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Vol. 2, No. 3
有機エレクトロニクス
Organic Electronics
薄膜トランジスタ用
有機材料
プラスチック
エレクトロニクス用ポリマー
フラーレンベース
有機半導体
有機発光素子
発光ポリマー
はじめに
有機エレクトロニクスを特集した Material Matters ™ 2007 年第 3 号へようこそ。30 TM
年以上前、有機分子が導体として動作できることが発見されて以来、今まさに初め
て商用としての成功が収められようとしています。製造方法が低コストであること Vol. 2 No. 3
と、フレキシブル基板へ適合することが、プラスチックエレクトロニクス(有機エ
はじめに
レクトロニクス)の興味深い 2 つの特徴です。近いうちに、これらの特性によって、
有機電界効果トランジスタ(OFET)で作られた使い切りの RFID タグや、建物の屋根 目 次
に塗装し、所有者の色の好みに合わせ 1 年おきに低コストで塗り替えられる大面積
の太陽電池(PV)が実現されるかも知れません。有機 EL(有機発光ダイオード、OLED)
で作られた明るく解像度の高い平面ディスプレイは、商用としての成功にもっとも 有機エレクトロニクス
近づいており、既存の技術と比べるとまだ高価ですが、液晶・プラズマに替わる技
術として精力的に開発が進められています。利用できる有機化合物の品質と多様さ
はじめに _____________________________ 2
が着実に向上しただけでなく、材料物理学やデバイス工学の基礎的な理解が進んだ
ことで、初期の高分子導体から今日の OFET や OLED へ確実に進歩しました。 表紙について _________________________ 2
今号では、スタンフォード大学の Zhenan Bao 教授が OFET の改善に不可欠な有機材
料について解説しています。この論文には、シグマ アルドリッチで販売している p “Your Material Matter.”_________________ 3
型と n 型の半導体および高分子誘電体が掲載されています。TDA リサーチ社の科学
者は、新規導電性ポリマーと n 型半導体について解説していますが、これらは現在 薄膜トランジスタ用有機材料 ___________ 4
弊社から販売されており、多くのプラスチック電子デバイスの性能を向上させると
考えられます。フローニンゲン大学(オランダ)の研究者は、有機 PV の中で n 型半 プラスチックエレクトロニクス用の新しい
導体として広く使用されている化合物群であるメタノフラーレンについて記述して 導電性および半導体ポリマー __________ 11
います。デバイス性能の改善に向け、材料および処理パラメーターの探索に役立つ、
有機エレクトロニクスにおける
可溶性n型メタノフラーレン半導体の製品リストを記載しています。Eugene Polikarpov
フラーレンベースのn 型半導体 _________ 16
氏と Mark Thompson 教授(USC)は、低分子 OLED の効率を改善するための方策につ
いて論じています。最後に、Qibing Pei 教授(UCLA)が、発光ポリマー(LEP)の化
高効率有機発光デバイスの作成 ________ 21
学的性質について記述しています。弊社では、LEP 化合物の作製に不可欠なモノマー
を販売しています。
発光ポリマー ________________________ 26
今号の Material Matters から、“Your Materials Matter”と題した特集記事(3 ページ)
を設けました。シグマ アルドリッチの目標は、お客様のニーズを満たす革新的な
材料を提供することです。「こんな物質を探している」、「こんな製品があればいい
のに」といったご意見がございましたら、sialjpts@sial.com までご連絡ください。
また、各製品の詳細な情報については sigma-aldrich.co.jp/aldrich/ms からご覧い
容量と価格は sigma-aldrich.com
ただけます。Material Matters ™に関するご意見やご質問、製品のご提案については をご覧下さい
sialjpts@sial.com までご連絡ください。
表紙について
有機電子デバイスは、ガラス、軟質プラスチック、建物の屋根など、数多くの基板上 本カタログに掲載の製品及び情報は 2009 年 2 月
に形成できます。表紙に掲載し、3 ページの新しい“Your Materials Matter”特集でも 1 日現在の内容であり、収載の品目、製品情報等
述べた TDCV-TPA などの可溶性有機半導体により、スループットの高い印刷技法を使 は予告なく変更される場合がございます。予めご
用して有機電子回路を低コストで作成できるようになります。その結果、現在の LCD 了承ください。製品のご注文に際し、価格、在庫
より鮮明な画像が得られる超薄型テレビ、安価な RFID タグのほか、建物、自動車、衣 の確認は裏表紙に記載の弊社カスタマーサービス
類の生地と一体化された低価格の太陽電池パネルなどの技術が誕生することでしょう。 までお問合せください。なお、米国 Web サイト
(sigma-aldrich.com)の製品検索でも日本円と在
庫状況をご確認いただけます。
3
はじめに
TDCV-TPA: 8 Isotropic Organic Semiconductor for OPVs and OLEDs.
材料科学研究に有用な化合物の情報を募集しております。「こんな物質を探している」、「こんな製品があればいいのに」といったご意見が
ございましたら、sialjpts@sial.com までご連絡ください。
今号で特集している有機エレクトロニクス用材料
材料カテゴリー 内容 ページ 参照ページ
p 型半導体 p 型低分子化合物、オリゴマーおよびポリマー 7 10、20、24
誘電体材料 誘電体層用ポリマーおよび架橋剤 9
導電性薄膜材料 薄膜および正孔注入層蒸着用の導電性材料 15
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ファインケミカル事業部 Tel:03-5796-7340 Fax:03-5796-7345 E-mail: safcjp@sial.com
4
薄膜トランジスタ用有機材料
有機半導体
有機半導体には、多数電荷キャリアの種類に基づいて、p 型
薄膜トランジスタ用有機材料
(正孔が多数電荷キャリア)と n 型(電子が多数電荷キャリア)
の 2 種類があります。電荷の輸送を促進するため、有機半導
Prof. Zhenan Bao 体層は通常、p 共役系のオリゴマーまたはポリマー(p-p ス
タッキングの方向が電流の方向と一致することが理想)で構
Department of Chemical Engineering,
Stanford University 成されます。そのためには、蒸気または溶液からの堆積に伴
い半導体分子が自己組織化して、ある配向をとる必要があり
ます。半導体薄膜が、密に充填され十分に相互接続された大
はじめに
きなグレインを含んでいることも重要です。小分子の高性能
有機活性材料をベースとしたフレキシブルな電子回路、ディ 有機半導体のほとんどは、分子の長軸が誘電面に対して直角
スプレイ、およびセンサーは未来世代の製品であり、最終的 に近い方向を向き(図 2a)、代表的なグレインサイズは少な
にはエレクトロニクス市場の主流に加わると考えられます。 くとも数 µm 程度になる傾向があります。溶液処理した半導
有機活性材料を使う動機としては、化学的な設計および合成 体ポリマーの場合、p 共役面が表面上で真横を向いているこ
によって電気的性質および加工上の特性を容易に調整できる とが望まれます(図 2b)。
こと、低温での加工およびオープンリール方式の印刷法のた
め加工コストが低いこと、機械的な柔軟性、フレキシブル基
板への適合性が挙げられます 1,2。
有機薄膜トランジスタ(OTFT)は、フレキシブル集積回路お
よびフレキシブルディスプレイの基本的な構成単位です。構 S S
造の模式図を図 1 に示します。トランジスタの動作中、ドレ S
S
S
S
イン電極とソース電極の間の電流制御にはゲート電極が使用 S S
されます。通常はゲート電圧を高くするとドレイン電極と S
S
S
ソース電極の間の電流量が多くなります。高速スイッチング S
S
S
トランジスタのためには、半導体材料の電荷キャリア移動度 S
S
とオン/オフ電流比が高くなければなりません。液晶ディス
プレイのピクセルスイッチングトランジスタの場合、移動度
は 0.1 cm2/ Vs 以上、オン/オフ電流比は 106 以上が必要です。
2a (Pentacene) 2b (P3HT)
図 2. 高性能有機半導体の分子配向
(a) ペンタセン分子が、長軸を誘電面と垂直にして組織化しています。レ
ジオレギュラーなポリ(3- ヘキシルチオフェン)(P3HT)が真横を向いて自
発的に組織化し、配向構造を形成しています。ポリマー鎖間の p-p スタッ
D S キングにより、電荷輸送が促進されます。
semiconductor
dielectric 半導体膜の形態は、誘電面の化学的および物理的性質に大き
く左右されます。誘電面のパターニングによって、望ましい
Gate
位置に有機半導体のパターンを選択的に形成できますが、こ
れは、デバイス間のクロストークを低減するのに重要です。
図 1. 有機薄膜トランジスタ(OTFT)構造の模式図
誘電面を適切に制御すると、高性能トランジスタ用の有機半
S:ソース、D:ドレイン
導体単結晶アレイのパターンを広い面積にわたって形成でき
ます 3。
OTFT を作製するには、導体(電極用)、半導体(アクティブ
チャネル用材料)から絶縁物(ゲート誘電体層用)に至る材料
が必要です。この論文では、これらの材料に対する基本的な
要求事項を論じ、いくつかの代表的な材料の例を示します。
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5
有機半導体材料の開発において、大きな進展がありました。 誘電体材料
これらの膜中でのトランジスタ動作は、p チャネルのチオ
有機トランジスタの誘電体層はできるだけ薄くてピンホール
フェンオリゴマーとポリマーという限られたグループで実証
の無いものであることが必要で、また、低電圧で動作するよ
されたのが最初でした。報告された移動度は、0.01 ∼ 0.1
う誘電率の大きいものが理想的です。ゲート誘電体材料とし
cm2/ Vs 程度でした 4,5。最近数年間に、さらに広い範囲の分
て、無機、有機、および無機/有機ハイブリッド材料が研究
子固体やポリマーが開発されましたが、それらの移動度はす
薄膜トランジスタ用有機材料
されてきました。有望な材料には、ポリ(メチルメタクリラー
べて 0.1 cm2/ Vs を超えており、105 を超えるオン/オフ比が
ト)
(PMMA)、ポリ(スチレン)、ポリ(ビニルフェノール)、シ
得られます 1。いくつかの代表的な材料の化学構造を図 3 に
ルセスキオキサン(ガラス樹脂) 、ベンゾシクロブテン(BCB)
示します。このカテゴリーの p チャネル化合物には、置換チ
などがあります(図 5a)23,24,25。架橋ポリマーは、一般的に極
オフェンオリゴマー、ペンタセン、アセン、それらの誘導体、
薄誘電体材料としての強度が高くなっています 26。誘電体材
フタロシアニンおよびチオフェンベースの縮合環化合物、フ
料の作製に使用される架橋剤の例を図 5b に示します。配向
ルオレンオリゴマー誘導体などがあります。レジオレギュ
性が高く密な構造を持つ自己組織化単分子層(SAM)は、もっ
ラーポリ(3- ヘキシルチオフェン)は、ドロップキャスティ
とも薄くかつ高品質な誘電体層となる可能性があります 27。
ング法またはスピンコーティング法による溶液堆積時に自発
高誘電率の無機ナノ粒子をポリマーマトリックス中に組み込
的に組織化して高配向性構造を形成し 6(図 3)、0.1 cm2/ Vs
むと、薄膜の比誘電率が全体的に押し上げられます 28。
を超える移動度を持つ数少ないポリマー半導体のひとつで
す 7,8。最近になって、移動度と空気中での安定性が向上した、
いくつかの新しいポリチオフェン誘導体が報告されました *
*
*
*
(図 3、g、h)9,10。
Polymers
SiR3
S S S OH
R= S S S
(a) PVP PS
(d)
Cl
S Cl
(c) R S
n
R Cl O Cl Cl Si
(b) SiR3 (e)
Si Si Si Cl
Cl Cl Cl
C12H25
Cl Cl Cl
C6H13 C10H21
S S
S
S
S Crosslinking
S S S S
n n
n
C10H21
Reagents Cl
(f) C12H25
(g) (h) Cl
Cl Si
Si Cl
図 3. 代表的ないくつかの p チャネル有機半導体の化学構造 Cl
Cl
(a) ペンタセン 11,12、(b) テトラセノ [2,3-b] チオフェン 13、(c) TIPS- ペンタセ
ン 14、(d) a- セキシチオフェン 4,5、(e) オリゴチオフェン - フルオレン誘導 図 5. 誘電体材料および架橋剤の例
体 15、(f) レジオレギュラー ( ポリ 3- ヘキシルチオフェン)7、(g) ポリ(3,3’’’ PVP(ポリビニルフェノール)および PS(ポリスチレン)ゲート絶縁層の安
16
- ジドデシル - クアテルチオフェン) 、(h) ポリ(2,5- ビス(3- デシルチオフェ 定性を高めるのに、シロキサン架橋剤を使用できます 21。
ン -2- イル)チエノ [3,2-b] チオフェン)10
誘電体層の表面処理は有機トランジスタの性能を改善する重
CMOS(相補型金属酸化膜半導体)回路は、回路設計が容易
要な方法のひとつです。半導体層中で誘導される電荷キャリ
で消費電力が小さいために好まれます。通常、 CMOSインバー
アのほとんどは半導体/誘電体界面から 5 nm 以内の有機半
ターは p チャネルトランジスタと n チャネルトランジスタで
導体層に限局されています。そのため、誘電体表面の化学的・
構成されます。C60、ペルフルオロ−銅フタロシアニン、ナ
物理的特性は電荷キャリア輸送に大きな影響を及ぼします。
フタレンおよびペリリンベースの化合物を含むいくつかの有
例えば、SiO2(典型的な誘電材料)表面上の Si-OH 基は電子を
機物質群が優れたnチャネル動作を示します 17,18,19,20。図4に、
捕捉することが知られています。SiO2 の表面をオクタデシル
空気中で安定な高性能 n チャネル半導体の代表的ないくつか
トリクロロシラン(OTS、アルドリッチ製品番号 104817)分
の化学構造を示します。最近になって、ある種の有機半導体
子でキャッピングすることで、電子の捕捉を大幅に減らし、
が示す同時二極性の挙動が報告されました 21。このタイプの
n チャネル半導体(電子が主要な電荷キャリアである半導体)
物質は、p チャネルと n チャネルの半導体を別々にパターニ
の移動度を改善することができます 23。
ングせずに相補型回路を作製するのに使用できます。
さらに、誘電体表面の SAM 処理は、有機半導体の結晶核生
成と成長にも影響します 29。例えば、ペンタセン薄膜はこれ
O O
F F
C3F7 まででもっとも高い電荷キャリア移動度が報告されている有
F F N N
F
N
F
O O
C3F7
機半導体です。その電荷キャリア移動度は、疎水性 SAM に
F
N
N N F (c) よる誘電体表面処理の種類に強く依存します。この差異は、
Cu N
F N N
N
F
O
NC
O
それぞれの表面上に形成される最初のペンタセン単分子膜の
F F
(a) F
F F
F R N N R
形態の違いに関連しています 29。
(b) O O
CN
(d)
図 4. 代表的ないくつかの n チャネル有機半導体の化学構造
(a) C60 22、(b) ヘキサデカフルオロ銅フタロシアニン(F16CuPc)20、(c) ナフ
タレンジイミド誘導体 19、(d) ペリリンジイミド誘導体 18
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6
電極材料 参考文献:
(1) Organic Field Effect Transistors; Bao, Z.; Locklin, J., Eds.; Taylor and
有機トランジスタがうまく機能するには電極からの電荷注入
Francis Group, LLC, 2007. (2) Ling, M. M.; Bao, Z. N. Chemistry of Materials
が効率的である必要があります。そのためには、電極の仕事 2004, 16, 4824–4840. (3) Briseno, A. L.; Mannsfeld, S. C. B.; Ling, M. M.;
関数を有機半導体のエネルギーレベルと釣り合わせること Liu, S. H.; Tseng, R. J.; Reese, C.; Roberts, M. E.; Yang, Y.; Wudl, F.; Bao,
Z. N. Nature 2006, 444, 913–917. (4) Garnier, F.; Hajlaoui, R.; Yassar, A.;
で、電荷注入のエネルギー障壁を低下させなければなりませ Srivastava, P. Science 1994, 265, 1684–1686. (5) Dodabalapur, A.; Torsi, L.;
ん。通常は、高仕事関数電極(Au、Pd、または酸化インジウ
薄膜トランジスタ用有機材料
仕様:
• 銀メッキおよび真空排気処理した伸縮ふいご付きコールドトラップ
• ねじ切りされたナイロン製圧縮ブッシングおよび O リングシール付き厚肉ガ
ラス
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• O リングシールおよび SS /複合チェーンクランプ付き上下移動チャンバーフ
ランジ
• 8 mm ホース継手付き 10 mm 高真空 J. Young バルブ
• コールドフィンガー下部から容器底部まての最大距離:45 mm
Z564176-1EA
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7
有機半導体
シグマ アルドリッチは、有機エレクトロニクス用途向けに多くの有機半導体を販売しています。関連の全製品リストは、
sigma-aldrich.co.jp/aldrich/org-electronic をご覧下さい。
p 型有機半導体
薄膜トランジスタ用有機材料
*移動度 (cm2/ Vs)
製品概要 構造 オン/オフ比 製品番号
Benz[b]anthracene, (tetracene) 98% 0.4 cm2/ Vs B2403-100MG
B2403-500MG
B2403-1G
Pentacene P1802-100MG
P1802-1G
0.4–3 cm2/ Vs P1802-5G
N N
5
N Cu N 4x10
N N
CH3CH2 CH2CH3
* これ以外に、別の純度グレード、レジオランダム、およびアルキル置換基を追加したポリチオフェンが入手可能です。
* キャリア移動度およびオン/オフ比の文献値は、Shirota, Y; Kageyama, H. Chem. Rev. 2007, 107, 953; Murphy, A.; Frechet, J. 同書 1066 によります。
日本国内での価格と在庫状況をご覧になるには ....
1)まず sigma-aldrich.com にアクセスして下さい。
2)左上の「My Profile」をクリックして ① Web language = Japanese、② MSDS language = English、③ Country = Japan の 3 つを選
択し、Submitして下さい。
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8
n 型有機半導体
*移動度 (cm2/ Vs)
製品概要 構造 オン/オフ比 製品番号
Fullerene-C60, sublimed, 99.9% 0.3 cm2/ Vs 572500-250MG
572500-1G
106
薄膜トランジスタ用有機材料
4
F N N F 10
N Cu N
N N F
F
N
F F
F F
F F
F F F F
N N
F Pd F
N N
F F F F
F F
F F
F
1,4,5,8-Naphthalenetetracarboxylic dianhydride, O O
0.003 cm2/ Vs N818-5G
(NTCDA) O O N818-25G
O O N818-100G
N,N’-Dipentyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide, O O 663921-500MG
(PTCDI-C5), 98% C5H11 N N C5H11
O O
O O 106
N,N’-Diphenyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide, O O 10 cm2/ Vs
–5
663905-500MG
(PDCDI-Ph), 98% N N
O O
* キャリア移動度およびオン/オフ比の文献値は、Shirota, Y; Kageyama, H. Chem. Rev. 2007, 107, 953; Murphy, A.; Frechet, J. 同書 1066 によります。
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9
誘電体材料
シグマ アルドリッチは、OTFT のゲート絶縁膜(誘電体)として使用可能なポリマーを多数取り揃えております。代表的な材
料を抜粋して以下の表に示します。高品質ポリマー製品の全製品リストは、sigma-aldrich.co.jp/aldrich/polymer をご参照
ください。有機エレクトロニクスにおいて有用な多数のシルセスキオキサン材料については、sigma-aldrich.co.jp/aldrich/nano
をご覧ください。
薄膜トランジスタ用有機材料
製品概要 構造 性質/純度 製品番号
Poly(methyl methacrylate) (PMMA) CH3 Avg. Mw~93,000 370037-25G
O O
182265-25G
CH3 Avg. Mw~996,000 182265-500G
n
182265-1KG
Polystyrene (PS) Avg. Mw~280,000 182427-25G
182427-500G
182427-1KG
n
OH
OH
Poly[4,5-difluoro-2,2-bis(trifluoromethyl)-1,3-dioxole-co- F F
F
F 65 mol % dioxole 469610-1G
tetrafluoroethylene] O O
x F
F
y
87 mol % dioxole 469629-1G
F3C CF3
Hexachlorodisiloxane Cl
Si
O
Si
Cl 96% 368334-25ML
Cl Cl
Cl Cl
1,2-Bis(trichlorosilyl)ethane Cl
Cl
Si Cl
97% 447048-5ML
Si
Cl Cl
Cl
1,6-Bis(trichlorosilyl)hexane Cl
Cl 97% 452246-10G
Cl Si
Si Cl
Cl
Cl
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可溶性ペンタセン前駆体 ∼溶液プロセスで利用可能です∼
ペンタセンは、電界効果移動度が 1 cm2 V-1 s-1 を超える優れた p 型半導体チャネルを形成する、もっとも性能の高い分子導体のひとつです。
しかし、その主な欠点のひとつとして有機エレクトロニクスの商用化に成功するために不可欠な、大面積を低コストで処理する方法(印
刷、スタンピング、カーテンコーティング)に適した溶媒がないことです。この問題を克服するためのアプローチとして、溶液処理を行っ
てから高品質のペンタセン膜に熱的に変換できる、可溶性ペンタセン前駆体分子を使用することが挙げられます 1。シグマ アルドリッチ
では、4 種類の可溶性ペンタセン前駆体を販売しています。
CH3
O
N
O S
120-200 °C 120-150 °C 699128
666025
(NSFAAP)
O Pentacene
150 °C 150 °C 699306
688045
(DMP)
最新の製品情報は、sigma-aldrich.co.jp/aldrich/org-electronic をご覧ください。
参考文献:
(1) Menard, E.; Meitl, M.; Sun, Y.; Park, J.; Shir, D.; Nam, Y.; Jeon, S.; Rogers, J. Chem. Rev. 2007, 107, 1117. (2) Afzali, A.; Dimitrakopoulos, C.; Breen, T. J. Am. Chem. Soc.
2002, 124, 8812. (3) Chen, K.; Hsieh, H.; Wu, C., Hwang, J.; Chow, T. Chem. Comm. 2007, 1065. (4) Afzali, A.; Kagan, C.R.; Traub, G.P. Synthetic Metals 2005, 155, 490.
(5) Weidkamp, K.P.; Afzali, A.; Tromp, R.M.; Hamers, R.J. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 12740.
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11
プラスチックエレクトロニクス用の新しい導電性および半導体ポリマー
(PEG)などのフレキシブルな可溶性ポリマーを合成するとい
うアプローチを取りました 8。当グループは、いくつかのブ
ポリマー
プラスチックエレクトロニクス用
ロックコポリマーの配置(図 1)と、それらを精製・処理し
て有機溶媒中で安定なコロイド分散を形成する方法を開発し
ました。図 2 に、マルチブロック Aedotron ™ P-NM およびト
リブロック Aedotron ™ C3-NM コポリマーの化学構造を示し
ます。また、2 種類の代表的な材料のいくつかの重要な特性
を表 1 にまとめました。ブロックの組成、分子量、ブロック
Dr. Silvia Luebben and Dr. Shawn Sapp 比、およびドーパントの種類を注意深く制御して、コポリ
TDA Research, Inc. マーのバルク導電性を 10-4 S/cm から 60S/cm まで変化させる
ことができます。Aedotron™ 材料は酸性でも腐食性でもなく、
はじめに さまざまな無機および有機基板上にコポリマーの非吸湿性薄
膜をスピンキャスト法またはその他の方法で塗布するのに使
OLED や有機光起電装置(OPV)技術など、新たに成長しつつ 用できます。これらのコロイド分散は、PEDOT ブロックの凝
ある有機プリンタブルエレクトロニクスの分野では、有機導 集を分子中の原子の立体配列によって制限する、高度に溶媒
体材料と半導体材料の改善が強く求められています。本論文 和された PEG 鎖によって安定化されます。当グループが用い
では、次の 2 つの分野、(1) ICP(本質的導電性ポリマー)であ たコポリマーは、極性非プロトン溶媒中で容易に分散しま
るポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)の溶媒ベース分散 す。当グループは、高沸点溶媒を必要とする用途には炭酸プ
の成果、および (2) 新しい電子不足 (n 型 ) 半導体ポリマーの ロピレンを、揮発性溶媒を必要とする用途にはニトロメタン
合成、に見られる当グループの最近の進展について報告しま を選択しました。他の溶媒を、特に低導電性材料に対して探
す。 索中です。
び OPV の正孔注入層として使用されて成功を収めており、高 O O O O O O OH
S
まりつつあります。 O OH
S +
S S
O
O
HO O
O
y
O O +
O S S
TDA リサーチ社(TDA)は、溶媒に分散できる形態を持つ O y
O
O
O
O ClO4- O
PEDOT を開発し、Aedotron ™ ポリマーという商標名で製造し C12H25 x
ています。シグマ アルドリッチは、これらの材料のいくつ ™
Aedotron C3-NM: Aldrich Prod. No. 687316
かのグレードを販売しています。当グループは、ドープされ
図 2. TDA PEDOT-PEG ブロックコポリマーの化学構造
たPEDOTのブロックコポリマーとポリ(エチレングリコール) (a) マルチブロック、(b) トリブロック
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12
687316
* 一般に、1 ∼ 3 層を 1000rpm 以上でスピンコーティング
** % T は 400 ∼ 800 nm の平均値、バックグラウンドからコーニングガラス
当グループの生成物でのコロイド安定化メカニズムはポリ 多層デバイスの設計では、さまざまな層の中での材料の相対
マーのドーピングに依存しないため、ドーパントを制御しな 的な電子帯エネルギーを考慮することが重要です。X 線光電
がら変化させてコポリマーのバルク導電性と仕事関数を調整 子分光法を用いて測定した当グループのマルチブロックコポ
できます。一般に、パラ - トルエンスルホン酸(PTS)をドー リマーの仕事関数は、PEDOT-PSS 混合物の仕事関数よりも低
プしたコポリマー(Aedotron ™ P 649791)は導電性が低いた いことが判明しました(Aedotron ™ P ポリマーでは約 4.2eV、
め、帯電防止/電荷散逸用途や OLED の電極界面層として役 Aedotron ™ C ポリマーでは 4.3 eV)9。電子帯の位置合わせや
立ちます。通常、Aedotron ™ P ポリマーは懸濁液中の粒径が 重なりが非常に重要な薄膜電子デバイスを作製する場合、こ
大きいため、極性が弱い溶媒中ではいくぶん分散されやすく の低い仕事関数を考慮しなければなりません。
なります。一般に、過塩素酸塩をドープしたコポリマー
(Aedotron ™ C 649805、649783)は、透明度がさらに高い薄 新しい n 型ポリマー半導体
膜での導電性が向上します。改善されたトリブロックコポリ OLED や OPV のようなほとんどの薄膜有機電子デバイスに共
マー(Aedotron ™ C-3 687316、図 2b)を使用すると、透過率 通の基本要件は、分子軌道(HUMO-LUMO)のエネルギー準
が 80 %(400 ∼ 800 nm での平均値)でシート抵抗が 1000 Ω 位を補正した少なくとも 2 種類の半導体材料を含んでいるこ
/□の、ポリカーボネートやその他のプラスチックフィルム とです。有機半導体の世界では、電子が豊富な(p 型 ) 半導体
上で良好なぬれ性を持つ薄膜をスピンキャストできます。図 と電子が不足した(n 型)材料の間に界面を形成して、その
3 に、ガラス上に 1000 RPM でスピンコートした 1 層、2 層、 ようなエネルギー補正を作り出すことができます。一般に、
および 3 層膜の紫外線・可視光透過率スペクトルを示します。 電荷の分離や再結合が発生するのはこの界面です。さらに、
それぞれのデータ波形に、その膜のシート抵抗測定値が示さ 補正の大きさと p 型および n 型半導体の HOMO-LUMO 帯を適
れています。これらの特性は、タッチセンス式ディスプレイ 切に配置することが、デバイスを効率的に動作させるのに不
やエレクトロルミネセントランプおよびディスプレイに使用 可欠です。したがって、p 型および n 型材料の選択肢を広げ
できる透明導体の要件を満たしています。トリブロックコポ ることが重要です。比較的電子が豊富な p 型半導体分子およ
リマーは、当グループのマルチブロックコポリマーより懸濁 びポリマーには、入手可能な種類が数多くあります。一方、
液中での粒径が小さく(290 nm)、接触モード原子間力顕微 メタロポルフィリンやメタノフラーレンのような電子が不足
鏡で測定した表面粗さが小さい(<10 nm)薄膜を形成します。 しているn型半導体分子はほとんどありません。ポリ (p-フェ
ニレンビニレン)のシアノ誘導体のような n 型半導体の p 共
役ポリマーはさらにまれです。
100
90 当グループは、新しい n 型半導体 p 共役ポリマーおよびオリ
1x1000 RPM, 4,800 W/ ゴマーの開発と生成に携わってきました。当グループのアプ
80
2x1000 RPM, 1,200 W/ ローチは、長年にわたって電子の豊富な p 型ドープされた導
70
% Transmittance
電性ポリマーを製造してきたアプローチとよく似ており、ポ
60 3x1000 RPM, 590 W/ リマー全体の電子密度を変えられるヘテロ原子を p 共役主鎖
50 に導入するものです。導入するヘテロ原子はホウ素で、その
40 空の p 軌道はポリマーの不飽和繰り返し単位である p 電子系
と共役しています。ホウ素の p 軌道には電子が存在しないた
30
め、ポリマーの p 電子系全体が本質的に電子不足になり、し
20
たがってポリマーは n 型の電子特性を持ちます。
10
0
400 450 500 550 600 650 700 750 800
Wavelength (nm)
対応するシート抵抗値のラベルを付けて示されています。
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13
ポリマー
プラスチックエレクトロニクス用
や精製法を改善したり、有機半導体としての特性を明らかに と、さらにその価電子帯(VB)はメタノフラーレン(PCBM)
したり、薄膜デバイス中での性能を評価したりしてきまし やシアノ PPV などの一般的な n 型有機半導体の VB と類似し
た。TDA は、p 共役有機ホウ素ポリマーおよびオリゴマーの たエネルギーに存在することが最終的に証明されました。紫
うちのいくつかを Boramer ™ 材料という商標名で製造を開始 外線・可視光スペクトルからポリマーのバンドギャップを推
したばかりですが、これらは現在シグマ アルドリッチから 定し、 2.6 ∼ 2.9eV の範囲にあることが判明しました。図 6 に、
販売されています(688010 および 688002)。その他の p 共 ホウ素を含有する当グループの 2 種類の p 共役ポリマーの
役有機ホウ素の構造体は研究開発中です。 HOMO-LUMO 準位(オレンジ色)を、よく知られた p 型(青色)
およびその他の n 型有機材料(緑色)とともに示します。エ
ネルギー準位のデータは、Boromer ™ T01 の基底仕事関数と
C10H21
B O HOMO-LUMO 準位がもっとも低いという、それらの n 型の特
B 性を明確に示しています。
O
C10H21
n
-TDA-developed
n -Known p-Types -Known n-Types
n-Types
Boramer T01: Boramer TC03: –2.5
CB
アルドリッチ製品番号 688010 アルドリッチ製品番号 688002 CB
–3.0
CB
図 4. TDA のホウ素含有 n 型ポリマーの化学構造
–3.5 CB
Energy (eV vs. vacuum e–)
Ef
CB CB
–4.0
当グループはポリマーを注意深く精製することが、これらの Ef
材料の溶解性を保持する上で不可欠であることを見出しまし –4.5
た。クロロホルムとクロロベンゼンは、これらのポリマーの
–5.0 VB
ほとんどに適した溶媒です。調製したどの有機ホウ素ポリ VB
マーにも色が付いており、大部分は可視スペクトルの青から –5.5
VB
緑までの範囲で強いフォトルミネセンス性を示します(図5)。 –6.0
空気中での安定性はまだ完全には評価されていませんが、予 VB
VB
–6.5
備実験の結果ではポリマーの構造によって変化することが分 VB
かっており、Boramer ™ T01 ポリマーは Boramer ™ TC03 ポリ –7.0
P3HT MDMO-PPV CN-PPV PCBM TC03 T01
マーより空気に敏感に反応します。どちらの材料も、不活性
雰囲気中で取り扱うことを推奨します。 図 6. TDA の新しい n 型 Boramer ™ 材料を含む、既知の p 型および n 型半導
体材料についての HOMO-LUMO 準位のエネルギー準位図
a) 当グループはこれらの n 型材料に関する研究の中で、国立再
生可能エネルギー研究所(NREL、コロラド州ゴールデン)と
協力して、当グループのポリマーを OPV プロトタイプに使
用する場合の特性を評価しました。NREL は、フォトルミネ
センスクエンチング(PLQ)実験を行い、TDA が供給した材
料のうち 2 種類を用いて OPV デバイスを作製しました。PLQ
の結果から、当グループのポリマーは最大 83 %の効率で代
表的な p 型半導体(MDMO-PPV)の励起状態を失活させるこ
とが判明しました。これは、この p 型半導体から当グループ
の材料に効率的な電子移動が実際に生じていることを示して
います。調製したポリマーのひとつは、OLED プロトタイプ
b) を製造するための電子移動および発光層としても使用されま
した。約 6V のターンオン電圧で、明るい緑色の発光(当グ
ループのポリマーの固体ルミネセンスと似た色)が観察され
ました。
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謝辞 参考文献:
(1) MacDiarmid, A. G. Angew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 2581–2590.
合成作業についてTDAリサーチ社のEmily Chang、Raechelle D’ (2) Groenendaal, L; Dhaen, J.; Manca, J.; Van Luppen, J.; Verdonck, E.;
Sa、Cory Kruetzer、および Carolina Wilson の各氏に、仕事関 Louwet, F.; Leenders, L. Synth. Met. 2003, 135–136, p.115–117.
数測定についてノースダコタ州立大学の Anthony Caruso 教 (3) Granström, M.; Petritsch, K.; Arias, A. C.; Lux, A.; Andersson, M. R.;
Friend, R. H. Nature 1998, 395, 257–260. (4) Cao, Y.; Yu, G.; Zhang, C.;
授と Doug Schulz 教授に、UPS 測定についてコロラド州立大 Menon, R.; Heeger, A. J. Synth. Met. 2003, 87, 171–174. (5) Kawano, K.;
ポリマー
プラスチックエレクトロニクス用
学の Bruce Parkinson 教授と Bengt Jaekel 博士に、有機光起電 Pacios, R.; Poplavskyy, D.; Nelson, J.; Bradley, D.; Durrant, J. R. Solar Energy
装置での n 型材料の特性評価について NREL の Sean Shaheen Materials & Solar Cells 2006, 90, 3520–3530. (6) Danier Van Der Gon, A.
W.; Birgerson, J.; Fahlman, M.; Salaneck, W. R. Org. Electr. 2002, 3, 111–
博士、Muhammet Kose 博士、Don Selmarten 博士、および 118. (7) Greczynski, G.; Kugler, T.; Keil, M.; Osikowicz, W.; Fahlman, M.;
Cary Allen 氏にそれぞれ厚くお礼申し上げます。本研究の一 Salaneck, W. R. J. Elec. Spectr. & Rel. Phenom. 2001, 121, 1–17.
(8) Luebben, S.; Elliott, B.; Wilson, C. “Poly(heteroaromatic) Block
部は、米国国立科学財団(契約 DMI-0319320、OII-0539625、
Copolymers with Electrical Conductivity,” U.S. Patent Application US
DMI-0110105)および国防長官官房(契約 N00164- 2003/0088032 A1. (9) Sapp, S.; Luebben, S.; Jeppson, P.; Shulz, D. L.;
06-C-6042)からの助成金により実施されました。 Caruso, A. N. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 152107(1–3). (10) Chujo, Y.;
Miyata, M.; Matsumi, N. Polymer Bulletin 1999, 42, 505–510. (11) Chujo,
Y.; Miyata, M.; Matsumi, N. Macromolecules 1999, 32, 4467–4469.
(12) Chujo, Y.; Naka, K.; Matsumi, N. J. Am. Chem. Soc. 1998, 120, 10776–
10777. (13) Chujo, Y.; Umeyama, T.; Matsumi, N. Polymer Bulletin 2002,
44, 431–436. (14) Jäkle, F.; Sundararaman, A.; Victor, M.; Varughese, R. J.
Am. Chem. Soc. 2005, 127, 13748–13749. (15) Parab, K.; Venkatasubbaiah,
K.; Jäkle, F. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 12879–12885.
n 型導電性ポリマー
弊社では、n 型の挙動を示すことが知られている、次の 3 つのカテゴリーの半導体ポリマーを販売しています。
• BBL はしご型ポリマー(アルドリッチ製品番号 667846、8 ページ )
• Boramer ™ ポリマー(当ページで紹介)
• 有機 PPV(CN-PPV)ポリマー(29 ページ)
新製品情報は、sigma-aldrich.co.jp/aldrich/ms をご覧下さい。
Boramer ™ n 型導電性ポリマー
製品名 構造 HOMO/LUMO 製品番号
Poly[(1,4-divinylenephenylene)(2,4,6- B *
–6.65 eV/–3.85 eV 688010-250MG
triisopropylphenylborane)], Boramer-T01
* n
n
C10H21 O
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導電性薄膜および正孔注入層用材料
以下の表では、一般的に使用されている材料や新製品などをご紹介しております。関連の全製品リストは、
sigma-aldrich.co.jp/aldrich/org-electronic をご覧下さい。
導電性
製品名* 製品概要 S/cm 製品番号
ポリマー
プラスチックエレクトロニクス用
Polyethylenedioxythiophene (PEDOT)
PEDOT-block-PEG solution, Material for hole injection layers and low conductivity 10–3–10–4 (bulk) 649791-25G
1 wt. % dispersion in nitromethane, contains applications
p-toluenesulfonate as dopant (Aedotron™ P-NM)
PEDOT-block-PEG solution, General purpose, moderate conductivity ICP dispersion 0.1–2 (bulk) 649805-25G
1 wt. % dispersion in nitromethane, contains in volatile solvent
perchlorate as dopant (Aedotron™ C-NM)
PEDOT-block-PEG solution, General purpose, moderate conductivity ICP dispersion 0.1–2 (bulk) 649783-25G
1 wt. % dispersion in propylene carbonate, contains in volatile solvent
perchlorate as dopant (Aedotron™ C-PC)
C12-PEG-b-PEDOT-b-PEG-C12 solution, High transparency and good conductivity dispersion in 10–60 (bulk) 687316-25G
0.7% dispersion in nitromethane, contains volatile solvent
perchlorate as dopant (Aedotron™ C3-NM)
PEDOT, tetramethacrylate end-capped, Reactive oligomer in non-volatile solvent. Can be 0.1–0.5 (bulk) 649813-25G
0.5% dispersion in propylene carbonate with crosslinked or blended with reactive acrylate and
p-toluenesulfonate dopant (Oligotron™-PC) methacrylate compounds to make polymer blends.
PEDOT, tetramethacrylate end-capped, Reactive oligomer in volatile solvent. Can be crosslinked 0.1–0.5 (bulk) 649821-25G
0.5% dispersion in nitromethane with or blended with reactive acrylate and methacrylate
p-toluenesulfonate dopant (Oligotron™-NM) compounds to make polymer blends.
PEDOT-PSS formulation, 2.8 wt. % dispersion in Low-conductivity polymer blend, contains 0.14 wt.% ~10–5 (bulk) 560596-25G
H2O, low-conductivity grade PEDOT and 2.6 wt.% PSS. Reduced particle size allows 560596-100G
to create smooth spin-coated films on ITO useful as
charge injection layers for OLEDs and OPVs.
PEDOT-PSS formulation, 1.3–1.7 wt. % dispersion Conductive polymer blend. Suitable for OTFT 655201-5G
in H2O applications. 655201-25G
PEDOT-PSS formulation, 1.3 wt. % dispersion in Conductive polymer blend, contains 0.5 wt.% PEDOT ~1 (bulk) 483095-250G
H2O, conductive grade and 0.8 wt.% PSS. Useful for antistatic coating
applications
PEDOT nanoparticles, 1% (w/ V) in H2O Aqueous dispersion of < 300 nm PEDOT nanoparticles. 675288-25ML
Contains dodecylbenzene sulfonic acid (DBSA) as dopant
Polyaniline (PANI)
Polyaniline (emeraldine salt), 0.5 wt.% dispersion in Conductive polymer suitable for dip-coating ~1 (film) 649996-10ML
mixed solvents applications. Doped with organic sulfonic acid.
Polyaniline (emeraldine salt), 2–3 wt.% dispersion Conductive polymer suitable for spin-coating 10–20 (film) 650013-10ML
in xylene applications. Doped with organic sulfonic acid.
Polyaniline (emeraldine salt), average Additive in polymer blends and liquid dispersions for 2–4 (pellet) 428329-5G
Mw > 15,000, powder, 3–100 µm particle size electromagnetic shielding, charge dissipation, electrodes, 428329-25G
batteries and sensors. Doped with organic sulfonic acid.
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有機エレクトロニクスにおけるフラーレンベースの n 型半導体
a)
フラーレンベース有機半導体
Light
Dr. David Kronholm† and Prof. Dr. Jan C. Hummelen†,‡ glass
†
Solenne BV, The Netherlands PEDOT:PSS anode
‡
Molecular Electronics, Zernike Institute for Advanced
Donor:acceptor
Materials, and Stratingh Institute of Chemistry,
University of Groningen, The Netherlands
metal cathode
はじめに
メタノフラーレンを組み込んだバルクヘテロ接合フォトダイ b) 60
オードに関する初めての発表 1 が 1995 年に行われて以来、デ 40 PCBM
バイスの性能は大幅に向上し、デバイス研究の範囲が大きく ThCBM
20
広がってきました。有機エレクトロニクスにおいてもっとも L = 300 nm
一般的に使用されるフラーレン誘導体は、メタノフラーレン 0
JL [A/m2]
フェニル -C61- 酪酸 - メチルエステル([60]PCBM)です 2。さま –20
ざまな類似体(ここでは PCBM と呼びます)が作成され、n 型 –40
半導体として試験されてきました。とりわけ有機光起電装
–60
置、光検出器 3 および有機電界効果トランジスタ(OFET)4 に
–80
使用することが研究され、活発に開発されています。10 年
以上の研究が行われた結果、PCBM が、さまざまな薄膜有機 –100
エレクトロニクス用途において効果的な溶解処理が可能な有 –120
機 n 型半導体であると考えられています。 –0,4 –0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
図 1 は、代表的なバルクヘテロ接合有機光起電デバイス V [V]
(OPV)のアーキテクチャーと性能特性を示した略図です。バ
ルクヘテロ接合 OPV を作製するには、p 型ポリマー半導体と 図 1. a) 現在のバルクヘテロ接合 OPV デバイスの標準的な構造
上部の無名層(ライトグレー) :透明導電性酸化膜(TCO、例えば ITO)下
の混合物を形成するために可溶性フラーレン誘導体が必要で 部の無名層(赤紫) :極薄保護層(例えば LiF)、b) AM1.5 照度、1 太陽光度
す。PCBM は、溶解度と加工性を大幅に向上させつつ、元の での最適化されたレジオレギュラー P3HT:メタノフラーレン(1:1)PV
フラーレンの重要な電子的および光学的特性を維持します。 セルの I/ V 曲線。電流密度値は、スペクトルのミスマッチおよび真の活動
領域を補正しています。(2007 年の MRS 春季会合にて発表、デバイスは
このような特性の中には、高速の電子移動、適度な比誘電率、
フローニンゲン大学の Lacramioara Popescu による)n 型半導体の分子構造
フラーレンアクセプターの対称性による等方的(C60 誘導体 の比較的小さな変化でも、最終デバイスの性能に影響を与えることが分
の場合)または比較的等方的(C70 および C84 誘導体の場合) かります。
な電子受容、および良好な電子移動度があります。元のフ
ラーレンのこのような特性が、一般的な有機溶媒中での改善
された溶解度および PCBM について観察された望ましい析出
速度と結びついて、最終膜に均一なナノ粒子の堅固な n 型ド
メインが形成されます。
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OMe O OMe
CnH2n+1 S
O O O
フラーレンベース有機半導体
[60]PCBM [60]PCB-Cn [60]ThCBM
D
OMe D
OMe OMe
MeO OMe D
O O D
OMe OMe
D
O O
図 2. [60]PCBM 類似体(PCBM)のライブラリー
高次のフラーレン(C70 および C84 )に基づく [60]PCBM 類似体 性によって OPV での性能は低下しました 7。最近になって研
がデバイスで合成されて試験され、混和性/溶解度および電 究者や開発者は、ポリチオフェン/ PCBM 系に移行し、いく
子特性を変化させるために加数部分を変更させた [60]PCBM つかのグループは 4.4 %∼ 6 %という h を発表しました 8,9。
類似体も開発され試験されてきました。図 2 に、より一般的 アニーリングまたは蒸発を遅くして注意深く形態を制御する
に使用され、最高の性能を示す PCBM を示します。薄膜有機 と、性能が大幅に改善します。
エレクトロニクスデバイスの形成は、特に形態を考慮すると
10 %という h を実現しようとする研究開発の最新ロード
非常に複雑であるため、傾向を一般化または外挿して、どの
マップでは、形態およびポリマー特性の改善に重点を置いて
PCBM が所定のデバイスまたはアーキテクチャーで最高の性
おり 10、デバイスを改善するのに使用する n 型半導体として
能を発揮するか予測することは困難です。これらの分子は、
[60]PCBM が概ね適切であると推測されています。しかし、
しかし、実験研究者が最適化を調査するために利用できるラ
ポリチオフェンを用いた形態制御では、PCBM とポリマー相
イブラリーをまさに代表しており、それぞれの分子がさまざ
がさらに広い範囲で分離するのが観察されているため、その
まなデバイスやアーキテクチャーに利点をもたらすことが示
改善も求められています。そのため、新しい分子である
されています。さまざまな純度グレードも開発されたため、
[60]ThCBM が設計・試験されるようになりましたが、初期段
価格が大幅に低下して商業規模の量が入手可能になりまし
階での結果では、P3HT による形態制御よりやや優れている
た。
と考えられています 11。[60]ThCBM は、[60]PCBM の電子特
性(LUMOおよび移動度)も保持しています。OPVの開発者は、
有機エレクトロニクス用途における n 型半導体とし
長期間にわたって n 型の LUMO 準位の向上に取り組んできて
ての PCBM の概要
おり、最近合成された分子である 2,3,4-OMe-PCBM では、わ
有機光起電装置(OPV) ずかながら有意性を持つ LUMO の向上が見られます。この分
[60]PCBM は、有機光起電装置に今でも圧倒的に多く使用さ 子は、MDMO-PPV と組み合わると開路電圧(VOC)が高くな
れている n 型コンポーネントです。少なくとも最近 6 年間に ることが示されましたが 12、OPV デバイスでの特性はまだ完
わたる、有機光起電デバイスでの電力変換効率(h)の公表 全には明らかになっていません。
されている世界記録は、我々の知る限りでは、[70]PCBM を含 有機電界効果トランジスタ(OFET)
むデバイスが記録を保持していた期間を別として、[60]PCBM
[60]PCBM デバイスで、有機半導体としては比較的高い移動
を組み込んだデバイスが継続的に保持してきました。
度(1 × 10-2 ∼ 2 × 10-1 cm2/ Vs)4 が実証されたほか、インバー
MDMO-PPV:PCBM デバイスが徹底的に研究されて特性が明
ターを作製を可能にする両極性輸送も明らかにされまし
らかになり、初期に h=2.5 %であった [60]PCBM の代わりに
た 13。有効なパッシべーションが報告されたとはいえ、安定
[70]PCBM が使用されて、最終的に h=3.0 %5 に達しました 6。
性が問題でした。[70]PCBM がこれまでに示していた電子移
この効率向上は、可視光波長での [70]PCBM の光吸収が
動度は約 1 桁低いものでしたが、アニーリング時間は短縮さ
[60]PCBM に比べて高いためでした。[84]PCBM は可視光波長
れ、安定度が向上します。[84]PCBM は、最大 3 × 10-3 という
をさらに強く吸収するものの、電子供与性が比較的強いド
電子移動度、10-5 ∼ 10-4 cm2/ Vs という正孔移動度と相まって、
ナーポリマーと組み合わせて使用したため、優れた電子受容
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有機光検出器 システムの性能を低下させますが、単一コンポーネント
OPV デバイスの初期開発と平行して、同様のフォトダイオー OFET の空気中での安定性を改善する重要な要素になってい
ドを用いたバルクヘテロ接合有機光検出器も開発されまし ると考えられます 18。
た 16。低い暗電流、高い外部量子効率(80 %)、および高速 [60]PCB-Cn エステル(アルドリッチ製品番号 685321 (C4)
の遷移挙動という、商用用途に適した性能を実現しました 3。 および 684481 (C8))
さらには、有機薄膜はシリコンベースのデバイスよりコスト
形態制御のひとつの方法は、より強力なフラーレン溶媒を使
面で有利なため、広い面積への用途が想定されています。
用することでしたが、そのために PCBM を析出するための推
PCBM ライブラリーの個別材料の特性 進力が低下し、PCBM ドメインが小さくなって膜が平滑化し
ます。同様に、メチル基をより大きなアルキル部分で置き換
[60]PCBM(アルドリッチ製品番号 684430、684449、684457) えて [60]PCBM の溶解度を改善していました。ある種の溶媒
[60]PCBM は単一の異性体として存在します。[60]PCBM の性 系(低品質溶媒)では、溶解度を高めると性能上の利点が得
能に関連すると考えられる興味深い特徴は、C60 の電子特性 られますが、さらに溶解度が高くなると利点がなくなること
と物理特性を高いレベルで保持していることです。単結晶の が実証されました 19。どの溶媒を選択するか、およびデバイ
構造解析によって、分子間間隔は基本的に C60 と同じであり、 スのアーキテクチャーにもよりますが、溶解度を高めること
奇妙なことにボール間最短間隔は PCBM の方が C60 よりわず で望ましい形態を形成する上での利点を得られる可能性があ
かに短いことが分かっています 17。[60]PCBM のコンパクト ります。n=4, 8, 12, 16, および 18 の長さのアルキル鎖が合成
な構造(したがって元のフラーレン)から逸脱し過ぎると、 されました。[60]PCB-C4 では溶解度はやや高くなるだけです
性能が低下することが一貫して示されています。 が、n=8 以上では大幅に向上します。より長い鎖を持った誘
99.5 %超のグレードを持つ [60]PCBM(アルドリッチ製品番 導体の結晶構造が PCBM のコンパクトな構造のものとは異な
号 684449)は、研究者にもっとも広く使用されてきており現 るため、移動度が低下するものと考えられます。これは比誘
在も使用されていますが、試験の結果からいくつかのデバイ 電率を低下させて、再結合にも影響する可能性があります。
スとアーキテクチャーには、99 %超のグレード(アルドリッ [60]ThCBM(アルドリッチ製品番号 688215)
チ製品番号 684430)も使用可能であることが分かっていま
ポリチオフェン:PCBM 系では相分離がより広範囲で生じる
す。しかし、PCBM が析出/結晶化する挙動が形態に強い影
ことが示されたため、混和性を高めるために、[60]PCBM の
響を与え、少量の不純物が析出/結晶化速度に強い影響を与
フェニルをチエニル基で置き換えられました。デバイスでの
える可能性があるため、さまざまなグレードを調べて最適性
特性はまだ完全には明らかになっていませんが、[60]ThCBM
能を決めなければならないことに注意してください。
は、混和性の改善によりポリチオフェンの形態制御が改善さ
[70]PCBM(アルドリッチ製品番号 684465) れる可能性があります。LUMO と純粋な薄膜の移動度は、
[70]PCBM を初めて合成しようとした動機は、[60]PCBM と比 [60]PCBM のものと非常によく似ています 11。
べて可視領域での光吸収が大きいことを生かしたいと考えた 2,3,4-OMe-PCBM
ことでした。これは、MDMO-PPV のように比較的バンド
OPV の VOC は、ドナーの HOMO およびアクセプターの LUMO
ギャップの広いドナーと組み合わせたときに、特に利点とな
の関数であることが示されたことが、[60]PCBM に関する
る可能性があります。これを 1 つのメジャーな異性体と 2 つ
LUMO を高める取り組みに結びつきました。このために
のマイナーな異性体の混合物として調製し、そのまま使用し
2,3,4-OMe-PCBM が合成され、[60]PCBM の加工性を適度に
ました。[70]PCBM と [60]PCBM の LUMO エネルギーは非常に
保ちながら LUMO が高くなることが実証されています。デバ
近いため 5、こうすると [60]PCBM の電子的性能を保持しなが
イスの全体的な特性はまだ最適化されていませんが、初期の
ら、膜吸収が n 型と p 型の関数である集光を改善する機会が
研究では MDMO-PPV と組み合わせて VOC が向上することが示
与えられます。
されています 12。
一般の溶媒に容易に溶解する [70]PCBM の測定量は [60]PCBM
よりやや大きいのですが、溶液処理された薄膜デバイス中で d5-PCBM(アルドリッチ製品番号 684503)
の析出の挙動は異なっていること(および、溶解度が低い分 薄膜有機エレクトロニクスデバイスの性能は膜の形態と非常
子について予想される挙動と一致していること)に注意する に強い関数関係を持つため、ドナー−アクセプター混合体の
必要があります。このため、クロロベンゼンを使用すると分 構造に関する情報がきわめて重要である可能性があります。
離の規模が広がって大きな [70]PCBM ドメインが生じるため、 重水素化した d5-PCBM で PCBM を置き換えた混合物に動的
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19
実際の使用 20020017612, 2002. (17) Rispens, M. T.; Meetsma, A.; Rittberger, R.;
Brabec, C. J.; Sariciftci, N. S.; Hummelen, J. C. Chem. Commun. 2003, 2116–
PCBM を含む有機電子デバイス層の溶液処理では、PCBM が 2118. (18) Anthopoulos, T. D.; Kooistra, F. B.; Wondergem, H. J.; Kronholm,
D.; Hummelen, J. C.; de Leeuw, D. M. Adv. Mat. 2006, 18, 1679–1684.
完全に溶解していることを注意して確認する必要がありま
(19) Zheng, L.; Zhou, Q.; Deng, X.; Yuan, M.; Yu, G.; Cao, Y. J. Phys.
す。溶解が不十分であれば、析出物のシーディングが生じて Chem. B 2004, 108 (32), 11921–11926. (20) Bulle-Lieuwma, C. W. T.; van
PCBM のドメインサイズが大きくなり、場合によって、ミク Duren, J. K. J., Yang, X.; Loos, J.; Sieval, A. B.; Hummelen, J. C.; Janssen, R.
A. J. App. Surf. Sci. 2004, 213–232, 274–277.
フラーレンベース有機半導体
ロン規模の結晶が形成されることもあります。一般に、溶解
限度より十分低い濃度で 8 時間以上撹拌すれば十分です。ろ
過が必要な場合もあります。超音波処理だけでは十分に混合
されないことがあり、肉眼では見えないサブミクロンまたは
ナノスケールの浮遊粒子が残る場合があるからです。 PCBM の特性
PCBM は比較的安定しています。一般に、フラーレンが光や
空気に曝露されるとエポキシ化合物を形成しますが、このプ
電子特性
ロセスは緩慢です。不透明な密閉容器に保存すれば十分です 表 1 は、さまざまなメタノフラーレンの第 1 還元電位をまと
が、長期保存(6 ヶ月超)の場合は不活性ガス(N2 または Ar) めたものです。[60]PCBM、[70]PCBM、および [60]ThCBM は、
によるパージが望まれます。実際には、不透明容器に密閉し 非常に近い値を示しています。[84]PCBMのLUMOエネルギー
て(不活性ガスによるパージもせず、グローブボックスに貯 はかなり低い値ですが、2,3,4-OMe-PCBM の値はわずかに高
蔵もしないで)最大 1 年間保存した PCBM を使用しても、 くなっています。
OPV 用途でのデバイス性能は劣化していないことが判明して
表 1. * いくつかの PCBM の第 1 還元電位
います。
E½ 、第1還元電位 (V)
結論および今後の展望 [60]PCBM –1.0787
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20
有機光起電装置用材料
製品名 別名 構造 アッセイ 製品番号
[6,6]-Phenyl C61 butyric acid methyl ester [60]PCBM >99% 684430-1G
O
CH3
O >99.5% 684449-100MG
684449-500MG
フラーレンベース有機半導体
>99.9% 684457-100MG
CH3 CH3
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21
高効率有機発光デバイスの作成
OLED の動作中、対向する電極から注入された正孔と電子は
発光層(EML)に移送され、そこで再結合して励起子を形成
有機発光素子
します。500 Å 以下の膜厚によって駆動電圧は 5 ∼ 10 V レベ
ルまで低下し、分離した正孔と電子の導電層が効率的に電荷
を注入し、キャリアを再結合します。これにより励起子が生
成され、最終的に励起子が消滅して基底状態になると光が放
出されます。OLED に基づいた薄膜ヘテロ構造が発表された
後まもなく、適切なホストマトリックス中に発光体分子を
Eugene Polikarpov and Prof. Mark E. Thompson ドープした 2 成分の発光層が、電荷再結合と発光層への励起
Department of Chemistry, University of Southern California 子閉じこめのレベルを改善することによってデバイス効率を
向上させることが実証されました。これによって、発光ドー
はじめに:ヘテロ構造 OLED パントの自己クエンチングもなくなります 4。
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22
N O N R
N N N N O
Ir Ir Ir Ir Ir Ir # C-N
S O
2 2 2 2 2 R 1 ppy
2 op
ppy tpy bzq thp op 3 bo
4 bzq
1.0 5 bt
N 6 thp
O N S N RN N S N Ir 7 bbsn
Ir Ir Ir Ir S 0.8 8 pq
2 2 2 2 2
9 bst
10 absn
0.6 1
11 btp
bo bt bin αbsn btp 23
4
y
56
0.4 7
S N 89 10
s i g m a - a l d r i c h . c o m / j a p a n
O Ir N S N N 11
O N Ir Ir Ir
Ir O 0.2
2 2
2
NMe2 2 2
0.0
ppo C6 pq βbsn pbz 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
x
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23
有機発光素子
合体(黄色∼赤色)を組み合わせて白色を実現し、可視光波 響を与える期待がかけられています。これらのデバイスファ
長全域を包含する発光スペクトルを得る方法を示します。単 ミリーのいずれにも、効率の高さと寿命の長さだけでなく、
量体−集合体発光比率は、ドーピング濃度およびドーパント 製造コストが低いこと、広範囲に及ぶ一連のデバイス、およ
の立体的かさ高さの両方で制御します 23。ドーパントの立体 び高い彩度が要求されます。OLED はこれらすべての特性を
的かさ高さを増やすと集合体の形成が妨げられますが、ドー 実証しましたが、大きな面積を製造することが重要な課題と
パント濃度を上げると集合体の形成は促進されます。ドーパ して残っているため、製造コストが極めて高くなります。テ
ントの数を最小化すると、デバイスの複雑さは大幅に低減し クノロジー上のもうひとつの課題は、濃青色デバイスの寿命
ます。広帯域発光に対する単量体−集合体アプローチに基づ です。赤色および緑色には安定したリン発光体が多数あり、
いたデバイスを使用して、15 ∼ 20 %の外部効率を達成でき 106 時間に近いデバイス寿命が得られています。一方、青色
ることが最近示されました 24,25。 リン光体に基づく代表的な OLED の動作寿命は非常に短く、
もっとも長いもので 1 万 5 千∼ 2 万時間の範囲です。青色デ
バイスが非常に不安定である原因はまだ分かっていません。
PL emission (arb. units)
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24
OLED 材料
シグマ アルドリッチでは、広く選りすぐった OLED 材料を販売しています。関連の全製品リストおよび当社最新製品について
は、sigma-aldrich.co.jp/aldrich/org-electronic をご覧下さい。
有機発光素子
電子移動 正孔移動
2-(4-Biphenylyl)-5-phenyl-1,3,4- 1,4-Bis(diphenylamino)benzene, 97% 1,3,5-Tris(diphenylamino)-
oxadiazole, 99% [14118-16-2] benzene, 97%
PBD N N
N N
TDAB
[852-38-0] O [126717-23-5] N
257850-5G 5g 663271-1G 1g N N
257850-25G 25 g 663271-10G 10 g
B8378-100G 100 g
N,N’-Bis(3-methylphenyl)-N,N’- N
N N
140910-500MG 500 mg
140910-1G 1g
CH3 N
N
H3C
3,5-Bis(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl- CH3
663263-1G 1g
4H-1,2,4-triazole
N N
663263-5G 5g 661732-500MG 500 mg
N
N,N’-Di-[(1-naphthyl)-N,N’-diphenyl]- Copper(II) phthalocyanine,
1,1’-biphenyl)-4,4’-diamine, sublimed, 99%
sublimed, 99% CuPc
685682-1G 1g
NPD [147-14-8]
N
N N
3-(Biphenyl-4-yl)-5-(4-tert-butylphenyl)- [123847-85-8] labs: 678 nm (CHCl3) Cu
N N
4-phenyl-4H-1,2,4-triazole N N
lem: 404 nm (film, lit.) N N
N
TAZ N N
[13909-27-87]
N N
688053-1G 1g
688053-5G 5g
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25
ポリマー正孔移動体/ホスト 発光体/ドーパント
Poly(N-ethyl-2-vinylcarbazole) Tris[2-(4,6-difluorophenyl)lpyridinato- Tris[2-(benzo[b]thiophen-2-
labs: 239 nm (CHCl3) C2,N]iridium (III) yl)pyridinato-C3,N]iridium(III)
[41008-78-0] N
CH3 Ir(Fppy)3, blue F Ir(btpy)3, red
labs: 347 nm labs: 324 nm
lem: 471 nm (lit.) Ir F lem: 590 nm (lit.) Ir
S
有機発光素子
n
N [405289-74-9] N
3 3
649325-500MG 500 mg
682594-250MG 250 mg 680877-250MG 250 mg
Poly(2-vinylcarbazole), Mw~6,400
Perylene, sublimed, 99.5% Tris(dibenzoylmethane) mono(1,10-
[55447-28-4]
blue phenanthroline)europium (lll)
NH labs: 436 nm Eu(dbm)3(phen), red
lem: 447 nm, labs: 355 nm
N
471 nm (lit.) lem: 615 nm (lit.) Eu
O
n [198-55-0] [17904-83-5] N O
Poly(1-vinylnaphthalene), Mw~30,000
688096-250MG 250 mg 673625-100MG 100 mg
[29793-40-6] CH2 CH
n
Coumarin 6, 99% 5,6,11,12-Tetraphenylnaphthacene,
green sublimed
N
541451-1G 1g labs: 457 nm S
Rubrene, red
Mn~100,000 lem: 505 nm (EtOH) H3C N O O
labs: 299 nm
[38215-36-0] lem: 553 nm
191965-1G 1g H3C
[517-51-1]
546283-100MG 100 mg
[19205-19-7]
CH3 O 合成中間体
557587-500MG 500 mg Tris(4-formylphenyl)amine, 97%
O H
8-Hydroxyquinoline zinc salt, 99%
Znq, yellow N O
labs: 251 nm O
Zn
N
N
lem: 478 nm (CHCl3) H H
471755-5G 5g O O
679658-5G 5g
Tris[1-phenylisoquinolinato-
C2,N]iridium(III) 4’-(4-Chlorophenyl)-2,2’:6’,2”-
Ir(piq)3, red terpyridine, 97%
labs: 324 nm Ir
Cl
688118-250MG 250 mg N
N N
687073-1G 1g
687073-5G 5g
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26
発光ポリマー
Ca
LEP
発光ポリマー
はじめに
長期の p 電子非局在化を備えた共役ポリマーは、ドープ状態
では処理可能な有機「金属」として、および中立の非ドープ 図 1. ポリマー発光ダイオード(PLED)の模式図
状態では半導体材料として振る舞います 1-3。多くの非ドープ HIL = 正孔注入層、一般には本質的に導電性を持つポリマー(PEDOT また
はポリアニリン)のスピンキャスト膜。15 ページ参照。
ポリマーは、可視および近赤外範囲で強いフォトルミネセン
ス(PL)を呈します。ドープ状態と非ドープ状態を切り替え
ると、ポリマー体積、吸収色、可逆的 PL クエンチングなど、
発光ポリマー(LEP)の多くの特性が変化します。このように O
H H
変化を制御できるため、LEP を応用することは有望です。例 O
n H
えば、吸収色に起こした変化はエレクトロクロミックディス 1 (yellow green) CH3O
n
H
n
プレイに利用できる一方、体積の変化は電気的に活性な人工 2 (orange red) H H
O
役立つ、低温処理可能な材料の重要なカテゴリーを表しま n
CH3O O(CH2)8O
n
す。 5 (blue) OCH3
4 (green)
PLED は、フラットパネルディスプレイや照明への用途を現
在開発中で、LEP の特性の理解と改善に依存する高い商品化
の可能性を備えています。例えば、PLED は図 1 に示す比較的
単純な薄膜デバイス構造を持っていますが、高性能な PLED
O
O
には次のようないくつかの厳しい要件を満たす LEP 層が要求
されます。(1) ポリマーのバンドギャップと膜の形態によっ O
n
n n
R Ar 10 (red) 11 (green)
文では、さまざまな用途に合わせた LEP の主要カテゴリーを
9 (R=H: yellow; R=Me: blue)
概観します。LEP には、完全な共役主鎖を含むポリマーと、
主鎖または側基の中に共役部分を持つポリマーの両方が含ま
れることに注意してください。ほとんどの共役オリゴマー O O
n
は、そのポリマー対応物と類似した加工性およびルミネセン N
F3 C CF3
ス特性を示します。
N
12 (blue)
図 2. 以下の段落で参照している発光ポリマーの代表的な種類
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27
ポリ(1,4- フェニレンビニレン)
(PPV) 置換 PPC の発光色と PL の量子効率は、異なる側基を含む PPV
のコポリマーによって巧妙に変えることができます。例え
図 2 に示したポリマー構造への参照は太字で示しています。
ば、ポリ [(2- ジメチルオクチルシリル -1,4- フェニレンビニレ
PPV(1)およびその可溶性誘導体は、もっとも広く研究され
ン)- コ -(MEH-PPV)] 中のコモノマーの比率を変えると、発光
ている LEP です。PPV は一般に、水およびメタノールに可溶
色をシリル -PPV の緑色から MEH-PPV のオレンジ色まで系統
な前駆体であるポリ(キシリリデンテトラヒドロチオフェニ
的に調整できます。緑色から青色の範囲の発光色を得るに
発光ポリマー
ウムクロライド) (540765)を経由して調製されます。PPV は、
は、アルキレンジオキシ、オリゴ(エチレンオキシド) 、ジ
もっとも初期の共役ポリマー発光ダイオード(LED)の作成に
メチルシランなどの非共役部分とつなぎ合った PPV の短いセ
使用されましたが、PL の量子効率が比較的低く、前駆体から
グメントからなるコポリマーを採用できます 12。コポリマー
PPV への変換に高温が必要であることから、一般的な有機溶
(5) は、効率の高い青色発光体です。ただし、これらのコポ
媒に可溶な多くの新しい PPV 誘導体の合成が促進されまし
リマーの電荷キャリア導電率は一般に低い値を示します。ポ
た。MEH-PPV(2、541443)は、対応する単量体である 1,4-
リ (2,5- ジアルコキシ -1,4- フェニレンエチニレン )(PPE)は、
ビスクロロメチル -2- メトキシ -5-(2’ - エチルヘキシルオキシ )
ジアルコキシ -PPV のデヒドロ類似体です。PPE(6)(636991) の
ベンゼン (536250)( スキーム 1a) から簡便に合成できます 6。
発光ピークは、対応する PPV と比べて狭く、青色にシフトし
ジアルコキシ側基でもポリマーのバンドギャップが変化し、
ています 13。
発光色が非置換 PPV の黄緑色からオレンジ色に向かって色が
深くなる方向にシフトします。MEH-PPV が、最初の高効率ポ
ポリ (1,4- フェニレン )(PPP)
リマー LED の作製に使用されました。2’ - エチルヘキシルオ
キシ側基を 3’ ,7’ - ジメチルオクチルオキシ基(MDMO-PPV ポリ (1,4- フェニレン )(PPP) とそのさまざまな誘導体から青色
546461)で置き換えると、発光色はわずかに赤みを帯びる方 LEP を作製できます。可溶性 PPP は、対応するジクロロ、ジ
向にシフトしました。かさ高い側基(2,5- ビス(コレスタン ブロモ、またはジボラートのモノマーから Grignard、Ni0 触
オキシ) )を持つ BCHA-PPV(3) では、色は反対に橙黄色方向に 媒による山本、または鈴木反応によって合成できます 14,15。
シフトします。発光色を変えるために、その他にも多くの側 ただし、得られたポリマーの分子量はかなり小さく、たいて
基が使用されてきました 7,8,9。側基は、PPV のビニル構成部 いの場合 10,000 未満です。ベンゾイルなどの電子吸引基を
分に導入することもできます。例えば、ポリ [(1,4- フェニレ 含む分子量の大きな可溶性 PPP は、対応するジクロロ - モノ
ン -1,2- ジフェニルビニレン ](4) は、PL の効率と安定性が高い マーの Ni0 触媒による山本カップリングによって得ることが
緑色の発光体です。 できます(スキーム 1b)。どの置換 PPP の発光も濃青色で、
かなりの部分が紫外領域にあります。ポリ(2- デシルオキシ
1,4- フェニレン) (7)は、PL と EL のいずれについても高い量
子収率を示します。発光ピークは、410 nm 付近にあります。
O
t-BuOK (excess)
(a) 2
ClCH2 CH2Cl
ポリフルオレン(PFO)
CH3O
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28
窒素含有ポリマー 0.4
てきました。 (24) Huang, F.; Wu, H. B.; Wang, D.; Yang W, Cao, Y. Chem. Mater. 2004,
16, 708–716 (25) Chen, L.; McBranch, D. W.; Wang, H.; Helgeson, R.; Wudl,
結論として、LEP は次のような特徴を備えています。(1)105/cm F.; Whitten, D. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 1999, 96, 12287.
に達する高い吸収係数、(2) 高い PL 効率(固体薄膜中の青色
および緑色発光ポリマーで、50 %を超える量子効率がしば
しば得られていることによる)、および (3) 大きなストークス・
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29
発光ポリマー製品
PPV-PFO- 共重合体、PFE ポリマー、ポリアセチレンなどを含む関連の全製品リストは、sigma-aldrich.co.jp/aldrich/org-electronic
からご覧下さい。
ポリフェニレンビニレン(PPV)ポリマーおよび共重合体
発光ポリマー
Poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)- Poly(2,5-dihexyloxy-1,4- Poly[(p-phenylenevinylene)-alt-(2-
1,4-phenylenevinylene] phenylenevinylene) methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-p-
MEH-PPV O lem, nm: OC6H13
phenylenevinylene)]
lem, nm: 547 (CHCl3) lem, nm: O
554 (toluene) H3CO n OC6H13 n 517 (CHCl3)
Mn~51,000 560804-1G 1g H3CO
n
541443-1G 1g Poly(2,5-dioctyl-1,4-phenylenevinylene) 594199-1G 1g
Mn~86,000 lem, nm: C8H17
451 (CHCl3)
lem, nm: OC8H17
シアノ - ポリフェニレンビニレン(CN-PPV)ポリマー
OC6H13 NC
O O OC6H13 n
O O
CN CN 646652-250MG 250 mg
O NC OCH3 NC
O n OCH3 n
Poly(2,5-di(octyloxy)-
646628-250MG 250 mg cyanoterephthalylidene)
OC8H17
Poly(5-(2-ethylhexyloxy)-2-methoxy- OC8H17
CN
646571-250MG 250 mg cyanoterephthalylidene) OC8H17 NC
OC8H17 n
O 646660-250MG 250 mg
O
CN
OCH3 NC
OCH3 n
646644-250MG 250 mg
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30
ポリフルオレン(PFO)ポリマーおよびモノマー(抜粋)
409 (CHCl3) n
n
C6H13 C6H13 CH3 679917-1G 1g
発光ポリマー
571652-500MG 500 mg
n
685712-500MG 500 mg
C12H25 C12H25
678791-250MG 250 mg
水溶性 LEP
Poly(2,5-bis(3-sulfonatopropoxy)- Poly{[2,5-bis(2-(N,N- Poly[(2,5-bis(2-(N,N-diethylammonium
1,4-phenylene, disodium salt-alt-1,4- diethylamino)ethoxy)-1,4-phenylene]- bromide)ethoxy)-1,4-phenylene)-alt-
phenylene) alt-1,4-phenylene} 1,4-phenylene]
(-)PPP SO3 Na lem, nm: H3C
lem, nm: H3C
Br
lem, nm: O 401 (CHCl3) H3C N
O 421 (DMSO) H3C NH
O
424 (H2O)
n n n
O SO3 Na O O
H3C N H3C NH
lem, nm: O
525 (H2O)
H3CO n
659894-10ML 10 mL
LEP 用モノマー
PPV、CN-PPV、およびPFOポリマーを合成するためのモノマーも取り扱っております。関連の全製品リストは、sigma-aldrich.
co.jp/aldrich/org-electronic をご覧下さい。
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31
OLED 基板および電極用材料
インジウムスズ酸化物(ITO)被覆基板
製品番号 *製品概要 表面抵抗率, W/®
700177 ITO coated PET(150×150×0.2 mm) ≦10
発光ポリマー
702811 ITO coated PET(150×150×0.2 mm) 60–100
639311 ITO coated PET sheet 35
668559 ITO coated PET sheet 45
639303 ITO coated PET sheet 60
639281 ITO coated PET sheet 100
578274 ITO coated glass slide 8–12
636916 ITO coated glass slide 15–25
636908 ITO coated glass slide 30–60
576352 ITO coated glass sheet 70–100
576360 ITO coated aluminosilicate glass slide 5–15
*PET = ポリ(エチレンテレフタレート)
、スライド = 25 × 75 × 1.1mm、シート = 1ft × 1ft × 5mil(305mm × 305mm × 0.13mm)
電極材料
製品番号 製品概要 純度
669431 Lithium fluoride, precipitated 99.995%
255645 Cesium carbonate 99.995%
203815 Molybdenum(VI) oxide 99.990%
441872 Calcium, distilled 99.995%
433705 Aluminum, evaporation slug 99.999%
373249 Silver, evaporation slug 99.99%
シグマ アルドリッチでは、この他にも多くのエレクトロニクスグレード酸化物および金属を販売しています。関連の全
製品リストは、sigma-aldrich.co.jp/aldrich/org-electronic をご覧下さい。
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SAJ1074 2009.2