.

Naziv tranzistor nastao je kao sloenica od dvije engleske rijei: transfer resistor to u prijevodu znai
prenijeti otpor. U nazivu bipolarni tranzistor sadrana je osnovna znaajka ovog elektronikog elementa,
njegovo aktivno djelovanje (prijenos otpora) koje se temelji na sudjelovanju obaju tipova nosilaca naboja
(bipolarnih nosilaca tj. elektrona i upljina). Bipolarni spojni tranzistor (engl. bipolar junction transistor) moe
se u naelu shvatiti kao ustrojstvo dvaju pn spojeva, tj. kao poluvodika cjelina pnp ili npn tipa u kojoj se
sredinji sloj naziva baza (oznaka B), a druga dva sloja su emiter (oznaka E) i kolektor (oznaka C), slika 4.1.1.

Slika 4.1.1: Ustrojstvo i simbol za bipolarni spojni tranzistor:

a) pnp tip, b) npn tip.
S obzirom na tri prikljuka (emiter, baza i kolektor) postoji mogunost i vie naina polarizacije odnosno rada
tranzistora. Ako tranzistor radi kao pojaalo tada je spoj emiter-baza propusno polariziran, a spoj kolektor-baza
nepropusno.
Tehnoloka izvedba bipolarnih spojnih tranzistora moe biti u diskretnom (jedan tranzistor) ili u integriranom
obliku (vie tranzistora ili jedan i vie tranzistora s drugim elementima na istoj silicijskoj ploici), slika 4.1.4.

Slika 4.1.4: Diskretna izvedba planarnog npn tranzistora.

Proizvodnja planarnih tranzistora temelji se na metodama planarne tehnologije na siliciju. Na jako vodljivoj n +
monokristalnoj silicijskoj podlozi (ploici) formira se epitaksijalnim rastom n sloj (epitaksijalni sloj). Zatim se
cijela struktura podvrgava procesu oksidacije (nanoenje sloja silicijeva dioksida), te se kroz male otvore
(prozore) difuzijom iz ogranienog izvora unosi primjesa tj. atomi akceptora formirajui tako p podruje
(podruje baze). Potom se kroz novi otvor (E) difuzijom iz neogranienog izvora formira n + podruje emitera.
Kao materijal za kontakt s pojedinim podrujima upotrebljava se aluminij jer se dobro vezuje s oksidnim
slojem, dobro odvodi toplinu i ne stvara sa silicijem ispravljaki spoj. Aluminijski spoj s n + podrujem, zbog
velike gustoe primjese (iznad 51018cm-3) ima omski karakter, kao i aluminijski spoj s podrujem baze koje je
poluvodi p tipa. Podruje emitera obino ima veu gustou primjesa u odnosu prema bazi, a baza u odnosu
prema kolektoru. Podruje kolektora je n tip poluvodia, ali je spojeno na aluminijski kontakt preko n + podruja
kako bi se uklonilo ispravljako djelovanje na spoju metal-poluvodi.

Ovisno o polaritetu napona prikljuenog izmeu emitera i baze, te kolektora i baze, u naelu se razlikuju tri
podruja rada tranzistora:
1. normalno aktivno podruje (spoj emiter-baza je propusno, a spoj kolektor-baza nepropusno polariziran),
2. podruje zasienja (spoj emiter-baza i spoj kolektor-baza su propusno polarizirani),
3. zaporno podruje (spoj emiter-baza i spoj kolektor-baza su nepropusno polarizirani).
Uz navedena tri podruja teorijski se razmatra i etvrto podruje koji je obrnuto (inverzno) u odnosu prema
normalnom aktivnom podruju (spoj emiter-baza je nepropusno, a spoj kolektor-baza propusno polariziran).

Tranzistor ima tri izvoda (elektrode) stoga tri elektrodne struje: emitera, baze i kolektora, sastavljene od
pripadnih upljinskih i elektronskih sastavnica (slika 4.3.1.). Za prikazani pnp tranzistor ucrtani su stvarni
smjerovi struja koji odgovaraju smjeru gibanja pozitivnog naboja (upljina).

Slika 4.3.1: Struje normalno polariziranog pnp tranzistora.

Struja emitera IE je struja propusno polariziranog spoja emiter-baza, a sastoji se od dvije sastavnice:
1. struje upljina IpE (upljine utisnute iz emitera u bazu),
2. struje elektrone InE (elektroni utisnuti iz baze u emiter).
I E I pE I nE

Sastavnice struje kolektora IC su:

1. struje upljina IpC (struja IpE umanjena za rekombinacijsku struju IR),
2. reverzne struje zasienja ICB0 (struja manjinskih nosilaca nepropusno polariziranog spoja kolektor-baza).
I C I pC I CB 0

Struja baze IB sastoji se od tri sastavnice:

1. struje elektrona InE (utisnuta struja iz emitera u bazu),
2. rekombinacijske struje IR , koja je posljedica rekombinacije elektrona u bazi i dijela upljina iz emitera,
I R I pE I pC
3. reverzne struje zasienja spojita kolektor-baza ICB0.
I B I nE I R I CB 0
Struja emitera jednaka je zbroju struje kolektora i struje baze:
IE IC IB
Za npn tranzistor, slika 4.3.2. sve struje teku u suprotnom smjeru u odnosu prema strujama pnp tranzistora.

Slika 4.3.2: Struje normalno polariziranog npn tranzistora.

Djelotvornost emitera
Djelotvornost (efikasnost) emitera definirana je omjerom struje veinskih nosilaca, upljina za pnp, odnosno
elektrona za npn tranzistor, i ukupne struje emitera:
 I pE I pE
(za pnp tranzistor)
I pE I nE IE
I nE I
nE (za npn tranzistor)
I nE I pE IE

Prijenosni (transportni) faktor

Mjera kvalitete prijenosa definirana je omjerom struje veinskih nosilaca kolektora i struje veinskih nosilaca
emitera:
I pC IR
* 1 (za pnp tranzistor)
I pE I pE
I nC I
* 1 R (za npn tranzistor)
I nE I nE
Strujno pojaanje
Omjer struje veinskih nosliaca kolektora i ukupne struje emitera jednak je umnoku djelotvornosti i faktora
prijenosa, a definira se kao strujno pojaanje tranzistora u spoju zajednike baze:
I pC I pC I pE
* (za pnp tranzistor)
IE I pE I E
I nC I nC I nE
* (za npn tranzistor)
IE I nE I E

x BC x BC x BC
x x BC x2 x
t pr dx BC x
x BE
D nB 2 D nB x BE
D nB x
BE
(4.9.6)
x 2
x x2
x x BE ( x BC x BE ) 2
2
w 2B
BC
BE
BCBC

2 D nB 2 D nB 2 D nB D nB 2 D nB 2 D nB

Dobiveni izraz za vrijeme proleta nosilaca kroz bazu identian je izrazu izvedenom za usku n stranu pn spoja.

Porastom napona nepropusne polarizacije na pn spoju poveava se irina podruja barijere koja se u pravilu iri
na slabije oneienu stranu. Isti efekt nastaje u bipolarnom tranzistoru na nepropusno polariziranom spoju
kolektor-baza. Ako je spoj emiter-baza propusno polariziran naponom stalne vrijednosti, poveanjem napona
nepropusne polarizacije na spoju kolektor-baza, podruje barijere na kolektorskom spojitu se poveava, tj
smanjuje se efektivna irina baze. Ta promjena efektivne irine ili modulacija baze naziva se Earlyjev efekt.
Primjer za npn tranzistor prikazan je ovdje:
Pri veim iznosima napona nepropusne polarizacije kolektor-baza U CB, efektivna irina baze moe poprimiti
iznos nula pri emu nastaje naponski proboj tranzistora (engl. punch-through).
Posljedica Earlyjevog efekta oituje se u promjeni gustoe i nagibu raspodjele gustoe manjinskih nosilaca
naboja u bazi. Smanjenjem efektivne irine baze umanjuje se i vjerojatnost ponitavanja manjinskih nosilaca u
bazi pa prema tome i rekombinacijska sastavnica struje baze, to izravno utjee na poveanje faktora strujnog
pojaanja (jednadba 4.8.1.). Nadalje poveava se nagib (gradijent) raspodjele gustoe manjinskih nosilaca u
bazi (elektrona, ako se radi o npn tranzistoru), te se poveava elektronska sastavnica struje emitera koja je
proporcionalna nagibu raspodjele gustoe.

Ebers-Mollov nadomjesni sklop tranzistora sastoji se od dvije diode i dva zavisna strujna izvora. Na slici 4.11.2.
prikazan je tzv. injekcijski Ebers-Mollov model u kojemu su struje strujnih izvora proporcionalne strujama kroz
diode.
.

Slika 4.11.2: Injekcijski Ebers-Mollov model za pnp tranzistor.

Ebers-Mollov model u kojemu su struje strujnih izvora proporcionalne vanjskim (elektrodnim) strujama
tranzistora prikazan je na slici 4.11.3.

Slika 4.11.3: Ebers-Mollov model pnp tranzistora.

U Ebers-Mollovom modelu npn tranzistora strujni izvori i struje dioda imaju suprotan predznak u odnosu prema
strujama pnp tranzistora, a zbog npn ustrojstva promjenjeni su i polariteti napona na spoju emiter-baza i
kolektor-baza, slika 4.11.4.

Slika 4.11.4: Ebers-Mollov model npn tranzistora

Spoj zajednike baze
Baza tranzistora je zajednika elektroda ulaznom i izlaznom krugu tranzistora

npn tranzistor u spoju zajednike baze.

Struja IC i napon UCB pripadaju izlaznom, a IE i UBE ulaznom krugu tranzistora. Izlazne su karakteristike dane
kao funkcija IC = f(UCB) pri stalnoj vrijednosti struje IE za pojedinu karakteristiku

Izlazne karakteristike npn tranzistora u spoju zajednike baze.

U normalnom aktivnom podruju rada tranzistora u spoju zajednike baze karakteristike su priblino vodoravni
pravci, a mali porast struje IC koji nastaje s poveanjem napona U CB tumai se kao posljedica Earlyjevog efekta.
Pri propusnom polaritetu napona kolektor-baza, (-UCB), tranzistor radi u podruju zasienja koje je
karakterizirano naglim padom struje kolektora to se tumai smanjenjem gradijenta gustoe elektrona u bazi.
Stalna vrijednost struje emitera IE pri promjeni (poveanju apsolutne vrijednosti) napona UCB moe se odrati
promjenom (smanjenjem) napona UBE tako da je gradijent gustoe elektrona u bazi tranzistora stalan
Spoj zajednikog emitera
U spoju zajednikog emitera, emiter je zajednika elektroda ulaznom i izlaznom krugu tranzistora

npn tranzistor u spoju zajednikog emitera.

Izlazne karakteristike tranzistora u spoju zajednikog emitera dane su kao funkcija I C = f(UCE) pri stalnoj
vrijednosti struje baze za pojedinu karakteristiku
 Izlazne karakteristike npn tranzistora u spoju zajednikog emitera.
U skladu s jednadbom UCE = UBE - UBC za aktivno podruje nuno treba biti ispunjen uvjet UCE > UBE da bi spoj
kolektor-baza bio nepropusno polariziran naponom UCB. Poveanjem napona UCE poveava se i apsolutni iznos
napona UCB, a smanjuje se efektivna irina baze. Da bi pritom struja baze zadrala stalnu vrijednost potrebno je
poveati gustou manjinskih nosilaca (elektrona) n0B na rubu barijere emiterskog spojita, odnosno poveati
napon propusne polarizacije UBE spoja emiter-baza

U voenju struje kod unipolarnih tranzistora sudjeluju veinski nosioci naboja (elektroni ili upljine), a jakost te
struje moe se mijenjati vanjskim naponom. Zbog toga to se promjena vodljivosti poluvodia, a time i jakosti
struje, postie djelovanjem poprenoga (transverzalnoga) elektrinoga polja koje je posljedica upravo
prikljuenog vanjskog napona na poluvodi, uz naziv unipolarni tranzistor obino se upotrebljava skraeni
naziv tranzistor s efektom polja. Dio poluvodia kroz koji tee struja naziva se kanal, a ovisno o tome koji je tip
nosilaca naboja u kanalu, unipolarni tranzistori mogu biti p-kanalni ili n-kanalni. Prvi unipolarni tranzistori su
spojni tranzistori s efektom polja sa skraenim nazivom JFET (engl. junction field effect transistor). Za razliku
od ustrojstva spojnog tranzistora, upravljaka elektroda kojom se upravlja protjecanjem struje kroz kanal, moe
biti odvojena od kanala izolacijskim slojem silicijevog dioksida. Takav tranzistor pripada skupini tranzistora s
efektom polja s izoliranim vratima, a skraeni mu je naziv IGFET (engl. insulated gate field effect transistor) ili
MOSFET (engl. metal-oxide-semiconductor field effect transistor) zbog ustrojstva kojega ini silicij kao
ishodini materijal i silicijev dioksid kao izolacijski sloj ispod metalne elektrode (vrata).

a) n-kanalni
b) p-kanalni

Na slici 5.1.1.a) prikazan je presjek za simetrini n-kanalni spojni FET s oznaenim elektrodama
(prikljunicama): uvod S (engl. source), odvod D (engl. drain) i vrata G (engl. gate). Prikljuenim naponima
izmeu odgovarajuih elektroda odreena je radna toka tranzistora, a sukladno tim naponima oznaen je i
smjer struje odvoda (struja izmeu uvoda i odvoda) koji odgovara smjeru gibanja pozitivnog naboja (upljina).
 Slika 5.1.1: a) n-kanalni spojni FET, b) simbol za n-kanalni spojni FET.
Dio poluvodia oznaen kao kanal je vodljivi dio omeen dvjema simetrinim barijerama uspostavljenima
naponom nepropusne polarizacije UGS izmeu p+ poluvodia (p-tip poluvodia s relativno velikom gustoom
akceptorske primjese) i n-tipa poluvodia s gustoom donorske primjese manjom u odnosu prema gustoi
akceptora u p+ podruju, slika 5.1.1.a). Struja tee od uvoda prema odvodu zbog prikljuenog napona U DS.
Sukladno analizi provedenoj za pn spoj, barijera se iri na slabije oneienu stranu pn spoja. Stoga e se
porastom apsolutne vrijednosti napona UGS irina kanala smanjivati, a time i njegova vodljivost.
Pri naponu UDS = 0 i UGS = 0, ako se zanemare osiromaena podruja koja nastaju zbog djelovanja kontaktnog
potencijala, kanal tranzistora ima najveu irinu iznosa 2a (irina potpuno otvorenog kanala), slika 5.1.2.

Slika 5.1.2: irina potpuno otvorenog kanala pri UDS = 0 i UGS = 0.

Pri nekom naponu UGS i naponu UDS = 0 irina kanala se jednako po cijeloj njegovoj duini smanji na stalnu
vrijednost 2b, slika 5.1.3.

Slika 5.1.3: irina kanala pri nekom naponu UGS i naponu UDS = 0.
Pri naponu UDS 0 i UGS 0 kroz kanal tee struja odvoda stvarajui pad napona du kanala. Napon izmeu
uvoda i bilo koje toke u kanalu funkcija je koordinate x, U(x), pa je i napon nepropusno polariziranog pn spoja
vrata-kanal funkcija koordinate x. Posljedica toga je da irina kanala vie nije stalna ve se mijenja du kanala,
slika 5.1.4.

Slika 5.1.4: irina kanala pri naponu UGS 0 i UDS 0.

Smanjivanje irine kanala kao i dodir barijera nastaju zbog pada napona du kanala. Kako je pad napona
posljedica protjecanja struje kroz kanal, pri dodiru barijera prestala bi tei i struja, te bi nestao i uzrok dodira
barijera. Stoga je zakljuak da irina kanala na mjestu dodira barijera nije jednaka nitici, ve ima mali iznos
koji se pri prekoraenju napona dodira protee prema uvodu, slika 5.1.5.

Slika 5.1.5: irina kanala uz naponu UDS >UGS - UGS0.

Izlazne karakteristike FETa. Definicija triodnog podruja i

podruja zasienja.

Izlazne karakteristike FETa. Definicija triodnog podruja i podruja zasienja.

Triodno podruje:

k GS
3 3
2 U U U DS
2 U U 2
I D G 0 U DS k GS
. (5.1.2.4)
3 U k U GS 0

Granini uvjet izmeu podruja zasienja i triodnog podruja treba pisati u obliku apsolutnih vrijednosti:
U DS U GS U GS 0 . (5.1.2.5)
Podruje zasienja:
3 3

I Dzas 2
G 0 U GS U GS 0
U k U GS 0 2 U U
k GS 2
.

(5.1.2.6)
3 U k U GS 0

Derivacija struje ID po naponu UGS pri nekoj stalnoj vrijednosti napona UDS definira se kao strmina:
I D
U triodnom podruju: gm .
U GS U DS konst.

U k U GS
u podruju zasienja: g m G 0 1 .

U k U GS 0

Izlazna dinamika vodljivost definirana je derivacijom struje ID po naponu UDS pri nekoj stalnoj vrijednosti
napona UGS. Tako je za triodno podruje izveden izraz:
U k U GS U DS
g d G 0 1
U k U GS 0

Za odreivanje dinamike vodljivosti u podruju zasienja moe se upotrijebiti empirijski izraz kojim je iskazan
lagan porast struje ID s porastom napona UDS:
I D I Dzas (1 U DS ) ,
gdje je parametar koji moe imati vrijednost izmeu 0.1 i 0.001 V -1. U skladu s relacijom izlazna dinamika
vodljivost moe se odrediti s pomou izraza:
g dzas I Dzas .
Faktor pojaanja definiran je derivacijom napona UDS pri nekoj stalnoj vrijednosti struje ID:
U DS U DS I D g
m rd g m .
U GS I D U GS g d

U podruju zasienja funkcija ID = f(UGS) je ujedno i prijenosna karakteristika koja se moe priblino prikazati
parabolinom funkcijom:
2
U
I D I DSS 1 GS
U GS 0

u odsjeku odreenom tokama UGS0 i IDSS (struja ID pri naponu UGS = 0). Dio parabole izvan tog podruja nema
fizikalnoga znaenja, slika 5.1.3.1.
 Slika 5.1.3.1: Statike karakteristike n-kanalnog FETa.

Za razliku od ustrojstva spojnog tranzistora, upravljaka elektroda kojom se upravlja protjecanjem struje kroz
kanal, moe biti odvojena od kanala izolacijskim slojem silicijevog dioksida. Takav tranzistor pripada skupini
tranzistora s efektom polja s izoliranim vratima, a skraeni mu je naziv MOSFET (engl. metal-oxide-
semiconductor field effect transistor) zbog ustrojstva kojega ini silicij kao ishodini materijal i silicijev dioksid
kao izolacijski sloj ispod metalne elektrode (vrata).

MOS unipolarni tranzistor moe biti izveden kao n-kanalni na p-podlozi ili kao p-kanalni na n-podlozi,
obogaenog ili osiromaenog tipa. Podloga je silicij s relativno malom gustoom primjese na koju se nanosi
tanki sloj silicijeva dioksida SiO2 debljine t0x 0.1 m. Zatim se odreenim planarnim postupkom
(fotolitografski postupak) otvaraju "difuzijski prozori" u oksidnom sloju kroz koje se difuzijom unosi primjesa,
oblikujui tako podruje uvoda i odvoda u podlozi. Gustoa primjese u podruju uvoda i odvoda je relativno
velika. Dio poluvodia izmeu uvoda i odvoda oznaen je kao kanal kroz koji struja moe tei jedino ako su u
njemu nosioci naboja istog tipa kao i veinski nosioci podruja uvoda i odvoda. To znai da je za n-kanalni
MOSFET uz povrinu izmeu p-podloge i izolatora (u kanalu) nuno stvoriti viak elektrona, odnosno
uspostaviti inverzijski sloj izmeu uvoda i odvoda. To je temeljni preduvjet za voenje MOSFETa.

Inverzijski sloj moe nastati pod utjecajem prikljuenog napona odgovarajueg polariteta izmeu vrata i uvoda,
UGS. Tako npr. za p kanalni MOSFET pozitivni napon U GS izvlai elektrone iz dubine podloge te ih gomila uz
spoj podloge i izolacijskog sloja obogauji tako podruje kanala elektronima. to je vei pozitivni napon U GS
to je vea i vodljivost kanala, te je uz stalan napon izmeu odvoda i uvoda U DS vea i struja ID izmeu njih.
Struja ID moe tei uz prikljueni napon UDS samo ako je napon UGS pozitivan i vei od odreene vrijednosti
koja se naziva napon praga UGS0. S obzirom na iznesene znaajke takav n-kanalni MOSFET pripada skupini
obogaenog tipa.
Drugi tip n-kanalnog MOSFETa mogue je oblikovati tako da se izmeu uvoda i odvoda posebnim tehnolokim
postupkom unese uzak kanal n-tipa s relativno malom gustoom primjese, slika 5.2.2. a). Znaajka je tog n-
kanalnog MOSFETa to struja ID moe tei i pri naponu UGS = 0.
Uz negativan napon UGS u izolacijskom sloju dolazi do gomilanja pozitivnog naboja uz metalni spoj upravljake
elektrode i izolatora, a negativnog naboja uz spoj izolatora i kanala. Nagomilani negativni naboj odbija
slobodne elektrone u dijelu kanala u blizini spoja s izolacijskim slojem, te se u kanalu stvara sloj koji je
osiromaen slobodnim nosiocima naboja, slika 5.2.2. b), odnosno smanjena je vodljivost kanala. Upravo zbog
svojstva to se vodljivost podruja izmeu uvoda i odvoda moe mjenjati osiromaenjem kanala elektronima
ovakav tranzistor spada u skupinu tranzistora osiromaenog tipa. Pozitivnim naponm U GS postie se isti uinak
kao i kod tranzistora obogaenog tipa: elektroni se izvlae iz dubine podloge i gomilaju se u kanalu
poveavajui tako njegovu vodljivost.
 Slika 5.2.2: Presjek n-kanalnog MOSFETa osiromaenog tipa:
a) uz napon UGS = 0, b) uz napon UGS < 0.
Napon UGS pri kojem kanal praktiki prestaje biti vodljiv naziva se napon praga U GS0. Za n-kanalni MOSFET
osiromaenog tipa UGS0 je negativan, a za obogaeni tip je pozitivan, slika 5.2.3.

Slika 5.2.3: Prijenosne karakteristike n-kanalnog MOSFETa.

Znaajka je n-kanalnog MOSFETa osiromaenog tipa to struja ID moe tei i pri negativnim naponima UGS, pri
emu treba biti UGS0 < UGS < 0 (rad u osiromaenom modu) te pri pozitivnim naponima U GS (rad u obogaenom
modu). Za razliku od tranzistora osiromaenog tipa, kroz kanal tranzistora obogaenog tipa struja moe tei
samo uz pozitivne napone UGS pri emu treba biti UGS > UGS0, tj. tranzistor moe raditi samo u obogaenom
modu. Za p-kanalni MOSFETa podloga je silicijski poluvodi n-tipa, a podruja uvoda i odvoda p +-tipa. Napon
praga p-kanalnog MOSFETa obogaenog tipa je negativan, a tranzistor moe raditi jedino u obogaenom modu
uz negativan napon UGS. Za osiromaeni tip napon praga UGS0 je pozitivan, a tranzistor moe raditi u
osiromaenom modu pri UGS > 0 i obogaenom modu pri UGS < 0, slika 5.2.4.

Slika 5.2.4: Prijenosne karakteristike p-kanalnog MOSFETa.

 1
I D K ( U GS U GS0 ) U DS U 2DS , (5.2.1.6)
2
K
I Dzas ( U GS U GS 0 ) 2 . (5.2.1.8)
2
Jednadba (5.2.1.6) opisuje triodno podruje, a (5.2.1.8) podruje zasienja polja izlaznih karakteristika n-
kanalnog MOSFETa, slika 5.2.1.2.

Slika 5.2.1.2: Izlazne karakteristike n-kanalnog MOSFETa.

a)obogaeni tip; b)osiromaeni tip.
Kod stvarnih, izmjerenih karakteristika postoji mali porast struje I D s porastom napona UDS, te se za podruje
zasienja moe primijeniti empirijska relacija
I D I Dzas (1 U DS ) (5.2.1.9)
u kojoj je parametar koji moe imati vrijednost izmeu 0.01 i 0.001V-1.
Jednadbe (5.2.1.6) i (5.2.1.8), iako su izvedene za n-kanalni MOSFET obogaenog tipa s definiranim
predznacima napona u skladu sa slikom 5.2.1.3., vrijede i za sve ostale tipove MOSFETova, vodei pritom
rauna o predznacima odgovarajuih elektrinih veliina.

Dinamiki su parametri definirani kao i za spojni FET. Primjenom njihovih definicija na odgovarajue
U DS 1
jednadbe za triodno podruje rada, dobiva se: rd ,
I D U GS konst. K ( U GS U GS0 U DS )
I D
gm K U DS ,
U GS
g m rd ,
Za podruje zasienja:
1
I Dzas ,
rd

g m K ( U GS U GS0 ) .