= = = = = = = = = = > = = = = = = = ——g _Bntronica Gera 25 3 Fisica dos Semicondutores Competéncias a serem desenvolvidas neste capitulo: * Identificar, nos niveis atémicos, as caracteristicas de bons condutores e dos semicondutores; * Descrever a estrutura de um cristal de silicio; * Explicar as condigdes que existem na jungdo PN de um diodo nas suas polarizacies; + Explicar como ocorre a ruptura em um diodo. 3.1 Condutores Para podermos entender como se fabrica um material semicondutor, devemos relembrar alguns conceitos basicos de quimica sobre os étomos. Vamos tomar como exemplo 0 atomo de cobre, que 6 um bom condutor, para podermos explicar 0 que é um material condutor. Observando- se a Fig. 3.1, vé-se que o atomo de cobre contém 29 protons (cargas positivas) em seu nucleo, e 29 elétrons (cargas negativas) em suas érbitas, sendo que sua ultima orbita (camada) possui apenas um elétron. Como 6 sabido, a medida que os elétrons circulam em camadas mais afastadas do nucleo, eles possuem menos velocidade e, conseqiientemente, menor forga centrifuga. Conelui-se entao que, para retirarmos um elétron de uma camada que esteja distante do nticleo, necessitamos de uma pequena forga externa. Isso € 0 que ocorre com o atomo do cobre, por possuir um Unico elétron na ultima camada. Com pouca energia, esse elétron se desloca, ocorrendo o fenémeno da condugao de eletricidade. Chamamos de drbitas de valéncia as érbitas externas do atomo. No atomo de cobre, consideramos 0 nucleo © suas trés primeiras Grbitas como internas. A Orbita externa é que define as propriedades elétricas de um atomo. Fig. 3.1 - Atomo de Cobre ‘CEFETSC3.2 Semicondutores Os materiais semicondutores sao caracterizados por terem valéncia quatro. Isto significa que este material possui um étomo com quatro elétrons na ultima camada, ou érbita de valéncia. Os materiais condutores possuem apenas um elétron de valéncia, os semicondutores possuem quatro elétrons de valéncia e os isolantes, oito elétrons de valéncia. 3.2.1 O Germanio e o Silicio Podemos citar como exemplo de semicondutor 0 germanio e o silicio. Como se vé nas Fig. 3.2 © 3.3, os Atomos de germanio e silicio possuem 4 elétrons na ultima camada, ou a camada de valéncia indicando que sao semicondutores. Fig. 3.3 - Atomo de Silicio 3.3 Cristais de Silicio A combinacao dos atomos de silicio dé origem a uma estrutura sélida chamada cristal. A formagao do cristal 6 conseqiiéncia da cessao, por parte de cada atomo de silicio de um elétron, a outros atomos de silicio, fazendo com que a orbita de valéncia fique com oito atomos, conforme a Fig. 3.4., assim sendo, ele se torna um atomo quimicamente estavel. Cada atomo vizinho compartitha um elétron com 0 étomo central, fazendo com que todos os atomos centrais contribuam com quatro elétrons adicionais, somando oito elétrons na sua camada de valéncia. Esse tipo de ligagao quimica chama-se ligagao covalent. O nimero maximo de elétrons que um atomo pode ter em sua camada de valéncia 6 cito, e esses elétrons 8&0 chamados de elétrons de ligagdo, porque estado fixos pelos étomos. Devido ‘CEFETSCletronica Geral a7 a esses elétrons de ligago, um cristal de silicio é um isolante quase perteito & temperatura ambiente ( 25°C). Fig. 3.4 - Cristal de Silicio — Ligagao covalente O ctistal de silicio possui uma pureza tal, que em 10° dtomos de silicio ha apenas um tomo estranho presente no cristal. 3.4 Condugao em Cristais Se o cristal for submetido a altas temperaturas, os elétrons de valéncia podem temporariamente deixar suas posigées no Atomo (rompimento da ligagao covalente) e se moverem como elétrons livres. Os dtomos a que os elétrons pertenciam ficam carregados positivamente devido a saida do elétron. Como eles podem capturar elétrons, so chamados de buracos ou lacunas, quando nesta condigao. A temperatura ambiente, cada cm® de um cristal tem aproximadamente 2x10" elétrons livres e igual numero de lacunas. Isto explica a inerente condutividade do silicio. Quando um cristal esta sujeito a um campo elétrico, os elétrons buracos movem-se no cristal em ditegdes opostas. Os buracos movem-se na diregdo do campo e comportam-se como portadores de cargas positivas. Podemos dizer que existem dois tipos de trajetos possiveis para a corrente num semicondutor: + Corrente devido ao fluxo de elétrons livres num sentidi * Corrente devido ao fluxo das lacunas no sentido oposto. Os elétrons livres e as lacunas sao chamados, as vezes, de portadores, porque transportam uma carga igual de um lugar para outro. 3.5 Dopagem de um Semicondutor Um cristal de silicio puro é conhecido como semicondutor intrinseco. Na maioria das aplicagdes, nao existem elétrons livres suficientes num semicondutor intrinseco para produzir uma corrente utilizével. A dopagem é 0 processo pelo qual se introduz impurezas num semicondutor intrinseco, de forma a aumentar o numero de elétrons de condugao ou o numero de lacunas. O semicondutor assim formado é chamado extrinseco. CEFETSO3.5.1 Semicondutor Tipo-N E formado introduzindo na estrutura cristalina, atomos de substancias pentavalentes (5 elétrons na érbita de valéncia). Quando colocado no cristal, um elétron excedente é forgado a percorrer uma érbita da banda de condugdo. A Fig. 3.5 ilustra a dopagem de um cristal de silicio por uma substancia pentavalente, no caso o Fésforo (P). Um elétron fica livre, pois nao tem com quem combinar-se. Fig. 3.5 - Dopagem com Fésforo Nos semicondutores tipo-N (negativo), os elétrons so considerados portadores majoritarios, e as lacunas, portadores minoritarios. Alguns atomos pentavalentes: Fésforo, Antiménio e Arsénio. 3.5.2 Semicondutor Tipo-P E formado introduzindo na estrutura cristalina, atomos de substancias trivalentes, (trés elétrons na érbita de valéncia). Quando colocado no cristal, apenas 7 elétrons se encontram nas érbitas de valéncia e, portanto, uma lacuna aparece, A Fig. 3.6 mostra um cristal de silicio sendo dopado com um material trivalente, no caso, o Boro. Nos semicondutores tipo-P (Positivo), os elétrons so considerados portadores minoritérios, e as lacunas, portadores majoritérios, Alguns atomos trivalentes: Boro, Aluminio e Galio. Fig. 3.6 - Dopagem com Boro ‘CEFETSCEletrénica Geral 29 3.6 Jungao P-N E possivel produzir um cristal com metade do tipo-P e metade do tipo- N. A jungao 6 a regiao onde hd a unio das duas substancias. Devido & repulsdo. mutua, os elétrons do material N difundem-se (espalham-se) em todas as diregdes, inclusive através da jungao. PE N ttt tt] ---- ee +++++4] - +++ ete] - '— Jungdo P-N Fig. 3.7 - Jungao P-N Um importante fendmeno ocorre se um cristal do tipo-N é conectado a um cristal tipo-P. Na jungao entre as duas regides, os elétrons livres, majoritarios no cristal N, se difundem no cristal P, onde sao minoritarios, e ocupam as lacunas. O resultado desta difusdo_de_particul: feqadas 6 formar na jungéo uma barreira eletrostatica de potencial. Os atomos do semicondutor do lado N perto da jungao sao ions positivos, pois perderam um elétron. Os dtomos do lado P perto da jungao sao agora fons negativos, pois ganharam um elétron. Isso forma, em torno da jungaio, uma regiao com poucos Portadores chamada camada de deplecao mostrada na Fig. 3.8. 8608 ele eceo ©00® 6l@ 9000 8006 ele oced ©€8@ dle ecce Barreira de Potencial Fig. 3.8 - Barreira Eletrostatica de Potencial Esta regio de deplegao produz um campo elétrico devido a presenca de cargas, que fica mais forte a medida que mais cargas atravessam a junao. O equilibrio 6 alcangado quando o fluxo causado pela difusdo de portadores é contrabalangado pelo fluxo devido ao campo elétrico. A temperatura de 25°C, a barreira de potencial é aproximadamente igual a 0,3V para os cristais de germénio €.0,7V para os cristais de silicio. = _ 3.7 A polarizacao direta da Jungao P-N A jung&o dos ctistais dopados com elementos pentavalentes e trivalentes, como visto acima, € um dos componentes mais comuns empregados em eletrénica, o diodo semicondutor. Aplica-se uma corrente cc aos terminais do cristal de silicio, através de uma fonte cc, identiticada como VI, conforme a Fig.3.9. O terminal negativo da CEFETSCrtnica Geral 80 fonte esté ligado ao lado N do cristal e o terminal positivo da fonte ao lado P do cristal. Isto faz com que os elétrons da fonte exercam uma repulséo nos elétrons do cristal em sentido a barreira de potencial, e as lacunas fazem 0 mesmo no lado oposto. Se a energia aplicada pela fonte for maior que a barreira de potencial, 0,7V para o silicio, os elétrons vencem a barreira de Potencial, ultrapassando-a e encontrando lacunas do lado P, que, apés a recombinagao, passam a ser elétrons de valéncia. Como elétrons de valéncia, eles caminham através das lacunas até alcangarem a extremidade do cristal ¢ escoarem para o terminal + da fonte. 88 88 8s 8 8 3 Fig. 3.9 - Polarizagao direta da Jungao Desta forma conseguimos criar altas correntes no sentido direto de polarizagao. 3.8 A polarizacao reversa da Jungao P-N A Fig. 3.10 mostra 0 diodo sendo polarizado reversamente. Uma fonte 60, identificada como VI, alimenta 0 diodo no sentido contrario a sua condigao natural. Isto faz com que os elétrons da fonte (terminal negativo) atraiam as lacunas do diodo, e as lacunas da fonte (terminal positivo) atraiam os elétrons livres do diodo, fazendo com que todas as cargas acumulem-se nos polos do diodo. Nesse caso, a barreira de potencial aumenta até igualar-se ao valor da fonte VI. Be83 a W P tt Fig. 3.10 - Polarizagao reversa da jungaio Mesmo apés a camada de deplegao estabilizar-se, igualando-se a Vi, uma pequena corrente circular devido aos portadores minoritérios nos dois lados da jungao. Muitos deles se recombinam com portadores majoritarios. Estes elétrons livres, portadores minoritarios, sao gerados pela energia térmica do sistema. O nome que se dé a essa corrente que surge ¢ corrente de saturagao , ls. Diz-se que 6 de saturagao, pois nao podemos obter mais portadores CEFETSCSUSTeeE SUT UU OOOO UU OO UCU UOC UU UCU EU eee eee eee Eletrénica Geral at minoritarios do que os produzidos pela energia térmica, ou seja, o aumento da tenso reversa nao aumenta a corrente de saturaco, que é apenas funcdo da energia térmica. A corrente |, dobra a cada aumento de 10°C. Existe uma outra corrente circulando pela superficie do cristal, conhecida como corrente de fuga superficial, |. Essa corrente 6 produzida por impurezas existentes na superficie do cristal, que acabam por criar caminhos ahmicos para a corrente. I,=1s +1, In, Corrente reversa. Para 0 diodo 1N914 — Ir=25mA @20V, 25°C 3.9 Ruptura Os diodos tém tensdes nominais maximas. Existe um limite do valor da tensao reversa que um diodo pode suportar antes de ser destruido. Continuando a aumentar a tensao reversa sobre a juncao, em um determinado momento sera atingida a sua tensao de ruptura. Para os diodos retificadores (aqueles fabricados para conduzir melhor de um modo que de outro), a tensao de ruptura é usualmente maior que 50V. A tensao de ruptura de um diodo depende do seu nivel de dopagem. A tensao de ruptura deve ser evitada, pois danifica o componente. CEFETSC3.10 Exercicios Propostos Responda as questdes abaixo utilizando a apostila e outros textos a sua disposigao, bem como a internet como fonte de pesquisa. 1) Por que um semicondutor puro nao tem aplicagso pratica? 2) Defina material intrinseco e extrinseco. 3) Oque 6 dopagem? 4) © que obtemos dopando um semicondutor com um elemento pentavalente? E com Boro? ‘CEFETSCOw OWSSSUSCUCSCCECCCCSCESSESEUU Eletrénica Geral 33 elotrb nica Geral 5) Como se forma a barreira de potencial? 6) Explique 0 que ocorre quando o diodo esté diretamente polarizado. 7) Explique 0 que ocorre quando o diodo esta reversamente polarizado. 8) O que é corrente de saturagao? 9) Qual 0 valor da camada de deplegao para o germanio ¢ 0 silicio? 10)O que ocorre com a camada de deplegdo quando a tenso reversa aumenta de 5 para 10V? CEFETSC: Eletrénica Geral 37 4 Diodos Competéncias a serem desenvolvidas neste capitul + Desenhar e identificar um diodo em um circuito. + Desenhar a curva do diodo e identificar os pontos mais importantes. + Entender e aplicar as aproximagées basicas usadas com os diodos. * Verificar 0 estado de um diodo. 4.1 Introdugao Alguns dispositivos eletrénicos so lineares, 0 que significa que suas correntes sao diretamente proporcionais as suas tensdes. O grafico V x | (tensa x corrente) é uma reta. O exemplo mais comum é o resistor. diodo, por causa da barreira de potencial, nao age como um resistor, e sua curva V x | produz um grafico nao-linear. 4.2 Simbolo do diodo A Fig. 4.1mostra 0 simbolo esquematico de um diodo retificador. O lado P é chamado de anodo, e 0 lado N, catodo. Fig. 4.1 - Simbolo do diodo © simbolo do diodo se parece com uma seta que aponta do lado P para 0 lado NY, do anodo para o catodo. 4.3 A curva do diodo Quando 0 diodo é fabricado para converter uma corrente alternada em corrente continua, o diodo é chamado retificador. Uma de suas principais aplicagdes 6 nas fontes de alimentacdo, circuitos que convertem tensdo altemada em tensao continua. A Fig.4.2 mostra o mais simples dos circuitos com diodo. A primeira andlise que devemos fazer 6 se o diodo estd polarizado direta ou reversamente, se ele esta conduzindo ou esta bloqueado. CEFETSCEletronica Geral 38 wv Fig. 4.2 - Circuito com diodo A curva apresentada a seguir pode ser facilmente feita em laboratério, basta montar 0 circuito da Fig. 4.2 e graficar os valores, tanto para +V; como para -V,, A Fig. 4.3 mostra a curva do diodo, RUPTURA REGIAO CORRENTE DORA, DEFUGA JOELHO =07 V Fig. 4.3 - Curva do diodo A Fig, 4.3 nos mostra que quando 0 diodo esta polarizado diretamente, regido direta, do 0 a 0,7V que é a tensao de joelho para o silicio (barreira de potencial), existe apenas uma pequena corrente. Acima deste valor, a corrente aumenta rapidamente e 0 diodo comporta-se como uma chave fechada. Este fato mostra que o diodo nao é um dispositive linear. O motivo da corrente aumentar rapidamente é que, uma vez vencida a barreira de potencial, o que limita a corrente é somente a resist&ncia devida as regides P © N. A soma dessas resisténcias é chamada resisténcia de corpo do diodo. Esta resisténcia depende do nivel de dopagem do diodo e das dimensdes do mesmo. Este valor para um diodo retificador 6 menor que 12. A conente CC que circula pelo diodo também é de extrema importancia, pois, se esta corrente for muito alta, produzird uma temperatura que o destruiré. Mesmo que nao o danifique, pode diminuir a vida util do diodo, degradando suas propriedades. As folhas de dados dos diodos, que sao fornecidas pelos fabricantes, trazem este valor, corrente direta maxima, que 6 um valor nominal e é listada COMO Irimis), lo etc. A poténcia de dissipacdo maxima é o produto da corrente CC direta maxima pela tensdo e nos mostra a poténcia que 0 diodo pode dissipar sem perder suas caracteristicas. Trocando-se a polarizagao do diodo para reversa, observa-se apenas uma pequena corrente de fuga. A corrente no diodo é muito pequena para todas as tensdes reversas até a ruptura. Quando se atinge a ruptura, a Corrente aumenta fortemente para pequenas variacdes de tensao. CEFETSC_—rrerrrenreeee eee Se eeeeseseeseseseseseeeeeeseseesee eee se eseS Eletrénica Geral 39 4.4 Primeira aproximacao. “O diodo ideal” Quando se faz a anélise ou 0 calculo de um circuito onde envolva um diodo, 6 necessario saber que tipo de aproximagao vamos utilizar. A primeira aproximagao, mais simples, é chamada diodo ideal. O diodo ideal comporta-se como uma chave. Quando esta polarizado diretamente, ele conduz (resisténcia zero). Quando polarizado reversamente, ele bloqueia a passagem de corrente (perfeito isolante, resisténcia infinita). A Fig. 4.4 mostra a curva do diodo ideal e sua representacao. I Vv IDEAL Polarizagao Polarizacéo Reversa Direta Fig. 4.4 - Diodo ideal 4.5 Segunda aproximagao Na Segunda aproximago, 0 diodo ndo conduz até a tenséio chegar a 0,7V. A partir daf, 0 diodo comega a conduzir e s6 apareceré 0,7V de queda de tens&o no diodo. A Fig. 4.5 mostra a curva para a Segunda aproximagao, | one ov or Segunda Polarizagao Polarizacao, Aproximacao Reversa Direta Fig. 4.5 - Segunda aproximagao A Segunda aproximagao pode ser pensada como uma chave em série com uma fonte de 0,7V, que corresponde a barreira de potencial. Para qualquer valor inferior @ 0,7V ou tensao inversa, 0 diodo se comporta como uma chave aberta, nao conduzindo. 4.6 Terceira aproximacao Na Terceira aproximagao, além da fonte, incluimos uma resisténcia de corpo do diodo Rp, O efeito desta resisténcia é que, a partir de 0,7V, a tenséo CEFETSCEletrénica Geral 40 aumenta linearmente com o aumento da corrente. A Fig. 4.6 mostra a curva para a terceira aproximagao. 1 v Orv ary Rb Ory Rb on oo Hn — Terceira Polarizacdo Polarizacao Aproximacio Revers Direta Fig. 4.6 - Terceira aproximagao O circuito equivalente para a Terceira aproximagao é uma chave em série com uma barreira de potencial de 0,7V e uma resisténcia Rp. Quando a tensdo aplicada for maior que 0,7V, 0 diodo conduz, caso contrario 0 diodo bloqueia. A tensdo total no diodo & 7+, 4.7 Aescolha da aproximagao Na andlise de um circuito, devemos levar em consideragao os niveis de tensao que estamos trabalhando, por exemplo: Se o diodo que estamos verificando esté sendo alimentado por uma fonte de 1,4V e utilizamos a primeira aproximagao, vamos produzir um erro de 50% na nossa andlise, pois somente no diodo teremos uma queda de 0,7V. Por outro lado, se a tensao de alimentagao for de 70V, 0 erro seré de 1%. Em geral, a segunda aproximagao nos dé um bom resultado em termos de andlise do circuito. 4.8 Areta de carga A reta de carga 6 um recurso usado para calcular o valor exato da corrente @ da tensao no diodo para um determinado circuito. Vamos caleular a reta de carga para o circuito da Fig. 4.7. Rs Fig. 4.7 - Circuito com diodo Sendo este circuito série, a corrente 6 a mesma em qualquer ponto do circuito. CEFETSC NE nn ne 8 a um ie man a a nn na aaahEletrénica Geral 4t (4.1) Se a tensao na fonte for 2V, ¢ a resisténcia de limitagéo de corrente for de 1009, entéo a equagao (4.1) sera: v 1002 A equagao (4.2) 6 uma relagdo linear entre a tensdo e a corrente. Plotando-se essa equagao, obteremos uma reta. O ponto de saturagao, que representa a corrente maxima, 6 encontrado fazendo-se a tensao sobre o diodo igual a zero, que fica: 2-0 | 20mA 1002 (43) (4.2) As coordenadas para este ponto sao (I=20mA, V=0), e esta mostrado na Fig. 4.8 outro ponto importante que devemos marcar 6 0 ponto de corte, que significa 0 ponto onde a corrente é minima. Para isso fazemos V=2V. Entao a equagao (4.2) fica: 2-2 100 Com 0 ponto de saturagao (I=20mA, v=0) e o ponto de corte (I=0, V=2), tragamos a reta de carga, sabendo-se que qualquer outro ponto de funcionamento estard sobre essa reta. 1 (4.4) 30mA 20 mA 125 mal 10mA 0 075V 1 2Vv Fig. 4.8 - Reta de carga para o diodo ‘CEFETSCEletronica Geral 42 4.9 OpontoQ ponto Q representa a solugao do problema e é a intersegao entre a reta de carga e a curva do diodo. As coordenadas do ponto Q nos mostram a tensdo e a corrente no diodo para uma fonte de alimentacéo de 2V e uma resisténcia de limitagéo de corrente de 1009. Lendo-se as coordenadas do ponto Q, obtemos uma corrente de 12,5mA @ uma tensao no diodo de 0,75V. O ponto, para o caso citado, esta representado na Fig. 4.8. 4.10 Teste elétrico do diodo Falaremos agora de como testar um diodo comum de silicio, a fim de verificar 0 estado de suas jungées. Este teste aplica-se em geral para diodos que trabalhem com correntes de até 10 A. ‘A prova € de continuidade, por isto necessitamos de um instrumento como 0 multimetro, que possui ohmimetro, a fim de medirmos a resisténcia @hmica no sentido direto e reverso. Multimetros mais modemos trazem em sua escala de resisténcia uma posigdo especial para teste de diodo, onde a prova de continuidade nos dois sentidos € verificada através de um som. Em instrumentos analégicos, ou mesmo digitais mais antigos, devemos fazer a leitura da resisténcia da jungao, utilizando menor escala de resisténcia que o aparelho possuir. A resisténcia, no sentido direto, deve ser muito baixa (sempre inferior a 10002 ) e, no sentido inverso, devera acusar resisténcia infinita. Nesse caso, 0 diodo encontra-se em bom estado. ‘Se a medida da resisténcia for muito baixa nos dois sentidos, é sinal que 0 diodo esta em curto, e se a resisténcia for alta nos dois sentidos, 0 diodo esta aberto. A Fig. 4.9 mostra a posi¢ao das ponteiras para 0 teste do diodo. Fig. 4.9 - Teste do diodo CEFETSCEletrénica Geral 43 4.11 Exercicios resolvidos 1) Observagao da experiéncia: a. Ridireta) = pequena } diodo em bom estado b. R(inversa) = muito grande 2) Observagao da experiéncia: a, R(direta) = grande ou } diode danificado b, R(inversa) > muito pequena. 4.12 Exercicios propostos 1) Que tipo de dispositivo 6 o resistor? a) Unilateral b) Linear ©) Nao-linear d) Unipolar 2) Qual a polarizagao de um diodo em corte? a) Direta b) Inversa ©) Fraca d) Reversa 3) Quando a corrente em um diodo é alta, sua polarizagao 6: a) Direta b) Inversa ©) Fraca d) Reversa See CSO U UU UU EUS UTES SEES TESS SSS eee 4) A tenso de joelho de um diodo 6, aproximadamente, igual a a) Tensao aplicada b) Barreira de potencial ©) Tensao de ruptura d) Tensao direta CEFETSCa Brtrinicza Gore 44 5) Na Segunda aproximago, que valor de tenséo existe num diodo de silicio, quando ele esta reversamente polarizado? a) 0 b) 0,3V ©) 0,7V d) Vionte 6) Na aproximagao do diodo ideal, qual é a tensao do diodo? a) 0 b) 07 c) Mais de 0,7V d) iV 4.13 Respostas Exercicio 4.12 - 1) b, 2) d, 3) a, 4) b, 5) Vionte, 6) a CEFETSCElotrénica Geral 47 5 Circuitos com Diodos Competéncias a serem desenvolvidas: + Entender a funeao do transformador de entrada das fontes de alimentagao; * Desenhar e entender o diagrama de um retificador de meia onda e explicar 0 seu funcionamento; + Desenhar e entender o diagrama de um retificador de meia onda completa em ponte e ponto médio e explicar o seu funcionamento; Entender 0 funcionamento de um filtro capacitivo; Conheeer o diodo zener e o LED. 5.1. Introdugao Podemos pensar no diodo retificador como uma chave fechada, quando polarizado diretamente, e como uma chave aberta, quando polarizado inversamente. A isto chamamos de diodo ideal. Devido a esta caracteristica, ele é muito utilizado na conversao de corrente altemada em corrente continua. Veremos neste capitulo trés tipos basicos de retificadores. Um outro tipo de diodo também conhecido é 0 diodo zener, utilizado para a regulagem de tensao. Por diltimo, veremos 0 LED (Diodo emissor de luz), que, como o nome diz, ¢ utilizado para sinalizagao. 5.2 O transformador As concessionarias de energia elétrica no Brasil fornecem uma tenséo de 127 Vrms ou 220 Vrms, dependendo da regiao. Como essa tensao 6 muito alta para a maioria dos dispositivos eletrénicos, devemos baixd-la e depois retificd-la com diodos Essa é a razao de abordarmos esse tema brevemente aqui. A Fig. 5.1 mostra um exemplo de um transformador, onde N1 é o numero de espiras do enrolamento primario e N2 do secundario. 4 1 la wane ret eS Fig. 5.1 - Transformador As linhas verticais no nticleo do transformador indicam que o mesmo é de ferro. Ao secundario esta ligada uma carga Ri. Diz-se que o transformador é abaixador quando N2 é menor que N1, e elevador quando do contrario. CEFETSCEletrénica Geral 48 1) A equagao (5.1) mostra a relagéo de tensdo entre primario secundario, em fungao do numero de espiras N1 e N2. Considerando-se 0 transformador ideal, onde néo ha perdas, a poténcia de saida é igual a de entrada: ou da onde deduzimos que 5.3 Retificador monofasico de meia onda Um circuito retificador converte um sinal de corrente alternada em um sinal unidirecional, isto 6, converte uma tensao ca em cc. Apés a retificagao, a tenso obtida oc nao é pura como a de uma bateria. Contém uma componente de ripple (componente ca) superposta a um valor continuo médio (cc). Os circuitos retificadores nao controlados, possuem em sua estrutura apenas diodos, fornecendo carga uma tensdo média constante, dependente da tensao alternada na sua entrada. ATENGAO Para todas as consideragses, chiles 2 formulas empregadas a partir de ‘agora para os | fetificadores, sera atribuida ao diodo aU nacueee a primeira aproximagao ‘ul diodo ideal. Na re sOlligao ou anélise de um circuito retificador, devemos: levar em ig conta qual aproximagao utilizar para ter uma resposta “mais eae Cae” ay eee ae 5.3.1. Estrutura e convengées de polaridade A estrutura apresentada na Fig. 5.2 6 a mais simples dentre os retificadores, todavia nao encontra grandes aplicagdes na industria. Como exemplo, podemos citar carregadores de baterias e pequenos equipamentos cc, tendo como principal desvantagem sua baixa eficiéncia. Entretanto, essa configuracao ¢ util para podermos entender o principio da retificagao. Para a compreensdo do funcionamento deste retificador ¢ dos outros que vamos estudar é importante fixarmos algumas convengées que vao auxiliar no estudo. Na figura abaixo a polaridade das tensdes e o sentido da corrente indicam as convengées de polaridade e de sentido de circulagao para estas varidveis, ou seja, quando elas sao positivas elas apresentam as polaridades e © sentido indicados na figura abaixo. Caso sejam negativas obviamente tem-se CEFETSCPee Oe ETUC O UU UU UR UU USSU SUP SST PSS SEP 8 Eletrénica Geral 49 a polaridade ou o sentido de circulagdo contrario aos indicados. A varidvel vp 6 a _tensdo no primério do transformador, vs a tenséo no secundério do transformador, vd a tensdo no diodo e ic e ve a corrente e tensdo na carga tespectivamente. Fig. 5.2 - Estrutura e convengées de polaridade para o retificador monofasico de meia ‘onda com carga R 5.3.2 Seqiiéncias de funcionamento jon Na figura 5.3 observa-se que a tensao no secundério vs é positiva de 0 até m, ou seja, a sua polaridade instantanea sera idéntica a indicada na convengéo (Fig. 5.2): potencial positivo no terminal superior e negativo no inferior. Para analisar as seqiiéncias de funcionamento, aps a identificagdo da Polaridade instanténea da fonte, descreve-se o caminho percorrido pela Corrente e apés faz-se a andlise da tensdo nos componentes (diodo e carga). Corrente: a corrente sai do terminal positivo e 6 sugada pelo pélo negativo da fonte. E importante observar que a corrente elétrica é conservativa: toda corrente que entra em um componente do circuito tem que sair dele. Neste caso a corrente sai do pélo positive de vs, como mostra a figura acima, Passa pelo diodo, o qual permite sua passagem (observe o sentido da seta no simbolo do diodo), pela carga e finalmente chega ao pélo negativo. Tensao: se a analise do caminho percorrido pela corrente for correta, entao 0(s) diodo(s) por onde a corrente passou estéo com tensao positiva (+0.7 V da barreira de potencial) @ funcionam como chave fechada. Nesta andlise iremos desprezar a queda de tens4o na barreira de potencial. No(s) carinho(s) onde no ha a circulagao de corrente entdo certamente 0(s) diodo(s) estao com tensdo negativa (polarizagao reversa) e funcionam como chave aberta. Para o ‘CEFETSCEletrénica Geral 50 Circuito acima visto que 0 diodo é um elemento passivo (ndo fornece energia elétrica), no terminal do diodo onde a corrente entra temos um pélo positive (neste caso 0 anodo) e onde a corrente sai o pélo negativo (neste caso o catodo) caracterizando polarizagao direta e 0 diodo funciona como chave fechada. Desconsiderando a queda na barreira de potencial o diodo tem tensao nula: veja a Fig. 5.3. Com o diodo funcionando como chave fechada o pélo positive da fonte é conectado diretamente com a carga e toda a tensao do secundario do transformador 6 aplicada a carga. Observe que a tensao na carga é positiva nesta seqiéncia, pois 0 pélo positivo est no terminal superior 0 negativo no inferior, exatamente como na convengao indicada na Fig. 5.2. b) m2n A pattir de wt=0 até wt=2n a tensao vs apresenta valor negativo, ou seja, polo negativo no terminal superior do secundario e pélo positive no terminal inferior (observe a figura abaixo). R ve=zero ee Corrente: neste caso a fonte tende a empurrar a corrente pelo pélo positivo e sugar pelo negativo. Mas isto é impossivel, pois o diodo (observe 0 sentido da seta no simbolo do diodo) nao permite. A corrente entao 6 nula. ‘Tensao: como nao ha corrente na carga a tensdo na carga é zero. Isto. significa que a diferenga de potencial nos terminais da carga é nula, ou seja, 0 Potencial no terminal inferior da carga, que 6 positivo, igual ao do terminal superior. O pélo positivo da fonte vs é conectado diretamente ao catodo do diodo através da carga. Note que apesar de nao haver corrente elétrica na carga a ligagao elétrica entre seus terminais nao foi interrompidal O pélo negativo da fonte é conectado diretamente ao anodo do diodo caracterizando polarizagao reversa. Observe que toda a tensdo do secundatio vs é aplicada a0 diodo e é negativa (Fig 5.3): 0 positivo esta no catodo e 0 negativo no anodo (0 contrario da convengao adotada). 5.3.3 Formas de onda CEFETSCa Elotronica Geral st ys a A 3 wt ve “Y 7 2 sit a ue le=id - T 2m 3m ant va w 2 an ait nt - V0 yee Fig. 5.3 - Formas de onda 5.3.4 Tensao e Corrente Média na Carga A tens4o média na carga é obtida utilizando a definigao de valor médio: Dareas > T £ Vmed = No caso de vc, a somatéria das 4reas, como mostra a figura abaixo, corresponde a rea do semiciclo positivo de uma sendide, que é calculada pela expressao: entao: Vemed = 0,45 -Vo| ‘CEFETSCElet ica Geral 52 A componente continua da tensdo de carga 6 45% da tens4o eficaz do secundério do transformador. A corrente média na carga € obtida através da expressao: 5.3.5 Componente alternada da tensao na carga A tensdo na carga é um sinal continuo pulsante, isto é, possui uma componente continua e uma componente alternada: ve = ve(ce) + ve(ca) = Ved + ve(ca) A Fig. 5.4 mostra o sinal e suas componentes continua e alternada: “T 7 3 am wt T ve(eo) Vemned aa 7 a an an mt ve(ca) a a an owt Fig. 5.4 - Componente cc e ca A componente alternada pode ser facilmente obtida subtraindo o sinal ve de sua componente continua (Vemed). O valor eficaz de ve é maior que seu valor médio, pois a poténcia ou calor produzido por todo o sinal (componente continua © alternada) 6 superior ao produzido apenas pela componente continua. O valor eficaz pode ser calculado por: 707-Vq Devido ao aparecimento de uma componente continua, a poténcia aparente do secundario do transformador deverd ser maior que a poténcia Vee CEFETSCTee ee FOU UT RUE UU OU UE UST EPT USS SSS STS ESSN Eletrénica Geral 53 aparente do primario, porque esta corrente satuta o transformador, sendo que 0 transformador isola a rede da componente continua do retificador. A corrente eficaz do diodo Ide pode ser calculada como: idef 0,707 -Vo 5.3.6 Tens4o inversa maxima e corrente média nos diodos Durante 0 semicicio negativo, 0 diodo bloqueia, recebendo sobre ele toda a tensao de pico do secundario. A maxima tens&o reversa aplicada ao diodo é: Vd yy =V2V0 E importante observar que a tensdo Vdpico aplicada sobre o diodo nao pode ultrapassar a maxima tensao de pico que o componente suporta Varn, cujo valor pode ser encontrado no catdlogo do fabricante. A corrente média em cada diodo é igual a corrente média na carga: Td ggg = Temed 5.4 Retificador monofasico de onda completa com ponto médio O retificador de onda completa com ponto médio caracteriza-se por utilizar um transformador com 0 secundario dividido em dois enrolamentos, como mostra a Fig. 5.5. Este retificador apresenta um desempenho melhor que os de meia onda, pois a tensdo na carga possui uma componente alternada menor. No entanto o transformador tem que possuir um secundario com derivagao central para que esta estrutura com dois diodos possa ser realizada. No caso de 0 transformador nao possuir a derivacdo central uma estrutura com 4 diodos necesséria, como estudaremos a seguir. Neste caso, como mostra a figura abaixo, a tensdo vs ¢ a tensdo de uma das metades do secundario. vp. “yao 2 Fig. 5.5 - Estrutura e convengées de polaridade para 0 retificador monofésico de onda completa com ponto médio. CEFETSCirre Gerad 54 Devido ao ponto médio, centro dos dois enrolamentos, 0 retificador se comporta como dois circuitos retificadores de meia onda. A parte superior retifica 0 semi-ciclo positivo, ¢ a inferior, o semi-ciclo negativo. 5.4.1 Seqiiéncias de funcionamento ajlon A tensao no secundario vs é positiva de 0 até x, ou seja, potencial positivo no terminal superior e negative no inferior de cada metade do secundario. Corrente: para a metade superior do secundario a corrente sai do pdlo positivo, passa pelo diodo 1 (chave fechada), pela carga e é sugada pelo polo negativo. Para a metade inferior a corrente nao sai do pélo positive, pois nao pode ser sugada pelo polo negativo devido ao diodo 2. ‘Tensao: 0 pélo positivo da metade superior do secundario é conectado diretamente a carga através do diodo 1 (chave fechada). A tensao da metade superior do secundario 6 entao aplicada a carga. No diodo 2 0 pélo positivo da metade superior do secundario 6 aplicado ao seu catodo uma vez que o diodo 1 esté conduzindo (chave fechada) e 0 pdlo negativo da metade inferior do secundario é ligada ao seu anodo, Portanto o diodo 2 esté com polarizagéo reversa e a tenséio negativa aplicada sobre ele é duas vezes vs. b) n2n A tensao no secundario vs é negativa de 1 até 2n, ou seja, potencial negativo no terminal superior e positivo no inferior de cada metade do secundario. | 2 CEFETSCEletrénica Geral 55 Corrente: para a metade inferior do secundério a corrente sai do pélo positivo, passa pelo diodo 2 (chave fechada), pela carga e é sugada pelo pélo negativo. Para a metade superior a corrente nao sai do pélo positivo, pois nao pode ser sugada pelo pdlo negativo devido ao diodo 1. Tensao: 0 pélo positive da metade inferior do secundario é conectado diretamente & carga através do diodo 2 (chave fechada). A tensao da metade inferior do secundario 6 entao aplicada & carga. No diodo 1 0 pélo positive da metade inferior do secundério é aplicado ao seu catodo uma vez que o diodo 2 esta conduzindo (chave fechada) e o pdlo negativo da metade superior do secundério é ligada ao seu anodo. Portanto 0 diodo 1 est4 com polarizagao reversa e a tensao negativa aplicada sobre ele é duas vezes vs. 5.4.2 Formas de onda His auna aan ae aa Fig. 5.6- Formas de onda CEFETSCEletrénica Geral 56 5.4.3 Tensao e Corrente Média na Carga Neste caso, temos, a forma de onda de ve apresenta a metade do periodo em relagao ao caso anterior, portanto: 2y2Vo Vemed 0,9V0 a A corrente média na carga é obtida através da expressao: Vemed Temed = 5.4.4 Tensao inversa maxima e corrente média nos diodos A corrente média em cada diodo 6 a metade da corrente média na carga: dg = 1d2,,., = emed A maxima tensao reversa aplicada aos diodos é: VA yieg = -22V0 5.4.5 Freqiiéncia de saida Como a nossa tensao retificada ainda nao é puramente continua e, sim, pulsante, ela possui uma freqiiéncia que é 0 dobro da freqiéncia de entrada. Observe a forma da onda da tensao na carga. Entao: 5.5 Retificador monofésico de onda completa em ponte O retificador em ponte apresenta uma estrutura onde o transformador Possui apenas um enrolamento no secundario. Em compensagao, Necessitamos de quatro diodos para retificarmos o ciclo completo da onda. A Fig. 5.7 mostra 0 circuito, CEFETSC= = = = = = = = = Eletronica Geral 57 Fig. 5.7- Estrutura e convengdes de polaridade para o retificador monofasico de onda completa em ponte. 5.5.1 Seqiiéncias de funcionamento allon A tensao no secundério vs é positiva de 0 até m, ou seja, potencial Positivo no terminal superior e negativo no inferior do secundario. + Corrente: a corrente sai do pélo positivo, passa pelo diodo 1 (chave fechada), pela carga, pelo diodo 4 (chave fechada) e 6 sugada pelo pdlo negativo. TensAo; 0 pélo positive do secundério é conectado diretamente a carga através do diodo 1 (chave fechada). O pdlo negativo do secundario é conectado diretamente a carga através do diodo 4 (chave fechada). Portanto, toda a tensao do secundario 6 aplicada a carga. No diodo 2 0 pdlo positive do secundério € aplicado ao seu catodo através do diodo 1 (chave fechada) e o Pélo negative do secundério é ligado diretamente ao seu anodo. Portanto, 0 diodo 2 esté com polarizagao reversa e a tensao negativa aplicada sobre ele 6 igual a vs. No diodo 3 0 polo positivo do secundario é aplicado diretamente ao seu catodo € 0 pélo negativo do secundario é ligado através do diodo 4 (chave fechada) ao seu anodo. Portanto, o diodo 3 esta também com polarizago reversa @ a tens&o negativa aplicada sobre ele é igual a vs. b) r92n A tensao no secundario vs 6 negativa de m até 2n, seja, potencial negativo no terminal superior ¢ positivo no inferior do secundatio. ‘CEFETSCEletrénica Geral 58 a Corrente: a corrente sai do pdlo positive, passa pelo diodo 2 (chave fechada), pela carga, pelo diodo 3 (chave fechada) e 6 sugada pelo pélo negativo. Tensao: 0 pdlo positivo do secundario é conectado diretamente a carga através do diodo 2 (chave fechada). O pélo negativo do secundario é conectado diretamente a carga através do diodo 3 (chave fechada). Portanto, toda a tensao do secundario 6 aplicada carga. Observe que a tensao na carga continua positiva. No diodo 1 0 pélo positive do secundario é aplicado ao seu catodo através do diodo 2 (chave fechada) e o pdlo negativo do secundario é ligado diretamente ao seu anodo. Portanto, o diodo 1 est com polarizagao reversa e a tensao negativa aplicada sobre ele é igual a vs. No diodo 4 0 polo positive do secundario é aplicado diretamente ao seu catodo e o pélo negativo do secundario é ligado através do diodo 3 (chave fechada) ao seu anodo. Portanto, 0 diodo 4 esta também com polarizagao reversa e a tensdo negativa aplicada sobre ele ¢ igual a vs. 5.5.2 Tensao e Corrente Média na Carga Neste caso, temos: 2N2V0 Vemed 0,9V0 = A corrente média na carga é obtida através da expressao: Vemed R Temed = 5.5.3 Tensao inversa maxima e corrente média nos diodos A corrente média em cada diodo é a metade da corrente média na carga: med med = Td ge = 142 pep = HE3 og = HA, CEFETSCEletrénica Geral 59 A maxima tensao reversa aplicada aos diodos é: Vd ye, =—V2V0 5.5.4 Freqdéncia de saida Como no caso anterior a freqiiéncia de saida é 0 dobro da de entrada: Fou = 2 Fa 5.5.5 Formas de Onda it @ 14 | 7 2m aH am a2 19 Sal 7 at ait at ot wdte v6 a 3 ‘ot 782 @ v3 vt 2 3 at ot v2Vo, V0 Fig. 5.8 - Formas de onda ‘CEFETSCEletrénica Geral 60 5.6 Filtragem Capacitiva Até agora, os retificadores estudados por nés entregam a carga um sinal_ continuo, mas pulsante, com um forte ripple. Para diminuir este ripple, empregam-se filtros, que podem ser capacitivos, capacitivos indutivos e outros, Vamos estudar o tipo mais comum, o filtro capacitivo. Abordaremos aqui a filtragem capacitiva para o retificador de meia onda e o retificador de onda completa ao mesmo tempo, apenas tecendo as. consideragdes necessarias para um ou outro. Como podemos ver na Fig. 5.9 e Fig. 5.10, a filtragem do sinal da-se através de um capacitor colocado em paralelo com a carga. ~ 2 vent Fig. 5.9 - Retificador de meia onda com filtro capacitive Fig. 5.10 - Retificador de onda completa em ponte com filtro capacitivo Durante 0 semiciclo positive, periodo de crescimento da onda, a corrente se divide carregando o capacitor e passando pela carga. Quando o sinal atinge 0 seu pico, o capacitor esta carregado com o valor de pico. A tensao do secundario do transformador comega a decrescer. Neste instante, a tens&o no capacitor 6 maior que a tensao do secundério do transformador, fazendo com que o diodo fique polarizado inversamente e interrompa a circulagao de corrente por ele. O capacitor comega a descarregar-se sobre a carga até o instante em que a tensao do préximo semiciclo cresga e se iguale ao potencial do capacitor, quando o diodo novamente se polariza diretamente e ‘omega a conduzir, e 0 capacitor omega a carregar-se novamente, repetindo- se o ciclo, conforme Fig. 5.11. vs Barham] er Or wt Fearga wt cacgil Egesearge 4 inital Fig. 5.11 ~ Fittragem capacitiva para o retificador de meia onda CEFETSCEletrénica Geral 61 © mesmo podemos dizer para o retificador de onda completa, sé que agora a freqiiéncia de ondulagao é 0 dobro. Neste caso, o capacitor carrega-se duas vezes e se descarrega apenas na metade do tempo. Assim teremos uma menor ondulagao (menor ripple) Vr e, conseqdentemente, uma maior tensao média na carga, ficando proxima da tensao de pico. A Fig. 5.12 mostra a forma de onda na carga para o retificador de onda completa. Fig. 5.12 - Filtragem capacitiva para o retificador de onda completa No instante inicial, quando ligamos 0 citcuito, 0 capacitor esté descarregado. Considerando um circuito ideal, ele leva aproximadamente um quarto de ciclo para carregar-se até o valor de pico do secundario. Apés este primeiro ciclo de carga, 0 diodo ou diodos conduzem apenas por breves momentos, préximo do valor de pico, e fica cortado o resto do ciclo, Existe uma corrente que surge quando o circuito é ligado pela primeira vez, que é a corrente de surto. Esta corrente é devido ao capacitor, no instante inicial, comportar-se como um curto-circuito, sendo que a corrente s6 é limitada pela resisténcia de corpo dos diodos. O projetista deve levar em conta esta corrente na hora de especificar os diodos a fim de suportarem esta corrente. 5.6.1 Célculo do capacitor e da tensao de ripple Vr Se estamos analisando um circuito, ou j4 conhecemos o valor do capacitor, podemos caloular a tensdo de ripple pico a pico da seguinte forma: _ Temed LC vr Tendo o valor de Vr, podemos calcular Vemed e o capacitor. speci fr Vemed R-f-Vr F 2-Vo- Yo-Vr Rf-Vr Vemed = V2 -Vo- Y C = Capacitancia (Farad) R = Resistor de carga (Ohm) {= Freqiéncia (Hertz) Vr = Tensao de ripple (volt) (pode aparecer em % de Vemed) CEFETSC ’ vtEletrénica Geral 62 5.7 Diodo Zener Quando estudamos os diodos de pequeno sinal ou retificadores, verificamos que estes nunca operam na regido de ruptura, porque isto pode danificd-los. No diodo zener isto nao ocorre. Durante sua fabricagao ele & otimizado para trabalhar na regio de ruptura, sendo que a forma e 0 tipo de dopagem sao feitas de forma a permitir que ele trabalhe nesta regido. Como caracteristica principal, as partes tipo P e tipo N, que formam o diodo zener, so fortemente dopadas, isto faz com que, na regido da barreira de potencial, aparecam elevadas concentraces de cargas para uma pequena @rea fisica, surgindo um intenso campo elétrico. Quando polarizado inversamente, a partir de uma determinada tensao, chamada tensao zener Vz, © campo pode ser suficientemente forte para excitar os elétrons da banda de valéncia para a banda de conducao, gerando elétrons-lacunas, que causarao 0 aumento da corrente inversa, fazendo com que o diodo conduza, mesmo polarizado inversamente. 5.7.1 Simbolo do diodo zener e curva caracteristica. A Fig. 5.13 mostra o simbolo para o diodo zener. ‘Anodo Catodo Fig. 5.13- Simbolo do diodo zener Conforme a Fig. 5.14, a partir de Vzmin (tensao zener) o diodo conduz até Vzméx, onde se da a ruptura (tens&o de ruptura). A regiao compreendida por Vzmax, Vzmin, lzmax e lzmin, chamamos de regiéo zener, pois para tensdes e correntes na regio, 0 diodo funciona sem problemas. Para tensoes inversas “menores" do que a tensao de zener, 0 diodo funciona como um diodo de jungao, ou seja, nao conduz. Pode-se observar que, na regido zener, para pequenas variagdes de tensdo, ha uma grande variagao de corrente, e isto nos leva a concluir que a tensao é praticamente constante nos terminais do zener, para esta situacao. Fig. 5.14 - Curva caracteristica do diodo zener CEFETSCSEALE LEEPER EA PED nin Gort 63 5.7.2 Circuito estabilizador com diodo zener A estabilizagao é necesséria quando se verifica uma flutuagao no nivel DC de saida em fungao da variagao de corrente solicitada pela carga ou por variagdes da prépria tensao de entrada. A Fig. 5.15 mostra 0 esquema de um circuito regulador com diodo zener, para variagdes de tensao de entrada. i ws. ic | RS M vee 2 Re Fig. 5.15 - Circuito estabilizador com zener A finalidade do resistor Rs é limitar a corrente total, limitando a corrente no diodo zener, a fim de que nao ultrapasse o valor maximo. A tensao na carga sera mantida constante independentemente da variagao da tensao de entrada Vie da variagao da resisténcia de carga Re. A corrente é dada pela relagao: f= iz tic] Quando a tensdo Vi aumentar, a corrente no diode zener aumentara proporcionalmente, aumentando a corrente total que, por sua vez, aumentara a tensao em Rs , deixando a tensao Ve na carga praticamente constante. Se a tenséo Vi diminuir, 0 diodo zener ‘puxard” corrente menor proporcionalmente, diminuindo a tens&o em Rs e mantendo constante a tenséo Ve na carga, ‘Assim, apesar da variagdo da tensdo de entrada, a tensdo na carga (Ve = Vi - Vs) ficara constante e, dentro do limite de variacao de corrente do zener, a cortente da carga sera constante. valor do resistor Rs deve estar compreendido entre: _ Vimdx-Ve , _ Vimin-Ve Rsmin =") | Rsmax = | iemax +ic izmintic _ Remax + Rsmin 2 Os diodos zener so fabricados em familias de mesma poténcia, ou seja, para uma poténcia de 400mW, so fabricados diodos com tensao zener de varios valores, A poténcia do zener pode ser escrita como: Rs 2 = Ve iemaex| As folhas de dados dos fabricantes trazem a poténcia, a tensao zener, a corrente minima e maxima de funcionamento do zener. A corrente maxima que o zener pode operar pode ser obtida também usando a expressao acima. Abaixo temos os dados de dois diodos zener de média poténcia (1W) 1N4740 CEFETSCEletrénica Geral 64 @ 1N4742. Nos catdlogos Izmax é normalmente chamada de law e Izmin de zx. © dado Vz=12V @ |7=21 mA significa que a tensdo zener vale exatamente 12V quando iz é 21 mA, ou seja, situada em um ponto intermediario entre izmin e izmax. 1N4742 Va=12V @ Iq=21 mA Tzx=0,25 mA Tzw=83 mA Pp=l W V2%=110% 1N4740 Vz=10V @ Iey=25 mA Tex=0,25 mA Tow=100 mA Pp=l W V2%=110% Tab. 5.1 Diodos Zener de 1W 1N4740 e 1N4742.. 5.8 O Diodo Emissor de Luz- LED O diodo emissor de luz LED, quando polarizado diretamente, os elétrons livres cruzam a jungéo e caem nas lacunas. Como esses elétrons passam de um nivel de energia mais alto para um nivel de energia mais baixo, eles irradiam energia. Nos diodos comuns, essa energia aparece em forma de calor, mas em um LED, a energia ¢ irradiada em forma de luz. Os diodos comuns sao revestidos por um material opaco, que impede a passagem da luz. Com os diodos emissores de luz, a cobertura ou invélucro 6 transparente. Os LED's so fabricados com elementos, como gélio, arsénico @ fésforo, isto faz com que os diodos possam irradiar luz vermelha, verde, azul, laranja ou luz infravermelha (luz invisivel). Aqueles LED's que produzem imradiap2o de luz _visivel sao utilizados como indicadores de estado em equipamentos eletrénicos, como indicagao de ligado/desligado, ou outro tipo de sinalizagéo. O LED infravermelho tem aplicagéo em sistemas de alarmes contra intrusos, equipamentos de medigdo, etc. 5.8.1 Simbolo do LED e seu dimensionamento As setas indicam emissao de luz, conforme a Fig. 5.16. anode i catodo Fig. 5.16 - Representacao do LED. ‘CEFETSCEletrénica Geral 65 No LED, a sua intensidade luminosa depende da corrente, sendo que a obtengao dessa corrente é através de uma tensdo de valor elevado e uma resisténcia também de valor elevado em série com o LED. Para efeito de calculo, podemos considerar a queda de tensao sobre o LED entre 1,5 a 2,5V para correntes entre 10 e 50mA. A queda de tensdo exata depende da corrente no LED, da cor, da tolerancia, etc. A Fig. 5.17 mostra dois circuitos com LED para demonstrarmos o céleulo da resisténcia Rs. Rs Rs 4 Fonte vied a Kin | aimentagéo Ke @ © Fig. 5.17 - Circuitos com LED's. A tabela abaixo mostra os dados de dois LED's comerciais. O dado Vr=1,7V @ Ir=20 mA para o LED CQS82L, por exemplo, corresponde ao valor de corrente direta e a queda de tensao resultante no diodo para que ele produza luz com intensidade adequada. CQSBAL Ve=L7 @1=20mA vermetho Trav=50 mA (max) CQT 10B Vr=2,1V @ [p=20 mA Verde e vermelho Teay=60 mA (mndx) Tab. 5.2 Diodos emissores de luz LED's. CEFETSCEletrénica Geral 66 5.9 Exercicios resolvidos 1.Um retificador monofasico de meia onda alimenta uma carga resistiva com R=20 ©. Sendo a tenséo eficaz no secundario do trafo 220V, calcule Vere, lemed, ldmed @ Vdc Solugao: Substituindo na expressao de Vemed: Vemed = 0,45V0 = E para lemed: No caso do diodo a tensao maxima reversa aplica aos seus terminais 6: Va eg =—V2V0 = 2-220 =-311V E acorrente média: Hyg = Temed = }95A 2.Um retificador monofasico de onda completa com ponto médio alimenta uma carga resistiva com R=20 ©. Sendo a tensao eficaz no secundario do trafo 110- 0-110V, caloule Vemed, Icmed, Idmed e Vdpico- Solugao: Substituindo na expresso de Vemed: Vemed = E para lemed: No caso do diodo a tenséo maxima reversa aplica aos seus terminals 6: Vid poy = ~2V2V0 = -2V2 -110=-311V E acorrente média: _ ened Id, 8A ‘CEFETSCEletrénica Geral 67 3.Um retificador monofasico de onda onda completa em ponte alimenta uma carga resistiva com R=20 Q. Sendo a tensdo eficaz no secundario do trafo 110V, caloule Vomed, lomed, Idmed e Vapieo ' Solugao Substituindo na expressao de Vemed: Vemed =0,9V0 =0,9.110=99V E para Icmed: Vemed _ 99 Rk 2 Temed = 4,954 No caso do diodo a tensao maxima reversa aplica aos seus terminais V2V0 =—V2-110= VG icy = 155V E acorrente média: icemed Tag = = 248A Observe que nos trés problemas acima a tensao na carga é sempre a mesma: 99V de tensao continua, porém a corrente média e a tensao média nos diodos mudam. Por exemplo, apesar de o retificador em ponte utilizar 4 diodos, eles devem suportar cada um a metade da corrente média e a metade da tensao reversa maxima do diodo empregado no retificador de meia onda. Além disso, os retificadores de onda completa apresentam menor componente alternada na saida! . av 4.Um ‘etificador apresenta na saida uma tensdo que varia entre 20 e 20;4V. Para alimentar um carga com 12V em corrente continua que consome 100mA (Re=1202), qual o valor do resistor RS e qual o diodo Zener a ser utilizado? Solucé Utilizaremos 0 diodo zener 1N4742 que possui: Vz=12V; igmin=[zx=0,25 mA e izméx=lzy Substituindo na expressao para calculo de Rsmin © Rsmax a mn _Vimdx-Ve _ 2672 Rsmin = = igmdx tic — 0,083+0,1 44,810) ‘CEFETSCEletrénica Geral 68 Remax =Vimin-Ve 20-12 _ a9 soo) izmint+ic _0,00025+0,1 Fazendo a média: font Rsmin _ 44,81+79,80 =6239) 6 4 Pot Valor comercial escolhido 62 Q. vy 5.Suponhamos que no circuito estabilizador projetado no exercicio anterior a tensao na entrada seja 23V. Qual a corrente que circula no zener neste caso? A tenso zener vai se manter em 12V, ou seja, o zener vai regular a tens4o de saida? i, 620hms ic Re=120 Ohms Solugé Supondo que o zener esteja regulando a tens&o de saida, ou seja, vz=12 e iz esta entre izmin ¢ izméx podemos calcular a corrente i: Vi-Ve _ 23-12 =177,42mA sy > 2015 Rs 62 uv : > Como a corrente na carga é fixa: 2 ic =—— =100mA eho Sabendo que i=ic+iz Encontramos iz: 77,42mA Observe que iz esta entre izmin=0,25.mA e izndx=83 mA e Portanto a tensao no diodo zener e na carga sera mesmo 12V, ou seja , o zener esta mantendo constante a tensdo na saida do circuito. CEFETSCSUSTIOEDS = -_ = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = = Eletrénica Geral 69 6. Suponhamos que temos um circuito retificador cuja tensao de saida seja 12V continua e queremos colocar um LED CQS82L (vermelho) em paralelo para sinalizar quando a fonte esta ligada. Qual o valor do resistor em série com o LED? Temos neste caso Vr=1,7V @ I=20 mA Entao R, 5.10 Exercicios propostos 1.Um retificador monotasico de meia onda alimenta uma carga R (R=10 2). Sendo a tensio eficaz no secundario do trafo 100V, calcule a)Vemed, b)lemed e desenhe ve ¢ ic. A freqiiéncia da rede é 60 Hz. R.: a)45V; b)4,5A, 2. Um retificador monofasico de onda completa com ponto médio alimenta uma carga R ( R=10 Q) através de um transformador de 220V/10V-0-10V. Calcule: a)a tensao e b) a corrente média na carga. R.: a)9V; b)0,9A. 3.Um retificador monofasico de onda completa em ponte alimenta uma carga R (R=10 Q) através de um transformador de 220V/100V. Calcule: a)a tensao e b)a corrente média na carga. R.: a)90V; b)9A. ‘CEFETSCatric erat 70 4.Um retificador apresenta na saida uma tens&o que varia entre 15 @ 15,5V. Para alimentar um carga com 10V em corrente continua que consome 100mA (Ro=100Q), qual o valor do resistor RS e qual o diodo Zener a ser utilizado? R.: Rs=39 Ohms; Diodo Zener 1N4740. 5. Suponhamos que temos um circuito retificador cuja tenséo de saida seja 20V Continua e queremos colocar um LED CQS82L (vermelho) em paralelo para sinalizar quando a fonte esta ligada. Qual o valor do resistor em série com o LED? R: 9159. CEFETSC