PNP SILICON TRANSISTOR

汕头华汕电子器件有限公司
对应国外型号
H2907A KTN2907A

█ 主要用途 █ 外形图及引脚排列
放大、开关应用。

█ 极限值（Ta=25℃） TO-92
T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

Tj——结温……………………………………………150℃

PC——集电极耗散功率……………………………625mW

V CBO ——集电极—基极电压………………………………-60V
1―发射极，E
V CEO ——集电极—发射极电压……………………………-60V 2―基 极，B
3―集电极，C
V EBO ——发射极—基极电压………………………………-5V

I C ——集电极电流………………………………………-600mA

█ 电参数（Ta=25℃）
参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件

BVCBO 集电极—基极击穿电压 -60 V IC=-10μA，IE=0

BVCEO 集电极—发射极击穿电压 -60 V IC=-10mA，IB=0
BVEBO 发射极—基极击穿电压 -5 V IE=-10μA，IC=0
ICBO 集电极—基极截止电流 -10 nA VCB=-50V, IE=0
HFE（1） 直流电流增益 75 VCE=-10V, IC=-0.1mA
HFE（2） 100 300 VCE=-10V, IC=-150mA
HFE（3） 50 VCE=-10V, IC=-500mA
VCE(sat1) 集电极—发射极饱和电压 -0.4 V IC=-150mA, IB=-15mA
VCE(sat2) -1.6 V IC=-500mA, IB=-50mA
VBE(sat1) 基极—发射极饱和电压 -1.3 V IC=-150mA, IB=-15mA
VBE(sat2) -2.6 V IC=-500mA, IB=-50mA
fT 特征频率 200 MHz VCE=-20V,IC=-50mA ，
f=100MHz
Cob 共基极输出电容 8 pF VCB=-10V,IE=0，f=1MHz
tON 导通时间 45 ns VCC=-30V,
tD 延迟时间 10 ns IC=-150mA，
tR 上升时间 40 ns IB1=-15mA
tOFF 关闭时间 100 ns VCC=-6V,
tSTG 贮存时间 80 ns IC=-150mA，
tF 下降时间 30 ns IB1=IB2=-15mA