化 工 进 展

2006 年第 25 卷第 6 期 CHEMICAL INDUSTRY AND ENGINEERING PROGRESS ·670·

电子器件发热与冷却技术
马永锡，张 红
（南京工业大学机械与动力工程学院，南京 210009）

摘 要：电子器件的发展依赖于冷却技术的进步。本文分析了当前电子器件发热的最新现状和发展趋势，以及电
子技术发展面临的挑战，并介绍了几种先进的冷却技术，如：改进翅片散热、直接浸入式冷却、冷板冷却、热管
冷却、热电冷却技术等。
关键词：电子器件；发热；热管理；冷却技术
中图分类号：TK 172 文献标识码：A 文章编号：1000–6613（2006）06–0670–05

Heat dissipation of electronics and cooling techniques

MA Yongxi，ZHANG Hong
(School of Mechanical and Power Engineering，Nanjing University of Technology，Nanjing 210009)

Abstract：The development of electronics depends on the advance of cooling methods. The present
situation and trend of heat dissipation of electronic devices are described. At the same time，several
advanced cooling techniques，such as improved heat sink cooling，direct immersion cooling，cold plate
cooling，heat pipe cooling and thermoelectric cooling are introduced.
Key words：electronics；heat dissipation；thermal management；cooling techniques

电子装置（含微电子和光电子装置）是由大量 蚀、界面失效。图 1[1]表示了模拟和数字元件的失

的电子元器件组成的，热量主要来自那些具有阻性 效率与温度的关系，30～60 ℃是较为理想的元件表
载流的元器件，如变压器、集成电路、大功率晶体 面温度，当表面温度大于 100 ℃时，元件失效率明
管、发光器件、扼流圈、大功率电阻等。它们的功 显增大，特别是对于线性模拟元件。
耗（P=U·I）大部分以热传导、对流和换热辐射的 显然，电子器件的发热问题是直接影响其可靠
形式散发到周围介质中，只有小部分以电磁波形式 2.5
散出。随着电子技术的发展，单个元器件的电压、
2
电流有所下降，但由于元器件总数目的增加和封装 线性模拟元件
失效率(每 105h)/%

1.5
密度的提高，从而使功耗密度不断增大。
每个元器件或材料都有一定的工作温度范围， 1
数字 CMOS
超出这个范围可靠性就会急剧恶化。如电解电容器 0.5
的 10 ℃规律：温度每上升 10 ℃，其寿命会降低一 0 数字二极管
半；温度每下降 10 ℃，其寿命会延长一倍。温度促 -0.5
使电子器件失效的方式有两种：直接作用和间接作 20 40 60 80 100 120
结合面温度/℃
用。直接作用是指在一定温度条件下发生化学反应
和加速扩散，直接导致芯片失效；间接作用则是在 图1 表面温度与模拟及数字元件失效率的关系[1]
热应力和振动（如汽车、军用电子产品）的条件下，
造成器件的疲劳破坏。此外，温度变化和温度梯度
收稿日期 2005–11–14；修改稿日期 2006–03–18。
的存在也会导致器件失效。常见的失效缺陷有：封 第一作者简介 马永锡（1975—）
，男，博士研究生，主要从事高效传热
装壳开裂、氧化膜开裂、内部分层、基板变形、侵 传质设备的研究。电话 025-83587416；E–mail youngsea_mars@163.com。
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性的关键问题。局部的失效，可能会导致整个系统 面对上述挑战，必须研究开发各种先进有效的
停止运行，造成不可估量的损失。因此，在设计电 技术手段避免和延迟利用制冷系统。除了开发新的
子装置系统时，控制电子元器件在较低的温度下运 耐热材料，改进芯片制造技术，很重要的措施就是
行是提高系统可靠性的主要目标之一。 寻求有效的冷却方案。

1 电子器件发热面临的挑战
当前，电子产品无处不在，特别是对于高新、
尖端技术产品，元器件的高密度、高集成、高频、
小型化发展已是不可逆转的趋势，伴随其发热量的
增加也是不可违背的物理现象。大量晶体管集成一
个芯片，大量的芯片集成一个微处理器，许多的处
理器以及存储芯片集成一个计算系统，多个计算系
统组成一个工作站，多个工作站组成一个大空间。
Intel 创始人 Moore 博士[2]在 20 世纪 70 年代曾预言：
电子装置的半导体晶体管的集成密度和产品性能每
18 个月翻一番。这就是在电子工业界很有名的
Moore 定律，在过去三十多年电子技术的发展已证
实了该定律的正确性[3]。2003 年 Itanium 2 处理器
的晶体管数量为 4.1 亿，预计到 2007 年微处理器的
晶体管数量达 10 亿[4]。到 2008 年功能最强大的微
处理器发热量可能接近 10 kW[5]。此外，为了防止
灰尘、潮气、以及水的进入，通常将整个装置封装
起来，这就更加剧了电子装置内部环境的恶化。
图 2[6]总结了目前所面临的挑战：图中直线 1
表示为保证处理器高频、高性能的发展，要求机箱
内温度下降的趋势，直线 2 表示高密度、高集成、
低噪声的发展，促使箱体内部温度上升的趋势，二
者之差为可利用冷却装置降低的温差。当两线相交，
冷却装置可带走的热量为零时，摩尔定律可能将不
再有效，设计者们可能会寻求利用制冷系统对整个
箱体内部环境进行冷却，但由此会带来能源消耗和
操作费用的增加、元器件可靠性降低、不利的环境
影响等负面效应。
1989 1994 2000
90
80 功率增大 箱体
1
内部
温度
70 更高的运行频率 下降
较低的结合面温度
60
温度/℃
2 冷却技术
冷却方法有很多，按接触方式可分为直接冷却、
间接冷却和系统冷却。直接和间接冷却是指冷却介质
是否直接接触发热对象而言，通常是为单个功率器件
服务的；而系统冷却是为某一电子系统服务的。提高
间接冷却技术传热性能最有效的方法就是减小热源
与冷却介质间的传热路径，即减小二者间的热阻。目
前通常做法是在热源和冷却装置间放置热填充材料，
如导热硅脂、环氧树脂、热间隙垫片等。更直接有效
的方式是将冷却装置跟热源基板集成为一体。
按冷却介质又可分为固态冷却和流体冷却。常
见的固态冷却有热电冷却、磁热冷却；流体冷却又
分为单相流体冷却和相变冷却。单相流体冷却具体
有空气自然或强制对流散热、液体强制对流换热。
相变流体冷却包括介质的蒸发、冷凝、沸腾。
冷却的目的除了要移走一定的热量外，还要保
证目标元件的工作温度不超过一定数值。采用自然
对流显然不能满足电子技术发展的需求；空气强制
对流技术（通常风扇＋散热片）被广泛的应用于电
子装置中，为了提高冷却效果，可以增大散热片的
尺寸和气流速度。电子器件的小型化，集成化发展
只能使散热片和风扇的尺寸减小，风扇流速太高会
发出较大的噪声。可见，空气强制对流散热的能力
也是有限的，下面介绍几种先进的冷却技术。
2.1 改进翅片散热器
由于翅片散热器成本低、安装方便，备受青睐。
对其进行改进的方法有：采用薄翅片增加翅片面
积；采用针状翅增加强制对流空气的湍流程度[7]；采
摩尔定律？ 用高导热系数的翅片材料，如金刚石、石墨复合材
料[8]；采用相变＋翅片散热器，将翅片与相变室做
成一体，如：汽室散热器（图 3）和雾化室散热器
（图 4）。汽室散热技术的原理为：在一负压空腔内
？

Rth=ΔT/功率 0
50
发热量增加 2
充有一定量的工作介质，液池内的液体受热沸腾蒸
40
空间体积减小 发，蒸汽在冷凝壁面上冷凝后沿壁面上的吸液芯回
30 上升
降低噪声 部 温度 流到液池中，周而复始的传递热量，具有热阻小、
20 内
箱体
10 散 热 均 匀 等 优 点 [9] 。 美 国 Thermacore 公 司 的
0 Therma-Base 汽 室 散 热 器 散 热 密 度 可 超 过 80
0.1 1 10 100 1000 10000
功率/W W/cm2。雾化室技术是采用振动诱发雾化的原理，
图2 可供冷却装置带走热量变化的趋势[6] 即腔室内的液体通过振动雾化为液滴，液滴在上升
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的过程中吸收热源散出的热量并汽化，蒸汽在壁面
液体出口 液体进口
冷凝后沿壁面回流到液池内，液滴的尺寸与振动的
频率和幅度有关 [10] 。该冷却技术的散热密度高达
200 W/cm2，雾化水滴直径在 70～800 µm[11]。
散热翅

密封盖 基板 喷嘴
气流

图5 液体射流冷却[15]

喷嘴
出口 入口
汽室 芯片 液滴
[9]
图3 汽室散热器示意图 汽泡
冷凝壁面 芯片 散热翅 液膜

基板 芯片

图6 液体喷雾冷却[15]

源带走的热量再经气液换热器将热量散出。冷板采
液滴 共振雾化器 用空芯结构，通常为蜂窝状或回旋状的结构形式，
图4 雾化室散热器[11]
所采用的液体通常是水、碳氟化合物、硅脂或己二
醇 等 。 美 国 Avid Thermalloy 公 司 专 利 产 品 Hi
2.2 直接浸入式冷却 Contact 系列冷板是将镶嵌在平板上圆管部分压扁，
直接浸入冷却可以明显减少接触热阻。常见的 使得管与板形成同一平面，这样冷却管可以与元器
有两种：液体射流冷却（图 5）和喷雾冷却（图 6）。 件直接接触，从而提高传热效果。Thermacore 公司
射流冷却是单相流体冷却，依靠高速流体冲刷带走 最新推出的微处理冷板冷却系统散热能力超过 200
热量，传热性能与射流的速度密切相关。喷雾冷却 W，热流密度大于 250 W/cm2。
是一种相变冷却，是利用池沸腾散热的原理，液滴 气液换热器
循环液体及管路
在热源表面形成液膜，膜内沸腾蒸发带走热量。直
接浸入冷却要求液体介质具有惰性（对材料无腐蚀） 冷板
风扇
和绝缘性，同时密封性要求高，不幸的是，这类介
质通常汽化潜热值低，导热性能差。该类冷却方式 泵
通常受成本、可靠性和空间的影响。射流冷却介质 芯片
采用非导电性流体（如碳氟化合物 FC-72） ，散热热 图7 冷板冷却系统
2 －4
流密度可达 120 W/cm ，此时流速为 2.2×10 m3/s[12]；
若冷却介质为水， 射流速度 47 m/s， 温差接近 600 ℃， 2.4 蒸汽压缩制冷
2
其散热能力高达 1 700 W/cm ，可用于冷却半导体激 大型的服务器和工作站已经应用蒸汽压缩制冷
光器 [13]。喷雾冷却介质采用碳氟化合物流体 FC-87， 技术（见图 8）来降低 CMOS（互补金属半导体）
其临界散热热流密度可达 90 W/cm2；若采用水，临 处理器的温度，从而达到提高系统性能的目的。该
界热流密度可超过 500 W/cm2[14]。 技术把蒸发器直接安装在处理器模板上，其他的硬
2.3 冷板 件如压缩机、冷凝器、阀门等通常封装在一起安装
液冷是一种有效的散热方式，传热能力虽不及 在系统的底部或是机箱的支架上。应用该技术的芯
相变传热，但要比风冷高出很多。大的商业系统和 片温度可以实现–20～40 ℃[16]。IBM 公司的 IBM
办公系统将会选择液冷代替风冷。图 7 的冷板技术 S/390G4 大型终端服务器中的 CMOS 系统首次采用
是一种相对简单和成本低的方案，由循环液体从热 蒸汽压缩制冷，处理器的平均温度为 40 ℃，比相同
 第6期 马永锡等：电子器件发热与冷却技术
设计条件下空气冷却降低了 35 ℃，因此有较大的空
间来提高处理器芯片运行速度，后续 G5、G6 以及
z900 系列服务器也均采用了相同的冷却技术[17]。由
于蒸汽压缩制冷系统成本相对较高，额外消耗大，
因此还没有大规模的生产。
冷凝器 过滤器 膨胀阀
热气旁路阀
压缩机 加速器 蒸发器
处理器模块
图8 蒸汽压缩制冷系统
2.5 热管
热管是一种典型依靠自身内部工作液体相变实
现传热的传热元件。其工作是完全无源和连续的。
由于没有失效的运行部件，所以热管运行是非常可
靠的；同时具有很高的导热性、优良的等温性、灵
活的环境适用性等特性。 热管的传热能力虽然很大，
但也不可能无限加大热负荷，事实上，热管的传热
存在着一系列的传热极限，限制热管传热的物理现
象为毛细力、声速、携带、沸腾、冷冻启动、连续
蒸汽、蒸汽压力和冷凝等，这些传热极限与热管尺
寸、形状、工作介质、吸液芯结构、工作温度等有
关。因此热管产品的选型和设计比前面提到的散热
产品要复杂得多。近年来热管式散热器作为成熟的
商业产品广泛地应用于电器设备散热、电子器件冷
却、半导体元件以及大规模集成电路板的散热[18]。
伴随着小型化电子产品的散热需求，热管技术也向
着小型化发展：微小型热管可以弯制或压制成各种
形状，已成为笔记本电脑 CPU 散热的首选[19]；毛
细泵回路热管可以实现微重力、小温差、长距离条
件下的散热，而广泛用于航天器的热管理系统[20]；
振荡热管是最新、也最为独特的一种热管，由于无
吸液芯，体积小、结构简单、传热性能好，被视为
目前解决微小空间高热流密度的散热方案中一种很
有希望和前途的传热元件[21]。
2.6 热电冷却器
热电冷却器又称半导体冷却器，是一种具有热
电效应的固态冷却装置， 原理是热电效应的逆过程：
当在有两块不同的金属做成的闭合回路的结间输入
电流（直流电流）时，金属间就会保持一个温差。
图 9 为一典型的热电冷却装置，其中热电模块（TE）
·673·
为核心元件，该元件的制作已采用碲化铋、铋、碲、
硒、锑的四元合金掺杂产生了 N 型和 P 型半导体元
素，然后将电路串联、热路并联的几对 N、P 半导
体连接组成模块。 该模块通常封装在两陶瓷板之间，
模块的热面与发热面相固定，其冷面与冷却元件如
散热翅片相连接。当加上直流电流时，电子就从 P
型材料中的较低能级流向 N 型材料中的较高能级，
这样就能从热面取走热量，并通过温差注入到冷面
上[22]。电热冷却器具有结构紧凑、可靠性高、无噪
声、无移动部件、可以实现精确的温度控制(±0.1℃)
等优点。缺点是：热电冷却器在变热流密度散热时
受到限制；转化效率低，仍停留在 20 世纪 60 年代
的水平(5％～10％)。近 10 年来，由于生产成本的稳
步降低，热电冷却装置的市场迅速扩大，逐渐应用
于军事、航天、实验仪器以及商业和工业领域的电
子产品[23]。
散热翅 热电模块
环氧树脂层 密封盖
导热胶 基板 芯片
图9 热电冷却器
3 结 论
发热已成为限制电子技术进步的瓶颈问题，传统
的自然和强制空气对流冷却已不能满足技术发展的
需求，强制液体对流冷却、相变冷却、热电冷却等先
进的冷却技术已成功地应用于电子产品热管理。然
而开发和工业化推广应用性能好（高散热密度，同时
维持较低热源表面温度）、可靠性高（寿命长）
、成本
低（包括制造成本和维护成本）、尺寸小，适应性好
的冷却技术还有很长的路要走。可以预测，改进翅片
散热器和热管产品由于性能好、结构简单、成本相对
较低，在未来几年内将是商业化应用的焦点。
参 考 文 献
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（编辑 史来娣）

·拟建和在建化工项目·
地 区：四川 进展阶段：开工在建
项目名称：成都石化基地（一期）项目 关键设备：炼焦设备、水处理设备、除尘系统、仪器仪表。
项目性质：新建 建设内容：年加工煤焦油 15 万吨。
建设周期：2006～2010 年
投资总额：352 000 万元 地 区：浙江
进展阶段：报批可研 项目名称：年产 3 000 吨高强、高模聚乙稀纤维及防弹制品
关键设备：炼油装置、芳烃装置。 生产线项目
建设内容：总占地面积 15.3 平方公里。启动年炼油 100 万 项目性质：新建
吨及下游芳烃联合装置。 建设周期：2006～2008 年
投资总额：56 150 万元
地 区：甘肃 进展阶段：施工准备
项目名称：年产 60 万吨甲醇项目 关键设备：聚乙烯纤维专业生产设备、仪器仪表。
项目性质：新建 建设内容：年产高强、高模聚乙稀纤维及防弹制品 3000 吨。
建设周期：2006～2008 年
投资总额：256 000 万元 地 区：山东
进展阶段：工程设计 项目名称：联碱循环经济改造工程（更新）
关键设备：甲醇制备装置、径流装置、压缩机、仪器仪表。 项目性质：新建
建设内容：年产甲醇 60 万吨。 建设周期：2006～2009 年
投资总额：156 000 万元
地 区：黑龙江 进展阶段：报批可研
项目名称：年加工煤焦油 30 万吨（一期）项目 关键设备：碱回收炉、煅烧炉、碳化塔、结晶器。
项目性质：新建 建设内容：年新增产纯碱 10 万吨、氯化铵 50 万吨。
建设周期：2006～2007 年 （以上信息由“中国拟在建项目信息网”www.bhi.com.cn 提
投资总额：17 000 万元 供，咨询电话 010-68570776、68570774，传真 010-68570772）