VISOKA TEHNIKA KOLA STRUKOVNIH STUDIJA

NOVI BEOGRAD

Elektrotehnika sa
elektronikom
- JFET tranzistor -

Student:
Bezbradica Milos
Mladenovic
br. Indeksa:
242/13

Profesor:
dr Vladimir

Uradio:

Bezbradica
Milos

JFET TRANZISTOR
VT
Novi Beograd

Strana 2

Jun, 2015.

SADRZAJ
strana
1.
UVOD
.........................................................................................
3
2.
Tranzistori
sa
polja................................................... 4

efektom

2.1 Geometrija provodnog kanala u omskoj oblasti rada JFET

-a

............... 6
2.2

Geometrija provodnog kanala u oblasti zasienja JFET - a

.................... 7
2.3
zasienja
2.4

Strujno

naponska

karakteristika

JFET

oblasti

...................... 8
Izlazna

karakteristika

..................................................... 8
2.5 Idealna izlazna karakteristika JFET -a

............................................ 9

JFET

-a

Uradio:

Bezbradica
Milos

JFET TRANZISTOR
VT
Novi Beograd

Strana 3

2.6 Prenosna karakteristika JFET - a

................................................. 10
2.7 Primena JFET - a u omskoj oblasti

............................................... 11
2.8

Polarizacija

JFET

ova

............................................................ 12
3.
UPOTREBA
TRANZISTORA ......................................................
13

1. UVOD
Tranzistori su aktivni poluvodicki elementl, u pravilu s tei
elektrode, a pretezno se upotrebljavaju kao pojacala ili
elektronicke sklopke. Njegov naziv dolazi od Transfer resistor
(prijenosni otpornik), a moie biti bipolaran ako korisnu struju
kroz njega
cne i manjinski i vecinski nositeljii naboja ili unipolaran ako je
struja posledica delovanja vecinskih nosioca.
Bipolami tranzistori nazivaju se jos i spojni i mogu biti PNP i
NPN tipa.
Unipolarni tranzistori se nazivaju i tranzistori s efektom polja
(eng. Field Effect transistor), a postoje dva osnovna
konstrukcijska oblika: spojni tranzistori s efektom
polja (Junction Field Effect Tranzistor) ili skraceno JFET i metal
oksidni poluvodnicki tranzistor sa efektom polia (Metal Oxide

Uradio:

JFET TRANZISTOR

Bezbradica
Milos

VT
Novi Beograd

Strana 4

Semiconductor Field Effect Tranzistor) ili skraceno FET i

MOSFET
Bipolami i unipolami tranzistori imaju slicnu temeljnu
poluporvodnicku strukturu ali su
bitno razliciti u nacinu upravljanja izlaznom strujom.

2. Tranzistori sa efektom polja (FET ili JFET

tranzistori)
Fet tranzistori (Field - effect) su tranzistori sa efektom polja
To su elektronske komponente sa tri elektrode, kod kojih struju
izmeu izlaznih prikljuaka source - a (izvor) i drain a (slivnik)
kontrolie napon izmeu tree elektrode gate a (kapije) i
source a

Uradio:

JFET TRANZISTOR
VT
Novi Beograd

Bezbradica
Milos
Strana 5

Prostor u poluprovodnikoj komponenti izmeu elektroda

source a i drain a naziva se kanal
Kanal se izrauje od poluprovodnika samo jednog tipa, ili samo
upljina ili samo elektrona
Zato se FET tranzistori jo nazivaju i unipolarni tranzistori ili
spojni (junction FET - ovi)

GEJT
p+

SORS

N KANAL 2a

DREJN

p+
S

JF

G
Rad JFET a se analizira pod pretpostavkom da Napon gejt sors
inverzno polarie PN spoj, a da pri tom napon izmeu gejta i sorsa
VGS ne bude nii od napona utinua VP koji za N kanalni JFET iznosi
tipino od -0,3 do -10V.
Postoji potencijalna razlika izmeu drejna i sorsa.
Ako su gornja dva uslova ispunjena, razlikujemo :

Uradio:

Bezbradica
Milos

JFET TRANZISTOR
VT
Novi Beograd

Strana 6

Reim polarizacije kada je razlika potencijala taaka du kanala

mala (mala struja IDS). Ova oblast rada zove se omska oblast.

Reim polarizacije kada razlika potencijala taaka du kanala

nije zanemarljiva (velika struja IDS). Ova oblast zove se oblast
zasienja.
U omskoj oblasti

Dok je ispunjeno da VGD>VP, nee doi do utinua kanala

Kako je VGD=VGS-VDS, a pri tom je VGD>VP, irinu provodnog

kanala, a samim tim i struju kroz kanal ID diktirae i napon VGS i
VDS po formuli

V
1
I D I DSS 3 GS 2

2
VP

V
VDS VGS
GS
VP
VP

Parametar IDSS zadaje proizvoa. tipino od 0,2 do 1mA

Formula predstavlja strujno naponsku karakteristiku JFET-a u

omskoj oblasti i re je o prostornoj paraboli (struja drejna
funkcija je dve promenljive, VDS i VGS)

2.1 Geometrija provodnog kanala u omskoj

oblasti rada JFET -a

Uradio:

JFET TRANZISTOR
VT
Novi Beograd

Bezbradica
Milos
Strana 7

U oblasti zasienja:
VGS>VP

Stvara se uzani provodni kanali (vrat, eng. neck) u blizini

drejna, koji se neznatno sputa ka sorsu sa porastom napona
VDS

Moe se rei da tada struja drejna praktino ne zavisi od

napona VDS (slino kao to u aktivnom reimu rada bipolarnog
tranzistora struja kolektora praktino ne zavisi od napona VCE,
uz zanemarenje uticaja Erlijevog napona)

Na granici omske oblasti i oblasti zasienja je

VGD=VGS VDS=VP

Uvrtavanjem VGD=VP u strujno naponsku karakteristiku dobija

ID

se

VGD=VGS-VDSVP

Uradio:

JFET TRANZISTOR
VT
Novi Beograd

Bezbradica
Milos

Strana 8

I D I DSS

1 3 VGS 2

VP

VGS

VP

2.2 Geometrija provodnog kanala u oblasti

zasienja JFET - a

Uradio:

Bezbradica
Milos

JFET TRANZISTOR
VT
Novi Beograd

Strana 9

2.3 Strujno naponska karakteristika JFET u

oblasti zasienja
x=

Ako se uvede oznaka

V GS
VP

U oblasti zasienja x<1

Aproksimacijom trascedentne funkcije

13 x +2 x

polinomom drugog reda u okolini take

X0=

3
2

9
=0.5625
16

Dobija se pregledan izraz

VGS
I D I DSS 1
VP

Kako u oblasti zasienja struja ID aproksimativno ne zavisi od napona

VDS, izraz se moe usvojiti kao strujno naponska karakteristika u
celoj oblasti zasienja

2.4 Izlazna karakteristika JFET -a

Utinuam kanala, tj. poveanje napona VDS ipak dovodi do
smanjenja duine neutinutog dela kanala i tako da se izlazne
karakteristike u izvesnoj meri iskose

Uradio:

Bezbradica
Milos

JFET TRANZISTOR
VT
Novi Beograd

Strana 10

Ova pojava moe se modelovati po ugledu na bipolarne

tranzistore sa erlijevim naponom VA, data izrazom

V
I D 1 DS
VA

V
I DSS 1 GS
VP

2.5 Idealna izlazna karakteristika JFET -a

Idealizovana izlazna karakteristika, kao i kod bipolarnog
tranzistora, ima paralelne izlazne karakteristike

Uradio:

JFET TRANZISTOR
VT
Novi Beograd

Bezbradica
Milos
Strana 11

2.6 Prenosna karakteristika JFET - a

Problemi kod korienja JFET a u odnosu na bipolarni tranzistor
je to to su potrebni naponi suprotnih polariteta, za razliku od
bipolarnih tranzistora, koji se ispravno polariu unipolarnim
naponima
Dalje, maksimalna struja JFET a je IDSS, koja tipino iznosi do
nekoliko mA, to JFET ini pogodnim samo za korienje kod
pojaanja malih signala
Pogodnosti korienja JFET ova su velika ulazna otpornost i vea
brzina rada od bipolarnih tranzistora (nema nagomilavanja
sporednih nosilaca), tako da se koriste kao ulazni stepen za
operacione pojaavae sa dobrim slu rejtom (slew rate),

Uradio:

Bezbradica
Milos

JFET TRANZISTOR
VT
Novi Beograd

Strana 12

ID
IDSS

VGS

VP

2.7 Primena JFET a u omskoj oblasti

Pod pretpostavkom da je

ID

V D V P

VGS
1

I DSS 3
2

VP
2

izraz

VDS VGS

VP

se moe razviti u Tejlorov red po VDS u okolini nule, i

zanemarenjem nelinearnih lanova dobije se

VGS

VP

Uradio:

JFET TRANZISTOR
VT
Novi Beograd

ID

Bezbradica
Milos
Strana 13

3I DSS
VP

VDS
VP

VDS

Prema tome, JFET se moe koristiti kao naponom kontrolisani

otpornik ija je otpornost

Rx

VP
VDS

ID
3I DSS

1
VGS
1
VP

VP
R0
3 I DSS
VGS
VP

2.8 Polarizacija JFET ova

Upotreba dve baterije da bi se obezbedili suprotni polariteti za
ispravnu polarizaciju JFET-a je nepraktina
JFET je mogue pravilno polarisati samo jednom baterijom, ali je
tada obavezan otpornik u grani sorsa, koji e podii potencijal
sorsa iznad potencijala gejta

Uradio:

Bezbradica
Milos

JFET TRANZISTOR
VT
Novi Beograd

Strana 14

Gejt u tom sluaju moe biti doveden na masu, ili polarisan preko
naponskog razdelnika, ali tako da je potencijal razdelnika manji
od potencijala sorsa

VDD

VDD
RD R1
D
G

RD
G

S
RS R2

D
S
RS

3. UPOTREBA TRANZISTORA
Tranzistori se izrauju razliitim tehnologijama kojima se postiu
razliita svojstva. Meu parametrima tranzistora istiu se
granino doputene vrednosti napona i struja te oni kojima se
opisuju dinamike mogunosti. Tranzistori se pojavljuju kao
pojedinani elementi, a nalaze se i integrisani u sloenije
komponente ostvarujui zajedno s drugim elektronikim

Uradio:

JFET TRANZISTOR
VT
Novi Beograd

Bezbradica
Milos
Strana 15

elementima sklopove s definisanim funkcijama. U strujnom krugu

delovanje tranzistora svodi se najee na upravljanje strujom
nekog potriosaca. Promene te struje slue u informacione svrhe ili
su u funkciji upravljanja energijom potrosaca. Tranzistori
namenjeni upravljanju energijom pripadaju tranzistorima snage.
Energija potrebna za upravljanje tranzistora obino je znatno
manja od upravljane. Zbog prolaska struje tranzistor se zagreva i
potreban je primeren odvod toplote kako bi temperatura na PNspojevima ostala u doputenim granicama. Ponaanje tranzistora
u strujnom krugu zavisi i od naina spajanja izvoda u strujni krug.
Ako se elementarni strujni krug s tranzistorom posmatra kao
etvoropol, postoji ulazni (upravljaki) i izlazni (upravljani) krug.
Zavisno o tome koji je izvod zajedniki za ulazni i izlazni krug,
mogu je spoj tranzistora sa zajednikim emiterom, kolektorom ili
bazom (kod BJT), te sa zajednikim izvorom, odvodom ili vratima
(kod MOSFET-a i JFET-a). Svaka konfiguracija ima razliita svojstva
koja se mogu opisivati razliitim vrstama parametara kao i svi
etvoropoli. Najee se koriste spojevi sa zajednikim emiterom i
zajednikim izvorom. Tranzistori se praktino nalaze u dve
osnovne primene: u funkciji uklapanja i isklapanja i u funkciji
pojaavanja. Funkcija sklopke koristi se pri upravljanju energijom
potrosaca i u digitalnoj tehnici, a funkcija pojaanja u razliitim
pojaalima.
Stanje ukljuene sklopke tranzistor priblino postie ako se radna
taka nalazi u podruju zasienja (BJT) ili triodnom podruju (FET).
Stanje iskljuene sklopke tranzistor postie kad se radna taka
nalazi u podruju provodjenja. Za dovoenje u eljeno stanje
potrebno je da upravljaka veliina (struja baze kod BJTa, napon
VGS kod FETa) poprimi potrebnu vrijednost.
Glavne nesavrenosti tranzistorskih sklopki jesu:

napon razliit od nule u stanju ukljuene sklopke,

struja razliita od nule u stanju iskljuene sklopke,
ograniena brzina uklapanja i isklapanja, to ima za posledicu ogranienje
frekvencije uklapanja-isklapanja i intenzivnije zagrevanje.