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华晶分立器件 3DD1545

低频放大管壳额定双极型晶体管

1 概述与特点
3DD1545 硅 NPN 型高反压大功率晶体管, 主要用作 21 英寸彩电开关电源 该产品采用台面结
构工艺 其特点如下
击穿电压高 漏电流小
开关速度快
饱和压降低
电流特性好
封装形式 TO-3P(H)IS
15.5max 5.5max
3max

2 电特性

4.5
3.6

2.1 极限值
除非另有规定 Tamb= 25
26.5max
参 数 名 称 符号 额定值 单位 标 记

集电极-发射极电压 VCE0 600 V

集电极-基 极电压 VCB0 1500 V
发射极-基 极电压 VEB0 5 V 2max
17max

0.75max
集电极电流 IC 5 A
Ta=25 3
耗散功率 Ptot W 5.45 5.45
3.3min
0.9max
Tc=25 50 B C E
结温 Tj 150
贮存温度 Tstg -55 150

2.2 电参数
除非另有规定 Tamb= 25
规 范 值
参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 单位
最小 典型 最大
集电极-基极截止电流 ICB0 VCB=1500V, IE=0 1 mA
发射极-基极截止电流 IEB0 VEB=5V, IC=0 10 A
共发射极正向电流传输比
hFEa VCE=5V, IC=1A 8
的静态值
集电极-发射极饱和电压 VCEsata IC=4A, IB=0.8A 5 V
基 极-发射极饱和电压 VBEsata IC=4A, IB=0.8A 1.5 V
VCC=105V, IC=4A
下降时间 tf 1 s
2IB1=-IB2=0.8A
VCE=10V, IC=100mA
特征频率 fT 1 MHz
f=0.3MHz
a: 脉冲测试 tp 300 s, 2%

无锡华晶微电子股份有限公司
地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 传真 0510 5800360

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 华晶分立器件 3DD1545

3 特性曲线

安全工作区(直流) Ptot - T 关系曲线

IC (A) Ptot (W)
Tcase=25

40
Ptot-Tcase
1
30

20
0.1
10
Ptot-Tamb
0.01 0
1 10 100 VCE (V) 0 50 100 T( )

hFE - IC 关系曲线 VBEsat - IC 关系曲线

hFE VBEsat (V)
Tamb=25 Tamb=25
VCE=5V 1.2 IC/IB=5

10 0.8

0.4
1
0.01 0.1 1 IC (A) 0.1 1 IC (A)

VCEsat-IC 关系曲线
CEsat
V (V) Tamb=25
IC/IB=5

0.1

0.1 1 IC(A)

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