QO) BAK «sccvomcn WN Lub atte ttl REVISTA LUNAR,Cod 7388 Cod 15556 Pret 1 749 000 lei Pret 895 000 lel * cator 5; costo oot 4! ote, cele gba, tear 9) inerzor erty ce mg, dor, gonad aber Nr Si past Ip povsta, suntan) 5 «75mm tf) 41x 7m, “subd cu cap moran cecan oe ¢.8 ate oem Trusd de scule 1PK - 301 Trusd de scule 1PK - 700N Cod 3963 Cod 7987 Piet 409 000 Pret § 949 000 lei t Corte np ado model IPSN ea oc " manoes rel reg, ee okt a soto, inelno Mer eraen neue aroun supor a j a EN __ Trusa de scule 1PK - 305 | Cod 7386 | Pret 4 995 000 let Trusa de scule 1PK - 900 Cod 7389 Pret 7 395 000 lei * Carne plu ah de 1PK-700N mistormagind meaghn, yaar nts, maar sole pod ceaEDITORIAL... .....000001 ADAPTOR STEREO ...4...2 resren PENTAU GABLU DE RETEA 0... 2... TEAMOREGULATOR ......6 BLOG... 2.587 TENOINTE ty DEZVOLTARZA CoMPONZiTELOR SEMIGONOUCTOARE 08 PUIBAE.........08 MONTWE CU COMPONENTS QMO... Regie «TT oe AgonasoRn GU ASSORBTIE cue ise ses oll DIGITAL ......... 055. 20 PUNTE PENTRU, MASURAREA COEFICIENTULU) O& MBPLENIZ ve... eee es OB DIALOG cv cnironn . LAN REGOHOZA YOAIBOZA . . 22 august 2000 ee Un An de la aparitie *Reviota Gonex Chiba aprut, ext oi vi oti la diepozitie”. apa ee Michela fdltorialul di prt muri, septembrie 1929. ‘Acumn. dupl unvén de la aceaot afrrmatie, consvatim cu satiefacrle cl revista Canex Club Tol ceepecta afirmarile formulate de a fi un utll¢l serios iniereuihembde informare pentru electronigtii consacrati gi o rampa de Formare 9i lansare pentru tineri electroviati, Quid pradest? este fireasca tntrebare cind urmitiréctl 8H vealz0dl ceva, Faptele 26 dovedesc a fl mal. cuantate dec previiunile |. momentul ~paritiel, rezultate din analiza publcieticii tehnice de la nol. Aceste analize au condus la alcdtuirea 1m totalitate a sumarelor de continue, evident Pinad cont i de feedback-ul cititor-redactie, apreciab ca sincer, spontan oi bineintartionat, Astel, la rubricle consacrate: Audio HI-FI, Radicamatoriem, Laborator, Atelier ete, prin sugestile de care arinteam, eau adlugat rubricie Electronica de Purere, Tehniait Modern, Info, News, Consulta Tennice ¢ alvele. ‘in scure timp de la apartie, prin modul de prezentare a artlcolelor, nu curlozitatea, cl latura practictl a constituit elementul atractiv al reviatel. De multe ori amtinuntaie tehnologlce, desenul cablajuli, valorile cxacte ale Componentelor eau a tensiunilor i curentior p&reau suplimentare. pentru electronistli cu experients, dar tocmal aceotea au fost apreciate de tinerit cititoric Multi dintre acestia si-au confectionat si asamblat linll de audioftecventil, telecomenzi eau aperaturd pentru laborator ficdnd lemportarte economil bénesti Ezditorul 6.C, Conex Electronic 5.8... a diepus ca penteu formele organizate de cducare o| notruire tebnicd, revista Conex Club 4 As oferib gratuit, De aceast’ prevedere beneficiaz’ toate radiocluburle din tard, Indferent deci apartin Minioteruli Tineretului ef Sporsulul, unr lubuni gcolare, funda sau Inetitutl. Totodatd, revicta Conex Club eate tried gratuit la facultsel Gu profil tehnic din principalele centre unle-sitare, unor coleall, Ieee 9 altor unitat de tnvéteimaint preuniversitar. Nu au fost omise cu abonamente gratuite persosne ¢ pereonalit¥t) cu preccupltrith domenlul electronicli eau conexe de ge treg teritoril tar der Sidin afara tn elinat nesta Conex Club, cu diverse ocazi. cum ar ft unsle concurs de éreatie tehnicd, simpazioni National de Greate Tehnicd a Raaicamatorlor, ‘editor, prin intermediul radactiel, a ofertt substantiale prem th obieate, ‘Am mentionat: @i aceaet’ activtate findcd latura educath’ nu ne las Ihdiferenti ¢i aeigur&m pe cel ce fac educatie tehnicd cli auntem prietenii lor declaratl ¢loricdnd ni se pot adresa. ‘A primi ougastil 9! a avea un dialog permanent: cu citttori este de fapt recunoasterea muncil responsable a redactici reviotei Conex Club. Dac eull 28 ofer clitorulul articole de calitate, cicitonul agteptaind la flecare aparitle Guid nove ex electronica va participa cu adevarat la cel 9¢ (oferd 6 citeaecd ei Taginatia 2a va prinde contur sub efectul tri Revista Conex Club, recunoscuta, Impusd si consacratl, foloseete tuturor lectronigtiior, el find de fate suportul el spiritual. Lamu an Cones Club Tinpreun’ cv stimapi colaborator 9 ction. Redactor Sef ing. 1 MihiiescuAdaptorul Stereo realizat de Conex Electronic permite interfata- rea dintre un casetofon auto si un amplificator audio de putere in scopul suplimentirli puterii de audiotrecventé disponibilé. la sire. Printre caracteristicile importan- te ale montajului sunt: = sensibilitate reglabilé pe ambele canale; ‘august 2000AUDIO HI-FI TERE cure court. ourrs curr: court ure ~ impedanta de intrare: 40K; + alimentare: 12V/1mA. ‘Schema electric& de principiu prezentaté in figura t are o configuratie simetric& pe ambele canale; doua blocuri functionale se disting: divizorul rezistiv si adapto- tul de impedanta. ‘august 2000 Cele dou’ divizoare reglabile, realizate cu grupurile RV,-Rys, respectiv RV,-R,, sunt necesare pentru a facilita adaptarea semnalulul de audiofrecventa (obtinut de ta radiocasetofon) la sensibiltatea de intrare a etajului ‘audio de putere, Cel de-al doilea etaj este un repetor de tensiune configurat cu amplificator operational, respectiv UIA gi U1B. Se cunoaste faptul of un ‘repetor cu amplificator ‘operational prezinté o impedanta foarte mare la intrare si o impedantd micd la iesire, tipic de sursd de tensiune. in montaj repetoarele au rolul de a mentine impedanta de intrare constant indiferent de timpul amplificatorului utilizat, ‘Sunt cazuri frevente cénd ain cauza neadaptéiii impedantelor de intrare/esire amplificatorul de putere nu debiteazé puterea Peer Piet PCs cel ere Ieey maximé pentru care a fost projectat. Din punct de vedere practic existd trei situatii care pot aparea la cuplarea unui radiocasetofon (sau CD-player) la adaptorul stereo functie de tipul aparatulul, astfel: + aparatul nu are iesire de linio, jar sarcina (difuzorul) se cupleazé la lesirea de putere cu punct de masa. Conexiunile se fac la bomele L+ si R+ pentru cele doud canal, iar bomele L- si R- se conecteazé la masa (vezi figura 2A); + aparatul nu are iesire de linie, jar etajele de putere sunt de tip punte (jesirile nu au punct de masa), caz in care conexiunile se fac la bornele L+, L- si Rt, Re pentru cele doud canale (vezi figura 2B); aparatul dispune de iesire de linie care se conecteaza la bomele: LH si RH, corespunzatoare canalelor (figura 20). Dupa interconectarea_ansam- blurilor se trece la reglarea adapto- tulul stereo. Mal int, se ajusteazi aparatul s& debiteze putere maxima pe ambele canale la un nivel de distorsiuni acceptabil; se vor regla RV, si RV> astfel incat puterea livraté de amplificatorul suplimentar s& fie maxima pe ambele canale si la un nivel de distorsiuni rezonabil Practic, montajul se va realiza pe 0 plcuta de cablaj imprimat (cu dimensiunile 55 x 45mm) corodata conform cu desenul din figura 3 (scara 1:1). Componentele se vor monta urmérind desenul de amplasare prezentat in figura 4 oie CranINSTRUMENTE DE MASURA ee ee ce at ten eee eter eas Utilizabil pentru configuratii: eee TR LR = Thin Ethernet (BNC); Cron + 10 Base-T (UTPISTP); Raa eRe e)) ~ EIATIA 568; Senet = ATAT 258) SO ie Mee) = Token Ring. err mre eee ne tee tee es rvice-ul rapid al retelelo Perey TSC Unc rcs Tenens Pee mC Coo Ae care indica starea cablului de ee ee ine Wee te mete ate ee ee ne bee ego ed Pe ier ata) Aparatul se livreazé impreu: Dee hua en Le CeCe oes) en} 4 ‘august 2000lucru poate deranja in cazul mésurérii de temperaturi pe un domeniu larg, dar are pufind importanté la realizarsa unui termostat reglat pe o valoare fix de temperatura. Drept schema de regulator, una dintre cele mai simple solutii utilizeaz4 traductorul de tempera- turd, citeva rezistoare, un tranzis- tor gi elementul de executie (un Pentru realizarea unei bune rezistor de putere sau un termostatari trebuie utilizat un miniventilator pentru rdcire). traductor adecvat domeniului de Aceasta permite realizarea unui dimensiunea redusé: tot circuitul temperatura impus si rezolutiei termostat cu lege de reglare este incapsulat intr-o capsulé necesare, Traductorul de tempera-_bipozifionalé. similaré cu TO92. Acest circuit turd poate fi un termistor, 0 diod& Pentru imbunatétirea perfor- este referinta de tensiune (sau mantelor se poate dioda stabilizatoare programabila) St utliza un ampliicator TL431. Cirouitul are o referinté | operational, o referinta integrat& cu performante bune de é & de tensiune si un stabilitate, intrarea amplificatorului tranzistor pentru co- operational este disponibilé in manda sarcinil. Pentru exterior, iar tranzistorul incorporat cei care doresc 0 poate fi utiizat la comanda unui astiel de abordare 0 tranzistor extern. Acesta, la rindul schem& interesant sau poate comanda un element de este cea din figura executie. Schema bloc si Este utlizabil la tem- performantele circuitului au mai = peraturi mai mari decit fost prezentate In revista, de cea.amediviui ambiant. aeea nu insistm asupra acestui sau un tranzistor conectat ca Valorile_ din diodé, un integrat specializat schema sunt ale- pentru sesizarea temperaturil se pentru 0 Termistoarie NTC sunt dispozi- temperatura tive leftine care pot asigura conver: domeniul sia temperatura - rezistenta +40...+60°C. in electric’ pe un domeniu larg aceasté schema (-40...+150°O) si prezinté 0 bun se foloseste un sensibiitate. O diagrama simplif- circuit integrat cat’ a caracteristicll temperaturé- care cuprinde rezistenté pentru un termistor NTC toate _blocurile este data in ‘igure 7. Se reamarc& amintite mai sus. neliniaritatea caracteristici. Acest Avantajul lui este ‘august 2000tren Al fhe af aspect. Realizat cu componente exterioare rezistive de valori mari citcuitul se preteazd la consum redus de putere, intro plala larga de tensiuni de alimentare. Tensiu- nea nominal a referintei integrate are valoarea de 2,49V. Daca la intrarea REF se aplicé o tensiune mai mare decit aceasta valoare, rezistorul din catod este parcurs de un curent si apare 0 Céidere de tensiune care deschide tranzistorul VT,. Astfel, sarcina este alimentata. Atunci cind tensiu- nea de intrare este sub valoarea referinfei, curentul prin elementul de executie este nul. In schema se poate utiliza un termistor NTC cu Tezistenta nominal in domeniul 1...100KQ. Din semireglabilul RV, ‘se prescrie temperatura de prag; acesta are de obicei aceeasi rezistenté ca si termistorul la temperatura camerei (+25°C). Un exemplu de montare, pentru realizarea unui termostat pentru un cristal de cuart este cel ardtat schematic tn figuia &. Peste cristal ‘se monteaza o folie izolantai la fel si peste termistor si rezistorul de Incaizire. Cutia metalici se izoleaz termic cit mai bine (cu polistiren expandat, de exemplu). ‘Ansamblul cuart - rezistor de incal- Zire - termistor a fost denumit At Tot montajul arétat In figura 3 a fost incapsulat intt-o carcasa metalicé cilindrica cu diametrul de 25mm gi inaltimea de 20mm. Pentru fixarea mecanica a componentelor a fost utlizata 0 rasin& dura. Se poate utiliza si ccauciue siliconic. Cabiajul imprimat pentru acest termostat pentru cristal este prezentat Th figura 4, iar in figura 5 se araté amplasarea componen- telor pe cablaj Schema din figura 6 se poate {folosi pentru scaderea temperaturil dintr-o incinta (de exemplu in interiorul unei surse de putere, sau etal final de audiofrecventé sau radiofrecventa) prin pornirea unui miniventilator de curent continuu. ‘Consumul unui miniventitator este redus iar zgomotul produs in functionare este —_acceptabil. Miniventilatoarele sunt disponibile pe scard largé, cu diferite dimensi find utilizate in calculatoarele personale.caTaLoa GPU 6lO Timer WOT 1S (GPU 512X12 OTP 4EEPROM auitz (GPU 610 Timer WOT ISP. GPU tkxi4 OTP 4Miz WOT ADC. (GPU 2kx14 OTP abbiz WOT ADC. GPU 52412 OTP az AC-Osz (GPU Si2e12 OTP antz Quartz (GPU 51212 OTP avi OTP Quartz (GPU 52x12 OTP aati AC GPU S12412 OTP ane Quan (GPU tkxi2 OTP ata RC (GPU tkc12 OTP «MHz Quart GPU 2kxi2 OTP 20NHz Quartz (GPU 2kxia2 OTP ata RK (GPU 2kxt2 OTP ata Quart (GPU 2kxt2 OTP alate LP (CPU tkxi4 ND OTP 4M Quart: (CPU lashEPROM 4IRO 1310 (CPU FisenePROM aIRO 10M (CPU Si2b 1910 41RO aMe CPU 1K 310 IR 4MHz 9-6 (CPU 2K 13V0 4IRO az 3.6V (GPU 1K 1910 ADC ISP WOT P= Serial Perera trace Prctecrvour BC ierintogates Crevt Pretecr oe ‘Quana = Oscitr plot de erste cian | ictecraaour FRC = Osolator potatoe rejee RC prevecrax20” RO hironpere PrcieroeouP Componentele PICTEC20-40/P pot fi procurate de la ciecen ove Protecrni-04e [conex electronic | | mowerow (GPU 512412 OTP sEEPROM ature (GPU GUO Timer WOT ISP Dips (GPU tkx12 OTP EEPROM ate ipa (GPU 1kx14 OTP atta WOT ADEC Die (CPU 2kx14 OTP atts WOT ADC. (GPU St2x12 OTP aMiiz WOT. (CPUS2412 OTP aMtiz RC (CPU 512412 OTP AMiz Quarz (CPU Si2x12 OTP 20MHz Quarz ‘512412 OTP Low Power 40x (GPU St2x12 OTP az AC ‘CPU 512412 OTP 4MHz Quarz (GPU Si2x12 OTP 20MHz Quarz (CPU 1Kx2 OTP 4MHz RC (GPU 1Kx12 OTP 4MHtz Quarz ‘CPU 1Kx12 OTP 20MM2 Quare (CPU 2Kx2 OTP 4H AC. (CPU 2kxi2 OTP 4MHz Quarz (CPU 2kxi2 OTP 2oMHe Quarz (CPU 2K 1200 79 FAM atte ‘GPU 1210 73RAM toMtz CPU 1Kx14.OTP AMH2 1310 [CPU 2Kx4 3310 az (GPU AK&I4 EPROM 120 300 (CPU 1KK14 AID OTP attr @ (CPU tka aN 40.485" (CPU ak S20 PWM 126 AMEE (GPU ak V0 PWWtd 126 20M (GPU FlashEPROM 4IRQ 1310 (GPU FlashEPROM -40.485° (GPU FlashEPROM 4IRQ 0M (GPU 512x14EPROM 1310 att CPU 1K 1310 4IRO 4MHz S8V GPU 24 1210 4IRO awe 3.6V GPU 1K 1610 ADC WoT IS (GPU 2kx16 OTP SCI 33/0 ‘august 2000Ceremonies Dee na econ ce me ees uc ieee ier Ce Oe ei eee ete aues ier cary le privesc datorata actionarilor cu motoare electrice, reducerea greutatil Bmore eee us cae rsures In ultima perioad’, exist urmatoarele tendinte de dezvol- tare in domeniul dispozitivelor semiconductoare de putere: = crearea de dispozitive cu performante electrice sporite, rezultate ca urmare a scaderi pierderilor in conductie; dou& realizari in acest sens sunt varianta *CoolMOS" a tranzisto- rulul cu efect de camp si un potential succesor pentru tranzis- torul IGBT de mare putere, numit IEGT (Injection Enhancement Gate Tranziston); - noua generatie de tranzis- toare IGBT realizate in tehnologia "trench * (cu poarta in "trangee" cercetari in domeniul materia- lelor; progrese inca imitate contureaza totusi noi posibil pentru dispozitive ultrarapide (diode Schottky si tranzistoare Uunipolare) realizate din carburé de siliciy (SiC); + evolutia céitre integrarea monolitic& sau hibrid’, a unor ircuite folosite in aplicatii foarte diverse; aceasta solutie teh ‘extinde rapid de la puteri de cativa zeci de wati pana la sute de kilowatt 8 in ultimii ani dispozitivele semi- conductoare de putere au progre- sat mult in ceea ce priveste viteza de comutatie si o mare parte a investitilor in domeniu si al activitatii de cercetare a fost dedicat& reducerii pierderilor in comutatie. Astfel, @ fost pos! cresterea considerabila a frecven- tei de comutatie pentru multe echipamente. Din contra, pierderile in con- ductie au fost putin cercetate, fiind considerate un réu necesar. Si totusi, reducerea pierderior totale, Punct esential in electronica de Putere, se poate face in primul rand prin reducerea plerderilor in conductie. In domeniul dispozitivelor semi- conductoare de putere, dupa aparitia in 1976 a MOSFET-ului si in 1983 @ IGBT-ului, singura noutate a fost, dezvoltarea in 1996 a tristorului IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor). in 1998 sa conturat ca directie de dezvoltare, perfectionarea tran- zistoarelor MOSFET si IGBT, in sensul functionéirii cu’ pierderi in conductie mult reduse. 1. Tiristorul IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) Familia tiistoarelor IGCT are urmatoarele proprietiti electrice deosebite: curent maxim comuta- bil in domeniul 480...3100A, la 0 tensiune continud de 1,9kV, comutatie far snubber (circuit de protectie), la parametrii_ maxi garantati si frecventa de comutatie de 25kHz, limitaté numai din considerente termice, diodé de regim liber integraté si posibiltate de integrare a driverului de comand pentru a obtine perfor- mante sporite si diminuarea costului sistemului Regimul dinamic ta blocare este caracterizat printr-o comutalie extrem de rapida a curentului catodic in circuitul de poarta. Emisia catodului este oprita Tnainte de cresterea tensiunil pe principala jonctiune care reali- zeaza blocarea. Pentru a realiza acest lucru, tot curentul catodic este comutat in circuitul portil in mai putin de 0 microsecunda. Orice incercare de regenerare a curentului din partea catodului august 2000‘TEHNICA este Impiedicaté, lasénd tranzis- torul pnp (din structura tiristorului) activ, pe durata blocarii. Blocarea tiristorului se reduce astfel la blocarea acestui tranzistor, proces ce se realizeaza cu vitez& mare, si fara snubber. Un alt avantaj inerent comuta- tieltristorului IGCT este reducerea importanta a duratei procesului de blocare. Datorit curentului de poarté mare pe durata blocéii, timpul de stocare este drastic redus. Astfel, timpul total al procesului de blocare se reduce la Aumai 300s. Din acest motiv, conectarea in serie a tiristoarelor IGCT este usor realizabild. in concluzie, blocarea tiristo- rului IGCT se realizeaz’ prin fortarea tiristorului de a lucra ca un tranzistor, obtinand astfel_o combinatie unicé a avantajelor ambelor componente: tiristorul_ si tranzistorul 2, MOSFET-ul de putere De mult timp se considera ca in domeniul tranzistoarelor cu efect de camp nu s-au mai facut progrese (numai imbunatatiri cum au fost cregterea _densitatil celulolor sau reducerea capacita- tilor electrice inteme) Din cauza cresteril rezistentel interme proportional cu puterea 2.6 a tensiunii nominale (R= KV,,""), folosirea MOSFET-ului devine dezavantajoasa la tensiuni peste 300V. Raportul putere comutata / cost cteste considerabil, iar folosirea tranzistorului devine mult prea scumpa pentru aplicalii la august 2000 tensiuni mai mari (peste 300V), frecvent intainite in electronica de putere. Cand _ este _posibil MOSFET-ul se fnlocuieste cu IGBT. Nu existé dificultéti de realizare a unor MOSFET-uri pentru tensiuni mari. Totusi, pe iat nu se gasesc (asa cum exista IGBT-url) pentru c&, din cauza costului, cererea de asemenea ‘componente este foarte restransai Siemens a realizat, printr-o noua tehnologie, numita "CoolMOS", reducerea considera- bil a suprafatel de siliciu a MOSFET-urilor de tensiune mai mare de 300V [2]. in felul acosta s- ‘a schimbat legea de variatie a rezistentei tranzistorului, aceasta devine direct proportional’ cu tensiunea nominala\ la puterea unu (R = KY). Este 0 schimbare considerabila (figura 1). De exemplu, pentru un MOSFET de 600V realizat cu tehnologia *CoolMOS" se consuma de cinci Variatia rezistenfei cu tensiunea Jnominala la tranzistoarele MOSFET| clasic (a) $i CoolMOS (b) {Gooument Siemens (2). ori mai putin siliciu, decat in tehnologia clasic&. Un dispozitiv *CoolMOS', montat intr-o capsulls simplé (de exemplu T0220) are 0 rezistenta de numai 190m. Cu tehnologia clasica, pentru a avea aceeasi rezistenta ar fi necesara 0 capsulé T0264 sau ISOTOP. Pentru a abfine acest rezultat, mici zone dopate p se introduc in zona centrala n. in stare blocata, sarci- ina spatiala se repartizeaza orizon- tal, in timp oe in stare de conduc- tie, altemanta zonelor n si p con- duce la o rezistenta aparenta Rosion) considerabil _redus&. Conform documentatiei Siemens (el sl Sotane coraronsel su analoge tranzistoarelor MOSFET clasice, avand in plus avantajul unor capacitafi interne substantial reduse pentru aceeasi putere comutati Aceasté noua solutie este considerata una dintre realizarile importante in domeniul dispozitive- lor semiconductoare de putere, de la aparitia |GBT-ului in 1984. Deocamdatd, aceasta tehnolo- gie, mai complex decat cea a MOSFET-urilor clasice, nu a ajuns la maturitate $i este utiizata, Tm doar de un sigur producditor, care a cos pe pial numai tranzistoare de 600V. Se stie insd, in virtutea evolutiel de pan& acum in acest domeniu tehnic, cin cativa at aceasta noua tehnologie va deveni economica si c& vor aparea motive suplimentare de a o considera astfel. Aplicata la MOSFET-ul de 1200V, rezultatele vor fi si mai spectaculoase, deoarece consu- mul de siliciu va fi de 20 de ori mai redus, nu numal de 5 ori, cum este la cel de 600V. Daca in ul tranzistoarele IGBT au inloci progresiv MOSFET-urile, reugind 84 aibé o viteza cresoutd de comutatie, in multe aplicati, tendinta se va inversa tn viltor, cu multe avantaje atét pentru producdtorii de asemenea dispoz'- tive de putere, cat si pentru con- structori de convertoare statice. Totusi, existenfa diodei in paralel va continua sé constituie un inconvenient al nolior tranzistoare, tot asa ca si la MOSFET-ul clasic. 9