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0835 NPN 功率三极管

* 主要用途 ：
计算机开关电源专用。

* 主要特点：
主要特点：
硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。

B 基极 C 集电极 E 发射极

极限值：
极限值：( Tc=25 ℃ )

参 数 名 称 符 号 额定值 单 位
集电极－发射极击穿电压 BVCEO ≥ 350 V

集电极－基极击穿电压 BVCBO ≥ 500 V

发射极－基极击穿电压 BVEBO ≥9 V

最大集电极直流电流 Icm 8 A

最大耗散功率 Pcm 80 W

最高结温 Tjm 150 ℃

贮存温度 Tstg － 55 ～ 150 ℃

电特性：
电特性： ( Tc=25 ℃ )
规范值
参数名称 符号 测 试 条 件 单位
最小值 最大值

集电极－发射极击穿电压 BVCEO IC=1mA； IB=0 350 V

集电极－基极击穿电压 BVCBO IC=1mA； IE=0 500 V

发射极－基极击穿电压 BVEBO IE=1mA； IC=0 9 V

集电极－发射极反向漏电流 ICEO VCE=330V； I B=0 20 uA

集电极－基极反向漏电流 ICBO VCB=480V； IE=0 10 uA

发射极－基极反向漏电流 IEBO VEB=7V； IC=0 10 uA

VCE=5V； IC=2A 20 35
共发射极直流电流增益 HFE
VCE=5V； IC=1mA 8

集电极－发射极饱和压降 VCE (sat) IC=5A； IB=2A 0.6 V

下降时间 tf IC=5A；I B1=IB2=1A；VCE=300V 0.5 uS

特征频率 fT VCE=10V；I C=0.1A； f =1MHz 5 MHz

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静态输出特性 HFE 直流电流增益－ Ic 集电极电流

2 50

100mA
1.6 40
80mA
Ic （A ）集电极电流

HFE 直流电流增益
Vce=5V
1.2 60mA 30

40mA
0.8 20

20mA
0.4 10

Ib=0
1
0 2 4 6 8 10 0.01 2 4 6 8
Vce（V）集电极－发射极电压 Ic（A）集电极电流

Vce（sat）集电极 - 发射极饱和压降－ Ic 集电极电流 Pc 耗散功率－ Tj 结温

3 100
Vce （sat ）（V ）集电极－发射极饱和压降

80
2
Pc （W ％）耗散功率

Ic=2.5Ib
60

1
40

20
0.1

0 1 2 3 4 5 0 40 80 120 160 200

Ic（A）集电极电流 Tj（℃）结温

SOA（DC）安全工作区

10
Ic （A ）集电极电流

0.1

0.01
1 10 100 1000
Vce（V）集电极－发射极电压

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封装形式：
封装形式：
TO-220 ( 单位：
单位：mm ，无其他特别说明公差
，无其他特别说明公差 ±0.1mm)

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