电 子 测 量 技 术　 第２

９卷 第 ４期　
ＥＬＥＣＴＲＯＮＩ
Ｃ　 Ｍ ＥＡＳＵ ＲＥＭ ＥＮＴ　 ＴＥＣＨ ＮＯＬＯＧＹ　
２
００６年 ８月　

Ｉ
Ｃ失效 分 析 方 法 的研 究　
梁惠 来　 张 国强　
（
天津大 学 天津 ３０
００７２）
　

摘 要：与传统的分析方法相 比较 ，
文中设计优化了失效分析方案。采用先进的Ｌｉ
ｇｈｔ
　ｅ
ｍｉｓ
ｓｉｏ
ｎ、ＳＡＭ 等技术，
提高了　
集 成电路失效分析 的成功率 和准确度 。对 Ｉ
ｃ的设计 、
研 究和生产有积极 的指导 作用 。
　
关键词：失效分析 ；无损探伤 ；热点捕捉　

Ｒｅｓｅａｒｃｈ　ｏｎ　ＩＣ　ｆａｉｌ
ｕｒｅ　ａｎａｌ
ｙｓｉ
ｓ　ｍ ｅｔｈｏｄ　

Ｉ
　ｉａｎｇ　Ｈｕｉ
ｌａｉ
　 Ｚｈａｎｇ　
Ｇｕｏｑｉ
ａｎｇ　

（
Ｔｉａ
ｎｊｉ
ｎ　Ｕｎｉ
ｖｅｒ
ｓｉｔ
ｙ，Ｔｉ
ａｎｊ
ｉｎ　
３０００７２）
　

Ａｂｓ
ｔｒａｃ
ｔ：Ｉ
ｍｐｒ
ｏｖｅｄ　ｆ
ａｉｌ
ｕｒｅ　
ａｎａｌ
ｙｓｉ
ｓ　ｐｒ
ｏｊ　
ｅｅｔ
　ｉｓ
　ｐｕｔ
　ｆｏｒ
ｗａｒ
ｄ．Ｌｉ
ｇｈｔ
　ｅｍｉ
ｓｓｉ
ｏｎ　ａｎｄ　ＳＡＭ　
ａｒｅ　ｉ
ｎｔｒ
ｏｄｕｃｅｄ　ｔ
ｈａｔ
　ａｄｖａｎｃｅｄ　ｔ
ｈｅ　
ｖｅｒａ
ｃｉｔｙ　
ａｎｄ　ｓ
ｕｃｃｅｓｓ
ｆｕｌ
　ｒａｔ
ｅ　ｏｆ
　ＦＡ． Ｉ
ｔ　ｇｉ
ｖｅｓ
　ａｃ
ｔｉｖｅ
　ｉｎｓｔ
ｒｕｃｔ
ｉｏｎ　ｔ
Ｏ　Ｉ
Ｃ　ｄｅ
ｓｉｇｎｉ
ｎｇ，ｓｔ
ｕｄｙ　ａｎｄ　
ｍａｎｕｆ
ａｃｔ
ｕｒｅ
．　
Ｋｅｙｗｏｒ
ｄｓ：ｆ
ａｉｌ
ｕｒｅ
　ａｎａｌ
ｙｓｅｓ； ｌ
ｏｓｓｌ
ｅｓｓ
　ｄｅｆ
ｅｃｔ
　ｄｅ
ｔｅｃ
ｔｉｎｇ； ｈｏｔ
　ｓｐｏｔ
　ｃａｐｔ
ｕｒｅ
　

不同，
在两种界面的交界处会发生反射现象 。反射的程度　
０ 引　 言　
用反 射率来衡 量 ，
用 Ｒ来 表示 。每种 材 料 还有 自己 的 固有　
失效 分析 为 Ｉ
Ｃ的 设 计 、研究 和生 产 提 供 重 要 的 指 导　 特性 ，
波 阻抗 ，
用 Ｚ来表 示 。波阻 抗 由材料 的 密度 和超 声波　
和依据。但是集成度的提高 ，
关键尺寸的不断缩小导致集　 在该 材料 中的传 播 速度 决定 ，
他 们 间 的关 系 ：
Ｚ—ｐ
Ｖ。当超　
成 电路失 效 分 析难 度 也 随之 上 升 。传 统 的失 效 分 析 的方　 声 波通过两种 介 质 的交 界面 时 ，
其反 射 率 Ｒ 由这 两 种介 质　
法 比较单一 ，
分析设备落后 ，
很容易破坏失效现场或者失　 的波阻抗决定，
Ｒ（　）
一（　一
Ｚ　／
　 ＋Ｚ　
）×１
００。当波从波阻　
效存在却无法探测。文 中介 绍的失效分析方案是实验室　 抗小的介质向波阻抗大的介质传播时，
即 Ｚ２
＞ｚ　
，这时反射　
大量 实例 的归纳 总结 ，
更加 细致合 理 。
　 率 Ｒ＞０。当波从波阻抗大的介质 向波阻抗小 的介质传播　
时，
即 Ｚ２
＜Ｚ　，
Ｒ％０。当封装中出现空洞 、
分层、
封装破裂和　
ｌ
　ＩＣ失效的机理和分析方法　
芯片裂隙时 ，
超声波不能正常通过，
因为裂隙和空洞的介质　
失效分 析 的方 法 依 照原 理可 分 为 物 理 方 法 和 化 学 方　 是空气 ，
波阻抗 为 ０．
００。所 以此 时超 声波 一 定是 从 波 阻抗　
法 。物理方法 主要 通过 物 理手段 检测 封 装 和芯 片 ， 探 测 其　 大的介质向小 的介质传播，
Ｒ一１
００　 。这样就可 以很轻易　
电性和非电性 的缺陷。主要包括 Ｏｐｔ
ｉｃ
　Ｍｉ
ｃｒｏｓ
ｃｏｐｅ、
ＳＡＭ、
　 的区分正 常部分 与缺陷部 分 ，
达 到了无损 检测的 目的 。
　
Ｌｉ
ｑｕｉ
ｄ　ｃｒｙｓｔ
ａｌ　ｔ
ｅｓｔ
　Ｌｉ
ｇｈｔ
　ｅｍｉ
ｓｓｉ
ｏｎ、ＳＥＭ 　 Ｘ－
Ｒａｙ、Ｃｕｒｖｅ　
半 导体 器件 在 电应力 激 发下 ，
内部 载 流 子发 生跃 迁会　
ｔ
ｒａｃ
ｅｒ　
ｔｅｓ
ｔ、Ｍｉ
ｃｒｏ
　ｐｒ
ｏｂｅ和 Ｆｕｎｃ
ｔｉｏｎ　
ｔｅｓ
ｔｉｎｇ等 技 术 方 法 。
　 伴随产生光子，
Ｌｉｇｈｔ
　ｅｍｉ
ｓｓｉ
ｏｎ（
光辐射显微技术）就是捕捉　
化 学 方 法 包 括 Ｄｒ
ｙ　ｄｅ
ｐｒｏ
ｃｅｓ
ｓｉｎｇ 和 Ｗ ｅ
ｔ　ｃ
ｈｅｍｉ
ｃａｌ
　 这种光子的技术 。其基本原理是 ，
从局部 电场获得能量的　
ｄｅ
ｐｒｏｃ
ｅｓｓ
ｉｎｇ。Ｄｒ
ｙ　ｄｅ
ｐｒｏｃ
ｅｓｓｉｎ
ｇ通 过 ＲＩ
Ｅ可 以去除芯 片表　 导带 电 子 ，
在 晶格 中不 再处 于平 调 位 置 ，
这种 导 带 电子 称　
面钝 化层 以及 氧 化 层 ；ｗｅｔ　
ｃｈｅｍｉ
ｃａｌ
　ｄｅ
ｐｒｏｃ
ｅｓｓ
ｉｎｇ通 过 相　 为热 电子 。高速 运 动的热 电子与 晶格 原 子相 碰 撞 ，
产 生 电　
应化 学 刻蚀 试 剂 ，逐渐 去 除 塑 封 、
金 属 层 、多 晶硅 层 ，
配 合　 子空穴对，而电子空穴对又会通过几种方式进行复合 ，
同　
物理 分析 方法找 到相应 层 的缺陷 。
　 时发射 光 子 。然 后运 用红 外 显微 镜 、
红外 扫描显 微 镜 搜 集　

２ 无损检 测和热点捕捉技术　 光子 ，
找到发射中心定位缺陷 。这种技术 通常用于发现不　
合理 的设计 及材 料 和工 艺 中的缺 陷如 反偏 Ｐｎ结上 的发 光　
将ｓ
ｃａｎｎｉ
ｎｇ　
ａｃｏｕｓ
ｔｉｃ
　ｍｉ
ｃｒｏｓ
ｃｏｐｅ（ＳＡＭ ）用 于 Ｉ
Ｃ 的封　 点、
针孔 、
尖 端 扩 散 及 铝 膜 台 阶 处 的 局部 发 热 等 。相 对 于　
装扫 描检 测 ，
可 以在 不损 伤封 装 的情 况 发 现封 装 的内部 缺　 同样是捕捉热点的 Ｉ
　ｉ
ｑｕｉ
ｄ　ｃ
ｒｙｓ
ｔａｌ捕捉技术精度可 以提高　
陷 。由于在很 多时候 不 能 打 开封 装来 检 查 ，即使 打 开很 可　
两个 数量级 。
　
能原来 的缺陷 已 经被 破 坏 。利 用 超 声波 的透 射 、
反 射特 性　
可 以很好 解决 这个 问题 。超声 波 在不 同介 质 中 的传播 速率　
・　
ｌ６８　・
　
 梁惠来等：
Ｉｃ失效分析方遘　 壅　 筮　塑　
连 。这 个 ＭＯＳ管 的损 坏可 能是 失 效 的原 因 ；
　
３ 失效 分析方案与案例　 （４）
认定 与检 验 ：（
ａ）根 据 以往 的经 验 以及 与 以前 的很　
失效 分析 的过 程必需 遵 照严 格 的 规程 ，
严 密 的 推理 论　 多范 例对 比 ，
可 以判定 第 １７脚 旁 的黑斑 为 ＥＯＳ烧 毁 痕迹 。
　
证一步步展开。合理的步骤包括 ：
（１）数据的收集 ，
包括样　 是导 致第 １
７脚 与 ＶＳＳ短路 的原 因 ；
（ｂ）将样 品置 于 等离 子　
品的测试或使用历史 ，
失效的情况等；（２）
失效 的观察和判　 刻蚀 机 中 ，
去掉 表面 钝化 层 露 出 下 面金 属 连 线 以 便 于微 探　
定，
最初 的外观 检查 、
电性 测量 、
功 能检 测 、
开 盖 观察 、
微探　 针 接触 ；
（ｃ）
将样 品置 于 微探 针 台上 ，
利 用 显微镜 观察 ，
微机　
针接触检测等；
（３）
假定失效机理，
根据分析结果依照原理　 控 制将 两 个 微 探 针分 别 与 ＭＯＳ管 的栅 极 引 线 和 ＶＳＳ引　
图、
版图 等假 定失 效机 理 ，
判 断 失 效 位置 ；
（４）认 定 与验 证 ，
　 线接触 ，
把两 个微 探 针 电极 与 曲线 追 踪 器 相 连 ，
测 得 的 曲　
去除 钝 化 层 、
金属层 、
氧 化 层 等 并 不 断 观察 直 到发 现 失 效　 线 与原 先第 三 管脚 曲线 一致 。利 用 激 光 将 上 一 步 骤 中定　
位置 ；
（５）总结 ，
综合 分 析结 果得 出结 论并 写 总结报 告 。
　 位 的 ＭＯＳ管周 围 电路 切 断 以 便 隔 离 测试 ，
结 果 测 试 曲线　
以一 个失 效 的 ８位 单 片机 为 例 ．
封 装形 式 为 ２
８ＰＩ
Ｎ 的　 不变 ，
可 以断定失 效 位 置 就 是这 个 ＭＯＳ管 ；
（ｄ）用 ３Ｏ％ 的　
ＳＯＩ
Ｃ。另外 有一 个和样 品同期 生产 的好 品 作为 比较 。
　 磷酸 去除 表 面 金 属层 ，用 等 离 子刻 蚀 机 去除 下 面 氧 化层 ，
　
（１）
数据 收集 ：
收到分 析请 求 报 告 ，指 出之 前 申请 方 测　 在 １
０００倍 金 相显 微 镜 下观 察 该 位 置没 有 发现 异 常 。继续　
试结 果为 ３管脚 （
ＰＡｏ）
ｘ４　
ＶＳＳ漏 电 ，
１７管 脚 （
ＰＢ３）对 ＶＳＳ　 剥层 ，
在 １
０　 的 ＨＦ中浸 泡样 品 ，
每隔 １
０ｓ取 出 观察 一 遍 ，
　
短路 。报 告 还表 明此 种芯 片有 电过 载 失效 历 史 。第 １
９管　 没有发现异常。直到最后第一层金 属及氧化层 被完全去　
脚 为 ＶＳＳ；
　 除 。在 １
０００倍 金 相显 微 镜 下发 现栅极 与漏 极 扩散 区之 间　
（
２）观 察和判 定 ：（
ａ）肉眼 和低倍 显微 镜 观 察样 品芯 片　 有小黑点。用 ＳＥＭ 观察该位置发现栅极有触须状延伸到　
外形没有污损 ，
管脚之间没有连接现象 ，
排除短路 由管脚　 旁边 漏极 扩散 区 ，
如 图 １所示 ：
　
外部 相 连造成 的 因素 。用 Ｃｕｒ
ｖｅ　
ｔｒａｃ
ｅｒ（曲线 追 踪 器 ）分别　
栅 极　
测量好品与样品的相同管脚曲线并且对 比，
结果 与报告一　
致，
其 他管 脚没 有异 常 。用 ＳＡＭ 观 察样 品 与好 品 ，图像没　
有 出现 明显颜 色 差异 ，
表 明 封 装 内 部没 有 裂 隙 或 空洞 。用　
Ｒａ
ｙ照 相也 没有发 现 金 线 交联 现 象 以 及 其他 的不 规 则 。
　
现在基本 上 可 以把 封 装 以及 打线 造 成 失 效 的情 况 排 除 。
可　
以进行 下一 步 的半破 坏分 析 ；
（ｂ）要 打开 封 装 使 芯 片暴 露 。
　
首先用 ＳＡＭ 的样 品 正 面 照 片确 定 内部 芯 片的 大 概 位 置 ，
　
用 电动 钻在 这个 位置 打个 方 形 槽 ，
其 大 小 依 照 内 部芯 片 大　
小，
深度不 要触 及 芯 片和 引 线 。将 样 品放 在 １
５０。
Ｃ恒 温 电　
图１
　
炉上稍 微加 热后 在槽 内滴 人一 滴 ９８
　 的 发 烟硝 酸 ，
待 大约　
５～６ｓ等 反 应 完全 后 拿 起 样 品用 丙 酮 冲掉 反应 残 渣 ，
然 后　 由于 ＭＯＳ管 多 晶硅 栅 极 触 须 状 延 伸 到 与 ＶＳＳ相 连　
放 在 电炉上 加热 直到 到 丙 酮挥 发 干 静 ，
再 次 滴 人硝 酸 。重　 的漏极 引起 两者 之 间漏 电。 图 中栅 极 的 形状 规则 完 整 ，
触　
复这 一 步骤 直到 芯 片表面 、
金 线 与 芯 片键 合 点 完全 暴 露 为　 须 状 延伸很 可 能是 由 于该 位置 显 影 不 合 格 而 产 生 了碎 块 ，
　
止，
但 金线 与外 部 引 脚 的键 合 点 （第 二键 合 点 ）不 可 露 出 ，
　 刻 蚀栅 极 （
多 晶硅 层 ）时 没有 被 刻 蚀 干 净 的部 分 。也 可 能　
防止损 坏第 二键 而影 响 复测 。完 成 后 放 到 丙 酮 中在 超 声　 是 由于静 电 电流产 生 的 ；
　
波振荡器中清洗干净 ；
（ｃ）将制好的样 品放在金相显微镜　 （
５）总结 ：
第 ３管脚与 ＶＳＳ漏 电的原 因是与之相连的　
下观察 ，
在 １７脚 的键 合 点 （
焊盘 ）
旁边 发现 有 一片黑 斑 。可　 一

个 ＭＯｓ管栅多晶硅 延伸到了与 ＶＳＳ相连 的漏极扩散　

以清楚 的看 到 一 片烧 毁 的痕 迹 。而 其 他 部 位 没 有 发 现 异　 区，
延伸 的原 因 可 能 是 显 影 不 合 格 或 者 静 电 引起 。第 １
７　
常 。对 照原 理 图 以及 芯 片 版 图 ，
确定黑斑 位置是在 １
７脚　 管 脚 与短 路 ＶＳＳ的原 因是 电 流过 载 电路烧 毁 。
　
与 ＶＳＳ互 连 电路之 间 ．
这 部 分 电 路烧 毁 可 能导 致 １７脚 与　
参 考 文 献　
ＶＳＳ短路 ；（
ｄ）用 曲线 追 踪 器 复 测 ．
结果与开盖前一致 ，
证　
明开 盖 过 程 没有 破 坏 失 效 位 置 ，失 效 位 置 应该 在 芯 片上 。
　 ［
１］ Ｄｒ
．Ｃａ
ｒｌｏ
ｓ　Ｄｉ
ｕ，Ｅｌ
ｅｃｔ
ｒｉｃ
ａｌ　Ｏｖｅ
ｒｓｔ
ｒｅｓ
ｓ　ａ
ｎｄ　
Ｅｌｅ
ｃｔｒ
ｏｓｔ
ａｔｉ
ｃ　
把样 品置 于热点 检 测 仪 下 ，
在 第 ３脚 与 ＶＳ
ｘＳ之 间 加 一 个　 Ｄｉ
ｓｃｈａｒ
ｇｅ　Ｉ
ＥＥ＇
Ｅ　ＴＲＡＮＳＡＣＴＩ
（）ＮＳ　ＯＮ　ＲＥＩ
』ＡＢＩ
Ｉ』ＴＹ ，
　

３
Ｖ，３Ｈｚ的交 流 电压 ，
开启 Ｉ
．ｉｇｈｔ
　ｅｍｉ
ｓｓｉ
ｏｎ热 点 捕 捉 ，
发 现　 １９９５ 。４４（１）
．　

明显热 点 位置 ，
并 记录 该 位置 ；
　 ［
２］　 姚 立 真 ．可 靠 性 物 理 ［Ｍ］
．北 京 ：电子 工 业 出 版 社 ，
　
（
３）假定 失 效 ：
（ａ）根 据 １
７脚 的观 察 结 果 可 以 假 定 为　 ２００４：２４２．
　

ＥＯＳ（电过 载 ）
损伤 ；
（ｂ）根 据芯 片原 理 图还 有版 图 ，
发 现 热　 ［
３］ 郭小伟 ．国产二 次集成 电路 的主要失效模 式［
Ｊ］．中国集　
点处 有一 个 ＭＯＳ管 ，
其 栅极 与第 ３脚 相连 ，
漏 极 与 ＶＳＳ相　 成 电路 ．
　

・　
１
　６９　・