@ME1 APPLICATION 1 Electronique 2013/2014 Exercice 1 Semi-conducteur N Concentration intrinsque N= 4.10" em™ n, = 1,45 10% cm™a 300K 1. Calculer les concentrations en électrons n, et en trous p, en cm dans le semi-conducteur de type N (ne comprenant que des atomes donneurs) & la température de 300K. 2. Calculer la résistance R, du barreau de type N. On donne en figure 2 les courbes des mobilités des portcurs & 300K, en fonction des concentrations des dopants. ‘On donne : la section $= 5.10° em? et la longueur L = $00}m, Mobilit end V's" 2 300K Exercice 2 1) Déterminer la longueur d'onde maximale, permettant de générer une paire d’lectron/trou dans le silicium. Méme chose pour Ie germanium. Conclusion. A quel domaine correspondent ces longueurs donde ? On donne: h=4,14. 10 eV/s ¢=3.10'm/s pourlessilicium E; = 1,12eV ; pour le germanium Eo-0,67eV 2) On considére le barreau de silicium représenté ci-dessous : Les caractéristiques du matériau sont les suivantes : Si du type P( dopage Na = 10'¥/em’) ; longueur du barreau :L= I em ; section du barrean : s= 4 .10cm?; la densité de porteurs intrinséque n,~ 1,6 .10 %em3 On applique ce barreau une tension de 10V. Calculer le courant qui circule dans le barreau,GME1 ‘APPLICATION 1 Electronique 2013/2014 Exercice 3 On dope un semi-conducteur intrinsique avec un nombre N, datomes donneurs par unité de volume La densité des électrons de conduction est alors n(D)= Np 4D) ob n, (1) seprésente la densité des électrons cxées par I'agitation thermique & une température T. A la température ambiante T, (300K), N, >> m4(T,), mais aux températores élevées la densité electrons : n,, (1) devient non négligeable. Dans ces conditions, il existe une température T,, dite « température intrinséque », pour laquelle :a, (I) = Ny, On se propose de déterminer cette température particuliére pour les trois semi-conducteurs : G,, Set G,A, en utilisant le graphe précédent. 1) A Paide des deux lois fondamentales + Loi d'action de masse + Equation de neutralité électrique Exprimer a(T) en fonction de n(T) et de N,, 2) A la température intrinséque T,, on obtient : n(T,) =N, + n,, (T,) soit encore : a(T,) = 2.N,, A pattir de cette relation et de la relation trouvée a la question précédente, exprimer n(T,) en fonction de N, 3) Donner alors la température intrinséque des trois semi-conducteurs indiqués pour : N, = 10” em” N,=10" cm”. Hest souhaitable de dresser un tableau des résultats. Exercice 4 Ds Me Pest Da ° Fiaune 18 — exercice 1.15 Le cireuit de Ia figure 18 est allmenté par une tension sinuscidale wp de moyenne mulle et de tension de eréte Vo = 5 V. La résistance vaut R= 10k ‘et Jen diodes Zener ont les caractéristiques snivantes : = tension directe Vp — 0.7 V, — tension de claquage inverse Vz = 2.3 V, ~ résistance inerémentale Fz négligée, — courant minimum de claquage négligé. Eaquissez Ja tension do sortie vour pour une durée de deux périodes.GME APPLICATION 1 Electronique 2013/2014 Exercice § D, secteur fa a | 20 sone [s | 0, La charge du redresseur est une résistance R = ‘On suppose que la tension de seuil des diodes est nulle. 4.1) Quel est l'état des diodes quand u;>0 ? 4.2) Quel est l'état des diodes quand u3<0 4.3-Compléter en le justifiant, les chronogrammes de v,uD1, uD2, iD, iD Exercice 6 Dans le montage de la Figure 60, la diode Zener est supposée parfaite. Sa tension Zener U: est égale a 6,2V et sa puissance maximale est de 1,3W. i & a it . ul R ie Figure 60 1)Déterminer le courant maximal qui peut traverser la diode 2) On fixe Re = Rp= 1000. Entre quelles limites peut varier E pour qu'il y ait stabilisation de la tension Uc? 3) On fixe E = 24V et Rp= 1000. Entre quelles limites peut varier Re pour qu'il y ait stabilisation de la tension Uc ?