Bài 2:

Thiết kế bộ khuếch đại RF đạt được hệ số khuếch đại bằng 14dB dùng
bóng bán dẫn GaN HEMT của hãng WIN SEMICONDUCTOR Đài
Loan trong dải tần 8 – 8,5 GHz. Phần tử tập trung sử dụng của hãng
MURATA còn mạch dải sử dụng đế Megtron6 của hãng PANASONIC.
 Xây dựng chỉ tiêu kỹ thuật
- Dải tần làm việc: 8 – 8,5 GHz
- Hệ số KĐ: 14 dB
 Sơ đồ mạch điện

 Hệ số ma trận tán xạ tại : 8 Ghz

 Xác định ổn định của bóng bán dẫn và hệ số khuếch đại cực đại
Ta có:
  S11S22  S12 S21  0.667  118, 496
Vậy:   0.667  1
2 2 2
1 S11  S22  
K  0.316 1
2 S12  S21
 Như vậy ta có điều kiện ổn định đây là ổn định có điều kiện
 Đánh giá sai số đơn hướng
Ta có sai số đơn hướng:
S S S S
U  12 21 11 22  0.83
 2  2
1 S  1 S 
 11  22 
  

G
Vậy: 5.37 
T  34
G
TU
Do sai số đơn hướng lớn: sai số HSKĐ lớn
 Ta phải thiết kế song hướng
 Hệ số khuếch đại lớn nhất:
S21
GMSG   92.527  19.66(dB)
S 12
 Transistor có hệ số khuếch đại lớn nhất hơn hệ số khuếch đại
yêu cầu( 14dB)
2
 GP  S21 g p 14(14dB)
GP 25.11
 gp    2.26
2
S21 3.3312
 Từ kết quả trên ta xác định được ΓL trên vòng tròn có :

2 2
1 2K S S g p  S S gp
Bán kính: R  12 21 12 21  0.344
L 2
2 20
1 S gp   gp
22
 *
g p  S  S * 
Tâm: C   22 11   0.41146.575
L 2 2
1 g p S 
22
 Ta xác định vòng tròn ổn định nguồn và tải:
- Vòng tròn ổn định tải:

S S
R  12 21
L1 S 2   2
 0.595
22


*
*
 S22  S11 
C    1.31546.575
L1 2 2
S 
22
- Vòng tròn ổn định nguồn :
S12 S21
RS1  2 2
 0.431
S11  

*
*
 S11  S22 
CS1    1.206120.306
2 2
S11  
 Tính toán các thông số:
Trên vòng tròn đã vẽ tại đồ thị Smith
Chọn L  0.0846.575

S12 S21 L
 in  S11   0.856104.583
1 S22 L
 S  in*  0.856104.583
 Zin  38.781 80.836
 Zout 115.928 87.600
 Z L  55.7986.67  55.42  j6.48
 Zs  38.78080.836
 Phối hợp trở kháng:
Sơ đồ mạch PHTK với;

 Thiết kế mạch PHTK vào, ra:

l1L l2L l1S l2S
0.066λt 0.476λt 0.06λt 0.296λt
23.76 171.36 21.6 106.56