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COMPLEMENTOS de FSICA
Apuntes de CF FLML
Prefacio
III
IV
Apuntes de CF FLML
ndice general
V
VI NDICE GENERAL
3. Materia Condensada 51
3.1. Estados de Agregacin de la Materia . . . . . . . . . . . 51
3.2. Gas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
3.3. Monocristal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
3.4. Estructuras reticulares . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
3.4.1. Redes de Bravais . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
3.4.2. Parmetros de la estructura reticular . . . . . . . 58
3.5. Observacin de las estructuras cristalinas . . . . . . . . 60
3.6. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
Apuntes de CF FLML
NDICE GENERAL VII
6.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
6.2. Generacin y recombinacin de electrones y huecos . . 96
6.3. Semiconductores Intrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . . 98
6.3.1. Descripcin cualitativa . . . . . . . . . . . . . . . 98
6.3.2. Probabilidad de ocupacin de electrones y huecos100
6.3.3. Posicin del nivel de Fermi para semiconducto-
res
intrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
6.3.4. Funcin densidad de estados para electrones y
huecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
6.3.5. Distribucin energtica de huecos y electrones . 103
6.4. Semiconductores Extrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . 105
6.4.1. Semiconductor tipo n . . . . . . . . . . . . . . . . 105
6.4.2. Semiconductor tipo p . . . . . . . . . . . . . . . . 106
6.4.3. Distribucin energtica de huecos y electrones . 107
6.5. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
FLML Apuntes de CF
VIII NDICE GENERAL
Apuntes de CF FLML
Captulo 1
Fundamentos de Fsica
Cuntica
1.1. Introduccin
1
2 Captulo 1. Fundamentos de Fsica Cuntica
Apuntes de CF FLML
1.2. Cuantizacin de la radiacin 3
Espectros Discretos
Empricamente se comprob que la radiacin emitida (y absor-
bida) por sustancias formadas por elementos qumicos aislados
(en forma de gases) tena un carcter discreto; esto es, estas sus-
tancias solo emiten (y absorben) radiacin para un conjunto dis-
creto de frecuencias. Este hecho experimental era muy sorpren-
dente e imposible de explicar en el marco de la Fsica Clsica.
Para el caso del hidrgeno (H) se comprob que su espectro est
formado por una familia de lneas espectrales cuya longitud de
onda ( = c/, c 3 108 m/s) sigue la siguiente ley emprica:
1 1 1
= R 2 m < n( N ) , (1.1)
m2 n
que se conoce como formula de Rydberg-Ritz y donde R =
1,0967 107 m1 es la denominada constante de Rydberg. Para
cada valor de m y variando n se obtienen distintas familias de
lneas espectrales conocidas como las series del hidrgeno. Una
expresin particular para el espectro visible del H, conocido co-
mo serie de Balmer, fue obtenida en 1885 por Balmer, siendo, no
obstante un caso particular de la ley general (1.1) cuando m = 2.
Es importante resaltar que la frmula de Rydberg-Ritz es una ley
completamente emprica que fue propuesta en ese momento sin
1 La explicacin clsica de este hecho se basa en la suposicin de que la tempe-
ratura es una medida de la energa cintica media de las partculas que componen
la materia. Dado que la materia est compuesta de tomos y stos a su vez estn
formados por partculas cargadas, un cuerpo caliente puede considerarse como un
conjunto de osciladores cargados (se supone que, debido a su menor masa, la carga
negativa oscila en torno al ncleo de carga positiva). Estos osciladores de carga emi-
ten entonces radiacin electromagntica al igual que lo hacen los dipolos elctricos
oscilantes.
FLML Apuntes de CF
4 Captulo 1. Fundamentos de Fsica Cuntica
Espectros Continuos
Estos espectros son emitidos por los cuerpos slidos. Dado que
la emisin de los slidos dependa en parte de su composicin,
en el estudio de estos espectros se buscaba un cuerpo cuya emi-
sin fuese independiente de la forma y composicin particular
del emisor. En este sentido, se define como cuerpo negro a un
emisor cuyo espectro no dependa de su forma y composicin.
Un estudio siguiendo las leyes de la Fsica Clsica, que queda
fuera del alcance de este tema, permite establecer que la expre-
sin terica para la radiancia espectral, R() (intensidad de la ra-
diacin emitida con frecuencias comprendidas entre y + d)
viene dada por
R ( ) 2 T , (1.2)
donde T es la temperatura absoluta (en grados Kelvin) del cuer-
po negro.
R(n) curva terica
Apuntes de CF FLML
1.2. Cuantizacin de la radiacin 5
S = nh = E T n = 1, 2, . . . , (1.4)
1
E = nh = nh . (1.5)
T
FLML Apuntes de CF
6 Captulo 1. Fundamentos de Fsica Cuntica
Apuntes de CF FLML
1.2. Cuantizacin de la radiacin 7
E JEMPLO 1.1 Calcule el tiempo que habra que esperar para que se produjese
el efecto fotoelctrico si una radiacin luminosa emitida por una fuente de luz
de P = 100 W y rendimiento luminoso = 8 % incide sobre un metal que est
situado a 1 m de distancia y cuya funcin trabajo es e = 4 eV. Suponga que el
radio aproximado de un tomo es r atomo = 1.
2
Ptomo = I rtomo
2
= 1020 = 2 1020 W .
Finalmente, el tiempo de espera, t, para que se acumule la energa umbral
suficiente, e , es
e 4 1,6 10 19
t = = 32 s .
Ptomo 2 1020
FLML Apuntes de CF
8 Captulo 1. Fundamentos de Fsica Cuntica
(h = h/2, = 2).
Apuntes de CF FLML
1.2. Cuantizacin de la radiacin 9
I = N f h . (1.11)
Por otra parte, dado que los fotones transportan una energa E,
tambin deben transportar un momento lineal p. En su teora de la
Relatividad Especial, Einstein demostr que el momento lineal de los
fotones estaba relacionado con su energa mediante la siguiente rela-
cin:
E
p= , (1.12)
c
siendo c la velocidad de la luz. Como la energa del fotn es E = h,
encontramos que
h h
p= = , (1.13)
c momento del fotn
donde se ha tenido en cuenta que la frecuencia de la onda, , est
relacionada con su longitud de onda, , mediante = c.
(a) Para calcular el nmero de fotones por unidad de tiempo y rea debe-
mos aplicar la expresin (1.11), para lo cual debemos obtener primero
la frecuencia, , de la radiacin:
c 3 108
= = = 1,5 1015 Hz ,
2 107
por lo que la energa, E, de cada fotn ser
I 3 103 fotones
Nf = = 3,017 10 15 .
E 9,95 10 19 m2 s
h 6,63 10 34
p= = 3,31 10 27 kgm/s
2 107
FLML Apuntes de CF
10 Captulo 1. Fundamentos de Fsica Cuntica
Fotones
Segn la interpretacin de Einstein, la radiacin electromagn-
tica puede considerarse como un conjunto discreto de paquetes
de energa E = h, de modo que la intensidad de la radiacin,
de acuerdo con (1.11), puede escribirse como
I = N f h .
Apuntes de CF FLML
1.4. Modelo atmico de Bohr 11
FLML Apuntes de CF
12 Captulo 1. Fundamentos de Fsica Cuntica
L = m e vr = nh , n = 1, 2, 3, . . . (1.15)
Ef hn Ei E f
= . (1.16)
h
Apuntes de CF FLML
1.4. Modelo atmico de Bohr 13
(1 = 1010 m).
El electrn en el tomo de hidrgeno slo puede tomar aquellas
rbitas discretas cuyos radios verifiquen (1.20). Dado que la me-
nor rbita que puede tomar el electrn en el tomo de hidrgeno
es r0 , este dato podra ser considerado como el tamao de di-
cho tomo. Comprobaciones experimentales demuestran que r 0
coincide muy aproximadamente con el tamao medido para el
radio de los tomos de hidrgeno.
1 1 e2
E = Ec + E p = m e v2 ,
2 40 r
expresin que puede reescribirse, teniendo en cuenta (1.22), co-
mo
1 1 e2
E= . (1.23)
2 40 r
Dado que el radio de la rbita est cuantizado (rn = n2 r0 ), la
energa del estado estacionario lo estar igualmente. En conse-
cuencia la energa del estado estacionario caracterizado por el
nmero cuntico n puede escribirse como
Energa de los estados estacio-
E0 E0 E0 narios del H
En = 2 = E0 , , , . . . , (1.24)
n 4 9
FLML Apuntes de CF
14 Captulo 1. Fundamentos de Fsica Cuntica
Apuntes de CF FLML
1.5. Dualidad de la materia 15
E = En E0 = h ,
por lo que
En = E + E0 = h + E0
= 4,135 10 15 eVs 3,023 10 15 s1 13,6eV = 1,55 eV .
E0
En = ,
n2
por lo que
E0 13,6
n= = =3.
En 1,55
h
= o bien p = h k (1.28)
p
E Relaciones de de Broglie
= o bien E = h . (1.29)
h
FLML Apuntes de CF
16 Captulo 1. Fundamentos de Fsica Cuntica
E2 = m20 c4 + p2 c2 , (1.30)
p2
Ec = , (1.31)
2m0
por lo que el momento y la longitud de onda de la partcula puede
expresarse como
p = 2m0 Ec = mv . (1.32)
y
h
= . (1.33)
2m0 Ec
E JEMPLO 1.4 Calcular la longitud de onda asociada a (1) una pelota de tenis de
m = 50g y v = 40m/s; y (b) un electrn sometido a un potencial de aceleracin
V = 100V.
p = mv = 0,05 40 = 2 kgm/s
h 6,6 10 34
= = 3,3 10 34 m .
p 2
Apuntes de CF FLML
1.5. Dualidad de la materia 17
partcula sea muy pequea, en la prctica del orden de la masa de las part-
culas elementales (electrones, protones, ....)
h 6,6 10 34
= = 1,2 .
2m e eV 2 9,1 10 31 1,6 10 19 100
Esta longitud de onda es muy pequea pero al menos es del orden del tama-
o de los tomos.
a) b)
f
q
V q
e-
Detector
f
Detalle de reflexin
Monocristal en monocristal
FLML Apuntes de CF
18 Captulo 1. Fundamentos de Fsica Cuntica
2d sen = n . (1.35)
diferencia de
camino
Supuesta vlida la hiptesis de de Broglie, la longitud de onda, , de
los electrones que inciden en el monocristal ser
h h
= = , (1.36)
p 2me eV
Apuntes de CF FLML
1.5. Dualidad de la materia 19
h
sen 1 = ,
2d 2m e eV
h2
V=
8d2 sen2 1 me e
(6,6 10 34 )2
= 51,1 V .
8 (0,91 10 10 )2 (0,9397) 2 9,1 10 31 1,6 10 19
FLML Apuntes de CF
20 Captulo 1. Fundamentos de Fsica Cuntica
Partcula libre
Dado que sobre una partcula libre no se ejercen fuerzas exter-
nas, esta partcula no debe encontrarse en ciertos sitios con ms
probabilidad que en otros. En consecuencia, la probabilidad de
encontrarla en alguna posicin no debe depender de dicha posi-
cin. Por otra parte, una partcula libre tiene perfectamente defi-
nido su energa, E, y su momento, p, por lo que de acuerdo a las
relaciones de de Broglie (p = h k y E = h ), su nmero de ondas
y frecuencia estn igualmente definidas y, por tanto, es razona-
ble suponer que su funcin de onda asociada pueda venir dada
por
( x, t) = Aej( p/h) x e j( E/h)t . (1.40)
Partcula localizada
Si una partcula est localizada existir entonces ms probabili-
dad de encontrarla en algunos sitios que en otros. Consecuen-
temente P( x, t) debe depender de la posicin, lo cual se puede
conseguir si su funcin de onda asociada, ( x, t), viene dada por
un grupo de ondas, por lo que podr expresarse como
k0 +k
( x, t) = A(k)e jkx e j (k)t dk . (1.41)
k0 k
d 1 dE
vg = = . (1.42)
dk h dk
Apuntes de CF FLML
1.6. Principio de Heisenberg 21
px x h . (1.43)
FLML Apuntes de CF
Relacin de incertidumbre para
la posicin y el momento
Apuntes de CF FLML
1.6. Principio de Heisenberg 23
La Luna
Sabiendo que la masa de la Luna es m 6 10 22 kg, que su velocidad
media es v 103 m/s y que su posicin se determina con una incerti-
dumbre de x 10 6m (con una incertidumbre tan pequea, p x se
maximiza), la incertidumbre en el momento vendr dada por
h
p x 1028 kgm/s .
x
Puesto que el momento puede calcularse como
p x = mv 1025 kgm/s ,
la incertidumbre relativa ser aproximadamente
p x 1028
1053 .
px 1025
La incertidumbre relativa para el momento, incluso intentando maxi-
mixarla, es tremendamente pequea; tanto que en la prctica sera to-
talmente indetectable. Consecuentemente, para el caso de la Luna en
su rbita alrededor de la Tierra, el concepto de trayectoria es aplicable.
Electrn en tomo de hidrgeno
Con el fin de obtener el mnimo de imprecisin en el momento, su-
pongamos que la imprecisin en la determinacin de x es mxima, es
decir, que slo sepamos que el electrn est dentro del tomo. Da-
do que el tamao del tomo vena dado por r0 , entonces diremos que
x r0 1010 m y, por tanto,
h
p x 1024 kgm/s .
x
FLML Apuntes de CF
24 Captulo 1. Fundamentos de Fsica Cuntica
Ec = E0 /2 7eV 1,12 10 18 J ,
por lo que
p = 2m e Ec 2 9,3 10 31 1,12 10 18 2 1024 kgm/s .
(x )max = a ,
y, en consecuencia, la mnima incertidumbre en el momento ser
h
(px )min = .
a
Teniendo en cuenta que el mnimo valor del momento, p min , debe ser
del orden del mnimo valor de su incertidumbre, entonces tenemos
que
pmin (px )min ,
por lo que la energa cintica mnima de la partcula tomar el valor
p2min h2
( Ec )min = , (1.48)
2m 2ma2
esto es, una partcula localizada no puede estar en reposo (con energa
cintica nula).
Apuntes de CF FLML
1.6. Principio de Heisenberg 25
E JEMPLO 1.7 Se sabe que el tiempo de vida media, , de cierto estado atmico
es de 100 s. Determine (1) la incertidumbre en la energa de dicho estado y (2)
la incertidumbre en la longitud de onda de la radiacin emitida en la transicin
hacia el estado fundamental, sabiendo que en sta se emite una radiacin de
= 100 nm.
1. El tiempo de vida media es una medida del tiempo que tarda en realizar-
se cierta transicin, por lo que podemos identificar t . La incerti-
dumbre en la energa puesta en juego en la transicin ser entonces
h 1,009 10 34
E 1020 J 6,25 10 2 eV .
t 104
hc
= ,
E
por lo que la incertidumbre en la longitud de onda, , vendr dada
por
d hc 2
= E = 2 E = E
dE E hc
(100 10 9 )2
= 1020 5 .
6,6 10 34 3 108
FLML Apuntes de CF
26 Captulo 1. Fundamentos de Fsica Cuntica
1.2: Si el ojo humano empieza a detectar luz amarilla de longitud de onda 5890 a
partir de una potencia de 3,1 1016 W, Cul es el nmero mnimo de fotones que
deben incidir en el ojo para la luz amarilla se vea?.
Sol. 923 fotones.
1.4: Una radiacin de 2,5 1015 Hz incide sobre una superficie metlica cuya fre-
cuencia umbral es de 9 1014 Hz. Calcular la velocidad de los fotoelectrones emiti-
dos. Qu ocurrira si la radiacin incidente fuese de 8,5 10 14 Hz?.
Sol. v = 1,52 106 m/s.
1.5: (a) Calcular la longitud de onda mxima de la luz que har funcionar una clula
fotoelctrica dotada de un ctodo de tungsteno sabiendo que los fotoelectrones po-
seen una energa cintica de 5.5 eV cuando son arrancados por una luz de = 1200 .
(b) Si esta radiacin de = 1200 e intensidad I = 2,5 W/m2 incide sobre la clula
fotoelctrica de 30 mm2 de superficie, siendo el rendimiento cuntico del 20 %, cul
sera la intensidad, i, de la corriente elctrica producida?.
Sol. (a) max = 2570 ; (b) i = 1,45 A.
1.6: Para una radiacin de 1500 que incide sobre una superficie de aluminio que
tiene una funcin trabajo de 4.2 eV, calcule (a) La energa cintica mxima de los fotoe-
lectrones emitidos; (b) el potencial de frenado; (c) la frecuencia de corte del aluminio.
Sol. (a) 4.09 eV; (b) 4.09 V; (c) 1,01 1015 Hz.
1.7: Se emite un haz de fotones mediante una transicin electrnica entre los niveles
E2 = 8 eV y E1 = 2 eV. Este haz luminoso de potencia P = 10 W incide sobre un me-
tal cuyo trabajo de extraccin es e = 2,5 eV, originando la emisin de electrones por
efecto fotoelctrico con rendimiento = 0,8 (nmero de electrones emitidos/nmero
de fotones incidentes). Calcular: (a) la energa, frecuencia y cantidad de movimiento
de los fotones; (b) la energa cintica de los fotoelectrones; y (c) el nmero de ellos
que son emitidos por segundo.
Sol. (a) = 1,45 1015 Hz; (b) p = 3,2 1027 kgm/s; (c) Ec = 3,5 eV; N = 8 1012 .
Apuntes de CF FLML
1.7. Problemas propuestos 27
1.9: Se ilumina con luz de 280 nm la superficie de una aleacin metlica rodeada de
oxgeno. A medida que la superficie se oxida, el potencial de frenado cambia de 1.3
a 0.7 eV. Determinar qu cambios se producen en: (a) la energa cintica mxima de
los electrones emitidos por la superficie; (b) la funcin de trabajo; (c) la frecuencia
umbral; y (d) la constante de Planck.
Sol. (a) Ec disminuye en 0,6 eV; (b) e aumenta en 0.6 eV; (c) 0 aumenta en 1,46
1014 Hz; (d) h no vara.
1.10: Experimentalmente se observa que no todos los fotones que chocan contra la
superficie metlica son capaces de extraer un fotoelectrn. En un experimento, luz
de longitud de onda 4366 ilumina una superficie de sodio de funcin trabajo 2.5
eV dando lugar a una emisin de 8,3 103 C/J. Cuntos fotones se requieren para
emitir un fotoelectrn?.
Sol. 365 fotones.
1.14: Cul es el mayor estado que pueden alcanzar tomos no excitados de hidr-
geno cuando son bombardeados con electrones de 13.2 eV?
Sol. n = 5.
1.16: Calcular la energa, el momento lineal y la longitud de onda del fotn que es
emitido cuando un tomo de hidrgeno sufre una transicin desde el estado 3 al
estado fundamental.
Sol.: E = 12,07 eV, p = 6,44 1027 kgm/s, = 1030 .
FLML Apuntes de CF
28 Captulo 1. Fundamentos de Fsica Cuntica
1.20: Si un haz monocromtico de neutrones (mn = 1,67 1027 kg) incide sobre un
cristal de berilio cuyo espaciado entre planos atmicos es de 0,732 , cul ser el
ngulo entre el haz incidente y los planos atmicos que d lugar a un haz monocro-
mtico de neutrones de longitud de onda 0,1 ?.
Sol.: 3,9o .
1.24: La posicin de una partcula se mide al paso de sta por una ranura de anchura
d. Hallar la correspondiente incertidumbre en el momento de la partcula.
Sol. p x h/x.
1.26: Si el ancho de energa de un estado excitado de un sistema es de 1.1 eV. (a) Cul
es el promedio de duracin en ese estado?; (b) Si el nivel de energa de excitacin del
estado del sistema fuera de 1.6 keV, cul es la mnima incertidumbre en la longitud
de onda del fotn emitido cuando el estado excitado decaiga?
Sol. (b) 5 103 .
1.27: La ley de conservacin de la energa slo puede verificarse dentro de los lmites
de la incertidumbre de la medida, E. Consecuentemente esta ley podra ser violada
si el intervalo de tiempo es suficientemente corto. Durante qu mximo intervalo de
tiempo puede violarse la conservacin de la energa de un sistema en (a) el doble de la
energa correspondiente a un electrn en reposo, mc 2 (lo que corresponde a un fotn
que produce espontneamente un par electrnpositrn); (b) el doble de la energa
asociada a la masa en reposo de un protn ?.
Sol. (a) 1,27 1021 s.
Constantes: c = 3 108 m/s, 1 eV=1,6 1019 J; h = 6,6 1034 Js = 4,1 1015 eVs;
me = 9,1 1031 kg.
Apuntes de CF FLML
Captulo 2
Ecuacin de Schrdinger.
Aplicaciones
Bsicamente, lo que faltaba era una teora unificadora que diera cuen-
ta de los diversos fenmenos cunticos, a saber: dualidad onda/corps-
culo de la radiacin/materia, principio de incertidumbre, naturaleza
probabilstica de los fenmenos, etc.
Tal como ya se apunt en el Apartado 1.5.3, la descripcin de los
fenmenos cunticos se realizar a travs de una funcin de onda,
(r, t), que describe completamente el estado de un sistema dado. A
partir de esta funcin de onda se podrn obtener los valores medios
de las distintas magnitudes observables asociadas al sistema as como
la probabilidad de encontrar a las partculas en distintos puntos del
espacio. Puede, por tanto, concluirse que
29
30 Captulo 2. Ecuacin de Schrdinger. Aplicaciones
(en analoga con la expresin (C.5) del Apndice C). Para cualquier
otra magnitud, f ( x ), que sea funcin de x, su valor esperado podr
calcularse mediante
f ( x ) = f ( x ) dx . (2.5)
1 En el contexto de la Fsica Cuntica, el valor esperado es el promedio de los valores
Apuntes de CF FLML
2.1. Ecuacin de Schrdinger 31
Estados estacionarios
h 2 d2 ( x )
+ E p ( x )( x ) = E( x ) (2.7a)
2m dx2
dg(t) jE
= g(t) . (2.7b)
dt h
Es fcil comprobar que la solucin a la ecuacin (2.7b) viene dada por
la funcin
g(t) = e j( E/h)t . (2.8)
Notemos que el factor E/h tiene unidades de inverso de tiempo (o,
lo que es lo mismo, de frecuencia), por lo que la constante E tendr
unidades de h por frecuencia, es decir, julios. En consecuencia dicha
constante puede identificarse con la energa del sistema.
Es importante destacar que la situacin anterior en la que la ener-
ga potencial no dependa del tiempo da lugar a estados estacionarios,
esto es, a situaciones que no varan con el tiempo. Para comprobar es-
te hecho basta notar que, teniendo en cuenta (2.8), la funcin de onda
puede escribirse como
( x, t) = ( x )e jEt/h , (2.9)
2 Recurdese que en el marco de la Fsica Clsica, estos sistemas reciban el nombre
de sistemas conservativos, en los cuales la fuerza que acta sobre el sistema se calcula
a partir del gradiente de la energa potencial, esto es,
dE p ( x )
F(x) = .
dx
FLML Apuntes de CF
32 Captulo 2. Ecuacin de Schrdinger. Aplicaciones
|( x, t)|2 = ( x, t)( x, t)
= ( x )e+ jEt/h ( x )e jEt/h = |( x )|2 (2.10)
Para una partcula libre (esto es, una partcula sobre la que no ac-
tan fuerzas externas), la energa potencial no depende de la posicin,
pudindose tomar su valor de referencia como nulo. La ecuacin a re-
solver ser, por tanto,
h 2 d2 ( x )
= E( x ) , (2.12)
2m dx2
que puede reescribirse, al redefinir
2mE
k2 = , (2.13)
h 2
o equivalentemente
h 2 k2
E = h = , (2.14)
2m
como
d2 ( x )
+ k2 ( x ) = 0 . (2.15)
dx2
Apuntes de CF FLML
2.2. Partcula ligada. Cuantizacin 33
( x ) = Aejkx ,
E = p2 /2m ,
( x ) = 0 0>x>a. (2.18)
d2 ( x )
+ k2 ( x ) = 0 , (2.19)
dx2
siendo
2mE
k= , (2.20)
h
FLML Apuntes de CF
34 Captulo 2. Ecuacin de Schrdinger. Aplicaciones
A + B = 0, por lo que B = A .
sen ka = 0 ka = n ,
esto es,
kn = n
, n = 1, 2, 3, . . . (2.21)
a
Es interesante notar que la condicin de contorno en x = a no ha
fijado el valor de la constante C sino ms bien el de la variable k y de
aqu que los posibles valores de la energa, teniendo en cuenta (2.20),
vengan dados por
Apuntes de CF FLML
2.2. Partcula ligada. Cuantizacin 35
y(x) |y(x)|2
n=1
n=2
n=3
E JEMPLO 2.1 Calcule la longitud de onda mnima del fotn que debiera ser ab-
sorbido para que un electrn situado en el estado fundamental de un pozo mo-
nodimensional de paredes infinitas de anchura a = 2 transite hasta el tercer
estado excitado.
FLML Apuntes de CF
36 Captulo 2. Ecuacin de Schrdinger. Aplicaciones
Apuntes de CF FLML
2.2. Partcula ligada. Cuantizacin 37
( x, y, z) = X ( x )Y (y) Z (z) .
donde
h 2 2
E0 = . (2.34)
2mL2
Segn muestra la expresin (2.33), los valores de la energa mues-
tran degeneracin, esto es, existen distintos estados (o, lo que es lo mis-
mo, estados caracterizados por ternas distintas de nmeros cunticos)
que presentan el mismo valor de la energa. Para ver esto en ms de-
talle considrese la siguiente tabla:
donde podemos ver que, por ejemplo, seis estados distintos presentan
idntico valor de energa, E = 14E0 .
h 2 2 (1034 )2 10
E = 1033 J 1014 eV .
2mL2 1030 (102 )2
Este valor tan diminuto para E hace que, a efectos prcticos, poda-
mos despreciar el hecho de que el espectro de energa est cuantizado
y consideremos a la energa, E, como una variable continua ms bien
que discreta. En consecuencia, incluso en un intervalo infinitesimal de
energa, dE, existirn muchos estados distintos. En esta situacin es
conveniente introducir el concepto de funcin densidad de estados,
g( E). Esta funcin mide la densidad energtica de estados, es decir,
nmero de estados cuyos valores
g( E)dE = de energa estn comprendidos en el .
intervalo entre E y E + dE
Apuntes de CF FLML
2.3. Efecto tnel 39
1
2
1
8 Volumen esfera de radio R( E) = E
E0
N ( E) = ,
Volumen de cada cubito elemental 1
por lo que
1 4 E3/2
N ( E) = [ R( E)]3 = . (2.36)
8 3 6 E03/2
Una vez calculado N ( E), el nmero de estados comprendido entre E
y E + dE vendr dado simplemente por dN ( E) = g( E)dE, esto es,
dN = E1/2 dE , (2.37)
4Eo3/2
FLML Apuntes de CF
40 Captulo 2. Ecuacin de Schrdinger. Aplicaciones
Apuntes de CF FLML
2.4. tomos hidrogenoides 41
h 2 2 1 Ze2
= E . (2.41)
2m 40 r
Afortunadamente esta ecuacin puede resolverse de forma analtica
(sin necesidad de mtodos numricos), aunque es una tarea de cier-
ta complejidad matemtica que no ser expuesta aqu en detalle. Para
resolver (2.41) se aplicara de nuevo el mtodo de separacin de va-
riables, tal y como ya se us en la resolucin de (2.26), aunque ahora
debido a la simetra esfrica del potencial, la separacin de variables se
realiza en coordenadas esfricas, esto es, z
(r) = (r, , ) = R(r )()( ) . r
Tras laboriosos clculos matemticos se obtiene que la funcin de on-
q
da depende de tres nmeros cunticos (al igual que ocurra con la par- r y
tcula en el pozo tridimensional), que en este caso se denominan: n, l
y m l . En consecuencia, el estado del sistema, determinado por
f
n,l,ml (r, , ) , x
estar descrito por esta terna de nmeros cunticos. La resolucin de
(2.41) nos proporcionara adems el siguiente significado para estos
tres nmeros cunticos:
FLML Apuntes de CF
42 Captulo 2. Ecuacin de Schrdinger. Aplicaciones
l = 0, 1, 2, . . . , n 1 . (2.44)
Est relacionado con la parte azimutal de la funcin de on-
da, ( ).
Determina el valor del mdulo del momento angular orbital
(L), esto es, de la resolucin de (2.41) se obtiene que
L = l (l + 1) h . (2.45)
Mdulo momento angular orbital
Es interesante notar que si l 1, el valor de L coincide
con el proporcionado por el modelo de Bohr (L = nh)
ver expresin (1.15), lo que nos dice que el resultado del
modelo de Bohr era una aproximacin de L para valores
altos del nmero cuntico l.
En funcin del valor nmero de l se usa la siguiente deno-
minacin:
l 0 1 2 3 ...
s p d f ...
Nmero cuntico magntico, ml
Puede tomar los siguientes valores enteros
ml = 0, 1, 2, . . . , l . (2.46)
Est relacionado con la parte angular () de la funcin de
onda.
Determina la orientacin del momento angular L cuando se
introduce una direccin privilegiada (por ejemplo, median-
te un campo magntico B). Si esta direccin privilegiada
est dirigida, por ejemplo, segn el eje z, encontramos que
Lz = ml h . (2.47)
E p,m = ml B B , (2.48)
Apuntes de CF FLML
2.4. tomos hidrogenoides 43
B = 9,27 1024 Am .
E = En + m l B B . (2.49)
E JEMPLO 2.2 Obtenga el valor del campo magntico aplicado a un gas de hi-
drgeno si existe una variacin mnima de 120 en la raya espectral correspon-
diente a la transicin 3 2.
hc 6,6 10 34 3 108
E = = 1,2 10 8 = 5,5 10 21 J .
2 (6,57 10 7 )2
FLML Apuntes de CF
44 Captulo 2. Ecuacin de Schrdinger. Aplicaciones
E = B B ,
E 5,5 10 21
B= = = 593,8 T .
B 9,27 10 24
Apuntes de CF FLML
2.5. Tabla peridica 45
dado por
e
pm,s =
S, (2.52)
m
que es, por ejemplo, responsable del origen del campo magn-
tico natural que presentan ciertos materiales (imanes, ferritas,
etc...).
n 1 2 3 4 5
l 0 0 1 0 1 2 0 1 2 3 0 1 ...
1s 2s 2p 3s 3p 4d 4s 4p 4d 4f 5s 5p ...
FLML Apuntes de CF
46 Captulo 2. Ecuacin de Schrdinger. Aplicaciones
estado l s p d f ...
nmero mximo de electrones 2 6 10 14 ...
2
1s
2s2 2p6
3s2 3p6 3d1 0 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d1 04p6 5s2 4d1 05p6 6s2 4f1 .....
4
Apuntes de CF FLML
2.6. Problemas propuestos 47
2.2: Una partcula se mueve en lnea recta bajo la accin de un campo elctrico uni-
forme E de modo que su energa potencial es E p = E x. Escriba la ecuacin de
Schrdinger para este movimiento y discuta si est cuantizada la energa en este ca-
so.
FLML Apuntes de CF
48 Captulo 2. Ecuacin de Schrdinger. Aplicaciones
funcin de onda, , debe ser unvoca, esto es, () = ( + 2 ), demostrar que los
posibles valores para m l son: ml = 0, 1, 2, . . .
2.8: Demostrar que los niveles de energa y funciones de onda de una partcula que
se mueve en el plano XY dentro de una caja de potencial bidimensional de lados a y
b son E = ( 2 h 2 /2m)(n21 /a2 + n22 /b2 ) y = C sen(n1 x/a) sen(n2 y/b). Discutir la
degeneracin de los niveles cuando a = b. Hallar la constante de normalizacin C.
2.9: Si el problema anterior los lados de la caja son muy grandes pero iguales, de-
muestre que el nmero de estados cunticos con energas comprendidas entre E y
E + dE viene dado por (ma 2 /2h2 )dE.
2.10: Para un tomo de Hidrgeno en el estado l = 3, Cules son los valores permi-
tidos de las componentes z del momento angular y del momento magntico?.
Sol. 0, h , 2h, 3h; 0, 2m
eh , eh , 3eh .
m 2m
2.11: Dibujar un diagrama de niveles de energa para los estados 4f y 3d del hidr-
geno en presencia de un campo magntico. Mostrar que en la transicin 4f3d el
nmero de lneas espectrales es tres. Si el campo magntico es de 0,5 T, sern obser-
vables las anteriores lneas en un espectrmetro de resolucin 10 11 m?.
Sol. S ( = 8,2 1011 m).
2.14: La configuracin electrnica del azufre, Z = 16, es 1s2 2s2 p6 3s2 p4 . Escribir un
conjunto completo de nmeros cunticos para los cuatro electrones en el subnivel 3p.
2.15: Escribir la configuracin electrnica del aluminio (Al, Z = 13), calcio (Ca, Z =
20) y bromo (Br, Z = 35).
2.17: Escribir los numeros cunticos que caracterizan a los electrones desapareados
del potasio (K) y del cloro (Cl).
Sol. (4, 0, 0, 1/2), (3,1,1,1/2).
Apuntes de CF FLML
2.6. Problemas propuestos 49
2.18: (a) Cul es la configuracin electrnica del litio (Li, Z = 3)?. (b) Suponiendo
que el Li es equivalente a un tomo de hidrgeno, calcular la energa de ionizacin del
electrn de valencia 2s. (c) La energa de ionizacin determinada experimentalmente
para el Li es de 5.39 eV, cul es la carga efectiva positiva que ve el electrn?. (d)
Repetir el clculo anterior pata el potasio (K) que posee un electrn de valencia en el
subnivel 4s, siendo su energa de ionizacin 4.34 eV.
Sol. K: Z eff 2,26e.
FLML Apuntes de CF
Captulo 3
Materia Condensada
51
52 Captulo 3. Materia Condensada
Monocristal:
Presenta fuertes interacciones entre sus partculas componentes
(tomos, grupos de tomos,...), que estn casi en reposo (excepto
por pequeas oscilaciones) en un mnimo de energa potencial.
Las partculas estn dispuestas segn un orden espacial bien de-
terminado que define una estructura peridica tridimensional.
Ejemplos: mayora de metales puros, muchos compuestos ini-
cos, ...
Policristal:
Est compuesto de pequeas regiones o granulos, cada una de
las cuales con la estructura de un monocristal de tamao y orien-
tacin irregular.
Amorfos:
Aunque sus componentes estn bsicamente en reposo, stos
no presentan una estructura espacial bien definida. Ejemplo: vi-
drios, plsticos, madera, ....
Lquidos:
Sus componentes no presentan fuertes interacciones entre s por
lo que pueden moverse, dando lugar a que estas sustancias adop-
ten la forma de los recipientes que las contienen.
Gases:
Sus componentes apenas interaccionan entre s, estando dota-
dos bsicamente de energa cintica. Pueden considerarse como
un caso extremo de lquidos, presentando menos densidad que
stos.
Apuntes de CF FLML
3.2. Gas 53
3.2. Gas
PV = RT , (3.1)
FLML Apuntes de CF
54 Captulo 3. Materia Condensada
o, equivalentemente,
3
Energa cintica media de las Ec = kB T , (3.3)
partculas del gas 2
siendo
R
kB = = 1,38 1023 J/K = 8,63 105 eV/K , (3.4)
NA
la denominada constante de Boltzmann. El resultado (3.3) nos dice
que la temperatura absoluta de un gas es proporcional a la energa
cintica media de traslacin de las partculas de dicho gas. En con-
secuencia, el valor de la temperatura (en grados Kelvin) nos informa
sobre el valor de la energa cintica media de las partculas del gas.
Dado que todas las partculas del gas de nitrgeno (molculas de N2 ) son
idnticas, podemos escribir que
1 2 1
Ec = mv = mv2 .
2 2
v 2 v2 ,
1 3
mv2 = k B T ,
2 2
de donde podemos obtener el siguiente valor para la velocidad media:
3k B T 3RT
v = = , (3.5)
m M
siendo M = N A m el peso molecular del gas (peso de 1 mol de partculas).
Es interesante notar que esta velocidad es del mismo orden de magnitud que
la velocidad de propagacin del sonido en el gas (el aire contiene aproxima-
damente un 70 % de nitrgeno).
En el presente ejemplo, M = 14 g = 14 10 3 kg, por lo que
3 8,314 300
v = 731,08 m/s ,
14 10 3
que es aproximadamente el doble de la velocidad del sonido en el aire.
Apuntes de CF FLML
3.2. Gas 55
g( E)
como la funcin densidad de estados, tal que g( E)dE nos dice el
nmero de estados del sistema cuya energa est comprendida
entre E y E + dE; y
f ( E)
como la funcin de distribucin, que mide la probabilidad de
ocupacin de un estado con energa E;
FLML Apuntes de CF
56 Captulo 3. Materia Condensada
3.3. Monocristal
homogeneidad,
anisotropa.
Tal como muestra la Fig. 3.1, la red cristalina es una estructura pu-
ramente geomtrica que se forma mediante la traslacin peridica (de
periodo T) de una malla o celdilla elemental.
Una de las caractersticas esenciales de esta red cristalina es que
pone de manifiesto la importancia que tiene la disposicin geomtrica
de la estructura espacial peridica del cristal con independencia de
Apuntes de CF FLML
3.4. Estructuras reticulares 57
b b
+ T=
a
a
Celdilla
elemental
Red cristalina
FLML Apuntes de CF
58 Captulo 3. Materia Condensada
(a) (b)
F IGURA 3.4: (a) Estructura tipo diamante formada por la interpenetracin de dos re-
des cbicas centradas en las caras y desplazadas una respecto a la otra 1/4 a lo largo
de la diagonal del cubo. (b) Detalle que muestra la disposicin tetradrica de los to-
mos de las sustancias que cristalizan en esta red cristalina.
por tomos del grupo IV (C, Si, Ge, ...), o bien aqullas formadas por
tomos del grupo III y V, cristalizan en este tipo de red. Dado que la
mayora de los materiales semiconductores estn formados por tomos
de los grupos anteriores, los semiconductores suelen presentar una es-
tructura tipo diamante. Segn muestra la Fig. 3.4(a), la estructura tipo
diamante puede visualizarse como dos redes cbicas fcc interpenetra-
das y desplazadas una sobre la otra 1/4 sobre la diagonal del cubo,
dando as lugar a una disposicin tetradrica (ver Fig. 3.4b) en la que
cada tomo puede considerarse localizado en el centro de un tetrae-
dro y formando un enlace con cada uno de sus cuatro vecinos ms
prximos. Segn veremos en temas posteriores, esta disposicin te-
tradrica determina alguna de las propiedades ms caractersticas de
los semiconductores.
Apuntes de CF FLML
3.4. Estructuras reticulares 59
E JEMPLO 3.2 Calcule la densidad del silicio sabiendo que la arista de su celdilla
unidad es a = 5,43 10 8 cm y que su peso atmico es A = 28,1 g.
Dado que el Si cristaliza en una red tipo diamante que est formada por
2 redes fcc interpenetradas, el nmero de tomos por celdilla elemental ser
el doble del de una red fcc. Para la red fcc tenemos que n V = 8, n I = 0 y
n F = 6, por lo que
8 6
nc (fcc) = + 0 + = 4 .
8 2
Para el silicio tendremos, por tanto, que cada celdilla elemental tiene 8 to-
mos. Si n es el nmero de tomos por m3 , ser
por lo que
A nc
= , (3.11)
N A a3
que en nuestra caso particular ser
28,1
(Si) = 5 1022 2,3 g/cm3 .
6,02 10 21
ndice de coordinacin
FLML Apuntes de CF
60 Captulo 3. Materia Condensada
Fraccin de empaquetamiento, f c
Para una red fcc, segn vimos en el ejemplo anterior, n c = 4. En esta red,
segn muestra la figura adjunta, el plano de mayor empaquetamiento (es de-
cir, el plano donde las esferas estn ms juntas) se localiza en una cualquiera
de las caras.
En una de las caras debe cumplirse que
a2 + a2 = (4R)2 = 16R2
2a2 = 16R2 ,
de donde
1 2
R= a= a
8 4
R y por tanto
a
3
4 2
4 a
nc Vesf 3 4
f c (fcc) = 3
=
a a3
2
= 0,74
6
Apuntes de CF FLML
3.6. Problemas propuestos 61
2d sen n = n .
3.2: Sabiendo que el sodio cristaliza en una red fcc, que su densidad es 0,971 g/cm 3
y su peso atmico 23 g/mol, calcular la longitud de su celda unidad.
Sol. 4,29 .
3.3: Calcular la densidad de electrones libres en el cobre si su peso atmico vale 63.5
g/mol y su densidad es 8950 kg/m3 , suponiendo que hay un electrn por tomo.
Repetir el clculo para el oro (Au, A = 197,0, = 19,3 g/cm3 , un electrn libre por
tomo), y el zinc (Zn, A = 65,38, = 7,1 g/cm3 , dos electrones libres por tomo)
Sol.: n(Cu) = 8,48 1028 m3 , n(Zn) = 1,31 1023 cm3 .
FLML Apuntes de CF
62 Captulo 3. Materia Condensada
3.4: Calcular la distancia a entre los iones K+ y Cl en el KCl, admitiendo que cada
in ocupa un cubo de arista a. El peso molecular es 74,55 g/mol y la densidad es 1,984
g/cm3 .
Sol. a = 3,15 .
3.5: La dimension de la celda unidad del cobre fcc es de 0.36 nm. Calcular la longitud
de onda ms grande para los rayos X capaz de producir difraccin por los planos
cristalinos. Qu planos podran difractar rayos X de longitud de onda 0.50 nm?.
Apuntes de CF FLML
Captulo 4
4.1. Fenomenologa
l
R= , (4.2)
S
siendo la resistividad del material (este parmetro depende de las
caractersticas internas del materia, siendo sus unidades m), l la lon-
gitud del conductor y S su seccin. La ley de Ohm puede igualmente
expresarse como
J = E , (4.3)
donde J es el vector la densidad de corriente elctrica,
1
= (4.4)
63
64 Captulo 4. Electrones libres en metales
J = nqv a . (4.5)
= q(nn + p p ) ,
Conductores
Semiconductores
Apuntes de CF FLML
4.2. Modelo clsico del electrn libre 65
d
> 0, la conductividad aumenta al aumentar la tempera-
dT
tura. Experimentalmente se encuentra que la dependencia
de la conductividad con la temperatura es del tipo lns
= 0 e/T (4.9)
Aislantes
Dado que los dos primeros modelos tratan sobre electrones libres, el
presente tema estar dedicado a ellos, dejndose el tercer modelo para
el siguiente tema.
FLML Apuntes de CF
66 Captulo 4. Electrones libres en metales
3
Ec = k B T
2
y
1
Ec = me v2T .
2
Al igualar las dos expresiones anteriores, encontramos que
3k B T
vT = (4.10)
me
= [T 300K] 105 m/s .
Apuntes de CF FLML
4.2. Modelo clsico del electrn libre 67
ne2
J = n(e)v a = E, (4.12)
me
se encuentra que sta es proporcional al campo aplicado, justificndo-
se de este modo la expresin (4.3) para la ley de Ohm. El coeficiente de
proporcionalidad entre J y E nos proporciona la siguiente expresin
para la conductividad elctrica:
n nmero de e en 1 m3
= N A nmero de moles en 1 m3 ,
donde es el nmero de electrones de valencia (que en el caso del Cu es 1).
El nmero de moles por m3 , , puede calcularse como
masa de 1 m3 (gr/m3 )
= = .
masa de 1 mol A
Para la densidad de electrones en el Cu obtenemos entonces que
9 106
n = 1 6,023 10 23 8,47 10 28 m3 ,
64
por lo que la velocidad de arrastre ser
0,1
va = 7,4 m/s .
8,47 10 28 1,6 10 19 106
FLML Apuntes de CF
68 Captulo 4. Electrones libres en metales
L0 L
= = 0 , (4.14)
vT 3k B
T
me
ne2 L0
= T 1/2 . (4.15)
3k B me
Apuntes de CF FLML
4.3. Modelo cuntico del electrn libre 69
FLML Apuntes de CF
70 Captulo 4. Electrones libres en metales
Apuntes de CF FLML
4.3. Modelo cuntico del electrn libre 71
donde T=0K
|E E F | 4k B T ,
puesto que fuera de esa regin f FD ( E) toma valores muy prximos a T >0K
0 o bien a 1. Teniendo en cuenta el hecho de que la energa de Fermi EF E
para la mayora de los conductores y semiconductores a temperatura
ambiente se encuentra que es 1eV < E F < 8eV y que
k B T (300 K) 0,025 eV , (4.22)
podemos observar que la funcin f FD ( E) slo mostrar cambios apre- T=3000K
ciables (respecto a su comportamiento para T = 0 K) para tempera- kBT-EF
turas muy altas, T 3000 K. Esto implicar que en muchos casos de
inters prctico (por ejemplo, a temperatura ambiente), en vez de usar EF
la expresin complicada (4.19) puede usarse directamente la funcin
escaln (4.21). dN
dE
Bajo las condiciones anteriores, la distribucin de portadores de
carga con respecto a la energa, dN/dE, muestra entonces que a T > T=0K
0 K existen pocos electrones con energas mayores que E F . Esto quie-
re decir que a temperatura ambiente y similares, la distribucin de T >0K
energa es bsicamente la misma que la que se encuentra a T = 0 K.
Fsicamente, esto implica que un aumento moderado de la tempera- E
tura respecto a T = 0 K tiene muy poco efecto en el gas cuntico de
electrones.
FLML Apuntes de CF
72 Captulo 4. Electrones libres en metales
es decir,
N ( EF ) = nV . (4.25)
Apuntes de CF FLML
4.3. Modelo cuntico del electrn libre 73
3 3
k B TgF = EF
2 5
encontramos que
2EF
TgF = .
5k B
Puede comprobarse que esta temperatura es del orden de 10 4 K, lo que
explicara porqu un aumento de la temperatura del gas de Fermi ape-
nas variar su energa promedio y por tanto el valor del calor espec-
fico de este gas es tan bajo (con respecto al predicho por el modelo de
Drude, en el cual un aumento de la temperatura del gas s tiene un
efecto muy apreciable sobre el valor de la energa promedio).
FLML Apuntes de CF
74 Captulo 4. Electrones libres en metales
L0 T 1 , (4.29)
4.1: Para un hilo de cobre cuya rea transversal es 5 mm2 : a) cul debera ser la
intensidad de corriente que lo recorriese para que la velocidad de arrastre de los elec-
trones fuese igual a la velocidad trmica a temperatura ambiente?; b) discuta si se
seguira cumpliendo en las anteriores condiciones la ley de Ohm.
4.2: Usando para el cobre los siguientes valores: a = 3,7 y v(300 K) = 1,08
105 m/s, calcular la resistividad a T = 300, 200 y 100 K.
Sol. (300 K) = 1,22 107 m; (200 K) = 9,96 108 m; (100 K) =
7,05 108 m.
Apuntes de CF FLML
4.4. Problemas propuestos 75
4.4: Estimar la fraccin de electrones libres en el cobre que estn excitados a tempe-
ratura ambiente. EF (Cu)=6.95 eV.
Sol.: 1 %.
4.6: Considere un sistema con N partculas que nicamente dispone de dos estados
de energa accesibles: E1 = E y E2 = E. Si la probabilidad de ocupacin de un nivel
de energa a temperatura T viene dada por la distribucin de Maxwell-Boltzmann
f = e E/( k B T) , calcule a) la proporcin de partculas, N1 /N2 , en los niveles E1 y E2 ,
b) la cantidad de partculas en cada nivel de energa y c) la energa total del sistema
U.
Sol.: a) N1 /N2 = e2E/kT ; b) como N = N1 + N2 , N1 /N = 1/(1 + e2E/kT ),
N2 /N = e2E/kT /(1 + e2E/kT ); c) U = N1 E1 + N2 E2 = NE tanh ( E/kT ).
4.8: A una temperatura de 300 K (EF = 5,1eV): (a) cul es la probabilidad de que un
estado est ocupado para energas de 5 y 6 eV?; (b) a qu temperatura la probabilidad
de ocupacin del estado de energa E = 5,2eV es de 0.1?
Sol.: (a) 0.979, 7,08 1016 ; (b) T = 528 K.
4.9: Sabiendo que la energa de Fermi para el cobre es de 7.0 eV, determnese a
1000 K : (a) la energa a la que la probabilidad, f F ( E), del estado que ocupar un
electrn de conduccin sea de 0.9; (b) la funcin distribucin de estados o densidad
de estados, g( E), por unidad de volumen; y (c) la funcin de distribucin de partcu-
las dn( E) = g( E) f FD ( E).
Sol.: 6.81 eV; 1,79 1028 m3 eV1 ; 1,6 1028 m3 eV1 .
4.11: El magnesio es un metal bivalente con un peso atmico de 24.32 g/mol y una
densidad de 1.74 g/cm3 . (a) Cul es la densidad de electrones libres?; (b) Cul es
la energa de Fermi?; y (c) Cul es la longitud de onda de De Broglie de los electrones
en el nivel de energa de Fermi?.
Sol.: (a) 8,4 1028 m3 ; (b) EF = 7,07 eV; (c) = 4,62 .
4.13: Si admitimos que, segn la teora cuntica del electrn libre, la energa media
de un electrn el cobre viene dada por
2 kB T
E = 35 EF + k T,
4 EF B
FLML Apuntes de CF
76 Captulo 4. Electrones libres en metales
calcule dicha energa a temperatura ambiente (EF = 7,03 eV) y compare el anterior
valor con la energa media a T = 0 K y con el valor clsico 3k B T/2.
Sol.: E(300 K) = 4,2182 eV, E(0 K) = 4,2180 eV, 3kB T/2 = 3,88 102 eV.
2EF 1/2
4.14: Si consideramos a la velocidad de Fermi, definida como v F = , como
me
aquella que adquieren los electrones de conduccin en el gas de Fermi, calcule el
recorrido libre medio, l, de los electrones en el oro sabiendo que E F = 5,53 eV y =
2,04 cm. Compare este valor con la distancia promedio entre tomos y discuta el
resultado.
Sol. l= 414 .
4.15: Calcule la energa de Fermi (el valor de la energa del ltimo estado lleno a
T = 0 K) para un conductor monodimensional que consta de 23 electrones en un
pozo de potencial monodimensional de paredes infinitas y anchura 6 . Tenga en
cuenta que el principio de exclusin prohbe la existencia de ms de dos electrones en
el mismo estado cuntico.
Sol. E F = 149, 4 eV.
Apuntes de CF FLML
Captulo 5
77
78 Captulo 5. Electrones en una red peridica
Ep a
r
e2
Ep=-K r
(a) (b)
F IGURA 5.1: (a) Energa potencial (o, simplemente, potencial) debida a la interaccin
culombiana de un electrn con un ion positivo. (b) Potencial de un electrn en una
red monodimensional de iones positivos.
Esta tarea fue llevada a cabo por Bloch, quien encontr que la funcin
de onda de un electrn en la red peridica monodimensional deba
ser del tipo
( x ) = uk ( x )e jkx (5.3)
con
uk ( x ) = uk ( x + a) ,
que puede verse como la funcin de onda del electrn libre (e jkx )
modulada por una funcin uk ( x ) que presenta la misma periodicidad
que la red.
Operando con este tipo de funciones de onda encontraramos que
los niveles de energa del slido se agrupan en bandas de energa,
segn nos muestra la relacin E k en la Figura 5.2(a). La energa
F IGURA 5.2: (a) Relacin de dispersin E k para un electrn que se mueve en una
red peridica monodimensional de periodo a. (b) Diagrama simplificado de bandas
de energas permitidas y prohibidas.
Apuntes de CF FLML
5.1.
Modelo cuntico del electrn ligado 79
a) b)
E1 E2
F IGURA 5.3: Funcin de onda asociada con (a) estado fundamental y (b) primer estado
excitado de una partcula en un pozo de potencial finito.
Para el caso del pozo doble de potencial finito (Fig. 5.4a), un elec-
trn en el estado fundamental que est el pozo 1 tendr una funcin
FLML Apuntes de CF
80 Captulo 5. Electrones en una red peridica
F IGURA 5.4: (a) Pozo doble finito monodimensional. (b) Funcin de onda asociada
de un electrn que est en el pozo 1 en el estado fundamental. (c) Funcin de onda
asociada de un electrn que est en el pozo 2 en el estado fundamental. (d) Funcin
de onda simtrica que representa a un electrn que puede estar con igual probabi-
lidad en ambos pozos. (e) Densidad de probabilidad asociada con el caso anterior.
(f) Funcin de onda antisimtrica que representa a un electrn que puede estar con
igual probabilidad en ambos pozos. (g) Densidad de probabilidad asociada con el
caso anterior.
Apuntes de CF FLML
5.1.
Modelo cuntico del electrn ligado 81
yS yA
|yA|
2
|yS|2 ES=EA
F IGURA 5.5: Forma de las funciones de onda simtrica y antisimtrica cuando los
pozos de potencial finito se aproximan.
que la funcin de onda simtrica, S , presenta para este caso una for-
ma similar a la funcin de onda correspondiente al estado fundamen-
tal del pozo simple finito de anchura doble (Fig. 5.3a) y, anlogamente,
la funcin de onda antisimtrica, A , es similar a la funcin de onda
del primer estado excitado del pozo simple finito de anchura doble
(Fig. 5.3b). Dado que las funciones del pozo simple correspondan a
diferentes niveles de energa, puede concluirse que
FLML Apuntes de CF
82 Captulo 5. Electrones en una red peridica
a E
E2 E2
E1
E1 a distancia
interatmica
F IGURA 5.6: Modificacin de los niveles energticos asociados a los electrones exter-
nos de un sistema de 2 tomos
Apuntes de CF FLML
5.1.
Modelo cuntico del electrn ligado 83
a E
E2 E2
E1
E1
a distancia
interatmica
F IGURA 5.7: Modificacin de los niveles energticos asociados a los electrones exter-
nos de un sistema monodimensional de N tomos
E
3s
2N 3s
E
2p 2p
6N
2N 2s 2s
Banda 1s 1s
2N
FLML Apuntes de CF
84 Captulo 5. Electrones en una red peridica
Apuntes de CF FLML
5.2. Aislantes, Semiconductores y Conductores 85
T=0 K BC
Eg BC
BV BV BV (BC)
F IGURA 5.9: Situacin de las bandas energticas ms externas para Aislante, Semi-
conductor y Conductor
FLML Apuntes de CF
86 Captulo 5. Electrones en una red peridica
Apuntes de CF FLML
5.3. Masa efectiva 87
Esta expresin nos clarifica que en aquellos casos en los que existan
fuerzas internas no existir una relacin trivial entre la aceleracin y
las fuerzas externas dado que ser precisamente la masa efectiva (m )
la que recoger el efecto global de las fuerzas internas.
Electrn libre
Electrn ligado
FLML Apuntes de CF
88 Captulo 5. Electrones en una red peridica
Parte cuntica.
El movimiento del electrn se supone que est regido por las
caractersticas de propagacin de su funcin de onda asociada.
En este sentido, la velocidad del electrn, v, vendr dada por la
velocidad de grupo de la onda,
d
vg = .
dk
Dado que = E(k)/h y v vg , la velocidad puede expresarse
como
1 dE
v(k) = . (5.10)
h dk
Parte clsica.
Suponemos que el campo elctrico aplicado da lugar a fuerzas
ordinarias clsicas, de modo que podremos usar la ecuaciones
de movimiento de la Fsica Clsica. En este sentido, si la fuerza
externa realiza un trabajo diferencial, dW, sobre la partcula, la
energa de dicha partcula se incrementar en la misma cantidad:
dE = dW. Para el presente caso tendremos entonces que
dE = dW
dx
= Fext dx = eE dx = eE dt = eE vdt (5.11)
dt
y, por tanto, el incremento de energa en el tiempo puede expre-
sarse como
dE
= eE v . (5.12)
dt
eE dv
a= ,
h dk
que puede reescribirse al sustituir el valor de v(k) dado por (5.10) co-
mo
eE 1 d2 E
a= (5.14)
h h dk2
Apuntes de CF FLML
5.3. Masa efectiva 89
o, equivalentemente,
eE
a= 1 . (5.15)
2
1 d E
h 2 dk2
Comparando ahora la expresin (5.15) encontrada para la aceleracin
de un electrn ligado con la expresin (5.5) podemos concluir que
FLML Apuntes de CF
90 Captulo 5. Electrones en una red peridica
5.4. Huecos
Apuntes de CF FLML
5.4. Huecos 91
Jresto = Jllena Ji = Ji ,
Ji = evi
vi = ai i ,
encontramos que
Jresto = eai i . (5.17)
FLML Apuntes de CF
92 Captulo 5. Electrones en una red peridica
J = Jn + J p . (5.19)
5.2: Para una banda de energa que puede ser aproximada mediante la expresin
E(k) = E0 [1 exp(2a2 k2 )]
Apuntes de CF FLML
5.5. Problemas propuestos 93
FLML Apuntes de CF
Captulo 6
Bandas de Energa en
Semiconductores
6.1. Introduccin
95
96 Captulo 6. Bandas de Energa en Semiconductores
Microelectrnica.
Prcticamente todos los elementos usados en Electrnica pue-
den realizarse usando materiales semiconductores de distinto
tipo (por ejemplo: resistencias, diodos, transistores, puertas l-
gicas, etc) y, por tanto, pueden ser integrados conjuntamente en
un mismo chip.
Comunicaciones.
Los circuitos usados en los sistemas de comunicacin (circuitos
de baja y alta frecuencia) se realizan actualmente sobre substra-
tos semiconductores.
Optoelectrnica.
Dada la posibilidad de interaccin de los semiconductores con
la luz, muchos de los dispositivos pticos y optoelectrnicos se
realizan sobre la base de materiales semiconductores, por ejem-
plo: LED, lser de inyeccin, clulas fotovoltaicas, etc.
BC
Generacin/recombinacin trmica de pares e /h+ .
Debido a los aportes energticos de origen trmico (T > 0 K)
existe cierta probabilidad de que, fruto de la excitacin trmica,
algunos electrones de BV pasen a la BC a travs de la BP, gene-
rando as pares de e /h+ .
BV
Apuntes de CF FLML
6.2. Generacin y recombinacin de electrones y huecos 97
T RANSICIONES D IRECTAS.
Este tipo de transiciones se da cuando el mnimo de la BC
coincide, para el mismo valor de k (usualmente k = 0), con
el mximo de la BV. Este hecho permite que pueda darse la
mnima transicin energtica entre las dos bandas sin que
haya un cambio en el momento lineal (debido a que k no
vara). En este tipo de transiciones se absorbe un fotn si-
multneamente a la transicin electrnica entre bandas.
T RANSICIONES I NDIRECTAS.
En este caso, la forma de las bandas es tal que el mnimo
de la BC y el mximo de la BV no ocurren para el mismo
valor de k. Este hecho implica que una transicin electrni-
ca entre BV y BC debe llevar aparejado un proceso que d
cuenta del cambio de momento lineal necesario. En la prc-
tica esto implica que el electrn debe primero realizar una
transicin haca otro estado (usualmente un estado energ-
tico provocado por la presencia de algn defecto en la red)
y desde ah realizar la transicin entre bandas sin intercam-
bio de momento. En otras muchas transiciones indirectas,
el proceso de cambio de momento suele deberse a un inter-
cambio de calor con la red.
Adicin de impurezas.
Si se aaden tomos de elementos que no estn en la columna IV
(usualmente llamados impurezas substitutorias), se produce un Cuando se aaden impurezas NO
incremento de la concentracin de electrones en BC y/o huecos se generan directamente pares
en BV. La seleccin del tipo de impureza que se aade provocar de e /h+ sino e o h+
un aumento considerable del nmero de e o bien de h+ . Es in-
teresante notar que este proceso de generacin, al contrario que
los anteriores, no genera pares de e /h+ sino que slo genera un
tipo de portadores.
FLML Apuntes de CF
98 Captulo 6. Bandas de Energa en Semiconductores
A T = 0 K.
Dado que la estructura reticular tpica de los semiconductores
es la estructura tipo diamante (ver Apartado 3.4), cada uno de los
tomos del cristal aparece rodeado de cuatro vecinos prximos
de manera que forma un doble enlace covalente con cada uno de
ellos (cada tomo proporciona cuatro electrones) para obtener
la configuracin del octete. Esta configuracin no deja ningn
electrn fuera de los enlaces covalentes, por lo que el material se
BC comporta como un aislante.
Desde el punto de vista del modelo de bandas, la anterior con-
figuracin se traduce en la presencia de una Banda de Valencia
completamente llena y una Banda de Conduccin completamen-
BV te vaca separadas por una banda prohibida de anchura Eg .
Apuntes de CF FLML
6.3. Semiconductores Intrnsecos 99
A T > 0 K.
Debido a la agitacin trmica, existe cierta probabilidad de que
alguno de los enlaces covalentes del cristal pueda romperse dan-
do lugar a un electrn que no est localizado en las inmediacio-
nes de un tomo particular (est deslocalizado y extendido por
e- h
+
la red por lo puede funcionar como un portador de carga para
conducir una corriente a travs del cristal). A su vez, queda un
enlace roto que puede ser ocupado por alguno de los electrones
adyacentes provocando de esta manera otro posible movimien-
to adicional de cargas que puede identificarse con la aparicin
de un hueco1 .
BC
Desde el punto de vista del modelo de bandas, la aparicin del
par e /h+ es simplemente fruto de la posible transicin trmica
de un electrn de BV a BC.
dra tambin considerarse teniendo en cuenta que, en dicha red, un tomo con un
enlace roto puede verse como un tomo normal ms un par e /h+ . Para visuali-
zar esto, consideremos que cada tomo de la red contribuye a los enlaces con cuatro
de sus electrones y, en este sentido, caractericemos cada tomo por sus cuatro electro-
nes de valencia junto con sus correspondientes cuatro protones que den cuenta de la
neutralidad de la carga en el tomo. En este sentido, un tomo normal ms un par
e /h+ , tras la posible recombinacin de uno de los electrones ligados al tomo con
el hueco, sera equivalente al tomo con uno de sus enlaces rotos.
4 4 4
e- y h+ que
tomo normal + tomo con un
se recombinan
par e- / h+ enlace roto
FLML Apuntes de CF
100 Captulo 6. Bandas de Energa en Semiconductores
1
f n ( E) = . (6.4)
E EF
exp +1
EF E
kB T
Apuntes de CF FLML
6.3. Semiconductores Intrnsecos 101
E
EF
E
g(E)
F IGURA 6.1: Funcin densidad de estados para electrones libres en un metal.
FLML Apuntes de CF
102 Captulo 6. Bandas de Energa en Semiconductores
(2me )3/2
gn ( E ) = ( E EC )1/2 (6.6)
2h3 2
BC
EC EC
BV
gn(E)
(2mh )3/2
g p ( E) = ( EV E)1/2 , (6.7)
2h3 2
BC
EV
BV
gp(E)
Apuntes de CF FLML
6.3. Semiconductores Intrnsecos 103
dn ( E EC )1/2
= gn ( E ) f n ( E ) = C n , (6.8)
dE E EF
exp +1
kB T
BC
EC
EF
EV
BV
gn(E) fn(E) dn/dE
dp ( EV E)1/2
= g p ( E) f p ( E) = C p . (6.9)
dE EF E
exp +1
kB T
E
BC
EC
EF
EV
BV
FLML Apuntes de CF
104 Captulo 6. Bandas de Energa en Semiconductores
E
EF e
BC e
EF
BV h+
AISLANTE
BC e
EF
BV h+
SEMICONDUCTOR
Apuntes de CF FLML
6.4. Semiconductores Extrnsecos 105
FLML Apuntes de CF
106 Captulo 6. Bandas de Energa en Semiconductores
4 4 3
e- y h+ que
tomo Si + tomo Al
se recombinan
carga neg. fija + h+
F IGURA 6.6:
Si Al
6.4.2. Semiconductor tipo p
Apuntes de CF FLML
6.4. Semiconductores Extrnsecos 107
p>>n
EC
e- portadores minoritarios
EA h+ portadores mayoritarios
EV
FLML Apuntes de CF
108 Captulo 6. Bandas de Energa en Semiconductores
BC
e
EF
h+
BV
Semic. Intrnseco
BC
e
EF
h+
BV
Semic. tipo n
BC
e
EF
+
h
BV
Semic. tipo p
6.1: Las bandas prohibidas para el Si y el Ge son respectivamente 1.1 eV y 0.7 eV.
Calcular la frecuencia mnima que debe tener una radiacin electromagntica para
poder producir conductividad en estos semiconductores.
Sol. Si = 2,66 1014 Hz. Ge = 1,69 1014 Hz.
Apuntes de CF FLML
6.5. Problemas propuestos 109
que puede producir una radiacin de 1.5 MeV?; b) si la resolucin del detector es
de 4 103 pares e/h, cul es la resolucin de la energa ptima del detector?
Sol. (a) N = 2,238 106 , (b) E = 2,68 103 eV.
6.3: La luz visible del espectro est compuesta por fotones con longitudes de onda
comprendidas entre 4000 y 7000 (equivalente a energas entre 1.8 y 3.1 eV). Para
el diamante el ancho de la BP es de 6 eV. Explicar por qu el diamante es transparente.
Asimismo, explicar por qu el Si cuya BP es de 1.1 eV es transparente al infrarrojo (IR)
de frecuencia comprendida entre 1012 y 1014 Hz y no lo es a la radiacin visible.
6.5: El GaAs es un semiconductor con una banda prohibida (BP), Eg = 1,43 eV. Den-
tro de esta BP aparecen niveles de energa debidos a impurezas. Medidos respecto a
la BV estos niveles estn a 0.05 eV para el Al y 1.38 para el P. Cul de estas impurezas
acta como donadora y cul como aceptora?. Razone la respuesta.
FLML Apuntes de CF
Captulo 7
Portadores de carga en
Semiconductores
7.1. Introduccin
= e(nn + p p ) , (7.1)
111
112 Captulo 7. Portadores de carga en Semiconductores
tiene que
ne2 n
Jn = E
me
(donde se ha usado la masa efectiva en vez de la masa en reposo), por
lo que
ne2 n
n = ,
me
y dado que n = enn , encontramos finalmente que
en
n = . (7.2)
me
Apuntes de CF FLML
7.2. Concentracin de electrones y huecos 113
FLML Apuntes de CF
114 Captulo 7. Portadores de carga en Semiconductores
Esta ley conocida como ley de accin de masas muestra que el pro-
ducto de la concentracin de electrones en BC por huecos en BV para
cualquier semiconductor es siempre igual al cuadrado de la concen-
tracin intrnseca de electrones y/o huecos.
Apuntes de CF FLML
7.2. Concentracin de electrones y huecos 115
FLML Apuntes de CF
116 Captulo 7. Portadores de carga en Semiconductores
n + NA = p + ND . (7.18)
Esta ley junto con la ley de accin de masas (7.15) nos permitir cal-
cular las concentraciones de e y h+ en funcin de las concentraciones
Apuntes de CF FLML
7.3. Compensacin y Neutralidad de la carga
espacial 117
n2i
n + NA = + ND n2 ( ND NA )n n2i = 0 .
n
Al despejar en la ecuacin anterior encontramos finalmente que
ND NA ND NA 2
n = + + n2i (7.19)
2 2
n2i
p = . (7.20)
n
Semiconductor tipo n
Si se cumple estrictamente que N A = 0, la ecuacin de neutrali-
dad de la carga dice que
n = p + ND .
n ND (7.21)
n2i
p . (7.22)
ND
Semiconductor tipo p
Si en este caso ND = 0, la ecuacin de neutralidad de la carga
queda como
n + NA = p .
Suponiendo de nuevo que la generacin de huecos por excita-
cin trmica puede despreciarse frente a la generacin de hue-
cos debido a la ionizacin de las impurezas aceptoras, esto es,
cuando
NA n i ,
FLML Apuntes de CF
118 Captulo 7. Portadores de carga en Semiconductores
Semiconductor intrnseco
Apuntes de CF FLML
7.3. Compensacin y Neutralidad de la carga
espacial 119
Semiconductores extrnsecos
Semiconductor tipo n
Dado que en este caso n p, la expresin (7.25) nos dice que
la posicin del nivel de Fermi se desplazar claramente hacia el
borde inferior de BC (tal y como ya se predijo anteriormente de
una forma cualitativa). Una expresin til para el clculo de EF
se obtiene al combinar las ecuaciones (7.7) y (7.21),
EC E F
ND = NC exp ,
kB T
y despejar E F , de donde
Posicin del nivel de Fermi en un
NC semiconductor extrnseco tipo n
EF = EC kT ln . (7.27)
ND
FLML Apuntes de CF
120 Captulo 7. Portadores de carga en Semiconductores
EF
EC Semiconductor tipo p
Segn la expresin (7.25), para un semiconductor tipo p (p n),
la posicin del nivel de Fermi se desplaza hacia el borde superior
A B C
Ei de BV. De forma aproximada, se puede calcular E F sustituyendo
(7.23) en la expresin (7.9)
EA
EV EF EV
T NA = NV exp
kB T
y despejando de aqu E F para obtener
E JEMPLO 7.4 Para el problema del Ejemplo 7.3, calcular la posicin del nivel de
Fermi a temperatura ambiente.
NV 5,95 10 24
EF EV = kT ln = 0,025 ln = 0,33 eV.
NA 1019
= en ,
= e(nn + p p ) ,
1 Recurdese que en un metal n apenas variaba con T dado que el cambio de la
Apuntes de CF FLML
7.4. Conductividad elctrica en semiconductores 121
Semiconductor Intrnseco
Dado que en este caso n = p n i , (7.1) puede reescribirse como
= e( n + p ) n i . (7.29)
Semiconductor Extrnseco
El estudio de la conductividad elctrica en los semiconductores
extrnsecos es ms complicada que en los intrnsecos, por lo que
no abordaremos su estudio. No obstante, podemos resaltar que
ese estudio nos dara la dependencia que muestra la figura ad-
junta para el ln con el inverso de la temperatura, 1/T. Dado
que los semiconductores extrnsecos se comportan como los in-
trnsecos a altas temperaturas, la figura muestra a temperaturas
altas (parte izquierda de la grfica) la misma pendiente que para
el caso intrnseco. A temperaturas no tan altas, ln muestra el
mismo tipo de comportamiento aunque con otra pendiente.
FLML Apuntes de CF
122 Captulo 7. Portadores de carga en Semiconductores
J p,arr = e p pE (7.31a)
Jn,arr = en nE . (7.31b)
Apuntes de CF FLML
7.5. Corrientes de Arrastre y Difusin 123
d ( x )
= 0 ,
dx
podemos decir que el proceso de difusin ocurre mientras exista un
gradiente de concentracin (en una dimensin, el gradiente de una fun-
cin f ( x ) es precisamente su derivada respecto a x). En este sentido
podemos establecer que el flujo de partculas (nmero de partculas
por unidad de rea) por unidad de tiempo en la posicin x, ( x ), ser
proporcional al gradiente de la concentracin,
d ( x )
( x ) ,
dx
lo que nos permite escribir que
d ( x )
( x ) = D , (7.32)
dx
donde D es el coeficiente de difusin caracterstico de cada tipo de pro-
ceso. El signo menos en la expresin anterior se aade para indicar
que el movimiento de las partculas se producir desde donde hay
ms concentracin hasta donde hay menos, es decir, en el sentido de-
creciente de la concentracin.
FLML Apuntes de CF
124 Captulo 7. Portadores de carga en Semiconductores
dp( x )
p ( x) = D p (7.33a)
dx
dn( x )
n ( x ) = Dn , (7.33b)
dx
siendo Dn y D p los coeficientes de difusin para e y h+ respectiva-
mente. La densidad de corriente de difusin para electrones y huecos
se obtendr simplemente multiplicando la carga por el flujo de difu-
sin de partculas por unidad de tiempo, por lo que
dp( x ) dp( x )
J p,dif ( x ) = (+e) D p = eD p (7.34a)
Movimiento corriente dx dx
p(x)
dn( x ) dn( x )
Jn,dif ( x ) = (e) Dn = eDn . (7.34b)
dx dx
n(x)
Electrones y huecos se mueven en el mismo sentido si sus respectivas
concentraciones varan del mismo modo. En este caso, sus corrientes
de difusin resultan en sentidos opuestos.
dp( x )
J p ( x ) = J p,arr ( x ) + J p,dif ( x ) = e p p( x )E ( x ) eD p (7.35)
dx
dn( x )
Jn ( x ) = Jn,arr ( x ) + Jn,dif ( x ) = en n( x )E ( x ) + eDn . (7.36)
dx
Apuntes de CF FLML
7.5. Corrientes de Arrastre y Difusin 125
E(x)
MOVIMIENTO CORRIENTE
n(x) ARRASTRE
p(x)
DIFUSIN
F IGURA 7.1: Sentido de las corrientes de difusin y de arrastre para electrones y hue-
cos.
FLML Apuntes de CF
126 Captulo 7. Portadores de carga en Semiconductores
I=0
Por ejemplo si consideramos el caso de un semiconductor tipo p
A dopado inhomogneamente, p = p( x ) (en la figura se representan
los portadores de carga mviles), es claro que inicialmente existir una
Jp=Jp,d fi+Jp,arr corriente de difusin de huecos debido a la existencia de un gradien-
te no nulo en la concentracin de huecos, J p,dif = 0. Dado que en el
Jp,d fi equilibrio la corriente total de huecos es nula, esta corriente de difu-
sin de huecos debe verse compensada por una corriente de arrastre
Ei
de huecos en sentido contrario. Claramente, esta corriente de arrastre
debe estar originada por la aparicin de un campo elctrico interno, E i ,
que sea responsable de la creacin de dicha corriente.
Tal como se ha discutido en al Apartado 7.5.2, el origen de este
campo elctrico interno puede entenderse partiendo del hecho de que
la muestra era originalmente neutra. Podemos ver que existen dos ten-
dencias contrapuestas en el semiconductor dopado no uniformemen-
te. Por una parte existe una tendencia hacia la inhomogeneidad de los
portadores libres debido a la atraccin elctrica de las impurezas ioniza-
das que, buscando la neutralidad local de la carga, tiende a igualar la
distribucin de impurezas ionizadas con la de portadores libres. Por
otra parte, a causa de la difusin (que solo afecta a las cargas mvi-
les), existe una tendencia a la homogenizacin de la concentracin de
portadores. Ambas tendencias tienden a contrarrestarse, dando lugar
a una distribucin final de portadores intermedia entre la distribucin
inicial de impurezas y la homogenizacin total. En este sentido, el pro-
ceso de difusin genera un movimiento neto de los portadores de car-
ga que provoca la aparicin de una densidad de carga neta, ( x ), en
la muestra. A su vez, la aparicin de esta densidad de carga neta da-
r lugar a un campo electrosttico y, consecuentemente, a un potencial
electrosttico, V ( x ), que estar relacionado con la densidad de carga,
( x ), mediante la siguiente ecuacin:
d2 V ( x ) ( x )
= , (7.39)
dx 2
denominada ecuacin de Poisson.
Teniendo en cuenta que
dp( x )
J p ( x ) = e p p( x )E i ( x ) D p =0,
dx
podemos obtener, tras despejar, la siguiente expresin para el campo
elctrico interno:
D p 1 dp( x ) k T 1 dp( x ) k T d
Ei = = B = B lnp( x ) . (7.40)
p p( x ) dx e p( x ) dx e dx
2 Nteseque si la corriente fuese distinta de cero se estara generando energa de
la nada dado que al paso de la corriente hay resistencia.
Apuntes de CF FLML
7.5. Corrientes de Arrastre y Difusin 127
dV ( x )
Ei = ,
dx
y por tanto (7.40) puede reescribirse como
dV ( x ) k T d
= B lnp( x ) . (7.41) 1 2
dx e dx
Si integramos la ecuacin anterior entre dos puntos arbitrarios, 1 y 2, Jp,dif(x)
Jp,arr
2
kB T 2 Ei(x)
dV = d lnp ,
1 e 1
FLML Apuntes de CF
128 Captulo 7. Portadores de carga en Semiconductores
E JEMPLO 7.6 Una muestra de Si es dopada con tomos donadores de tal ma-
nera que Nd ( x ) = N0 exp( ax ). (a) Encuentre una expresin para el campo
interno supuesto que Nd ni . (b) Calcule el valor del campo si a = 1 (m) 1 .
kB T d
Ei = ln n( x ) ,
e dx
que en nuestro caso, admitiendo que n( x ) Nd ( x ), se convierte en
kB T
Ei = a.
e
Equilibrio estadstico
Cuando el efecto combinado de la accin/reaccin produzca una
situacin en la que las variables del sistema slo muestren pe-
queas fluctuaciones en torno a un valor medio fijo en el tiempo.
Equilibrio trmico
Cuando no se ejerce accin externa sobre el sistema, salvo el efec-
to de la temperatura.
Apuntes de CF FLML
7.6. Velocidad de generacin y recombinacin 129
Desequilibrio estacionario
Existe accin externa pero tras cierto tiempo de transicin (usual-
mente muy pequeo) se alcanza una situacin en la que las va-
riables del sistema permanecen constantes en el tiempo.
No equilibrio
Cuando las variables del sistema varan con el tiempo.
FLML Apuntes de CF
130 Captulo 7. Portadores de carga en Semiconductores
escribir que
n Concentracin de portadores
n0 Concent. portad. en equilibrio n = n0 + n (7.49a)
n Concent. de port. en exceso
p = p0 + p . (7.49b)
U = r ( p0 n + n0 p + np) . (7.50)
n(t) = p(t) .
Apuntes de CF FLML
7.7. Ecuacin de continuidad 131
p p
= + Gext U [= R Gint ]
t t transp
incremento neto diferencia entre el nmero de h + nmero de h +
del nmero de = nmero de h + + generados en dV recombinados en dV
huecos por unidad entrando y saliendo en la unidad de tpo. en la unidad de tpo
de tiempo en dV de dV en unidad tpo. debido a accin ext.
velocidad de gener. velocidad de recomb.
h+ en dV debido neta de h+ en dV
a acciones externas
FLML Apuntes de CF
132 Captulo 7. Portadores de carga en Semiconductores
n( x, t) 1 Jn n
= + Gn,ext . (7.55)
t e x n
Apuntes de CF FLML
7.7. Ecuacin de continuidad 133
( p0 + p) p
J p J dif
p = eD p = eD p . (7.56)
x x
Al sustituir la expresin anterior en la ecuacin de continuidad (7.54)
obtenemos la siguiente ecuacin de difusin de minoritarios (en este
caso, huecos):
p 2 p p
= Dp 2 (7.57) Ecuacin de difusin para huecos
t x p
p( x ) = Aex/L p + Be x/L p .
p( x = 0) p = B ,
FLML Apuntes de CF
134 Captulo 7. Portadores de carga en Semiconductores
p(x)
p( x ) = p0 + p e x/L p . (7.60)
7.2: Supngase que la masa efectiva de los huecos en un material es cuatro veces la
de los electrones. A que temperatura el nivel de Fermi estar un 10 % por encima del
punto medio de la banda prohibida. Eg = 1 eV.
Sol. T = 557, 6 K
7.3: La anchura de la banda prohibida para el Ge es Eg = 0,67 eV. Las masas efectivas
de electrones y huecos son respectivamente m e = 0,12me y m h = 0,23me (me es la
masa del electrn libre). Calcular a 300 K: a)la energa de Fermi; b) la densidad de
electrones; y c) la densidad de huecos.
Sol. (a) E F = EV + 0,3476 eV; (b) n = ni = 4,05 1018 m3 ; (c) p = n n i .
7.8: Una muestra de Si es dopada con 5 1016 cm3 tomos donadores y 2 1016 cm3
tomos aceptores. Encuentre la posicin del nivel de Fermi respecto al intrnseco a
300K.
7.9: Se utiliza como resistencia de una zona de un circuito integrado una barra de sili-
cio tipo N de 2 mm de longitud y de 2,5 10 5 m2 de seccin. Sabiendo que la concen-
tracin de tomos donadores es ND = 5 1013 cm3 y que la movilidad de electrones
Apuntes de CF FLML
7.8. Problemas propuestos 135
7.14: Una muestra intrnseca de InP es dopada con impurezas aceptoras desde un
lado de tal modo que obtenemos un perfil dado por N A (z) = NA (0)ebz , donde z
representa la coordenada en el interior de la muestra y N A (0) la concentracin en la
superficie. Adems se cumple que para z , N A n i , la concentracin intrnseca
de portadores. a) Calcule el perfil de dopado y encuentre una expresin para el campo
elctrico que se instaurara en equilibrio trmico si N A n i . b) Obtenga el valor del
campo elctrico si b = (2m) 1 .
FLML Apuntes de CF
Captulo 8
Unin p-n
8.1. Introduccin
137
138 Captulo 8. Unin p-n
| Jarrastre | = | Jdifusin | .
Los h+ que viajan desde p n provienen mayoritariamente de la
ionizacin de las impurezas aceptoras en el lado p y, anlogamente,
los e desde p n , de la ionizacin de las impurezas donadoras en
el lado n. Tal como muestra la Fig. 8.1, este desplazamiento de por-
tadores de carga, dejando tras de s un defecto de carga fija, provoca
la aparicin de una regin de carga neta en las proximidades de la
unin. Esta regin de carga neta, o regin de carga espacial/regin
de transicin, est compuesta por cierta cantidad de cargas negativas
fijas en el lado p y la misma cantidad de cargas positivas en el lado
n. El campo electrosttico interno se genera debido a la aparicin de
estas cargas y es importante sealar que
Apuntes de CF FLML
8.2. Unin p-n en equilibrio 139
FLML Apuntes de CF
140 Captulo 8. Unin p-n
reescribirse como
kT p p0
V0 = ln . (8.1)
q pn0
En aquellos casos en los que
n2i
p p0 NA y pn0 ,
ND
la expresin para el potencial de contacto vendr dada por
Potencial de contacto en una
unin p-n. kT NA ND
V0 = ln . (8.2)
q n2i
Apuntes de CF FLML
8.2. Unin p-n en equilibrio 141
y por tanto
ND xn0 = NA x p0 . (8.6)
Esta expresin nos dice que las distancias de las zonas de carga es-
pacial positiva y negativa son las mismas nicamente si ND = NA .
A medida que la concentracin de impurezas en una de estas zonas
aumente, la longitud de esta zona disminuye.
Si la anchura de la zona de carga espacial se denomina
w = xn0 + x p0 , (8.7)
E JEMPLO 8.1 En una muestra de Si dopada para formar una unin abrupta p-n
con NA = 4 1018 cm3 , ND = 1016 cm3 y = 120 calcule a) el potencial de
contacto, b) la anchura de la regin de carga espacial en cada lado de la unin,
y c) el valor mximo del campo interno.
FLML Apuntes de CF
142 Captulo 8. Unin p-n
dE ( x ) ( x)
= ,
dx
que en la regin de carga espacial se convierte en
dE ( x ) qND
= 0 < x < x n0
dx
dE ( x ) qN
= A x p0 < x < 0 .
dx
1,6 10 19
E0 = = 5,1 106 V/m .
(12)(8,85 10 12 )(1022 )(3,33 10 5 )
Apuntes de CF FLML
8.3. Unin p-n polarizada 143
I V I V
Semiconductor
dopado p n
I I
V V
(a) (b)
F IGURA 8.2: Caracterstica I V para (a): una muestra de semiconductor dopado
homogneamente; y (b): una unin p-n.
FLML Apuntes de CF
144 Captulo 8. Unin p-n
Apuntes de CF FLML
8.3. Unin p-n polarizada 145
p n p n p n
E E E
(V0 -Vf )
Vn
V0
Vp (V0+Vr)
q(V0 -Vf)
ECp
qV0
ECn
EFp qVf q(V0+Vr)
EFn
EVp
EVn
FLML Apuntes de CF
146 Captulo 8. Unin p-n
Corrientes de difusin.
En equilibrio, el campo elctrico interno se estableca de modo
que su efecto contrarrestaba exactamente la corriente de difu-
sin. En la situacin de no equilibrio impuesta por la polariza-
cin externa encontramos que
Polarizacin directa:
al disminuir el campo elctrico en la regin de transicin,
este campo ya no puede contrarrestar totalmente las corrien-
tes de difusin, de modo que se iniciar un flujo de h + de
p n y otro anlogo de e de p n . (Estas corrientes de
difusin se mantendrn en el tiempo debido al efecto de la
batera).
Polarizacin inversa:
el campo en la regin de transicin aumentaba por lo que
las corrientes de difusin sern en este caso aminoradas.
Corrientes de arrastre.
Aunque pudiera parecer un poco sorprendente,
las corrientes de arrastre son relativamente insensi-
bles a las variaciones en la altura de la barrera de
potencial.
Apuntes de CF FLML
8.3. Unin p-n polarizada 147
Corriente Total.
La Fig. 8.3 muestra que la corriente total es la suma de las corrien-
tes de difusin, que se producen desde p n , ms las de arras-
tre, cuyo sentido es desde p n . Dado que ambas corrientes
han sido analizadas anteriormente, tendremos para la corriente
total que
Polarizacin inversa:
Corriente de difusin disminuye considerablemente (se ha-
ce prcticamente despreciable). La nica corriente que que-
da es la relativamente pequea corriente de generacin en
el sentido p n .
Polarizacin directa:
La corriente de difusin (p n ) es ahora claramente favo-
recida mientras que la corriente de arrastre (p n ) ape-
nas vara. Esto da lugar a un incremento considerable de la
corriente total en el sentido p n .
FLML Apuntes de CF
148 Captulo 8. Unin p-n
p p ( x p0 ) p p0
= = eqV0 /kT eqV/kT ,
pn ( xn0 ) pn ( xn0 )
que, teniendo en cuenta (8.3), al agrupar trminos encontramos
Concentracin de minoritarios en
el borde de la regin de pn ( xn0 ) = pn0 eqV/kT . (8.11)
transicin del lado n
La expresin anterior nos indica que la concentracin de minori-
tarios sufre un fuerte incremento (exponencial) en polarizacin directa
respecto a la que exista en equilibrio. En polarizacin inversa (V < 0),
la concentracin sufrira igualmente una disminucin muy considera-
ble. Dado que hemos comprobado que un voltaje aplicado, V, incre-
menta la probabilidad de que un portador se pueda difundir a travs
de la unin en un factor dado por exp(qV/kT ), esto nos permite supo-
ner que la corriente de difusin presentar similarmente una depen-
dencia con respecto al voltaje aplicado del tipo
Apuntes de CF FLML
8.3. Unin p-n polarizada 149
x
-xpo xno
p n
n(xp) p(xn)
npo pno
xp o o xn
F IGURA 8.4: Distribucin de portadores minoritarios en cada lado de la unin.
FLML Apuntes de CF
150 Captulo 8. Unin p-n
dpn ( xn ) Dp
I pdif ( xn ) = qSD p = qS pn ( xn ) , (8.20)
dxn Lp
qSD p qSD p
I p ( xn = 0) I pdif ( xn = 0) =pn = pn0 eqV/kT 1 .
Lp Lp
(8.21)
Anlogamente, la corriente de electrones inyectada en el lado p ser
qSDn
In ( x p = 0) = n p0 eqV/kT 1 . (8.22)
Ln
I = I p ( xn = 0) + In ( x p = 0)
Dp Dn
= qS pn0 + n p0 eqV/kT 1 .
Lp Ln
Dado que la corriente total debe ser constante a travs del dispositivo
(al no haber generacin ni acumulacin de carga neta), la expresin
anterior nos proporciona justamente la corriente total para cada punto
de la unin p-n,
Ecuacin del diodo
I = I0 eqV/kT 1 , (8.23)
Apuntes de CF FLML
8.4. Lser Semiconductor 151
In ( xn ) = I I p ( xn ) . (8.25)
FLML Apuntes de CF
152 Captulo 8. Unin p-n
E E
BC BC
m m
Transicin Transicin
Eg Directa Eg Indirecta
k k
M M
BV BV
(a) (b)
h
pmax .
2a
pf 2a
4
= 10 ,
pmax
que nos indica que las diferencias de momento requeridas en una tran-
sicin indirecta no pueden ser satisfechas nicamente por la participa-
cin de un fotn ptico. Debemos admitir entonces que la transicin
anterior debe realizarse con la participacin conjunta de otro proce-
so que proporcione la cantidad de momento requerido (en concreto,
participa un fonn, que puede verse como una oscilacin colectiva de
la red). Por el contrario, en el caso de una transicin directa, los pe-
queos cambios de momento requeridos en el proceso s pueden ser
satisfechos nicamente por un fotn.
Apuntes de CF FLML
8.4. Lser Semiconductor 153
BV
Ev BV
(a) (b)
F IGURA 8.6: Esquema energtico de la regin de transicin de una unin p-n
(a): en equilibrio trmico y (b): sometida a una fuente de tensin externa que
la polariza directamente.
tensin externa de modo que eleva el potencial del lado p con respec-
to al del lado n, lo que se denomina polarizacin directa, el esquema
energtico resultante puede verse en la Figura 8.6(b). En esta situacin,
los electrones del lado n se desplazarn hacia el lado p y anlogamente
huecos del lado p viajarn hacia el lado n. En consecuencia, electrones
y huecos se encontrarn en la misma regin espacial, siendo posible
su recombinacin mediante las transiciones directas/indirectas que
antes se mencionaron (ver Figura 8.7).
ENERGA LIBERADA EN
LA RECOMBINACIN
-
- -
Tipo n - -
RECOMBINACIN DE - REGIN DE
ELECTRONES Y HUECOS + TRANSICIN
+ +
+
FLUJO NETO
DE ELECTRONES
Tipo p +
+
F IGURA 8.7: Flujo de portadores en un diodo semiconductor polarizado direc-
tamente.
FLML Apuntes de CF
154 Captulo 8. Unin p-n
Apuntes de CF FLML
8.4. Lser Semiconductor 155
REGIN DE
TRANSICIN NIVEL LASER
Niveles
electrnicos
SUPERIOR
BC
ocupados
Inversin de poblacin
tipo n tipo p entre estos 2 grupos
de niveles
Niveles
BV
electrnicos
vacos NIVEL LASER
INFERIOR
F IGURA 8.9: Niveles involucrados en la accin laser de una regin de transi-
cin de una unin p-n degenerada.
FLML Apuntes de CF
156 Captulo 8. Unin p-n
f c ( E2 ) [1 f v ( E1 )] o bien f c (1 f v )
Apuntes de CF FLML
8.4. Lser Semiconductor 157
FLML Apuntes de CF
158 Captulo 8. Unin p-n
Regin activa
Haz lser
Cara Reflectiva
Sustrato
Apuntes de CF FLML
8.4. Lser Semiconductor 159
Homoestructuras:
No proporcionan un confinamiento ptico ptimo ya que los n-
dices de refraccin de las diversas capas eran muy parecidos
ver Figura 8.12(a). Esto exiga unas densidades de corrientes um-
P-GaAs
GaAs
Capa Activa
N-GaAs
n
Lser de Homounin
Heterouniones
P-GaAlAs
GaAs
Capa Activa N-GaAlAs
N-GaAs
n
Lser de Doble Heterounin
Heteroestructuras:
Las capas presentan distintos ndices de refraccin de forma que
esto crea un efecto gua de onda (similar al de la fibra ptica) que
confina la luz en la capa activa, segn se muestra en la Figura
8.12(b). Adems, si las capas adyacentes poseen bandas energ-
ticas prohibidas de mayor anchura se reducir sustancialmen-
te la absorcin por portadores libres. Este tipo de lseres puede
ya funcionar en modo continuo a temperatura ambiente al ser
IU /cm2 2000 4000 A/cm2 , IU 1, 2A.
El esquema con el que se realizan actualmente la mayora de
los diodos lser comerciales consiste en una modificacin de la
heteroestructura anterior que se muestra en la Figura 8.13. Es-
ta estructura proporciona confinamiento lateral para la luz, lo
FLML Apuntes de CF
160 Captulo 8. Unin p-n
p-Ga1-xAlxAs Aislante
GaAs 0.2m m
Regin activa
n-Ga1-zAlzAs
n-Ga1-yAlyAs
3m m Sustrato
n-GaAs
Contacto
Pozos cunticos
Longitud de onda
Apuntes de CF FLML
8.5. Aplicaciones del Lser 161
Modulacin
FLML Apuntes de CF
162 Captulo 8. Unin p-n
Apuntes de CF FLML
8.5. Aplicaciones del Lser 163
Cabeza lectora
Slida elctrica hacia
(muy ampliada con
los decodificadores
respecto al disco)
electrnicos
Diodo Lser
Detector
Luz reflejada
Divisor del haz
Bits de datos
Lente de
focalizacin
Disco ptico
Luz enfocada sobre
la marca que se lee
FLML Apuntes de CF
164 Captulo 8. Unin p-n
Diodo Lser
Lente de
focalizacin
Area del disco calentada
para poder magnetizarla Haz que calienta la
cubierta del disco
Campo magnetizante
sobre el rea caliente
Electroimn
Apuntes de CF FLML
8.6. Problemas propuestos 165
CABLE DE
FIBRA PTICA
Luz guiada
por fibra
Corriente de
Seal de alimentacin Seal
pulsos de elctrica Seal de
entrada pulsos de
salida
DIODO DETECTOR
TRANSMISOR
LSER ELECTRNICA DE
DECODIFICACIN
seal que alcanza el transmisor genera una corriente que pasa a travs
de un lser semiconductor. La seal es una serie de pulsos elctricos
que genera una correspondiente serie de pulsos luminosos en el diodo
lser. El lser emite los pulsos directamente al ncleo de la fibra ptica,
siendo transmitida por sta (hasta 104 km) a un receptor lejano. All,
un detector de luz convierte los pulsos luminosos en pulsos elctricos.
8.1: Una unin p-n abrupta presenta NA = 1017 cm3 en el lado p y Nd = 1016 cm3
en el lado n. A 300 K, (a) calcule los niveles de Fermi, dibuje el diagrama de bandas en
equilibrio y halle V0 a partir del anterior diagrama; (b) Compare el resultado anterior
con el que proporciona la expresin (8.2); (c) Calcule la anchura de la regin de carga
espacial y el valor del campo elctrico en esta regin.
FLML Apuntes de CF
166 Captulo 8. Unin p-n
8.2: Compare los valores del potencial de contacto del problema anterior para el Si
con los que se obtendran en uniones hechas en Ge y GaAs con los mismos niveles de
dopaje.
8.3: La corriente a travs de una unin p-n a 300 K es 0.01 A para una polarizacin
inversa de 10 V. Calcule el valor de la corriente a travs de la unin para polarizacio-
nes directas de (a) 0.1 V, (b) 0.3 V, y (c) 0.5 V.
8.4: Teniendo en cuenta que la corriente de saturacin inversa debe ser lo ms peque-
a posible en una unin p-n ideal qu material es ms adecuado para la fabricacin
de uniones p-n?. Eg (Si) = 1,1 eV.
8.5: La corriente de saturacin inversa para una unin p-n es I0 = 5 109 A. Para
una polarizacin directa de 0.45 V, (a) calcule la corriente a travs de la unin a T =
27o C; (b) si el voltaje a travs de la unin se supone constante e I0 no cambia con la
temperatura, cul es la corriente a travs de la unin a T = 47o C?.
Sol. (a): 0.18 A, (b) 0.06 A.
8.6: Una unin p+ -n en Si est dopada con Nd = 1016 cm3 , siendo D p = 10 cm2 /s,
p = 0,1 m y el rea de la unin S = 104 cm2 . Calcule la corriente de saturacin
inversa y la corriente directa cuando V = 0,6 V.
Apuntes de CF FLML
Apndice A
Constantes fundamentales
167
Apndice B
E2 = m20 c4 + p2 c2 , (B.1)
p2 c2 = E2 m20 c4 = ( E m0 c2 )( E + m0 c2 ) = Ec ( Ec + 2m0 c2 )
Ec
= 2m0 c Ec 1 +
2
, (B.3)
2m0 c2
de donde obtenemos la siguiente expresin para el momento lineal:
1/2
Ec
p = 2m0 Ec 1 + . (B.4)
2m0 c2
Teniendo ahora en cuenta la expresin (1.28) que relaciona el mdulo
del momento lineal con la longitud de onda, , asociada a la onda
piloto de la partcula, encontramos que esta puede expresarse como
h
= 1/2 . (B.5)
Ec
2m0 Ec 1+
2m0 c2
Ec m 0 c 2 ;
169
170 Apndice B. Energa y longitud de onda de una partcula relativista
m m0 ,
y
h
= . (B.7)
2mEc
Apuntes de CF FLML
Apndice C
Promedios estadsticos
4
Nmero de Alumnos (Ni)
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Calificacin (C)
Ni
ni = , (C.1)
NTotal
171
172 Apndice C. Promedios estadsticos
10
i =1 Ni Ci
10
C =
10
= n i Ci . (C.2)
i =1 Ni i =1
Apuntes de CF FLML
Apndice D
Propiedades de algunos
materiales semiconductores
Para el silicio (Si), germanio (Ge) y arsenuro de galio (GaAs) a
T = 300 K, encontramos que
Eg me /me mh /me n p
(eV) (cm2 /Vs) (cm2 /Vs)
Si 1.11 1.1 0.56 1350 480
Ge 0.67 0.55 0.37 3900 1900
GaAs 1.43 0.067 048 8500 400
173
Apndice E
1 2 g1 f1 g2 (1 f2 ) (E.1)
y, anlogamente,
2 1 g2 f2 g1 (1 f1 ) . (E.2)
En equilibrio y para que no haya corriente neta debe cumplirse que el
nmero de electrones por unidad de tiempo que pasan de 1 2 sea
el mismo que aquel que pase de 2 1, lo que implica que
g1 f1 g2 (1 f2 ) = g2 f2 g1 (1 f1 ) . (E.3)
g1 f1 g2 g1 f1 g2 f2 = g2 f2 g1 g2 f2 g1 f1 , (E.4)
175
176 Apndice E. Invarianza del nivel de Fermi en equilibrio
Apuntes de CF FLML