeto que
presenta estas dimensiones son los planos atmicos de un monocristal
que estn separados precisamente distancias del orden de .
Basado en lo anterior, Davisson y Germer verificaron experimentalmente en 1927 el comportamiento ondulatorio de los electrones usando un dispositivo experimental cuyo esquema se muestra en la Fig. 1.1a.
En este experimento, un monocristal es bombardeado con electrones
a)
b)
q
f
q
eDetector
f
Monocristal
Detalle de reflexin
en monocristal
F IGURA 1.1: Experimento de Davisson y Germer
acelerados por un potencial elctrico V. Estos electrones, previamente emitidos por una resistencia incandescente, adquieren una energa
FLML
Apuntes de CF
18
cintica dada por

Ec = eV .
(1.34)
Si los electrones se comportasen como partculas, entonces, tras chocar con el monocristral, rebotaran tal y como lo haran pelotas de tenis que chocasen contra una piedra, esto es, saldran rebotados en todas direcciones sin que haya direcciones privilegiadas. Adems, este
efecto sera independiente de la energa cintica de las partculas, esto es, del potencial de aceleracin V. No obstante, si los electrones se
comportasen como ondas, entonces los electrones dispersados lo haran mayoritariamente en aquellas direcciones privilegiadas para las
que exista interferencia constructiva.
(1)
q
(2)
Admitiendo que los electrones presentan un comportamiento ondulatorio, la onda incidente se reflejar en cada uno de los planos atmicos (ver detalle en Fig. 1.1b), existiendo una interferencia constructiva de las ondas reflejadas en planos paralelos consecutivos si se cumple la condicin de Bragg, esto es, si la diferencia de camino entre los
rayos (1) y (2) es justamente un mltiplo de la longitud de onda:
2d sen = n .
diferencia de
camino
(1.35)
Supuesta vlida la hiptesis de de Broglie, la longitud de onda, , de

los electrones que inciden en el monocristal ser
=
h
h
,
=
p
2me eV
(1.36)
lo que implicara que el detector mostrara unos mximos de dispersin para los ngulos n relacionados con los n (2n + n = ) que
verificasen
h
.
(1.37)
sen n = n
2d 2me eV
El experimento de Davisson y Germer demostr que esta suposicin
terica estaba en excelente acuerdo con la experiencia, confirmando
fehacientemente que los electrones (y por ende, todas las partculas
materiales) presentaban un carcter ondulatorio.
E JEMPLO 1.5 En un dispositivo experimental como el del experimento de Davisson y Germer, los electrones son acelerados por un potencial V antes de incidir
sobre un monocristal de Ni cuya distancia entre planos atmicos es de 0.91.
Si el detector se sita en un ngulo = 40 o , calcule el valor del potencial de
aceleracin para el cual se detecta en ese ngulo el mximo de dispersin de
primer orden.
Dado que 2 + = 180o , el ngulo relacionado con la posicin del
detector ser
180o 40o
= 70o .
=
2
Apuntes de CF
FLML
19
El mximo de dispersin de primer orden ocurre cuando n = 1, esto es, para

un ngulo 1 que verifica
sen 1 =
,
2d 2m e eV
o equivalentemente para un potencial de aceleracin, V, dado por

V=
1.5.3.
h2
8d2 sen2 1 me e
(6,6 10 34 )2
51,1 V .
8 (0,91 10 10 )2 (0,9397) 2 9,1 10 31 1,6 10 19
Naturaleza de la onda
En el Apartado 1.3 se discuti que la relacin existente entre la interpretacin ondulatoria y la corpuscular de la radiacin electromagntica poda hacerse mediante la interpretacin que se le daba al campo elctrico en un punto como una medida de la probabilidad de encontrar a los fotones en cierto instante en el entorno de dicho punto.
En este sentido, en 1926 Max Born extendi esta interpretacin probabilstica igualmente al caso de las partculas materiales. Segn la
interpretacin de Born, lo que se est propagando en forma de onda
(asociado al movimiento de las partculas) no es algo material sino
una magnitud representada matemticamente por (r, t), que se conoce como funcin de onda y que posee el siguiente significado fsico:
Si en un instante t se realiza una medida para localizar

a la partcula asociada a la funcin de onda (r, t), la
probabilidad P(r, t)dV de encontrar a la partcula en un
dV centrado en r viene dado por
P(r, t)dV = |(r, t)|2 dV .
(1.38)
Dado que la partcula evidentemente debe encontrarse en algn punto

del espacio, la probabilidad de encontrar a dicha partcula en algn
punto del espacio debe ser la unidad, por lo que debemos imponer la
siguiente condicin:

|(r, t)|2 dV = 1 ,
(1.39)
todo el
espacio
que se conoce como condicin de normalizacin.

FLML
Apuntes de CF
20
Analicemos dos casos de inters:

Partcula libre
Dado que sobre una partcula libre no se ejercen fuerzas externas, esta partcula no debe encontrarse en ciertos sitios con ms
probabilidad que en otros. En consecuencia, la probabilidad de
encontrarla en alguna posicin no debe depender de dicha posicin. Por otra parte, una partcula libre tiene perfectamente definido su energa, E, y su momento, p, por lo que de acuerdo a las
relaciones de de Broglie (p = h k y E = h ), su nmero de ondas
y frecuencia estn igualmente definidas y, por tanto, es razonable suponer que su funcin de onda asociada pueda venir dada
por
(1.40)
( x, t) = Aej( p/h) x e j( E/h)t .
Partcula localizada
Si una partcula est localizada existir entonces ms probabilidad de encontrarla en algunos sitios que en otros. Consecuentemente P( x, t) debe depender de la posicin, lo cual se puede
conseguir si su funcin de onda asociada, ( x, t), viene dada por
un grupo de ondas, por lo que podr expresarse como
( x, t) =
k0 +k
k0 k
A(k)e jkx e j (k)t dk .
(1.41)
En este caso, la velocidad de la partcula vendr determinada

por la velocidad del grupo de ondas, esto es,
vg =
d
1 dE
.
=
dk
h dk
(1.42)
Es interesante resaltar que la funcin de onda, , no es una magnitud estadstica, en el sentido de que describa el comportamiento de
un colectivo muy numeroso de partculas que se manifiestan simultneamente, sino que es una propiedad intrnseca de cada partcula,
independiente del colectivo 4 . En este sentido, la interpretacin probabilstica de Born nos impone una restriccin al conocimiento que podemos tener sobre la partcula, es decir, todo lo que nos puede dar la
Fsica Cuntica sobre la posicin de una partcula es una informacin
4 Cuando
decimos que la probabilidad de sacar cara al lanzar una moneda es de

1/2, estamos diciendo que al lanzar un colectivo numeroso de monedas al aire, muy
aproximadamente la mitad de ellas ser cara y la otra mitad cruz. Al aplicar esa propiedad a un elemento del colectivo, le estamos atribuyendo a ste las propiedades que
en realidad slo posee el colectivo. De hecho, en principio, si supisemos con exactitud las condiciones que determinan el lanzamiento de una moneda (su posicin y
momento iniciales), podramos determinar con precisin el resultado de este evento. Esto NO es lo que ocurre con las partculas cunticas sino que cada una de ellas
individualmente presenta un comportamiento que slo puede conocerse en forma
probabilstica
Apuntes de CF
FLML
1.6. Principio de Heisenberg
21
probabilstica acerca del posible resultado de una medida. Podemos

ver que este hecho dota a nuestro conocimiento sobre la partcula de
cierta incertidumbre, hecho que ser discutido con ms profundidad
en el apartado siguiente.

Si una cuerda es agitada de forma peridica, tal como muestra la
figura adjunta, y nos planteamos la pregunta de dnde est la onda?,
entonces parece razonable responder que la onda est distribuida en
toda la cuerda. No obstante, si la pregunta es cul es la longitud de
onda?, entonces la respuesta puede ser ms precisa. No obstante, si
en vez de agitar la cuerda peridicamente simplemente se ha agitado
una vez de modo que se ha generado un pulso que viaja por la cuerda,
ahora la pregunta de dnde est la onda? podra ser respondida con
cierta precisin mientras que a la pregunta cul es la longitud de onda? no encontraramos una respuesta precisa. Esta discusin pone de
manifiesto que, en este fenmeno ondulatorio, una determinacin precisa de la longitud de onda hara ms imprecisa la determinacin de la
posicin, y viceversa. Un estudio ms riguroso, basado en el anlisis
de Fourier, nos permitira establecer que la imprecisin o incertidumbre en la determinacin simultnea de los valores de la posicin y la
longitud de onda es algo inherente a todo fenmeno ondulatorio.
1.6.1.
posicin/momento
Si tenemos en cuenta que todo fenmeno ondulatorio estar afectado intrnsecamente por la anterior incertidumbre en la medida de
su posicin y longitud de onda y lo relacionamos ahora con la existencia de la dualidad onda/corpsculo tanto para la radiacin como para
la materia, parece entonces razonable prever la existencia de incertidumbre en la determinacin de ciertas magnitudes fsicas en cualquier
fenmeno natural. En este sentido, en 1927 W. Heisenberg postul el
siguiente principio para la medida de la posicin y el momento de una
partcula:
En un experimento NO es posible determinar simultneamente y con toda precisin una componente del momento de una partcula, por ejemplo p x , y la posicin
de la coordenada correspondiente x. Si representa la
incertidumbre en la medida, encontraremos que
px x h .
FLML
(1.43)
Apuntes de CF
Relacin de incertidumbre para

la posicin y el momento
22
Dpx
q
Una manera de ver que la dualidad onda/corpsculo de la materia est intrnsecamente relacionada con el anterior principio de incertidumbre puede obtenerse a partir de la determinacin de la posicin
de una partcula hacindola pasar por una rendija de anchura x (sta sera justamente la incertidumbre en su posicin). Al pasar por la
rendija, la partcula sufrira difraccin debido a su carcter ondulatorio. El estudio de la difraccin de una onda plana que incide normal a
la rendija muestra que, para la configuracin mostrada en la figura, el
primer mnimo de difraccin se produce para un ngulo tal que
Dx
sen =
.
x
(1.44)
Dado que la partcula llegar a algn punto comprendido entre los

dos mnimos mostrados en la figura, podemos ver que el mximo de
incertidumbre de la componente x del momento ser
px = p sen ,
(1.45)
donde p es el mdulo del momento de la partcula, que no habr cambiado al atravesar sta la rendija. Teniendo ahora en cuenta la relacin
de de Broglie (1.28) y las dos expresiones anteriores, podemos escribir
h
x
(1.46)
px x = h .
(1.47)
px =
y finalmente
Notemos que el simple anlisis anterior, basado en el carcter ondulatorio de la partcula, nos ha conducido a una expresin que relaciona
las incertidumbres de la posicin y el momento, siendo adems congruente con (1.43).
El principio de incertidumbre puede tambin relacionarse con la
existencia de un mnimo de accin, h, descrito en el Apartado 1.2.1.
Debe tenerse en cuenta que cualquier descripcin de un fenmeno requiere cierta interaccin con dicho fenmeno. Debido a la existencia
de un mnimo de accin, esta interaccin no puede hacerse infinitesimal, por lo que la correspondiente descripcin siempre estar sujeta a
cierta incertidumbre.
Es importante destacar tres puntos con respecto al principio de incertidumbre:
Apuntes de CF
1.
La existencia de incertidumbre no se debe a deficiencias en la

calidad de los aparatos de medida. Incluso con aparatos ideales
seguira existiendo una incertidumbre en la medida determinada por (1.43).
2.
El principio de incertidumbre no prohbe una medida exacta de

la posicin o el momento. Ahora bien, una medida exacta en la
posicin (esto es, x 0) implica una incertidumbre total en la
medida del momento, p x , y viceversa.
FLML
3.
23
La desigualdad (1.43) debe considerarse como algo intrnseco y

fundamental del comportamiento de la naturaleza.
Consecuencias del principio de incertidumbre

posicin/momento
Una consecuencia relevante del principio de incertidumbre es que,
en un sentido estricto, no podemos seguir hablando de trayectorias de
las partculas. Notemos que la existencia de una trayectoria definida
es simplemente la informacin simultnea y precisa acerca de las posiciones y las velocidades (momento) de cierta partcula. Dado que
la simultaneidad y precisin de ambas magnitudes no est permitida
por (1.43), debemos admitir que el concepto de trayectoria debe ser
revisado y usado con mucha prudencia. No obstante, debemos tener
en cuenta que ms relevante que la incertidumbre absoluta en s es la
incertidumbre relativa, esto es, el cociente entre la incertidumbre y el
valor de la magnitud. Veamos este hecho con el siguiente ejemplo.
E JEMPLO 1.6 Calcule la incertidumbre relativa en la determinacin del momento para el movimiento de (1) la Luna en su rbita alrededor de la Tierra y (2) el
electrn en el tomo de hidrgeno.
La Luna
Sabiendo que la masa de la Luna es m 6 10 22 kg, que su velocidad
media es v 103 m/s y que su posicin se determina con una incertidumbre de x 10 6m (con una incertidumbre tan pequea, p x se
maximiza), la incertidumbre en el momento vendr dada por
p x
h
1028 kgm/s .
x
Puesto que el momento puede calcularse como

p x = mv 1025 kgm/s ,
la incertidumbre relativa ser aproximadamente
p x
1028
1053 .
px
1025
La incertidumbre relativa para el momento, incluso intentando maximixarla, es tremendamente pequea; tanto que en la prctica sera totalmente indetectable. Consecuentemente, para el caso de la Luna en
su rbita alrededor de la Tierra, el concepto de trayectoria es aplicable.
Electrn en tomo de hidrgeno
Con el fin de obtener el mnimo de imprecisin en el momento, supongamos que la imprecisin en la determinacin de x es mxima, es
decir, que slo sepamos que el electrn est dentro del tomo. Dado que el tamao del tomo vena dado por r0 , entonces diremos que
x r0 1010 m y, por tanto,
p x
FLML
h
1024 kgm/s .
x
Apuntes de CF
24

Ntese que la incertidumbre absoluta en el momento es mayor para el
electrn que para la Luna. Para calcular p, tengamos en cuenta que la
energa cintica, Ec , del electrn en la rbita fundamental ser
Ec = E0 /2 7eV 1,12 10 18 J ,
por lo que

p = 2m e Ec 2 9,3 10 31 1,12 10 18 2 1024 kgm/s .

La incertidumbre relativa en el momento ser entonces
p x
1024
0,5 ,
px
2 1024
esto es, una incertidumbre relativa muy importante, lo que indica claramente que no podramos hablar de la trayectoria del electrn en el
tomo de H.
Otra consecuencia importante del principio de incertidumbre es

que no existe reposo para las partculas localizadas. Supongamos una partcula que est localizada en cierta regin 0 x a. Ciertamente, la
mxima incertidumbre en la localizacin de esta partcula es
(x )max = a ,
y, en consecuencia, la mnima incertidumbre en el momento ser
(px )min =
h
.
a
Teniendo en cuenta que el mnimo valor del momento, p min , debe ser
del orden del mnimo valor de su incertidumbre, entonces tenemos
que
pmin (px )min ,
por lo que la energa cintica mnima de la partcula tomar el valor
( Ec )min =
p2min
h2
,
2m
2ma2
(1.48)
esto es, una partcula localizada no puede estar en reposo (con energa
cintica nula).
1.6.2. Principio de incertidumbre energa-tiempo

Al igual que existe un principio de incertidumbre para la posicin
y el momento, podemos encontrar un principio de incertidumbre para
la energa y el tiempo. Este principio puede enunciarse como sigue
energa-tiempo
E t h ,
(1.49)
donde E debe entenderse como la incertidumbre energtica asociada

a la energa puesta en juego en cierta transicin y t como el intervalo
de tiempo que tarda el sistema en realizar dicha transicin.
Apuntes de CF
FLML
25
El principio de incertidumbre energatiempo puede tambin interpretarse diciendo que una determinacin de la energa de un sistema que presente una incertidumbre, E, debe tomar al menos un
intervalo de tiempo
h
.
t
E
Anlogamente, si un sistema permanece en cierto estado durante un
tiempo no mayor que t, la energa en ese estado presentar una incertidumbre de al menos
h
.
E
t
Cuando hablamos de la incertidumbre en la energa de cierto estado
debe entenderse que nos referimos a la incertidumbre en la energa
puesta en juego en la transicin a otro estado de referencia, usualmente el estado fundamental.
E JEMPLO 1.7 Se sabe que el tiempo de vida media, , de cierto estado atmico
es de 100 s. Determine (1) la incertidumbre en la energa de dicho estado y (2)
la incertidumbre en la longitud de onda de la radiacin emitida en la transicin
hacia el estado fundamental, sabiendo que en sta se emite una radiacin de
= 100 nm.
1.
El tiempo de vida media es una medida del tiempo que tarda en realizarse cierta transicin, por lo que podemos identificar t . La incertidumbre en la energa puesta en juego en la transicin ser entonces
E
2.
h
1,009 10 34
1020 J 6,25 10 2 eV .
t
104
En la transicin hacia el estado fundamental se emitir un fotn de

energa E = h, cuya incertidumbre E corresponde a la calculada
anteriormente. La longitud de onda de la radiacin emitida ser
=
hc
,
E
por lo que la incertidumbre en la longitud de onda, , vendr dada

por

d
hc
2
= E = 2 E =
E
dE
hc
E
(100 10 9 )2
1020 5 .
6,6 10 34 3 108
En este caso la incertidumbre relativa en la longitud de onda es bastante pequea
0,5 nm
=
= 0,005 .
100 nm
FLML
Apuntes de CF
26
1.7. Problemas propuestos

1.1: La longitud de onda, max , para la cual la radiancia espectral de un cuerpo negro
es mxima viene dada por la ley de Wien, que establece
max T = 2,898 103 mK ,
donde T es la temperatura absoluta del cuerpo negro. Sabiendo que la temperatura
de la superficie del Sol es aproximadamente 5800 K, (a) calcular la longitud de onda
de la radiacin ms intensa emitida por el Sol. (b) A qu parte del espectro pertenece
esta radiacin?
Sol. max 500 nm (espectro visible).
1.2: Si el ojo humano empieza a detectar luz amarilla de longitud de onda 5890 a
partir de una potencia de 3,1 1016 W, Cul es el nmero mnimo de fotones que
deben incidir en el ojo para la luz amarilla se vea?.
Sol. 923 fotones.
1.3: Una superficie de potasio se encuentra a 75 cm de distancia de una bombilla de
100 W. Suponiendo que el rendimiento luminoso de la bombilla es del 5 % y que cada
tomo de potasio presenta una superficie efectiva equivalente a un crculo de 1 de
dimetro, calcule el tiempo requerido por cada tomo para absorber una energa igual
a la de su funcin trabajo (e = 2,0 eV), de acuerdo con la interpretacin ondulatoria
de la luz.
Sol. t = 57,6 s
1.4: Una radiacin de 2,5 1015 Hz incide sobre una superficie metlica cuya frecuencia umbral es de 9 1014 Hz. Calcular la velocidad de los fotoelectrones emitidos. Qu ocurrira si la radiacin incidente fuese de 8,5 10 14 Hz?.
Sol. v = 1,52 106 m/s.
1.5: (a) Calcular la longitud de onda mxima de la luz que har funcionar una clula
fotoelctrica dotada de un ctodo de tungsteno sabiendo que los fotoelectrones poseen una energa cintica de 5.5 eV cuando son arrancados por una luz de = 1200 .
(b) Si esta radiacin de = 1200 e intensidad I = 2,5 W/m2 incide sobre la clula
fotoelctrica de 30 mm2 de superficie, siendo el rendimiento cuntico del 20 %, cul
sera la intensidad, i, de la corriente elctrica producida?.
Sol. (a) max = 2570 ; (b) i = 1,45 A.
1.6: Para una radiacin de 1500 que incide sobre una superficie de aluminio que
tiene una funcin trabajo de 4.2 eV, calcule (a) La energa cintica mxima de los fotoelectrones emitidos; (b) el potencial de frenado; (c) la frecuencia de corte del aluminio.
Sol. (a) 4.09 eV; (b) 4.09 V; (c) 1,01 1015 Hz.
1.7: Se emite un haz de fotones mediante una transicin electrnica entre los niveles
E2 = 8 eV y E1 = 2 eV. Este haz luminoso de potencia P = 10 W incide sobre un metal cuyo trabajo de extraccin es e = 2,5 eV, originando la emisin de electrones por
efecto fotoelctrico con rendimiento = 0,8 (nmero de electrones emitidos/nmero
de fotones incidentes). Calcular: (a) la energa, frecuencia y cantidad de movimiento
de los fotones; (b) la energa cintica de los fotoelectrones; y (c) el nmero de ellos
que son emitidos por segundo.
Sol. (a) = 1,45 1015 Hz; (b) p = 3,2 1027 kgm/s; (c) Ec = 3,5 eV; N = 8 1012 .
1.8: Se consideran los rayos X producidos debidos a la transicin de los niveles E 2 =
6,33KeV y E1 = 2KeV. Determinar: (a) la frecuencia de dichos fotones; (b) la potencia
emitida (en mW) cuando el nmero de transiciones por segundo es N = 10 14 s1 ;
y (c) la distancia (en ) entre dos planos reticulares contiguos de un monocristal,
sabiendo que la reflexin de primer orden de esta radiacin se produce con un ngulo
de = 450 .
Sol. (a) = 1,05 1018 Hz; (b) P = 69 mW; (c) d = 2,02 .
Apuntes de CF
FLML
27
1.9: Se ilumina con luz de 280 nm la superficie de una aleacin metlica rodeada de
oxgeno. A medida que la superficie se oxida, el potencial de frenado cambia de 1.3
a 0.7 eV. Determinar qu cambios se producen en: (a) la energa cintica mxima de
los electrones emitidos por la superficie; (b) la funcin de trabajo; (c) la frecuencia
umbral; y (d) la constante de Planck.
Sol. (a) Ec disminuye en 0,6 eV; (b) e aumenta en 0.6 eV; (c) 0 aumenta en 1,46
1014 Hz; (d) h no vara.
1.10: Experimentalmente se observa que no todos los fotones que chocan contra la
superficie metlica son capaces de extraer un fotoelectrn. En un experimento, luz
de longitud de onda 4366 ilumina una superficie de sodio de funcin trabajo 2.5
eV dando lugar a una emisin de 8,3 103 C/J. Cuntos fotones se requieren para
emitir un fotoelectrn?.
Sol. 365 fotones.
1.11: Suponer un tomo de hidrgeno en el estado n = 2 y un electrn en rbita
circular. Determinar: (a) el radio de la rbita; (a) la energa potencial elctrica; (a) la
energa cintica; y (a) le energa total del electrn en esa rbita.
Sol. (a) r = 2,12; (b) E p = 6,79 eV; (c) Ec = 3,39 eV; (d) E = 3,39 eV.
1.12: Cul es el mnimo potencial de aceleracin capaz de excitar un electrn para
sacar un tomo de Hidrgeno de su estado fundamental?
Sol. Va = 10,2 V.
1.13: En una transicin a un estado de energa de excitacin de 10.19 eV, un tomo de
hidrgeno emite un fotn cuya longitud de onda es de 4890 . Determinar la energa
del estado inicial del que proviene la desexcitacin y los nmeros cunticos de los
niveles energticos inicial y final. A qu transicin corresponde?.
Sol. 4 2.
1.14: Cul es el mayor estado que pueden alcanzar tomos no excitados de hidrgeno cuando son bombardeados con electrones de 13.2 eV?
Sol. n = 5.
1.15: Si la vida promedio de un estado excitado del hidrgeno es del orden de 10 8 s,
estimar cuntas revoluciones da un electrn cuando se encuentra inicialmente a) en el
estado n = 2 y b) en el estado n = 15, antes de experimentar una transicin al estado
fundamental. c) Comparar estos resultados con el nmero de revoluciones que ha
dado la Tierra en sus dos mil millones de aos existencia.
Sol.: a) 8,22 106 rbitas; b) 1,95 104 .
1.16: Calcular la energa, el momento lineal y la longitud de onda del fotn que es
emitido cuando un tomo de hidrgeno sufre una transicin desde el estado 3 al
estado fundamental.
Sol.: E = 12,07 eV, p = 6,44 1027 kgm/s, = 1030 .
1.17: Para transiciones en tomos de hidrgeno correspondientes a n = 1, demuestre que para valores muy grandes de n, la energa de la transicin
viene dada
por
E = 2 (me c2 /n3 ), siendo una constante adimensional, = 2

valor numrico es 1/137.
1 e2
40 hc
, cuyo
1.18: Compare la frecuencia de revolucin en el tomo de hidrgeno con la frecuencia del fotn emitido en una transicin para la que n = 1 cuando los estados iniciales
son a) n = 10, b) n = 100 y c) n = 1000.
Sol.: A medida que n aumenta ambos valores se aproximan.
1.19: Un haz de partculas (q=+2e), que es acelerado mediante una diferencia de
potencial de 10 V, incide sobre un cristal de NaCl (d = 2,82 ). Cul es el mximo
orden de la reflexin de Bragg que puede ser observada?.
Sol.: n max = 125.
FLML
Apuntes de CF
28

1.20: Si un haz monocromtico de neutrones (mn = 1,67 1027 kg) incide sobre un
cristal de berilio cuyo espaciado entre planos atmicos es de 0,732 , cul ser el
ngulo entre el haz incidente y los planos atmicos que d lugar a un haz monocromtico de neutrones de longitud de onda 0,1 ?.
Sol.: 3,9o .
1.21: El lmite de resolucin de un aparato es del mismo orden de magnitud que
la longitud de onda usada para ver los objetos bajo estudio. Para un microscopio
electrnico que opera a 60000 V, cul es el tamao mnimo del objeto que puede ser
observado con este microscopio?.
Sol.: d 0,05.
1.22: Un electrn, un neutrn y un fotn tienen la misma longitud de onda, = 1 .
Calcule y compare la frecuencia y energa de cada cual.
Sol. electrn: = 3,64 1016 Hz, E = 151 eV; neutrn: = 1,98 1013 Hz, E =
8,2 102 eV; fotn: = 3 1018 Hz, E = 1,24 104 eV.
1.23: Cul es la incertidumbre en la posicin de un fotn de longitud de onda 3000
, si su longitud de onda se conoce con una precisin de una parte en un milln?
Sol. x 50 mm.
1.24: La posicin de una partcula se mide al paso de sta por una ranura de anchura
d. Hallar la correspondiente incertidumbre en el momento de la partcula.
Sol. p x h/x.
1.25: Cul sera la incertidumbre en la posicin de un electrn que ha sido acelerado
mediante una diferencia de potencial V = 1000 0,1?.
1.26: Si el ancho de energa de un estado excitado de un sistema es de 1.1 eV. (a) Cul
es el promedio de duracin en ese estado?; (b) Si el nivel de energa de excitacin del
estado del sistema fuera de 1.6 keV, cul es la mnima incertidumbre en la longitud
de onda del fotn emitido cuando el estado excitado decaiga?
Sol. (b) 5 103 .
1.27: La ley de conservacin de la energa slo puede verificarse dentro de los lmites
de la incertidumbre de la medida, E. Consecuentemente esta ley podra ser violada
si el intervalo de tiempo es suficientemente corto. Durante qu mximo intervalo de
tiempo puede violarse la conservacin de la energa de un sistema en (a) el doble de la
energa correspondiente a un electrn en reposo, mc 2 (lo que corresponde a un fotn
que produce espontneamente un par electrnpositrn); (b) el doble de la energa
asociada a la masa en reposo de un protn ?.
Sol. (a) 1,27 1021 s.
1.28: Un tomo emite fotones de luz verde, = 5200 durante un intervalo =
2 1010 s. Estime la dispersin, , en la longitud de onda de la luz emitida.
Sol. 7,17 1013 m.
Constantes: c = 3 108 m/s, 1 eV=1,6 1019 J; h = 6,6 1034 Js = 4,1 1015 eVs;
me = 9,1 1031 kg.
Apuntes de CF
FLML
Captulo 2
Ecuacin de Schrdinger.
Aplicaciones
2.1. Ecuacin de Schrdinger
La primera formulacin que se realiz de la teora cuntica aport
una visin novedosa y revolucionara de multitud de fenmenos. No
obstante, esta teora presentaba una seria de inconvenientes, entre los
que cabe destacar lo siguiente:
Slo era aplicable a sistemas peridicos.
No explicaba las diferentes probabilidades de transicin entre
distintos niveles energticos.
No explicaba el espectro de los tomos multielectrnicos.
Asignaba trayectorias a los electrones, lo cual es incompatible
con el principio de incertidumbre.
Bsicamente, lo que faltaba era una teora unificadora que diera cuenta de los diversos fenmenos cunticos, a saber: dualidad onda/corpsculo de la radiacin/materia, principio de incertidumbre, naturaleza
probabilstica de los fenmenos, etc.
Tal como ya se apunt en el Apartado 1.5.3, la descripcin de los
fenmenos cunticos se realizar a travs de una funcin de onda,
(r, t), que describe completamente el estado de un sistema dado. A
partir de esta funcin de onda se podrn obtener los valores medios
de las distintas magnitudes observables asociadas al sistema as como
la probabilidad de encontrar a las partculas en distintos puntos del
espacio. Puede, por tanto, concluirse que
el problema central de la teora cuntica es la determinacin de la funcin de onda (r, t).

29
30
Captulo 2. Ecuacin de Schrdinger. Aplicaciones
En 1925, E. Schrdinger plante como un postulado la ecuacin diferencial que permite calcular la funcin de onda, (r, t), cuando se
conoce la energa potencial, E p (r, t) (o a menudo simplemente potencial), de la que derivan las interacciones que actan sobre el sistema.
Para el caso de un sistema monodimensional, la ecuacin de Schrdinger para la funcin de onda ( x, t) es
Ecuacin de Schrdinger para
un sistema monodimensional
h 2 2
.
+ E p ( x, t) = jh
2
2m x
t
(2.1)
Es interesante notar que la solucin de esta ecuacin ser, en general,

una funcin compleja debido a la aparicin de la unidad imaginaria, j,
en el segundo miembro. Esto implica que el uso de funciones complejas no ser un recurso matemtico (tal como se hace, por ejemplo, en el
estudio de corriente alterna y en las ondas en Fsica Clsica) sino que,
por el contrario, forma parte esencial de la propia teora.
La funcin de onda ( x, t) debe cumplir las siguientes condiciones:
Tanto ( x, t) como su derivada espacial deben ser funciones
continuas, finitas y monoevaluadas.
De acuerdo a la expresin (1.39), debe cumplirse la siguiente
condicin de normalizacin (ver Apndice C):

|( x, t)| dx =
2
( x, t)( x, t) dx = 1 ,
(2.2)
que nos dice que la probabilidad de encontrar a la partcula en

algn punto x debe ser igual a la unidad (es decir, la partcula
debe estar en algn sitio).
A partir de la expresin (1.38), podemos establecer que
probabilidad de encontrar a la
,
partcula en el instante t
( x, t)( x, t)dx =
entre x y x + dx
(2.3)
por lo que el valor esperado1 en una posible medicin de la posicin de

la partcula vendr dado por
x =
x dx
(2.4)
(en analoga con la expresin (C.5) del Apndice C). Para cualquier
otra magnitud, f ( x ), que sea funcin de x, su valor esperado podr
calcularse mediante
f ( x ) =
f ( x ) dx .
(2.5)
1 En el contexto de la Fsica Cuntica, el valor esperado es el promedio de los valores

de una serie de medidas repetidas sobre un conjunto de sistemas idnticamente preparados. No es el promedio de los valores de una serie de medidas repetidas sobre
un nico y mismo sistema
Apuntes de CF
FLML
2.1. Ecuacin de Schrdinger
31
Estados estacionarios
Existen multitud de situaciones en las cuales la energa potencial,
E p , del sistema no depende del tiempo sino nicamente de la posicin
de los distintos componentes del sistema, en cuyo caso tendremos que
E p = E p ( x ) (por ejemplo, la energa potencial electrosttica)2 . Para
estas situaciones encontramos que la funcin de onda puede escribirse
como el producto de dos funciones ( x ) y g(t), de modo que ( x, t) =
( x ) g(t). Al sustituir esta forma de la funcin de onda en la ecuacin
(2.1), obtenemos que

h 2
d2 ( x )
dg(t)
g(t)
,
+ g(t) E p ( x )( x ) = jh ( x )
2m
dx2
dt
que tras dividir ambos miembros por ( x ) g(t) queda como

1
h 2 d2 ( x )
1
dg(t)
.
+
E
(
x
)
(
x
)
=
j
h
p
( x )
2m dx2
g(t)
dt
(2.6)
Notemos que la nica posibilidad de que los dos miembros de la ecuacin anterior sean iguales consiste en que ambos sean idnticos a una
constante que denominaremos E de momento. Al igualar cada uno de
los miembros de (2.6) a dicha constante obtenemos las dos siguientes
ecuaciones diferenciales ordinarias acopladas:
h 2 d2 ( x )
+ E p ( x )( x ) = E( x )
2m dx2
jE
dg(t)
= g(t) .
dt
h
(2.7a)
(2.7b)
Es fcil comprobar que la solucin a la ecuacin (2.7b) viene dada por

la funcin
(2.8)
g(t) = e j( E/h)t .
Notemos que el factor E/h tiene unidades de inverso de tiempo (o,
lo que es lo mismo, de frecuencia), por lo que la constante E tendr
unidades de h por frecuencia, es decir, julios. En consecuencia dicha
constante puede identificarse con la energa del sistema.
Es importante destacar que la situacin anterior en la que la energa potencial no dependa del tiempo da lugar a estados estacionarios,
esto es, a situaciones que no varan con el tiempo. Para comprobar este hecho basta notar que, teniendo en cuenta (2.8), la funcin de onda
puede escribirse como
( x, t) = ( x )e jEt/h ,
(2.9)
2 Recurdese que en el marco de la Fsica Clsica, estos sistemas reciban el nombre
de sistemas conservativos, en los cuales la fuerza que acta sobre el sistema se calcula
a partir del gradiente de la energa potencial, esto es,
F(x) =
FLML
dE p ( x )
.
dx
Apuntes de CF
32
que da lugar a una densidad de probabilidad
|( x, t)|2 = ( x, t)( x, t)
= ( x )e+ jEt/h ( x )e jEt/h = |( x )|2
(2.10)
que NO depende del tiempo. En estos estados estados estacionarios la

energa debe conservarse, viniendo sta dada precisamente por la variable E de las ecuaciones (2.7a) y (2.7b).
En lo que sigue, se tratarn nicamente situaciones estacionarias,
por tanto, la funcin de onda ( x ) y la energa del sistema, E, se obtendr resolviendo la ecuacin (2.7a) , esto es,
Ecuacin de Schrdinger
independiente del tiempo
h 2 d2 ( x )
+ E p ( x )( x ) = E( x )
2m dx2
(2.11)
que se conoce como ecuacin de Schrdinger independiente del tiempo.

Evidentemente la resolucin de esta ecuacin requiere el conocimiento del potencial, E p ( x ), del sistema.
2.2. Partcula ligada. Cuantizacin

Una vez establecida la ecuacin que rige el comportamiento de los
sistema estacionarios, procederemos la resolucin de algunas situaciones relevantes. Empezaremos tratando la partcula libre para luego
abordar el problema de la partcula en un pozo tanto monodimensional como tridimensional.
2.2.1. Partcula Libre

Para una partcula libre (esto es, una partcula sobre la que no actan fuerzas externas), la energa potencial no depende de la posicin,
pudindose tomar su valor de referencia como nulo. La ecuacin a resolver ser, por tanto,
h 2 d2 ( x )
= E( x ) ,
2m dx2
(2.12)
que puede reescribirse, al redefinir

k2 =
2mE
(2.13)
h 2 k2
,
2m
(2.14)
h 2
o equivalentemente
E = h =
como
Apuntes de CF
d2 ( x )
+ k2 ( x ) = 0 .
dx2
(2.15)
FLML
33
La solucin de esta ecuacin puede escribirse como

( x ) = Aejkx ,
(donde k juega el papel de un nmero de ondas) por lo que la funcin
de onda vendr dada por
( x, t) = Aej(kx Et/h) .
(2.16)
Si tenemos en cuenta las relaciones de de Broglie (E = h , p = h k), podemos comprobar que la solucin de la ecuacin de Schrdinger para
una partcula libre coincide con la expresin obtenida previamente en
(1.40) mediante razonamientos puramente heursticos.
Si en la expresin de la energa de la partcula libre,
E = p2 /2m ,
sustituimos el valor de E y p por sus equivalentes segn de Broglie,
obtenemos que
h 2 k2
,
h =
2m
expresin que es idntica a (2.14), confirmando as la congruencia de
la presente formulacin con las hiptesis de de Broglie.
2.2.2.
Pozo potencial infinito monodimensional
Existen muchas situaciones prcticas en las cuales una partcula

es completamente libre excepto en los contornos (o paredes) de un
recinto donde una fuerza infinita evita que la partcula salga de este
recinto. Para el caso monodimensional de un recinto limitado por 0
x a, la energa potencial de dicho sistema vendr dada por

0, si 0 x a
(2.17)
E p ( x) =
, en otro caso.
En el caso de una partcula cuntica sometida a este tipo de potencial, debe cumplirse que la probabilidad de encontrar la partcula
fuera del pozo sea nula, esto es,
( x ) = 0
0>x>a.
Ep(x)
x
x=0
x=a
(2.18)
En el interior del pozo de potencial, dado que la partcula no esta afectada por fuerza alguna, la funcin de onda ser la solucin de
d2 ( x )
+ k2 ( x ) = 0 ,
dx2
siendo
k=
FLML
2mE
,
h
(2.19)
(2.20)
Apuntes de CF
34
el nmero de ondas asociado. La solucin general de la ecuacin (2.19)

puede expresarse como
( x ) = Ae+ jkx + Be jkx ,
donde A y B sern dos constantes que se determinarn de acuerdo
a las condiciones del problema. En concreto, al aplicar la condicin
(2.18) al extremo x = 0, esto es (0) = 0, obtendremos que
A + B = 0,
por lo que
B = A .
Esta condicin hace que la funcin ( x ) pueda escribirse como

( x ) = A e+ jkx e jkx = C sen kx ,
donde C = 2jA. Al imponer ahora la condicin (2.18) en el extremo
x = a, es decir: ( a) = 0, tenemos que
sen ka = 0
ka = n ,
esto es,
,
n = 1, 2, 3, . . .
(2.21)
a
Es interesante notar que la condicin de contorno en x = a no ha
fijado el valor de la constante C sino ms bien el de la variable k y de
aqu que los posibles valores de la energa, teniendo en cuenta (2.20),
vengan dados por
kn = n
Energa de la partcula en un
pozo monodimensional
En =
h 2 k2n
h 2 2
= n2
= n2 E0 , n 1 .
2m
2ma2
(2.22)
La expresin anterior nos dice que la energa de una partcula cuntica en un pozo monodimensional de paredes infinitas no puede tomar
cualquier valor sino solamente ciertos valores permitidos, esto es, la
energa esta cuantizada. El estado n = 1 se denomina estado fundamental, siendo su valor de energa E0 . Los estados con n > 1 se denominan estados excitados.
El valor de la constante C se determina al imponer la siguiente
condicin de normalizacin (2.2):
a
0
|C |2 sen2 (kx ) dx = |C |2
a
= 1,
2
luego
|C |2 =
2
.
a
Dentro del pozo, las diferentes soluciones de la funcin de onda son

entonces

n
2
sen
x ,
(2.23)
n ( x ) =
a
a
donde el numero n se denomina nmero cuntico y define el estado
de la partcula en el pozo monodimensional.
Es interesante notar que el estado de mnima energa de la partcula en el pozo viene dado por E0 , lo que significa que el valor de
Apuntes de CF
FLML
y(x)
n=1
35
|y(x)|2
n=2
n=3
x=0
x=a
x=0
x=a
F IGURA 2.1: Aspecto de las funciones de onda y funciones densidad de probabilidad

para distintos nmeros cunticos
mnima energa no es nulo. Este sorprendente hecho ya fue expuesto en el Apartado 1.6.1 como una posible consecuencia del principio
de incertidumbre posicin/momento. En concreto, la expresin (1.48)
estableca que la energa de la partcula en el pozo deba ser
h2
.
2ma2
Este hecho muestra de nuevo que la formulacin basada en la ecuacin de Schrdinger es congruente con el principio de Heisenberg.
E
El conjunto de funciones de onda {n ( x )} presenta una serie de

propiedades interesantes:
La funcin de onda n ( x ) pasa n 1 veces por cero, esto es, presenta n 1 nodos.
Son funciones pares o impares con respecto al centro del pozo
A medida que el nmero de nodos aumenta, crece el valor de la
energa del estado
E JEMPLO 2.1 Calcule la longitud de onda mnima del fotn que debiera ser absorbido para que un electrn situado en el estado fundamental de un pozo monodimensional de paredes infinitas de anchura a = 2 transite hasta el tercer
estado excitado.
Si la energa del electrn en el estado fundamental en el pozo es
E0 =
FLML
(1,05 10 34 )2 2
h 2 2
=
= 1,49 10 18 J = 9,34 eV ,
2m e a2
2 9,1 10 31 (2 1010 )2
Apuntes de CF
36

y la energa en el tercer estado excitado (n = 4) es, segn (2.22),
E4 = 16E0 = 149,4 eV ,
la energa, E, necesaria para realizar la transicin del estado 1 4 vendr
dada por
E = (42 12 ) E0 = 15E0 = 2,23 10 17 J .
Teniendo ahora en cuenta que la energa de un fotn es E = hc/, la
longitud de onda mnima, min , de un fotn capaz de producir la transicin
anterior al ser absorbido ser
min =
2.2.3.
z
c
a
x
hc
6,6 10 34 3 108
=
= 8,86 nm .
15E0
2,23 10 17
Pozo de potencial tridimensional
Considrese una situacin en la que una partcula cuntica est

confinada en cierta regin del espacio (por ejemplo, un paraleleppedo) de la que no puede salir. Dicha situacin podra estar relacionada
con la ausencia de fuerzas en el interior de la regin y una fuerza infinita en las paredes impenetrables. Este caso, que podra describir la
situacin de un electrn libre en un slido, estara caracterizado por la
siguiente energa potencial:

0, si 0 < x < a, 0 < y < b, 0 < z < c
(2.24)
E p ( x, y, z) =
, en otra parte .
Para resolver la ecuacin de Schrdinger en este sistema (y as encontrar las funciones de onda y las energas de la partcula), debemos
tener en cuenta que ahora la energa potencial depende de las tres
variables espaciales x, y y z, es decir, nos enfrentamos a un problema
tridimensional. Este hecho implica que la ecuacin de Schrdinger debe
ser extendida al caso tridimensional. Dado que las funciones de onda
dependern de las tres variables espaciales, = ( x, y, z), la ecuacin
de Schrdinger debe incluir derivadas parciales con respecto a cada
una de estas variables, por lo que la extensin de la ecuacin (2.11) al
caso 3D tendra la siguiente forma:

h 2 2 2 2
+ 2 + 2 + E p ( x, y, z) = E ,
(2.25)
2m x2
y
z
o bien usando el operador 2 2 /x2 + 2 /y2 + 2 /z2 ,
h 2 2
+ E p ( x, y, z) = E .
(2.26)
2m
Si ahora tenemos en cuenta la forma de la energa potencial dada en
(2.24), la ecuacin anterior puede reescribirse como
2 2 2
+ 2 + 2 + k2 = 0
x2
y
z
0 < x < a,
Apuntes de CF
0 < y < b,
(2.27)
0<z<c,
FLML
37
donde, de nuevo, k viene dado por (2.20). La ecuacin anterior puede

resolverse por el mtodo de separacin de variables, el cual supone que
la funcin de onda, ( x, y, z), puede expresarse como el producto de
tres funciones, cada una de las cuales depende nicamente de una de
las variables espaciales, esto es,
( x, y, z) = X ( x )Y (y) Z (z) .
Al introducir esta solucin en (2.27), obtenemos el siguiente conjunto
de ecuaciones:
d2 X
+ k2x X = 0 ,
dx2
d2 Y
+ k2y Y = 0 ,
dy2
d2 Z
+ k2z Z = 0
dz2
X ( x) = 0
para
0xa
(2.28a)
Y (y) = 0
para
0yb
(2.28b)
Z (z) = 0
para
0zc
(2.28c)
donde
k2x + k2y + k2z = k2 =
2mE
.
(2.29)
h 2
Ntese que cada una de las ecuaciones (2.28a)(2.28c) es equivalente a
la ecuacin (2.19) ya resuelta para el caso del pozo monodimensional.
Consecuentemente, la solucin del presente vendr dada por
kx = nx
, ky = ny , kz = nz ,
a
b
c
(2.30)
estando la funcin de onda de la partcula (esto es, cada estado del

sistema) determinada por tres nmeros cunticos, (n x , ny , nz ) [n =
1, 2, 3, . . . ] segn

n
8
y
x
z
sen
x sen
y sen
z . (2.31)
n x ny nz ( x, y, z) =
abc
a
b
c
Teniendo en cuenta (2.30) y (2.29), los valores de energa de cada estado vienen finalmente dados por

n2y
h 2 2 n2x
n2z
h 2 k2
.
(2.32)
+
+
=
En x n y n z =
2m
a2
b2
c2
2m
Funcin densidad de estados
z
Una situacin prctica interesante se presenta cuando el pozo de

potencial es cbico, es decir, a = b = c L. En este caso, cada estado del sistema viene determinado de nuevo por la terna de nmeros
cunticos (n x , ny , nz ), pudindose escribir la energa de cada estado
como
En x n y n z
FLML

h 2 2
2
2
2
2
2
2
=
+
n
+
n
=
+
n
+
n
n
n
x
y
z
x
y
z E0 ,
2mL2
(2.33)
x
Apuntes de CF
38
donde
E0 =
h 2 2
.
2mL2
(2.34)
Segn muestra la expresin (2.33), los valores de la energa muestran degeneracin, esto es, existen distintos estados (o, lo que es lo mismo, estados caracterizados por ternas distintas de nmeros cunticos)
que presentan el mismo valor de la energa. Para ver esto en ms detalle considrese la siguiente tabla:
14E0
12E0
11E0
9E0
6E0
3E0
Energa
Terna de nmeros cunticos
Degeneracin ( g)
3E0
6E0
9E0
11E0
12E0
(1, 1, 1)
(2, 1, 1), (1, 2, 1), (1, 1, 2)
(2, 2, 1) , (2, 1, 2), (1, 2, 2)
(3, 1, 1), (1, 3, 1), (1, 1, 3)
(2, 2, 2)
(1, 2, 3), (1, 3, 2), (2, 1, 3)
(2, 3, 1), (3, 1, 2), (3, 2, 1)
1
3
3
3
1
14E0
Cubo microscpico
Cubo macroscpico
donde podemos ver que, por ejemplo, seis estados distintos presentan
idntico valor de energa, E = 14E0 .
Pozo de potencial de dimensiones macroscpicas
En el caso de que la partcula (por ejemplo, un electrn) est en el interior de un pozo cuyas dimensiones sean macroscpicas, por ejemplo:
L 1cm, la mnima diferencia energtica entre los distintos estados,
E E0 , se hace extremadamente pequea:
E =
(1034 )2 10
h 2 2
1033 J 1014 eV .
2mL2
1030 (102 )2
Este valor tan diminuto para E hace que, a efectos prcticos, podamos despreciar el hecho de que el espectro de energa est cuantizado
y consideremos a la energa, E, como una variable continua ms bien
que discreta. En consecuencia, incluso en un intervalo infinitesimal de
energa, dE, existirn muchos estados distintos. En esta situacin es
conveniente introducir el concepto de funcin densidad de estados,
g( E). Esta funcin mide la densidad energtica de estados, es decir,
nmero de estados cuyos valores
.
g( E)dE =
de energa estn comprendidos en el
intervalo entre E y E + dE
Una manera directa de obtener la funcin densidad de estados requiere el clculo, en primer lugar, del nmero de estados, N ( E), cuyas
energas son menores o iguales que E:
N ( E) = Nmero de estados cuya energa E .
Apuntes de CF
FLML
2.3. Efecto tnel
39
Para llevar a cabo el clculo anterior, considrese la siguiente construccin en la que cada punto, de coordenadas (n x , ny , nz ), representa
un estado cuntico distinto (ntese que n 1, por lo que los puntos
slo aparecen en el octante mostrado). La distancia, R, desde el origen
a cada uno de los puntos viene dada por
R2 = n2x + n2y + n2z ,
o equivalentemente, teniendo en cuenta la expresin de la energa dada por (2.33),
1
E 2
.
(2.35)
R=
E0
El nmero de estados con energas menores o iguales que E puede, por
tanto, calcularse muy aproximadamente como el nmero de puntos
cuya distancia al origen es menor que R( E), esto es
N ( E) =
1
8
Volumen esfera de radio R( E) =
E
E0
Volumen de cada cubito elemental 1
por lo que
N ( E) =
1 4
E3/2
[ R( E)]3 =
.
8 3
6 E03/2
(2.36)
Una vez calculado N ( E), el nmero de estados comprendido entre E

y E + dE vendr dado simplemente por dN ( E) = g( E)dE, esto es,
dN =
4Eo3/2
E1/2 dE ,
(2.37)
de donde podemos deducir que la funcin densidad de estados, g( E),

ser
g( E) = CE1/2 ,
(2.38)
g(E)
donde la constante C suele expresarse como

C=
4Eo3/2
4V (2m3 )1/2
V (2m)3/2
=
,
h3
4h3 2
(2.39)
siendo V = L 3 el volumen de la regin macroscpica donde se encuentra la partcula. Este importante resultado ser ampliamente usado en posteriores temas cuando se estudien electrones libres en slidos.
2.3. Efecto tnel

En el apartado 2.2.2 se obtuvo la funcin de onda para el caso de un
pozo de potencial monodimensional de paredes infinitas. En ese caso,
la funcin de onda fue fcil de obtener debido a que las condiciones
de contorno forzaban que ( x ) fuese nula en los extremos del pozo.
FLML
Apuntes de CF
40
Una pequea modificacin de este problema ilustrar un fenmeno

cuntico que es de fundamental importancia en muchos dispositivos
de estado slido: el efecto tnel cuntico de un electrn a travs de
una barrera de potencial de anchura y altura finita.
Ep(x)
w
V0
x=L
y(x)
Considrese una partcula sometida a la barrera de potencial de

anchura w y altura V0 mostrada en la figura adjunta y cuya energa total sea menor que la altura de la barrera (E < V0 ). En el presente caso,
la condicin de contorno no impone ahora que la funcin de onda tenga que anularse en el borde de la barrera (x = L), por lo que ( x = L)
tomar un valor distinto de cero. Teniendo en cuenta la propiedad de
continuidad para la funcin de onda y su derivada, podemos deducir
que ( x ) tampoco ser nula en el interior de la barrera ni a su derecha.
Dado que ( x ) no se anula para x > L + W (y, por tanto, tampoco lo
hace |( x )|2 ), existir cierta probabilidad de encontrar al electrn ms
all de la barrera. Aunque La presencia del electrn en estos lugares
parece indicar que el electrn haya saltado la barrera de potencial
(no podra hacerlo dado que tiene una energa insuficiente para ello),
debemos interpretar este resultado considerando ms bien que la partcula ha atravesado la barrera de algn modo. Este efecto, que podra visualizarse como un tunelamiento a travs de la barrera, es un
fenmeno puramente cuntico que no tiene ninguna analoga en la Fsica Clsica, donde obviamente una partcula no puede saltar una
barrera de potencial a no ser que tenga suficiente energa para ello (E
debe ser mayor que V0 ). Debe notarse que la amplitud de la funcin
de onda ms all de la barrera decrecer a medida que la anchura y
la altura de la barrera aumentan, de modo que para una barrera de
potencial infinitamente alta se recuperaran los resultados del pozo
infinito.
2.4. tomos hidrogenoides

2.4.1.
Nmeros cunticos
Tal como ya se ha descrito, una de las caractersticas ms importantes de la ecuacin de Schrdinger es que es consistente con muchos de
los postulados de la Fsica Cuntica, hacindose stos explcitos cuando se resuelve matemticamente la ecuacin. Esto ha sido observado,
por ejemplo, en la cuantizacin de los niveles energticos para la partcula en un pozo de potencial. En este sentido, podremos esperar que
la aplicacin de la ecuacin de Schrdinger a la resolucin del tomo
de Hidrgeno reproduzca algunos de los postulados de Bohr, adems
de proporcionar informacin adicional que permita explicar algunos
de los resultados que el modelo de Bohr no poda.
Para resolver la ecuacin de Schrdinger para un tomo hidrogenoide (esto es, aqul compuesto de un ncleo en reposo con una carga positiva Ze y un electrn de carga e orbitando en torno a dicho
Apuntes de CF
FLML
41
ncleo) debemos obtener, en primer lugar, la energa potencial del sistema. Dado que el sistema que estamos estudiando es un conjunto de
partculas cargadas, la energa potencial del sistema debe dar cuenta
de la atraccin electrosttica existente entre el ncleo y el electrn (es
fcil comprobar que la interaccin gravitatoria es totalmente despreciable respecto a la electrosttica), por lo que encontramos que
E p (r ) =
1 Ze2
.
40 r
Ep(r)
r
(2.40)
Dado que el potencial, E p , no depende explcitamente del tiempo, la

ecuacin que habra que resolver para la parte espacial de la funcin
de onda, (r) sera
h 2 2
1 Ze2
= E .

2m
40 r
(2.41)
Afortunadamente esta ecuacin puede resolverse de forma analtica

(sin necesidad de mtodos numricos), aunque es una tarea de cierta complejidad matemtica que no ser expuesta aqu en detalle. Para
resolver (2.41) se aplicara de nuevo el mtodo de separacin de variables, tal y como ya se us en la resolucin de (2.26), aunque ahora
debido a la simetra esfrica del potencial, la separacin de variables se
realiza en coordenadas esfricas, esto es,
(r) = (r, , ) = R(r )()( ) .

Tras laboriosos clculos matemticos se obtiene que la funcin de onda depende de tres nmeros cunticos (al igual que ocurra con la partcula en el pozo tridimensional), que en este caso se denominan: n, l
y m l . En consecuencia, el estado del sistema, determinado por
n,l,ml (r, , ) ,
q
r
x
estar descrito por esta terna de nmeros cunticos. La resolucin de

(2.41) nos proporcionara adems el siguiente significado para estos
tres nmeros cunticos:
Nmero cuntico principal n,
Este nmero cuntico puede tomar los valores naturales
n = 1, 2, 3, . . . .
(2.42)
Est relacionado con R(r ), la parte radial de la funcin de

onda.
En principio, el valor de la energa del estado depende nicamente de este nmero cuntico. El resultado que se obtiene es
13,6
(2.43)
En = 2 Z2 (eV) .
n
Este resultado es idntico al obtenido por el modelo de Bohr,
aunque ahora se ha obtenido como un resultado matemtico fruto de la resolucin de la ecuacin de Schrdinger.
FLML
Apuntes de CF
42
El valor ms probable del radio en el que se puede localizar al electrn aumenta al incrementarse n. Esto sugiere la
existencia de capas en el tomo.
Nmero cuntico orbital l,
Los valores que puede tomar este nmero cuntico son
l = 0, 1, 2, . . . , n 1 .
(2.44)
Est relacionado con la parte azimutal de la funcin de onda, ( ).
Mdulo momento angular orbital
Determina el valor del mdulo del momento angular orbital

(L), esto es, de la resolucin de (2.41) se obtiene que

(2.45)
L = l (l + 1) h .
Es interesante notar que si l 1, el valor de L coincide
con el proporcionado por el modelo de Bohr (L = nh)
ver expresin (1.15), lo que nos dice que el resultado del
modelo de Bohr era una aproximacin de L para valores
altos del nmero cuntico l.
En funcin del valor nmero de l se usa la siguiente denominacin:
l
0
s
1
p
2
d
3
f
...
...
Nmero cuntico magntico, ml

Puede tomar los siguientes valores enteros
ml = 0, 1, 2, . . . , l .
(2.46)
Est relacionado con la parte angular () de la funcin de

onda.
Determina la orientacin del momento angular L cuando se
introduce una direccin privilegiada (por ejemplo, mediante un campo magntico B). Si esta direccin privilegiada
est dirigida, por ejemplo, segn el eje z, encontramos que
Lz = ml h .
(2.47)
En presencia de un campo magntico, la aparicin de este nmero cuntico da lugar al efecto Zeeman. Este efecto
consiste en que cada raya espectral en ausencia de campo
magntico se desdobla en tres si B = 0. Un anlisis semiclsico muestra que la energa del sistema en presencia de
un campo magntico no slo depende del nmero cuntico
principal n sino que tambin aparece una energa potencial,
E p,m , de origen magntico que viene dada por
E p,m = ml B B ,
Apuntes de CF
(2.48)
FLML
43
donde B = eh /2m es una constante que se conoce como

magnetn de Bohr y su valor es
B = 9,27 1024 Am .
La energa del estado descrito por la terna de nmeros cunticos (n, l, m l ) ser por tanto
E = En + m l B B .
(2.49)
Esta ltima expresin indica que, en ausencia de campo

magntico (B = 0), un estado con nmero cuntico l presenta una degeneracin en la energa de 2l + 1; es decir,
existen 2l + 1 estados (debido a los distintos valores de m l )
con el mismo valor de energa. As se tiene que
estado l
degeneracin
s
1
p
3
d
5
f
7
...
...
Cada uno de los estados degenerados anteriores se desdoblar en 2l + 1 estados en presencia de un campo magntico. La aparicin de estos nuevos valores de la energa hace
que aparezcan ms rayas espectrales, de modo que cuando
se tienen en cuenta las reglas de seleccin (reglas que nos dicen que las nicas transiciones entre estados permitidas son
aquellas que verifican l = 1, ml = 0, 1), cada una de
las rayas espectrales originales (cuando B = 0) se desdobla
en tres.
E JEMPLO 2.2 Obtenga el valor del campo magntico aplicado a un gas de hidrgeno si existe una variacin mnima de 120 en la raya espectral correspondiente a la transicin 3 2.
La frmula de Rydberg-Ritz, expresin (1.1), nos dice que la longitud de
onda correspondiente a una transicin con n = 3 y m = 2 es

1
1
1
= 1,0968 10 7
= = 6562,9 .
22
32
Si tenemos en cuenta que la energa debida a la emisin de fotones de longitud de onda es
hc
,
E=
la variacin en la longitud de onda, , con respecto a la energa vendr

dada por

2
d
E = E ,
=

dE
hc
de donde deducimos que
E =
FLML
hc
6,6 10 34 3 108
=
1,2 10 8 = 5,5 10 21 J .
2
(6,57 10 7 )2
Apuntes de CF
44

Considerando ahora, segn (2.49), que la variacin mnima en la energa
debido a la presencia de un campo magntico de mdulo B viene dada por
E = B B ,
al igualar las dos expresiones anteriores obtenemos que
B=
2.4.2.
E
5,5 10 21
=
= 593,8 T .
B
9,27 10 24
Spin del electrn
Aunque la aplicacin de la ecuacin de Schrdinger al tomo de

hidrgeno justific muchos de los fenmenos asociados a dicho tomo, todava existan algunos fenmenos que no pudieron ser explicados satisfactoriamente. Uno de estos fenmenos fue la estructura fina
del hidrgeno, que consiste en que cada una de las rayas espectrales de
este elemento (en ausencia de campo magntico) en realidad estaba
compuesta de dos rayas muy prximas. Esto indicaba que la energa
de los diferentes estados del tomo no slo dependan del nmero
cuntico principal sino tambin de otro nmero cuntico no descrito por la ecuacin de Schrdinger. Para solventar este problema se
postul la existencia de un momento angular intrnseco, S, llamado
momento de spin. Esta nueva magnitud es una propiedad puramente
cuntica, en el sentido de que no existe ninguna magnitud clsica anloga3 . Similarmente a lo que suceda con el momento angular orbital,
L, el mdulo y la orientacin del momento angular de spin, S, podan
relacionarse con dos nuevos nmeros cunticos s y m s segn

(2.50)
S = s(s + 1) h ; s = 1/2
Sz = ms h
ms = 1/2 .
(2.51)
Dado que el nmero cuntico s slo toma un nico valor, no tiene

sentido considerarlo como un nmero cuntico adicional y por ello el
cuarto nmero cuntico que define el estado del tomo de hidrgeno
ser el m s . El estado queda, por tanto, completamente determinado
por la cuaterna de nmeros cunticos: n, l, m l , ms .
Un estudio ms profundo de este tema nos mostrara que el spin
del electrn juega un papel fundamental en la explicacin de algunos
fenmenos tan destacados como
Las fuerzas que intervienen en los enlaces covalente y metlico,
Las propiedades magnticas de los distintos materiales. Este hecho puede justificarse debido a que, asociado al momento angular de spin (S), existe un momento dipolar magntico de spin
3 La introduccin del spin del electrn slo pudo ser justificado posteriormente por
Dirac en el marco de la teora cuntica relativista
Apuntes de CF
FLML
2.5. Tabla peridica
45
dado por
e
S,
(2.52)
m
que es, por ejemplo, responsable del origen del campo magntico natural que presentan ciertos materiales (imanes, ferritas,
etc...).
pm,s =
2.5. Tabla peridica

La teora de Schrdinger ms el postulado sobre el spin proporciona igualmente una justificacin terica a la disposicin de los distintos
elementos en la Tabla Peridica. Esta justificacin proviene del estudio
de los tomos multielectrnicos, y dado que este estudio excede los
objetivos del presente tema, aqu optaremos por llevar a cabo un tratamiento eminentemente cualitativo que hace uso de aproximaciones
muy simplificadoras. Una de las aproximaciones ms fructferas es la
descripcin de la funcin de onda de un tomo multielectrnico mediante funciones de onda de partculas aisladas; esto es, despreciando
la interaccin mutua entre los electrones. Estas funciones de onda son
muy semejantes a las ya descritas para el tomo de hidrgeno y estarn por tanto caracterizadas por los cuatro nmeros cunticos n, l, m l
y ms . A diferencia del caso del hidrgeno (en el que la energa del
electrn slo dependa de n), la energa del electrn en el tomo multielectrnico vendr ahora determinada por los nmeros cunticos n y
l. La especificacin de estos dos nmeros cunticos para cada electrn
del tomo se denomina configuracin electrnica. La nomenclatura
de esta configuracin no hace uso del valor del nmero cuntico l sino
de su letra asociada (ver Apartado 2.4.1). En este sentido los estados
determinados por n y l sern
n
l
1
0
1s
2
0
2s
1
2p
0
3s
3
1
3p
4
2
4d
0
4s
1
4p
2
4d
3
4f
0
5s
5
1
5p
...
...
Uno de los hechos que regir la configuracin de los electrones en

los distintos estados es el principio de exclusin de Pauli que puede
enunciarse como
Principio de exclusin de Pauli
dos electrones en un sistema (tomo, slido,...) no

pueden estar en el mismo estado cuntico.
En el caso del tomo multielectrnico, esto implica que no pueden poseer la misma serie de nmeros cunticos. En consecuencia, teniendo
en cuenta la degeneracin de los estados con el mismo nmero cuntico l (ya vista en el Apartado 2.4.1) y la existencia de otra degeneracin
simultnea debida al spin, cada estado caracterizado por l puede albergar el siguiente nmero de electrones
FLML
Apuntes de CF
46
estado l
nmero mximo de electrones
s
2
p
6
d
10
f
14
...
...
Otras consideraciones relevantes que surgen del anlisis de las

funciones de onda del tomo multielectrnico son las siguientes:
La energa del electrn aumenta al incrementarse n dado que
aumenta la distancia media del electrn al ncleo y ste ejerce
menos atraccin;
Para un n dado, los electrones con menor mdulo del momento angular tienen una probabilidad mayor de estar en regiones
cercanas al ncleo. Esto afecta a la carga efectiva del ncleo que
siente el electrn segn el grado de apantallamiento de la carga nuclear por los dems electrones y, por consiguiente, explica
la dependencia de la energa con l y que para un valor dado de
n, la energa crezca al aumentar el valor de l;
Si se tiene un electrn en cada uno de los m l estados asociados
con un l dado, la distribucin de la carga espacial tendr simetra
esfrica.
Todas las consideraciones anteriores sirven para justificar la dependencia peridica de las propiedades fsicas y qumicas de los distintos elementos con respecto a su nmero atmico, conduciendo as
a la clasificacin de los elementos en grupos y columnas que aparece
en la Tabla Peridica. Dado que las propiedades de un elemento dependen fundamentalmente de su configuracin electrnica, la Tabla
Peridica no es ms que una clasificacin de los elementos en funcin
de esta configuracin. Ahora bien, debido a la dependencia de la energa de los estados tanto con n como con l, el orden energtico con el que
se ordenan los distintos estados sigue la siguiente ley:
2
1s
2s2 2p6
3s2 3p6 3d1 0
4s2 4p6 4d1 04f1 4
5s2 5p6 .....
4
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d1 04p6 5s2 4d1 05p6 6s2 4f1 .....
El que se llene antes el nivel 4s que el 3d reside en el hecho anteriormente sealado de que niveles con un bajo valor de l tienden a tener
menos energa y pueden as compensar el incremento producido por
el aumento del nmero cuntico n.
Dado que la interaccin entre distintos tomos se llevar a cabo
fundamentalmente mediante la interaccin de los electrones de sus capas ms externas, la explicacin de las propiedades de los elementos
Apuntes de CF
FLML
47
distribuidos en los distintos grupos de la Tabla Peridica puede relacionarse con la configuracin de sus electrones en las ltimas capas.
Por ejemplo, el comportamiento de las fuerzas interatmicas que condicionarn la formacin de molculas y cristales estar determinado
por la estructura de las capas electrnicas ms externas de los tomos
que interaccionan. Un parmetro importante en este sentido es la electronegatividad, que mide la capacidad de un tomo para capturar o
ceder un electrn de valencia (electrn de su ltima capa). Puede as
explicarse, por ejemplo, el comportamiento inerte de los gases nobles
en funcin de su escasa tendencia a captar o ceder electrones ya que
poseen su capa ms externa p completamente llena. Este hecho, que
implica la ausencia de momento dipolar magntico y elctrico en estos
elementos (dada su distribucin de carga esfrica y la compensacin
mutua de los spines electrnicos) junto con la importante diferencia
energtica que existe entre la capa p llena y la siguiente s, da lugar a
que se necesite mucha energa para romper la muy estable simetra
esfrica de carga usualmente esta energa no est disponible a las
temperaturas ordinarias. Explicaciones de esta misma ndole justificarn tambin el comportamiento de los tomos de los restantes grupos.

2.1: El principio de superposicin para las soluciones de la ecuacin de Schrdinger
establece que si 1 y 2 son soluciones de la ecuacin, = A 1 + B2 tambin es
una solucin, donde A y B son constantes arbitrarias. Es vlido este principio tanto
para la ecuacin independiente del tiempo como para la dependiente?. Razonar la
respuesta.
Sol. S.
2.2: Una partcula se mueve en lnea recta bajo la accin de un campo elctrico uniforme E de modo que su energa potencial es E p = E x. Escriba la ecuacin de
Schrdinger para este movimiento y discuta si est cuantizada la energa en este caso.
2.3: Un electrn excitado en uno de los estados de un pozo de potencial de paredes
infinitas y anchura a puede emitir fotones cuando decae a niveles energticos inferiores. Suponiendo que slo las transiciones en las que n = 1 estn permitidas, hallar
las frecuencias de las radiaciones emitidas en estas transiciones.
Sol. n = (2n + 1)h/(8ma2 ).
2.4: La funcin de onda ( x ) de un electrn para elcuarto estado excitado, en el
interior de un pozo de potencial infinito, es: ( x ) = 2/a sen(4x/a). Cul es la
probabilidad de encontrar al electrn en la region 0 < x < a/4?.
Sol. 25 %.
2.5: La ecuacin diferencial de Schrdinger para la variable en el tomo de Hidrgeno es de la forma:
d2
+ m2l = 0 ,
d2
siendo sta similar a la de una partcula en un pozo de potencial de paredes infinitas.
Suponiendo que una solucin es de la forma: = e (a) demostrar que es solucin
de la ecuacin y que = im l , siendo i la unidad imaginaria. (b) Debido a que la
FLML
Apuntes de CF
48

funcin de onda, , debe ser unvoca, esto es, () = ( + 2 ), demostrar que los
posibles valores para m l son: ml = 0, 1, 2, . . .
2.6: Si tenemos 2N electrones en un pozo de potencial monodimensional de paredes
infinitas y anchura L, obtenga el valor de la energa del ltimo estado lleno (a T = 0 K
este nivel de energa es conocido como energa de Fermi, E F ). Tenga en cuenta que
el principio de exclusin prohibe la existencia de ms de dos electrones en el mismo
estado cuntico.
h2
N 2
Sol. E F =
8me L
2.7: Calcular la energa ms baja posible, E1 , de un electrn confinado en el interior
de una regin de 1011 m (aproximadamente el orden de magnitud de un ncleo
atmico). Comparar esta energa con la energa potencial gravitatoria y la potencial
electrosttica de un electrn y un protn a la misma distancia. Basndose en lo anterior discuta la posibilidad de que exista un electrn en el interior de un ncleo.
Sol: E1 = 3,8 103 MeV; Egrav = 6,34 1017 eV; Eelst = 1,44 104 MeV
2.8: Demostrar que los niveles de energa y funciones de onda de una partcula que
se mueve en el plano XY dentro de una caja de potencial bidimensional de lados a y
b son E = ( 2 h 2 /2m)(n21 /a2 + n22 /b2 ) y = C sen(n1 x/a) sen(n2 y/b). Discutir la
degeneracin de los niveles cuando a = b. Hallar la constante de normalizacin C.
2.9: Si el problema anterior los lados de la caja son muy grandes pero iguales, demuestre que el nmero de estados cunticos con energas comprendidas entre E y
E + dE viene dado por (ma 2 /2h2 )dE.
2.10: Para un tomo de Hidrgeno en el estado l = 3, Cules son los valores permitidos de las componentes z del momento angular y del momento magntico?.
eh , eh , 3eh .
Sol. 0, h , 2h, 3h; 0, 2m
m
2m
2.11: Dibujar un diagrama de niveles de energa para los estados 4f y 3d del hidrgeno en presencia de un campo magntico. Mostrar que en la transicin 4f3d el
nmero de lneas espectrales es tres. Si el campo magntico es de 0,5 T, sern observables las anteriores lneas en un espectrmetro de resolucin 10 11 m?.
Sol. S ( = 8,2 1011 m).
2.12: Cul es el campo magntico B necesario para observar el efecto Zeemann si
un espectrmetro puede separar lneas de hasta 0.5 en 5000?.
Sol. B 4,28 T.
2.13: Determinar los momentos magnticos posibles en un nivel energtico n = 3.
Qu predice la teora de Bohr?.
Sol. 0, 1,31 1013 J/T, 2,27 1013 J/T; Bohr: 2,78 1013 J/T.
2.14: La configuracin electrnica del azufre, Z = 16, es 1s2 2s2 p6 3s2 p4 . Escribir un
conjunto completo de nmeros cunticos para los cuatro electrones en el subnivel 3p.
2.15: Escribir la configuracin electrnica del aluminio (Al, Z = 13), calcio (Ca, Z =
20) y bromo (Br, Z = 35).
2.16: Clasificar las siguientes configuraciones electrnicas como correspondientes a
tomos en estado fundamental, a tomos en estado excitado o en incorrecta. De qu
elemento se trata en cada caso? 1) 1s2 2s, 2) 1s2 2s2 2d, 3) 1s2 2s2 2p2 , 4) 1s2 2s2 2p4 3s, 5)
1s2 2s4 2p2 , 6) 1s2 2s2 2p6 3d
2.17: Escribir los numeros cunticos que caracterizan a los electrones desapareados
del potasio (K) y del cloro (Cl).
Sol. (4, 0, 0, 1/2), (3,1,1,1/2).
Apuntes de CF
FLML
49
2.18: (a) Cul es la configuracin electrnica del litio (Li, Z = 3)?. (b) Suponiendo
que el Li es equivalente a un tomo de hidrgeno, calcular la energa de ionizacin del
electrn de valencia 2s. (c) La energa de ionizacin determinada experimentalmente
para el Li es de 5.39 eV, cul es la carga efectiva positiva que ve el electrn?. (d)
Repetir el clculo anterior pata el potasio (K) que posee un electrn de valencia en el
subnivel 4s, siendo su energa de ionizacin 4.34 eV.
Sol. K: Z eff 2,26e.
FLML
Apuntes de CF
Captulo 3
Materia Condensada
3.1. Estados de Agregacin de la Materia
Recordemos que uno de los objetivos finales de la presente asignatura ser proporcionar los fundamentos fsicos que nos permitan entender el funcionamiento de los dispositivos electrnicos usados en la
actual tecnologa de los computadores. Dado que este funcionamiento se basa en las propiedades del transporte de carga en metales y
semiconductores, los temas anteriores han estado dedicados al estudio de las propiedades cunticas de las partculas portadoras de carga
(fundamentalmente electrones). No obstante, dicho transporte de carga no slo depende de las propiedades intrnsecas de los electrones
sino tambin de la disposicin de los tomos en los slidos. En este sentido, el presente tema mostrar una descripcin elemental de la estructura interna de la materia, haciendo especial hincapi en la estructura
de los metales y semiconductores.
Una posible clasificacin de la materia divide a sta en materia
condensada y materia gaseosa, con las siguientes propiedades generales:
nmero tomos/m3
densidad de masa
distancia interatmica
Materia Condensada
Predominio energa potencial
de interaccin entre sus
componentes
Presencia de orden espacial
en sus componentes
n 1028 tomos/m3
103 kg/m3
d3
Materia Gaseosa
Predominio energa cintica
de traslacin
Distribucin catica de sus
componentes
n 1025 tomos/m3
1 kg/m3
d 200
Dependiendo del alcance del orden espacial de la estructura interna

de la materia, podemos distinguir los siguientes estados de agregacin
de la materia (en rigor, esta clasificacin slo es aplicable a sustancias
puras):
51
52
Captulo 3. Materia Condensada
MONOCRISTAL
Anisotropa
POLICRISTAL
Isotropa
estadstica
Orden de largo alcance
AMORFO
LQUIDO
GAS
Isotropa
Orden de corto alcance
Desorden
Monocristal:
Presenta fuertes interacciones entre sus partculas componentes
(tomos, grupos de tomos,...), que estn casi en reposo (excepto
por pequeas oscilaciones) en un mnimo de energa potencial.
Las partculas estn dispuestas segn un orden espacial bien determinado que define una estructura peridica tridimensional.
Ejemplos: mayora de metales puros, muchos compuestos inicos, ...
Policristal:
Est compuesto de pequeas regiones o granulos, cada una de
las cuales con la estructura de un monocristal de tamao y orientacin irregular.
Amorfos:
Aunque sus componentes estn bsicamente en reposo, stos
no presentan una estructura espacial bien definida. Ejemplo: vidrios, plsticos, madera, ....
Lquidos:
Sus componentes no presentan fuertes interacciones entre s por
lo que pueden moverse, dando lugar a que estas sustancias adopten la forma de los recipientes que las contienen.
Gases:
Sus componentes apenas interaccionan entre s, estando dotados bsicamente de energa cintica. Pueden considerarse como
un caso extremo de lquidos, presentando menos densidad que
stos.
A continuacin estudiaremos elementalmente los dos casos extremos: gases y monocristales.
Apuntes de CF
FLML
3.2. Gas
3.2.
53
Gas
Recordemos que la ley de los gases ideales estableca que la presin,

P, y el volumen, V, del gas estn relacionados con la temperatura absoluta, T, mediante la siguiente expresin:
PV = RT ,
(3.1)
siendo el nmero de moles de partculas (tomos o molculas) del

gas y R = 8,314 J/mol-K es la denominada constante de los gases.
Conviene recordar que 1 mol es simplemente una cantidad (al igual
que 1 docena), en concreto,
1 mol = 6,022 1023 ,
coincidiendo esta cantidad con el llamado nmero de Avogadro, N A ,
que puede definirse como el nmero de tomos necesarios para preparar una cantidad de un elemento igual a su peso atmico expresado
en gramos.
La ley experimental (3.1) puede obtenerse siguiendo una descripcin clsica (esto es, una descripcin basada en las leyes de la fsica
clsica), que considera al
Gas como un colectivo muy numeroso de partculas rgidas e independientes en constante movimiento cuyas
nicas interacciones se producen a travs de choques
elsticos entre ellas y con las paredes del recipiente que
las contiene.
(Debe notarse que si las partculas del gas estuviesen uniformemente
distribuidas, entonces el movimiento trmico de stas no da lugar a un
movimiento neto; es decir, en un promedio temporal, las partculas no
se desplazan.)
A partir de la descripcin anterior y usando las leyes de movimiento de Newton, la teora cintica nos permite establecer que
PV =
2
N Ec ,
3
(3.2)
donde N es el nmero total de partculas y E c la energa cintica

media de las partcula del gas.
Las expresiones (3.1) y (3.2) nos dicen que, para 1 mol de partculas, tenemos que
PV = RT
PV =
2
N A Ec .
3
Igualando ambas expresiones obtenemos que
Ec =
FLML
3 R
T,
2 NA
Apuntes de CF
54
o, equivalentemente,
Ec =
Energa cintica media de las

partculas del gas
3
kB T ,
2
(3.3)
siendo
kB =
R
= 1,38 1023 J/K = 8,63 105 eV/K ,
NA
(3.4)
la denominada constante de Boltzmann. El resultado (3.3) nos dice

que la temperatura absoluta de un gas es proporcional a la energa
cintica media de traslacin de las partculas de dicho gas. En consecuencia, el valor de la temperatura (en grados Kelvin) nos informa
sobre el valor de la energa cintica media de las partculas del gas.
E JEMPLO 3.1 Calcule la velocidad media de las molculas de un gas de N 2 que
est a temperatura ambiente (T 300 K).
Dado que todas las partculas del gas de nitrgeno (molculas de N2 ) son
idnticas, podemos escribir que

1 2
1
mv
Ec =
= mv2 .
2
2
Considerando que la velocidad cuadrtica media, v 2 , es muy aproximadamente igual al cuadrado de la velocidad media, esto es,
v 2 v2 ,
encontramos, de acuerdo a la expresin (3.3), que
3
1
mv2 = k B T ,
2
2
de donde podemos obtener el siguiente valor para la velocidad media:

3k B T
3RT
v =
=
,
(3.5)
m
M
siendo M = N A m el peso molecular del gas (peso de 1 mol de partculas).
Es interesante notar que esta velocidad es del mismo orden de magnitud que
la velocidad de propagacin del sonido en el gas (el aire contiene aproximadamente un 70 % de nitrgeno).
En el presente ejemplo, M = 14 g = 14 10 3 kg, por lo que

3 8,314 300
v =
731,08 m/s ,
14 10 3
que es aproximadamente el doble de la velocidad del sonido en el aire.
La expresin (3.3), que se ha obtenido para el caso particular de un

gas ideal, puede generalizarse para cualquier otro tipo de sistemas,
en cuyo caso se conoce como teorema de equiparticin de la energa.
Apuntes de CF
FLML
3.2. Gas
55
Este teorema establece que la energa media por grado de libertad 1 de

las partculas del sistema viene dada por
1
E|grado de libertad = k B T .
2
(3.6)
Teorema de equiparticin de
la energa
Dado que un gas es un colectivo muy numeroso de partculas (n

1025 m3 ), abordaremos su estudio mediante un anlisis estadstico, en
vez de partir de las caractersticas de cada una de las partculas individuales que lo componen. En general, el anlisis estadstico requiere
el conocimiento de la forma en que las partculas estn distribuidas
respecto a ciertas magnitudes. En concreto nos interesar conocer la
distribucin de las partculas con respecto a la energa. Si definimos
g( E)
como la funcin densidad de estados, tal que g( E)dE nos dice el
nmero de estados del sistema cuya energa est comprendida
entre E y E + dE; y
f ( E)
como la funcin de distribucin, que mide la probabilidad de
ocupacin de un estado con energa E;
entonces, si dN ( E) es el nmero de partculas del sistema con energas
comprendidas entre E y E + dE, tendremos que
dN ( E) = g( E) f ( E)dE .
(3.7)
La expresin anterior es vlida para cualquier colectivo de partculas,

de manera que las propiedades particulares de cada colectivo se especifican mediante la forma de las funciones g( E) y f ( E). Si se conocen
estas dos funciones, el valor medio de cualquier magnitud, , que pueda expresarse como una funcin de la energa puede evaluarse a partir
de

( E) dN ( E)
( E) g( E) f ( E) dE

=
=
dN ( E)
dN ( E)

1
=
( E) g( E) f ( E) dE .
(3.8)
N
Nmero de partculas del sistema

con energas comprendidas
entre E y E + dE
Si las partculas que forman el colectivo se consideran clsicas

(es decir, podemos abordar su estudio a partir de las leyes de Newton, ignorando las leyes cunticas descritas en los temas anteriores),
entonces la funcin distribucin que rige el comportamiento de este
colectivo se denomina funcin distribucin de Maxwell-Boltzmann
1 Cada variable independiente que es necesario especificar para determinar la
energa de una partcula se denomina grado de libertad. En el caso de una partcula
del gas ideal, dado que hace falta especificar las componentes x,y y z de la velocidad
de la partcula, sta tendra tres grados de libertad.
FLML
Apuntes de CF
56
y viene dada por

Funcin distribucin de
Maxwell-Boltzmann

E
.
fMB ( E) exp
kB T
(3.9)
En el caso de que las partculas del sistema sean cunticas, la funcin

distribucin a usar es la funcin distribucin de Fermi-Dirac, que ser
estudiada en el Tema 4.
3.3.
Monocristal
El estudio de este estado de la materia se realizar mediante un

modelo simple y representativo del slido, conocido como cristal ideal.
El cristal ideal se define como un medio material discreto e infinito
con una ordenacin espacial regular y peridica de sus componentes,
caracterizado bsicamente por su
homogeneidad,
simetra de traslacin ciertas traslaciones de vectores T en el
interior del cristal dejan a ste invariante,
anisotropa.
Una de las caractersticas ms ideales y simplificadoras del modelo
anterior lo constituye su carcter infinito. A pesar de la aparente irrealidad de esta caracterstica, el cristal ideal es un modelo muy vlido para el estudio de aquellas propiedades del cristal en las que los efectos
de superficie no sean muy significativos. Dado que las propiedades
en las que estaremos interesados (fundamentalmente las relacionadas
con el transporte de carga) son propiedades que muy aproximadamente son independientes de la forma de la superficie del material, el
cristal ideal ser un buen modelo para nuestro propsito.
Un concepto bsico subyacente al cristal ideal lo constituye la red
cristalina, que puede definirse como
Red cristalina es un conjunto infinito y discreto de puntos con una disposicin y orientacin que aparece exactamente la misma desde cualquier punto del conjunto.
Tal como muestra la Fig. 3.1, la red cristalina es una estructura puramente geomtrica que se forma mediante la traslacin peridica (de
periodo T) de una malla o celdilla elemental.
Una de las caractersticas esenciales de esta red cristalina es que
pone de manifiesto la importancia que tiene la disposicin geomtrica
de la estructura espacial peridica del cristal con independencia de
Apuntes de CF
FLML
3.4. Estructuras reticulares
57
+ T=
a
Celdilla
elemental
Red cristalina
F IGURA 3.1: Formacin de una red cristalina bidimensional a partir de la repeticin
peridica, con periodo T = n 1 a + n2 b, de la celdilla elemental.
las unidades reales o motivos que la compongan. Este hecho puede

observarse en la construccin de la Fig. 3.2, donde se evidencia el hecho de que subyacente a la estructura reticular aparece la composicin
de la red cristalina con cierto motivo (tomo o grupo de tomos).
Red cristalina
Motivo
Estructura reticular
F IGURA 3.2: Estructura reticular vista como producto de la composicin de la red

cristalina ycon cierto motivo.
3.4.
Estructuras reticulares
3.4.1. Redes de Bravais

Adems de la simetra de traslacin presente en la red cristalina,
esta red posee otras simetras (por ejemplo, simetras puntuales), que
son usadas para clasificar los distintos tipos de redes que existen.
El estudio detallado de las distintas simetras nos permite concluir
que todas las posibles redes cristalinas tridimensionales pueden clasificarse en 14 tipos distintos de redes, conocidas genricamente como
redes de Bravais. Como ejemplo, la Fig. 3.3 muestra las 3 redes que pertenecen al sistema cbico.
FLML
Apuntes de CF
58
Cbica
[P]
Cbica centrada
en el interior (bcc)
[Ba,Cr,Cs,Fe,K,..]
Cbica centrada
en las caras (fcc)
[Ag,Al,Au,Cu,..]
F IGURA 3.3: Redes cristalinas pertenecientes al sistema cbico.
Una estructura de especial inters prctico (y que no es en s una

red de Bravais) es la denominada estructura tipo diamante, que se
muestra en la Fig. 3.4(a). Una gran nmero de las sustancias formadas
(a)
(b)
F IGURA 3.4: (a) Estructura tipo diamante formada por la interpenetracin de dos redes cbicas centradas en las caras y desplazadas una respecto a la otra 1/4 a lo largo
de la diagonal del cubo. (b) Detalle que muestra la disposicin tetradrica de los tomos de las sustancias que cristalizan en esta red cristalina.
por tomos del grupo IV (C, Si, Ge, ...), o bien aqullas formadas por
tomos del grupo III y V, cristalizan en este tipo de red. Dado que la
mayora de los materiales semiconductores estn formados por tomos
de los grupos anteriores, los semiconductores suelen presentar una estructura tipo diamante. Segn muestra la Fig. 3.4(a), la estructura tipo
diamante puede visualizarse como dos redes cbicas fcc interpenetradas y desplazadas una sobre la otra 1/4 sobre la diagonal del cubo,
dando as lugar a una disposicin tetradrica (ver Fig. 3.4b) en la que
cada tomo puede considerarse localizado en el centro de un tetraedro y formando un enlace con cada uno de sus cuatro vecinos ms
prximos. Segn veremos en temas posteriores, esta disposicin tetradrica determina alguna de las propiedades ms caractersticas de
los semiconductores.
3.4.2. Parmetros de la estructura reticular

Dado que muchos de los compuestos elementales que forman los
slidos (tomos, iones, ...) presentan simetra esfrica, la disposicin
de muchas estructuras reticulares puede visualizarse considerando a
Apuntes de CF
FLML
3.4. Estructuras reticulares
59
stas como empaquetamientos espaciales de esferas rgidas en forma simtrica y compacta. Algunos de los parmetros ms importantes de las
redes cristalinas, fruto de la consideracin anterior, se describen a continuacin.
Nmero de partculas por celdilla elemental, nc
El nmero de partculas por celdilla elemental puede obtenerse
como
nV
n
(3.10)
+ nI + F ,
nc =
8
2
donde n V es el nmero de partculas en los vrtices, n I en el interior y
n F en las caras.
E JEMPLO 3.2 Calcule la densidad del silicio sabiendo que la arista de su celdilla
unidad es a = 5,43 10 8 cm y que su peso atmico es A = 28,1 g.
Dado que el Si cristaliza en una red tipo diamante que est formada por
2 redes fcc interpenetradas, el nmero de tomos por celdilla elemental ser
el doble del de una red fcc. Para la red fcc tenemos que n V = 8, n I = 0 y
n F = 6, por lo que
8
6
nc (fcc) = + 0 + = 4 .
8
2
Para el silicio tendremos, por tanto, que cada celdilla elemental tiene 8 tomos. Si n es el nmero de tomos por m3 , ser
Nmero de tomos por celdilla unidad
nc
= 3
Volumen celdilla unidad
a
8
22
3
=
5 10 tomos/cm .
(5,43 10 8 )3
n=
La densidad, , en g/cm3 del Si podemos calcularla como

= masa de 1 tomo Nmero de tomos/m3 = mat n ,
por lo que
=
A nc
,
N A a3
(3.11)
que en nuestra caso particular ser

(Si) =
28,1
5 1022 2,3 g/cm3 .
6,02 10 21
ndice de coordinacin
En una celdilla elemental, el ndice de coordinacin es el nmero
de nodos reticulares adyacentes. Este ndice suele determinar el tipo
de enlace que cohesiona a la sustancia.
FLML
Apuntes de CF
60
Fraccin de empaquetamiento, f c
Considerando que cada nodo de la celda unidad es el centro de
una esfera rgida, de modo que las esferas se distribuyen de la forma ms compacta posible, definimos la fraccin de empaquetamiento
como
Volumen de las esferas
n V
= c 3 esf .
(3.12)
fc =
Volumen de la celda
a
La fraccin de empaquetamiento nos proporciona una medida de
lo llena que est la estructura reticular. De las redes cbicas, la ms
compacta es la fcc, mientras que la de menor fraccin de empaquetamiento es la cbica simple.
E JEMPLO 3.3 Calcule la fraccin de empaquetamiento para una red fcc.

Para una red fcc, segn vimos en el ejemplo anterior, n c = 4. En esta red,
segn muestra la figura adjunta, el plano de mayor empaquetamiento (es decir, el plano donde las esferas estn ms juntas) se localiza en una cualquiera
de las caras.
En una de las caras debe cumplirse que
a2 + a2 = (4R)2 = 16R2
2a2 = 16R2 ,
1
2
a
R= a=
4
8
de donde
y por tanto
4
4
3
nc Vesf
=
3
a
2
=
0,74
6
f c (fcc) =
2
a
4
3
a3
3.5. Observacin de las estructuras cristalinas

La estructura interna de los cristales puede determinarse a partir
del anlisis de la difraccin ondulatoria producida cuando fotones,
electrones, neutrones, etc... inciden en el cristal. El anlisis de la difraccin nos informa sobre la configuracin interna del cristal debido
a que la manera en que las ondas son difractadas viene determinada
por la disposicin interna de los componentes del cristal. Puesto que
las dimensiones implicadas en las estructuras cristalinas (distancias
Apuntes de CF
FLML
61
entre nodos reticulares) son del orden del , la configuracin de las

estructuras reticulares slo puede observarse mediante ondas cuya
longitud de onda asociada sea de este mismo orden. En este sentido,
al ser la longitud de onda de la radiacin visible ( 5000 ) mucho
mayor que la distancia entre nodos reticulares, esta radiacin simplemente da origen a la refraccin ptica ordinaria, que claramente no
nos proporciona ninguna informacin sobre la estructura interna del
cristal. En el caso de que la radiacin incidente est constituida por
rayos X (radiacin electromagntica cuya ), entonces la difraccin producida en el cristal presenta cierta distribucin de mximos y
mnimos que s nos informa sobre la estructura interna del cristal.
Una sencilla explicacin de la difraccin de rayos X en cristales la
proporcion W. L. Bragg, suponiendo que las ondas incidentes se reflejaban especularmente en los distintos planos del cristal, de forma
que cada plano refleja nicamente una fraccin muy pequea de la radiacin total (en un cristal perfecto contribuiran de 103 a 105 planos
atmicos en la formacin del haz reflejado). Supuesto, entonces, que
cada plano se comporta como un espejo semitransparente, aparecer un mximo de difraccin siempre que los haces difractados procedentes de planos de tomos paralelos interfieran constructivamente.
Esta condicin, conocida como ley de Bragg, exige que la diferencia
de camino entre los haces (1) y (2) de la figura adjunta sea un mltiplo
de la longitud de onda, esto es,
(1)
q
(2)
diferencia de
camino =2dsenq
2d sen n = n .
Aunque la ley de Bragg es una consecuencia de la periodicidad de
la red, sta no manifiesta la composicin de la base de tomos de la
estructura reticular (es decir, si la base es un tomo, un conjunto de
tomos,...). Un estudio ms riguroso muestra que la composicin de
la base se refleja en la intensidad relativa de los diversos rdenes de
difraccin.

3.1: Determinar el ndice de coordinacin y la fraccin de empaquetamiento para los
tres tipos de redes cbicas.
3.2: Sabiendo que el sodio cristaliza en una red fcc, que su densidad es 0,971 g/cm 3
y su peso atmico 23 g/mol, calcular la longitud de su celda unidad.
Sol. 4,29 .
3.3: Calcular la densidad de electrones libres en el cobre si su peso atmico vale 63.5
g/mol y su densidad es 8950 kg/m3 , suponiendo que hay un electrn por tomo.
Repetir el clculo para el oro (Au, A = 197,0, = 19,3 g/cm3 , un electrn libre por
tomo), y el zinc (Zn, A = 65,38, = 7,1 g/cm3 , dos electrones libres por tomo)
Sol.: n(Cu) = 8,48 1028 m3 , n(Zn) = 1,31 1023 cm3 .
FLML
Apuntes de CF
62

3.4: Calcular la distancia a entre los iones K+ y Cl en el KCl, admitiendo que cada
in ocupa un cubo de arista a. El peso molecular es 74,55 g/mol y la densidad es 1,984
g/cm3 .
Sol. a = 3,15 .
3.5: La dimension de la celda unidad del cobre fcc es de 0.36 nm. Calcular la longitud
de onda ms grande para los rayos X capaz de producir difraccin por los planos
cristalinos. Qu planos podran difractar rayos X de longitud de onda 0.50 nm?.
Apuntes de CF
FLML
Captulo 4
Electrones libres en metales

4.1.
Fenomenologa
En este tema iniciamos el estudio de la conductividad elctrica en

los slidos, empezando en primer lugar por el anlisis del comportamiento de los electrones libres en los metales. Este estudio tiene un alto
inters prctico dado que los metales (por ejemplo, el cobre) forman
una parte esencial de los circuitos electrnicos junto con los materiales
semiconductores.
Los primeros estudios que se hicieron respecto a la conductividad
elctrica provienen de Ohm(1827). Estudiando metales, Ohm encontr
la siguiente relacin entre la intensidad de la corriente, I, que recorre
el metal y la tensin (o diferencia de potencial), V, entre los extremos
de dicho metal:
(4.1)
V = IR ,
donde el parmetro R se conoce como resistencia del material (sus
unidades son ohmios, 1 =1 V/A). Para un material filiforme de seccin constante, este parmetro viene dado por
R=
l
,
S
(4.2)
siendo la resistividad del material (este parmetro depende de las

caractersticas internas del materia, siendo sus unidades m), l la longitud del conductor y S su seccin. La ley de Ohm puede igualmente
expresarse como
(4.3)
J = E ,
donde J es el vector la densidad de corriente elctrica,
=
(4.4)
la conductividad elctrica (sus unidades son (m)1 ) y E el el vector

campo elctrico aplicado.
63
Conductor
64
Captulo 4. Electrones libres en metales
En funcin del nmero de portadores de carga por unidad de volumen, n, y de la velocidad de arrastre, v a , de estos portadores, la densidad de corriente se define como
J = nqv a .
(4.5)
Usualmente, la velocidad de arrastre puede relacionarse linealmente

con el campo aplicado mediante la siguiente expresin:
E
va
v a = E ,
(4.6)
siendo la movilidad de los portadores (sus unidades son m 2 /V s).

En funcin de la anterior relacin, la conductividad elctrica puede
escribirse como
(4.7)
= qn .
La expresin anterior nos indica claramente que la conductividad de
los materiales depende proporcionalmente del nmero de portadores
de carga y de la movilidad de dichos portadores. En el caso de que
existan distintos tipos de portadores, la expresin (4.7) debe generalizarse. En concreto, para el caso de los semiconductores, para los que
existen dos tipos de portadores, electrones y huecos, la conductividad
puede escribirse como
= q(nn + p p ) ,
donde el subndice n se refiere a electrones y el subndice p a huecos.
Esta cuestin ser analizada con detalle en el Tema 7.
Una posible clasificacin de los slidos en funcin del valor de la
conductividad a temperatura ambiente los divide en: conductores, semiconductores y aislantes.
Conductores
> 104 (m)1 , [Cu,Ag 107 (m)1 ]

d

< 0, la conductividad disminuye con la temperatura.
dT
En concreto se encuentra que
0
1 + ( T T0 )
(4.8)
T
decrece con las imperfecciones y/o impurezas de la red.
n 1028 m3 . La concentracin de electrones libres apenas
vara con la temperatura.
Semiconductores
108 (m)1 104 ,

[Si 4 104 (m)1 , Ge 4 104 (m)1 ]
Apuntes de CF
FLML
4.2. Modelo clsico del electrn libre
65
d
> 0, la conductividad aumenta al aumentar la temperadT
tura. Experimentalmente se encuentra que la dependencia
de la conductividad con la temperatura es del tipo
= 0 e/T
lns
(4.9)
crece con las impurezas de la red.

n 1017 m3. La concentracin de electrones libres vara
enormemente (de hecho de forma exponencial) con la temperatura.
1/T
Aislantes
< 108 (m)1 ,

[Vidrio 1011 (m)1 , Poliuretano 1020 (m)1
d

> 0. El comportamiento trmico de los aislantes es
dT
idntico al de los semiconductores. Por este motivo los aislantes y los semiconductores a veces se consideran el mismo tipo de materiales en cuanto a su comportamiento respecto a la conductividad elctrica. Su nica diferencia consiste en el valor de dicha conductividad a temperatura ambiente.
Para explicar el comportamiento cuantitativo y cualitativo de los
diversos materiales respecto a la conductividad elctrica se han propuesto bsicamente tres modelos diferentes:
1.
Modelo clsico del electrn libre: Modelo de Drude-Lorentz.
2.
Modelo cuntico del electrn libre: Modelo de Sommerfeld.
3.
Modelo cuntico del electrn ligado: Modelo de Bloch.
Dado que los dos primeros modelos tratan sobre electrones libres, el
presente tema estar dedicado a ellos, dejndose el tercer modelo para
el siguiente tema.
4.2.
Modelo clsico del electrn libre
Este primer modelo, desarrollado a finales del siglo XIX y principios del XX (despus del descubrimiento de los electrones en 1897),
propone una teora clsica para la conduccin elctrica en los metales.
El modelo parte del hecho de que muchos metales presentan estructuras reticulares y asume que las fuerzas de cohesin de los metales se
deben al tipo particular de enlace que presentan, esto es, el enlace metlico. En los slidos que presentan este tipo de enlace, se supone que
FLML
Apuntes de CF
66
los portadores de carga de la corriente sern los electrones libres que

provienen de que cada tomo del metal cede uno o varios de sus electrones de sus ltimas capas (electrones de valencia) para formar una
especie de gas de electrones comn a todo el slido. La cohesin del
slido se debe precisamente a la interaccin entre los iones positivos
y el gas de electrones libres que los rodea.
4.2.1. Hiptesis bsicas

Partiendo de las ideas anteriores, el modelo de Drude-Lorentz
propone que los metales estn constituidos por
Un resto de iones positivos esencialmente estticos que estn
regularmente distribuidos
+
Conjunto de electrones de valencia que vagan libremente por el
metal. Estos electrones forman un gas clsico.
Aplicando las ideas de la teora cintica de los gases, se supone que
los electrones de este gas clsico estn en constante agitacin trmica
(con un movimiento de desplazamiento neto nulo). La interaccin entre el gas de electrones y los restos inicos se realiza mediante choques
elsticos continuos debido al movimiento trmico catico de los electrones. Siguiendo el razonamiento presentado en el Apartado 3.2, el
clculo sobre la velocidad trmica promedio, vT , de estos electrones
puede hacerse al considerar que
3
Ec = k B T
2
y
1
Ec = me v2T .
2
Al igualar las dos expresiones anteriores, encontramos que

vT
3k B T
me
(4.10)
= [T 300K] 105 m/s .

En presencia de un campo elctrico externo, E , los electrones adquieren obviamente una aceleracin, a = eE /me . No obstante, estos electrones sufrirn continuos choques contra los restos inicos, lo
que provocar una desaceleracin continuada. El efecto combinado
del campo externo junto con estos choques da lugar a un movimiento
de desplazamiento que en promedio es uniforme y caracterizado por
cierta velocidad de arrastre, v a (superpuesta a la anterior velocidad
Apuntes de CF
FLML
4.2. Modelo clsico del electrn libre
67
trmica). Un clculo aproximado de esta velocidad de arrastre de los

electrones nos dice que
v a = a =
eE
,
me
(4.11)
siendo el tiempo promedio entre colisiones. Dado que la densidad de

corriente, J, puede escribirse como
J = n(e)v a =
ne2
E,
me
(4.12)
se encuentra que sta es proporcional al campo aplicado, justificndose de este modo la expresin (4.3) para la ley de Ohm. El coeficiente de
proporcionalidad entre J y E nos proporciona la siguiente expresin
para la conductividad elctrica:
=
ne2
.
me
(4.13)
Conductividad elctrica segn

modelo de Drude
E JEMPLO 4.1 Estimacin de la velocidad de arrastre

Sea una situacin tpica en la que un conductor filiforme de Cu es recorrido
por una intensidad I = 100 mA, siendo la seccin del conductor S = 1mm2 =
106m2 y la masa atmica y la densidad del cobre: A = 64, = 9 g/cm 3 .
I
Conductor de Cu
Dado que
I
= nev a ,
S
encontramos que la velocidad de arrastre puede expresarse como
J=
va =
I
.
Sne
La nica magnitud que no conocemos en este problema es la densidad

de electrones libres en el Cu. Para ello considrese que
n nmero de e en 1 m3
= N A nmero de moles en 1 m3 ,
donde es el nmero de electrones de valencia (que en el caso del Cu es 1).
El nmero de moles por m3 , , puede calcularse como
=
masa de 1 m3
(gr/m3 )
.
=
masa de 1 mol
A
Para la densidad de electrones en el Cu obtenemos entonces que

n = 1 6,023 10 23
9 106
8,47 10 28 m3 ,
64
por lo que la velocidad de arrastre ser

va =
FLML
8,47
10 28
0,1
7,4 m/s .
1,6 10 19 106
Apuntes de CF
68
Veloc. arrastre Veloc. trmica

Puede comprobarse que el valor obtenido de la velocidad de arrastre de
los electrones es mucho menor que el que se obtuvo para su velocidad trmica ver expresin (4.10). En multitud de casos puede, por tanto, concluirse
que
va vT
4.2.2. Dependencia con la temperatura

La expresin (4.13) ofreca el valor de la conductividad en funcin
de la densidad de portadores de carga, n, y del tiempo promedio entre
colisiones, . Podemos, por tanto, obtener una expresin ms detallada de si previamente estimamos el valor de . Para ello, debemos
considerar que el tiempo entre colisiones, , vendr determinado por
el cociente entre la distancia promedio entre colisiones, L 0 (en este modelo L0 distancia entre iones de la red) y la velocidad de los electrones. Dado que la velocidad trmica es generalmente mucho mayor
que la velocidad de arrastre (ver Ejemplo 4.1), consideraremos que la
velocidad de los electrones puede aproximarse con buena precisin
por la velocidad trmica, por lo que tendremos que
=
L0
L
,
= 0
vT
3k B
T
me
(4.14)
donde se ha usado la expresin (4.10) para v T en funcin de la temperatura. Al introducir (4.14) en (4.13) se obtiene finalmente que
ne2 L0
T 1/2 .
=
3k B me
(4.15)
La expresin anterior nos permite obtener la conductividad elctrica

de los metales en funcin de la densidad de portadores, de la distancia
promedio entre colisiones y de la temperatura de trabajo. En concreto
nos dice que la conductividad disminuye si la temperatura aumenta,
de acuerdo con la observacin experimental hecha para los metales.
E JEMPLO 4.2 Obtenga la conductividad del cobre a temperatura ambiente sabiendo que n = 9 10 28 m3 y L0 = 3,6 .
Teniendo en cuenta los datos anteriores y usando la expresin (4.15) tenemos que
=
9 1028 (1,6 10 19 )2 3,6 10 10

3001/2
3 1,38 10 23 9,1 10 31
0,78 10 7 (m)1
Apuntes de CF
FLML
4.3. Modelo cuntico del electrn libre
69
4.2.3. Fallos del modelo de Drude

Aunque el modelo clsico del electrn libre pudo explicar de forma cualitativa la forma de la ley de Ohm y la disminucin de la conductividad al aumentar la temperatura (y algunas otras cuestiones
que no se han tratado aqu), este modelo no es todava muy satisfactorio dado que presenta los siguientes fallos:
Slo es aplicable a metales (conductores), de modo que no predice el diferente comportamiento de los conductores y semiconductores/aislantes.
Predice un comportamiento de la conductividad de los metales
con la temperatura del tipo ( T ) = 0 T 1/2 , que no explica el
comportamiento experimental, ( T ) T 1 , encontrado para los
conductores.
La expresin (4.15) predice resultados para la conductividad ms
bajos que los obtenidos experimentalmente.
No explica la aparente presencia de cargas positivas (predicha
por el efecto Hall) como portadores de carga en algunos metales.
Aunque no se ha tratado aqu, es tambin conveniente sealar
que este modelo predice un calor especfico (C v = dE/dT) para
los metales mucho mayor (del orden de 10 4 veces) que el observado experimentalmente.

Debido a las inexactitudes del modelo clsico del electrn libre,
Sommerfeld desarroll posteriormente un modelo basado en la teora cuntica para describir el comportamiento de los electrones libres.
Bsicamente, el modelo cuntico del electrn libre sigue el modelo de
Drude respecto a las hiptesis que hace del slido pero introduce dos
importantes consideraciones respecto a los electrones:
1.
Los electrones deben ser considerados como entes cunticos.
2.
Los electrones obedecen el principio de exclusin de Pauli.
Estas consideraciones implican que el conjunto de electrones debe

ser considerado ahora como un gas cuntico (tambin conocido como
gas de Fermi) en vez de un gas clsico tal como se haca en el anterior
modelo clsico.
Ep
Modelo monodimensional
de la Ep de los e en el
interior del conductor.
El hecho de considerar ahora el conjunto de electrones como un

gas cuntico se manifiesta en que su tratamiento estadstico, realizado
mediante
dN ( E) = g( E) f ( E) dE ,
FLML
Apuntes de CF
70
hace uso de una funcin densidad de estados, g( E), y una funcin

distribucin, f ( E), distintas a las usadas para describir el gas clsico. (Segn se vio en la expresin (3.9), la funcin distribucin del gas
clsico era la de Maxwell-Boltzmann).
4.3.1. Funcin densidad de estados

La funcin densidad de estados, g( E), para los electrones considerados como entes cunticos ya fue estudiada en el Apartado 2.2.3
cuando se estudiaron los niveles energticos de una partcula cuntica
en un pozo tridimensional. Segn se vio, los electrones estaran caracterizados por una terna de nmeros cunticos (n x , ny , nz ), que debido
a la degeneracin de los niveles de energa daba lugar a la siguiente
funcin degeneracin o funcin densidad de estados:
g( E) =
con
E0 =
4E03/2
E1/2
(4.16)
h 2 2
.
2me a2
Si tenemos tambin en cuenta el spin (ver Apartado 2.4.2) junto con

su correspondiente nmero cuntico, m s , los electrones de conduccin
en el modelo de Sommerfeld vendrn finalmente caracterizados por la
siguiente cuaterna de nmeros cunticos
Nmeros cunticos del electrn
en el modelo de Sommerfeld
(n x , ny , nz , ms )
La introduccin de este nuevo nmero cuntico introduce una nueva
doble degeneracin (que no fue tenida en cuenta en el Apartado 2.2.3),
de modo que la funcin densidad de estados que debe usarse ser la
dada en (4.16) multiplicada por 2, esto es,
g(E)
g( E) =
2E03/2
E1/2 =
(2me )3/2 V 1/2

E
2h3 2
8V (2m3e )1/2 1/2

=
E
,
h3
E
(4.17)
donde V es el volumen del slido.
4.3.2. Distribucin de Fermi-Dirac

En al Apartado 3.2 ya se discuti que la funcin distribucin para
el gas clsico de electrones vena dada por
fMB ( E) e E/k B T
(gas clsico ) .
(4.18)
Para el presente caso de un gas cuntico de electrones, la introduccin

del carcter cuntico del electrn junto con el principio de exclusin de
Apuntes de CF
FLML
71
Pauli nos conducira a la funcin distribucin de Fermi-Dirac, fFD ( E),

cuya forma matemtica es
1

,
fFD ( E) =
E EF
exp
+1
kB T
fFD(E)
1
(4.19)
T=0K
T >0K
siendo E F la energa de Fermi que puede definirse, para nuestros propsitos, como el valor de energa para el cual la funcin distribucin
vale 1/2.
EF
Es interesante notar que tomando el lmite para valores altos de

la energa (E E F ), el trmino exponencial es mucho mayor que la
unidad en el denominador de (4.19) y, en consecuencia, la distribucin de Fermi-Dirac se hace bsicamente idntica a la distribucin de
Maxwell-Boltzmann:
E E
F
f MB ( E) .
fFD ( E)
(4.20)
Si analizamos con detenimiento la dependencia de (4.19) con respecto a la temperatura, nos encontramos con que a T = 0 K, la funcin
distribucin de Fermi-Dirac equivale a la siguiente funcin escaln:

1 si E < EF
(4.21)
f FD ( E) =
0 si E > EF ,
esto es, todos los estados presentan probabilidad unidad de ocupacin
si E < E F y probabilidad nula si E > EF . Podemos comprobar que
esta propiedad apenas vara con la temperatura, excepto en la regin
donde
|E E F | 4k B T ,
fFD(E)
8kT
T=0K
puesto que fuera de esa regin f FD ( E) toma valores muy prximos a

0 o bien a 1. Teniendo en cuenta el hecho de que la energa de Fermi
para la mayora de los conductores y semiconductores a temperatura
ambiente se encuentra que es 1eV < E F < 8eV y que
k B T (300 K) 0,025 eV ,
EF
(4.22)
podemos observar que la funcin f FD ( E) slo mostrar cambios apreciables (respecto a su comportamiento para T = 0 K) para temperaturas muy altas, T 3000 K. Esto implicar que en muchos casos de
inters prctico (por ejemplo, a temperatura ambiente), en vez de usar
la expresin complicada (4.19) puede usarse directamente la funcin
escaln (4.21).
Bajo las condiciones anteriores, la distribucin de portadores de
carga con respecto a la energa, dN/dE, muestra entonces que a T >
0 K existen pocos electrones con energas mayores que E F . Esto quiere decir que a temperatura ambiente y similares, la distribucin de
energa es bsicamente la misma que la que se encuentra a T = 0 K.
Fsicamente, esto implica que un aumento moderado de la temperatura respecto a T = 0 K tiene muy poco efecto en el gas cuntico de
electrones.
FLML
T >0K
T=3000K
kBT-EF
EF
dN
dE
T=0K
T >0K
E
Apuntes de CF
72
Clculo de la energa de Fermi

Teniendo en cuenta las consideraciones anteriores respecto a la dependencia con la temperatura de la distribucin de Fermi-Dirac, encontramos que en multitud de situaciones prcticas podemos escribir

1 si E < EF
dE . (4.23)
dN ( E) = g( E) f FD ( E)dE g( E)
0 si E > EF
Si aplicamos la expresin anterior a un modelo simple de un conductor, encontraramos que el nmero total de electrones, N, en el conductor vendra dado por
N=

0
dN ( E)
EF
0
dN ( E) = N ( E F ) ,
(4.24)
es decir,
el nivel de Fermi, E F , puede identificarse con el mximo valor de la energa correspondiente a un estado
ocupado, existiendo como mximo dos electrones en
cada nivel de energa.
Dado que el nmero de electrones con energas E E F sern precisamente todos los del conductor, encontramos que
N ( EF ) = nV .
(4.25)
Por otra parte, teniendo en cuenta (4.23), N ( E F ) puede calcularse como

N (EF ) =
EF
0
g( E) dE
EF
8V (2m3 )1/2
0
h3
E1/2 dE =
8V (2m3 )1/2 2 3/2

E
. (4.26)
h3
3 F
Igualando ahora los resultados de las expresiones (4.25) y (4.26), podemos concluir que
Energa de Fermi en un
conductor
h2
EF =
2me
3n
8
2/3
.
(4.27)
Puede comprobarse que para los metales tpicos (n 10 28 m3 ), los

valores de la energa de Fermi se encuentran entre E F 2 8 eV, tal
como se supuso anteriormente.
Clculo de la energa promedio del gas de Fermi
El clculo de la energa promedio de los electrones del gas de Fermi puede realizarse a partir de la expresin encontrada para dN ( E)
Apuntes de CF
FLML
73
mediante el siguiente clculo:

Ec =
0
E dN ( E)
dN ( E)
EF
=
0
E CE1/2 dE
EF
0
CE1/2 dE
3
EF
5
(4.28)
(EdN puede interpretarse como la energa de aquellas partculas cuyos

estados de energa estn comprendidos entre E y E + dE).
Si queremos encontrar la temperatura, TgF , a la cual la energa de
un electrn en un gas clsico (3/2kB TgF ) sera igual a la energa obtenida previamente en (4.28) para un electrn en un gas cuntico, entonces
al igualar ambas energas
3
3
k B TgF = EF
2
5
encontramos que
TgF =
2EF
.
5k B
Puede comprobarse que esta temperatura es del orden de 10 4 K, lo que

explicara porqu un aumento de la temperatura del gas de Fermi apenas variar su energa promedio y por tanto el valor del calor especfico de este gas es tan bajo (con respecto al predicho por el modelo de
Drude, en el cual un aumento de la temperatura del gas s tiene un
efecto muy apreciable sobre el valor de la energa promedio).
4.3.3. Conduccin elctrica

En el contexto del modelo cuntico del electrn libre, la dinmica
de los electrones no viene regida por las colisiones de los portadores
con los restos inicos sino que, por el contrario, la dinmica de los
electrones estar determinada por el proceso de propagacin de la funcin de onda asociada a los electrones en el entorno constituido por
los restos inicos. En principio caben sealarse varios puntos:
Al contrario de lo ocurre en los procesos trmicos, en el proceso
de conduccin elctrica participan todos los electrones del gas de
Fermi. Esto se debe a la posibilidad que tienen todos los electrones de aumentar de forma coherente su energa y por tanto de
desplazarse a un nivel de energa superior sin por ello violar el
principio de exclusin.
Al estudiar la dinmica de los electrones sometidos a un campo elctrico externo, el fenmeno ondulatorio anlogo a lo que
antes se visualiz como colisiones vendr ahora dado por la dispersin de la onda electrnica por los iones, es decir, por las reflexiones de Bragg de la onda electrnica en su interaccin con la
red cristalina. No obstante, para situaciones tpicas, se encuentra
FLML
Apuntes de CF
74
que no se dan las condiciones para que se produzcan estas reflexiones y, por tanto, los electrones podran vagar libremente por
la red sin que sta les ofreciera resistencia alguna (lo que dara
lugar a un valor de conductividad infinito).
El origen de una conductividad finita no se debe entonces al proceso anterior de choques sino que surge fruto de la dispersin de
las ondas electrnicas por las imperfecciones (impurezas y vibraciones trmicas) en la periodicidad del cristal. En particular,
el efecto ms importante proviene de las vibraciones trmicas de
los iones en la red. El efecto de estas vibraciones es aumentar la
seccin eficaz de los iones dando lugar a una dispersin apreciable. Los clculos muestran que el camino libre medio entre
colisiones viene dado por
L0 T 1 ,
(4.29)
lo que implica que T 1 , en acuerdo con la observacin experimental.
4.3.4. Fallos del modelo de Sommerfeld

A pesar de los xitos de este modelo al explicar el diferente comportamiento trmico y elctrico de los electrones as como la correcta
dependencia de la conductividad con la temperatura, algunos de los
puntos que este modelo no explica son:
Existencia de conductores y semiconductores/aislantes y porqu presentan comportamientos cualitativos distintos respecto
a la temperatura.
Gran dependencia de las propiedades de conduccin de los semiconductores respecto al numero de impurezas aadidas.
Existencia aparente de portadores de carga positiva, tal y como
seala el efecto Hall en algunos metales y semiconductores dopados.

4.1: Para un hilo de cobre cuya rea transversal es 5 mm2 : a) cul debera ser la
intensidad de corriente que lo recorriese para que la velocidad de arrastre de los electrones fuese igual a la velocidad trmica a temperatura ambiente?; b) discuta si se
seguira cumpliendo en las anteriores condiciones la ley de Ohm.
4.2: Usando para el cobre los siguientes valores: a = 3,7 y v(300 K) = 1,08
105 m/s, calcular la resistividad a T = 300, 200 y 100 K.
Sol. (300 K) = 1,22 107 m; (200 K) = 9,96 108 m; (100 K) =
7,05 108 m.
Apuntes de CF
FLML
75
4.3: En qu intervalo de energa, expresado en unidades de k B T, la funcin distribucin de Fermi-Dirac cambia de valor 0.90 a 0.10?
Sol.: 4,4 k B T.
4.4: Estimar la fraccin de electrones libres en el cobre que estn excitados a temperatura ambiente. EF (Cu)=6.95 eV.
Sol.: 1 %.
4.5: Calcular la energa de Fermi y la temperatura de Fermi para el oro y el hierro
sabiendo que la densidad electrnica es n(Au) = 5,90 1022 cm3 y n(Fe) = 17
1022 cm3 .
4.6: Considere un sistema con N partculas que nicamente dispone de dos estados
de energa accesibles: E1 = E y E2 = E. Si la probabilidad de ocupacin de un nivel
de energa a temperatura T viene dada por la distribucin de Maxwell-Boltzmann
f = e E/( k B T) , calcule a) la proporcin de partculas, N1 /N2 , en los niveles E1 y E2 ,
b) la cantidad de partculas en cada nivel de energa y c) la energa total del sistema
U.
Sol.: a) N1 /N2 = e2E/kT ; b) como N = N1 + N2 , N1 /N = 1/(1 + e2E/kT ),
N2 /N = e2E/kT /(1 + e2E/kT ); c) U = N1 E1 + N2 E2 = NE tanh ( E/kT ).
4.7: En la distribucin de Fermi si E = E E F , calcule f FD ( E) para E = 2k B T,
4k B T, 10k B T. Qu conclusiones puede extraer de los anteriores resultados?. Demuestre igualmente que f FD ( EF E) = 1 f FD ( EF + E) y discuta los resultados.
4.8: A una temperatura de 300 K (EF = 5,1eV): (a) cul es la probabilidad de que un
estado est ocupado para energas de 5 y 6 eV?; (b) a qu temperatura la probabilidad
de ocupacin del estado de energa E = 5,2eV es de 0.1?
Sol.: (a) 0.979, 7,08 1016 ; (b) T = 528 K.
4.9: Sabiendo que la energa de Fermi para el cobre es de 7.0 eV, determnese a
1000 K : (a) la energa a la que la probabilidad, f F ( E), del estado que ocupar un
electrn de conduccin sea de 0.9; (b) la funcin distribucin de estados o densidad
de estados, g( E), por unidad de volumen; y (c) la funcin de distribucin de partculas dn( E) = g( E) f FD ( E).
Sol.: 6.81 eV; 1,79 1028 m3 eV1 ; 1,6 1028 m3 eV1 .
4.10: Un cubo muy pequeo de Cu tiene 0.1 mm de lado. Cuntos electrones de
conduccin contiene que posean energas comprendidas entre 5 y 5.025 eV?
Sol.: 3,8 1014 electrones.
4.11: El magnesio es un metal bivalente con un peso atmico de 24.32 g/mol y una
densidad de 1.74 g/cm3 . (a) Cul es la densidad de electrones libres?; (b) Cul es
la energa de Fermi?; y (c) Cul es la longitud de onda de De Broglie de los electrones
en el nivel de energa de Fermi?.
Sol.: (a) 8,4 1028 m3 ; (b) EF = 7,07 eV; (c) = 4,62 .
4.12: Los niveles energticos electrnicos en un pozo infinito de potencial tridimensional estn dados por la expresin: E(n 1 , n2 , n3 ) = E0 (n21 + n22 + n23 ). Encontrar las
diferencias fraccionales, [ E(n i , n j , n k ) E(n i , n j , n k )] /E(n i , n j , n k ), en la energa entre
los pares de estados dados por: (a) E(1, 1, 1) y E(1, 1, 2); (b) E(10, 10, 10) y E(9, 10, 11);
y (c) E(100, 100, 100) y E(99, 100, 101). (d) Qu conclusin puede ser deducida de
estos resultados?
4.13: Si admitimos que, segn la teora cuntica del electrn libre, la energa media
de un electrn el cobre viene dada por
E = 35 EF +
FLML
2
4
kB T
k T,
EF B
Apuntes de CF
76

calcule dicha energa a temperatura ambiente (EF = 7,03 eV) y compare el anterior
valor con la energa media a T = 0 K y con el valor clsico 3k B T/2.
Sol.: E(300 K) = 4,2182 eV, E(0 K) = 4,2180 eV, 3kB T/2 = 3,88 102 eV.

2EF 1/2
, como
me
aquella que adquieren los electrones de conduccin en el gas de Fermi, calcule el
recorrido libre medio, l, de los electrones en el oro sabiendo que E F = 5,53 eV y =
2,04 cm. Compare este valor con la distancia promedio entre tomos y discuta el
resultado.
Sol. l= 414 .
4.14: Si consideramos a la velocidad de Fermi, definida como v F =
4.15: Calcule la energa de Fermi (el valor de la energa del ltimo estado lleno a
T = 0 K) para un conductor monodimensional que consta de 23 electrones en un
pozo de potencial monodimensional de paredes infinitas y anchura 6 . Tenga en
cuenta que el principio de exclusin prohbe la existencia de ms de dos electrones en
el mismo estado cuntico.
Sol. E F = 149, 4 eV.
Apuntes de CF
FLML
Captulo 5
Electrones en una red

peridica
5.1. Modelo cuntico del electrn ligado
En los dos modelos expuestos en el tema anterior se supuso que
los electrones de conduccin en los slidos eran libres, o equivalentemente que su energa potencial en el interior del slido era constante.
No obstante, las carencias de los modelos basados en esta suposicin
(vlidos nicamente para explicar propiedades de los metales) nos sugiere que el modelo del electrn libre debe revisarse. Un posible paso
adelante que supera este modelo debe tomar en consideracin la interaccin electrosttica de los electrones con la estructura cristalina del
slido. Puesto que la aparicin de este potencial peridico proviene
del efecto conjunto de todos los iones positivos de la red (que estn
regular y peridicamente distribuidos), esta interaccin quedara descrita en el modelo admitiendo que
Gas cuntico de electrones est sometido a un potencial peridico, esto es,
(5.1)
E p (r) = E p (r + T) ,
donde T es un vector traslacin de la red cristalina (ver Apartado 3.3).
Para una red finita monodimensional de periodo a, la Figura 5.1 muestra
el aspecto de este potencial.
La forma rigurosa de abordar el problema anterior requiere la resolucin de la ecuacin de Schrdinger teniendo en cuenta el hecho
de que el potencial es peridico. Para el caso monodimensional esto
implicara resolver la siguiente ecuacin:
siendo
h 2 d2
+ E p ( x ) = E
2me dx2
E p ( x ) = E p ( x + a) .
77
(5.2)
E p (r) = E p (r + T)
78
Captulo 5. Electrones en una red peridica
Ep
e2
Ep=-K r
(a)
(b)
F IGURA 5.1: (a) Energa potencial (o, simplemente, potencial) debida a la interaccin
culombiana de un electrn con un ion positivo. (b) Potencial de un electrn en una
red monodimensional de iones positivos.
Esta tarea fue llevada a cabo por Bloch, quien encontr que la funcin
de onda de un electrn en la red peridica monodimensional deba
ser del tipo
(5.3)
( x ) = uk ( x )e jkx
con
uk ( x ) = uk ( x + a) ,
que puede verse como la funcin de onda del electrn libre (e jkx )
modulada por una funcin uk ( x ) que presenta la misma periodicidad
que la red.
Operando con este tipo de funciones de onda encontraramos que
los niveles de energa del slido se agrupan en bandas de energa,
segn nos muestra la relacin E k en la Figura 5.2(a). La energa
F IGURA 5.2: (a) Relacin de dispersin E k para un electrn que se mueve en una
red peridica monodimensional de periodo a. (b) Diagrama simplificado de bandas
de energas permitidas y prohibidas.
E = E(k) es una funcin continua en ciertos intervalos de k que experimenta saltos para determinados valores del nmero de ondas
Apuntes de CF
FLML
5.1.
Modelo cuntico del electrn ligado
79
(k = n/a). Las bandas permitidas mostradas en la Figura 5.2(b) nos

indican aquellos valores de energa que puede tener el electrn mientras que las bandas prohibidas sealan los valores de energa que no
pueden ser tomados por el electrn.
5.1.1. Aproximacin de fuerte enlace

El desarrollo matemtico que llevara a la verificacin de la existencia de bandas de energa queda fuera del alcance del presente tema,
por lo que optaremos por deducir la existencia de bandas de energa
en los slidos a partir de una versin elemental de la aproximacin
de fuerte enlace. Esta aproximacin consiste bsicamente en suponer
que las funciones de onda de los electrones en los tomos que forman
el slido apenas se extiende ms all de los lmites de cada uno de
estos tomos.
En el marco de esta aproximacin, una manera sencilla de visualizar el efecto del potencial peridico en la formacin de las bandas de
energa consiste en determinar los niveles energticos de los electrones
en un slido partiendo de los niveles energticos de los tomos individuales y observando cmo varan estos niveles cuando los tomos se
aproximan lo suficientemente como para formar un slido. Dado que
este estudio es todava complicado (debido a lo complejo del potencial
que siente un electrn en el tomo), partiremos de una situacin ms
simple que modela en lo bsico la situacin anterior y que consiste en
el estudio de la variacin de los niveles de energa desde un pozo de
potencial monodimensional simple finito hasta el caso del pozo doble
finito cuando disminuye la distancia entre los pozos.
Pozo doble de potencial finito
En el caso de un nico pozo de potencial finito, las dos primeros
niveles de energa, E1 y E2 , estn relacionados con las funciones de
onda mostradas en la Fig. 5.3.
a)
b)
E1
E2
F IGURA 5.3: Funcin de onda asociada con (a) estado fundamental y (b) primer estado
excitado de una partcula en un pozo de potencial finito.
Para el caso del pozo doble de potencial finito (Fig. 5.4a), un electrn en el estado fundamental que est el pozo 1 tendr una funcin
FLML
Apuntes de CF
80
de onda, 1 ( x ), que slo ser distinta de cero en las proximidades de

dicho pozo (Fig. 5.4b). Anlogamente ocurrira para un electrn en el
estado fundamental que estuviese en el pozo 2 al que le correspondera una funcin de onda 2 ( x ) (Fig. 5.4c).
F IGURA 5.4: (a) Pozo doble finito monodimensional. (b) Funcin de onda asociada
de un electrn que est en el pozo 1 en el estado fundamental. (c) Funcin de onda
asociada de un electrn que est en el pozo 2 en el estado fundamental. (d) Funcin
de onda simtrica que representa a un electrn que puede estar con igual probabilidad en ambos pozos. (e) Densidad de probabilidad asociada con el caso anterior.
(f) Funcin de onda antisimtrica que representa a un electrn que puede estar con
igual probabilidad en ambos pozos. (g) Densidad de probabilidad asociada con el
caso anterior.
Si ahora se considera el caso de un electrn que pudiese estar con

igual probabilidad en cualquiera de los dos pozos, la funcin de onda,
( x ), que represente este sistema debe tener las siguientes propiedades:1
1.
( x ) debe reflejar el hecho de que la partcula se encuentre con

igual probabilidad en ambos pozos, por lo que la densidad de
1 Debe tenerse en cuenta que si ( x ) es una funcin de onda correspondiente a un

nivel de energa E cuya densidad de probabilidad asociada es | ( x )| 2 , ( x ) tambin
ser solucin de la ecuacin de Schrdinger y tendr asociados los mismos valores
de energa y densidad de probabilidad que la funcin ( x ).
Apuntes de CF
FLML
5.1.
81
probabilidad, |( x )|2 , debe ser simtrica con respecto al punto

medio de los dos pozos.
2.
( x ) debe presentar un aspecto similar en aquellas regiones correspondientes al caso de un electron localizado en un nico pozo.
Teniendo en cuenta las anteriores consideraciones encontramos que

slo existen dos posibilidades compatibles, dando as lugar a la funcin de onda simtrica, S (Fig. 5.4d), y antisimtrica, A (Fig. 5.4f):
S = C (1 + 2 )
A = C (1 2 ) .
Si la distancia entre los pozos es considerable, la forma de |S ( x )|2
(Fig. 5.4e) y de | A ( x )|2 (Fig. 5.4g) es muy parecida por lo que la energa de los estados que representan tendrn muy aproximadamente el
mismo valor, ES E A , y diremos que existe degeneracin.
Cuando la distancia entre los pozos disminuye, siguiendo los mismos criterios anteriores, la forma de las funciones de onda simtrica
y antisimtrica se modificar tal como muestra la Fig. 5.5 Puede verse
yS
yA
|yS|2
|yA|
ES=EA
F IGURA 5.5: Forma de las funciones de onda simtrica y antisimtrica cuando los
pozos de potencial finito se aproximan.
que la funcin de onda simtrica, S , presenta para este caso una forma similar a la funcin de onda correspondiente al estado fundamental del pozo simple finito de anchura doble (Fig. 5.3a) y, anlogamente,
la funcin de onda antisimtrica, A , es similar a la funcin de onda
del primer estado excitado del pozo simple finito de anchura doble
(Fig. 5.3b). Dado que las funciones del pozo simple correspondan a
diferentes niveles de energa, puede concluirse que
Al acercar dos sistemas independientes idnticos

(con la misma energa) se rompe la degeneracin
de los dos estados correspondientes a estos sistemas y aparecen dos niveles de energa diferente.
FLML
Apuntes de CF
82
5.1.2. Bandas de energa

A partir del principio bsico enunciado anteriormente podemos
ahora analizar los cambios en los niveles de energa del electrn en
un sistema con dos tomos. Tal como muestra la Fig. 5.6, en este caso,
se observara que los niveles de energa de los electrones ms internos
(nivel E1 ) apenas sufriran cambios mientras que los niveles de energa
de los electrones de las capas ms externas (nivel E 2 ) s que sufriran
un desdoblamiento. Este hecho se debe a que los electrones ms internos apenas seran afectados por la presencia del otro tomo dado
que su entorno de potencial apenas vara con respecto a la situacin
en la que se encontraban en cada tomo individual. Por el contrario,
el entorno de potencial de los electrones externos en el sistema de
dos tomos es sustancialmente distinto al que haba en un nico tomo. El mayor cambio en los niveles energticos de los electrones ms
externos puede tambin interpretarse a partir del efecto tnel. Debido
al efecto tnel esperamos que los electrones de las capas ms externas
dejen de estar localizados estrictamente en el entorno de cada tomo
individual y pasen a formar parte del sistema en su conjunto, mientras
que es muy poco probable que los electrones de las capas ms internas
atraviesen las barreras de potencial que los rodean.
E2
E2
E1
E1
distancia
interatmica
F IGURA 5.6: Modificacin de los niveles energticos asociados a los electrones externos de un sistema de 2 tomos
El fenmeno de desdoblamiento observado para dos tomos puede claramente extenderse a un sistema de ms tomos (por ejemplo 5,
tal como muestra la Fig. 5.7). En este caso encontraremos que por cada
nivel original de las capas del tomo individual aparecern ahora tantos niveles como tomos haya en el sistema multiatmico. Igualmente
observamos cmo los niveles de las capas ms externas (nivel E2 ) sufre un desdoblamiento ms amplio que el correspondiente a las capas
ms internas (nivel E1 ).
Si este modelo se sigue extendiendo hasta completar el nmero
total de tomos del slido (n 1028 m3 ), los niveles discretos de energas (correspondientes al despliegue de los niveles originales de los
tomos individuales) apareceran ahora tan cerca que daran lugar a
una configuracin cuasicontinua de niveles energticos. Debido a esta
Apuntes de CF
FLML
5.1.
83
E
E2
E2
E1
E1
distancia
interatmica
F IGURA 5.7: Modificacin de los niveles energticos asociados a los electrones externos de un sistema monodimensional de N tomos
naturaleza cuasicontinua de la energa, se dice que la configuracin

energtica del slido muestra bandas de energa (ver Fig. 5.8).
E
3s
2N
3s
6N
2p
2p
2N
2s
2s
2N
Banda 1s
1s
F IGURA 5.8: Aparicin de bandas de energa fruto de la prdida de degeneracin de

los niveles energticos asociados a los electrones de un slido
Debido a que las propiedades fsicas de los slidos dependen bsicamente de la configuracin de las ltimas bandas de energa, stas
sern la de mayor inters para la conductividad elctrica. La denominacin usual para estas ltimas bandas es la siguiente:
Banda de Valencia (BV): es la banda de energa ms alta conteniendo electrones.
Bandas Prohibidas (BP): corresponden a aquellos valores de energa en los cuales no hay niveles permitidos.
Banda de Conduccin (BC): Si la BV est parcialmente llena, esta banda se denomina banda de conduccin y si la BV est totalmente llena (a T = 0 K) entonces la BC ser aquella banda
inocupada inmediatamente superior a la BV.
Debe notarse que la anterior discusin sobre la formacin de bandas se basa en un modelo simplificado monodimensional que no ha
FLML
Apuntes de CF
84
tenido en cuenta las caractersticas tridimensionales del cristal. Cuando stas se tienen en cuenta, la formacin de bandas de energa puede
presentar algunas variaciones importantes respecto al modelo simple
presentado anteriormente. En concreto cabe destacar el fenmeno de
hibridacin de bandas, que consiste en la existencia de bandas de energa formadas combinando niveles de energa procedentes de diferentes niveles originales.
5.2.
Aislantes, Semiconductores y Conductores
El modelo de bandas expuesto anteriormente podr explicar satisfactoriamente la existencia de conductores y semiconductores/aislantes. Debe notarse que para que los electrones respondan al campo
elctrico externo (y por tanto contribuyan a la corriente elctrica), stos deben poder ganar energa y situarse en estados energticos superiores. En consecuencia, slo aquellos electrones que posean estados superiores prximos disponibles vacos y permitidos respondern a
la accin del campo elctrico externo. Siguiendo este mismo razonamiento podemos igualmente concluir que aquellos electrones cuyas
energas correspondan a las de una banda completamente llena NO
contribuirn a la corriente,
Jbanda llena = 0 .
(5.4)
Esto implica que los nicos electrones que participaran en el proceso

de conduccin elctrica sern aqullos situados en las bandas superiores (dado que las bandas inferiores estarn totalmente llenas).
Para explicar el comportamiento elctrico de los slidos distinguiremos dos situaciones en funcin de la temperatura: T = 0 K y
T > 0 K.
A T = 0 K, un slido que tenga la BV llena ser un aislante debido a que los electrones en dicha BV no pueden desplazarse
hacia niveles ms altos de energa en dicha banda bajo la accin
de un campo elctrico externo. La existencia de la BP, en principio, impedira que estos electrones pudieran desplazarse hacia
la BC. Por el contrario, si la BV est parcialmente llena, entonces los electrones pueden desplazarse hacia niveles ms altos de
energa en el interior de dicha banda y el slido se comportar
como un conductor. Un aislante cuya BP sea relativamente pequea se denominar semiconductor, aunque a T = 0 K, tanto
el aislante como el semiconductor se comportan como aislantes
perfectos. Las situaciones descritas anteriormente se muestran en
la Fig. 5.9.
A T > 0 K es posible que, en aislantes y semiconductores, algunos electrones de la BV sean excitados trmicamente a la BC
Apuntes de CF
FLML
5.2. Aislantes, Semiconductores y Conductores
T=0 K
85
BC
Eg
BV
Aislante
BC
Semiconductor
(BC)
BV
BV
Conductor
F IGURA 5.9: Situacin de las bandas energticas ms externas para Aislante, Semiconductor y Conductor
y, por tanto, que haya algunos portadores disponibles para la

corriente elctrica. La probabilidad de salto de electrones de BV
a BC ser directamente proporcional a la temperatura e inversamente proporcional a la anchura energtica, Eg , de la BP. En
consecuencia, a mayor Eg menor concentracin de electrones en
BC y menor valor de conductividad elctrica. Esto explica el diferente valor a temperatura ambiente de la conductividad elctrica, , dando as lugar a la diferenciacin entre aislantes y semiconductores. Por otra parte, dado que para estos materiales, la
concentracin de electrones en BC aumenta con T, la conductividad crecer a medida que la temperatura crezca, explicndose
as la correcta dependencia de la conductividad con la temperatura para aislantes y semiconductores discutida en el Apartado
4.1.
En los conductores, la situacin energtica de los electrones ligados en la BV parcialmente llena (o BC) es muy similar a la que
se encontr en el Tema 4 para los electrones libres en el modelo
de Sommerfeld dentro del pozo de potencial finito. (Esto explica
porqu el modelo de Sommerfeld fue exitoso al predecir las propiedades elctricas de los metales.) Por tanto, el comportamiento
de la conductividad con la temperatura para los conductores segn el modelo de bandas es igual al predicho por el modelo de
Sommerfeld, esto es, T 1 .
Siguiendo los razonamientos anteriores, se podra ahora predecir
el carcter elctrico de los slidos formados por distintos elementos.
As para un slido formado por tomos de Na, cuyo nmero atmico
es Z = 11 y de configuracin 1s2 2s2 2p6 3s1 , es de esperar que su estructura de bandas sea la mostrada en la figura adjunta. En principio,
la banda 3s estara parcialmente llena y, por tanto, esta banda constituira una Banda de Conduccin, por lo que esperaramos que este
solido fuese un conductor (suposicin que es plenamente confirmada
por los hechos experimentales).
3s
1N
2p
6N
2s
2N
1s
2N
tomo de Na
Slido de Na
Usando el razonamiento anterior, es de esperar igualmente que

FLML
Apuntes de CF
86
2N
de 8N
Banda 3s3p
6N
Banda 2p
2N
Banda 2s
2N
Banda 1s
Situacin para Mg
2N
de 4N
Banda 2p
2N
Banda 2s
2N
Banda 1s
Situacin aparente para C
E
2p
Eg
2s
1s
ro
Separacin
interatmica
E
Eg
el Mg de Z = 12 y configuracin electrnica 1s2 2s2 2p6 3s2 , al tener

su ltima banda con electrones totalmente llena, sea un aislante. No
obstante, experimentalmente se encuentra que el Mg es un buen conductor. Para explicar esta importante discrepancia hay que considerar
que el modelo de formacin de bandas que se ha seguido es un modelo monodimensional y, tal como se seal anteriormente, este modelo
slo nos proporciona las guas bsicas para explicar la formacin de
bandas en los slidos tridimensionales. Los detalles especficos de las
bandas de muchos slidos slo pueden explicarse a partir de un modelo que tuviese en cuenta el carcter tridimensional del slido. En
este sentido, ha de tenerse en cuenta que tanto el Na como el Mg presentan una hibridacin de las bandas 3s y 3p para formar una nica
banda hbrida 3s3p que tendr en total 8N estados energticos y, en
consecuencia, tanto para el Na como para el Mg esta ltima banda con
electrones est parcialmente llena y ambos slidos sern conductores.
Una discusin anloga puede hacerse para el caso del carbono cristalizado (diamante). El C tiene una configuracin electrnica 1s2 2s2 2p2 ,
de modo que siguiendo el modelo monodimensional debera ser un
buen conductor. No obstante, el hecho de que el diamante sea un aislante excelente puede explicarse de nuevo a partir de la formacin de
una banda hbrida 2s2p con 8N estados. Tal como se puede ver en la
figura, tras la formacin de esta nica banda hbrida ocurre una posterior separacin de esta banda en dos bandas que podemos llamar
banda 2s2p inferior y banda 2s2p superior, cada una de ellas con 4N
estados energticos. Cuando se forma el diamante los 6N electrones
del slido se situarn de manera que 2N van a la banda 1s y los restantes 4N a la banda 2s2p inferior, dando lugar a que la ltima banda
con electrones est totalmente llena. Dado que la separacin entre la
BV y BC en el diamante es grande (E g 6 eV), el diamante sera muy
buen aislante de acuerdo con el modelo de bandas. Ha de notarse que
el Si y el Ge tienen la misma configuracin electrnica en sus ltimas capas e igualmente se produce el mismo tipo de hibridacin de
bandas (banda 3s3p para Si y banda 4s4p para Ge), por lo que ambos
slidos seran igualmente aislantes a T = 0 K. No obstante, la anchura
de la banda prohibida entre BV y BC es menor en estos slidos que en
el diamante, por lo que de acuerdo a las discusiones al inicio de esta
seccin, ambos slidos sern semiconductores a T > 0 K.
5.3.
Masa efectiva
Una de las consecuencias ms importantes de la existencia de bandas en los slidos se manifiesta en la respuesta que presentan los electrones ligados a un campo elctrico externo, E . La distinta respuesta
de los electrones en funcin de su situacin en las bandas de energa
ser recogida por la magnitud masa efectiva, m . En concreto, esta magnitud nos relacionar directamente la aceleracin, a, del electrn con
Apuntes de CF
FLML
5.3. Masa efectiva
87
la fuerza externa aplicada, esto es,

a=
Fext
.
m
(5.5)
Es importante notar lo que la ley de Newton nos dice es que la suma

vectorial de todas las fuerzas que actan sobre el electrn (externas
ms internas) es igual a su masa real (me ) por su vector aceleracin,
(todas las fuerzas) = Fint + Fext = me a .
(5.6)
Esta expresin nos clarifica que en aquellos casos en los que existan
fuerzas internas no existir una relacin trivial entre la aceleracin y
las fuerzas externas dado que ser precisamente la masa efectiva (m )
la que recoger el efecto global de las fuerzas internas.
Electrn libre
Antes de tratar el electrn ligado, repasaremos brevemente las caractersticas bsicas que se encontraron para el electrn libre. En concreto se encontr que la energa del electrn libre (ver expresin (2.14))
vena dada por la siguiente expresin:
E=
h
k2 .
2me
(5.7)
Dado que en el presente caso slo actan sobre el electrn la fuerza externa debido al campo elctrico aplicado (E ), tendremos que la
ecuacin (5.6) viene dada por
Fext = eE = me a ,
(5.8)
de donde obtenemos que el mdulo del vector aceleracin ser

a=
eE
.
me
(5.9)
En el presente caso vemos que el electrn libre sufre una aceleracin

inversamente proporcional al valor de su masa inercial me , por lo que
encontramos que m = me .
Electrn ligado
En este caso veamos que el electrn estaba sometido al efecto de
un potencial peridico del cristal que daba lugar a la aparicin de un
vector de fuerzas internas. Debido a la presencia de estas fuerzas internas podemos asegurar que m = me por lo que debemos emplear algn modelo que nos permita encontrar una expresin adecuada para
la magnitud masa efectiva. En concreto usaremos un modelo semiclsico del electrn, es decir, haremos uso tanto de argumentos clsicos
como de argumentos cunticos en el anlisis.
FLML
Apuntes de CF
88
Parte cuntica.
El movimiento del electrn se supone que est regido por las
caractersticas de propagacin de su funcin de onda asociada.
En este sentido, la velocidad del electrn, v, vendr dada por la
velocidad de grupo de la onda,
vg =
d
.
dk
Dado que = E(k)/h y v vg , la velocidad puede expresarse

como
1 dE
.
(5.10)
v(k) =
h dk
Parte clsica.
Suponemos que el campo elctrico aplicado da lugar a fuerzas
ordinarias clsicas, de modo que podremos usar la ecuaciones
de movimiento de la Fsica Clsica. En este sentido, si la fuerza
externa realiza un trabajo diferencial, dW, sobre la partcula, la
energa de dicha partcula se incrementar en la misma cantidad:
dE = dW. Para el presente caso tendremos entonces que
dE = dW
= Fext dx = eE dx = eE
dx
dt = eE vdt
dt
(5.11)
y, por tanto, el incremento de energa en el tiempo puede expresarse como

dE
= eE v .
(5.12)
dt
Derivando con respecto al tiempo la ecuacin (5.10) encontramos
la siguiente expresin para la aceleracin:

dv(k)
1 d dE
,
=
a=
dt
h dt dk
o bien, intercambiando el order de integracin,

1 d dE
.
a=
h dk dt
(5.13)
Introduciendo ahora (5.12) en (5.13), encontramos

a=
eE dv
,
h dk
que puede reescribirse al sustituir el valor de v(k) dado por (5.10) como
eE 1 d2 E
(5.14)
a=
h h dk2
Apuntes de CF
FLML
5.3. Masa efectiva
89
o, equivalentemente,
a=
eE
2
1 d E
h 2 dk2
1 .
(5.15)
Comparando ahora la expresin (5.15) encontrada para la aceleracin

de un electrn ligado con la expresin (5.5) podemos concluir que
la respuesta del electrn ligado al campo elctrico externo

aplicado puede verse como la de un electrn libre que estuviese dotado de una masa efectiva, m , dada por
m = h
d2 E
dk 2
Definicin de masa efectiva para

el electrn ligado
1
.
(5.16)
E JEMPLO 5.1 Clculo de la masa efectiva de un electrn libre

De acuerdo a la expresin (5.7)
h 2
dE
=
k
dk
me
luego segn (5.16)
h 2
d2 E
=
,
me
dk2
m = me .
k
v
A partir de la forma de la relacin de dispersin para el electrn

de Bloch (Fig. 5.3a), se pueden deducir cualitativamente algunas importantes caractersticas de la masa efectiva del electrn sometido al
efecto del potencial peridico de la red. As, si nos fijamos en la forma
de la primera banda energtica, su velocidad vendr dada por
v=
k
2
1 dE
,
h dk
donde debemos considerar que esta velocidad da cuenta tanto de la

accin del campo externo como de la interaccin del electrn con la
red. Al realizar la derivada de la curva anterior para valores de k > 0
se observa que para valores de k prximos a cero, la derivada es una
funcin creciente que alcanza un mximo en el punto de inflexin de
E(k) para luego alcanzar un valor nulo en el extremo de la banda. Para
obtener la masa efectiva, se procede segn

1
d2 E
2
,
m = h
dk2
d E/dk
m*
esto es, se derivar la curva anterior y se invierte. Tras realizar esto, se

pueden destacar los siguientes hechos:
FLML
Apuntes de CF
90
1.
m no presenta el mismo valor que m e .
2.
m puede ser mayor que m e e incluso llegar a ser infinita.
3.
m puede ser menor que m e e incluso ser negativa.
En concreto se ha obtenido que la masa efectiva es

positiva en el borde inferior de la banda y
negativa en el borde superior.
La variacin de los valores y signo de la masa efectiva del electrn
bajo el efecto conjunto y opuesto del campo elctrico externo y del potencial peridico de la red puede interpretarse como un balance entre
la accin de las fuerzas provenientes del campo externo (a favor del
movimiento) y las fuerzas internas de la red (opuestas al movimiento). Cuando m > 0, el electrn gana energa globalmente dado que
la accin del campo externo es superior a la de las fuerzas internas. El
punto en el que m indicara que el electrn no se movera (como
si no respondiese a la accin de E ) ya que la accin del campo externo
es perfectamente contrarrestada por la accin de las fuerzas internas
de la red. La situacin en la que m < 0 podra interpretarse como
que en esa zona las fuerzas internas de la red superan a la accin del
campo elctrico externo.
5.4. Huecos
BC
Eg
BV
El hecho de que la masa efectiva de los electrones en el borde superior de la banda sea negativa tiene unos efectos trascendentales sobre
el fenmeno de conductividad elctrica en el slido. En este sentido
estudiaremos la contribucin a la corriente elctrica de los electrones
de una banda cuasillena. Esta situacin se encuentra tpicamente para un semiconductor intrnseco en el que algunos electrones del borde
superior de la BV migran hacia la BC por excitacin trmica. Como ya
hemos discutido, los electrones que han migrado a la BC contribuirn
a la corriente elctrica del modo usual a como lo hacen los electrones
libres en los metales. Para tratar la contribucin a la corriente elctrica
de los electrones que permanecen en la BV (que se denominar J resto ),
analizaremos en primer lugar una situacin que involucra a todos los
electrones de la BV menos a uno. Tal como ya se seal en el apartado
5.2, debemos notar que la corriente elctrica de una banda totalmente
llena es nula:
Jllena = 0 .
Esta corriente puede a su vez descomponerse en la corriente, J i ,
producida por un nico electrn i situado en el borde superior de la
BV ms la producida por el resto de electrones de dicha banda, J resto .
Apuntes de CF
FLML
5.4. Huecos
91
Es claro que esta ltima corriente describe la contribucin de los electrones de la banda de valencia cuasillena, pudindose escribir como
Jresto = Jllena Ji = Ji ,
es decir, la corriente debida a todos los electrones de la BV menos el
electrn i es equivalente a menos la corriente del electrn i situado en
el borde superior de la BV. Dado que
Ji = evi
y teniendo en cuenta que la velocidad, v i , puede escribirse, en analoga con la expresin (4.11), como
vi = ai i ,
encontramos que
Jresto = eai i .
(5.17)
Para obtener una idea ms clara de la naturaleza de la corriente a la

que es equivalente Jresto debe analizarse el sentido del vector aceleracin ai . La aceleracin podr obtenerse a partir de la aplicacin de la
ley de Newton para el electrn ligado i, esto es,
ai =
Fexterna
eE
=
.
mi
mi
Ahora bien, dado que el electrn i estaba en el borde superior de la BV,

su masa efectiva es negativa, mi = |mi | < 0, por lo que encontramos
que
eE
.
(5.18)
ai =
|mi |
La expresin anterior nos indica que la aceleracin del electrn i
del borde superior de la BV es equivalente a la de una pseudopartcula, que se llamar hueco, que tuviese carga positiva, e, y masa positiva
|mi |. El razonamiento anterior puede extenderse similarmente al caso
de ms de un electrn del borde superior de la BV. De acuerdo a esta
consideracin y a la expresin (5.17), se puede concluir que
la contribucin a la corriente de todos los electrones de la

BV menos un numero pequeo de ellos que migraron a BC
es equivalente a la corriente del mismo nmero de huecos
(pseudopartculas con carga y masa positiva)
Bsicamente, lo que se ha conseguido con la anterior interpretacin es encontrar una equivalencia entre la corriente de muchos electrones (obviamente con carga negativa) de una BV cuasillena con la
corriente de unos pocos huecos de carga positiva. No obstante, debemos tener en cuenta que la corriente en el slido est sostenida nicamente por electrones y que los huecos se han introducido con el nico
FLML
Apuntes de CF
92
objetivo de simplificar el anlisis. En este sentido, el tratamiento de

la corriente debido a los huecos en BV se har de una forma anloga
al de los electrones en la BC. Por ejemplo, si los electrones de la BV
cuasillena son sometidos a un campo elctrico externo, estos electrones ganarn energa provocando simultneamente que los huecos se
muevan hacia abajo en la banda. Dado que en el anlisis de la BV
cuasillena se ignoran los electrones y se tratan nicamente los huecos,
esto implica que un incremento de la energa de los portadores de carga de la BV se traduce en que la energa de los huecos decrece desde el
tope superior de la BV.
Hemos encontrado entonces que la corriente en un semiconductor
a T > 0 K en respuesta a un campo elctrico externo, E , est sostenida
por dos tipos de portadores:
electrones en la Banda de Conduccin, y
huecos en la Banda de Valencia.
En consecuencia, la densidad de corriente total, J, puede expresarse
como la superposicin de la corriente debida a los electrones en BC,
Jn , ms la corriente debida a los huecos en BV, J p ,
J = Jn + J p .
(5.19)
La distribucin de estos dos tipos de portadores ser por tanto lo que

determinar las propiedades elctricas de los semiconductores. Por este motivo, los temas siguientes dedicados al estudio de los semiconductores se centrarn en analizar el comportamiento de los electrones
en la BC y los huecos en la BV.

5.1: Responda a las siguientes cuestiones tericas:
Cules son las diferencias ms importantes entre un electrn libre y un
electrn en el slido cristalino?.
Por qu se originan bandas de energa en un slido cristalino?
Son los huecos simplemente la ausencia de electrones en las bandas de
energa?. En caso afirmativo, cmo explicara que, a pesar de la ausencia
de muchos electrones en BC, no haya huecos en esta banda?
Se mueven los huecos en la misma direccin que los electrones?
5.2: Para una banda de energa que puede ser aproximada mediante la expresin
E(k) = E0 [1 exp(2a2 k2 )]
(donde a es la constante de la red del cristal), calcule:
a) La masa efectiva para k = 0.
b) El valor de k para el que la velocidad del electrn es mxima.
Apuntes de CF
FLML
93
Sol. a): m (k = 0) = h 2 /(4a2 E0 ); b): k = 1/(2a).

5.3: El valor experimentalmente determinado de la energa de Fermi en el Na es de
2,50 eV. Usando la expresin terica para la energa de Fermi y el valor experimental
determine la masa efectiva de los electrones en el Na monovalente, cuyo peso atmico
es 22.9 g/mol y su densidad 0.97 g/cm3 .
Sol. m = 1,26me .
FLML
Apuntes de CF
Captulo 6
Bandas de Energa en
Semiconductores
6.1. Introduccin
El estudio terico de los semiconductores fue realizado bsicamente (Wilson, Shockley,...) en la dcada de los 30 del siglo XX. No obstante, el uso tecnolgico de los semiconductores no se inici hasta unas
dos dcadas despus debido, en gran parte, a la dificultad en la obtencin de muestras puras de material semiconductor. Desde un punto de
vista tecnolgico, algunas de las caractersticas que hacen atractivos a
los semiconductores pueden ser las siguientes:
Aparicin de dos tipos de portadores de carga: electrones (e )
en BC y huecos (h + ) en BV. El hecho de que la conduccin elctrica se produzca por dos tipos de portadores ofrece una mayor
flexibilidad de diseo y ampla considerablemente las posibilidades tecnolgicas de estos materiales respecto a los conductores y/o aislantes.
Las propiedades fsicas de los semiconductores son altamente
dependientes de la concentracin de impurezas aadidas al material. Esto permite construir muestras de semiconductor con
muy diversas caractersticas fsicas, propiedad que puede ser
eficazmente usada para el diseo de dispositivos electrnicos y
optoelectrnicos.
La mayora de los componentes electrnicos y optoelectrnicos
pueden realizarse sobre la misma muestra de semiconductor por
lo que se pueden integrar en un mismo chip muchos dispositivos
diferentes.
El inters prctico de los semiconductores se pone de manifiesto en
su amplia utilizacin en la tecnologa actual. Su uso es fundamental en
95
96
Captulo 6. Bandas de Energa en Semiconductores

Microelectrnica.
Prcticamente todos los elementos usados en Electrnica pueden realizarse usando materiales semiconductores de distinto
tipo (por ejemplo: resistencias, diodos, transistores, puertas lgicas, etc) y, por tanto, pueden ser integrados conjuntamente en
un mismo chip.
Comunicaciones.
Los circuitos usados en los sistemas de comunicacin (circuitos

de baja y alta frecuencia) se realizan actualmente sobre substratos semiconductores.
Optoelectrnica.
Dada la posibilidad de interaccin de los semiconductores con

la luz, muchos de los dispositivos pticos y optoelectrnicos se
realizan sobre la base de materiales semiconductores, por ejemplo: LED, lser de inyeccin, clulas fotovoltaicas, etc.
6.2.
Generacin trmica
BC
BV
Generacin y recombinacin de electrones y

huecos
Como ya se ha comentado anteriormente, la existencia de electrones en BC y huecos en BV es la caracterstica fsica ms determinante

de las propiedades elctricas de los semiconductores. E n concreto, la
existencia de estos electrones en BC y/o huecos en BV puede explicarse a partir de los siguientes procesos:
Generacin/recombinacin trmica de pares e /h+ .
Debido a los aportes energticos de origen trmico (T > 0 K)
existe cierta probabilidad de que, fruto de la excitacin trmica,
algunos electrones de BV pasen a la BC a travs de la BP, generando as pares de e /h+ .
Generacin ptica de pares e /h+ .
La posible interaccin luz semiconductor se producir cuando un fotn de energa h > E g incida sobre el material. Un electrn de BV puede absorber entonces la energa suficiente para
pasar a BC generando simultneamente un hueco en la BV.
En la interaccin luz semiconductor deben distinguirse dos
tipos de transiciones: directas e indirectas. Estos dos tipos distintos de transiciones responden a la distinta configuracin de
las bandas de energa cuando se considera su estructura con un
poco ms de detalle; esto es, cuando se tiene en cuenta la dependencia de la forma de las bandas con respecto al nmero de
ondas k.
Apuntes de CF
FLML
6.2. Generacin y recombinacin de electrones y huecos
97
T RANSICIONES D IRECTAS.
Este tipo de transiciones se da cuando el mnimo de la BC
coincide, para el mismo valor de k (usualmente k = 0), con
el mximo de la BV. Este hecho permite que pueda darse la
mnima transicin energtica entre las dos bandas sin que
haya un cambio en el momento lineal (debido a que k no
vara). En este tipo de transiciones se absorbe un fotn simultneamente a la transicin electrnica entre bandas.
T RANSICIONES I NDIRECTAS.
En este caso, la forma de las bandas es tal que el mnimo
de la BC y el mximo de la BV no ocurren para el mismo
valor de k. Este hecho implica que una transicin electrnica entre BV y BC debe llevar aparejado un proceso que d
cuenta del cambio de momento lineal necesario. En la prctica esto implica que el electrn debe primero realizar una
transicin haca otro estado (usualmente un estado energtico provocado por la presencia de algn defecto en la red)
y desde ah realizar la transicin entre bandas sin intercambio de momento. En otras muchas transiciones indirectas,
el proceso de cambio de momento suele deberse a un intercambio de calor con la red.
Adicin de impurezas.
Si se aaden tomos de elementos que no estn en la columna IV
(usualmente llamados impurezas substitutorias), se produce un
incremento de la concentracin de electrones en BC y/o huecos
en BV. La seleccin del tipo de impureza que se aade provocar
un aumento considerable del nmero de e o bien de h+ . Es interesante notar que este proceso de generacin, al contrario que
los anteriores, no genera pares de e /h+ sino que slo genera un
tipo de portadores.
Cuando se aaden impurezas NO

se generan directamente pares
de e /h+ sino e o h+
Debemos observar que simultneamente a la generacin de e y

h ocurre un fenmeno de recombinacin de pares e /h+ . Este proceso de recombinacin puede verse como un proceso inverso al de
generacin de pares e /h+ ; es decir, existe cierta probabilidad de que
un electrn de la BC pase a la BV, liberando as cierta energa en este
trnsito en forma de calor que absorbe la red o bien en forma de luz
(fotones). Si los agentes externos permanecen invariables en el tiempo,
la actuacin conjunta de la generacin y la recombinacin de electrones y huecos provoca que sus concentraciones permanezcan constantes
en un equilibrio dinmico.
+
Un estudio de las causas que intervienen en la generacin y recombinacin de pares e /h+ nos permitira concluir que la velocidad de
generacin de pares e /h+ , G, depende de la temperatura de operacin y del proceso concreto que origina dicha generacin, mientras
que la velocidad de recombinacin de estos pares, R, se encuentra que
FLML
Apuntes de CF
98
es proporcional a la concentracin existente tanto de electrones en BC,

n, como de huecos en BV, p, es decir,
Velocidad de recombinacin de
pares e /h+
R = r np ,
(6.1)
donde el factor r es una constante de proporcionalidad que depende

del material y del mecanismo particular de recombinacin.
6.3. Semiconductores Intrnsecos

Cuando las propiedades elctricas de un semiconductor vienen
determinadas exclusivamente por la estructura de bandas del cristal
decimos que este semiconductor es intrnseco (en la prctica, diremos
que un semiconductor es intrnseco cuando la concentracin de impurezas sea tan pequea que no afecte a sus propiedades elctricas).
Una propiedad importante de estos semiconductores es que sus portadores de carga, pares e /h+ , se generan nicamente por excitacin
trmica a travs de la banda prohibida.
Para estudiar las propiedades de los semiconductores intrnsecos,
llevaremos a cabo, en primer lugar, una descripcin cualitativa de la
aparicin de electrones en BC y huecos en BV. Posteriormente estudiaremos la probabilidad de ocupacin de estos portadores as como su
funcin densidad de estados. Esto nos permitir finalmente obtener la
distribucin energtica de ambos portadores.
6.3.1. Descripcin cualitativa

En funcin de un modelo bidimensional de enlaces covalentes y
de la estructura de bandas, los semiconductores intrnsecos pueden
describirse de la siguiente manera:
BC
BV
Apuntes de CF
A T = 0 K.
Dado que la estructura reticular tpica de los semiconductores
es la estructura tipo diamante (ver Apartado 3.4), cada uno de los
tomos del cristal aparece rodeado de cuatro vecinos prximos
de manera que forma un doble enlace covalente con cada uno de
ellos (cada tomo proporciona cuatro electrones) para obtener
la configuracin del octete. Esta configuracin no deja ningn
electrn fuera de los enlaces covalentes, por lo que el material se
comporta como un aislante.
Desde el punto de vista del modelo de bandas, la anterior configuracin se traduce en la presencia de una Banda de Valencia
completamente llena y una Banda de Conduccin completamente vaca separadas por una banda prohibida de anchura Eg .
FLML
99
A T > 0 K.
Debido a la agitacin trmica, existe cierta probabilidad de que
alguno de los enlaces covalentes del cristal pueda romperse dando lugar a un electrn que no est localizado en las inmediaciones de un tomo particular (est deslocalizado y extendido por
la red por lo puede funcionar como un portador de carga para
conducir una corriente a travs del cristal). A su vez, queda un
enlace roto que puede ser ocupado por alguno de los electrones
adyacentes provocando de esta manera otro posible movimiento adicional de cargas que puede identificarse con la aparicin
de un hueco1 .
e-
n = p ni .
(6.2)
BC
Desde el punto de vista del modelo de bandas, la aparicin del

par e /h+ es simplemente fruto de la posible transicin trmica
de un electrn de BV a BC.
Dado que los electrones y huecos son generados trmicamente por
parejas, la concentracin de electrones en BC debe ser igual a la concentracin de huecos en BV:
BV
Concentracin de e y h+ es la
misma en un semiconductor
intrnseco
Por otra parte, dado que en equilibrio la concentracin de electrones

y/o huecos permanece constante, esto implica que la generacin trmica de pares e /h+ es compensada por continuas transiciones (directas o indirectas) de electrones de BC a BV, es decir, por una continua recombinacin. El equilibrio requiere, por tanto, que en el semiconductor intrnseco la velocidad de generacin trmica, Gi , de pares
e /h+ sea igual a la velocidad de recombinacin, Ri , de estos pares y
por tanto tendremos que
R i = Gi .
(6.3)
1 Tal como muestra la figura adjunta, la aparicin de un par e /h+ en la red podra tambin considerarse teniendo en cuenta que, en dicha red, un tomo con un
enlace roto puede verse como un tomo normal ms un par e /h+ . Para visualizar esto, consideremos que cada tomo de la red contribuye a los enlaces con cuatro
de sus electrones y, en este sentido, caractericemos cada tomo por sus cuatro electrones de valencia junto con sus correspondientes cuatro protones que den cuenta de la
neutralidad de la carga en el tomo. En este sentido, un tomo normal ms un par
e /h+ , tras la posible recombinacin de uno de los electrones ligados al tomo con
el hueco, sera equivalente al tomo con uno de sus enlaces rotos.
4
tomo normal +
par e- / h+
FLML
4
e- y h+ que
se recombinan
tomo con un
enlace roto
Apuntes de CF
100
6.3.2.
Probabilidad de ocupacin de electrones y huecos
La generacin trmica de pares e /h+ puede entenderse a partir

de la forma de la funcin distribucin de Fermi-Dirac, que da la probabilidad de ocupacin de los estados electrnicos. En concreto para
T > 0 K, la probabilidad de ocupacin de electrones, f n ( E), es la ya
conocida y estudiada con detalle en el Tema 4, esto es,
fn(E)
1
f n ( E) =
EF
fp(E)
1

.
E EF
exp
+1
kB T
(6.4)
Para el caso de la probabilidad de ocupacin de huecos, f p ( E), debe

notarse que la cantidad 1 f n ( E) representa la probabilidad de que
un estado electrnico de energa E est vaco, o dicho de otra manera,
la probabilidad de que este estado est ocupado por un hueco. Por
tanto,
1

,
(6.5)
f p ( E) = 1 f n ( E) =
EF E
exp
+1
kB T
representa la probabilidad de ocupacin de huecos 2 .
EF
6.3.3. Posicin del nivel de Fermi para semiconductores

intrnsecos
BC
EC
EF
EV
BV
Dado que en un semiconductor intrnseco debe cumplirse que la

concentracin de electrones en BC sea idntica a la concentracin de
huecos en BV (n = p), es razonable suponer que esta situacin se da si
el nivel de energa de Fermi, EF , se sita aproximadamente en
el medio de la Banda Prohibida.
De esta manera se tiene que la probabilidad de ocupacin de electrones en BC ser exactamente la misma que la probabilidad de ocupacin de huecos en BV. Si la densidad de estados para electrones en BC
y huecos en BV no es muy distinta, el situar E F en mitad de la BP provocar que la concentracin de electrones en BC sea igual a la concentracin de huecos en BV, tal y como se espera para el semiconductor
intrnseco.
6.3.4. Funcin densidad de estados para electrones y huecos

La funcin densidad de estados para electrones libres se obtuvo ya
en (4.17), aunque si estamos interesados en la funcin densidad de
2 Es
importante observar que la probabilidad de ocupacin de huecos se obtiene

como una reflexin especular en torno a EF de la probabilidad de ocupacin de electrones.
Apuntes de CF
FLML
101
estados por unidad de volumen , entonces encontraremos que

g( E) =
(2me )3/2 1/2

E
,
2h3 2
siendo su forma grfica la mostrada en la Fig. 6.1. Debe notarse que

el origen de la energa cintica, E Ec , para los electrones libres se
tomaba en el fondo del pozo de potencial.
EF
E
g(E)
F IGURA 6.1: Funcin densidad de estados para electrones libres en un metal.
Si ahora se desea obtener la funcin densidad de estados para los

electrones en BC y para los huecos en BV debemos tener en cuenta
que, de acuerdo a la discusin que se llev a cabo en el apartado 5.3,
el tratamiento de los electrones/huecos en BC/BV es anlogo al de los
electrones libres en el modelo de Sommerfeld pero considerando que
las partculas estn dotadas ahora de cierta masa efectiva, me para los
electrones y m h para los huecos.
Electrones en Banda de Conduccin

Los electrones en la banda de conduccin se comportarn de forma
anloga a los electrones libres en el pozo finito del modelo de Sommerfeld salvo que ahora debemos considerar que
La masa debe ser modificada para dar cuenta de la posicin en
la banda, esto es, debemos sustituir la masa de los electrones, m e ,
por su masa efectiva, me .
El origen de energa cintica debe ser tomado ahora en el lmite
inferior de la BC, cuyo valor se denotar como EC , para poder
as dar cuenta de que un electrn en el fondo del pozo formada
por la BC tenga ah su nivel de energa cero.
FLML
Apuntes de CF
102
De acuerdo a lo anterior, la funcin densidad de estados para los

electrones en la BC, gn ( E), vendr dada por
gn ( E ) =
(2me )3/2
( E EC )1/2
2h3 2
(6.6)
E
BC
EC
EC
BV
gn(E)
Huecos en Banda de Valencia
Anlogamente al caso de los electrones en BC, la densidad de huecos en BV, g p ( E), viene dada por
g p ( E) =
(2mh )3/2
( EV E)1/2 ,
2h3 2
(6.7)
donde el origen de energa cintica nula ha de tomarse en el borde

superior de BV, E E V y teniendo en cuenta adems que el sentido
positivo de esta energa debe tomarse en sentido decreciente.
E
BC
EV
BV
gp(E)
Apuntes de CF
FLML
103
6.3.5. Distribucin energtica de huecos y electrones

La obtencin de la distribucin energtica de electrones en BC,
dn/dE, y huecos en BV, dp/dE, se har a partir de las expresiones anteriores para la densidad de estados y la probabilidad de ocupacin,
dando lugar a
( E EC )1/2

,
E EF
exp
+1
kB T
dn
= gn ( E ) f n ( E ) = C n
dE
(6.8)
BC
EC
EF
EV
BV
gn(E)
fn(E)
dn/dE
F IGURA 6.2: Distribucin energtica de e en BC para un semiconductor intrnseco
dp
= g p ( E) f p ( E) = C p
dE
( EV E)1/2

.
EF E
exp
+1
kB T
(6.9)
E
BC
EC
EF
EV
BV
gp(E)
fp (E)
dp/dE
F IGURA 6.3: Distribucin energtica de h + en BV para un semiconductor intrnseco
FLML
Apuntes de CF
104
La Fig. 6.4 muestra una representacin grfica de la distribucin

de huecos y electrones de un semiconductor comparndolas con las
de un metal y un aislante. En esta figura podemos ver cmo la concentracin de electrones en los metales es la ms abundante. Igualmente
observamos que la diferencia bsica entre los aislantes y los semiconductores proviene de la diferente anchura de la BP, lo cual provoca
que, a una temperatura dada, la distribucin de electrones y huecos
sea ms abundante en los semiconductores que en los aislantes.
E
e
EF
METAL
g(E)
f (E)
BC
EF
h+
BV
AISLANTE
BC
EF
h+
BV
SEMICONDUCTOR
F IGURA 6.4: Distribucin de electrones, dn/dE, y huecos, dp/dE, en metales, aislantes

y semiconductores
Apuntes de CF
FLML
6.4. Semiconductores Extrnsecos
105

Adems de los portadores intrnsecos generados trmicamente, es
posible crear nuevos portadores en los semiconductores mediante la
adicin de impurezas en el cristal. Este proceso, llamado dopaje, es
una tcnica muy comn para variar la conductividad de los semiconductores. Si el nmero de tomos de impurezas que se aaden es una
fraccin pequea del nmero total de tomos originarios en el cristal,
entonces puede suponerse que la accin de la adicin de estas impurezas ser la de sustituir a algunos tomos originales pero SIN cambiar la
estructura reticular del cristal, es decir, sin modificar apreciablemente
la estructura de bandas del semiconductor. Segn el tipo de impurezas
que se aadan al cristal, se distinguirn dos tipos de semiconductores
extrnsecos.
6.4.1. Semiconductor tipo n

Si las impurezas que se aaden al cristal semiconductor pertenecen a elementos de la columna V (N, P, As, Sb), entonces, segn la
visin bidimensional de enlaces del cristal, algunas posiciones ocupadas por tomos originales aparecern ahora ocupadas por los ND
tomos de impurezas aadidas, que debido a sus cinco electrones de
valencia posibilitarn el que uno de esos electrones no est ubicado en
alguno de los enlaces covalentes. Dado que este electrn est ligado
al tomo de impureza por fuerzas electrostticas dbiles, dicho tomo puede fcilmente ionizarse y el e liberado podr contribuir a
la corriente elctrica en el cristal. A las impurezas del grupo V se las
llamar impurezas donadoras.
Desde el punto de vista del modelo de bandas, y tal como muestra la Fig. 6.5, la situacin anterior se traduce en la aparicin en la BP
Si ;
T=0 K
T>0K
+
P=>P + e
F IGURA 6.5: Estructura de bandas de un semiconductor dopado con impurezas donadoras. A bajas temperaturas, el nmero de transiciones de electrones a la BC se debe
principalmente a la presencia de los tomos donadores (ocurren pocas transiciones
de origen trmico).
de un nuevo nivel de energa, E D , (con 2ND estados posibles) correspondiente a los electrones deslocalizados de los tomos de impurezas
donadoras. Este nivel de energa aparecer cercano al borde inferior
de la BC y as, por excitacin trmica, existir una alta probabilidad
FLML
Apuntes de CF
106
tomo Si +
carga neg. fija + h+
3
e- y h+ que
se recombinan
tomo Al
F IGURA 6.6:
de que los electrones de este estado pasen a la BC y, por tanto, incrementen la concentracin de electrones en dicha banda. Debe notarse
que el aumento de electrones en esta banda no va acompaado de un
incremento anlogo de huecos en BV dado que la correspondiente carga positiva corresponde al ion de la impureza donadora permanecer
fijo en el cristal.
La discusin anterior tambin nos permite predecir cualitativamente que la posicin del nivel de Fermi a T = 0 K debe estar situada
entre E D y EC , puesto que as aseguraramos que a 0 K no hay electrones en BC y el nivel E = E D est lleno.
Si
Al
6.4.2. Semiconductor tipo p

De manera similar a lo que sucede para el semiconductor tipo n, la
adicin de tomos de elementos correspondientes a la columna III (Ga,
In, B, Al) con slo tres electrones de valencia provoca que al sustituir a
alguno de los tomos originales del cristal semiconductor, uno de los
enlaces covalentes quede incompleto. Este enlace incompleto puede
ser fcilmente completado por uno de los electrones de los enlaces
adyacentes provocando de este modo que el enlace incompleto pueda
vagar por el cristal y contribuya a la corriente elctrica como un
hueco.
T=0K
Tal como muestra la Fig. 6.6, la adicin de un tomo de Al a la red

del Si podra visualizarse como una red tpica de Si ms una carga negativa fija en la posicin del tomo de Al y una carga positiva (hueco)
dbilmente ligada a la carga negativa. Una dbil excitacin trmica
puede liberar a esta carga positiva creando as un portador mvil
de carga.
h+
T>0K
-
Al=>Al + h
Dado que los tomos de impurezas (en nmero igual a N A ) pueden

aceptar electrones de tomos adyacentes, stas se denominan impurezas aceptoras.
La situacin que el modelo de bandas (ver Fig. 6.7) predice para el
presente caso consiste en la aparicin de un nuevo nivel de energa,
E A en la BP (con 2NA estados electrnicos posibles) correspondiente a
los electrones que pueden ser aceptados por las impurezas. Este nivel
Apuntes de CF
FLML
107
de energa estar situado cerca del borde superior de la BV, indicando

que este nivel ser fcilmente alcanzado por los electrones del borde
p>>n
EC
e- portadores minoritarios
EA
EV
h+ portadores mayoritarios
T=0K
T > 0 K (~50 K)
F IGURA 6.7: Estructura de bandas de un semiconductor dopado con impurezas aceptoras.
superior de la BV dejando de este modo un nmero igual de huecos

en la BV.
Anlogamente al caso del semiconductor tipo n, la posicin del
nivel de Fermi a T = 0 K debe estar situada entre E V y E A .
6.4.3. Distribucin energtica de huecos y electrones

Para obtener la distribucin energtica de huecos/electrones en
BC/BV han de obtenerse los productos (6.8) y (6.9). Debe notarse que
dado que se supuso que la adicin de impurezas no modificaba la
estructura de las bandas energticas del cristal, las densidades de estados, gn ( E) y g p ( E) (dadas por (6.6) y (6.7)), no variarn por la adicin de impurezas donadoras/aceptoras. El cambio en la distribucin
energtica debido a la aparicin de nuevos portadores debe venir por
tanto reflejado en la probabilidad de ocupacin de los estados.
Para un semiconductor tipo n existe claramente una mayor concentracin de electrones en BC que de huecos en BV. Para que esto
pueda ocurrir, el nivel de Fermi correspondiente a la presente situacin debe situarse por encima de la posicin del nivel intrnseco. Dado
que f n ( E) mantiene su forma relativa para una temperatura especfica, el desplazamiento del nivel de Fermi indica que la probabilidad de
ocupacin de electrones en BC (E E C ) ser mayor que la probabilidad de ocupacin de huecos en BV (E E V ).3
Para un semiconductor tipo p, la concentracin de huecos en BV
ser mayor que la de electrones en BC. Por tanto, el nivel de Fermi
(siguiendo los razonamientos dados anteriormente) deber situarse
por debajo de la posicin del nivel intrnseco.
A partir de las discusiones anteriores, la distribucin energtica
3 Se espera que la concentracin de huecos disminuya debido a los fenmenos de
recombinacin. Al aumentar considerablemente n, y de acuerdo con (6.1), la velocidad de recombinacin de pares e /h+ aumentar, lo que tendr poco efecto sobre el
nmero total de electrones en BC pero s ser bastante considerable sobre el nmero
de huecos en BV.
FLML
Apuntes de CF
108
para electrones en BC y huecos en BV para semiconductores tipo n

y tipo p tendr la forma mostrada en la Fig. 6.8, donde tambin se
muestra comparativamente la de un semiconductor intrnseco.
BC
e
EF
h+
BV
Semic. Intrnseco
BC
e
EF
h+
BV
Semic. tipo n
BC
e
EF
+
h
BV
Semic. tipo p
F IGURA 6.8: Distribucin de electrones, dn/dE, y huecos, dp/dE, en semiconductores

intrnsecos, tipo n y tipo p.

6.1: Las bandas prohibidas para el Si y el Ge son respectivamente 1.1 eV y 0.7 eV.
Calcular la frecuencia mnima que debe tener una radiacin electromagntica para
poder producir conductividad en estos semiconductores.
Sol. Si = 2,66 1014 Hz. Ge = 1,69 1014 Hz.
6.2: Cuando un fotn de energa E Eg penetra en un semiconductor produce pares
electrn/hueco (e/h), esto es, se excitan electrones desde el borde de la BV hasta el
fondo de la BC. Un cristal de Ge (E g = 0,67 eV) se usa como detector de rayos
(fotones de alta energa). Determinar: a) cul es el nmero mximo, N, de pares e/h
Apuntes de CF
FLML
109
que puede producir una radiacin de 1.5 MeV?; b) si la resolucin del detector es
de 4 103 pares e/h, cul es la resolucin de la energa ptima del detector?
Sol. (a) N = 2,238 106 , (b) E = 2,68 103 eV.
6.3: La luz visible del espectro est compuesta por fotones con longitudes de onda
comprendidas entre 4000 y 7000 (equivalente a energas entre 1.8 y 3.1 eV). Para
el diamante el ancho de la BP es de 6 eV. Explicar por qu el diamante es transparente.
Asimismo, explicar por qu el Si cuya BP es de 1.1 eV es transparente al infrarrojo (IR)
de frecuencia comprendida entre 1012 y 1014 Hz y no lo es a la radiacin visible.
6.4: Suponer que la energa de Fermi de un semiconductor intrnseco est en mitad
de su banda de energa prohibida y que la anchura de sta es grande en comparacin
con kT. Demostrar que la probabilidad de ocupacin de un estado de energa E est
dada aproximadamente por a) f n ( E) = e( E EF ) /kT para un electrn en la banda de
conduccin y b) f p ( E) = 1 f n ( E) = e( EF E) /kT para un hueco en la banda de
valencia.
6.5: El GaAs es un semiconductor con una banda prohibida (BP), Eg = 1,43 eV. Dentro de esta BP aparecen niveles de energa debidos a impurezas. Medidos respecto a
la BV estos niveles estn a 0.05 eV para el Al y 1.38 para el P. Cul de estas impurezas
acta como donadora y cul como aceptora?. Razone la respuesta.
FLML
Apuntes de CF
Captulo 7
Portadores de carga en
Semiconductores
7.1. Introduccin
Tal como se ha venido sealado, las propiedades elctricas de los
semiconductores vienen bsicamente determinadas por la presencia
de electrones en la BC y de huecos en la BV (dado que son estos portadores de carga los que determinen el flujo de corriente elctrica en el
material). Por este motivo, este tema estar dedicado al estudio de las
propiedades de estos portadores de carga. En particular estudiaremos
en primer lugar cuntos portadores hay para poder as determinar los
factores que influyen en la conductividad elctrica del semiconductor. Posteriormente estudiaremos la respuesta de un semiconductor al
efecto de un campo externo, para lo cual analizaremos los distintos tipos de corriente que aparecen y dedicaremos una especial atencin a
un nuevo tipo de corriente (corriente de difusin) que surge fruto de
una concentracin no uniforme de portadores. Finalmente obtendremos las ecuaciones que determinan la distribucin espacial de portadores en algunas situaciones de gran inters prctico.
7.2. Concentracin de electrones y huecos

En el Tema 4 ya apuntamos que la conductividad elctrica de un
semiconductor poda escribirse como
= e(nn + p p ) ,
(7.1)
donde n y p son las movilidades de los electrones y huecos respectivamente. Es interesante notar que las movilidades dependen inversamente de la masa efectiva. Por ejemplo para electrones en BC, an
analoga con la expresin (4.12) para electrones libres en metales, se
111
112
Captulo 7. Portadores de carga en Semiconductores
tiene que
ne2 n
E
me
(donde se ha usado la masa efectiva en vez de la masa en reposo), por
lo que
ne2 n
,
n =
me
y dado que n = enn , encontramos finalmente que
en
(7.2)
n = .
me
Jn =
El procedimiento para obtener las concentraciones de electrones

en BC, n, y huecos en BV, p, consiste en integrar las expresiones (6.8)
y (6.9) con respecto a la energa en las correspondientes bandas. As,
para el caso de la concentracin de electrones en BC tendremos que
n=
BC
dn
dE =
dE
BC
gn ( E) f n ( E) dE .
(7.3)
Al sustituir las expresiones matemticas encontradas en el tema anterior para gn ( E) y f n ( E), la integral (7.3) (as como su equivalente
para el clculo de p) presenta una forma para la que no es posible
encontrar su primitiva en forma cerrada. Para intentar solventar este inconveniente, podemos hacer uso del hecho de que, en muchas
situaciones tpicas (para temperaturas no excesivamente altas y siempre que la concentracin de impurezas que se aadan sea una fraccin
del nmero de tomos originales del cristal), la posicin del nivel de
Fermi est situada por debajo de E C (o bien arriba de EV para huecos
en BV) al menos unas cuantas unidades de k B T. Cuando se dan estas
condiciones, es decir, si
Condiciones de un conductor
NO degenerado
EC E F k B T
(7.4a)
EF EV k B T ,
(7.4b)
se dice que el semiconductor es no degenerado. Este hecho nos permite usar la siguiente expresin aproximada para la probabilidad de
ocupacin de electrones en BC:

1
E E F

exp
.
(7.5)
f n ( E) =

E EF
kB T
E
E
C
exp
+1
kB T
Ntese que la anterior expresin aproximada de la funcin distribucin de Fermi-Dirac tiene la misma forma que la funcin distribucin
de Maxwell-Boltzmann, tal como ya se discuti en (4.20). Dado que
f n ( E) decae exponencialmente a cero para valores de energa alejados
de EC (E EC ), el lmite de integracin superior de la BC puede sustituirse por infinito, de modo que la concentracin de electrones puede
obtenerse con buena aproximacin como

E EF
dE .
(7.6)
Cn ( E EC )1/2 exp
n=
kB T
EC
Apuntes de CF
FLML
113
Realizando el cambio de variable

x=
E EC
,
kB T
la integral (7.6) puede reescribirse como

EC E F
3/2
n = Cn (k B T ) exp
x1/2 e x dx .
kB T
0
Teniendo ahora en cuenta que la integral
que aparece en la expresin
anterior est tabulada y que su valor es /2, encontramos finalmente que el nmero de electrones por unidad de volumen en la BC puede
expresarse como

EC E F
,
n = NC exp
kB T
(7.7)
Concentracin de electrones
en BC
donde NC es una constante del semiconductor llamada densidad efectiva de estados en BC que viene dada por

NC = 2
me k B T
3/2
.
2h2
(7.8)
Un clculo para la densidad efectiva de estados en BC para el Si a

T = 300 K muestra que NC = 4,39 1024 m3 .
Siguiendo un procedimiento similar para el clculo de la concentracin de huecos en BV obtendramos que

EF EV
p = NV exp
kB T
Concentracin de huecos en BV
(7.9)
donde NV es la densidad efectiva de estados en BV dada por

NV = 2
mh k B T
3/2
2h2
(7.10)
En el Si a T = 300 K, NV = 5,95 1024 m3 .

Una expresin alternativa bastante til para calcular la densidad
efectiva de estados es
3/2
3/2
me,h
T (K)
1025 m3 .
(7.11)
NC,V = 2,5
me
300
Es interesante notar que las expresiones obtenidas para n y p en
(7.7) y (7.9) son vlidas tanto para semiconductores intrnsecos como
extrnsecos en equilibrio trmico y que su clculo requiere el conocimiento previo de la posicin del nivel de Fermi. De hecho puede
observarse que a medida que E F se aleja de EC (EV ) la concentracin
de electrones(huecos) decrece exponencialmente.
FLML
Apuntes de CF
114
A partir de la posicin del nivel de Fermi para el semiconductor

intrnseco, que ser denotado como E i , pueden obtenerse unas expresiones tiles para el clculo de las concentraciones de electrones
y huecos en semiconductores extrnsecos conociendo la posicin del
nivel de Fermi y el valor de las concentracin intrnseca, n i . Teniendo
en cuenta que, para semiconductores intrnsecos, las expresiones (7.7)
y (7.9) nos dicen que

EC Ei
,
ni = NC exp
kB T

Ei EV
pi = NV exp
,
kB T
al sustituir estas expresiones de nuevo en (7.7) y (7.9), obtendremos

equivalentemente que

E F Ei
n = n i exp
k T

B
Ei E F
.
p = ni exp
kB T
(7.12)
(7.13)
7.2.1. Ley de accin masas

Otro resultado interesante que puede derivarse de las expresiones
(7.7) y (7.9) se obtiene al realizar el producto de los valores de la concentracin de electrones en BC por la concentracin de huecos en BV.
Si se realiza este producto tenemos que

EC E F
EF EV
NV exp
np = NC exp
k T
kB T
B
Eg
= NC NV exp
= Cte( T; m , Eg ) ,
kB T
(7.14)
esto es, el producto np slo depende de la temperatura y de ciertos

parmetros del semiconductor (masas efectivas de electrones/huecos
y la anchura de la BP). El resultado (7.14) nos dice entonces que a
una temperatura fija, en un mismo semiconductor, el producto de la
concentracin de e en BC por la de h+ en BV permanece constante
independientemente del tipo y grado de dopaje del material.
El resultado anterior puede tambin obtenerse a partir de la combinacin de las expresiones (7.12) y (7.13), de donde obtendramos al
multiplicarlas que
Ley de accin de masas
np = n2i .
(7.15)
Esta ley conocida como ley de accin de masas muestra que el producto de la concentracin de electrones en BC por huecos en BV para
cualquier semiconductor es siempre igual al cuadrado de la concentracin intrnseca de electrones y/o huecos.
Apuntes de CF
FLML
115
El valor de ni puede a su vez relacionarse con los parmetros del

semiconductor intrnseco combinando (7.14) con (7.15) para obtener
ni =

Eg
.
NC NV exp
2k B T
(7.16)
Concentracin de e y h+ en un
semiconductor intrnseco
La expresin anterior es a menudo tambin til para obtener el valor

de la anchura de la BP (Eg ) a partir de los valores de n i , NC y NV .
E JEMPLO 7.1 Clculo de la concentracin intrnseca en una muestra de Si a
T = 300 K, siendo m e = 0,31m e , mh = 0,38m e , Eg = 1,1 eV.
Usaremos la expresin (7.16), para lo cual necesitamos previamente calcular NC y NV mediante (7.11). Operando obtenemos que
NC = 2,5 0,31 3/2 1025 m3 = 4,39 10 24 m3
NV = 2,5 0,38 3/2 1025 m3 = 5,95 10 24 m3 ,
que al sustituirlos en (7.16) nos dice que

1,1 40
ni = 4,39 5,95 10 24 exp
1,42 10 15 m3 ,
2
donde hemos hecho uso de que, a temperatura ambiente, k B T 1/40 eV.
En el apartado 5.2 se discuti que la anchura de la BP, E g , determinaba el que un slido fuese considerado aislante o bien semiconductor. La expresin (7.16) muestra que la concentracin de electrones
en la BC decrece exponencialmente al aumentar Eg , justificando claramente porqu el diamante (E g 6 eV) es un buen aislante y sin
embargo el Si (Eg 1 eV) es un semiconductor.
E JEMPLO 7.2 Comparacin de la concentracin intrnseca, n i , para el diamante

(C) y el silicio (Si) a temperatura ambiente.
A partir de la expresin (7.16) puede verse que la relacin entre la concentracin de electrones en BC para el diamante y el silicio puede escribirse
como

Eg ( C)

NC NV C exp
n i ( C)
2k B T
=

.

Eg (Si)
ni (Si)

NC NV Si exp
2k B T
Despreciando las posibles pequeas diferencias existentes respecto a las masas efectivas en el diamante y en el silicio obtenemos que

6 (eV)

exp
2,5 (eV)
n i ( C)
2k B T

= exp
.
1 (eV)
ni (Si)
kB T
exp
2k B T
FLML
Apuntes de CF
116

Dado que a temperatura ambiente k B T 0,025eV, encontramos finalmente
que

n i ( C)
2,5 (eV)
= exp(100) 10 44 !! .
= exp
ni (Si)
0,025 (eV)
En el ejemplo 7.1 hemos obtenido que ni (Si) 1015 m3 y dado que la densidad de electrones en BC para el diamante es 44 rdenes de magnitud menor
que en el silicio, podemos concluir que ni (C) es prcticamente nula; confirmando as que el diamante es un aislante excelente.

espacial
Segn se ha discutido en el Tema 6, en un semiconductor aparecen
dos tipos distintos de cargas en funcin de su estado de movimiento,
a saber,
Portadores mviles de carga: las cargas mviles compuestas por
los electrones de BC, n, y los huecos de BV, p.
Cargas fijas: provenientes de la ionizacin de las impurezas sustitutorias tanto donadoras, ND + , como aceptoras, NA .
Dado que ni la generacin de pares e /h+ ni la adicin de impurezas
provoca la aparicin de carga neta y supuesto que el semiconductor
era originalmente neutro, de acuerdo al principio de conservacin de
la carga, debemos tener que
Nmero de cargas positivas = Nmero de cargas negativas.

En otras palabras, la concentracin de e en BC ms la concentracin
de impurezas aceptoras ionizadas negativamente debe ser igual a la
concentracin de h+ en BV ms la concentracin de impurezas donadoras ionizadas positivamente, es decir,
Ecuacin de neutralidad
de la carga
n + NA = p + ND + .
(7.17)
Si la temperatura de operacin es tal que las impurezas se han ionizado completamente (lo cual puede considerarse que ocurre aproximadamente a temperatura ambiente), esto es, si N A NA y ND + ND ,
entonces la ecuacin de neutralidad de la carga espacial en el semiconductor puede escribirse como
n + NA = p + ND .
(7.18)
Esta ley junto con la ley de accin de masas (7.15) nos permitir calcular las concentraciones de e y h+ en funcin de las concentraciones
Apuntes de CF
FLML

espacial
117
de impurezas donadoras/aceptoras y la concentracin intrnseca. Para ello, partiendo de p = n 2i /n y sustituyndolo en (7.18), obtenemos
que
n + NA =
n2i
+ ND
n
n2 ( ND NA )n n2i = 0 .
Al despejar en la ecuacin anterior encontramos finalmente que

ND NA 2
ND NA
+
+ n2i
(7.19)
n =
2
2
p =
7.3.1.
n2i
.
n
(7.20)
Clculo aproximado de n y p
Las expresiones anteriores se pueden simplificar en las siguientes

condiciones:
Semiconductor tipo n
Si se cumple estrictamente que N A = 0, la ecuacin de neutralidad de la carga dice que
n = p + ND .
Si la generacin de electrones por excitacin trmica (recurdese
que se excitan pares e /h+ ) puede despreciarse frente a la generacin de electrones debido a la ionizacin de las impurezas
donadoras, es decir, si
ND ni ,
entonces el trmino n 2i puede despreciarse en la raz de (7.19),
dando lugar a que
n ND
p
n2i
ND
(7.21)
.
(7.22)
Semiconductor tipo p
Si en este caso ND = 0, la ecuacin de neutralidad de la carga
queda como
n + NA = p .
Suponiendo de nuevo que la generacin de huecos por excitacin trmica puede despreciarse frente a la generacin de huecos debido a la ionizacin de las impurezas aceptoras, esto es,
cuando
NA n i ,
FLML
Apuntes de CF
118
entonces se cumplir que NA n y por tanto

p NA
n
n2i
NA
(7.23)
.
(7.24)
E JEMPLO 7.3 Calcular la concentracin de electrones y huecos en una muestra

de Si dopada con 10 19 tomos de Al.
Dado que el Al es una impureza aceptora, tenemos que
NA = 1019 m3
ND = 0 .
Por otra parte, segn el dato para n i obtenido en el ejemplo 7.1, tenemos que
NA n i ,
por lo que podemos usar las aproximaciones (7.23) y (7.24) para obtener finalmente que
p 1019 m3
n
(1,42 10 15 )2
2 1011 m3 .
1019
7.3.2. Clculo de EF para semiconductores intrnsecos y extrnsecos
Posicin del nivel de Fermi
Posicin del nivel de Fermi para

un semiconductor no
degenerado
Si en las expresiones (7.7) y (7.9) se toman logaritmos neperianos

y a continuacin se restan, obtenemos que

n
p
k B T ln
k B T ln
= 2EF EC EV .
NC
NV
Reescribiendo el segundo miembro de la expresin anterior como
2EF EC EV = 2( EF EV ) Eg y teniendo en cuenta (7.11), encontramos la siguiente expresin general para el nivel de Fermi en
cualquier tipo de semiconductor no-degenerado:

Eg
mh
n
3
1
(7.25)
EF = EV +
+ k B T ln
+ k B T ln
2
4
me
2
p
Semiconductor intrnseco
En un semiconductor intrnseco se cumple que n = p, luego al
operar en (7.25), denominando como Ei al nivel de Fermi intrnseco, se
tiene que

Eg 1
NC
+ k B T ln
Ei = EV +
2
2
N
V
Eg 3
mh
= EV +
+ k B T ln
.
(7.26)
2
4
me
Apuntes de CF
FLML

espacial
119
La expresin anterior indica que el nivel de Fermi para un semiconductor intrnseco se sita aproximadamente en el centro de la BP, desviado de ella el factor 34 k B T ln(mh /me ). Supuesto que la temperatura
no es muy alta y que m e mh , este factor es despreciable respecto al
primer trmino y, por tanto,
Ei EV +
Eg
2
Posicin del nivel de Fermi en

un semiconductor intrnseco a no
muy altas temperaturas
para la mayora de los casos tpicos en los semiconductores intrnsecos, tal y como ya se predijo de forma cualitativa en el Apartado 6.3.2.
Semiconductores extrnsecos
En el supuesto de que se cumplan las aproximaciones (7.4a) y (7.4b)
dadas en el apartado 7.3.1, la posicin del nivel de Fermi en semiconductores extrnsecos puede igualmente determinarse con facilidad.
Dado que en este caso n p, la expresin (7.25) nos dice que
la posicin del nivel de Fermi se desplazar claramente hacia el
borde inferior de BC (tal y como ya se predijo anteriormente de
una forma cualitativa). Una expresin til para el clculo de EF
se obtiene al combinar las ecuaciones (7.7) y (7.21),

EC E F
,
ND = NC exp
kB T
y despejar E F , de donde
EF = EC kT ln
NC
.
ND
(7.27)
Partiendo de (7.25), un clculo ms detallado nos mostrara (ver

figura adjunta) que el nivel de Fermi disminuye primero ligeramente con la temperatura para acercarse posteriormente a la curva de Ei a altas temperaturas. Esta tendencia puede entenderse si
consideramos que a altas temperaturas, todos los tomos de impurezas ya se han ionizado y, en consecuencia, la concentracin
de portadores de carga estar regida por los procesos de generacin trmica de pares e /h+ ; es decir, el semiconductor extrnseco se comporta como uno intrnseco a medida que aumenta
la temperatura. Claramente esta tendencia ocurre a temperaturas ms altas a medida que el nivel de impurezas aumenta en
la muestra (la curva A en la figura representa menor nivel de
dopaje que B y sta a su vez que C).
FLML
Posicin del nivel de Fermi en un

semiconductor extrnseco tipo n
EF
EC
ED
Ei
EV
Apuntes de CF
120

EF
EC
Ei
EA
EV
Segn la expresin (7.25), para un semiconductor tipo p (p n),
la posicin del nivel de Fermi se desplaza hacia el borde superior
de BV. De forma aproximada, se puede calcular E F sustituyendo
(7.23) en la expresin (7.9)

EF EV
NA = NV exp
kB T
y despejando de aqu E F para obtener
Posicin del nivel de Fermi en un

semiconductor extrnseco tipo p
EF = EV + kT ln
NV
.
NA
(7.28)
Tal como muestra la figura adjunta, un clculo ms detallado

nos dira que la posicin del nivel de Fermi se aproxima a la de
Ei para altas temperaturas.
E JEMPLO 7.4 Para el problema del Ejemplo 7.3, calcular la posicin del nivel de
Fermi a temperatura ambiente.
Dado que en el presente caso NA = 1019 m3 y que, segn el Ejemplo 7.1,
NV = 5,95 10 24 m3 , al sustituir en (7.28) obtenemos que
EF EV = kT ln
NV
5,95 10 24
= 0,025 ln
= 0,33 eV.
NA
1019
Teniendo en cuenta que Eg = 1,1 eV, comprobamos que el nivel de Fermi

est comprendido entre EV y Ei .
7.4. Conductividad elctrica en semiconductores

Segn ya vimos en temas anteriores, para un metal la conductividad elctrica vena dada por
= en ,
siendo su dependencia con la temperatura del tipo T 1 . Esta dependencia con la temperatura provena bsicamente de la movilidad
puesto que la concentracin de electrones en la banda apenas variaba
con la temperatura1 .
En un semiconductor, debido a la presencia de dos tipos de portadores de carga, la conductividad elctrica deba expresarse como
= e(nn + p p ) ,
1 Recurdese que en un metal n apenas variaba con T dado que el cambio de la
situacin energtica de los electrones en la banda debido a la excitacin trmica era
muy pequeo con respecto a la situacin existente a T = 0 K.
Apuntes de CF
FLML
7.4. Conductividad elctrica en semiconductores
121
encontrndose experimentalmente una dependencia con la temperatura tal que existe una relacin lineal entre el ln y el inverso de la
temperatura, 1/T. A continuacin veremos que esta dependencia puede ya explicarse a partir de las expresiones obtenidas anteriormente en
el tema.
Semiconductor Intrnseco
Dado que en este caso n = p n i , (7.1) puede reescribirse como
= e( n + p ) n i .
(7.29)
En los semiconductores (y al contrario de lo que ocurre en los

metales), la conductividad muestra una dependencia con la temperatura tanto en las movilidades como en la concentracin intrnseca. Al sustituir (7.16) en (7.29) obtenemos que

Eg
.
= e(n + p ) NC NV exp
2k B T
Para las movilidades se encuentra una
dependencia con la tem
3/2
y dado que NC NV , segn (7.8) y (7.10),
peratura del tipo T
muestra una dependencia del tipo T 3/2 , ello implica que la conductividad puede finalmente escribirse como

Eg
,
= 0 exp
2k B T
(7.30)
Conductividad elctrica de un semiconductor intrnseco
donde 0 es una constante que slo depende de los parmetros

del material pero no de la temperatura. Esta expresin explica satisfactoriamente los resultados experimentales encontrados
anteriormente y muestra que la conductividad en los semiconductores intrnsecos es altamente dependiente del valor de la
anchura de la banda prohibida y de la temperatura de trabajo.
Esto ltimo nos indica que los semiconductores intrnsecos deben operar en unas condiciones de temperatura controlada para
evitar que las propiedades de los dispositivos se vean muy afectadas.
Semiconductor Extrnseco
El estudio de la conductividad elctrica en los semiconductores
extrnsecos es ms complicada que en los intrnsecos, por lo que
no abordaremos su estudio. No obstante, podemos resaltar que
ese estudio nos dara la dependencia que muestra la figura adjunta para el ln con el inverso de la temperatura, 1/T. Dado
que los semiconductores extrnsecos se comportan como los intrnsecos a altas temperaturas, la figura muestra a temperaturas
altas (parte izquierda de la grfica) la misma pendiente que para
el caso intrnseco. A temperaturas no tan altas, ln muestra el
mismo tipo de comportamiento aunque con otra pendiente.
FLML
Apuntes de CF
122
E JEMPLO 7.5 Clculo de la conductividad elctrica para el Si a T = 300 K y

T = 500 K, siendo n = 1350 cm2 /V s y p = 480 cm2 /V s.
Teniendo en cuenta el resultado del ejemplo 7.1, al sustituir en la expresin (7.29), llegamos a que
( T = 300 K) = 1,6 10 19 (0,135 + 0,048)1,42 10 15 = 4,15 10 5 ( m)1 .
Para calcular la conductividad a T = 500 K, suponemos que la variacin
ms notable con la temperatura se debe nicamente a la dependencia en la
exponencial, por lo que podemos escribir que

1
( T = 500 K)
1, 1
1
= exp
4927
( T = 300 K)
2 8,625 10 5 500 300
y, por tanto,
( T = 500 K) 0,2 ( m) 1 .
7.5. Corrientes de Arrastre y Difusin
E
Movimiento
corriente
Hasta ahora, la nica corriente que se ha estudiado es la relacionada con el movimiento de cargas provocado por la presencia de un
campo elctrico externo E . Esta corriente se denomin corriente de
arrastre y su forma para electrones y huecos era
J p,arr = e p pE
(7.31a)
Jn,arr = en nE .
(7.31b)
En este apartado se ver que adems de este tipo de corriente existe

otro tipo, denominado corriente de difusin, que aparece siempre que
exista una distribucin no uniforme de portadores de carga.
7.5.1. Proceso de difusin

Algunos ejemplos comunes en los que encontramos procesos de
difusin son:
Proceso por el que las partculas de un gas inicialmente situado
en cierta regin de un recinto se expande por todo el recinto.
Proceso por el que una gota de tinta en un lquido va diluyndose hasta que todo el lquido se colorea.
Proceso por el que el perfume que inicialmente estaba en un rincn de una habitacin cerrada se va extendiendo hasta que toda
la habitacin queda perfumada.
Apuntes de CF
FLML
123
El origen de los procesos de difusin anteriores hay que buscarlo

en el movimiento errtico de agitacin trmica que muestran las partculas. Este movimiento junto con los consiguientes choques con otras
partculas y con las paredes del recinto hace que las partculas traten
de extenderse por todo el recinto que las contiene. Tras cada choque,
las partculas tienen igual probabilidad de dirigirse en cualquier direccin, lo que da lugar a que exista una transferencia neta o flujo de
partculas desde las zonas ms pobladas a las menos pobladas. Este
proceso de difusin dura hasta que se homogeniza la concentracin,
, de partculas en el recinto (la permanente agitacin trmica ya no
provocara una transferencia neta de partculas). Por consiguiente, podemos decir que
La causa del proceso de difusin es la existencia de concentraciones no uniformes de partculas, = ( x ).

Dado que una concentracin inhomognea implica que
d ( x )
= 0 ,
dx
podemos decir que el proceso de difusin ocurre mientras exista un
gradiente de concentracin (en una dimensin, el gradiente de una funcin f ( x ) es precisamente su derivada respecto a x). En este sentido
podemos establecer que el flujo de partculas (nmero de partculas
por unidad de rea) por unidad de tiempo en la posicin x, ( x ), ser
proporcional al gradiente de la concentracin,
( x )
d ( x )
,
dx
lo que nos permite escribir que

( x ) = D
d ( x )
,
dx
(7.32)
donde D es el coeficiente de difusin caracterstico de cada tipo de proceso. El signo menos en la expresin anterior se aade para indicar
que el movimiento de las partculas se producir desde donde hay
ms concentracin hasta donde hay menos, es decir, en el sentido decreciente de la concentracin.
7.5.2.
Corriente de difusin
En un semiconductor donde tenemos portadores libres de carga

(esto es, gases de electrones y de huecos) tambin pueden darse
procesos de difusin si la concentracin de portadores no es homognea. No obstante, dado que los portadores son partculas cargadas,
existen algunas diferencias importantes con las situaciones descritas
FLML
Apuntes de CF
124
en el proceso anterior (que slo implicaban a partculas elctricamente neutras).

En primer lugar un flujo de partculas cargadas originar obviamente una corriente elctrica, que se conoce como corriente de difusin. Por otra parte, si el origen de las inhomogeneidades de portadores libres proviene de una distribucin no uniforme de impurezas, debemos tener en cuenta que stas se ionizan y permanecen bsicamente
inmviles mientras que los electrones o huecos asociados a stas son
prcticamente libres. En este caso, los procesos de difusin de portadores libres darn lugar a una descompensacin espacial de la carga
elctrica que provocar la aparicin de un campo elctrico interno, E i , que
tiende a oponerse al propio proceso de difusin (es decir, el proceso de
difusin acaba antes de que se haya homogenizado la concentracin
de carga).
Si las concentraciones de electrones y huecos en el semiconductor
son no uniformes, los flujos de difusin vendrn entonces dados por
dp( x )
dx
dn( x )
,
n ( x ) = Dn
dx
p ( x) = D p
p(x)
Movimiento
n(x)
corriente
(7.33a)
(7.33b)
siendo Dn y D p los coeficientes de difusin para e y h+ respectivamente. La densidad de corriente de difusin para electrones y huecos
se obtendr simplemente multiplicando la carga por el flujo de difusin de partculas por unidad de tiempo, por lo que

dp( x )
dp( x )
(7.34a)
= eD p
J p,dif ( x ) = (+e) D p
dx
dx

dn( x )
dn( x )
.
(7.34b)
= eDn
Jn,dif ( x ) = (e) Dn
dx
dx
Electrones y huecos se mueven en el mismo sentido si sus respectivas
concentraciones varan del mismo modo. En este caso, sus corrientes
de difusin resultan en sentidos opuestos.
7.5.3. Corriente total

Si adems del proceso de difusin, el semiconductor est sometido
a un campo elctrico externo, E ( x ), entonces la densidad de corriente
de electrones, J n ( x ), y la de huecos, J p ( x ), debern incluir trminos
correspondientes a los dos procesos simultneos de movimiento de
cargas que ocurren en el semiconductor, a saber, arrastre y difusin:
dp( x )
dx
dn( x )
.
Jn ( x ) = Jn,arr ( x ) + Jn,dif ( x ) = en n( x )E ( x ) + eDn
dx
J p ( x ) = J p,arr ( x ) + J p,dif ( x ) = e p p( x )E ( x ) eD p
Apuntes de CF
(7.35)
(7.36)
FLML
125
Existe una relacin entre los coeficientes de difusin y movilidad, que

se conoce como relacin de Einstein, que establece la siguiente relacin:
Dn,p
k T
= B ,
n,p
q
(7.37)
siendo q la carga elemental de los portadores de carga en el proceso,

en nuestro caso e.
La densidad de corriente total en el semiconductor, J total ( x ), ser
obviamente la suma de las correspondientes a electrones y huecos,
esto es,
(7.38)
Jtotal ( x ) = Jn ( x ) + J p ( x ) ,
cuyos sentidos se muestran en la Fig. 7.1.
E(x)
n(x)
p(x)
MOVIMIENTO
CORRIENTE
ARRASTRE
DIFUSIN
F IGURA 7.1: Sentido de las corrientes de difusin y de arrastre para electrones y huecos.
Es importante sealar que la corriente de arrastre es proporcional

a la concentracin de portadores, por lo que los portadores minoritarios apenas contribuiran a esta corriente de arrastre. Por otra parte,
dado que la corriente de difusin es proporcional al gradiente de la
concentracin, entonces aunque la concentracin de minoritarios pudiera ser rdenes de magnitud ms pequea que la de mayoritarios,
su gradiente s puede ser del mismo orden o incluso mayor y, en consecuencia, contribuir muy significativamente a la corriente de difusin
y, por ende, a la corriente total. Este importante resultado puede resumirse como
los portadores minoritarios pueden contribuir significativamente a la corriente total mediante procesos de difusin.
7.5.4.
Campo elctrico interno
En un semiconductor con un dopaje no uniforme de impurezas

(esto es, con una concentracin inhomognea de portadores), en ausencia de campo externo aplicado y en condiciones de equilibrio, la corriente
FLML
Apuntes de CF
126
total, tanto de electrones como de huecos, debe ser cero 2 :

Jn ( x ) J p ( x ) = 0 .
Semicond
Inhomog
I=0
A
Jp=Jp,d fi+Jp,arr
Jp,d fi
Ei
Por ejemplo si consideramos el caso de un semiconductor tipo p

dopado inhomogneamente, p = p( x ) (en la figura se representan
los portadores de carga mviles), es claro que inicialmente existir una
corriente de difusin de huecos debido a la existencia de un gradiente no nulo en la concentracin de huecos, J p,dif = 0. Dado que en el
equilibrio la corriente total de huecos es nula, esta corriente de difusin de huecos debe verse compensada por una corriente de arrastre
de huecos en sentido contrario. Claramente, esta corriente de arrastre
debe estar originada por la aparicin de un campo elctrico interno, E i ,
que sea responsable de la creacin de dicha corriente.
Tal como se ha discutido en al Apartado 7.5.2, el origen de este
campo elctrico interno puede entenderse partiendo del hecho de que
la muestra era originalmente neutra. Podemos ver que existen dos tendencias contrapuestas en el semiconductor dopado no uniformemente. Por una parte existe una tendencia hacia la inhomogeneidad de los
portadores libres debido a la atraccin elctrica de las impurezas ionizadas que, buscando la neutralidad local de la carga, tiende a igualar la
distribucin de impurezas ionizadas con la de portadores libres. Por
otra parte, a causa de la difusin (que solo afecta a las cargas mviles), existe una tendencia a la homogenizacin de la concentracin de
portadores. Ambas tendencias tienden a contrarrestarse, dando lugar
a una distribucin final de portadores intermedia entre la distribucin
inicial de impurezas y la homogenizacin total. En este sentido, el proceso de difusin genera un movimiento neto de los portadores de carga que provoca la aparicin de una densidad de carga neta, ( x ), en
la muestra. A su vez, la aparicin de esta densidad de carga neta dar lugar a un campo electrosttico y, consecuentemente, a un potencial
electrosttico, V ( x ), que estar relacionado con la densidad de carga,
( x ), mediante la siguiente ecuacin:
( x )
d2 V ( x )
,
=
2
dx

denominada ecuacin de Poisson.
(7.39)
Teniendo en cuenta que

dp( x )
=0,
J p ( x ) = e p p( x )E i ( x ) D p
dx
podemos obtener, tras despejar, la siguiente expresin para el campo
elctrico interno:
D p 1 dp( x )
k T 1 dp( x )
k T d
lnp( x ) . (7.40)
Ei =
= B
= B
p p( x ) dx
e p( x ) dx
e dx
2 Ntese
que si la corriente fuese distinta de cero se estara generando energa de

la nada dado que al paso de la corriente hay resistencia.
Apuntes de CF
FLML
127
Dado que este campo es irrotacional puro (proviene nicamente de las

cargas elctricas), E i derivar de un potencial V,
Ei =
dV ( x )
,
dx
y por tanto (7.40) puede reescribirse como

k T d
dV ( x )
lnp( x ) .
= B
dx
e dx
(7.41)
Jp,dif(x)
Si integramos la ecuacin anterior entre dos puntos arbitrarios, 1 y 2,

2
1
dV =

kB T 2
Jp,arr
Ei(x)
d lnp ,
V1
encontramos finalmente que

V21 =
p2
kB T
ln
,
e
p1
(7.42)
V2
Potencial debido a una

concentracin de portadores
no uniforme
donde V21 = V2 V1 y p1 , p2 son las concentraciones de huecos en los

puntos 1 y 2 respectivamente. Es interesante notar que la expresin
anterior nos dice que
la diferencia de potencial que se establece entre dos

puntos de una muestra de semiconductor no homogneo slo depende de la relacin entre las concentraciones en estos puntos y no de la distancia entre
los puntos o de la forma de la concentracin entre
estos puntos.
A partir de (7.42), encontramos la siguiente relacin entre las concentraciones en funcin de la diferencia de potencial:

eV21
p2
.
(7.43)
= exp
p1
kB T
Si el proceso anterior se hubiese hecho para la corriente de electroprocediendo de una forma anloga se hubiese llegado igualmente a que

eV21
n2
.
(7.44)
= exp
n1
kB T
nes3 ,
Combinando ahora las expresiones (7.43) con (7.44) obtenemos que

n
p2
= 1
p1
n2
n 1 p1 = n 2 p2 .
3 Notar que si p = p ( x ), esto implica que n = n ( x ) dado que donde hay mayor
concentracin de huecos, habr mayor recombinacin y por tanto esto afectar a la
concentracin de electrones.
FLML
Apuntes de CF
128
Dado que los puntos 1 y 2 son puntos arbitrarios y el producto de

la concentracin de huecos por electrones viene fijado por la ley de
accin de masas (7.15), encontramos la siguiente expresin general de
la ley de accin de masas:
Ley de accin de masas para un
semiconductor inhomogneo en
equilibrio
n( x ) p( x ) = n2i .
(7.45)
E JEMPLO 7.6 Una muestra de Si es dopada con tomos donadores de tal manera que Nd ( x ) = N0 exp( ax ). (a) Encuentre una expresin para el campo
interno supuesto que Nd ni . (b) Calcule el valor del campo si a = 1 (m) 1 .
(a) Partiendo de que Jn ( x ) = 0 y siguiendo un proceso anlogo al realizado en la seccin anterior, llegamos a que
Ei =
kB T d
ln n( x ) ,
e dx
que en nuestro caso, admitiendo que n( x ) Nd ( x ), se convierte en
Ei =
kB T
a.
e
(b) Sustituyendo los valores oportunos tenemos que
E i = 0,0259 10 6 = 259 V/m .
7.6.
Velocidad de generacin y recombinacin
Antes de analizar la generacin y recombinacin de portadores

vamos a discutir brevemente algunas cuestiones relacionadas con el
equilibrio. Es bien conocida la propiedad natural de todo sistema fsico de responder a una accin mediante una reaccin. La accin puede
ser interna (realizada desde dentro del sistema) o bien externa mientras
que la reaccin ser siempre interna. En funcin del balance entre la
accin y la reaccin del sistema diremos que ste presenta
Equilibrio estadstico
Cuando el efecto combinado de la accin/reaccin produzca una
situacin en la que las variables del sistema slo muestren pequeas fluctuaciones en torno a un valor medio fijo en el tiempo.
Equilibrio trmico
Cuando no se ejerce accin externa sobre el sistema, salvo el efecto de la temperatura.
Apuntes de CF
FLML
7.6. Velocidad de generacin y recombinacin
129
Desequilibrio estacionario
Existe accin externa pero tras cierto tiempo de transicin (usualmente muy pequeo) se alcanza una situacin en la que las variables del sistema permanecen constantes en el tiempo.
No equilibrio
Cuando las variables del sistema varan con el tiempo.
Ya se discuti en el Apartado 6.2 que, en un semiconductor en
equilibrio trmico, el proceso de generacin de portadores de carga era
interno (generacin trmica fundamentalmente), debindose cumplir
adems que la velocidad de generacin interna, Gint , fuese igual a la
velocidad de recombinacin, R, ver expresin (6.3).
Si existen acciones externas, adems de los procesos de generacin
interna, pueden darse otros procesos de generacin debidos a causas
externas, Gext : iluminacin, campos intensos aplicados, etc, que rompen la situacin de equilibrio. Si consideramos que, en estas situaciones de no equilibrio, todos los procesos de generacin/recombinacin
slo crean/destruyen pares de e /h+ , entonces es conveniente introducir el concepto de velocidad de recombinacin neta, U, que se define
como la diferencia entre la velocidad de recombinacin y la de generacin interna,
U = R Gint .
(7.46)
Velocidad de recombinacin neta
(Notemos que U nos informa bsicamente sobre los procesos internos, es decir, recombinacin y generacin interna de pares e /h+ ).
Dado que la accin externa provoca una descompensacin entre los
procesos de generacin y recombinacin, existir una variacin de las
concentraciones de portadores con el tiempo, que pueden expresarse
como

n
= Gn,ext U
(7.47a)
t gr

p
= G p,ext U .
(7.47b)
t gr
Teniendo en cuenta la expresin (6.1) para la velocidad de recombinacin, R, y que segn (6.3) Gint = Rint = r n2i , la velocidad de
recombinacin neta puede escribirse como
U = R Gint = r np r n2i = r (np n2i ) .
(7.48)
Ntese que en una situacin de no equilibrio no se cumplir la ley de

accin de masas (np = n2i ).
Si la concentracin de portadores fuera del equilibrio se expresa
en trminos de la concentracin de portadores en equilibrio (lo cual
se denotar a partir de ahora con el subndice 0) y de la concentracin de portadores en exceso (denotados por el smbolo ), podremos
FLML
Apuntes de CF
130
n Concentracin de portadores
n0 Concent. portad. en equilibrio
n Concent. de port. en exceso
escribir que
n = n0 + n
(7.49a)
p = p0 + p .
(7.49b)
Teniendo en cuenta las expresiones anteriores y que la ley de accin

de masas exige que n 0 p0 = n2i , encontramos que la expresin (7.48)
puede reescribirse como
U = r ( p0 n + n0 p + np) .
(7.50)
Si suponemos que la accin externa genera el mismo nmero de

electrones que de huecos [n(t = 0) = p(t = 0)], y puesto que los
e y h+ se recombinan por pares, entonces el exceso instantneo de
ambos tipos de portadores ser tambin idntico,
n(t) = p(t) .
n n0
p p0
I NYECCIN DBIL
Bajo este supuesto, en un semiconductor tipo n tal que p 0 n0 y en

condiciones de inyeccin dbil (esto es, n n 0 ), la velocidad de
recombinacin neta puede aproximarse mediante
U = r n0 p =
p
,
p
(7.51)
donde la constante p = 1/r n0 se denomina tiempo de vida media de

los portadores minoritarios.
En el caso anterior, la ecuacin que nos da la variacin temporal
de la concentracin de los portadores minoritarios debido a los procesos
de generacin y recombinacin vendra dada por
p
t

g r
p
t

g r
= G p,ext
p
.
p
(7.52)
7.7. Ecuacin de continuidad

En el Apartado 7.6 ya discutimos que cuando se produce una generacin neta de portadores en un semiconductor como consecuencia de una accin exterior, el semiconductor reacciona oponindose
a dicha generacin mediante una recombinacin neta, tanto ms importante cuanto mayor sea la generacin debida a la causa externa.
Cuando ambas tendencias se contrarrestan mutuamente se alcanza un
rgimen estacionario (o desequilibrio estacionario), pudindose considerar el equilibrio como un caso particular de rgimen estacionario
cuando no existe accin externa alguna. Si la accin exterior cambia
con el tiempo ello dar lugar a un rgimen dinmico (situacin de no
Apuntes de CF
FLML
131
equilibrio) en el que predominar una de las dos tendencias de accin

o reaccin.
Para el anlisis general de un rgimen dinmico debe tenerse en
cuenta que la accin y la reaccin no tienen por qu ocurrir en los
mismos puntos. La generacin por causas externas puede ocurrir en
cierto lugar y los portadores generados pueden originar corrientes que
los llevan a recombinarse en otros lugares distintos. Las ecuaciones
que rigen el proceso dinmico general se denominan ecuaciones de
continuidad de las concentraciones de portadores.
En el caso de un semiconductor, la variacin en el tiempo de la
concentracin de portadores minoritarios en un elemento de volumen,
dV , puede deberse a dos causas distintas:
1.
Generacin y/o recombinacin neta,
2.
Transporte o flujo variable de portadores a travs del volumen.
En consecuencia, para un semiconductor tipo n, la variacin temporal total de la concentracin de portadores minoritarios (huecos),
vendr dada por

p
p
p
=
+
(7.53)
t
t transp
t genrec
p
t
incremento neto
del nmero de
huecos por unidad
de tiempo en dV
p
t
+
transp
diferencia entre el
nmero de h +
entrando y saliendo
de dV en unidad tpo.
Gext
nmero de h +
generados en dV
en la unidad de tpo.
debido a accin ext.
velocidad de gener.
h+ en dV debido
a acciones externas
U [= R Gint ]
nmero de h +
recombinados en dV
en la unidad de tpo
velocidad de recomb.
neta de h+ en dV
La expresin anterior nos dira, por ejemplo, que si en dV se acumulan 3 h+ por unidad de volumen en la unidad de tiempo puede
ser debido a que han entrado 12, han salido 11, se han generado por
acciones externas 3, por acciones internas 1 y se han recombinado globalmente 2.
La variacin de la concentracin debida a la generacin/recombinacin de portadores fue analizada en el Apartado 7.6 donde se obtuvo en (7.52) para la concentracin de portadores minoritarios que

p
p
= G p,ext
.
t genrec
p
FLML
Apuntes de CF
132
Si queremos calcular el nmero de h+ que entra por unidad de tiempo

en dV a travs de la superficie A en x, magnitud que denominaremos
p ( x ), podemos tener en cuenta que al dividir la densidad de corriente de huecos J p ( x ) por la carga e podemos as obtener el nmero de
huecos por unidad de tiempo y superficie que entra en el elemento diferencial. Al dividir Jp ( x ) por la longitud del elemento diferencial x
se obtendr ya finalmente p ( x ) y anlogamente para p ( x + x ).
Por tanto

1 J p ( x ) J p ( x + x )
p

,
=

t transp
e
x
x x + x
que al tomar el lmite x 0, puede reescribirse como

1 J p ( x, t)
p( x, t)
.
=
t
e
x
transp
Al agrupar los trminos de generacin/recombinacin con los trminos de arrastre, en condiciones de inyeccin dbil, la ecuacin de
continuidad para huecos vendr dada finalmente por
Ecuacin de continuidad para los
minoritarios (huecos) en
condiciones de inyeccin dbil
p( x, t)
1 J p
p
=
+ G p,ext .
t
e x
p
(7.54)
Anlogamente para electrones se tendr que

n( x, t)
1 Jn
n
=
+ Gn,ext .
t
e x
n
(7.55)
7.7.1. Ecuacin de difusin

En muchas situaciones prcticas tenemos una muestra homognea
(la densidad de impurezas es uniforme es todo el material) donde encontramos que la corriente de difusin de portadores minoritarios es
mucho mayor que la de arrastre, admitiendo adems que no existe
generacin de portadores en el volumen del semiconductor debida a
agentes externos, G ext = 0. En estas situaciones (en el caso de que
Apuntes de CF
FLML
133
los minoritarios sean los huecos) se tiene que la densidad de corriente

total de huecos vendra dada por
J p J dif
p = eD p
( p0 + p)
p
.
= eD p
x
x
(7.56)
Al sustituir la expresin anterior en la ecuacin de continuidad (7.54)

obtenemos la siguiente ecuacin de difusin de minoritarios (en este
caso, huecos):
p
2 p p
= Dp 2
(7.57)
t
x
p
Ecuacin de difusin para huecos
y similarmente si los minoritarios fuesen los electrones:

n
2 n n
= Dn 2
.
t
x
n
(7.58)
Ecuacin de difusin para

electrones
7.7.2. Inyeccin constante de portadores

Una de las situaciones de mayor inters prctico que puede analizarse mediante la ecuacin de difusin es aquella situacin estacionaria que se mantiene gracias a una inyeccin constante de portadores
que hace que el exceso en la concentracin de minoritarios no vare
con el tiempo, es decir (para el caso de huecos),
p
=0.
t
Para el caso de una muestra homognea de semiconductor tipo n en
condiciones de inyeccin dbil y generacin externa nula en el volumen, la ecuacin de difusin (7.57) para los minoritarios puede expresarse como
d2 p
p
p
=
2 ,
(7.59)
dx2
D p p
Lp
x=0
Se mantiene un exceso de
portaores para todo x
En x=0 , d p(x=0) =D p
Ecuacin de difusin para

el estado estacionario

donde L p = D p p se conoce como longitud de difusin para huecos. (Ntese que las derivadas que aparecen en la ecuacin son totales).
Si, por ejemplo, se supone que un exceso de huecos son inyectados
en el semiconductor a travs de la superficie en x = 0, tal que p( x =
0) = p, al resolver (7.59) obtenemos que
p( x ) = Aex/L p + Be x/L p .
Dado que la solucin anterior no puede crecer para x , la constante A debe hacerse cero. Por otra parte, dado que
p( x = 0) p = B ,
tenemos finalmente que
FLML
Apuntes de CF
134
p(x)
p( x ) = p0 + p e x/L p .
D p
p0
x
(7.60)
Esta expresin da una idea de la distancia (en la prctica un nmero

escaso de veces L p ) a la cual prcticamente se recupera el equilibrio.
En rigor, L p puede interpretarse como la distancia media en el movimiento de difusin del h + antes de recombinarse.

7.1: La energa de la banda prohibida del germanio puro es E g = 0,67 eV. (a) Calcular
el nmero de electrones por unidad de volumen en la banda de conduccin a 250 K,
300 K y 350 K. (b) Hacer lo mismo para el silicio suponiendo que E g = 1,1 eV. La masa
efectiva de los electrones y huecos son en el germanio es 0,12 m e y 0,23 me , y en el
silicio 0,31 m e y 0,38 me , donde m e = 9,1 1031 kg es la masa de electrn libre.
Sol. [en m3 ] (a): 0,023 1019 , 0,40 1019 , 3,24 1019 ; (b): 0,032 1016 , 0,29 1016 ,
7,7 1016
7.2: Supngase que la masa efectiva de los huecos en un material es cuatro veces la
de los electrones. A que temperatura el nivel de Fermi estar un 10 % por encima del
punto medio de la banda prohibida. Eg = 1 eV.
Sol. T = 557, 6 K
7.3: La anchura de la banda prohibida para el Ge es Eg = 0,67 eV. Las masas efectivas
de electrones y huecos son respectivamente m e = 0,12me y m h = 0,23me (me es la
masa del electrn libre). Calcular a 300 K: a)la energa de Fermi; b) la densidad de
electrones; y c) la densidad de huecos.
Sol. (a) E F = EV + 0,3476 eV; (b) n = ni = 4,05 1018 m3 ; (c) p = n n i .
7.4: Los valores de la conductividad del germanio puro a las temperaturas en K:
(300,350,400, 450,500) son respectivamente en 1 m1 : (2,13,52,153,362). a) Hacer
una grfica de ln frente a 1/T. b) Determinar Eg para el germanio.
Sol. E g = 0,67 eV.
7.5: En el tema se ha visto que la introduccin de tomos donadores puede incrementar fuertemente la concentracin de electrones en BC. Por otra parte, la ley de accin
de masas nos dice que este incremento implica una disminucin igualmente fuerte
en la concentracin de huecos en BV. Explique las razones fsicas de esta importante
disminucin de huecos.
7.6: La conductividad del Ge puro se incrementa en un 50 % cuando la temperatura
pasa de 20 a 30 grados centgrados. a) Cul es la anchura de la banda prohibida?; a)
Teniendo en cuenta que para el Si, Eg = 1,1 eV, cul es el porcentaje de cambio en la
conductividad para el mismo cambio de temperatura?.
Sol. (a) E g = 0,61 eV; (b): 105 %.
7.7: Cunto tiempo tardar un electrn en recorrer 1 m en Si puro sometido a un
campo elctrico de 100 V/cm?. Repita el clculo para un campo de 105 V/cm.
7.8: Una muestra de Si es dopada con 5 1016 cm3 tomos donadores y 2 1016 cm3
tomos aceptores. Encuentre la posicin del nivel de Fermi respecto al intrnseco a
300K.
7.9: Se utiliza como resistencia de una zona de un circuito integrado una barra de silicio tipo N de 2 mm de longitud y de 2,5 10 5 m2 de seccin. Sabiendo que la concentracin de tomos donadores es ND = 5 1013 cm3 y que la movilidad de electrones
Apuntes de CF
FLML
135
es n = 1500 cm2 /Vs, determinar su resistencia a 300 K demostrando que la contribucin de huecos es despreciable a la conductividad. Datos: p = 475 cm2 /(Vs);
n i = 1,45 1016 m3
Sol. R 66 .
7.10: A una barra de Ge de 10 cm de longitud y 2 cm2 de seccin se le aplica una
d.d.p. de 10 V entre sus extremos. Conociendo como datos la concentracin intrnseca
de portadores, n i = 2,36 1019 m3 , que n (300K) = 0,39 m2 /(Vs) y que p (300K) =
0,182 m2 /(Vs), determinar : a) la resistividad del Ge; b) la resistencia de la barra; c) la
velocidad de arrastre de electrones y huecos; y d) la corriente que circula por la barra.
Sol. (a) = 0,462 m; (b) R = 231,2 ; (c) vn = 39 m/s, v p = 18 m/s.
7.11: Una muestra de Ge tipo N posee una concentracin de impurezas donadoras
dada por ND = 1015 cm3 . Determinar la concentracin de electrones y huecos a 500
K sabiendo que la concentracin intrnseca viene dada por la expresin
n i = CT 3/2 exp( Eg /(2kT )) ,
siendo C = 1,91 1021 m3 K3/2 , Eg = 0,67 eV.
Sol. p = 8,34 1021 m3 , n = 9,34 1021 m3 ]
7.12: Una muestra de Si es dopada con 1017 tomos/cm3 de fsforo. a) Qu valor
tendr la resistividad del material?. b) Calcule la tensin Hall que se medira en una
muestra de 100 m de espesos recorrida por una corriente de 1 mA y sometida a un
campo magntico de 1 kG.
Sol.: a) = 0,0893 cm; b) |VH | = 62,5m.
7.13: Una muestra de Si a 300 K presenta dos niveles independientes de donadores
con densidades ND1 = 1 1016 cm3 y ND2 = 2 1016 cm3 , localizados a 100
meV y 200 meV por debajo del borde inferior de BC. Supuesta ionizacin total de los
donadores, obtenga la ecuacin de neutralidad de la carga para este caso y encuentre
el valor de la concentracin de electrones en BC. Cmo cambiar este valor si se
aaden impurezas aceptoras con una densidad de 0,9 1016 cm3 ?.
7.14: Una muestra intrnseca de InP es dopada con impurezas aceptoras desde un
lado de tal modo que obtenemos un perfil dado por N A (z) = NA (0)ebz , donde z
representa la coordenada en el interior de la muestra y N A (0) la concentracin en la
superficie. Adems se cumple que para z , N A n i , la concentracin intrnseca
de portadores. a) Calcule el perfil de dopado y encuentre una expresin para el campo
elctrico que se instaurara en equilibrio trmico si N A n i . b) Obtenga el valor del
campo elctrico si b = (2m) 1 .
FLML
Apuntes de CF
Captulo 8
Unin p-n
8.1. Introduccin
Las aplicaciones elctricas y pticas ms interesantes de los semiconductores surgen cuando se dopan regiones vecinas con distintos
tipos de impurezas. En este sentido, la mayora de los dispositivos semiconductores usados en Electrnica contienen al menos una unin
entre un material tipo p y uno tipo n. Las uniones p-n son fundamentales para la realizacin de funciones tales como la rectificacin, amplificacin y conmutacin tanto de seales electrnicas como optoelectrnicas. En consecuencia, podemos considerar a la unin p-n como el elemento bsico operativo de diversos componentes electrnicos
y optoelectrnicos como diodo rectificador, diodo Zener, diodo tnel,
transistor bipolar, fotodiodo, LDR, clula fotovoltaica, diodo LED, lser de inyeccin, etc.
Para el estudio de la unin p-n se usar un modelo simplificado
que es la unin abrupta. Esta unin no es en sentido estricto la que se
encuentra en los diversos dispositivos pero es suficientemente simple como para poder ser tratada cualitativa y cuantitativamente y, por
otro parte, es suficientemente realista como para ofrecer un comportamiento fsico muy prximo al que ocurre en las uniones difusas.
En principio estudiaremos la unin p-n en equilibrio (esto es, sin
accin externa) para despus analizar el efecto de una polarizacin
externa sobre la unin. En primer lugar estudiaremos este efecto desde un punto de vista cualitativo para posteriormente obtener las expresiones de las diversas corrientes. Es interesante sealar el enorme
cambio que se observa en la caracterstica I V de una unin p-n
respecto a la caracterstica de una muestra homognea de semiconductor dopado (que se comporta como una simple resistencia). Aparecen nuevos efectos fsicos relacionados con la unin que abren muchas
posibilidades al diseo de nuevos y eficaces dispositivos.
Una vez realizado el estudio bsico de las corrientes de la unin,
137
138
Captulo 8. Unin p-n
estudiaremos tambin su comportamiento optoelectrnico con el objetivo de aplicarlo al anlisis de diversos componentes como el diodo
LED y el diodo lser.
8.2. Unin p-n en equilibrio

ND
NA
S
Semiconductor
Intrnseco
Tal como se ha comentado anteriormente, el estudio de la unin

p-n en equilibrio se realizar usando el modelo de la unin abrupta
sin excitacin externa y, por tanto, sin corriente neta en la unin. Esta
unin abrupta estar constituida por una muestra original de semiconductor intrnseco de seccin S constante que es dopada uniformemente en un lado de la unin por impurezas aceptoras (de concentracin NA ) y en el otro lado por impurezas donadoras (cuya concentracin ser ND ).
8.2.1. Potencial de Contacto

Segn se discuti en el Apartado 7.5.2, al poner en contacto ntimo
los dos lados de la unin p-n comenzar un proceso de difusin debido a la diferencia de concentracin de portadores en ambos lados de
la unin. Se inicia un flujo de huecos de p n y simultneamente un
flujo de electrones de p n . Este proceso de difusin (que intenta
igualar las concentraciones en ambos lados de la unin) contina hasta establecimiento de un campo electrosttico interno suficientemente
intenso como para oponerse al movimiento de las cargas (ver Apartado 7.5.4). La ausencia de corriente neta en el equilibrio implica que
| Jarrastre | = | Jdifusin | .
Los h+ que viajan desde p n provienen mayoritariamente de la
ionizacin de las impurezas aceptoras en el lado p y, anlogamente,
los e desde p n , de la ionizacin de las impurezas donadoras en
el lado n. Tal como muestra la Fig. 8.1, este desplazamiento de portadores de carga, dejando tras de s un defecto de carga fija, provoca
la aparicin de una regin de carga neta en las proximidades de la
unin. Esta regin de carga neta, o regin de carga espacial/regin
de transicin, est compuesta por cierta cantidad de cargas negativas
fijas en el lado p y la misma cantidad de cargas positivas en el lado
n. El campo electrosttico interno se genera debido a la aparicin de
estas cargas y es importante sealar que
el campo electrosttico est bsicamente localizado

en la regin de carga espacial,
dado que fuera de esta regin el resto de la muestra es neutro dando as
lugar a que el campo apenas se extienda ms all de la zona de transicin. La existencia de dicho campo electrosttico viene lgicamente
Apuntes de CF
FLML
139
F IGURA 8.1: Propiedades de la unin p-n en equilibrio
acompaado de la aparicin de una diferencia de potencial correspondiente, de tal modo que el potencial toma un valor Vn en la zona neutra
n y Vp en la zona neutra p; siendo su diferencia V0 = Vn Vp conocida
como potencial de contacto1 .
El clculo del potencial de contacto puede realizarse, por ejemplo,
siguiendo la expresin (7.42), que nos deca que
V21 =
p2
kT
ln
q
p1
donde hemos hecho uso ahora de una notacin ligeramente diferente

al llamar q al mdulo de la carga del electrn y k kB . Teniendo en
cuenta adems la siguiente nomenclatura:
V2 Vn , V1 Vp ,
p1 p p0
V21 Vn Vp = V0
y
p2 pn0 ,
donde el subndice n o p indica la regin de la unin y el subndice

0 que se est en situacin de equilibrio, la expresin anterior puede
1 Un
voltmetro no podra medir este potencial de contacto puesto que el campo

que lo crea slo existe en el interior de la muestra, no extendindose por el exterior.
FLML
Apuntes de CF
140
Captulo 8. Unin p-n
reescribirse como
V0 =
p p0
kT
ln
.
q
pn0
(8.1)
En aquellos casos en los que

p p0 NA
n2i
,
ND
pn0
la expresin para el potencial de contacto vendr dada por

Potencial de contacto en una
unin p-n.
V0 =
NA ND
kT
ln
.
q
n2i
(8.2)
Para obtener el diagrama de bandas de energa de la unin p-n

mostrado en la Fig. 8.1 se ha hecho uso de las siguientes consideraciones:
El nivel de Fermi de una muestra en equilibrio no depende de la
posicin (ver Apndice E).
La energa de los electrones y/o huecos en cada zona de la unin
estar afectada por la presencia del potencial electrosttico.
Teniendo en cuenta adems que p p0 y pn0 representan la concentracin
de huecos en equilibrio en los lados p y n fuera de la regin de carga,
obtendremos haciendo uso de (7.9), que

EFp EV p
NV exp
p p0
kT
.

=
EFn EVn
pn0
NV exp
kT
Dado que segn (8.1),

p p0
qV0
= exp
pn0
kT
(8.3)
y que E Fp = EFn en equilibrio, encontramos que

qV0
exp
kT
EFp EV p
= exp
kT
EFn EVn
exp
kT

,
lo que nos lleva a

Desplazamiento de las bandas
de energa en una unin p-n
en equilibrio
Apuntes de CF
EV p EVn = qV0 .
(8.4)
(Una expresin anloga podra obtenerse para la energa de las bandas

de conduccin.) Tal como muestra la Fig. 8.1, la expresin (8.4) indica
que las bandas de energa en cada lado de la unin estn separadas
una cantidad igual al valor del potencial de contacto por el de la carga
electrnica q.
FLML
141
8.2.2. Regin de carga espacial

En la regin de carga espacial tanto los electrones como los huecos
estn en trnsito debido a la accin del campo electrosttico E . Este
hecho provoca que existan, en un instante dado, muy pocos electrones
o huecos en esta regin. En consecuencia,
la carga espacial de la regin de transicin puede considerarse debida nicamente a las impurezas donadoras/aceptoras fijas ionizadas.
Consideraremos, por tanto, que no hay portadores de carga libres
en esta regin. El clculo de la carga neta en ambos lados de la regin
de transicin debe tener slo en cuenta la concentracin de impurezas
ionizadas, esto es,
Q(+) = qND Sxn0
Q() = qNA Sx p0 .
w
Zona
Neutra
Zona
Neutra
n
-xp0
xn0
Dado que el semiconductor era originalmente neutro, debe verificarse

que Q (+) = |Q() |, lo que implica que
qND Sxn0 = qNA Sx p0
(8.5)
ND xn0 = NA x p0 .
(8.6)
y por tanto
Esta expresin nos dice que las distancias de las zonas de carga espacial positiva y negativa son las mismas nicamente si ND = NA .
A medida que la concentracin de impurezas en una de estas zonas
aumente, la longitud de esta zona disminuye.
Si la anchura de la zona de carga espacial se denomina
w = xn0 + x p0 ,
(8.7)
la resolucin de la ecuacin de Poisson para el potencial electrosttico

nos proporcionara la siguiente expresin:

1/2
1
1
2V0
+
.
(8.8)
w=
q
NA
ND
E JEMPLO 8.1 En una muestra de Si dopada para formar una unin abrupta p-n
con NA = 4 1018 cm3 , ND = 1016 cm3 y = 120 calcule a) el potencial de
contacto, b) la anchura de la regin de carga espacial en cada lado de la unin,
y c) el valor mximo del campo interno.
a) Usando la expresin (8.2) obtenemos que el potencial de contacto ser

V0 =
FLML
N N
kT
ln A 2 D 0,85 V .
q
ni
Apuntes de CF
142
Captulo 8. Unin p-n

b) Para calcular la anchura de la regin de carga espacial hacemos uso de
(8.8), lo que nos dice que

w=
2(12 8,85 10 12 )(0,85)

1,6 10 19
1
1
+ 22
10
4 1024
1/2
0,334 m .
Combinando ahora (8.6) con (8.7) obtendremos finalmente que

xn0 = 0,333 m ,
x p0 = 8,3 .
c) Para calcular el valor mximo del campo interno partimos de (7.39),

ecuacin de Poisson, escrita para el campo, es decir
( x)
dE ( x )
,
=
dx

que en la regin de carga espacial se convierte en
dE ( x )
qND
=
dx

dE ( x )
qN
= A
dx
0 < x < x n0
x p0 < x < 0 .
Integrando las anteriores ecuaciones y llamando E (0 ) = E (0 ) E 0

obtenemos la siguiente forma para el campo elctrico:
donde podemos observar que

q
q
E 0 = ND xn0 = NA x p0 .

Al sustituir en la expresin anterior los valores correspondientes tendremos que
E0 =
Apuntes de CF
1,6 10 19
= 5,1 106 V/m .
(12)(8,85 10 12 )(1022 )(3,33 10 5 )
FLML
8.3. Unin p-n polarizada
143

Una de las conclusiones ms importantes que obtendremos en este
apartado es el comportamiento asimtrico que presenta la union p-n
cuando sta es polarizada directamente (cuando la zona p est sometida a un potencial externo positivo respecto a la zona n) o bien inversamente. Esta asimetra en el comportamiento de la caracterstica
I V implica que la corriente puede fluir casi libremente cuando la
unin se polariza directamente y apenas fluye en polarizacin inversa.
Tal como muestra la Fig. 8.2, una muestra de semiconductor dopado
homogneamente mostrara un comportamiento claramente recproco mientras que la unin p-n muestra un evidente comportamiento
no recproco.
Semiconductor
dopado
(a)
(b)
F IGURA 8.2: Caracterstica I V para (a): una muestra de semiconductor dopado

homogneamente; y (b): una unin p-n.
El anlisis del efecto de la aplicacin de un potencial externo a la

unin se realizar, en primer lugar, mediante una descripcin cualitativa para ver cmo varan las corrientes en la unin y posteriormente
se har un clculo explcito de estas corrientes.
8.3.1. Descripcin cualitativa de las corrientes en la unin

Para llevar a cabo este anlisis, supondremos que
Se ha llegado a una situacin estacionaria.
Todo el voltaje aplicado al sistema aparece nicamente en la regin de carga espacial asociada a la unin.
Las cadas de voltaje y los campos elctricos en el material que
se encuentra fuera de la regin de la unin (esto es, las zonas
neutras) son despreciables.
FLML
Apuntes de CF
144
Captulo 8. Unin p-n
La suposicin de que el efecto del voltaje externo aplicado a la unin

aparezca nicamente en la regin de transicin es una aproximacin
puesto que, en sentido estricto, debe existir una cada de potencial en
las zonas neutras si hay un flujo de carga a travs de dichas regiones.
No obstante, la resistencia de estas regiones neutras ser muy pequea en comparacin con la resistencia de la regin de carga espacial
debido a la enorme diferencia en la concentracin de portadores de
carga existentes en ambas zonas (la zona de transicin se ha supuesto
despoblada de portadores de carga, es decir, con muy bajos valores de
n o p, lo que hace que la conductividad de esta zona sea mucho menor que la de las zonas neutras). Este hecho provoca que la diferencia
de potencial en las zonas neutras pueda despreciarse en la prctica
respecto a la diferencia de potencial en la zona de transicin.
El voltaje externo aplicado afectar a la barrera de potencial en la
unin y, en consecuencia, al campo elctrico en el interior de la regin
de transicin. Debido a ello es de esperar cambios en las diversas componentes de los flujos de corriente en la unin. Evidentemente, estos
cambios se reflejarn en una distinta configuracin de bandas para la
unin y en un cambio en la anchura de zona de carga espacial (ver
Fig. 8.3).
A continuacin analizaremos los cambios en las diversas magnitudes debido a una polarizacin externa:
Altura de la barrera de potencial.
El potencial de contacto de equilibrio se ver afectado por la diferencia de potencial aplicada externamente de manera que la
altura de la barrera de potencial resultante
en polarizacin directa, V = Vf , disminuye para tomar el valor V0 Vf ,
en polarizacin inversa, V = Vr , aumenta y se hace V0 + Vr .
Campo elctrico en la regin de transicin.
En concordancia con los cambios en la altura de la barrera de
potencial, el campo elctrico en la regin de transicin
disminuye en polarizacin directa,
aumenta en polarizacin inversa.
Anchura de la regin de transicin.
Dado que el campo elctrico proviene de las cargas fijas descompesadas que aparecen en la regin de transicin y puesto que
las concentraciones de impurezas no cambian en cada lado de la
unin, los cambios en la magnitud del campo elctrico deben ir
acompaados de cambios en la anchura de la regin de transicin de modo que sta
disminuye en polarizacin directa,
Apuntes de CF
FLML

(a)
Equilibrio
(V=0)
145
(b)
Polarizacin directa
(V=Vf )
(c)
Polarizacin inversa
(V= -Vr )
Vr
Vf
w
n
(V0 -Vf )
Vn
V0
(V0+Vr)
Vp
q(V0 -Vf)
ECp
qV0
EFp
ECn
EFn
q(V0+Vr)
qVf
EVp
EVn
Flujo de
patculas
Corriente
Flujo de
patculas
Corriente
Flujo de
patculas
Corriente
(1) Difusin huecos
(2) Arrastre huecos
(3) Difusin electrones
(4) Arrastre electrones
(1)
(2)
(3)
(4)
F IGURA 8.3: Efecto de la polarizacin externa sobre la unin p-n.
aumenta en polarizacin inversa.

Separacin de las bandas de energa.
Puesto que el valor de la altura de la barrera de energa para los
electrones es simplemente su carga multiplicada por la altura de
la barrera de potencial electrosttico, tendremos que la separacin entre bandas viene dada por
en polarizacin directa: q(V0 Vf ),
en polarizacin inversa: q(V0 + Vr ).
Los efectos de la polarizacin se localizan bsicamente en la regin de transicin y sus proximidades, por lo que en el interior
de cada regin neutra la posicin relativa del nivel de Fermi en
el diagrama de bandas se mantiene igual que en el equilibrio. En
FLML
Apuntes de CF
146
Captulo 8. Unin p-n
consecuencia, el desplazamiento de las bandas de energas por

efecto del potencial externo aplicado provocar una separacin
equivalente en los niveles de Fermi para cada lado de la unin,
es decir
(8.9)
EFn EFp = qV .
Corrientes de difusin.
En equilibrio, el campo elctrico interno se estableca de modo
que su efecto contrarrestaba exactamente la corriente de difusin. En la situacin de no equilibrio impuesta por la polarizacin externa encontramos que
Polarizacin directa:
al disminuir el campo elctrico en la regin de transicin,
este campo ya no puede contrarrestar totalmente las corrientes de difusin, de modo que se iniciar un flujo de h + de
p n y otro anlogo de e de p n . (Estas corrientes de
difusin se mantendrn en el tiempo debido al efecto de la
batera).
Polarizacin inversa:
el campo en la regin de transicin aumentaba por lo que
las corrientes de difusin sern en este caso aminoradas.
Corrientes de arrastre.
Aunque pudiera parecer un poco sorprendente,
las corrientes de arrastre son relativamente insensibles a las variaciones en la altura de la barrera de
potencial.
El hecho de que la corriente de arrastre en la unin sea despreciable respecto a la difusin en la unin puede entenderse si notamos que dicha corriente de arrastre proviene de los portadores minoritarios que llegan a la regin de transicin y que son
barridos por el campo en esta regin. En concreto, esta corriente
estar mantenida por e que viajan desde p n y por h + de
p n (por ejemplo, electrones del lado p que por difusin aparecen en la regin de transicin y son barridos por el campo llegando a la zona n). Dado que la concentracin de portadores minoritarios proviene de la generacin de pares e /h+ (en el presente caso nicamente por efecto de la excitacin trmica) y sta
no se ve afectada por el potencial externo aplicado, puede deducirse que esta corriente de minoritarios depende bsicamente de
la velocidad de generacin de pares e /h+ en las zonas respectivas y apenas del voltaje exterior2 . Por este motivo, esta corriente
de arrastre de minoritarios tambin se conoce como corriente de
generacin.
2 Este
hecho tambin puede verse como que el campo es capaz de barrer todos los
portadores minoritarios que llegan a la unin y el ritmo de aparicin de estos porta-
Apuntes de CF
FLML
147
Corriente Total.
La Fig. 8.3 muestra que la corriente total es la suma de las corrientes de difusin, que se producen desde p n , ms las de arrastre, cuyo sentido es desde p n . Dado que ambas corrientes
han sido analizadas anteriormente, tendremos para la corriente
total que
Polarizacin inversa:
Corriente de difusin disminuye considerablemente (se hace prcticamente despreciable). La nica corriente que queda es la relativamente pequea corriente de generacin en
el sentido p n .
Polarizacin directa:
La corriente de difusin (p n ) es ahora claramente favorecida mientras que la corriente de arrastre (p n ) apenas vara. Esto da lugar a un incremento considerable de la
corriente total en el sentido p n .
Ntese que la corriente de difusin en polarizacin directa puede crecer indefinidamente mientras que esta corriente en polarizacin inversa slo puede disminuir hasta hacerse nula.
8.3.2. Ecuacin del diodo. Clculo simplificado

En este apartado llevaremos a cabo un clculo simplificado de la
ecuacin del diodo a partir de ciertos razonamientos cualitativos. Para
ello notemos en primer lugar que la concentracin de minoritarios en
cada lado de la unin p-n variar con el voltaje aplicado debido al
efecto de ste en la difusin de portadores a travs de la unin. En el
equilibrio, la relacin entre las concentraciones de h+ a ambos lados
de la unin viene dada por (8.3), esto es,
p p0
= eqV0 /kT .
pn0
Al aplicar una tensin externa, V, la altura de la barrera de potencial
vara desde V0 V0 V. Considerando que el efecto de este potencial
externo no vara la relacin anterior para cada tipo de portadores en
los extremos de la regin de transicin, todava podemos escribir para
las concentraciones, justo en los lmites de las zonas neutras con la
zona de transicin, que
p p ( x p0 )
= eq(V0 V )/kT .
pn ( xn0 )
(8.10)
En situaciones de inyeccin dbil, la concentracin de mayoritarios

apenas variar con el voltaje aplicado [pp ( x p0 ) p p0 ], luego (8.10)
dores en la unin apenas se ve afectado por V. Ciertamente, clculos ms rigurosos
demuestran que, en la regin de transicin, la corriente de arrastre es mucho menor
que la de difusin para valores de polarizacin directa no demasiado elevados.
FLML
Apuntes de CF
148
Captulo 8. Unin p-n
podr reescribirse como

p p0
p p ( x p0 )
=
= eqV0 /kT eqV/kT ,
pn ( xn0 )
pn ( xn0 )
que, teniendo en cuenta (8.3), al agrupar trminos encontramos
Concentracin de minoritarios en
el borde de la regin de
transicin del lado n
pn ( xn0 ) = pn0 eqV/kT .
(8.11)
La expresin anterior nos indica que la concentracin de minoritarios sufre un fuerte incremento (exponencial) en polarizacin directa
respecto a la que exista en equilibrio. En polarizacin inversa (V < 0),
la concentracin sufrira igualmente una disminucin muy considerable. Dado que hemos comprobado que un voltaje aplicado, V, incrementa la probabilidad de que un portador se pueda difundir a travs
de la unin en un factor dado por exp(qV/kT ), esto nos permite suponer que la corriente de difusin presentar similarmente una dependencia con respecto al voltaje aplicado del tipo
Idif = I0,dif eqV/kT
(8.12)
(lo que en ltima instancia provoca que el diodo presente un comportamiento claramente no recproco en su caracterstica I V, tal como
muestra la Fig. 8.2).
Puesto que en equilibrio (V = 0) la corriente total es cero debido a
que la corriente de difusin (I0,dif ) y la de generacin (Igen ) se cancelan,
encontramos que
I (V = 0) = I0,dif | Igen | = 0 ,
(8.13)
lo que nos permite escribir que

I0,dif = | Igen | I0 .
(8.14)
Al expresar la corriente en la unin p-n polarizada (V = 0) como

I = Idif | Igen | ,
y hacer uso de (8.12) y (8.14), obtenemos finalmente que

I = I0 eqV/kT 1 .
(8.15)
(8.16)
Inyeccin de portadores. Clculo riguroso ecuacin del diodo

Para calcular de una forma ms rigurosa la corriente total en la
unin p-n deberemos obtener primero las corrientes de difusin en los
lmites de la zona de carga espacial con las zonas neutras. Las corrientes de difusin se obtendrn como el gradiente de la concentracin
de minoritarios pues supondremos que el gradiente de la concentracin de mayoritarios es despreciable. Para obtener la concentracin
Apuntes de CF
FLML
149
de minoritarios en las zonas neutras deberemos resolver la ecuacin

de continuidad que, en el presente caso, se reducir a la resolucin de
la ecuacin de difusin (cuestin tratada en el Apartado 7.7.1).
Segn nos ha mostrado la expresin (8.11), la polarizacin directa
provoca una inyeccin constante de minoritarios en exceso, esto es, h+ en
la zona neutra n y e en la zona neutra p. La concentracin de h+ en
exceso en el borde de la regin de transicin con la zona neutra n vendr entonces dada por

(8.17)
pn = pn ( xn0 ) pn0 = pn0 eqV/kT 1
y similarmente para e en el lado p,

n p = n p0 eqV/kT 1 .
(8.18)
Esta situacin de inyeccin constante de minoritarios fue ya estudiada en el Apartado 7.7.2, donde vimos que daba lugar a una difusin de estos minoritarios hasta que se recombinaban. Para el presente
cado tendremos que
pn ( xn ) = pn e xn /L p = pn0 (eqV/kT 1)e xn /L p
n p ( x p ) = n p e
x p /Ln
= n p0 (e
qV/kT
1)e
x p /Ln
(8.19a)
, (8.19b)
originando as la distribucin de portadores minoritarios en cada lado

de la unin mostrada en la Fig. 8.4 (notar que x n y x p se toman positivos al introducirse en las regiones neutras n y p respectivamente).
-xpo
n
n(xp)
p(xn)
npo
xp
xno
pno
o
xn
F IGURA 8.4: Distribucin de portadores minoritarios en cada lado de la unin.
La corriente de difusin de h + en la zona neutra n puede calcularse

a partir de la expresin (7.56), multiplicando sta por el rea, S, de la
FLML
Apuntes de CF
150
Captulo 8. Unin p-n
seccin transversal, para obtener

I pdif ( xn ) = qSD p
Dp
dpn ( xn )
= qS
pn ( xn ) ,
dxn
Lp
(8.20)
lo que nos indica que la corriente de difusin de h + en cada punto xn

ser proporcional a la concentracin de h+ en exceso en dicho punto.
Dado que en el lmite de la regin de transicin con la zona neutra n (xn = 0) el campo elctrico es nulo, la corriente total de huecos
puede identificarse en este punto con la corriente de difusin. Ello nos
permite calcular Ip ( xn = 0) a partir de la corriente inyectada en el lado
n a travs de la unin, que segn (8.20) vendr dada por

qSD p
qSD p
pn =
pn0 eqV/kT 1 .
Lp
Lp
(8.21)
Anlogamente, la corriente de electrones inyectada en el lado p ser
I p ( xn = 0) I pdif ( xn = 0) =
In ( x p = 0) =
qSDn
n p0 eqV/kT 1 .
Ln
(8.22)
Si se supone despreciable la recombinacin en la regin de transicin, los e que se inyectan al lado p (x p = 0) deben haber atravesado
la superficie situada en xn = 0. Debido a este hecho, la corriente total
que cruza la unin en xn = 0 puede escribirse como
I = I p ( xn = 0) + In ( x p = 0)

Dp
Dn
pn0 +
n p0
eqV/kT 1 .
= qS
Lp
Ln
Ecuacin del diodo
Dado que la corriente total debe ser constante a travs del dispositivo
(al no haber generacin ni acumulacin de carga neta), la expresin
anterior nos proporciona justamente la corriente total para cada punto
de la unin p-n,

I = I0 eqV/kT 1 ,
(8.23)
donde I0 se conoce como corriente inversa de saturacin y tiene por valor

I0 = qS
Dp
Dn
pn0 +
n p0
Lp
Ln

.
La ecuacin (8.23), vlida tanto para tensiones aplicadas positivas o

negativas, dice que, en polarizacin directa, la corriente p n crece
exponencialmente con la tensin aplicada mientras que en polarizacin inversa (V 0) tendremos una pequea corriente en sentido
p n de valor I I0 . Claramente, la curva I V mostrada en la
Fig. 8.2(b) es una representacin grfica de esta ecuacin.
Apuntes de CF
FLML
8.4. Lser Semiconductor
151
Corrientes de portadores mayoritarios y minoritarios

La corriente del diodo segn (8.23) fue calculada considerando
nicamente la corriente de difusin de minoritarios3 dado que se supuso despreciable la corriente de arrastre de minoritarios en las zonas
neutras. Por tanto, la corriente dada por (8.20) representaba la corriente de minoritarios (huecos) en la zona neutra n, es decir,
I
In(xn)
qSD p
I p ( xn ) =
pn e xn /L p .
Lp
(8.24)
En el caso de una unin p + -n (NA ND ), la corriente total en xn = 0

proviene mayoritariamente de la corriente de difusin de huecos en
ese punto, puesto que segn (8.21) y (8.22), I n ( xn = 0) I p ( xn = 0)
al ser n p0 pn0 . Dado que la corriente total, I, debe ser constante en
cualquier punto, la corriente de mayoritarios (electrones) en la zona
neutra n vendr entonces dada por
In ( xn ) = I I p ( xn ) .
Ip(xn)
xn
Corrientes en la zona neutra n
+
de una unin p -n
(8.25)
Lejos de la unin, la corriente en la zona neutra n es mantenida casi

exclusivamente por e . Estos e deben fluir desde dentro de la regin
neutra hacia la unin para restituir aquellos e que se recombinaron
con los h+ en exceso y para proporcionar la inyeccin de e a la zona
p. En ltima instancia, el suministro de estos e lo realiza la batera.

La idea inicial de realizar un lser usando materiales semiconductores parece que fue propuesta de forma esquemtica por J. von Neumann en 1953. Posteriormente Basov en 1961 llev a cabo un desarrollo terico ms completo que finalmente redund en la realizacin del
primer lser semiconductor funcionando a 77K por R.N. Hall en 1962.
El primer lser semiconductor a temperatura ambiente fue realizado
en el ao 1970 por varios grupos rusos y en los ATT Bell Laboratories.
El lser semiconductor suele denominarse diodo lser debido a
que se basa en las propiedades fsicas de la unin p-n, al igual que
los diodos de rectificacin elctrica vistos anteriormente. Tambin se
conocen estos lseres con el nombre de lseres de inyeccin debido
a que el procedimiento de bombeo ms usado es la inyeccin de
portadores en la unin p-n.
3 Es
interesante notar que I0 es justamente la magnitud de la corriente de difusin

que exista en equilibrio. Esta corriente de difusin de equilibrio era justamente igual
a la corriente de arrastre en equilibrio, lo cual nos permitira interpretar (8.23) considerando que I0 eqV/kT es la corriente de difusin e I0 la corriente de generacin (que
no dependa del voltaje aplicado).
FLML
Apuntes de CF
152
Captulo 8. Unin p-n
8.4.1. Propiedades elctricas

Conviene recordar algunas propiedades de los semiconductores
que son relevantes en el contexto del laser de inyeccin:
Tal como se coment en el Apartado 6.2, la estructura de bandas de

energa de un semiconductor es aproximadamente como se representa
en la Fig. 8.5, donde se muestran los dos casos usuales de semiconducE
BC
BC
Eg
m
Transicin
Directa
m
Transicin
Indirecta
Eg
k
M
BV
BV
(a)
(b)
F IGURA 8.5: Esquema energtico de bandas realista de (a): un semiconductor

directo y (b) un semiconductor indirecto.
tor directo (por ejemplo: GaAs) y semiconductor indirecto (Si, Ge...).

En un semiconductor directo, un electrn puede realizar una transicin energtica desde el punto ms bajo de la BC al punto ms alto
de la BV sin que ello implique un cambio significativo en su momento.
Por el contrario, en un semiconductor indirecto, la anterior transicin
requerira un cambio importante de momento. En una estructura peridica de periodo espacial a (tpicamente a 1), el mayor cambio
de momento permitido sera
pmax
h
.
2a
Por otra parte, teniendo en cuenta el valor del momento, p f = h/,

de un fotn luminoso ( 104 ), encontramos la siguiente relacin:

pf
2a
= 10
,
pmax
que nos indica que las diferencias de momento requeridas en una transicin indirecta no pueden ser satisfechas nicamente por la participacin de un fotn ptico. Debemos admitir entonces que la transicin
anterior debe realizarse con la participacin conjunta de otro proceso que proporcione la cantidad de momento requerido (en concreto,
participa un fonn, que puede verse como una oscilacin colectiva de
la red). Por el contrario, en el caso de una transicin directa, los pequeos cambios de momento requeridos en el proceso s pueden ser
satisfechos nicamente por un fotn.
Apuntes de CF
FLML
153
Tal como se ha venido discutiendo en este tema, en la zona de transicin de una unin p-n se igualan los niveles de Fermi de ambas regiones dando lugar a un potencial de contacto, segn se muestra en la
Figura 8.6(a). Si la anterior unin p-n se somete ahora a una fuente de
tipo p
tipo n
tipo p
tipo n
BC
BC
EFn
Ec
EF
qV
EFp
BV
BV
Ev
(b)
(a)
F IGURA 8.6: Esquema energtico de la regin de transicin de una unin p-n

(a): en equilibrio trmico y (b): sometida a una fuente de tensin externa que
la polariza directamente.
tensin externa de modo que eleva el potencial del lado p con respecto al del lado n, lo que se denomina polarizacin directa, el esquema
energtico resultante puede verse en la Figura 8.6(b). En esta situacin,
los electrones del lado n se desplazarn hacia el lado p y anlogamente
huecos del lado p viajarn hacia el lado n. En consecuencia, electrones
y huecos se encontrarn en la misma regin espacial, siendo posible
su recombinacin mediante las transiciones directas/indirectas que
antes se mencionaron (ver Figura 8.7).
ENERGA LIBERADA EN
LA RECOMBINACIN
Tipo n
RECOMBINACIN DE
ELECTRONES Y HUECOS
+
Tipo p
REGIN DE
TRANSICIN
FLUJO NETO
DE ELECTRONES
+
F IGURA 8.7: Flujo de portadores en un diodo semiconductor polarizado direc-
tamente.
Si en estas recombinaciones predomina la emisin espontnea, se

tiene un LED (light emitting diode) y si por el contrario, predominan
las emisiones estimuladas, se produce una accin lser.
Si en los semiconductores de la situacin anterior se incrementan
los niveles de dopaje, el efecto de las impurezas aadidas puede llegar
FLML
Apuntes de CF
154
Captulo 8. Unin p-n
a distorsionar la estructura de bandas energticas del semiconductor.

En el caso de un incremento de impurezas donadoras, la presencia de
numerosos electrones no localizados hace que el nivel de Fermi del
semiconductor aparezca en el interior de la Banda de Conduccin. En
este caso el semiconductor se denomina degenerado. La Figura 8.8(a)
muestra la situacin energtica a la que se llega en la regin de tran-
tipo n
tipo n
tipo p
BC
EFn
BC
tipo p
eV
EF
EC
EFp
BV
BV
EV
(a)
Estados electrnicos
llenos a T=0K
(b)
F IGURA 8.8: Esquema energtico de la regin de transicin de una unin p-n

degenerada (a): en equilibrio trmico y (b) polarizada directamente.
sicin de una unin p-n degenerada en equilibrio trmico. Si a esta

unin se le aplica una polarizacin directa, V, tal que qV > Eg , se llega a la situacin mostrada en la Figura 8.8(b). Es importante notar que
aunque estamos en una situacin de no equilibrio trmico, lejos de la
regin de transicin y dentro de cada banda, se establece rpidamente un cuasi-equilibrio trmico (esto es, la dinmica de los electrones
fuera de la regin de transicin no es influenciada significativamente
por el campo externo aplicado). Esto posibilita la descripcin de los
electrones en las bandas mediante la distribucin de Fermi-Dirac y se
puede, por tanto, seguir usando el parmetro Energa de Fermi como
caracterstico de esa banda.
8.4.2. Propiedades pticas

La interaccin de la radiacin con los semiconductores est fundamentalmente determinada por la estructura de bandas que stos
posean. As, en un semiconductor homogneo
La emisin se producir en la forma de fotones de energa igual
a la anchura energtica de la banda prohibida, h = Eg , dado
que, dentro de cada banda, los electrones se mueven muy rpidamente hacia los niveles ms bajos/altos disponibles en la
banda de conduccin/valencia. A este proceso se le denomina
recombinacin electronhueco.
La absorcin de radiacin puede producirse en un rango mucho
ms ancho de frecuencias, denominndose a este proceso generacin de un par e /h+ .
Apuntes de CF
FLML
155
La recombinacin de portadores ms probable en un semiconductor que forma una unin p-n se produce cuando electrones y huecos
se encuentran en la misma regin espacial. Segn se ver ms adelante, para densidades de corriente moderadas, la radiacin emitida tiene
caractersticas de emisin espontnea y nicamente a partir de cierta
intensidad umbral, IU , se producir emisin estimulada.
Dado que los procesos de emisin y absorcin mediante recombinacin o generacin de pares e /h+ pueden considerarse como procesos de interaccin luz-materia, para que exista accin lser la cuestin es la siguiente:
Bajo qu condiciones la razn de emisin estimulada supera a la absorcin en una unin p-n en polarizacin directa?
Dado que los procesos de interaccin radiacin-semiconductor ocurrirn predominantemente en la regin de transicin, los procesos involucrados se suponen asociados a transiciones entre un grupo de niveles del borde inferior de la Banda de Conduccin y un grupo de
niveles del borde superior de la Banda de Valencia (ver Figura 8.9).
REGIN DE
TRANSICIN
Niveles
electrnicos
ocupados
BC
tipo n
Inversin de poblacin
entre estos 2 grupos
de niveles
tipo p
BV
NIVEL LASER
SUPERIOR
Niveles
electrnicos
vacos
NIVEL LASER
INFERIOR
F IGURA 8.9: Niveles involucrados en la accin laser de una regin de transicin de una unin p-n degenerada.
Debemos considerar que para que exista absorcin estimulada un

electrn de BV tras tomar la energa de un fotn incidente transita un
estado energtico en la BC. No obstante, este proceso no slo depende
de la existencia de estados energticos en la BC sino tambin de que
estos estados estn vacos, es decir, que no haya otros electrones ocupando ese estado. As, los procesos de absorcin estarn relacionados
con la existencia de estados llenos en BV y vacos en la BC mientras
que los de emisin lo estarn con la existencia de estados llenos en BC
y vacos en BV. En concreto, las probabilidades de emisin y absorcin
estimulada estarn relacionadas con
1.
la densidad de la radiacin presente, u();
2.
la probabilidad de ocupacin de los niveles de la banda de conduccin, f c ( E); y
FLML
Apuntes de CF
156
Captulo 8. Unin p-n
3.
la probabilidad de ocupacin de los niveles de la banda de valencia, f v ( E).
En este sentido se tiene que

Emisin estimulada: proporcional al nmero de transiciones posibles entre los estados superiores llenos y los estados inferiores
vacos.
Absorcin estimulada: proporcional al nmero de transiciones posibles entre estados inferiores llenos y estados superiores vacos.
La probabilidad de que un estado con energa E 2 en la Banda de
Conduccin est ocupado y que un estado con energa E 1 en la Banda
de Valencia est vaco es
f c ( E2 ) [1 f v ( E1 )]
o bien
f c (1 f v )
y por tanto el ritmo de transiciones de E 2 E1 ser

R21 = B21 u() f c (1 f v ) .
(8.26)
Anlogamente, el ritmo de transiciones de E 1 E2 vendr dado por

R12 = B12 u() f v (1 f c ) .
(8.27)
Para que el ritmo de emisin estimulada supere a la absorcin deber ocurrir que f c (1 f v ) > f v (1 f c ), que puede expresarse simplemente como
(8.28)
f c ( E2 ) > f v ( E1 ) ,
esto es, la probabilidad de ocupacin en el nivel de energa E2 en BC debe
ser mayor que la del estado E1 en BV (ntese que esto nunca podra
ocurrir en un semiconductor homogneo intrnseco o extrnseco con
cualquier nivel de dopaje ni tampoco en una unin p-n en equilibrio).
Dado que el tiempo de vida medio de los portadores es mucho
mayor que el tiempo en que los electrones/huecos en ambas bandas
alcanzan el equilibrio trmico, se supone que la probabilidad de ocupacin de los niveles energticos correspondiente a los electrones o
huecos inyectados en la regin de transicin viene descrita por la estadstica de FermiDirac y por tanto

E1 EFp
E2 EFn
1
1
y
f v = 1 + exp
.
f c = 1 + exp
kT
kT
En vista de la anterior expresin, la condicin (8.28) viene dada por

E1 EFp
E2 EFn
(8.29)
< exp
exp
kT
kT
que puede reducirse a
EFn EFp > E2 E1 .
Apuntes de CF
(8.30)
FLML
157
La condicin de inversin de poblacin se da, por tanto, para aquellos

niveles E2 de BC y niveles E1 de BV que satisfagan la condicin (8.30),
esto es, los niveles de BC por debajo de E Fn y los niveles de BV por
encima de EFp . Puesto que E2 E1 es necesariamente mayor que la
anchura de la banda energtica, Eg , podemos concluir finalmente que
la condicin para que exista inversin de poblacin en la regin de
transicin de una unin p-n directamente polarizada es
EFn EFp > Eg
(8.31)
Condicin para que exista inversin de poblacin
De todo lo expuesto anteriormente podemos concluir que la accin

lser requiere :
1.
El semiconductor debe estar degenerado (pues de otra manera

la diferencia entre los niveles de Fermi de la zona p y la zona n
nunca puede superar la anchura energtica de la banda prohibida).
2.
La tensin de polarizacin debe exceder el valor E g /e.
3.
El semiconductor debe ser directo (para que las posibles recombinaciones electrnhueco se realicen con la mayor probabilidad
de emisin de fotones).
A pesar de cumplir las condiciones anteriores, una seria limitacin

para la accin lser en los semiconductores es la absorcin de portadores libres. Esto se debe a que la estructura de bandas del semiconductor permite que un electrn de la Banda de Conduccin pueda
interactuar con uno de los fotones emitidos de tal forma que el electrn pase a uno de los niveles superiores y vacos de dicha banda. Este
exceso de energa ser posteriormente liberado en forma de calor, dndose de esta manera transiciones energticas de valor h que pueden
reducir considerablemente la densidad de emisin estimulada y por
tanto dificultar la realimentacin de la accin lser.
Segn se indic anteriormente, cuando la corriente de alimentacin del diodo lser es pequea, ste genera emisin espontnea, segn el mismo proceso que la emisin de un LED. Sin embargo, al
aumentar la corriente de alimentacin (o anlogamente la tensin de
polarizacin hasta conseguir que se cumpla (8.31)), se alcanza un nivel umbral donde se invierte la poblacin de electrones y comienza la
accin lser. Este fenmeno puede observarse en la Figura 8.10 donde
puede verse como por debajo de la corriente umbral, la intensidad luminosa proporcionada por el diodo es muy pequea, disipndose la
mayor parte de la potencia de entrada en calor. A partir del umbral de
intensidad, aumenta considerablemente la eficiencia ptica del diodo,
aunque debe tenerse en cuenta que si la intensidad umbral es alta, esto significa una considerable prdida de potencia en calor para mantener la accin lser. Las investigaciones actuales en los diodos lser
FLML
Apuntes de CF
158
Captulo 8. Unin p-n
F IGURA 8.10: Potencia de salida de un lser semiconductor en funcin de la

corriente de alimentacin.
van encaminadas a reducir esta corriente umbral y as asegurar funcionamientos muy duraderos a temperatura ambiente.
8.4.3. Estructura del lser semiconductor

La accin lser eficiente requiere el uso de resonadores pticos. En
el caso del diodo lser horizontal y tal como se muestra en la Figura 8.11, la realimentacin que concentra la emisin estimulada en el
Regin activa
Haz lser
Cara Reflectiva
Regin de
Transicin
Cara de salida
parcialmente
reflectante
Sustrato
F IGURA 8.11: Las regiones reflectantes producen accin lser en el plano de la

unin en un diodo lser
plano de la unin, proviene de los bordes pulidos del cristal semiconductor que actan como espejos debido al alto ndice de refraccin de
los semiconductores ( 3 4), que hace que estas caras pulidas reflejen aproximadamente el 30 % de la luz incidente.
Una de las caractersticas ms determinantes en las propiedades
del lser semiconductor es la estructura de las capas adyacentes a la
capa activa (regin de transicin donde se realiza la accin lser). En
los primeros diodos lser, todas las capas estaban construidas sobre
la base del mismo material y por tanto se denominan homoestructuras. Posteriores desarrollos llevaron a la realizacin de lseres semiApuntes de CF
FLML
159
conductores en los que las capas adyacentes estaban construidas con

distintos materiales, denominndose heteroestructuras. Algunas caractersticas relevantes de ambas son
Homoestructuras:
No proporcionan un confinamiento ptico ptimo ya que los ndices de refraccin de las diversas capas eran muy parecidos
ver Figura 8.12(a). Esto exiga unas densidades de corrientes umESTRUCTURA
LSER
PERFIL DEL
CONFINAMIENTO
NDICE DE
REFRACCIN
P-GaAs
GaAs
Capa Activa
N-GaAs
Lser de Homounin
Heterouniones
P-GaAlAs
GaAs
Capa Activa
N-GaAlAs
N-GaAs
Lser de Doble Heterounin

F IGURA 8.12: Lser de homounin y heterounin, sealando el perfil del ndice de refraccin y el confinamiento luminoso.
brales muy altas, IU /cm2 50000 A/cm2 que causaban muchas

prdidas por calor (lo cual exiga trabajar a temperaturas de Helio lquido, T 77 K) y una corta vida media de los dispositivos.
Heteroestructuras:
Las capas presentan distintos ndices de refraccin de forma que
esto crea un efecto gua de onda (similar al de la fibra ptica) que
confina la luz en la capa activa, segn se muestra en la Figura
8.12(b). Adems, si las capas adyacentes poseen bandas energticas prohibidas de mayor anchura se reducir sustancialmente la absorcin por portadores libres. Este tipo de lseres puede
ya funcionar en modo continuo a temperatura ambiente al ser
IU /cm2 2000 4000 A/cm2 , IU 1, 2A.
El esquema con el que se realizan actualmente la mayora de
los diodos lser comerciales consiste en una modificacin de la
heteroestructura anterior que se muestra en la Figura 8.13. Esta estructura proporciona confinamiento lateral para la luz, lo
FLML
Apuntes de CF
160
Captulo 8. Unin p-n
que reduce la corriente umbral hasta IU 60mA. Usando esta

estructura, es posible fabricar sobre el mismo sustrato semiconductor, muchos lseres en paralelo y as conseguir potencias de
hasta 10 vatios en modo continuo.
Contacto
p-Ga1-xAlxAs
Aislante
0.2m m
GaAs
Regin activa
n-Ga1-zAlzAs
n-Ga1-yAlyAs
3m m
Contacto
Sustrato
n-GaAs
F IGURA 8.13: Heteroestructura tpica de los lseres semiconductores comerciales actuales.
Pozos cunticos
Un tipo de confinamiento distinto basado en fenmenos cunticos se ha conseguido mediante el uso de capas de material muy finas
( 10 nm) que se comportan respecto a los electrones como un pozo cuntico. La idea bsica del pozo cuntico se consigue al intercalar
una capa muy fina con una banda prohibida de anchura pequea entre
capas gruesas con anchuras de banda prohibida mayores. Los electrones que pasan por esta configuracin de bandas pueden ser capturados en el pozo cuntico. Estos electrones capturados tienen suficiente
energa para permanecer en la Banda de Conduccin del material que
forma la fina capa de pequea anchura de banda prohibida, pero no
para entrar en la capa de mayor anchura de banda prohibida.
Si los pozos cunticos se colocan en una unin p-n de un diodo
lser, permiten concentrar en capas muy finas los electrones y huecos,
consiguiendo una eficaz recombinacin de stos que disminuye considerablemente la intensidad umbral. Adems, dado que las capas de
confinamiento tienen diferentes ndices de refraccin, tambin posibilitan el confinamiento de luz.
Longitud de onda
En general, los medios activos de los diodos lser presentan altas
ganancias, de forma que no se requieren muchas oscilaciones en la cavidad resonante para producir accin lser. Dado que tpicamente la
regin que acta de cavidad tiene una longitud de 300 500m, los
modos resonantes de esta cavidad estn ms separados que en otros
lseres (cuyas cavidades resonantes son al menos de 1030 cm) y
Apuntes de CF
FLML
8.5. Aplicaciones del Lser
161
como resultado, la mayora de los diodos lser normalmente oscilan

a una sola frecuencia al mismo tiempo. No obstante, debido a que la
anchura de la curva de ganancia es grande, el diodo lser puede emitir distintas longitudes de onda (saltando de una resonante a otra)
dando lugar a un funcionamiento bastante inestable. Este fenmeno
puede solucionarse mediante el uso de dispositivos aadidos de sintonizacin y estabilizacin.
Divergencia del haz

Otra caracterstica importante del diodo lser es la inusual divergencia del haz emitido. La geometra de la pequea cavidad junto con
la minscula rea de emisin (generalmente una pequea rendija del
orden de los m2 ) se combinan para producir un haz no circular que
se dispersa muy rpidamente, tpicamente del orden de 40 grados. Se
encuentra por tanto que los rayos de un diodo lser divergen ms rpidamente que los de una buena lmpara de flash. Afortunadamente,
el uso de una ptica adecuada permite una buena focalizacin del haz
y as, por ejemplo, los diodos lser se usan como fuente de luz de los
punteros lser.
Modulacin
Segn puede observarse en la Figura 8.10, la salida ptica del diodo lser depende linealmente de la corriente que circula a travs de
ste. Esta simple dependencia lineal hace que la modulacin del haz
pueda conseguirse modulando directamente la corriente de alimentacin, constituyendo este hecho una de las principales ventajas de los
lseres de inyeccin. Dado que la respuesta de la salida ptica a las
variaciones de la corriente de alimentacin es muy rpida, se consiguen anchuras de banda tpicas en la modulacin del orden de los
Gigahertzios.

Las posibles aplicaciones del lser pueden dividirse en varias categoras. Una de las ms usuales consiste en distinguir la accin de los
lseres de baja potencia de aquellos de alta potencia. En la presente
seccin se expondrn nicamente algunas de las aplicaciones de los
lseres de baja potencia. Generalmente, se denomina baja potencia a
cantidades menores que un watio, bajo la suposicin de que el haz
lser no afecta destructivamente a los objetos que ilumina. Es interesante sealar que en muchas de las posibles aplicaciones de lser, ste
FLML
Apuntes de CF
162
Captulo 8. Unin p-n
se emplea bsicamente como una bombilla de muy alta eficacia. Algunas

de las caractersticas diferenciadoras de los lseres de baja potencia
respecto a otras posibles fuentes de luz son:
Lseres producen luz bien controlada que puede ser focalizada
con precisin sobre una minscula regin de un objeto. Este hecho tiene multitud de aplicaciones, por ejemplo en contadores,
lectores de cdigos de barras, lectores de CD, discos magneto
pticos, etc..
Al focalizarse la luz sobre una pequea regin, se pueden conseguir altas densidades de potencia, que pueden usarse para un
calentamiento selectivo de pequeas regiones.
Debido a la alta directividad de los rayos lser, stos pueden definir lneas rectas. Esta propiedad se usa para el diseo de posicionadores y punteros.
La luz lser posee normalmente un estrecho rango de longitudes
de onda, siendo este hecho altamente aprovechado en espectroscopa.
La alta coherencia que presentan muchos lseres es aprovechada
para la holografa y fundamentalmente para metrologa.
Los lseres pueden generar pulsos extremadamente cortos, siendo esto muy til para la transmisin de datos.
Lseres de He-Ne y de inyeccin producen potencias muy constantes en modo continuo durante miles de horas de uso.
Los diodos lser son muy compactos y baratos.
Dado que los diodos lser puedes ser modulados directamente
a altas velocidades mediante cambios en la corriente de alimentacin, son muy usados en la transmisin de datos.
8.5.1. Aplicaciones del Lser de Inyeccin

Debido a las peculiaridades del lser de inyeccin (tamao reducido, bajo coste, modulacin directa...), ste se ha convertido con diferencia en el lser ms popular, siendo actualmente usado en millones
de lectores de discos pticos (en equipos de msica, computadores..)
y en la mayora de los sistemas de alimentacin de fibras pticas para
transmisin de datos.
Discos pticos; Lectura de datos para computadores
El funcionamiento bsico de lectura de un CDROM se muestra
en la Figura 8.14, donde puede verse como la luz de un diodo lser es
Apuntes de CF
FLML

Cabeza lectora
(muy ampliada con
respecto al disco)
Detector
Luz reflejada
163
Slida elctrica hacia

los decodificadores
electrnicos
Diodo Lser
Divisor del haz
Bits de datos
Disco ptico
Lente de
focalizacin
Luz enfocada sobre
la marca que se lee
F IGURA 8.14: Sistema de lectura de un CD-ROM.
focalizada sobre una diminuta regin de un disco que gira rpidamente. La superficie del disco est cubierta con minsculas partculas, con
diferente reflectividad que el fondo del disco, de acuerdo a un cierto
patrn de bits de datos. La luz lser reflejada por el disco es enfocada
sobre un detector que genera una seal elctrica en forma de una serie
de pulsos correspondientes al patron de datos registrado en el disco.
Debido a que el haz del diodo lser puede ser enfocado sobre una
regin que cubre aproximadamente un dimetro de una longitud de
onda, esto significa que el uso de diodos lser de = 780 nm permite
que cada una de las marcas del disco debe cubrir aproximadamente
1 m2 . De este modo, un CD-ROM de 12 cm de dimetro permite almacenar 600 MBytes, incrementndose considerablemente la densidad de almacenamiento de datos con respecto a los anteriores discos
magnticos. La focalizacin a distinta profundidad permite igualmente el uso de discos pticos multicapas, dando as lugar a un incremento
adicional muy importante de la cantidad de informacin que se puede
almacenar.
Dado que los diodos lser son muy pequeos y pueden ser montados en la cabeza lectora, esto permite un acceso a la informacin
muy rpido (si se dispone de un software de control adecuado) con
independencia de donde est localizada en el disco. Por otra parte, los
diodos lser requieren poca potencia para su funcionamiento, siendo
adems esta potencia del mismo orden que la que se usa en los dispositivos electrnicos, aumentando as la compatibilidad entre la parte
electrnica y la ptica.
FLML
Apuntes de CF
164
Captulo 8. Unin p-n
Discos magneto-pticos; Almacenamiento y Lectura de datos para

computadores
El mayor inconveniente de los CD-ROM proviene de su carcter
de memoria de slo lectura. Las intensas investigaciones realizadas para
conseguir discos de alta densidad de almacenamiento de datos y con
posibilidad de ser regrabados por el usuario han resultado en el desarrollo del disco magneto-ptico. La diferencia fundamental de este
disco con respecto al CD-ROM consiste en una cubierta de un material parcialmente transparente con propiedades ferrimagnticas. Este
material manifiesta una magnetizacin neta a temperatura ambiente
que puede ser modificada por encima de cierta temperatura (temperatura de Neel) cuando est en la fase paramagntica. Tal como se
muestra en la Figura 8.15, el aumento de temperatura local de una peDiodo Lser
Lente de
focalizacin
Area del disco calentada
para poder magnetizarla
Haz que calienta la

cubierta del disco
Campo magnetizante
sobre el rea caliente
Electroimn
F IGURA 8.15: Esquema de grabacin de un disco magnetoptico.
quea regin del disco se consigue mediante el haz focalizado de un

diodo lser. Una vez que se ha alcanzado la temperatura adecuada, la
pequea regin es magnetizada en la direccin impuesta por un electroimn. Ntese que la grabacin de datos es puramente magntica,
pero debido a que la magnetizacin se realiza en direccin normal al
disco y que se pueden magnetizar regiones muy localizadas, se consiguen unas densidades de almacenamiento de datos muy altas.
La lectura del disco magneto-ptico se realiza mediante un procedimiento similar al del CD-ROM, aunque en este caso se usa el hecho
de que la refraccin de un haz polarizado en un material magnetizado produce un haz reflejado cuya polarizacin sufre una variacin
que depende de la direccin de magnetizacin del material refractante. Detectando, por tanto, los estados de polarizacin del haz reflejado
por la cubierta magnetizada del disco y registrando estos estados en
pulsos elctricos se consigue recobrar el patrn de datos grabado previamente de forma magntica.
Apuntes de CF
FLML
165
Comunicaciones por fibra ptica

Actualmente las fibras pticas se han convertido en el soporte fsico dominante en las telecomunicaciones de larga distancia punto a
punto. Los LEDs pueden excitar los sistemas de fibra ptica cuando
la transmisin se realiza a corta distancia (por ejemplo: en un mismo
edificio) pero se necesitan fuentes ms monocromticas para las comunicaciones de larga distancia, usndose para este cometido como
fuentes estndar los diodos lser, debido a
Diodo lser emite en un rea de unos pocos m 2 ; lo cual es ideal
para acoplarse bien con el diminuto ncleo de la fibra ptica (
10m)
Es muy compacto y opera con los mismos niveles de tensin e
intensidad que los dispositivos electrnicos convencionales.
El esquema bsico de transmisin se muestra en la Figura 8.16. La
(Larga distancia)
CABLE DE
FIBRA PTICA
Luz guiada
por fibra
Seal de
pulsos de
entrada
Corriente de
alimentacin
TRANSMISOR
DIODO
LSER
Seal
elctrica
Seal de
pulsos de
salida
DETECTOR
ELECTRNICA DE
DECODIFICACIN
F IGURA 8.16: Sistema de fibra ptica para larga distancia
seal que alcanza el transmisor genera una corriente que pasa a travs
de un lser semiconductor. La seal es una serie de pulsos elctricos
que genera una correspondiente serie de pulsos luminosos en el diodo
lser. El lser emite los pulsos directamente al ncleo de la fibra ptica,
siendo transmitida por sta (hasta 104 km) a un receptor lejano. All,
un detector de luz convierte los pulsos luminosos en pulsos elctricos.

8.1: Una unin p-n abrupta presenta NA = 1017 cm3 en el lado p y Nd = 1016 cm3
en el lado n. A 300 K, (a) calcule los niveles de Fermi, dibuje el diagrama de bandas en
equilibrio y halle V0 a partir del anterior diagrama; (b) Compare el resultado anterior
con el que proporciona la expresin (8.2); (c) Calcule la anchura de la regin de carga
espacial y el valor del campo elctrico en esta regin.
FLML
Apuntes de CF
166
Captulo 8. Unin p-n
8.2: Compare los valores del potencial de contacto del problema anterior para el Si
con los que se obtendran en uniones hechas en Ge y GaAs con los mismos niveles de
dopaje.
8.3: La corriente a travs de una unin p-n a 300 K es 0.01 A para una polarizacin
inversa de 10 V. Calcule el valor de la corriente a travs de la unin para polarizaciones directas de (a) 0.1 V, (b) 0.3 V, y (c) 0.5 V.
8.4: Teniendo en cuenta que la corriente de saturacin inversa debe ser lo ms pequea posible en una unin p-n ideal qu material es ms adecuado para la fabricacin
de uniones p-n?. Eg (Si) = 1,1 eV.
8.5: La corriente de saturacin inversa para una unin p-n es I0 = 5 109 A. Para
una polarizacin directa de 0.45 V, (a) calcule la corriente a travs de la unin a T =
27o C; (b) si el voltaje a travs de la unin se supone constante e I0 no cambia con la
temperatura, cul es la corriente a travs de la unin a T = 47o C?.
Sol. (a): 0.18 A, (b) 0.06 A.
8.6: Una unin p+ -n en Si est dopada con Nd = 1016 cm3 , siendo D p = 10 cm2 /s,
p = 0,1 m y el rea de la unin S = 104 cm2 . Calcule la corriente de saturacin
inversa y la corriente directa cuando V = 0,6 V.
Apuntes de CF
FLML
Apndice A
Constantes fundamentales
Constante de Planck:
h=
6,626 1034 Js
4,136 1015 eVs
Velocidad de la luz:
c=
2,998 108 m/s
me =
9,109 1031 kg
Masa del electrn:

Carga del electrn (sin signo):
e=
1,602 1019 C
Masa del protn:
mp =
1,673 1027 kg
Nmero de Avogadro:
NA =
6,022 1023 partculas/mol
kB =
Constante de Boltzmann:
167
1,381 1023 J/K

8,620 105 eV/K
Apndice B
Energa y longitud de onda

de una partcula relativista
La expresin de la energa, E, de una partcula libre proporcionada
por la Relatividad Especial es
E2 = m20 c4 + p2 c2 ,
(B.1)
donde m 0 es la masa en reposo de la partcula material, c la velocidad

de la luz y p el mdulo de su momento lineal.
La energa de la partcula libre puede tambin expresarse como la
suma de su energa cintica, Ec , ms su energa en reposo, m 0 c2 , esto
es,
(B.2)
E = Ec + m 0 c2 .
Operando en (B.1) y teniendo en cuenta (B.2), tenemos que
p2 c2 = E2 m20 c4 = ( E m0 c2 )( E + m0 c2 ) = Ec ( Ec + 2m0 c2 )

Ec
2
,
(B.3)
= 2m0 c Ec 1 +
2m0 c2
de donde obtenemos la siguiente expresin para el momento lineal:

1/2

Ec
.
(B.4)
p = 2m0 Ec 1 +
2m0 c2
Teniendo ahora en cuenta la expresin (1.28) que relaciona el mdulo
del momento lineal con la longitud de onda, , asociada a la onda
piloto de la partcula, encontramos que esta puede expresarse como
=

2m0 Ec
h
Ec
1+
2m0 c2
1/2 .
(B.5)
En el caso de que la energa cintica de la partcula sea mucho

menor que su energa en reposo,
Ec m 0 c 2 ;
169
170
Apndice B. Energa y longitud de onda de una partcula relativista
es decir, si la velocidad de la partcula, v, es mucho menor que la velocidad de la luz (v2 c2 ), entonces la masa de la partcula puede
igualarse a su masa en reposo,
m m0 ,
y las expresiones (B.4) y (B.5) pueden simplificarse en
p = 2mEc = mv .
(B.6)
y
=
Apuntes de CF
h
.
2mEc
(B.7)
FLML
Apndice C
Promedios estadsticos
C.1. Sistemas Discretos
Sea un sistema discreto compuesto de NTotal = 18 alumnos. Supngase que la distribucin de notas ha sido la siguiente: un alumno ha
obtenido un uno, N1 = 1, un alumno ha obtenido un dos, N2 = 1,
N3 = 2, N4 = 0, N5 = 4, N6 = 2, N7 = 3, N8 = 1, N9 = 4, N10 = 0.
Cada Ni puede reinterpretarse como una medida de la probabilidad
de que un alumno de este colectivo obtenga una determinada nota.
Una representacin grfica de esta distribucin se representa a continuacin
Nmero de Alumnos (Ni)
0
0
10
Calificacin (C)
Dado que 10
i =1 Ni = NTotal , la probabilidad de obtener una determinada nota vendr dada por
ni =
Ni
,
NTotal
(C.1)
obtenindose obviamente que 10

i =1 n i = 1. La funcin distribucin del
sistema puede identificarse con n i .
171
172
Apndice C. Promedios estadsticos
El valor de la calificacin promedio, C , de las notas obtenidas

por el colectivo de alumnos se obtiene mediante
C =
10
i =1 Ni Ci
=
10
i =1 Ni
10
n i Ci .
(C.2)
i =1
Anlogamente, el valor promedio de cualquier magnitud (F (C i )) que

dependa de las calificaciones se obtendr como
F =
C.2.
10
n i F ( Ci ) .
(C.3)
i =1
Sistemas Continuos
Las discusiones anteriores para casos discretos pueden fcilmente

extenderse a sistemas continuos, para ello debe notarse que el papel
jugado por la suma ser ahora asumido por el proceso de integracin,
dx .
Por tanto, partiendo de una determinada funcin de distribucin, ( x ),

debe cumplirse que
La probabilidad de que el sistema tome alguno de los valores x
debe ser igual a la unidad:

( x ) dx = 1 .
(C.4)
El valor promedio de la variable x se calcular como
x =
x ( x ) dx .
(C.5)
El valor promedio de una funcin de x, por ejemplo f ( x ), puede

obtenerse a partir de la funcin distribucin como
f ( x ) =
Apuntes de CF
f ( x ) ( x ) dx .
(C.6)
FLML
Apndice D
Propiedades de algunos
materiales semiconductores
Para el silicio (Si), germanio (Ge) y arsenuro de galio (GaAs) a
T = 300 K, encontramos que
Si
Ge
GaAs
Eg
(eV)
1.11
0.67
1.43
me /me
mh /me
1.1
0.55
0.067
0.56
0.37
048
n
(cm2 /Vs)
1350
3900
8500
Densidad efectiva de estados para Si en BC

NC = 4,39 1024 m3
Densidad efectiva de estados para Si en BV
NV = 5,95 1024 m3
173
p
(cm2 /Vs)
480
1900
400
Apndice E
Invarianza del nivel de Fermi

en equilibrio
La invarianza del nivel de Fermi en equilibrio trmico podra explicarse a partir de la igualacin del trabajo de extraccin de dos metales cuando stos se unen perfectamente. No obstante, desde un punto
de vista ms riguroso, podemos recurrir al hecho de que, en equilibrio
trmico, NO existe una corriente neta de carga en un material formado
por la unin perfecta de dos materiales 1 y 2 con densidades de estado
y probabilidades de ocupacin g1 ( E), f 1 ( E) y g2 ( E), f 2 ( E) respectivamente. Para cualquier nivel de energa, la velocidad de transferencia
de electrones de 1 2 ser proporcional al nmero de estados ocupados en 1 por el nmero de estados vacos en 2, es decir,
y, anlogamente,
1 2 g1 f1 g2 (1 f2 )
(E.1)
2 1 g2 f2 g1 (1 f1 ) .
(E.2)
En equilibrio y para que no haya corriente neta debe cumplirse que el

nmero de electrones por unidad de tiempo que pasan de 1 2 sea
el mismo que aquel que pase de 2 1, lo que implica que
g1 f1 g2 (1 f2 ) = g2 f2 g1 (1 f1 ) .
(E.3)
Reagrupando trminos llegamos a que

g1 f1 g2 g1 f1 g2 f2 = g2 f2 g1 g2 f2 g1 f1 ,
(E.4)
y dado que g1 = g2 (puesto que estas magnitudes dependen directamente de las caractersticas de los metales), la igualdad anterior exige
que
(E.5)
f 1 ( E) = f 2 ( E) ,
y por tanto

E E F1
1 + exp
kB T
1
E E F2
= 1 + exp
kB T
175
1
.
(E.6)
176
Apndice E. Invarianza del nivel de Fermi en equilibrio
Para que se satisfaga la igualdad anterior para cualquier valor de energa, E, debe ocurrir que
EF1 = EF2 ,
lo que implica que no existe ninguna discontinuidad en el nivel de
Fermi en equilibrio. De forma ms general, esta propiedad puede establecerse como la inexistencia de gradiente en el nivel de Fermi en
equilibrio,
dE F
=0 .
(E.7)
dx
Apuntes de CF
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Apuntes de apoyo a la asignatura

Francisco L. Mesa Ledesma

Copyright 2002 by Francisco L. Mesa Ledesma; esta informacin

DESIGN SCIENCE LICENSE

Fundamentos de Fsica Cuntica

1.2. Cuantizacin de la radiacin . . . . . . . . . . . . . . . .

1.2.2. Efecto fotoelctrico . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.4. Modelo atmico de Bohr . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.5. Dualidad de la materia . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.5.1. Hiptesis de De Broglie . . . . . . . . . . . . . .

1.5.2. Verificacin experimental . . . . . . . . . . . . .

1.6. Principio de Heisenberg . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.6.2. Principio de incertidumbre energa-tiempo . . .

1.7. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Ecuacin de Schrdinger. Aplicaciones

2.1. Ecuacin de Schrdinger . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.2. Partcula ligada. Cuantizacin . . . . . . . . . . . . . . .

2.2.1. Partcula Libre . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Pozo potencial infinito monodimensional . . .

Pozo de potencial tridimensional . . . . . . . .

2.3. Efecto tnel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.4. tomos hidrogenoides . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Spin del electrn . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.5. Tabla peridica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.6. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3.1. Estados de Agregacin de la Materia . . . . . . . . . . .

3.4.1. Redes de Bravais . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3.4.2. Parmetros de la estructura reticular . . . . . . .

3.5. Observacin de las estructuras cristalinas . . . . . . . .

3.6. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Electrones libres en metales

Modelo clsico del electrn libre . . . . . . . . . . . . .

4.2.1. Hiptesis bsicas . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.2.2. Dependencia con la temperatura . . . . . . . . .

4.2.3. Fallos del modelo de Drude . . . . . . . . . . . .

4.3. Modelo cuntico del electrn libre . . . . . . . . . . . .

4.3.1. Funcin densidad de estados . . . . . . . . . . .

4.3.2. Distribucin de Fermi-Dirac . . . . . . . . . . . .

4.3.3. Conduccin elctrica . . . . . . . . . . . . . . . .

4.3.4. Fallos del modelo de Sommerfeld . . . . . . . .

4.4. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Electrones en una red peridica

5.1.Modelo cuntico del electrn ligado . . . . . . . . . . . . .

5.1.1. Aproximacin de fuerte enlace . . . . . . . . . .

5.1.2. Bandas de energa . . . . . . . . . . . . . . . . .

Aislantes, Semiconductores y Conductores . . . . . . .

5.5. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Bandas de Energa en Semiconductores

Generacin y recombinacin de electrones y huecos . .

6.3. Semiconductores Intrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . .

6.3.1. Descripcin cualitativa . . . . . . . . . . . . . . .

Probabilidad de ocupacin de electrones y huecos100

6.3.3. Posicin del nivel de Fermi para semiconductores

Portadores de carga en Semiconductores

7.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111

Clculo aproximado de n y p . . . . . . . . . . . 117

7.3.2. Clculo de EF para semiconductores intrnsecos

Corriente de difusin . . . . . . . . . . . . . . . 123

7.5.3. Corriente total . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124

Campo elctrico interno . . . . . . . . . . . . . . 125

Velocidad de generacin y recombinacin . . . . . . . . 128

7.7. Ecuacin de continuidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130

7.7.2. Inyeccin constante de portadores . . . . . . . . 133