Practicas con SS LAs ELEGTRONICOS Dispositivos * Accionadores * Amplificadores OTM eae Mur eet eadPRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Dispositivos - Accionadores - Operacionales - Multivibradores Transductores - Sistemas digitales IGNACIO SAHUQUILLO MIGUEL Profesor de Tecnologia Electronica IFP Burjassot. Valencia PEDRO LASCORZ SALAZAR Profesor Técnico de FP IFP Burjassot. Valencia Revision técnica: JESUS SERRANO ESCRIBANO Profesor Técnico de FP McGraw-Hill MADRID - BUENOS AIRES « CARACAS « GUATEMALA » LISBOA » MEXICO NUEVA YORK « PANAMA « SAN JUAN « SANTAFE DE BOGOTA + SANTIAGO » SAO PAULO AUCKLAND « HAMBURGO « LONDRES « MILAN « MONTREAL « NUEVA DELHI PARIS « SAN FRANCISCO + SIDNEY + SINGAPUR * ST. LOUIS « TOKIO » TORONTOPRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Dispositivos - Accionadores - Operncionales ~ Multivibradores - Transductores Sistemas digitales No esta permitida Ia reproduccién total o parcial de este libro, ni su tratamiento infor ‘ico, ni In tansmisién de ninguna forma o por cualquier medio, ya sea clectrénico, Imecinica, por fatecnpia, por registro u otros métodor, sin el permizo previo y por escrito de Jos titulares del Copyright. DERECHOS RESERVADOS @) 1993. respecto a la primera edicidn en espafial por McGRAW-HILL/INTERAMERICANA DE ESPANA, S. A. Edificio Oasis-A - 1.* planta Basauri, s/n 28023 Aravaca (Madrid) ISBN: 84-481-0044-1 Depssito legal: M. 971-1993 Eéitora: Mercedes Gonzalez: Cuenca Cubierta: Félix Pifivele. Grafismo electrénico Husttaciones: Elias Gonzilez Fotocompuesto en: Monocomp, S. A. Impreso en: Impresos y Revistas, S.A. (IMPRESA) IMPRESO EN ESPANA - PRINTED IN SPAINContenido Temal. PRIMERA UNIDAD: DISPOSITIVOS Instrumental de un taboratorio de electronica: deseripci6n 0.2.26... ccc c eee 1. 12, 13. 14, 1S, ANALISIS PRACTICO 1 A B Introduccion Polimetro analogico-digital 121. El polimetro analagico 1.22. El polimetro digital Fuente de alimentacion Generador de baja frecuencia . Osciloscopio........... LS1. El TRC Rejilla de control. m Anodes aceleradores ™ Placas deflectoras ... El amplificador vertical El amplificador horizontal . . Las dos alimentaciones La base de tiempos .... Ajuste de un osciloscopio EI control de intensidad 0 luminosidad . = EI control de enfoque. @ Los controles horizontal y vertical . m EI control de BT (base de tiempos) .. ™ Control de entrada Y (amplificador vertical Ajuste de tensién y limitacion de intensidad de una fuente de alimentacién Medidas con el osciloscopio de sefiales suministradas por el A generador de seal frecuencia ...........04 ™ Medida de frecuenciaviii CONTENIDO Tema 2. Tema 3. = Medida de tension . mm Medidas de fase Semiconductores: el diodo................. 2.1. Estudio de la unin N-P 2.1.1. Semiconductores m Polarizacién directa @ Polarizacion inversa . . 22. El diodo: componentes y caracteristicas mas importantes . 221. Caracteristicas tensién-corriente 222. Aplicaciones diversas ...... @ Limitador paralelo @ Fijador_positivo 23. El diodo LED: comportamieato y caracteristicas més importantes .......... 24. Verificacion ¢ identificacion de tos terminates de un diodo ANALISIS PRACTICO 2 2.5. Rectificadores monofasicos ... . 25.1. Rectficador de media onda sin filtro = Factor de forma y factor de rizado ANALISIS PRACTICO 3....... 252. Rectificador de media onda con filtro. ANALISIS PRACTICO 4...... 25.3. Rectificador de onda completa 254, Rectificador en puente de Graetz.. ANALISIS PRACTICO 3... 26. El diodo Zener: component 26.1. Funcionamiento....... 26.2. Verificacion ¢ identificacion de terminales ANALISIS PRACTICO 6... 263. Montaje de un estabilizador con ZENER - w Funcionamiento.......-...- ANALISIS PRACTICO 7.. El transistor bipolar: estructura y caracteristicas del componente ........ 31. Introduccion ...... cece 32. Estructura de un transistor bipolar 321. Caracteristicas 322. Efecto transistor 323. Corrientes residu: Parametros « y B.. @ Relaciones matemticas fundamentales en entre pardmetros y cortientes 3.24. Modes de funcionamiento . 3.3. Verificacién ¢ identificacién de los terminales de un transistor ANALISIS PRACTICO 8. * 34. Las distintas polarizaciones de los transistores: sus circuitos 34.1. Circuito de un transistor con polarizacién fija . 3.42. Circuito de polarizacién y realimentacion por resistencia de emisor 3.43. Circuito de polarizacién y realimentacin por resistencia de colector. IR 18CONTENIDO 344. Circuito de polarizacién de un transistor por divisor de tension... ANALISIS PRACTICO 9..... ‘A. Montaje de un transistor con polariza Gisotee., ascrvencwe B_ Montaje de un transistor con polarizacién por divisor de tensiin. 35. Amplificacion con transistores: configuraciones basicas .. 3.5.1. Amplificador en emisor comin... . 352. Amplificador en base comin . 353. Amplificador en colector comin . ANALISIS PRACTICO 10...... ‘A. Montaje de un amplificador EC monoetapa .. B. Determinacion experimental de la Z, y Z, ny realimentacion por resistencia de Apéndice 1. A. Caracteristicas téenicas de transistores (I) B. Caracteristicas técnicas de transistores (II) C. Caracteristicas técnicas de diodos .. D. Caracteristicas técnicas de un osciloscopi E. Caracteristicas técnicas de un GBF F. G. Caracteristicas técnicas de una fuente de alimentacién . Hoja para oscilogramas SEGUNDA UNIDAD: ACCIONAMIENTO ELECTRICO-ELECTRONICO BRR se ssicronecenesnninnmenmanaerenenae i Tema 4, Tiristores (I): Semiconductores y circuitos bésicos de accionamiento 41, EISCR....... 4.1.1. Caracteristicas del SCR . m Caracteristica directa real m Curvas caracteristicas .. ‘aracteristicas de puerta. ™ Aplicaciones del SCR. 412. m Descebado con transistor. m Descebado con SCR auxiliar.. 41.3. Semiconductores en los circuitos de disparo del SCR . 42 El transistor UT... RES 421. Circuito y curvas caracteristicas 422. Oscilador de relajacién con el UIT... = Comportamiento del circuito .... ANALISIS PRACTICO 11.. ua 43. Eltransistor PUT... 43.1. Circuito y curva caracterstica . 432. Oscilador de relajacién con PUT ANALISIS PRACTICO 12.........0...2200-- 44. Control en rectificadores de corriente alterna monofisica .. 44.1. Control de media onda SCR... 442 Control de onda completa con SCR .% CONTENTDO Tema 5. Tema 6, Tema 7. ANALISIS PRACTICO 13.................. ‘A. Control experimental de media onda con SCR por desfasador R-C. B. Control experimental de onda completa con SCR por oscilador de tlajacion Tiristores (II): Semicooductores y control de potencia en corriente alterna monofésica Si. El TRIAC. 52 El DIAC.... 53. DIMMER: control de potencia con DIAC 5.3.1. DIMMER con histéresis . . ANALISIS PRACTICO 14 5.32. DIMMER sin histéresis . ANALISIS PRACTICO 15. 54. Introduccion a la rectficacién trifésica semicontrolada . 5.4.1. Rectificador trifésico de media onda . 5.4.2. Rectificador trifasico de onda completa . . 34.3. Rectificador trilisico de onda completa semicontrolado @ Circuito de control . ANALISIS PRACTICO 16... Aptodice I. A. Caracteristicas téenicas de SCR’s .- B. Caracteristicas técnicas de TRIAC's ¥ TRIAC.. sea aE C. Caracteristicas téenicas de UJT's y PUTS... D. Hoja para oscilogramas .. TERCERA UNIDAD: AMPLIFICADORES OPERACIONALES. Introducciéa al amplificador operacional . 6.1. Definicién y elementos 62. Principio de funcionamiento 63. Estructura interna... w Amplificador diferencial .. = Fuente de corriente constante m Etapas de ganancia de tensién = Adaptador de impedancia y ganancia de wm Etapa de desplazamiento de potencial . 64. Caracteristicas m Relacién de rechazo de modo comin RRQ... m Tension de offset... & Corsentes de poarizacién.. Tierra virtual . . Aplicaciones del amplificador operacional .... 7.1. Circuitos aritméticos . 7.1.1. Amplificador inversor . ANALISIS PRACTICO 17 . 71.2. Amplificador no inversor corriente 102 102 103 106 108 0 ui 2 113 14 414 114 16 118 119 120 121 122 123 124 27 127 129 130 130 130 130 130 132 132 133 134 134 134 137 137 137 139 139Introduccién Tema 8. Tema 9. ANALISIS PRACTICO 18........ 7.1.3. Adaptador de impedancias 7.14. Amplificador sumador inversor ANALISIS PRACTICO 19... 7.1.5. Amplificador restador o diferencia . 72. Circuitos de comparadores . Fcc 7.2.1. Comparador no inversor .... ANALISIS PRACTICO 20... 7.22. Comparador de ventana . ANALISIS PRACTICO 21. Aptadice III. A. Compensaciin de las corrientes de polarizacion B. Datos técnicos de un operacional real C. Hoja para oscilogramas . Multivibradores con operacionales .. 8.1. Principio de funcionamiento ..... 8.2, Multivibrador monoestable con el amplificador operacional 741 . 821. Descripcion del circuito . nena ANALISIS PRACTICO 22 : 83. Multivibrador astable con el amplificador operaconal 741 8.3.1. Descripcion del circuito ANALISIS PRACTICO 23. Multivibradores con los CI's 555 y 556 9.1. El circuito integrado 555 9.1.1. Elementos o entradas y salida de = Comparadores . m Biestable . m Transistor T,, (descarga). = Ewapa de salida (inversor) w Transistor T,, (RESET) = Control de tension... 9.12. Multivibrador monoestable con ef CISSS m Descripcién del circuito en condiciones de repoo y ‘actuacién ANALISIS PRACTICO 24......... 9.13. Multivibrador estable con a cass: . m Descripcion del circuito . ANALISIS PRACTICO 25. 9.2. El circuito integrado 556... 92.1. Modulador de audio por desplazaminto de impuso con ol CI 556. m Descripcién del circuito ANALISIS PRACTICO 26.00.0000... 9.22. Temporizador ciclico con el C1556 m Descripcién del circuito . ANALISIS PRACTICO 27 ‘un Iss. i 140 140 141 1az 143 144 144 145 145 146 147 149 152 158 156 156 156 187 139 159 160 163 165 165 167 167 168 168 168 168 168 169 169 im 172 172, 176 176 7 178 179 179 179 180adi CONTENIDO Apéndice IV. A. Caracteristicas del circuito integrado 555 182 B. Caracteristicas del circuito integrado 556 187 C. Hoja para oscilogramas..........6..+ 188 QUINTA UNIDAD: SENSORES, TRANSDUCTORES Y ELEMENTOS DE MANDO Introducciba .... 7 veaiie 191 ‘Tema 10. Familias de transductores (1) 193 10.1. Transductores de presién, de caudal y de nivel .... ce 193 10.1.1. Transductores de presién capacitivos y extensimétricos. 193 10.1.2. Transductores de medida de caudal con tubo Venturi. 193 10.1.3. Transductores de contro! de nivel... 194 1 Mecanico-resistivos . 194 : 196 10.14. Circuito de un detector de margen de rebase de presiones 196 ANALISIS PRACTICO 28 198 10.2. Transductores de velocidad y de posicién .. 199 102.1. Transductores de velocidad . 199 10.22. Transductores de posicion 199 10.3. Transductores de proximidad 200 103.1. Tipos de interruptores de proximidad. 200 Capacitivos € inductivos . 200 1 Gilindricos y orientables 201 = Tipo NPN y tipo PNP 202 103.2. Control de presencia por captador inductivo/eapaiivo cies 203 ANALISIS PRACTICO 29....... 204 104. Transductores de reflexién ultrasénica 205 10.4.1. Control por ultrasonidos 206 ANALISIS PRACTICO 30 TATE | Tema 11. Familias de transductores (II)......... 209 111. Transductores de temperatura .......... 209 ALLA. Termistores .. comes 208 w Termistores NTC... 209 w Termistores PTC. 210 11.1.2. Termopares 212 ANALISIS PRACTICO 31. 213 11.1.3. Regulador de temperatura con NTC para cars de potenia enca 214 ANALISIS PRACTICO 32 216 11.2. Transductores de tu 217 11.2.1. Componentes fotosensibles . 27 w Resistores. LDR .. 217 1 Fotodiodos y fototransistores . : + 219 112.2 Componentes electroluminiscentes 2 m Diodos LED... 20 1 Diodos emisores de inarrojos IRED asa 22 11.23. Optoacopladores. ... 2 11.2.4, Control de iluminacién con LDR .......... cetceeeeee 204ANALISIS PRACTICO 33. 11.25. ‘Temporizador para cargas en ca activado por opoacopiader. Re. ANALISIS PRACTICO 34..........000000065 Apendice V. A. Seoseunes Hoja para oscilogramas Caracteristicas del sensor de presion E8CA . Caracteristicas de captadores induct Caracteristicas de captadores capacitivos tipo E2K~ Caracteristicas de resistencias NTC . . Caracteristicas de resistencias PTC... Caracteristicas de resistencias LDR - Caracteristicas de diodos LED... Caracteristicas de dispositivos fotosensibles . 10s tipo E2F SEXTA UNIDAD: SISTEMAS DIGITALES Introduccion... . Tema 12. Funciones y puertas logicas Tema 13. 121. 122. 123. 124, Funciones logicas bisicas 12.01. Funcién igualdad ... 12.1.2. Funcién union 121.3. Funcién interseccién 121.4. Funcién negacin Funciones légicas derivadas 122.1. Funcion NAND 1222. Funcin NOR 122.3. Funciones OR-I EXCLUSIVA y NOR-EXCLUSIVA... Puertas légicas... 123.1. Familias logicas mas importantes Familia logica TTL... = Familia logica CMOS . Tipos de puertas logicas....... 1241, Puertas AND y NAND. 1242. Puertas OR y NOR 1243, Puerta NOT... 1244, Pucrtas EXOR y N-EXOR . ANALISIS PRACTICO 38 Algebra de Boole y reducciOn grifica por Karnaugh .. 1B. ANALISIS PRACTICO 36 132. Algebra de Boole .. 13.1.1. Los diecisiete postulados de Boole 3.1.2. Los cinco teoremas de Boole 13.1.3. Leyes de Morgan Reduccién grafica por Karnaugh 1321. Tipos de mapas de Karnaugh @ Para dos variables @ Para tres variables @ Para cuatro variables . 226 21 228 231 233 235 237 239 240 242 248 248, 249 249 250 2st 251 251 282 252 253 254 254 256 257 287 258 258 258 259 261 261 261 267 270 m m a 271 2 2mxiv CONTENIDO ‘Tema 14. Sistemas digitales integrados 14. ANALISIS PRACTICO 39 ANALISIS PRACTICO 40 suneree 14.2.4, Registros de econo : ANALISIS PRACTICO 41... 1322, Obtenciin de la reduccin grin ANALISIS PRACTICO 37... Sistema co! 14.1.1. El . . 141.2. Comparadores logicos . 14.2. Sistemas secuenciales .. 142.1. Tipos de biestables 1422. Contadores.. ANALISIS PRACTICO 38. 142.3. Contadores preseleccional mbinacional . multiplexor.... Diserio de un multiplexor de cuatro entradas Creacién de funciones logicas Biestable J-K .. Biestable 7 Biestable D. Tablas de tran: ion ‘Aptodice VL. A. Comparador de 8 bits con 74LS85.__... Indice analitico .... Al. Montaj A2. Informacién técnica para proceder al montaje Registro universal de 4 bits derecha-izquierda 74L$95 Registro universal de 8 bits 74HC165..... Doble J-K con PRESET y CLEAR 74HC76......... 294 297 297 298 302 312 316 323 328Prélogo El presente texto trata de cubrir el espacio docente en la formacién de los Médulos Profesio- nales, preferentemente los concernientes al Nivel II, tales como Mantenimiento en Instalacio- nes de Servicio y Mantenimiento en Linea, asi como los que tienen prevista su inmediata aprobacién y que poseen relacién con las nuevas familias profesionales de Electronica. Sin olvidar la Formacion Profesional actual en los cursos de 1.° y 2.° de FP2 (rama Electricidad- Electronica, especialidad Electronica Industrial), como también los cursos impartidos por el INEM (Técnico Electrénico) y otros relatives a la formacion ocupacional. Sera igualmente valido para la asignatura Tecnologia Industrial del nuevo Bachillerato Tecnologico. Dado el nivel al cual va dirigida esta publicacion, se ha tratado con miras Ppracticas sin olvidar la teoria, que sera siempre necesaria, pero sin profundizar en exceso. Esto se debe a que el propdsito del texto y del curso es conseguir unos conocimientos generales, dejando para el resto del Sistema Educativo Superior la profundidad en los temas y la justificacion matcmatica de los ¢jercicivs de discio de circuitos. Diversifica y amplia los conocimientos adquitidos previamente por los alumnos (durante el primer grado de Formacion Profesional), prestando especial atencién a las aplicaciones pricticas de los mismos, de forma tanto propuesta como resuelta, Esta caracteristica hace que sea un texto iddneo para la asignatura de Practicas de taller de segundo grado de Formacién Profesional. El libro se encuentra dividido en scis grandes unidades: dispositivos, accionamiento eléctrico-electronico, amplificadores operacionales, multivibradores, transductores y sistemas digitales. Cada una de ellas consta de un nismero variable de temas. La tabla de Contenido, muy detallada, da idea de todos los que se abarcan y de la disposicin de los mismos. Al final de cada unidad aparecera un apéndice con informacién complementaria, reproduciendo material original (manuales profesionales). Para terminar, como es habitual en Ia serie Electricidad-Electronica, se incluirin un completo Glosario, Bibliografia ¢ Indice analitico. A continuacién de cada apartado teorico de envergadura, apareceran uno 0 mas ejercicios practicos (denominados Analisis Practico). El nimero de éstos dependera de cada tema, asi como su estructura. En los casos mas simples la practica se propone pero, en aquellos mis complejos. se va explicando cada paso para la resolucién de la misma, dejanda siempre la tltima parte (el dato numérico propiamente dicho. el comentario de las conclusiones o el paso de los datos obtenidos a la tabla correspondiente) para el alumno. ‘No podemos terminar sin expresar nuestro agradecimiento a las casas COPRESA, HARRIS SEMICONDUCTOR, MOTOROLA, NATIONAL SEMICONDUCTOR y OMRON, por cuya cortesia hemos podido reproducir la informacion contenida en los distintos apéndices de esta obra. Puerto de Sagunto-Picanya, 1992 ‘Los AUTORES: ~vPrimera unidad DISPOSITIVOSInstrumental de un laboratorio de electrénica: descripci6n 1.1. INTRODUCCION Para el desarrollo del trabajo técnico de un especialista en Electronica es necesario, al igual que en cualquier otra profesién, un material especifico para poder Hevar a cabo las tareas propias de este entorno. Este material técnieo deberd estar compuesto al menos por los siguientes equipos, ademas del utillaje convencional (alicates, destornilladores, etc. + Polimetro analégico/digital. Fuente de alimentacion. + Generador de baja frecuencia. + Osciloscopio. 1.2. POLIMETRO ANALOGICO/DIGITAL EI polimetro (varias medidas) ya sea analégico o digital (véase Fig. 1.1) es un instrumento valido, como su nombre indica, para medir diversas magnitudes eléctricas, tales como intensi- dad en cc (corriente continua), intensidad eficaz en ca (corriente alterna) senoidal, tensidn en cc, tension eficaz en ca senoidal, asi como la tradicional medida de resistencia de componen- tes eléctricos 0 electrénicos. Olras medidas complementarias son, dependiendo de la calidad del polimetro y sus prestaciones: . « Medida de frecuencia. » Medida de capacidad. « Medida de dB (decibelios). + Medida de temperatura. ‘Todas las anteriores medidas las ejecuta el polimetro analégico o el digital de forma directa, es decir, informando de manera pricticamente inmediata del valor de la magnitud a 34 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS: Figura 1.1. Fotografia de diversos polimetros comerciales medir, sin mas que seleccionar (hay polimetros digitales que son auto-rango. ex decir. ellos solos cambian a la escakt mas adecuada) y realizar la lectura de la misma. Actuan de forma contraria otros métodos de medida indirecta, como el Puente de Wheatstone u otros. cen los que tras realizar el procedimiento propio de medida hay que efectuar operaciones matemiticas posteriores para conocer el resultado. 1.2.1. El polimetro analégico Los polimetros analogicos son los mis tradicionales, Son conocidos desde el desarrollo de la electricidad y los hay de muy diversas formas y principios de funcionamiento pero, en esencia, se puede apreciar en todos una disposicién semejante a la de la Figura Ademas de las caracteristicas generales, hay otras que determinan la calidad del polime- ibilidad, resistencia interna y precision. Fsta Ultima caracteristica ¢s la cualidad de un instrumento para aproximarse lo mas posible a su valor real, La resistencia interna, por su parte, viene determinada por ta resistencia del hilo que constituyc la bobina movil. En las medidas eléctricas se presentan errores, debidos al operador. al aparato de medida, al circuito medido o a a influencia det medio ambiente. + Los errores personales 0 de apreciacién se deben a una toma de lectura inexacta 0 errénca en cl instrumento de medida; el caso mas corriente es el crror de paralelaje que se presenta cuando al observar la indicacion de 1a aguja en una escala cl operador no esta situado visualmente en ka perpendicular del indicador. + Los errores del aparato se deben al rozamiento cn los mecanismos, a inexactitudes en fa escala_y a tolerancias de fabricacion. Dichos crrores en un aparato de medida se cuantifican en porcentajes del valor maximo de la escala, subdividiéndose los aparatos de medida en las denominadas elases de precision, Para cfectuar mediciones exactas el campo de medida sc debe clegir de modo que, a ser posible, Ia lectura se realice en el lltimo tercio de la escala (para tensiones e intensidades). Para medidas de ohmios la zona central es la de mayor precision.INSTRUMENTAL DE UN LABORATORIO DE ELECTRONICA: DESCRIPCION 5 (oO Figura 1.2. Polimetro analégico. # Los errores debidos al circuito de medida se denominan errores sistemiticos, como son los propios de los consumos de los apuratos de medida, se pueden corregir por célculo, ‘Se denomina sensibilidad a la cualidad que un aparato de medida posee para desviarse del cero 0 reposo hasta el fondo de escala, con la menor sefial posible de medida. Existen dos formas de expresar esta sensibilidad: — Sensibilidad en ohmios/voltios (los polimetros comerciales de 20000 9/V en ce son de una calidad aceptable). — Sensibilidad en corriente, 0 la corriente necesaria para Ilevar la aguja al fondo escala: no es més que el inverso de la sensibilidad en 0/V. Cuanto mayor sea la sensibilidad mejor es el polimetro: a mayor sensibilidad mas alta resistencia interna y mas precision. 1.2.2. El polimetro digital Los polimetros digitales son los que actualmente acaparan la atencién de los técnicos dada su facilidad de lectura (directa), facil manejo, robustez, exactitud y precio descendente. General- mente son visualizadores de cristal liquide (indicador numérico), quedando atras los de display a LED’s (indicador numérico con diodos clectroluminiscentes). Por este motivo, se puede serigrafiar sobre estos displays cualquier simbolo grafico que se desee incluir en representa- ciones de lectura (bateria baja, falta de luz, etc.) y asi facilitar su uso. Un esquema general que puede ayudar a la comprensién del funcionamiento de un polimetro digital, en el caso de un voltimetro, se presenta en la Figura 1.3.Figura 1.3. Esquemo de bloques de un polimetro digital. Sus clementos son los siguientes: «+ El oscilador de lectura es un generador de onda cuadrada que con los flancos positivos pone a cero el contador y con el flanco negative transfiere la cuenta almacenada en el contador. + El oscitador local genera impulsos que, tras pasar por el circuito de puerta, son aplicados al contador « Fi contador digital es el niicleo del polimetro, recibe los impuisos procedentes del oscilador local y almacens su cuenta a Ia vez que la transfiere al D/A (convertidor digital/analogico). «El circuito de puerta funciona permitiendo la legada de la seftal que le ofrece el oscilador local al contador dependiendo de que exista nivel o no en Ja salida del comparador. + El D/A es el circuito que le marca la fiabilidad del polimetro, dado que él es el que fija el escalin de tensién necesario para actuar sobre el comparador y dispararlo, + El comparador es el encargado de habilitar su salida en respuesta al nivel que le ofrezca cl D/A: — Si la tensién en el D/A < ¥;, entonces est abierta la puerta. — Si la tension en el D/A < ¥; entonces esta cerrada la puerta. 1.3. FUENTE DE ALIMENTACION La fuente de alimentacién (vease Fig. 1.4) es el equipo encargado de suministrar la ddp (diferencia de potencial) en los bornes de conexién necesarios para el funcionamiento de la mayoria de los circuitos clectrénicos, cn conereto todos los que suponen circuites de mando,INSTRUMENTAL DE UN LABORATORIO DE ELECTRONICA: DESCRIPCION 7 Figura 1.4. Fotografia de una fuente de alimentacién regulable y estabilizeda. Dado que Ja mayor parte de Jos circuitos funcionan con valores algunos voltios y 24 V de ec, estos dispositivos son capaces de entregar una tension variable y regulada. En otras palabras, ademas de poder ajustar un valor de tension dentro del rango de caracteristicas de la fuente, este valor se mantendra con muy pocas variaciones (sea cual sea el valor de corriente que se le exija) dentro de su rango de potencia. Las caracteristicas téenicas de una fuente de alimentacién son distintas, segin se refieran a Ja entrada o salida de ka misma, + Caracteristicas de entrada. Hacen referencia a la sefial de entrada (sefial de red: bas enumeramos a continuaeion: Tensién de entrada: valor cficaz de la seal de red. Frecuencia de la sefal de entrada: 50 Hz. Consumo: gasto de la fucnte en su funcionamiento. Depende de la carga. * Caracteristicas de salida, listdn referidas a la setal continua que obtenemas a la salida de la Tuente. Son las que siguen: — Tensién de salida: vendré dada con un margen que oscila entre 0 y un valor maximo. Corriente mixina: ta mas alta intensidad que la fuente es eapaz de suministrar a la carga aplicada. Estabilidad: variacion de la tension de salida en funcién de las variaciones de la tension de entrada. . Otras caracteristicas de una fuente de alimentacién, no englobables cn ninguno de estos dos grupos, son Ja resisteneia interna y cl rizado. En cuanto a las protecciones, diremos que la entrada esta proregida por un fusible que previene las alteraciones de entrada. En lo que respect a la salida, la mayoria suclen ser cortocircuitables, Puesto que la forma tradi jonal de distribucion de energia cléctrica de la red es a través de8 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS corriente alterna senoidal de 50 Hz, estos dispositivos precisan de los siguientes bloques para su funcionamiento: transformacion, rectificacion, filtrado y estabilizacién y ajuste. FI diagrama de bloques internos de una fuente de alimentacion presenta la estructura mostrada en la Figura 1.5. Filtrado Figura 1.5. Esquema de bloques de una fuente de alimentacion ‘Nos podemos encontrar a Jas fuentes comerciales bajo dos tipos diferenciados: aquellas en Jus que los valores son marcados, bien con instrumentus de medida amalégicus (tipicos voltime- tros de aguja) 0 bien con los de medida digital, que son los que predominan en la actualidad por la exactitud de la lectura. Suelen disponer de amperimetro tanto unas como otras, elemento muy necesario, dado que nos informa del consumo de corriente del circuito alimentado, lo que en ocasiones nos mostrara posibles anomalias. Es de destacar que aunque la exactitud sea muy deseuble, los analogicos facilitan la tarea de ajuste, ya que la ausencia de oscilaciones visuales en la aguja acorta la biisqueda de puntos de ajuste. 1.4, GENERADOR DE BAJA FRECUENCIA Bajo este nombre se conoce a los dispositives que gencran los distintos tipos de seftales ‘empleadas para el ajuste y verificacién de circuitos electronicos (véase Fig. 1.6). Estas pueden ser senoidales, triangulares y cuadradas generalmente, variables en frecuencia y amplitud dentro de unos rangos que oscilan entre algunos hercios y varios megas, y entre 0 y unos 20 V de pico a pico en los casos mas comunes. Estiin compuestos internamente por una fuente de alimentacién propia y fija del equipo para alimentar a un oscilador. Mediante estos equipos se pueden comprobar circuits muy diversos, tales como amplificadores, monoesta- bles, altavoces, osciloscopios, etc., de una manera rapida y sencilla. Los generadores de baja frecuencia (GBF) suelen disponer de un voltimetro para Ia alizacion del valor de amplitud de la onda entregada, asi como dos salidas, una de nivel TEL que corresponde a circuitos integrados logicos que utilizan seiiales cuadradas de 5 V de amplitud, y otra de impedancia 600 , que es el valor hmico interno del aparato a efectos de maxima transferencia de potencia del generador a la carga. 1.5. OSCILOSCOPIO. Un osciloscopio u oscilégrafo es un instrumento de medida y ajuste de sefiales eléctricas que permite In visualizacion de la forma de dicha sefial en el tiempo (véase Fig. 1.7).INSTRUMENTAL DE UN LABORATORIO DF. ELECTRONICA: DESCRIPCION 9 Figura 1.6. Fotografia de un GBF comercial. Consta basicamente de las siguientes partes: TRC (tubo de rayos catédicos), amplificudor vertical, amplificador horizontal, dos alimentaciones y base de tiempos. 15.1. EI TRC Es, sin lugar a dudas, la parte mas destacable del osciloscopio, ya que es la encargada de permitir la visualizacion de las sefiales eléctricas Fst compuesto por: filamento y eétedo, rejilla de control, anodos aceleradores y placas deflectoras (horizontales y verticales). ea Figura 1.7. Fotografia de un osciloscapio comercial10 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS: Anillo de Wehnett 0 rejilia Filamento Dy Placas do deflexién Figura 1.8. Esquema de un TRC. Todos estos elementos se muestran de forma esquematica en la Figura 1.8 (DIN 40700), © Filamento y cétodo EL TRC no es mas que una vaivula electronica especial; como tal necesita un elemento encargado de producir un hay, de e~ (electrones). para pasteriormente hacerlo incidir puntual- mente sobre la superficie de la pantalla de material fosforescente, en la que se forma la imagen oscilogrifica a partir de la composicin en el tiempo entre el valor de la sefial de la onda a visualizar y una onda en diente de sierra generada por los circuitos internos del propio osciloscopio. Los elementos encargados de la produccién de electrones son el filamento y el eétodo. En todos los TRC ef filamento, que actiia como elemento calefactor, est introducido en el citodo y realiza cl caldeo de éste de forma indirecta, es decir, sin contacto fisico, para que emita electrones. El filamento debe encontrarse perfectamente centrado con respevto al eje Sptico. Fl catodo es de un material emisor de ¢~; normalmente de niquel recubicrto de oxide de estroncio y bario (véase Fig. 1.9). la de control La rejilla de control o anillo de Wehnelt basa su funcionamiento (al igual que en las valvulas} cn a segulacion de los ¢~. Se conecta a un potencial negativo variable entre 0 y —50 V y es un cilindro con un orificio central que rodea totalmente el conjunto filamento-catodo (véase Fig. 1.10).INSTRUMENTAL DE UN LABORATORIO DE ELE QUOON0000 Filamento nN CTRONICA: DES Catodo Figura 1.9. Conjunto filamento-catodo. ® Anodos aceleradores: Existen dos fnodas que actéian 4 modo de lente electronica convergente y tienen por mision conseguir que el impacto sobre la pantalla de los e~ se realice sobre la superficie mas pequefia posible: se denominan A/ y A2. Rojilla 0 arille de Wehnelt wea 1.10. Conjunto filamento-cétodo-rejilla12 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS: + AJ, el primer Anodo, se conecta a un potencial positive de algunos centenares de voltios; cs la primera lente del sistema éptico electrnico y se coloca a continuacién del anillo de Wehnelt. + A2, el segundo Anodo constituye la segunda lente del sistema éptico; es también de forma cilindrica y se conecta a tension positiva. Su valor es cuatro 0 cineo veces superior a Al. © Placas defectoras La deflexion se realiza con un par de placas verticales y otro de placas horizontales que tienen por misién controlar la trayectoria del haz electronieo que debe impactar en la pantalla. Su accion se basa en el efecto electrostatico que produce la tension de la seiial aplicada cn extremos de cada par de placas (sefial a medir en las placas verticales y sefial de diente de ierra interna en las horizontales), Esta tension determina con su atraccién o repulsion cl punto de la pantalla sobre el que ha de incidir el haz en cada instante para formar la imagen de la onda de entrada. La disposicién de los deflectores se muestra en la Figura 1.11. D, D, Figura 1.11. Placas deflectoras. 15.2. El amplificador vertical Debidlo a la escasa sensibilidad vertical del TRC (algunas décimas de mm de deflexidn del haz Por cada voltio aplicado a las placas) es preciso aumentar la amplitud de las seitales presentesINSTRUMENTAL DE UN LABORATORIO DE ELECTRONICA: DESCRIPCION 13 a la entrada vertical hasta niveles de tension relativamente elevadas para observar desviacio- nes apreciables del citado haz sobre la pantalla; cl amplificador vertical cs cl cncaryado de conseguirlo. Es de destacar el elevado ancho de banda (margen de frecuencias en cl que cl circuito amplifica las sefiales sin distorsion) que se requiere en este amplificador. 1.5.3. El amplificador horizontal les aplicadas Cumple los mismos propésitos que su homologo vertical en lo relative a las sea a las placas deflectoras hortzontales. 1.5.4. Las dos alimentaciones El osciluscupio debe disponer de dos alimentaciones. dado quc necesita por una parte alimentar el TRE, lo conocido por muy alta tension (MAT) y. por otra. los cireuitos propios de la parte de control amplificadores y base de tiempos a tensiones propias de los semicon- ductores que utilizan. 1.5.5. La base de tiempos También conocida como generador de barrido lineal, cs un oscilador en dicnte de sierra regulable en frecuencia y amplitud que de forma sincronizada con la sefal a visualizar, servi para poner Ja citada imagen oscilografica en la pantalla (véase Fig. 1-12). Sefial a visualizar Figura 1.12. Base de tiempos,14 PRACTICAS CON SISTEMAS ELEUIKUNICOS 1.5.6. Ajuste de un osciloscopio Los mandos de los que dispone un oseiloscopio son diversos: pasaremos a describir los mas importantes: = El control de intensidad o luminosidad Sucle ser un potencibmetro solidario al botén de ON, que debemos manejar con la necesitria luminosidad sin provocar trazas grandes y borrosas en Ia imagen de la pantalla, = Fl control de enfoque Potenciémetro utilizado para conseguir la maxima nitide de la imagen y, en definitiva. la mngjor definicién posible de ta misma. = Los controles horizontal y vertical Con ellos movemos ta traza sobre la trama calibrada en divisiones cuadriculadas que ncorpors la pantalla, dejando la linea que aparece al concetar el osciloscopio cn el horizonte central en linea con la cruz de dicha reticula, @ EF control de BT (base de tiempos) Es un conmuatador de multiples posiciones. quc fija internamente la frecuencia del oscilador en diente de sierra y que est dividido en puntos calibrados en tiempo/division horizontal de la reticula: s/division, ms/division, us/division Puesto que la frecuencia de una seiial es el valor inverso del tiempo que dura su periodo, este mando y el niimero de cuadriculas horizontales de la pantalla permiten determinar la frecuencia de la sciial visualizada como mas adclante se explica. Dependiende de la posicién del conmutador BT. podemos justar la sefial que queremos visualizar para obtener al menos un periodo de kt misma en ta pantalla. El mando de fa base de tiempos sucle disponer de un poten: Jometro solidario a su eje de giro que permite ampliar la scial para una visualizacion de porciones de ésta que no es posible ver con cierto detalle en la posicion seleccionada del conmutador. Al utilizar este potenciometro sc pierde la condicion de calibracin que tiene la BT y, por tanto, no se deben efectuar valoraciones de frecuencia en ests situacion '& Control de entrada Y (amplificador vertical) sel conmutador calibrado que nos permite scleccionar la adecuada visualizacion segiin el sje ¥ (vertical) de la amplitud de a sefial que queremos medir 0 visualizar; esta dividide en puntos calibrados cn tension/divisién vertical de la cuadricula: Voltios/division, mVol- tios/division, etc. Esta calibracion nos permi pantalla. icar ki amplitud de las sefiales que aparccen en laINSTRUMENTAL. DE UN LABORATORIO DE ELECTRONICA DESCRIPCION 15 La mayoria de los osciloscopios disponen de dos controles de entrada _¥; se les conoce con el nombre de osciloscopios de doble traza. Fsta caracteristica permite visualizar en la pantalla dos seiiales diferentes a la vez, con una misma base de tiempos; la entrada vertical © ¥ es. por tanto. doble y cada seccion utilizable se denomina canal (canal 4 y canal 8), Fin este tipo de osciloscopios uno de los canales puede ser utilizado como entrada X cuando asi lo seleccion: mos, quedara anulado entonces ef generador interno de diente de sicrra y podremes introdu- cit Sefiales externas de deflexién horizontal. Esta situacion posibilita la medicion por el método de Lissajous (véase Apartado B del ANALISIS PRACTICO 1 y Fig. 1.15). asi como la visualizacion de las caracteristicas de cicrtos componentes electronicos (Fig. 2.5 del Aparta- do 2.2.1 del Tema 2). Pasaremos ahora a poner en prietica los conocimientos tebricos estudiados at lo largo de Jos anteriores apartados. Se explicara detenidamente cada uno de los pasos a seguir en la elaboracién de la practica planweada ANALISIS PRACTICO 1 A. Ajuste de tensién y limitacién de intensidad de una fuente de alimentacién Es conveniente, al trabajar con equipos electronicos, mancjar la tensin de alimentacion 0, mejor ain, la corriente de alimentacion, en su justa medida, en beneficie del funcionamicnto correcto del equipo y salvaguardando la integridad del mismo, Por todo ello se procedera a limitar el valor de corriente aplicado al circuito, proceso que amente de una fuente de alimentacién (FA) a otra pero basicamente lo podriamos te los siguientes pasos: a) Seleccionar la tension deseada, estando el mando de corriente al maxiuue. >) Lievar el mando de corriente al minimo. 2) Cortocireuitar las bornas de salida. d) Actuar progresivamente sobre cl mando de corriente hasta obtener cl valor de intensidad deseado. ) Eliminar el cortocircuito de las bornas: cn estas condiciones, la FA queda limit: valor ajustado de cotriente para la tension seleceionada inicialmente. Ja al Sélo cabe citar, por diltimo, que ciertas fuentes de alimentacion disponen de un ajuste fino de tensién, que no ex mas que un potencidmetro con el cual se puede obtener una variacion de décimas de voltio, para ajustar las alimentaciones de los equipos. B. Medidas con el osciloscopio suministradas por el generador de baja frecuencia = Medida de frecuencia Fs una de las aplicaciones mas normales del osciluscupio, consiste on visualizar Ia sefal y ajustar la cuadricula (véase Fig. 1.13) graduada de la pantalla. Sabienclo cual es el valor de la base de tiempos, se reduce a contar cuadriculas y multiplicar por la scleccion de la BT.16 FRACLICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Figura 1.13. Fotografia de la cuadricula de la pantalla de un osciloscopio. Frecuencia 16,66 Hz Tension pico 2 pico 30U my = Base de tiempos 10 ms/div Amplificador 50 mV/aiv Figura 1.14, Cordtula de oscilos copio.INSTRUMENTAL DE UN LABORATORIO DE ELECTRONICA: DESCRIPCION 17 En la Figura 1.14, se muestra un ejemplo de la caratula con la seiial que se desea medir, en. principio la forma de la misma es cualquicra, sin mas condicién que sea periddica. Se observa en primer lugar algin punto notable, es decir, inflexiones o cambios. Buscamos en qué momento vuelve a repetirse este mismo punto (un ciclo completo de la schal), contamos las cuadriculas que hay entre ambos puntos, por ejemplo 6 divisiones. Sabiendo que la BT esta seleccionada en estos momentos en un valor igual a 10 ms, el periodo de ka sefiul es claramente calculable (6 x 10 ms — 60 ms) y su frecuencia cl inverso de este valor vs 1/T, cs decir, 16,66 Hz). Observar el ejemplo de la Figura 1.14, en ella la sefial tiene una frecuencia de 16,66 Hz (6 cuadriculas horizontales de 10 ms/div cada una) y un valor pico a pico de 300 mV (6 divisiones verticales de 50 mV cada una), ‘ste otro método de cAlculo de frecuencias desconocidas a partir de otra conocida, aplicando una sencilla formula que es: donde f es Ia frecuencia dexconocida, f" la sefial conocida, N, el niimero de puntos de tangencia con el eje horizontal y N, el namero de puntos de tangencia con cl ¢je vertical Este método es conocido como figuras de Lissajous o espiras cerradas. Para proceder con deberemos utilizar ambas cntradas del usciluscopio X¥ ¢ ¥ (véase Fig. 1.15). Observar la Figura 1.16, donde se muestra una relacion de frecuencias por el método de Lissajous Figura 1.15. Esquema de montaje para Lissajous.18 TCAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS, Figura 1.16. Fotografia de la 1s de Lissajous curva = Medida de tension Para la medida de tensidn alterna wtilizaremos también la Figura 1.14. Fn este caso, en ver de contar puntos notables horizontalmente. tendr ar cuadriculas y subdivisiones en vertical. Desde el maximo positivo hasta el maximo negativo obtendremos el valor pico a pico (¥,,). por ejemplo desde el punto | hasta el punto 3. En cambio. para la obtencién de valores tales como cl valor medio o el eficar ser necesario conover las relaciones matematicas que cada forma de onda presupone. El caso mas frecnente es el de ta forma senoie © ef maximo (parte de seal que sobresale desde el horizonte hasta la parte superior o inferior), que matematicamente es ia mitad del valor pico a pico, se pueden ealcular los valores medios © eficaz, siendo este Ultimo el que se usa habitualnente come valor de tension una ver conocido el valor de pico a pico alterna Valor cficaz — Valor maximo/,, Para los casos de medicion de tensiones continuas, el problema se reduce a la lectura del namero de divisiones en vertical que desplaza la sefial (componente de ce que hay cn una cad 6 Ia traza (ce pura) en la pantalla al seleccionar el modo DC (multiplicada Ta sehal. como en el caso anterior. por el valor de selection que tenga el conmutador del amplificador vertical). m= Medidas de fase Como ya sabemos, el TRC dispone de euatro placas deflectaras. dos verticales y dos horizon- tales: las verticales deflectan horizontalmente y las horizontales lo hacen verticalmente. PorINSTRUMENTAL DE UN LARORATORIO DE ELECTRONICA. DESCRIPCION 19. QQ 45° 135 180" 360 25 270 225) igura 1.17, Ejemplos aproximados de desfases. tanto, si aplicamos tensiones variables a cada una de Jas parejas de plicas, obtendremos en pantalla la relacién de fase que exista entre ellas, siempre que las sefiales aplicadas sean senoidales de igual amplitud y frecuencia. Algunos ejemplos de desfase aparecen en fa Fi- gura 1.17.Semiconductores: El diodo 2.1, ESTUDIO DE LA UNION N-P En este primer apartado veremos, para comenzar. los semiconductores, materiales empleados para product la union N-P. Después pasaremos a analizar los dos tipos de polarizaciones en los que puede configurarse la union N-P. 2.1.1. Semiconductores Se denomina semiconductores a los materiales utilizados en electronica que cumplen una determinada arquitectura interna, en Io referente a su estructura quimica. Los podemos dividir en dos grandes tipos: intrinsecos y extrinsecos, ‘* Los semiconductores intrinsecos son los Hamados puros, es decir, aquellos en los que todo el material esta dnicamente formado por un solo componente basico, esto ¢s. atomos de 4 ¢~ de valencia «# Los extrinsecos son. por asi llamarios, impuros. queriendo con ello decir que no todo el material esta formado por un solo componente, sino que estn mezclados con otros, en proporcion y tipo adecuados. Los extrinsecos s¢ dividen a su vez en dos grandes grupos: tipo P y tipo N. — Los llamados tipo P son los materiales a los que se les agregan atomos de tres ¢ de valencia, fijando con ello unas caracteristicas particulares. Debe mencionarse que para este tipo son portadores mayoritarios los h* (huecos), entendiendo por h* la ausencia de e~, que completan el enlace quimico. — Los lamados tipo N son los semiconductores a los que se les agregan atomos de cinco e~ de valencia. fijandose, por tanto, unas caracteristicas distintas a los tipo P: en los N. se dice que son mayoritarios los e”. ‘Ambos tipos de semiconductores (P 0 N) son, aisladamente, neutros a nivel eléctrico pero, al unirlos, se produce un fendmeno de difusian que hace que los portadores mayoritarios de uno y otro bloque se desplacen atravesando la union, hasta que se igualan los potenciales. 20SEMICONDUCTORES: EL DIODO 21. Este proceso es parecido al que presenta una mezcla de agua y colorante tras un cierto ticmpo, tomando un determinade color, que sera definitive a no ser que aumentemos el colorante o el agua Esta puesta en contacto de los bloques N-P origina una barrera de potencial propia de los materiales que se hayan usado para su creacién (SI = 0,65 V. GE = 0.25 V), estos valores de barrera se denominan tensi6n umbral (¥,). En esta situacion, al polarizar (suministrar tensiones) al bloque N- opciones: polarizacién directa y polarizacién inversa, Se producen dos = Polarizacion directa Se denomina directa aquella configuracidn en la cual el positive de la fuente se conecta al bloque P. En esta situacion, la polaridad de la fuente (siempre que sea superior a ta tension de barrera) convertira al bloque N-P en conductor, dejando pasar una corriente eléctrica impor- tante que habra que limitar mediante resistencia externa a la union, en prevision de la maxima corriente que pueda soportar dicha unién. = Polarizacion inversa Se denomina inversa la configuracion en la que el potencial positivo de Ia fuente se conecta al Bloque N. De este modo, lz barrera de potencial se ve reforzada y la corriente de paso través del bloue es nula (en realidad minima de valor 1A), Ambas disposiciones se muestran en la Figura 21 Ed a Polarizacion Polarizacion Girecta inversa Figura 2.1. Polorizecions 2.2, EL DIODO: COMPONENTES Y CARACTERISTICAS MAS IMPORTANTES El dispositive formado por una union N-P se denomina diodo y es el mas simple de los componentes electronicos. Dispone de dos terminales llamados node y cfitodo que son, respectivamente, el bloque P y el N. Su simbolo grafico mas comin es el que se muestra en a22. PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS: Figura 2.2. Diodo semiconductor Figura 2.2. Su principal caracteristica es que sélo deja pasar la corriente en un sentido, es decir, es unidireccional. Al diodo asi definido se le conoce por rectifieador y éste no es mas que un modelo de los muchos cxistentes (véase Fig. 2.3) dentro de la familia de los diodos, entre los que podriamos destacar dos: el diodo LED y el diodo ZENER. No obstante, conviene mencionar la existencia de otros dos tipos de diodos: el VARICAP y el TUNEL. Los mencionados diodos no seran objeto de estudio en este libro debido a que ambos hacen referencia a utilizaciones en Electronica de Telecomunicaciones, estando ésta fuera de los objetivos del presente texto. Figura 2.3. Fotogratia de diversos diodos.SEMICONDUCTORES: EL DIODO 23 2.2.1, Caracteristica tensién-corriente Es, sin lugar a dudas, la mas importante de las caracteristicas utilizadas, ya que nos indica las caidas de tensién (cdi) y las corrientes que puede soportar el componente. Una muestra de esta caracteristica es la de la Figura 2.4 En ella se aprecia que durante ta Pl (polarizacién inversa) la corriente que circula es muy pequefia (A), ya que presenta una resistena muy elevada (MQ). Por el contrario, en la PD (polarizacién directa) la cotriente es muy elevada (del orden de A) y su resistencia de valor Shmico muy bajo. Se aprecia también en la misma figura la tensién umbral propia de cada material. Hay que destacar que esta caracteristica es propia de cada diodo que se ensaye. y ademas ésta variara con la temperatura. Polarizacion directa (PD) v, Polarizacion inversa (Ply jura 2.4. Gréfica de la caracteristica tensién-corriente. La anterior grafica se puede obtener mediante una sencilla aplicacion con el osciloscopio, tal como se muestra en la Figura 2.5 La tension presente en extremos del componente se aplica también a las placas X del osciloscopio. La corriente que circula por el elemento también lo hacc por la resistencia, provocandose una caida de tension (cd!) proporcional a la corriente que la atraviesa, aplican- dose a las placas Y del osciloscopio. La resultante que se obtiene en pantalla es la caracteristi- ca del semiconductor.24 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Figura 2.5. Obtencién de la caracteristica V-/. A continuacion (Tabla 2.1) se muestran algunas de las caracteristicas de los materiales semiconductores base aplicados a los diodos, como complementos al estudio de los mismos. Tabla 2.1. Caracteristicas de los materiales semiconductores base ¥, (¥ de umbral) =03V 1, (Zinversa) = WA = nA Deriva térmica 21, por cada 12°C 21, por cada 8 °C Aplicaciones Deteccién sefial baja Usos generales Resistividad 6 Qem 230000 Qcm 2.2.2. Aplicaciones diversas Ademas de la aplicacién de rectificacién clasica del diodo convencional, se pueden realizar otras, tales como: limitadores y fijadores. Estas son en muchos circuitos decisivas, por Ia necesidad de modificar la forma de onda. Los limitadores, como su nombre indica, limitan una tension alterna a unos valores que nosotros determinamos mediante la eliminacion parcial o total de una o de las dos crestas del semiciclo.‘SEMICONDUCTORES: EL DIODO 25 El limitador puede ser serie 0 paralelo. Otra clasificacién hace referencia al lugar donde Tealicemos la limitaciOn (recorte), en este caso pueden ser: positivo, negativo, parcial o parcial doble. = Limitador paralelo En la Figura 2.6 se muestra un limitador que recorta la parte de sefial negativa que sobrepasa el valor V, del diodo, dejando inalterada la parte positiva. Figura 2.6. Limitador paralelo. Por supuesto, al igual que se limita el valor de la semionda negativa, se puede realizar la positiva sin mas que cambiar la polaridad del diodo, 0 incluso recortar ambas semiondas con dos diodos que podrian estar individualmente conectados en serie con fuentes de cc de distinto valor, haciendo asi asimétricos los recortes. Las Figuras 27 y 2.8 muestran las graficas de las sefales senoidales de entrada y salida del limitador. Figura 2.7. Grafica de la sefial sencidal Figura 2.8. Gréfica de la sefial de salida de entrada del limitador. del limitador. = Fijador positive Se conoce como fijador o restaurador de cc al circuito formado por una red R-C en conjunto con un diodo, sin mas condicién que la constante de tiempo (r = R + C) sea al menos diez26 _ PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS vveces superior al periodo de la sefial aplicada, evitando la posible descarga de C. Un ejemplo del circuito comentado se muestra en la Figura 2.9. Figura 2.9. Fijador positivo. Al igual que se pueden realizar fijadores positivos, los podemos realizar negatives, sin mas que variar la polaridad del diodo. Con ello lo que se consigue es obtener la senoide en la parte negativa, toda ella y sin recortes; es decir, fijar el nivel negativo en un valor igual al maximo de la sefial de entrada también conocido como amplitud o valor de pico. Se pueden realizar fijadores, en los que la sefial resultante a Ia salida (Fig. 2.10) esté por encima (abajo) del nivel cero de tension afiadiendo una fuente de cc en serie con el diodo adecuadamente, polarizado. < Figura 2.10. Gréfica de la sefal de salida del fijador, 2.3. EL DIODO LED: COMPORTAMIENTO Y CARACTERISTICAS MAS IMPORTANTES El diodo LED (light emitting diode), diodo emisor de luz, es una union N-P trabajando con PD, que tiene la facultad de emitir luz fria; es decir, no derivada del efecto Joule tradicional La Figura 2.11 muestra el simbolo del LED.SEMICONDUCTORES: EL DIODO. 27 Wd LeD Figura 2.11. Simbolo de! LED. Esta luz es cl resultado de la energia que ceden los e~ al bajar de la banda de conduccion, que en el caso del S, es en forma calorifica, mientras que en los elementos del grupo 3 y 5 de la tabla periédica es en forma de fotones. La forma de construccién es la siguiente: — AsGa (arseniuro de galio —_infrarrojo — AsPGa (arseniuro-fésforo-galio): naranja — PGa (fosforo-galio): amarillo Cambiando las concentraciones de los distintos componentes se pueden conseguir otros colores, e incluso que cambien de color (bicolores) al aumentar la intensidad de paso. La tensi6n umbral es superior a la de los diodos normales y su corriente inversa maxima es menor. Tienen una vida itil 100 veces mayor que las lamparas de incandescencia y su respuesta al cambio on-off es al menos diez veces superior (10 ns), por lo que se pueden usar para modulacion en alta frecuencia Las aplicaciones del LED son muy diversas (siempre en relacién con Ia iluminacion y la presentacién de datos), sea en forma aislada como sefializacion de equipos industriales o domésticos, o en forma agrupada bajo la forma de display de distintos segmentos (teniendo mejor definicion esta altima). El inconveniente de las pantallas de LED es el importante consumo, que no es problema si es un equipo fijo con fuente de alimentacién a red, pero si que lo es si es autonomo (dada la precariedad de la alimentacion). Por este motivo han sido desplazados por los visualizadores de cristal liquido. 2.4. VERIFICACION E IDENTIFICACION DE LOS TERMINALES DE UN DIODO La identificacion de los terminales de un diodo se realiza de distintas formas (segiin los medios disponibles), siendo los mas usuales: «= Identificaciin por catélogo (todos). * Identificacion por la forma, catodo en la punta (BY127, etc.). * Identificacion por el anillo en la superficie del catodo (IN, etc.). Identificacion por polimetro (véase Fig. 2.12).28 —_ PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Resistencia Resistencia alta baja Polarizacién Polarizacion inversa ie directa Figura 2.12. Identificacién de tos terminales de un diodo por polimetro. La verificacion del estado de un diodo se realiza con ayuda de un polimetro analégico en Ja funcién de Ghmetro. ‘Tras la identificacion de la polaridad de la bateria interna que tiene presente su potencial en los bornes de conexién (se puede utilizar un diodo del que se conozcan sus terminales previamente) se procedera a conectar las puntas de prueba en extremos del diodo de forma que: © Con PD (polarizacion directa) la resistencia que debe marcar el Shmctro oscila entre unos 100.2 y 300 2 {seleccion en ohmios por 10). * Con PI (polarizacion indirecta) la resistencia debe valer (dependiendo que sea Ge o Si) entre 200 y 300 KA para Ge o varios MQ en el caso de Si Resistencia Figura 2.13. Montaje para ensayo de un diodo.SEMICONDUCTORES: FL DIODO 29 Para realizar esta operacion se debera tener presente la necesaria corriente a proporcionar por el Ohmetro (recordando que la escalas mas pequeiias son las de mayor deflexidn de la aguja). ete Polimetros digitales disponen de una posicién seleccionada como (—p4 }, que mide la tension de conduccion de Ia union, siendo en PD ~ 0,5 — 0.6 Vy en PI inmedible, dando como resultado OL (OVERLOAD). Ademas de verificar el diodo, podemos analizarlo en su caracteristica V-I con ayuda del circuito que se muestra en la Figura 2.13. ANALISISPRACTICO2—— Identificar los terminales de uno o varios diodos y realizar el montaje de la Figura 2.13 siguiendo el procedimiento que se enumera a continuacion 2) Con PD, it obteniendo la lectura del amperimetro (A) y del voltimetro (V) para los valores dados de la Tabla 2.2. 4) Con PI, anotar los nuevos valores del amperimetro (A) para los valores de la Tabla 2.3, ©) Con los valores de ambas tablas dibujar la caracteristica V-/ de los diodos ensayados (14007). 4) Comparar con los valores que faciliten los catalogos sobre los mismos componentes y obtener conclusiones. Tabla 2.2. Resolucién del ANALISIS PRACTICO 2 ¥, (voltios) ° ol 02 | o4 06 07 08 1, (AM) | | | | Tabla 2.3. Resoluci6n del ANALISIS PRACTICO 2 ¥, (woltios) ° 2 6 10 15 20 30 1a) I 2.5. RECTIFICADORES MONOFASICOS La aplicacin especifica 0, mas bien, el disenio original del diodo, fue la rectificacion. Poste- riormente, ante cl hecho de su falta de conduccién en un sentido, se le han agregado otras muchas aplicaciones. La rectificacién surge por la necesidad de alimentar circuitos con tensiones de caracter estable en el tiempo. Si a esto aftadimos que el transporte de energia eléctrica se realiza bajo la forma de corriente alterna, ca, (por motivos econémicos) est justificada la utilizacion de30 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS rectificadores como circuitos que convierten las sefiales eléctricas bidireccionales (senoidales en la practica) en unidireccionales. Es destacable que se haya dicho que el resultado de la rectificacién es una sefial unidirec- cional, pero no continua, que se tendra que obtener por procedimientos posteriores (filtrado). Tres son las posibilidades basicas dentro de los rectificadores: + Rectificador de media onda (con o sin filtro). # Rectificador de onda completa o doble onda. # Rectificador en puente de Graetz. Expondremos las caracteristicas de cada uno de ellos, intercalando los ANALISIS PRAC- TICOS correspondientes a cada tipo de rectificador. 2.5.1. Rectificador de media onda sin filtro En la Figura 2.14 se muestra un rectificador de media onda y sus seiiales mAs importantes (véanse Figs. 2.15 y 2.16). Durante la alternancia positiva de la sefial de entrada cl diodo se encuentra en PD. En estas condiciones conduce con la limitacion de corriente impuesta por R,, provocando sobre ella una edt que cumple la ley de Ohm, menos la pequeiia edt del diodo en sentido directo (=0,7 V). En el semiperiodo negativo de ia senal de entrada el diodo se encuentra en PI, lo que permite el paso de una pequefiisima corriente, ya que su resistencia en estos momentos es muy alta. Como resultado, la edt en R, es minima, por no decir nula. Los valores propios de la sefal senoidal quedan modificados, pudiéndose demostrar que los valores eficaz, medio y maximo de tensién toman ahora las siguientes caracteristicas: Via = Vir v= v2 Resistencia Figura 2.14. Rectificador de media onda.‘SEMICONDUCTORES: EL DIODO = 31. valor medio de tensién. valor eficaz de tensi6n. valor maximo de tension, menos la edt (caida de tension) directa del diodo. ‘Como dato final, afiadiremos que el rendimiento de este rectificador (como cociente entre la potencia de continua presente en la carga y la de alterna que cede el secundario del transforma- dor) es como maximo de un 40 por 100, cantidad claramente deficitaria, Por tanto, si queremos aumentarlo, sera necesario utilizar otro tipo de rectificador, doble onda o en puente Figura 2.15. Grafica de la sefal senoidal de entrada, Figura 2.16. Grdtica de Ia sefal de salida en resistencia. © Factor de forma y factor de rizado Estos dos pardmetros informan del grado de relacién que eaiste, cn una sefial ondulada, entre las componentes continuas de esa seftal y aquellas partes de la misma que son variables. En definitiva, el factor de forma F, es el cociente entre el valor eficaz total de dicha magnitud ondulada y su valor medio,32 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS El denominado factor de rizado, F, (también llamado grado de ondulacion) es el cociente entre el valor eficaz de la ondulacion exclusivamente y su valor medio. Se puede demostrar que F,=J/F-1 @) Realizar €] montaje de la Figura 2.14, visualizando von el osciloscopio el resultado de la rectificacion. Compararlo con las graficas de las Figuras 2.15 y 2.16. Ténganse en cuenta los siguientes datos: R= 1009/7 W D = 1N4007 Transformador 220 V/12 V, 0.5 A 6) Efectuar las medidas oportunas para calcular el factor de forma y el factor de rizado. 2.5.2. Rectificador de media onda con filtro Como se puede apreciar en la Figura 2.14, la sefial de salida no es cstable en el tiempo. Si deseamos una que si lo sea, deberemos efectuar a continuacion un filtrado de la misma que reduzca la ondulacién obtenida hasta este momento. Los dispositivos que pueden realizar la tarea reciben el nombre de filtros, pudiéndose dividir en dos grupos: © Pasivos: utilizan resistencias, bobinas 0 condensadores. « Activos: utilizan una red pasiva junto a elementos activos (transistores, valvulas, op-amp). ‘También se puede establecer una segunda clasificacion, atendiendo a la frecuencia a la que responden: pasa baja, pasa alta y pasa banda. En la Figura 2.17 se muestran los filtros pasivos basicos. El mas simple de los filtros se realiza con un condensador, que en la mayor parte de las aplicaciones es suficiente para obtener aceptables resultados, siempre que la carga lo admita y la rectificacion sea de onda completa o en puente (véase Fig. 2.172). El cilculo de la capacidad necesaria para obtener el filtro, atin siendo sencillo, se omitira, dejando Gnicamente Ia aplicacion de ta formula final de este filtro: tec co _ 2 _. 2° 2+ Van FSEMICONDUCTORES: EL DIODO 33 fa) Fittro C {b) Filtro L-¢ ° ° (ce) Filtro Pr Figura 2.17. Filtros pasivos bésicos. Siendo en esta formula: la corriente continua que pasa por la carga. valor eficaz de la tension de rizado F = frecuencia de red para media onda y 2F para onda completa y en puente. Existen algunas normas nemotécnicas utilizadas frecuentemente para el rectificador de doble onda y 50 Hz de red. que indican que sera valida la capacidad de valor igual o mayor a tantos uF como mA circulen de corriente continua Caleular la capacidad necesaria para un rectificador de media onda por cuya carga circula una corriente continua de 1 A, sabiendo que la frecuencia de red es 50 Hz (si la V, no ha de ser mayor de 2,2 V de pico a pico en el rizado residual).34 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS, 2.5.3. Rectificador de onda completa El uso del rectificador de onda completa (con dos diodos) mejora los principales inconvenien- tes del de media onda (bajo rendimicnto, elevado factor de rizado, etc.). A pesar de todo, se incorporan otras desventajas, tales como: el uso de un transformador simétrico en el secunda- rio, mayor volumen del mismo, mayor peso (debido a que cada semidevanado debe aportar la potencia total requerida por la carga). A efectos de diseito, este transformador es como si fuesen dos (visto desde el secundario), pero en conjunto es deseable al de media onda. En la Figura 2.18 se muestra un circuito de onda completa. Figura 2.18. Rectificador de onda completa. El funcionamiento ¢s muy simple: consiste en la alternancia de conduccién de los diodos 1 y 2a la frecuencia de red. Si la alternancia positiva de entrada hace conducir al D,, la negativa hace lo propio con el D,, cerrandose el circuito siempre a través de la toma media del transformador. Figura 2.19. Grafica de la sefial senoidal Figura 2.20. Grafica de la sefial de salida de entrada, tectificada.SEMICONDUCTORES: EL DODO 35. La grafica de la Figura 2.19 muestra la forma de onda en la entrada de red, Por contra. en la grafica de la Figura 2.20 se destaca la tension en X,, frente al MO (media onda), de doble niimero de alternancias, es decir, duplicando la frecuencia. Es de resefiar el valor doble de tension inversa que soportan estos diodos cuando no conducen, debido al devanado doble del transformador. 2.5.4. Reectificador en puente de Graetz EI rectificador en puente de Graetz es el dispositivo que mayor niimero de componentes utiliza: 4 diodos asociados de la forma que se muestra en la Figura 221. El funcionamiento consiste en la alternancia de conduccion de una pareja de diodos: precisamente los que coinciden con las diagonales D, — D, y D, — Ds. Conducen siempre el diodo de anodo mas positivo y el de catodo mas negativo. V sala ‘ectificada Figura 2.21. Rectificador en puente de Graetz. Las formas de onda son las mismas que las de las graficas de las Figuras 2.19 y 2.20, sin mas que restar una nueva cd por la conduccién simultanea de dos diodos (y no uno como en el de onda completa) a la salida en la R,; éste es, sin lugar a dudas. su inconveniente, lo que lo hace inutilizable para pequefias sefiales a rectificar. Por lo demas. es el sistema mas usual de rectificacin monofisica, ya que se encuentra en el mercado, de forma integrada, bajo distintos encapsulados (segin la corriente de paso por los diodos). Como resumen, las Tablas 24 y 2.5 recogen los pardmetros eléctricos de cada rectificador y las caracteristicas de los diodos a utilizar en cada disefo, respectivamente. Tabla 2.4. Pardmetros eléctricos de cada rectificador36 PRACTICA CON SISTEMAS ELECTRONICOS. Tabla 2.6. Caracteristices de los diodos en cada tipo de rectificador Media onda t vy Doble onda con toma media | 0,5/,, | 0.71 | 2¥o Doble onda con puente ost, | 071 % En la Tabla 2.5 se deberan entender los siguientes simbolismos: Corriente media directa que debe soportar cada diodo. Corriente eficaz directa que debe soportar cada diodo. = Tensidn inversa del diodo. Tensién maxima/pico/amplitud. Intensidad media en la carga. Intensidad eficaz en la carga. @) Montar el circuito de la Figura 2.21 y visuializar con el osciloscopio el resultado de la rectificacion. b) Tomar las medidas en el circuito que se consideren oportunas para calcular el factor de forma y el factor de rizado. ©) En qué cambia la forma de onda en la salida si le colocamos un condensador en paralelo? 2.6. EL DIODO ZENER: COMPONENTES Y CARACTERISTICAS MAS IMPORTANTES 2.6.1. Funcionamiento El diodo ZENER basa su funcionamiento en el efecto de ruptura de su caracteristica inversa; aqui reside su diferencia con los diodos rectificadores ya que en la PD (polaridad directa) son basicamente iguales. En la Figura 2.22 se muestra el simbolismo de un ZENER.Figura 2.22. Simbolos graficos del ZENER. Los diodos ZENER estin disefiados para mantener dentro de un rango de corrientes (propias de cada modelo), la tensién nominal de ZENER, haciendo de estabilizador de tensién en ese rango de corrientes, tal como se aprecia en la caracteristica V-I de la Fi- gura 223. Figura 2.23. Grdfica tensién/intensidad ZENER De esta manera el funcionamiento se realiza en base al nivel de dopado de los semiconduc- tores que forman el diodo, dando lugar a dos modos de realizarlo: efecto ZENER y efecto avalancha.38 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS, « El efecto ZENER se manifiesta cuando un diodo esti muy dopado y el arranque de electrones se hace por campo eléctrico; son los diodos de valores hasta unos 6 V nominales. La tension de ZENER en estas circunstancias, disminuye con la temperatura. « El efecto avalancha se produce cuando se provoca la ruptura por impacto de los e~ entre ellos: predomina para valores nominales de tensidn del diodo superiores a 6 V. La tension ZENER asi conseguida aumenta con la temperatura. Cuando las tensiones que se quieren estabilizar, 0 usar de referencias, son inferiores a2 V no se usan diodos ZENER, se prefieren diodos convencionales conectados en serie y polariza- dos directamente, 2.6.2. Verificacién e identificacién de terminales La identificacién de tos terminales se puede realizar de igual manera que un diodo convencio- nal, sin mas que tener en cuenta que al polarizarlo inversamente la bateria del elemento de medida no sea superior al valor de ruptura. "_____ANALISIS PRACTICO 6 1 a) Montar el circuito de la Figura 2.23 (ZENER en polarizacién inversa). b) Deducir el valor de resistencia adicional a colocar en serie (usar un ZENER de 12 V/400 mW). ©) Aumentar la tensién inversa aplicada con la fuente de alimentacion regulable y colocar los valores en la Tabla 2.6. Tabla 2.6. Resolucién del ANALISIS PRACTICO 6 aa 2v | av | 6v | wv | wv | isy 2.6.3. Montaje de un estabilizador con ZENER La necesidad de mantener estable la tensién en los circuitos electronicos ¢s fundamental para su correcto funcionamiento. La estabilizacién se realiza a la salida del filtro del rectificador, puesto que se dispone de una tensién unidireccional aunque con ciertas variaciones debidas al rizado residual.SEMICONDUCTORES: FL DIODO 39 Figura 2.24. Estabilizador ZENER paralelo de tension. Con los ZENER se pueden realizar circuitos, sin grandes pretensiones, pero, eso si, a un bajo coste y con unos resultados aceptables. Existen dos formas clasicas de obtener estabiliza- dores: conexién serie con In carga y conexién paralelo con la carga El estabilizador paralelo es e! mas extendido cuando solo se utiliza un ZENER y en él nos vamos a detener, intentando, ademas, calcular su circuito. En la Figura 2.24 se muestra un estabilizador paralelo con ZENER. © Funcionamiento EI principio de funcionamiento del estabilizador consiste en el mantenimiento de la tension ZENER que es la misma que tiene la carga R, por estar el diodo en paralelo con ella. Dado que la corriente total (J,) es la suma de las corrientes de ZENER (/.) mas la de la carga (Je,), mientras la variacion de la intensidad total o la de carga no haga que la de ZENER se salga del rango de trabajo (1, mine — fs manna) la tension sera mantenida con una pequeiia fluctuacién, perfectamente aceptable. Las posibilidades de variaciOn son tres: + Variacién de la resistencia de carga. » Variaciones de la fuente de alimentacion. * Ambas situaciones simultaneas. Por ser, en la practica, la mas corriente la tercera de las causas, el disefio para el montaje Jo efectuaremos para esta situacion de variacion simultanea. Calcular, montar y analizar un estabilizador paralelo con ZENFR bajo los siguientes condi cionantes: @) Variacion de la corriente de carga entre 25 mA y 50 mA, bajo una ddp de 12 V. 4) Variacion de la fuente de alimentacin entre 15 y 18 V.40 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS En principio, calcularemos el valor de R,,.. En esta situacion, la cortiente a considerar por la carga seri la maxima y la que atraviesa el ZENER sera minima; este valor, que encontraremos en catélogo, puede ser de 5 mA. Con los datos del ejercicio, el resultado es de 54,54 .Q, pero este valor no es comercial, por Jo que habré que colocar la resistencia comercial mas cercana, cuyo valor normalizado es 56.2. Determinaremos a continuacion la potencia que debera disipar dicha resistencia. Para ello el disefio se considerara en la peor de las situaciones; la mas desfavorable se da cuando la V,_, es maxima, teniendo en cuenta el valor de resistencia ya calculado: La formula anterior nos dara un resultado de 0,6428 W. que habra que ajustar al valor comercial superior para seguridad; siendo este de 1 W. En lo referente al ZENER, la potencia maxima que disipa sera la que se deriva de la menor demanda de corriente por la carga, cuando en la entrada se presente el maximo valor de tensi6n. Por tanto: VR, tan Ras. ho Lo que nos da un valor de 82,14 mA y como consecuencia la potencia de ZENER maxima sera: Fenty = = V1, = 09857 W En la practica usariamos un ZENER de | W o mas. Tras realizar el montaje del circuito calculado, rellenar las casillas de la Tabla 2.7 con los datos obtenidos de las medidas reales sobre el circuito practico. Tabla 2.7. Resolucion del ANALISIS PRACTICO 7 1s 16 16,5 7 17,5 18TEMA. El transistor bipolar: Estructura y caracteristicas del componente 3.1. INTRODUCCION El desarrollo del transistor (TRANSfer-resISTOR) en la década de los cincuenta supuso el definitivo comienzo de la Era Electronica, haciendo evolucionar a la técnica en general de forma vertiginosa. Vino a sustituir en las valvulas a su homélogo el triode al igual que el diodo semiconductor lo hizo con el de vacio (con las ventajas que este cambio supuso reduccién de volumen, peso, precio, etc). Véase Figura 3. Los podemos dividir en dos grandes familias: transistores unipolares y transistores bipolares. Los transistores unipolares, aunque conocidos tedricamente a la par que los bipolares, no se desarrollaron hasta los afios sesenta, motivo (junto con el manejo) que ha convertido a los Figura 3.1. Fotografia de diversos transistores. 442 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS bipolares en los mas conocidos. Diremos que los transistores unipolares reciben este nombre porque los portadores de carga son inicos, ¢~ 0 fi”, dependiendo del tipo de semiconductor empleado para su fabricacion, Esto significa que la corniente que gobiernan esti debida a un solo tipo de portador. 3.2. ESTRUCTURA DE UN TRANSISTOR BIPOLAR Los transistores bipolares, motivo de nuestro estudio. son aquellos en los que la corriente es originada por los dos tipos de portadores citados. 3.2.1. Caracteristicas Un transistor bipolar es un dispositive con tres terminales de conexién, unidos a tres bloques semiconductores extrinsecos, tal como se muestra en la Figura 3.2. ; Bia : : BEG , Transistor NPN Transistor PNP 2 3 2 3 1 1 1 = base 2 = colector 3 = omisor Figura 3.2. Simbolos y terminales del transistor bipolar NPN y PNP. Los nombres de sus terminales son: « Base. Terminal cuya conductividad es contraria a los otros terminales. Es la encargada de realizar el gobierno de la corriente que atraviesa los terminales principales, por lo que se construye con un espesor menor que el de éstos. * Emisor. Es ¢l terminal fucmte de la corriente principal (de conductividad igual al colector y la mas dopada de las tres). * Colector. Es el terminal encargado de recoger la corriente que, regulada por la base. emana del emisor. Esta menos dopado que el emisor y mas que la base,EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 43. Dado que los tres terminales son capas alternadas de semiconductores, existen dos tipos: NPN y PNP. Con ambos modelos se puede realizar cualquier aplicacion sin mas que recordar las distintas polarizaciones que tendremos que efectuar pero, puesto que lo mas corriente es disponer de positivo respecto de masa, el mas utilizado es el tipo NPN. Dado que existen tres zonas semiconductoras, habra dos uniones N-P, una formada por la zona base-colector y la otra por la zona base-emisor. 3.2.2. Efecto transistor Se conoce como efecto transistor al fendmeno fisico que permite el paso de un elevado nivel de portadores a través de una unién N-P polarizada inversamente. Para ello deberemos polarizar adecuadamente el transistor, como se ve en la Figura 33, es decir, polarizando directamente la union base-emisor e inversamente la union base-colector. Laheh Figura 3.3. Polarizacién de un transistor bipolar. Sentidos de corrientes. NOTA. Las corrientes marcadas con «-——-—-» son en sentido electronico, es decir, con el movimiento de e~,no deh*, que es el sentido eléctrico (estas iiltimas marcadas con raya continua) Mediante la PD (polarizacién directa) de la B-E se permite el paso de los portadores mayoritarios del emizor (¢~) al blogue central tipo P, que constituye la base, donde los e~ que Hegan son minoria. Ahora bien, la PI (polarizacién inversa) de la union C-B tiene un campo eléctrico importante que facilita el paso de los electrones que fluyen desde emisor hacia el colector,44 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICS menos los e~ que se derivan hacia la base (minoritarios), de ahi la importancia de su estrechez. En la Figura 3.3 se muestra la ecuacién fundamental de un transistor bipolar, que no ¢s mas que la suma de las corrientes de base y colector igual a la de emisor. 3.2.3. Corrientes residuales Se denominan asi las corrientes medidas cuando uno de los tres terminales esta abierto, y se representan por subindice 0, Las mas importantes son [ey € Fees que Son, respectivamente, la cotriente colector-base con el emisor abierto y la colector-emisor con la base abierta. La primera (J.s.) tiene un valor de 1A y es debida a los portadores minoritarios; varia con la temperatura. La segunda (I...) es del orden de centenares de uA y es debida a los portadores mayoritarios, por tanto, no depende de la temperatura. = Parimetros a y B « Alfa (a):es el cociente entre la corriente de colector y emisor, por ello nunca sera mayor que la unidad. + Beta (f); es el cociente entre la corriente de colector y la de base, su valor es elevado (entre decenas y varios cientos) dependiendo del transistor. ‘Ambos son numeros adimensionales, por lo que no se expresan cn ninguna unidad = Relaciones matemiticas fundamentales entre parlimetros y corrientes ‘A continuacion se muestran algunas relaciones matematicas entre los parametros a, B y las corrientes: i+ t, Body + Teco =a, + dete 1 I i De las relaciones anteriores, que podrian Hamarse basicas, se deducen las siguientes: ian = = Neco B "pet = (Boh) + B+ > keto Con las ecuaciones mostradas anteriormente se puede conocer la situacién del transistor en general, siendo deseable que el alumno aprenda a manejar y comprender la informacionEL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 45, por cllas aportada, Especial importancia tiene la ultima expresién matemética, pues muestra que la corricnte de colector pose una componente térmica, expresada en el factor B+ D> hese 3.2.4. Modos de funcionamiento Tres son los modos de funcionamiento posible de un transistor, dependiendo del punto de trabajo donde se encuentre, es decir, de los valores de I, y Vig que tenga en un momento determinado. Estos tres modos son: saturacién, corte y amplificacion. ‘ Saturacién, Es el estado en el que el transistor funciona tal como si fuese un interruptor cerrado, quiere esto decir que su V,, en esta situacion (ddp entre los terminales del supuesto interruptor) es nula, o practicamente nula, y la corriente a través del colector es maxima. * Corte. Es la situacion contraria a la saturacién, es decir, cuando el transistor no permite el paso de ninguna corriente (el supuesto interruptor esta abierto), siendo ahora la V.. maxima. + Amplificacién. Es la posibilidad que tiene el transistor para que siendo gobernado por una pequefia corriente de mando (/,), pueda controlar corrientes mucho mayores a lo largo de la rama colector-emisor. En esta situacién, la corriente y la tension en sus extremos puede ser diferente en funcién de las condiciones de trabajo de dicho compu- nente, 3.3. VERIFICACION E IDENTIFICACION DE LOS TERMINALES DE UN TRANSISTOR Al igual que en el caso de los diodos, tenemos varias opciones para la identificacion de los terminales: por catélogo y con el polimetro analogico o digital. El primer caso no presenta ningun problema y habra unicamente que observar la posicién de la ilustracién del catalogo referente al encapsulado para determinar el patillaje El segundo método implica un procedimiento con el cual hay que operar metédicamente segiin la siguiente pauta: a) Idemificar la polaridad de los terminales del polimetro, es decir, la polatidad de la pila interna del Ghmetro. Seleccionar el multiplicador 2-10 y aplicar las puntas a electrodos del transistor, teniendo presentes las premisas que sc citan a continuacion. 4) Averiguar cul es el electrodo de la base, dado que es el imico terminal al que aplicandole una determinada polaridad poscera baja resistencia con los otros dos electrodos. Ahora bien, si el electrodo identificado como base se ha conectado a Positivo, el transistor sera NPN, mientras que si se conecto a negativo ef transistor sera PNP Con polaridad contraria a la descrita no habra deflexién de la aguja del Ghmetro (elevada resistencia). ©) Una vez averiguado el terminal de base, hay que observar la resistencia que presenta el polimetro al conectarlo en cada uno de los dos terminales restantes (cambiar el selector46 —_ PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICS: a 9-1), El que mayor valor éhmico presente sera el emisor; el colector, por elimina- ibn, sera el electrode que queda. En la grafica de la Figura 34 se resume lo enunciado. Figura 3.4. Valores de resistencia (con indicacién de polaridades) en la verificacién de un transistor bipolar. Para la verificacion del funcivnamicnto del transistor sc puede plantear el montaje de la Figura 3.5 y trasladar los datos a la Tabla 3.1, representando posteriormente la grafica de salida de forma similar a la Figura 3.6. Se seguiré el siguiente procedimiento: @) Fijar un valor de corriente de base de los que se encuentran en la Tabla 3.1 mediante la manipulacién del potenciémetro de 47 K con Va nula. 4) Partiendo de una V.. nula ir progresivamente aumentandola, anotando los valores de I, que se obtienen para los de V., indicados en la Tabla 3.1. ©) Alllegar al maximo valor de V,, desconectar la fuente y repetir los puntos a) y b). En la Figura 3.6 se muestra cual es el comportamiento de un transistor bipolar NPN, al realizar con na cotriente de base constante un progresive aumento de la tension colector- emisor (Vee). Se puede apreciar que para corrientes bajas de base /,,, la corriente de colector es muy pequefia pues estamos cerca de la zona de corte. La corriente /, no aumenta practicamenteEL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 47 BC/BDxxx S Figura 3.6. Montaje para verificacién de un wansistor. Tabla 3.1. Resolucién del ANALISIS PRACTICO B48 —_PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Ampliticacion Figura 3.8. Grdfica simplificada de salida de un NPN. aunque crezca la Vg salvo que Vz. llegue hasta el valor maximo de potencia soportado por el transistor, quedando éste destruido por tal razon (linea ascendente practicamente vertical). Si aumentamos la corriente de base a otro valor I4, /p3, etc. la caracteristica es distinta, ya que aumenta mas rapidamente la /,, hasta llegar al codo de saturacion propio de esa corriente a partir del cual la curva caracteristica se mantiene casi constante y paralela al eje de tension ¥,, por mucho que aumente dicha corriente. Si sobrepasamos la maxima potencia que puede disipar el transistor, éste quedara destruido del mismo modo que en el caso precedente, pero ahora para un valor menor de Vz, puesto que el término maxima potencia implica también a la [,, que en este caso es mayor que en el anterior. 3.4. LAS DISTINTAS POLARIZACIONES DE LOS TRANSISTORES: SUS CIRCUITOS Por motives de ahorro y comodidad, en los circuitos practicos se suprimen las pitas de polarizacion de los transistores por redes resistivas que apliquen los potenciales adecuados a cada necesidad, partiendo de una sola fuente de alimentacin. Al establecer la polarizacion se determina el punto de trabajo o punto de reposo (se representa por subindice q), que es el punto de la interseccidn de los valores Vieg — Jog (que posee el transistor cuando esta alimentado por la fuente V., de corriente continua (véase Fig 3.7).EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 49. Figura 3.7. Punto de reposo. 3.4.1. Circuito de un transistor con polarizacién fija ‘Veamos algunos de los métodes de polarizacion bajo el criterio comentado, empezando por el mas simple, que se muestra en la Figura 38 Polarizacién fija NOTA. Corrientes sentido eléctrico. Figure 3.8. Circuito de polarizacion fija.50 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Este método de polarizacion es, con diferencia, el peor de los posibles, dado que los cambios de temperatura afectan al punto de trabajo deseado. Asimismo, también alteran el Teposo del transistor las variaciones de R,, que es de un elevado valor dhmico, asi como las posibles sustituciones del transistor por averia ya que el nuevo dificilmente poseera el mismo valor de B que el sustituido. Si analizamos este método vemos que la corriente de base es producida por V,,a través de R,, Por otra parte, la I, no se ve afectada por la V,., por lo que un cambio de f provocaria un desplazamiento del punto de trabajo. 3.4.2. Circuito de polarizacién y realimentaci6n por resistencia de emisor EI montaje que se muestra en la Figura 39 es una mejora del de la Figura 38, ya que introduce un concepto muy importante en electronica, como es el de realimentaci6n. Realimentacion o retroalimentacion ¢s el sistema por el cual se crea un chequeo constante de la salida de un circuito, en busca de diferencias respecto del valor que se le ha prefijado, de forma automatica y continua. . Figura 3.9. Polarizaci6n de un circuito y realimentacibn por resistencia de emisor.EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 5. Las formulas principales de disefio son las que a continuacion se muestran: Vre = 1, Re Wa = Vs) 4 R = Vie + Vee El circuito asi montado dispone de mejoras notables respecto al anterior: @) El valor de R, sera menor, dado que la ddp que absorve es también menor, ya que el potencial de base es mayor (V,, + V,,)- 4) La estabilidad es mayor: si aumenta la temperatura la [4 aumentara, y también la I, Como I, = Iq la Vg, aumentara, haciendo disminuir la polarizacion del transistor y aproximando los valores de ¥, y V,, con lo que J, ¢s de menor valor y asi compensa mos el incremento inicial de [. Por todo lo anterior, también es mas estable frente a los cambios en los valores de B. 3.4.3. Circuito de polarizacién y realimentacién por resistencia de colector En el montaje, que se muestra en la Figura 3.10, se vuelve a realizar una realimentacion, en este caso de distinta forma, pero consiguiendo el mismo resultado final. Figura 3.10. Circuito de polarizeci6n y realimentacion or resistencia de colector.52 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS. Esta realimentacién funciona de la forma siguiente en lo referente a la temperatura: al aumentar ésta, la Js. aumenta por lo que la cdt en R. también lo hace (disminuyendo el potencial en el terminal de colector), lo que origina una disminucion de la polarizacin base-emisor (disminuyendo Ia /,) que compensa el inicial aumento de J. A nivel comparativo, diremos que el resultado es mas satisfactorio que en la realimenta- cion por emisor. La principal formula para el diseiio es: Con este método apreciamos que el transistor no puede llegar a saturar; si disminuimos el valor de Ry Vg tendria un valor, como minimo, de 0,7 V lo que lo haria igual a Ki, 3.4.4. Circuito de polarizacién de un transistor por divisor de tensi6n Este montaje, llamado universal o autopolarizado, que se muestra en la Figura 3.11, es el mas utilizado en la prdctica. Recibe su nombre por la red resistiva que fija el valor de tension en la base (compuesta por dos resistencias en serie) actuando como divisor de tension. Figura 3.11. Circuito de polarizacién por divisor de tensién (autopolarizado).EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 53 Las principales formulas de diseiio son: r=10-% In = 9-1 % Ry = 7 Ya= 10-1 NOTA. Siempre que haya cuatro resistencias en el circuito de polarizacin (como sucede en la Fig. 3.11) R,, se aumenta 9 veces y Ry, 10, de ahi que estos mimeros aparezcan en las formulas. En este apartado pasaremos a realizar algunos montajes sobre 1as polarizaciones vistas anteriormente. Ry = A. Montaje de un transistor con polarizacién y realimentaci6n por resistencia de emisor Teniendo como base el circuito de la Figura 3.9 (Apartado 3.4.2), vamos a calcular los valores que deberian tener los componentes necesarios, para un supuesto dado, comprobando poste- riormente su comportamiento en el circuito montado. Disponemos de un transistor de: Se quiere que trabaje en: Iq = 25 mA ov 4) Calcular las resistencias necesarias para su correcta polarizacion, Despreciando las corrientes residuales, el valor de I, se nos queda: L=BL dado el valor de 8, que es muy grande (J, « J,), podemos asegurar sin mucho error que I, = I, Por tanto, la R, sera (aplicando la Ley de Ohm): R. = Val, = 2 V/25 mA = 800 cuyo valor normalizado es de 82 2. La tension en la base serd la suma de la Vp, y la Vig, por tanto: Ke= Ne + Va, = 0742=27V54 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Esta sera la ddp que debera absorber la R, Tambien se puede calcular el valor de corriente que circula: puesto que conovemos f y la 7, tendremos un valor de Iy: 1, = LB = 25 mA/125 = 0.2 mA Asi el valor de Ry: R, = (V,. — Yi, = (20 — 2,7) V/0.2 mA = 86,5002 Que normalizado es de 82 kQ. Quedara, para finalizar, el valor de R., que se obtendra tras averiguar el valor de cdt, que debe provacar Ya, = Vu ~ V, Para poder aplicar la anterior expresion necesitamos saber V., que es Ia suma de las tensiones de la resistencia de emisor y la V.e. que se desea que tenga el transistor. Va, + Veg = 2+ 10 = 12V Por tanto: wae Vi =~ 12=8V " y el valor de la R,, aplicando Ohm: R= Vall. = 8 V/25 mA = 3200 ‘Normalizada da un valor de 470 0. Por tanto, los valores reales normalizados de las resistencias calculadas seran: R, = 829 R, = 82k R. = 3300 Montar el circuito y completar la Tabla 3.2 a partir de las medidas de tension y corriente que se tomen en el mismo. Tabla 3.2. Resolucién del ANALISIS PRACTICO 94, ye tm | Mie 5 | 7EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 55 B. Montaje de un transistor con polarizacién por divisor de tensién El circuito a montar es el de la Figura 3.11 (Apartado 3.44), con los valores de resistencias que se obtengan del calculo que explicamos a continuacién. Las necesidades seran las del anterior montaje para realimentacion por emisor, también se utilizara el mismo transistor; de esta forma se podran comparar resultados. EI cilculo se puede empezar por R,, dado que se conoce lo necesario para su determina- cion: R, = Vall = 809 Nosmalizada a un valor de 82 9 (recordar que J, = /,). El valor de R, sera evidente, ya que la malla del anterior ejercicio es la misma y el Tesultado también, es decir, 330 9. Lo que si cambia es el valor de las resistencias de base. Como conocemos el valor de 4, = 1.1B, despreciando las corrientes residuales, nos da un valor de 0,2 mA. La corriente Fes el factor que debemos calcular para poder realizar el resto del disefio: T= 1:10 =2mA Dado que la tension de base (1) es la suma de la Vy. y la Vp,, tendremos: Vy = Veo + Va, = 0.742 5279 Por ello la cdt provocada en la Ry, deberd ser: Vm. = Ke — % = 0-27-1739 La resistencia Ry,, aplicando la ley de Ohm, es: Rus = Vay/! = 17,3 V2 mA = 86502 normalizado a 8k2. Queda finalmente el valor de Ry, que no es més que el cociente de su ddp y la corriente que la atraviesa. Ren = WAT — 1) = 2.7 V/L8 mA = 15000 « Resumen de valores de las resistencias: R = 330056 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Anotar en la Tabla 3.3 los valores practicos y teoricos tras realizar el montaje del circuito y efectuar las medidas necesarias: Table 3.3. Resolucién del ANALISIS PRACTICO 9B 3.5. AMPLIFICACION CON TRANSISTORES: CONFIGURACIONES BASICAS Definiremos amplificador como el dispositivo que dispone de la facultad de modificar am- pliando en su salida (véase Fig. 3.12) alguna(s) de las caracteristicas eléctricas (tales como tension, corriente, impedancia, etc.) presentes en su entrada. Los amplificadores son circuitos formados por elementos activos (valvulas, transistores, etc) que actian en asociacién con elementos pasivos que les determinan las polarizaciones waa Figura 3.12. Fotografia de !a visualizacién de una amplificacion. — Sefial superior de salida : 100 mV/div. — Sefial inferior de entrada: 10 mV/div.EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 57 y los margenes de trabajo (Irecuencia, ancho de banda, pendientes de crecimiento, impedan- clas, ete) En esencia, son circuitos dotados de dos terminales de entrada y dos de salida, por lo cual se les llama con frecuencia cusdripolos. En la Figura 3.13, se muestra el esquema general de un amplificador. Figura 3.13. Estructura de un cuadripolo amplificador bésico, Las relaciones mas importantes que podemos obtener son las ganancias entre los distintos factores 0 parametros eléctricos, definiéndose las siguientes: — Ganancia de tensi6n: A, = V/V, (Adimensional). ~ Ganancia de intensidad: 4, = I,/I, (Adimensional), — Ganancia de potencia: A, = A,» 4, (Adimensional). Existen otras que no siendo ganancias son muy importantes a la hora de conocer las caracteristicas de un amplificador, tales como: — Resistencia de entrada: Z(R. VT, Q). — Resistencia de salida: Z(R,) = V,/t, (Q). Ancho de banda o zona itil de frecuencias, donde la ganancia de tensién no desciende del 70 por 100. Dado que hay tres terminales en un transistor, tres son también los montajes basicos Posibles con un mismo transistor, a saber: emisor comin, colector comén y base comén, Cada uno de los anteriores impone unas caracteristicas distintas a las demas conexiones, Por lo que sera necesario conocer a grandes rasgos cuales son esas particularidades. 3.5.1. Amplificador en emisor comin En la Figura 3.14 se muestra el esquema de una conexién en emisor comén. Como se observa, el terminal comin a entrada y salida es el emisor, de ahi su nombre. Para descubrir en un58 PRACTICA CON SISTEMAS ELECTRONICOS, ih Figui 1.14, Amplificador en emisor comin. circuito complejo con transistor cual es la configuracién, es deseable no fijarse en el terminal comin y si observar cuales son los terminales de entrada y salida; el que falta de ellos es el nombre de la configuracién. En este montaje la entrada es la base y la salida es el colector, por ello es una configura- cién en emisor comin. Sus caracteristicas son las siguientes: — La ganancia de tensién es alta; va en funcion de la resistencia de carga (al aumentar ésta aumenta también la ganancia). — La ganancia de corriente es alta; decrecera cuando la resistencia de carga aumente. La ganancia de potencia es clevada, al serlo también las ganancias de tensién y corriente. La ganancia de potencia es maxima cuando la resistencia de carga cs igual a Ja de la salida del transistor. — La impedancia de entrada suele ser baja (~ 1 k). La resistencia de entrada disminuye al aumentar la carga. — La impedancia de salida. Su valor medio es de ~40 kO. 3.5.2. Amplificador en base comin Al igual que en el anterior, lo que determina el nombre es el terminal comin a las mallas de entrada y salida. Fn la Figura 3.15 se muestra un esquema de una conexién en base coman_ El terminal de entrada es el emisor y el de salida el colector, por ello es un montaje en base comin. Sus caracteristicas son: — La ganancia de tensién, al igual que en el amplificador en emisor comin, es elevada. Cuando se aumenta la resistencia de carga aumenta también la ganancia de tension. — La gamancia de corriente cs inferior a la unidad. La corriente de salida es igual o inferior a la de entrada: decrece cuando aumenta la resistencia de carga. — La ganancia de potencia es bastante menor que la del emisor comin, debido a que la ganancia de corriente es muy pequena.EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 59 Figura 3.15. Amplificador en bese comin. — La impedancia de entrada tiene un valor bajo (= 1 k®). Crece cuando la carga aumenta. — La impedancia de salida tiene un valor alto (~800 k®) 3.5.3. Amplificador en colector comin En esta configuracion el terminal comin a ambas mallas es el colector, la sefial de entrada es la base y la de salida el emisor, val como se muestra en la Figura 3.16. Las caracteristicas del amplificador son las siguientes: — La ganancia de tensién: su valor es bajo, aproximadamente la tension umbral. — La ganancia de corriente es muy elevada. — La ganancia de potencia es baja, debido a que la ganancia de tensién no supera la unidad. — La impedancia de entrada es muy elevada (~ 300 kQ). La resistencia de entrada crece cuando aumenta la carga. — La impedancia de salida es baja (=2 kf), Figura 3.16. Amplificador en colector comin.(60 __PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS A continuaci6n, en la Tabla 3.4, se resumen las caracteristicas mas importantes de los tres amplificadores. Tabla 3.4. Caracteristicas de los tres tipos de amplificadores Ganancia de corriente Muy baja < a Alta < p Alta < B Ganancia de tensién Alta Alta Muy baja < 1 Ganancia de potencia Alta Muy alta Media ‘Ancho de banda Grande Pequefio Mediano Impedancia entrada Muy baja ~100.0 Media =1 k2 Muy alta 200-400 k logico Impedancia salida Muy alta 500-1000 ka. Media = 30-50 kf Baja 100-200 0 Estabilidad térmica Buena Muy mala Media Desfase No 180° No Aplicaciones —Adaptador baja-alta | —Osciladores —Adaptador alta-baja impedancia — Amplificador de baja| impedancia —Amplificador radio- | frecuencia frecuencia —Uso de inversor A continuacion se pasaran a realizar dos practicas del transistor como amplificador; la primera de un amplificador en EC (emisor comin) y la segunda sobre la determinacion experimental de los valores de Z, y Z, del mismo amplificador. A. Montaje de un amplificador EC monoetapa En el circuito de la Figura 3.17 se muestra un EC autopolarizado con condensadores de acoplo (Cy C,) y desacuplo (C,)- Los condensadores de acoplo fijan las frecuencias a las que el amplificador sera itil, es decir, el ancho de banda. El condensador de desacoplo fija en buena medida la ganancia de tension.EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 6 Figura 3.17. Amplificador para baja frecuencia en emisor comin. ‘Si queremos disminuir la influencia de estos condensadores, deberemos calcularlos hacien- do uso de la regla de la décima, esto 8, reduciendo la reactancia capacitiva (¥.) a la décima parte del valor de las resistencias que afectan. Los valores de los componentes a utilizar en el montaje son: Res = Re = 5k6.0 R= 220 R= 200 Potenciémetro = 100 kQ C, = 22 nF 25 V C, = 47 4E/25 V C, = 33 nF/25 V v= 20V El amplificador funcionaré en el centro de la recta de carga. Se seguira el procedimicnto desglosado a continuacién: 4) Teniendo abiertos los dos interruptores, variar P hasta obtener una Veug=10 V (1/2 ¥.). +) Fijar un valor del generador de 40 mY de pico a pico a una frecuencia de 1 kHz62 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS ©) Conectar el interruptor S, de paso a la sefial que se desea amplificar (desconectado es una simple polarizacion). d) Conectar el osciloscopio a la R, y observar la forma de onda en la pantalla, con y sin S, conectado. Dibujarlas en una hoja de oscilogramas. @) Calcular la A, del montaje como el cociente de la V, y la V, de generador. Observar el desfase de las sefiales salida-entrada ff) Modificar la frecuencia para valores superiores € inferiores y observar las modifica- ciones en la ganancia. B. Determinacién experimental de la Z, y Z. En las Figuras 3.18 y 3.19 se muestran las disposiciones de medicién de estas caracteristicas. Figura 3.18. Medida de la Z, = Medida de Z, El proceso de medida es muy sencillo y consiste en Ia utilizacién del osciloscopio u otro instrumento de medida de alta impedancia de entrada (que mida la V, del GBF y la V, de entrada real al amplificador) despues de! potenciometro. Procederemos de la siguiente manera: a) Medir la tension del generador directamente mediante osciloscopio (el generador no esta conectado al circuito).EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 63 Figura 3.19. Medida de la Z, +) Conectar circuito segin muestra la Figura 3.18. ©) Medir P; con osciloscopio hasta alcanzar la mitad de la tension medida en el punto a. @) Desconectar el potenciémetro y medir el valor Shmico de éste. €) La Z, del amplificador se calcula sumando |a resistencia del potenciémetro mas la resistencia interna del generador: RG ~ 600 0 = Medida de Z, El calculo de la Z, del montaje de la Figura 3.16 se reduce al siguiente procedimiento: @) Meir la tension de salida del circuito, en las condiciones de la Figura 3.17, a circuito abierto (sin carga alguna) 4) Realizar Ja conexion de la Figura 3.19. ©) Ajustar el potenciémetro hasta medir una tension mitad de la medida en el punto a. 4) Desconectar el potenciémetro y medir el valor Shmico de éste (quc coincide con el de la Z,). NOTA. El valor que se deberd medir es aproximadamente el de R,, es decir, sobre 2k2APENDICE A. CARACTERISTICAS TECNICAS DE TRANSISTORES (I) (Cortesia de MOTOROLA) Metal-Can Transistors Metaiean packages are intended for use in industrial ‘applications. where harsh ervironmental_ conditions fencoumered. These packages enhance reliability of the ond products due to their resistance to varying humidity and extreme temperature ranges, Metal-Can General-Purpose Transistors “These transistors are designed for OG to VHF ampitier applications, general-purpose switching applications, and complementary circutry. rca ae WE le ai? — ma oo un mas | ma a Toaein Bra0A @ = 7s = T= ie aro & = to 1000 2 2 eo stron s = ‘° ey io = 2 Ector s ry 0 ao Hy Ss 20 core $ 30 ° 00 2 & 3 Bevsonx é is ° = a ‘ 20 ed : = 3 = = oe zB aaa s x = Py ‘00 seo tw hoor ° imo ° So % so ‘eo Boysen 2 a ‘0 a0 eo Se 2 evoec S ‘o i 2 & ze Ey Cane 2205 —TO206AA (1018) — PNP NOE 0 % 0 ~ = m7 inaeara me = wee = EI ts anacsia x ° 0 {eo x00 ‘0 scire 20 ° ae 1 te 20 Bove ‘eo 0 m0 ms 0 20 eorrevi 100 in 20 ‘wo ao 20“ see66 —_ PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICS: STYLES PIN}. EMITTER 3, BASE Plastic TO-225 Type (Formerly TO-126 Type) case 77.07 (TO-z28AA) STYLES: PINT, BASE 3. EMITTER IgCont came Wee. 4 ty | Po (Case) imps tre jeic| a | ue | etc | ate | wane use Nw ene | inex |Amp | Max | Max | Amp | Min | @2re 03, Cor ono | oc? 1s | 15 3 [150 | mveser wew_| 005 | we ‘mse 30200 [05 1 | 708 od ‘30250 | 01 | S50 | om | or | 10 | 20 20187 s0at0 | 005 2 ‘0788 soze0 | 005 2 mses —|wvessot | 30240 | 005 ns INS, sozso_|'or | ssue | ozo | oi | wo | 20 aNs657 sozso | or | aan | oxo | ov | | 20 B0rs9 soa | 00s 2 7 [aneozt esis zoo | 05 | Oeup | osm | os | 3 | 30 PRG Nears zoroo [0s | cen | ose | 05 | 3 | a0 [awe Javon [wore [os | vey | one [os [>| 15 ‘aDI6s B0r65 ism | os . | 2 0135, Boss ears | 015 125 aor |eorse | eso [ors 1 res B0169 ‘B0170 tenn | os o | = 20139 0140 ao | 015 wes sow1 | exis | 015 2s aE TSa0R7) ws ts] |e [+{[s ]« REBORN | sa | oF 1 3 a 2 0238 [e026 rm [7 > | = BOR zrm [4 2 [= MIETOAN [MoERTTENTD | Vek | O12 T 6 5 3 ro MIE soso | 01 | ost | arn | or | so | ves B01re ‘20180 40250 | 018 3 | 2 mere) [mera | sorso | 01 | asp | orn | or | so | 25 Ting @ 1m ‘cone Bowegen (Cate epee (Ease 77 (SMe 3 Devices Istod n bold, tate are Motroa preferred devices,APENDICEL 67 B. CARACTERISTICAS TECNICAS DE TRANSISTORES (II) (Cortesia de MOTOROLA) Plastic-Encapsulated Transistors Motorola's small-signal 0-226 plastic transistors ‘encompass hundreds o! devices with a wide variety of ccharacierstics for general-purpose. ampitier and switching eppiications. The popular hign-voiume package combines: Proven reliability, performance, economy and convenience lo ‘provide the pérfect solution forindustnalandcansuimar design problems. All davices are inser marked for ease of ‘entification and shipped in antistaic containers, as part of Motorola's ongoing practice of maintaining the highest standards of qualily and reiatany Plastic-Encapsulated General-Purpose Transistors ‘These general-purpose transistors are designed for small-signal amplification from de useful as oscilators and general-purpose switches. Complimentary devices shown wh 10 low radio frequencies. They are also tere available (Tables 1~4), CASE 29.04 5 TO-228Aa rete ie fre Ole ra Mots? | we mA <8 nw | ewe | wn | sin | ma |e mex | ma_| max | sive ‘Case 2904 — T0-226AA (10-32) jupseose |wrsess | e0 | 150] vo we Te 7 jursaos |wesass | 60 | ico | 19 wo | : muro | 0 | © | wo to | to | = i Boss |acsse & | wo | to “ | 20 | wo | ow jecssen fecssea | es | iso | 10 zo | 20 | w | a soses fecssee | 0s | is0 | 10 «o | 20 | wo | a esas |wesass {| 60 | i | 10 =| io | = . ueszora| 6 | 200 | 50 wo | io | = 1 jeciee facere so | 2m | to wo | 20 | w | « fecesra fecooms | as | iso | 10 wo | 2 | wo | pcsar” J ecexr «| aon | io too | too |S ° coer | ocsor ss | "wo | i # | 20 | wo | v9 weswa |acssra | as | iso | to zo} 2 | | scsrs acs | as | is | 0 wo | 20 | © | posaro ocssrc | 4s | ico | to wo | 20 | w | jmesazo |wesao | 40 | iss | co wm | so | 2 4 pszzz2n «© | x | 2% wo | wo | = 1 2uewor | 2neaas » | m | 2% wo | to | = 4 fawsaco | anaae a | mm | os wo | wo | = : mrsscoe |irsoose | 4 | io | oo — | m | = 1 zxso0a | ax2oos * | 2 | to 1 7 | eo | 7 ‘axsoor | anssoe «@ | 20 | to wm | i | so : fecsea 2 | sean | to wo | 20 | to | wy fecsaan 2 | won | to zm | 20 | wo | ecsaas ecssee | 2 | aot) | 10 wo | 20 | w | a B0548C x | “ae | to wo | 20 | 0 | praron | aera x | ae | te to | 2 eo | enaioa [ance 3 | 20 | i wo | 20 | 50 1 pcwwe faces a [aon | so | io | & " Oper Devices listed in bold ac are Motorola peered devcesyr [acaoH SAGES Lise FERRET AO | 5) SECTION XXAPENDICEL 69 C. CARACTERISTICAS TECNICAS DE DIODOS (Cortesia de MOTOROLA) General-Purpose Rectifiers Motoroa offers a wide variety of low-cost devices. pack- _All devices ara connected eathode-to-case or cathode-to- ‘aged to meet diverse mounting requirements. Avalanche heatsink, where sppiicable, Reverse polarity may be avalacle capably is avatable inthe anal lad 1.5, 30 and 6.0 emp on some devices upon special request. Contact yout Motoreia packages, shown below, toprovideprolection fromtransients. representative lor more information. General-Purpose Rectiiers 10, AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT (Ampersait) 7 3 . | 2 Fy = 30-09 e008 zerca | 19108 2a5AGe 390-02 oom) | Maat Passe | Paste (0020380) lasicl®) acc | sy | Cameco» | Siyet Metal sve t arose « Potty Bara Sye2 Pore arg YReM ii (vors) |__| soonts | ~anserio | niioo | aso [wanniza | reoo | wraao INHooAB 108 waa | wnarzo | wnsaor | waren | _warrar | —waraoor | nanos INV200.48 700 waco) | waren | weed | wars | —wanrrae | warzone | reno wnizoeae wo wweooa) | snare | —1nsaoa | wares | _waiies | woo | wnavoe NiO A.B 7 vwacosis) | — wares | esas | — wanes | _sanirae | —arao0s | mnzwos 1206.48 00 iwaoose) | naree wares | _wmaze | _ 008 000) oar) | nares ‘ware | wniiza | wzoi0 a 2 we 200 wo soo) 700 700 (ampay Ta @ Radio 5 5 Tos o 7 Tee Radio 150 8 1 od Ty v8 1 v7 ve 0 175 cs (ip teal renee Package Ste 0 12 max darter by 0260 manent (4)seots menrtingcoigurtors T0220 our (rsh tor MET120 anee, IHIOD = 10.8240, 8 250, Devices listed n bod, dali are Motorca pretorred dewews70 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS D. CARACTERISTICAS TECNICAS DE UN OSCILOSCOPIO DATOS TECNICOS Modos de funcionamiento — Canal |, canal Il, canal | y UI. Amplificador vertical (Y) — Margen de frecuencia de ambos canales: 0-20 MHz (~3 dB), 0-28 MHz (~6dB) ~ Tiempo de subida: 17,5 ns. Impedancia de entrada: 1 m0/25 pF. — 12 posiciones calibradas de § mV/cm a 20 V/cm (secuencia 1-2-5) con ajuste fino sin calibracién hasta 2 mV/cm. Amplificador horizontal (X) — Margen de frecuencia 0-2 MHz (—3 dB), entrada por canal II. Para mas datos técnicos ver amplificador vertical. Base de tiempos — 21 posiciones calibradas de 0.5 us/cm a 2 s/cm (secuencia 1-2-5) con ajuste fino hasta 200 ns/cm, con expansor de *5 hasta 40 ns/cm, exactitud de las posiciones calibradas +3%. — Barrido retardable, 7 posiciones de 100 ns a 1 s con regulador fino 10:1, indicacion por diodo LED. Varios — Pantalla rectangular de 8 x 10 cm, tensién de aceleracién 2 kV, consumo aproximado 38 W, frecuencia de trabajo 50-60 Hz.APENDICEL = 71. VISTA DE FRENTE oe SAOs = Teo.72 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS E. CARACTERISTICAS TECNICAS DE UN GBF Margen de frecuencias — Desde 0,001 Hz hasta 100 kHz en 7 rangos Formas de onda — Senoidal, triangular, cuadrada. Tensién de salida — >20 ¥,., con circuito abierto. Atenuador — En pasos de 0 dB, 20 dB, 40 dB. Distorsi6n — <0,6% de 20 kHz a 30 kHz. — <1,5% de 30 kHz a 100 kHz. Impedancia —600 2. F. CARACTERISTICAS TECNICAS DE UNA FUENTE DE ALIMENTACION Tensién de salida — Regulable y estabilizada de 0-30 V. . Corriente de salida — Regulable 0-2 A Tensién de rizado — <0,01% en toda la gama de tensiones. Tensiones fijas — Salida de tensiones simétricas +15 V para amplificadores operacionales. — Salida de +5 V para aplicaciones digitales. Vai — Ajuste fino/grueso de tension. — Programable en corriente maxima. — Cortocircuitable por proteccién interna. — Proteccién por fusible. isualizacion por display de LED de corriente y tension.73 ‘At canal A: At canal A: Sefial de: Sefial de: At. canal B: At. canal B: Seftal de: Sofial de: Base de tiempos: Base de tiempos:Segunda unidad ACCIONAMIENTO ELECTRICO-ELECTRONICOIntroduccién istor es el nombre genérico que se da a una familia de scmiconductores usados basiea- mente para el control de potencia. Tres son los clementos © componentes mas destacables de esta familia, existiendo distintas variantes de lox mismos que son adecuadas para aplicaciones mas particulares: + SCR (rectificador controlado de silicio) mas conocido como tiristor. * DIAC. + TRIAC. Centraremos a partir de ahora la atencién sobre estos componentes y en otros semicon- ductores auxiliares (UIT y PUT) utilizados en el control de encendido 0 disparo de los tiristores. nel Tema 4 comenzaremos hablando del SCR, analizandolo detenidamente. asi como a {os transistores UST (transistor uniunién) y PUT (transistor uniunién programable). Para gstos tres lipos de semiconductores expondiemos sus circuitos basjcos de accionamiento. También en el Tema 4 hemos incluido el control en rectilicadores de corricnte alterna monofasica, para lo que nos valdremos de la informacion y ANALISIS PRACTICOS desa- rrollados en Ja primera parte del mencionade tema. 1 Tema 5 se centrara en los otros dos grandes tipos de tiristores: DIAC y TRIAC, analizando los mismos aspectos de los semiconductares que se vieron en el Tema 4 (especial. mente el control de potencial. La segunda parte del tema abarcard la rectificacion trifasica semicontrolada, para asi concluir el capitulo con rectificadores, como ocurrié en la primera parte de la unidad. 77Tiristores (I): Semiconductores y circuitos basicos de accionamiento 4.1. EL SCR El rectificador controlado de silicio (SCR) es el mas utilizado de la familia y, a grandes rasgos, su funcionamiento se asemeja al de un rectificador convencional al que se le ha insertado un tercer clectrodo de control (puerta). Este elemento posibilita la circulacion de corriente entre los dos terminales principales (4nodo y e&todo} cuando éstos se encuentran polarizados directamente, es decir, cuando el potencial aplicado al Anodo es mas positivo que cl aplicado al cétodo. Los SCR son, por tanto, semiconductores que poseen tres electrodos externos: inodo (4), cdtodo (K) y puerta (G). La estructura esquematica interna del SCR y su simbolo de conexion An representados en la Figura 4.1 Cape anédica | Unién anédica Cape de bloqueo | Unién de gobierno Capa de gobierno F Union catédica | Capa cavédica K Puerta (6) Catodo (kK) Figura 4.1. Estructura interna y simbolo de! SCR i)RISTORES (I): SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS BASICOS DE ACCIONAMIENTO 79 Tal y como se observa en la Figura 4.1, el SCR es un semiconductor formado por cuatro capas internas P y N dispuestas alternativamente para formar uniones P-N. La capa superior mas proxima al Anodo se denomina capa anédica y es relativamente estrecha, presentando ademas un alto indice de dopado. La siguiente capa se denomina de bloqueo, csta muy poco dopada y cs la mas ancha de todas. La capa de control est debajo de la de bloqueo, posee un espesor medio y un dopado de impurezas de una por millon, La denominada capa catédiea esta fuertemente dopada y es la mas estrecha de todas. Las tres uniones P-N resultantes de la disposicién descrita se denominan: unién anédica (JAyen el extremo del terminal del anodo, unién de gobierno (JC) en conexién al terminal de puerta en la capa de gobierno y, por illtimo, en el extremo del terminal del citodo, 1a unién catédica (JK). KAG | HK (catodo cuxiliar) > a | ES (b) Cépsuta TO-94 (a) Capsule TO-220 HY Figura 4.2. Encapsulados de los SCR. Los SCR presentan un aspecto fisico y unas caraeteristicas constructivas que dependen del valor de la corriente directa que puede circular por sus electrodos principales, en definiti va, de la potencia que deberd disipar y del sistema de refrigeracion que utilice (chasis metilicos, radiadores de aletas, ventilacion forzada, circulacion de agua, cle), La Figura 42 nos muestra la disposicion de los electrodes y encapsulados de distintos liristores en funcidn de la potencia que disipan80) PRACTICAS CON SISTPMAS EF} ECTRONICOS Con corrientes directas de hasta 15 A se presentan en encapsukides del tipo TO-220 similares (véase Vig. 4.2u). A partir de 15 A y hasta 200A Jos SCR Hevan rosea en ed terminal del anodo o del eatodo scgin las necesidades de conexion conjunta de varios elementos. que permiten la insercién del componente a un radiador. Loy encapsulados son entonces del tipo 10-94, FO-103 y similares (yéase Fig. 4.2) De 200 A en adelante la estructura es cilindrica, con capsulis del tipo TO-200 (tiristores de disco). de forma que La fotografia de ka Figura 4.3 muestra el aspecto lados de los SCR enomingda re geracién por doble cara al que ofrecen algunos de los encapsu- Figura 4.3. Fotografia del aspecto de diversos encapsulados de los SCR 4.1.1. Caracteristicas del SCR Como se ha deserito, cl SCR es un elemento de conducciin unidirecetonal controlade, Su compertamiento sc puede comparar, a efectos de comprension inicial, al que presentan dos ados (imbién denominados eir transistores complementarios mutuamente realime rrojo). Si fraccionramos ka union de gobierno de un SCR de Ja forma mostrada cn ka Fi- gura 44a. oblendriamos una estructura semejante a la del cireuito con transistores de la Figura 4.44; sus terminales quedan ahora identificables. asi como la conexion de los citados onductores Considerando el fun resultado, el compor semi jonamiento del transistor bipolar con el modelo cquivalente que ha nicnto seria ¢f siguiente @ Aplicamos un impulso positive 7, entre la base y el emisor de 7); éste conducira ‘irculara entonces una pequena corriente fp, que es igual a la corriente de base In, de T,.TIRISTORES (I): SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS BASICOS DE ACCIONAMIENTO BL o (a) Figura 4.4. (a) Estructura fraccionada del SCR (b) Circuito equivalente con transistores. « Esa corriente de base es suficiente para que T, enue en conduccin. ‘+ Aparece entonces otra corriente fe, de un valor suficiente para mantener la conduccién de 7, ain en ausencia del impulso que originé su activacion. « En estas circunstancias, se establece una corriente entre los terminales anode y citodo que persiste sin necesidad de aporte externo de corriente al terminal de puerta. EI modelo de los dos transistores, aunque funciona con valores de corriente mucho menores que en un SCR, nos evidencia la conduccién de éste tras la aplicacién de un impulso positivo inicial al circuito de la puerta. ® Caracteristica directa real Para el anilisis de la caracteristica directa real de un SCR es perfectamente utilizable el cireuito con la disposicién de aparatos de medida que muestra la Figura 4.5 Este circuito es alimentado por una fuente fija de 4,5 V (Veg) que suministra tension al Circuito de puerta-citodo; este iltimo es el electrode comin y. por tanto, esta puesto a masa El potenciometro 7, cuando est cerrado Sg, permite ajustar cl valor de corriente que se aplica a la puerta, estando limitada ademas por Ro. que impide la conexion directa de Veg entre puerta y ctodo que destruiria al tiristor. Obsérvese la adecuada polaridad del potencial positivo aplicado a la puerta respecto del catodo. El microamperimetro J,; indica el valor de la corriente que circula a través de la union puerta-catodo. Fl circuito anédico es alimentado por la fuente variable de @ a 30 V V,,, que se conecta a82 PRACTICAS CON SISTEMAS FLECTRONICOS, 0a30V Figura 4.6. Circuito para la obtoncién de la caracteristica de un SCR través de la carga Ry al anedo y en el otro extremo al catodo. Resulta asi un valor de polarizacién con potencial positive del anodo respecto del citodo, que es indicado por el voltimetro Vx. La corriente directa que circula a través de la carga R, y del Anodo-catodo del SCR cs registrada por el miliamperimetro /,. = Curvas caracteristicas La composicion grafica de Jos distintos valores tension-corricnte, indicados por los instru mentos de medida, da lugar a la familia de curvas caracteristicas del SCR (véase Fig. 4.6). Estas se obtienen al aplicar un determinado valor fijo de J,, (con S,, cerrado), ajustado por medio de P, y variando a continuacién ¥,,; s¢ consigna despues, cn los cjes coordenados, los pares de valores indicados por los instrumentos Fy y Vax- De los resultados obtenidos al representar en la citada grafica Jas curvas caracteristicas del SCR, cabe destacar los siguientes puntos y conclusiones: © Si aplicanws un potencial inverso V4 al SCR, no existira circulacin de corriente entre finodo y cétodo, aun cuando exista corriente de puerta que posibilite la conduceién. Si aumentamos este potencial por encima del valor Vroe, se produce [x ruptura por avalancha de la unién y el tiristor queda destruido. © Cuanto mayor sea la corriente suministrada al circuito de puerta Ig, tanto menor seré la tension anodo-cétodo Vy necesaria para que el SCR conduzca. © El valor Vag es uquel que posibilita la conduccién del SCR en ausencia de corriente de puerta, es decir, 1,, = 0 finterruptor S,, abierto), Este valor de tensin 4nodo-citodoTIRISTORES (I): SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS BASICOS DE ACCIONAMIENTO 83 4 J+ Conduceron Cebado unstor Vp: tension de encendide J: comiemte media V,. tension directa Viz caida de tension directa comente de mantonimiente Yq: tonsi6n de rupture comente en la unién puens-cdtedo sion directa (cobado el tirister) coriente directa ki Yet be Je J,: conviente inverse Uy: tension inverse Figura 4.6. (a) Catacteristica directa del SCR. (b) Curva caracteristica con impulso de corriente84 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS cst4 muy por encima del que se puede aleanzar con la tensién maxima que suministra Ia fuente V,, del montaje de la Figura 4.5 (30 V como maximo). © Cuando se ha cebado el SCR, la puerta ya no ejerce control alguno sobre el estado de éste y la corriente que circula por el punto J, depende exelusivamente de la carga externa, «EL SCR deja de comducir si el valor de la corriente directa desciende por debajo de Iy {corriente de mantenimiento), a la cual le corresponde a su vez una tension de anodo- catodo Vy. « ELSCR también deja, de conducir si el valor de ta carga origina que la corriente directa descionda de la prefijada por el punto /, (corriente de enganche) ligeramente mayor que el de mantenimiento 1, + Una vez cebado ef tiristor, mantiene un valor de tension directa V, que depende de ta corriente que lo atraviesa y que para SCR’s de baja-media potencia se situa alrededor de IV. = Caracteristicas de puerta Es importante destacar las caracteristicas que deben tener los impulsos de encendido aplica- dos al tiristor. Los fabricantes suministran para cllo unas curvas denominadas caracteristicas de puerta. La gralica de la Figura 4.7 muestra Ja caracteristica de puerta del SCR; ésta se asemeja a la de un diodo semiconductor al que se le han permutado los ejes, siendo légica esta analogia, puesto que la unién puerta-cétodo cs una unién P-N. fe Figura 4.7. Gréfica de la curva de la caracteristica de puerta del SCR.TIRISTORES (I): SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS BASICOS DE ACCIONAMIENTO 85, Debido a que no todos los SCR, aun siendo del mismo tipo, tienen la misma caracteristica de puerta, es habitual que el fabricante incluya una familia de curvas 6 limites de las mismas cn las espccificaciones tecmicas de los liristores, de manera que ef usuario pueda hacerlos operar en el margen de disparo o encendido adecuado. La Figura 4.8 incluye una representaciOn de Jos limites de curvas posibles fijados entre 4 y B. El disparo se debe efectuar dentro de la zona acotada por dichas curvas pero consider: do los valores de: «= Tension y corriente minima, para producir el encendido de todos los elementos de la familia + Tension directa maxima admisible de los impulsos de eneendido. + Potencia maxima que puede disipar la unidn de puerta. Vester Vermin astsrcancice, Figura 4.8. Grafica de las zonas de encendido del SCR Todas estas limitaciones estan incluidas en los limites y zonas representados cn la grafica, a saber: + La zona S, es la zona de encendido probable para cualquier SCR de la familia, pero no. es seguro. la zona S, de cnecndido seguro, sc garantiza cl encendido de cualquier SCR de la familia.86 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS, = Aplicaciones del SCR Vistas las caracteristi abanicu de aplicaciones: generales que presentan los SCR’s, se abren ante ellos un amplio + En cl ambito de la amplificacién, forman parte de Jas etapas de potencia en clase D. trabajando en régimen de conmutacion, + Son también utilizados como relés estiticas, presentando las ventajas de exencidn de rebotes y tiempos de conexién muy cortos con inexistencia de desgastes de contactos. 1a principal ventaja reside en su baja corriente de mando y su autodesconexion con cl paso por cero de la corriente alterna de la carga. Cabe citar como ineonvenientes: la la de tensién directa entre anodo-catodo (de 1 V a 2 V), la circulacién de pequenas corrientes inversas en estado de bloqueo y su baja capacidad para soportar sobrecargas cléctricas frente a sus homéloges electromecanicos. + Enel ambito de la rectificacién y los convertidores es donde mas posibilidades presemtan ya él volveremos mas adelante. 4.1.2. Circuitos de descebado del SCR En aplicaciones de ea (corriente alterna) el SCR, previamente cebado, pasard al estado de bloquco de forma automatica cada ver que la corriente que circula por la carga descienda del valor fy; en definitiva, cada vez que pase por cero. Esta particularidad pesibilita In accién de control del terminal de puerta cada vez que el tiristor se desceba, En el ambito de ec (corriente continua), una vez cebado el tiristor, no se puede producir el bloqueo de forma natural sino que precisamos de circuitos auailiares que consign que se den cualquicra de las siguientes situaciones de descebado del SCR: de conduecion disminuye por debajo del valor de mantenimicnto (J): jodo-catodo se anula. * La tension anodo-catodo se invierte. Las dos primeras posibilidades no son propias de los circuitos de ce, ya que las fuentes suministran una tensin estable a la carga y, por tanto, también se manticne la corriente. Resulta, pues, mas adecuado utilizar el tercer sistema que permitira cl descebado con cireui- tos mas sencillos: ® Descebado manual En fa Figura 4.9 se incluyen dos circuitos de descebude manual del SCR + EI primero de ellos consta de un pulsador normalmente cerrado que al ser accionado anula la tensian 4nodo-catodo y proveca el descebado. * Con el segundo circuito conseguimos el desccbado manual del SCR por inversion temporal de su tension anodo-catodo, obtenida con la aplicaciOn de la tension adquiri- da por un condensador eon la polaridad indicada, al cargarse durante la conduccion del SCR a través de éste y de R,.TIRISTORES (1): SEMICONDUCTORES ¥ CIRCUITOS BASICOS DE ACCIONAMIENTO 87 nc fa) Por intenupeidn de Vag {b) Poe inversion de Vag Figura 4.9. Principios de descebado del SCR La accién manual dirgeta mediante pulsador no cs 1a mas adecuada cuando se manejan altas cortientes de carga que elevan los potenciales de interrupeién con el consabide dete- tioro de los contactos. Por tal raz6n, s¢ utiliza el pulsador como elemento de control de un semiconductor (transistor © SCR) que seré cl que soporte la descarga directa del con- densador. En la Figura 4.10 se presentan dos circuitos pricticos, con transistor y SCR respectiva- mente, para el descebado del tiristor, que pasamos a detallar m Descebado con transistor En el cireuito de la Figura 4.10a el condensador C se carga a través de R, y ka union anodo-citodo de Ty en conduccién con la polaridad indicada. Al accionar cl pulsador S, aplicamos un potencial positivo a la base de T a través de R,; éste entra en saturacion quedando aplicado, a través de la union colector-cmisor. el potencial inverso gue almacena el condensador entre el anode y catodo del SCR, provocanda su bloqueo. Fl transistor se elige teniendo presente que su Mey, sea Mayor que la tension V4 2 la que se carga el condensador. ® Descebado con SCR auxiliar En el circuito de la Figura 4.10. se ha sustituido el transistor por un SCR y presenta un funcionamiento similar al anterior.88 PRACTICAS CON SISTEMAS FLECTRONICOS, ° % R, ops NA c Yaa R 7 | (a) Con tansistor (b) Con SCR auxili Figura 4.10. Circuitos para el descebado de! SCR El condensador desceba a Tix, cuando, al accionar el pulsador S, aplicamos un puso de eneendido a través de Ry a la puerta de Ti,. La tensién inversa aplicada al SCR tendra un valor de: Vax = Ve Van La resistencia limitadora R, ha de tener un valor tal que satisfaga la condicion > mancra que Tis, se descebe al cesar la accion de S. EL pulsador S. en ka practica, os sustituido en cualquiera de las dos versiones expuestas por un impulso exterior de ka duracién suficiente para que € se descargue. 4.1.3. Semiconductores en los circuitos de disparo del SCR La duracién de los impulsos de cebado de los SCR, asi como las caracteristicas (ya expuestas) que deben presentar aquéllos para que se trabaje en la mencionada zona 8, de encendido seguro, han motivade el desarrollo de una serie de semiconductores asociadas a circuitos de cebado de los SCR que permiten un fable control del encendido de éstos. Cabe destacar como mas importantes el UJT y cl PUT, cuyo ambito de aplicacion est extendido mayoritaria- mente a los citcuites de control de ca. Dada su importaneia, serain tratados en epigrates independientes,TIRISTORES (I): SEMICONDUCTORES ¥ CIRCUITOS BASICOS DE ACCIONAMIENTO 89 4.2. EL TRANSISTOR UJT ELUNT 0 transistor uniunion (Unijuntion Transistor) es un clemento semiconductor que consta de una barra de silicio tipo N (version tipo N) en cuyos extremos se obtienen los terminales base 2 (B,) y base 1 (B,). En las proximidades de la base 2 se inserta material tipo P, dando lugar a una unién P-N (véase Fig. 4.1 1a) de cuyo extremo libre se extrac el terminal Hamado ‘sor (£). La version tipo P esta constituida por una barra de silicio interbases de tipo P, con insereién de material tipo N en la conexién del terminal del emisor, b é ust N 8, ut P a (a) Estructura interna. (b) Circuito equivalente. {e)Simbotos Ny P. Figura 4.11. Transistor UJT. Particularizando en la version tipo N. cabe decir. que el dispositive presenta una resisten- Gia entre las dos bases (Rpg) que, @ efectos del terminal del emisor, se comporta como un divisor de tensién formado por las secciones correspondientes al tramo comprendido entre B, y E.yentre Ey By, denominadas Rut y Ruz respectivamente, Un parametro denominado Eta (i). define Ia relacion entre ellas de Ia siguiente manera: = Kor Ra Raw ~ Rex + Rez Este parametro depende fundamentaimente de caracteristicas constructivas ligadas al proceso de fabricacién y se indica en las especificaciones técnicas del componente. mbolo del UIT se presenta en la Figura 4.1 1c en sus dos variantes (tipo N y tipo P).90 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS: El mas utilizado es el tipo N. Préstese atencion al sentido de la Mecha que es concordante con la direccién anodo-catodo de la union P-N 4.2.1. Circuito y curvas caracteristicas Con un circuito similar al de la Figura 4.12 se obtienen las curvas caracteri Fig. 4.13) del UJT, cuyo comportamicato se analiza a continuacion. Yas Figura 4.12. Circuito para la obtencién de la caracteristica del UJT. El circuito dispone de una fuente fija de alimentacién interbases (Vgq) y otra variable (Yq). 0 serie con P para la union £-B,. Para comprender cl funcionamiento, consideraremos al UST con su circuito equivalente (Fig. 4.114) supuesta la tension Vy, = Oy Pal minimo, al ir aumentando Py, observamos que la unin E-B, se comporta como un diodo en polarizacién directa. Sila tensin ¥,, = 0, con un valor determinado de Vjq, circular una corriente interbases que originara un potencial interno en el catodo del diodo, de valor Rn ee ea = 1" Fag Debe destacarse la circulacion de una pequefia corriente inversa de emisor. Lista corriente Ja podemos contrarrestar aumentando Fy, hasta que para un determinado valor de esta tension variable, el potencial del Anodo y eittode del diodo interno se igualen y no circule corriente (Vy).TIRISTORES (1): SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS BASICOS DE ACCIONAMIENTO 91 Zona ue resistencia Zona de conduccién Figura 4.13. Grafica de la caracteristica del UJT. Si seguimos aumentando Vj, y superamos los 0,7 V de conduccién del diodo interno. produce un aumento abrupto de la corriente del emisor fz y una importante disminucion de Rn, y. consccucntemente, el aumento de Virs,. En estas circunstancias se dice que el UIT se ha activado, pasando por la zona de resistencia negativa hacia la zona de conduccidn, para lo cual la tension Vea, ha tenido que alcanzar previamente un valor de pico (Vp ¢ 1, Para desactivar el UST hay que ir reduciendo la f,, aumentando cl valor de P, hasta que cescienda por debajo del valor de corriente de valle J, y se origine el bloguco del transistor De todo lo anterior se deduce que la tensién de activacién F, se aleanza antes © después dependiende del menor o mayor valor que tengamos de tension interbases Vpn 4.2.2. Oscilador de relajacién con el UJT Un oseilador es un dispositive capaz de generar sciiales de corriente alterna partiendo de corriente continua, Esta constituide basicamente por uno o mas elementos actives, como pueden ser transistores, red pasiva resistencia-condensador, bobina-condensador, etc. listos elementos fijan la frecuencia de las oscilaciones y la forma de onda de la seital generada. EI principio de funcionamiento de los osciladores se puede dividir en dos grandes blogues que dan lugar a multitud de variantes y denominaciones: ‘os que fundamentan su comportamiento en un amplifieador regenerative, en el c una parte de la sefial que entrega en su salida se realimenta cn fase sobre cl clemento92 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS de onda biasicas y, activo. Con este principio se pueden conseguir la mayoria de forma con cierta dificultad, impulsos de corta duracion. + Los que el dispositivo activo del citcuito presenta una zona de resistencia negativa cn su caracteristica, no precisando en este caso realimentacién para producir las oscilaciones, bastando simplemente la accion de la red pasiva (por ejemplo, resistencia-condensador) para llevar al dispositive a la citada zona. Este funcionamiento supondra, como se detalla en este apartado y en el dedicado al transistor PUT (Apartado 4.3), la aetivacion y desactivacion periddica del circuito. Estos circuitos son notablemente mas sencillos que los anteriores y suministran, normal- mente, sefiales con forma de onda no-senoidal, generalmente ondas en dientc de sierra o impulsos de corta duracion. © Comportumiento del circuit EI oscilador que nos ocupa corresponde al segundo grupo de los citados y constituye la configuracién mas habitual del UJT como elemento de suministro de impulsos de cebado, aplicados al circuito de puerta del SCR en control de ca. La disposicién tipica de los componentes del circuito se muestra en la Figura 4.14, La resistencia R, limita la mayor parte de corriente que circulurd a través de las bases; Ry se fija +¢ ie} 100 WEG igura 4.14, Circuito oscilador de relajacién con UST.{W): SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS BASICOS DE ACCIONAMIENTO 93 TIRISTORES a un valor Jo suficientemente pequefio como para que fluya la corriente necesaria desde el emisor (al producirse la conduccion abrupta del UST), registrindose en extremos de esta tencia lon pulsos para el cebado del SCR. El circuit det emisor consta de una red de carga de tiempo ajustable R-C; la parte resistiva y ujustable la forman R, y el potenciémetro P, la capacidad C hace las veces de fuente Vz, del circuite genérico visto anteriormente, aunque con ciettas particularidades. El citado condensador comienza a cargarse a través de R, y P, adquiriendo progresiva- mente un potencial de polarizacion directa de la union del emisor. Inicialmente no fluye corriente de emisor; esta citcunstancia se mantendra hasta que la tension que va adquiriendo ndensador supere al potencial interno en un valor igual a Vx + 0,7 V (despreciamos la mpo que depende del valor al que dco tension en R,). Esta situacién se aleany: hayamos ajustado P. Una vez que el condensador adquiere el potencial ¥,, se provoca Ja conduccién abrupta de fa union del emisor y fluye una importante cantidad de corriente a través de este clectrodo hacia R,, provocando un impulso (en extremos de esta resistencia) originado por ka descarga de €. Fn estas circunstancias, una vez extinguido c] impulso, se restaura el bloqueo del UST hasta que C vuelva a adquirir el potencial de conduccin V,. La Figura 4.15 muestra una fotografia osciloprafica obtenida de ka tension en extremos del eondensador, y los correspondien: tes impulsos registrados en la resistencia de base 1 (B,) de un oscilador de relajacion con UIT. los oscilogramas de un ascilador de relajacin con UJT — Atenuadores: 2 V/div. — Base de tiempos: 5 ms/div. Figura 4.15. Fotografia a94 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS, Pasaremos ahora a desarrollar en la practica lo hasta aqui expuesto del oscilador de relajacion con el UST. Seguiremos el procedimiento que se describe a continuacién: 4) Realizar cl montaje del circuit y los instrumentos de medida de fa Figura 4.14 y conectar la fuente de alimentacién, 4) Ajustar P para maxima resistencia. ©) Observar las variaciones ciclicas de tensién que experimenta C y su correspondiente reacci6n en la tension sobre Ry. Anotar el valor de tensidn V, en extremos de C, que origina la conduccién del UST. d) Repetir el proveso anterior para la minima resistencia de P y comprobar que C alcanza con mayor rapidez el potencial ¥,. ©) Retirar los voltimetros de circuito, Sustituir C por un condensador de 100 nF. A) Conectar un osciloscopio de doble traza con un canal aplicado al terminal positivo de Cy el ovo al terminal B, del UJT, tomando el potencial de masa como punto comin. Dibujar las formas de onda obtenidas en las hojas de oscilogramas. 2) Ajustar P para la maxima resistencia y repetir el proceso descrito anteriormente. fh) Determinar el margen de frecuencias de funcionamicnto del circuito. i) Comparar los resultados obtcnidos experimentalmente con los fundamentos teéricas y establecer las conclusiones que se derivan de la préctica. 4.3. EL TRANSISTOR PUT Las siglas PUT significan transistor uniunién programable (Programmable Unijursion Transis- tor). Con idéntico Ambito de aplicacién que el UST, presenta la diferencia respecto a éste de que el gradiente de potencial que establece la relacion Eta (n) puede programarse mediante un divisor de tensién resistivo externo al transistor. Basicamente se le puede considerar como a un tiristor en el que el terminal de puerta (G..) se ha conectado internamente a la capa N de bloqueo en lugar de a la capa P de gobierno como sucedia en el SCR. La Figura 4.16 muestra la estructura interna y el simbolo de conexian, Los terminales de PUT se denominan: Anodo (A), cdtodo (K) y puerta anédica (G4). 4.3.1. Circuito y curva caracteristica La Figura 4.17 ilustra el cirenito genérico para la obtencion de Ia curva caracteristica del PUT, que se representa en la Figura 4.18. La fuente variable V,, alimenta la seccion anodo- catodo siendo R, la limitacién de corriente directa a través del elemento. La resistencia R, es el equivalente al divisor de tension externo que se conecta en la prictica, como mas adelante veremos. En este caso, nos permite establecer un valor fijo de laTIRISTORES (I: SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS BASICOS DE ACCIONAMIENTO 95 K (a) Estructurs {b) Simboto de conenion Figura 4.16. El transistor PUT. Fa PUT - + _ Figura 4.17. Circuito genérico para la obtencién de la caracteristica del PUT96 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONCOS Figura 4.18. Grifica de la caracteristica del PUT. relacion Eta (y) para obtener la curva caracteristica particular de un valor conereto de potencial interno a partir de la fuente V;. De forma andloga a lo que sucedia con el UST, aqui tendremos al PUT en estado de bloqueo, cn tanto no incrementemos el valor de V,4 en una cantidad mayor que la que determina el fabricante como Verse, correspondiente al tramo Vz — Fy de la grificay que origina la conduccién abrupta del clemento. Para desactivar el UST se bede reducir V,4 de manera que la (4, descienda del valor valle (/,). 4.3.2. Oscilador de relajacién con PUT Siendo idénticos los propésitos de aplicacién del UIT y el PUT, también lo son los circnitos de generacin de pulsos desde cl punto de vista de su utilizacién, Salvando las diferencias constructivas entre ambos elementos, sc desarrolla el tipico oscilador de relajacion con PUT mostrado en la Figura 4.19. EL potencial aplicado al terminal de puerta anédica V; determina la relacion interna Eta (y) del elemento a partir del divisor resistivo ajustable, R,-P, citado anteriormente de modo que P K b _ eae I del Anodo aleanzara antes videntemente, ef limite del Dependiendo del valor que asignemos al par R,-C, el termi © después el valor V, de conduccién abrupta del transistor.HIRISTORES (1): SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS BASICOS DE ACCIONAMIENTO 97 Figura 4.19. Oscilador de relajacién con PUT potencial de Vp a superar sc ajusta mediante el divisor Ry-P y, consccucntemente, éste repercutir en la frecuencia de los pulsos que se originan en extremos de R, debidos a las descargas ciclicas de C. Dichos impulsos, presentan una amplitud inversamente proporcional a ka frecuencia que, logicamente, depende de la méxima tension que debe alcanzar C. ANALISIS PRACTICO 12 A continuacion, exponemos el procedimiento a seguir en la pr: hasta aqui visto acerca del oscilador de relajacion con PUT: 41 conespondiente a lo a) Realizar o] montaje del circuito de la Figura 4.19 y concetarlo a la fuente de alimentacion. h) Ajustar Pa su valor maximo. ) Conectar un osciloscopio de doble traza con un canal aplicado al terminal positive del conductor C, y el otto al terminal del citodo del PUT. Tomar el potencial de masa como punto comin y dibujar en las hojas de oscilogramas las formas de onda obtenidas.9B PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS, 4) Ajustar Pal minimo valor que permita mantener las oscilaciones en el cireuito y repetir el proceso anterior. ©) Justificar la diferencia de amplitudes registradas en los apartados b, ¢ y d /) Sustituir R, por una resistencia de 470 kQ y analizar de nuevo el comportamiento del ador, Notese que manteniendo fijo el valor de P, si variamos R,, el circuito actia r Wor con UIT. e) Delerminar los mirgenes de variacién de la frecuencia de los impulsos para los valores de Ry A) Contrastar los resiltados obtenidos en Ja practica con Ja descripcién tedrica. CONTROL EN RECTIFICADORES DE CORRIENTE ALTERNA MONOFASICA La necesidad de regulacion y control de potencia en aplicaciones industriales se ve solucionada en la mayor parte de los casos mediante fa utilizacion de SCR’s comandados por circuitos de control que incluyen transistores UST © PUT. 44.1. Control de media onda SCR Como se ha descrito anteriormente, eS eireuito de control es cl encargado de suministrar los impulsos de encendido al SCR cuando éste se encuentra en polarizacion directa, posibilitande su conduccién, La Figura 4.20 muestra la disposicion genérica de un control de ca con SCR. La tensidn aplicada a la entrada es senoidal y con cada semicis esti en disposicion de conducir. SCR Circuito de control Figura 4.20. Disposicién genérica de un contro! de media onda con SCRDE ACCIONAMIENTO — 99 TIRISTORES (1: SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS BASIC Cuando los impuisos periddicos generados por el circuit de control coinciden con un semiciclo positivo aplicado entre anode y catodo (véase Fig, 4.21), se verifiea la conduccion del SCR y circula corriente por kt carga (supuesto resistiva) durante una fraccién de dicho semiciclo. Angulo de conduccion Angulo de encendido igura 4.21. Grafica de ias sefales en el circuito de control de media onda con SCR Entre el origen de la sefial de entrada y cl momento cn gue sc produce cl impulso de puerta tiene lugar un desfase x. Este desiase « se conoce con cl nombre de Angulo de encendido 2. A la restante porcion del semiperiodo, que es el tiempo durante el cual el SCR conduce, se le denomina aingulo de conduccion 6. Variando el instante en que sc produce cl impulso de puerta, variamos el angulo de encendido del titistor y, consecuentemente, la potencia en la carga del circuite. Como se100) PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS puede apreciar, y tal y como se desprende de las caracteristicas del SCR, este se desceba aproximadamente al paso por cero de la tensidn de entrada La disposicion expuesta corresponde al denominado control de media onda con SCR, 4.4.2. Control de onda completa con SCR Para establecer un control de unda completa, habra que adoptar una disposicién similar a la del circuito de la Figura 4.22, En él se observa que la carga R,,esldi en seric con un puente rectificadot de onda completa en cuyos extremos de salida convencional de ce se ha conectado un SCR con su circuito de control, Cireuite de control Figura 4.22. Circuito genérico del control de onda completa con SCR. BI SCR ticne la mision de cerrar ef circuito con el par de diodos de} puente que conducen en cada alternancia y la carga R,, El oebado del tiristor se produce por los impulsos de puerta suministrados por el circuito de control, regulando de esta manera cl angulo de encendido pura cada semiperiodo y, en definitiva, la potencia en R, Se deja para el lector, a titulo de cjercicio, fa obtencion de las ondas del circuito fundamentadas en el comportamiento del rectificador de onda completa combinado con el SCR. Destacar, por Ultimo, que las formas de onda obtenidas en el control de ex presentan notables difercncias cuando se trabaja con cargas inductivas (por cjemplo motores). En efecto, utilizando para este analisis el circuito de control de media onda de la Figura 4.20 y,TIRISTORES (I): SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS BASICOS DE ACCIONAMIENTO 101 {ratindose de una carga inductiva, podriamos observar cn el circuito las formas de onda representadas en la grafica de la Figura 4.23, La corriente del circuito / presenta un retraso natural respecto a ta tension V debido a Jas caracteristicas inductivas de la carga. Este retraso origina que, con el paso por ecro de la tension uplicada (instante 1,), la corriente tenga un valor importante mucho n que el de mantenimiento del SCR. Por tanto, tras la aplicacién del impulso de puerta (instante ,) dl tiristor mantendra su angulo de conduccién mas alli del paso por cero del semiciclo pesitivo de la tensién de entrada, apareciendo una porcién de semionda negativa (fuerza contracleetromotriz) coincidente con el decrecimiento de la corriente 1 que induce esta tension. Para evitar la aplicacion de tensiones negativas que reduccn > > > Figura 5.14. Diayrama de bloques del rectificador semicontroladeTIRISTORES (II): SEMICONDUCTORES Y CONTROL DE POTENCIA EN CA. MONOFASICA 119 cireuito de control por un lado. Por otro lado, aquellos diodos son compartidos junto con los tres SCR’s representadas por T,, formando el rectificador en puente semicontrolade que alimenta a la carga R,, Aunque la seecion de los liristores (7) no esté activada, siempre eirculara por Ia earga una pequeiia corriente consumida por el circuito de control que esta en serie con ésta. EI control de Jos tiristores se estublece a partir del oscilador de relajacion UIT, (7,), cuyos impulsos de cebado quedan limitados a 120° mediante la accion combinada del oscilader UST, (T,) y el transistor de descarga Tr, © Circuito de control Por las propias caracteristicas de conduecién de lox semiconductores del puente rectificador trifisico de la seccién de potencia, el angulo de cncendido de cada tiristor (7%) debe estar imitado al valor maximo que permite la conmutacién natural del puente, es decir: 120° (conduccion alternativa de cada , polarizado directamente con dos de los diodos; 60° con uno y 60° con el otro) El cireuito de control suministra los impulsos necesarios para que el angulo de conduccion de los uristores (74) se produzca dentro del margen descrito. Para ello, este circuito es alimentado con corriente pulsatoria positiva que es estabilizada por cl diodo ZENER ( actuando como resistencias limitadoras de éste Ry y Ry 3» 1NAOOT = 012201 2N2646 = Bc107 R, = 470 hm/50 W (Ghmica) Ry - Fy ~ y= 22 Figura 5.15. Circuito rectificador trifésico semicontrolado120 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS El circuito oscilador de T, permite ajustar el angulo de conduccién de los J, a un tiem- po fijado por la red R,-C,. C, se cargara con la polaridad indicada en Ia Figura 5.15 y, al mismo tiempo, cl oscilador 7, permitira el inicio de fa carga del condensador C, con la polaridad indicada, (suponcmos que se han ajustado las constantes de tiempo de modo que RC, < RC) En estas circunstancias, se producird el disparo de T; antes que el disparo de T,, provo- cando la conduccién del tiristor (7,) que tenga el anodo mas positive, lo que Hevara practica- mente a potencial de masa cl punto K del circuito. Esta sucesion provoca la descarga de C, y ©, hasta que evolucione ef siguiente semiciclo positive y se repita el proceso. La conduecion de uno de los tiristores (7) posibilita la circulacién de corriente por R,, Este comportamiento se da coincidiendo con valores de impulsos de T, para angulos de conduccion menores de 120 Si ajustamos el circuito de manera que la constante de tiempo de la red cumpla: R, — C, > R, ~ C.cl condensador C, aleanzaré mucho antes la tensién de conduc de 7, EI condensador C,, que no ha conseguido todavia el nivel de disparo de 7,, se descargaréi a través de T; que ahora se encuentra en conduccién debido la accion polariza- dora de los condensadores, no registrandose, por tanto, ningin impulso de conduccién en las puertas de los tiristores (Z;) y, debido a cllo, no circular corriente a través de R,. El comportamiento descrito nos servird para ajustar mediante Ay, el tiempo de disparo de Try. cvincidiendo con ius 120° del control de los tiristores (7;) y evitando de esta manera disparos posteriores al valor de Angulo originados por T, ANALISIS PRACTICO 16 pee NOTA. Para la presente prictica se deheré operar con las precauciones imperativas de manipulacién y conexiin det transformador a lu red nifiasiea de 380 V. 4) Realizar el montaje del circuito de la Figura 5.15 ys de su recorrido. 4) Alimentar el circuito a partir de un transformador trifisico que s tension entre fases de su secundario, ©) Conectar la sonda del esciloscopio en la carga y ajustar R, de manera que al actuar sobre R, tengamos limitado el margen superior de regulacion del angulo de conduc- cidn hasta 120 d) Ajustar R, para un angulo de encendide de 30° aproximadamente. Medir con el osciloscopio de doble traza los impulsos de disparo presentes en extremos de Ry y la forma de onda en &,, utilizando como punto comin de medida los cdtodos de los SCR's. Dibujar en un mismo oscilograma las scfiales visualizadas. ©) Tomar las medidas de sefal precisas que permitan definir cl comportamicnto del circuito cn los limites de regulacién que permite R,. Consignarlas en oscilogramas individuales. /) Contrastar el funcionamiento del circuito con los fundamentos expuestos anterior mente. mitad juar los potenciémetros a ministre 24 V deAPENDICE A. CARACTERISTICAS TECNICAS DE SRC’s (Cortesia de MOTOROLA) On-State (RMS) Current wanes Tee | 16-756 {— wa | | Fs é ieateaes | Coegzaices | erred yom sae Tore Veit Sie (ors) Monate are monae2 | crams ” monrasa‘®) MoRS06-2 morate-3 crzeat 100 Menrosa(s) moRs06-4 McR216-46P monzte crze61 200 Mcn706a( mons06 6 monei6-6FP monz106 crz1 400 menzoea\®) wonso6-2 Monz18.96° mont cram 00 orate-soce | McR216-10 craw 00 Maximum Electrical Characteristics j 2 0 ~ ® trou (Ams) ‘cone ours oe | ~ 2 Jar imy) 1 1s Vor 2010 2010 4010 Ty Operating me. 25 00 ‘ange Cc) ‘99 nace cagnsed Fh 6 ‘Deves hnted bold tale ate Motorci prlemee devices 121122 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS B. CARACTERISTICAS TECNICAS DE TRIAC’s (Cortesia de MOTOROLA) On-State (RMS) Current Tae wo ro Teaeoe oN 6 P| wn rd : wid G Isolated 9S cea | ee aE YoRM TO-27088 ‘Styles TO-22088 re ot oe 70 Tea018 Taco soa scv9e wacaes cite ry Ta rare som Ser naczieg caine 600 Wonca ‘T2S0OMEP soraaN ‘sera MAC2IBS ra = ae Sora wacziei0 Mesto Maximum Electrical Characteristics % ‘co © 2 © ® ® 2 s 2 = x % 3 8 é 2 a 23 2s + a — a 40 to } 40 to (pggmdie hor Tn Re ET [WO Fite U Resonaed bao ue Devices bstd in bole, tae ore Motorola proferod dowces.APENDICF 123 C. CARACTERISTICAS TECNICAS DE UJT’s Y PUT’s (Cortesia de MOTOROLA) TRIGGER DEVICES Wide Range of Sensitivities Input Characteristics for Most Applications » Industry Standers, with a variety of Custom Specifications available. kee recenge —_—_fevtn Troan [an] ot ten | an | i ~ fwurefosofoesf so | +o | 10 UST ‘2NGE70, 056/075] 50 10 20 UNWJUNCTION time leslen| ge | | 43 TRANSISTORS — UST muas §=|055| 007] 450 oo 20 Highly stable devices for Mowe [eat|oc| 20 | oo | 0 eal perpen age tne Jew |oes] 3¢ | em | 30 applications and as pulse | tustoe [a7 ]oae| ° generators (oscillators) and oc, “loser eae) Geel ae roc (ane | mma (22 2128 frequencies ranging (generally) | case 220.01 znzear | oea|oez| 20 oz 80 tom? He to Mie Avellbie in | oe wor leaiee| 32 | ae | a8 low-cost plastic package (TO-92) 2Naest oss |o75| 20 OF 20 Mi tn Rerealicaly sealed oats aux |ewloe| ze | 21 | ie package (Case 2A), Zee: [ess |oes| 20 | oo | 20 Swe: [ere locs| ic | oot | 30 ier [re fea] os | dor | bo PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTORS - (PUT) pur alka rctooe peice Tyee] ah Man [oA Max [afi a PROGRAMMABLE mer [so] ae} wo ] | » casino Se , oles (Bale Ele Spur ae a Similar to USTs, except that Iv, Ip | Plastic x sapuso28 10 | O18 ¥ - * ‘and intrinsic standoff valtage are | S#¢ 29-07 20 “=~ | tromammatiecreansyry [OF aBlunn fe fae fae Pe |e means of external voltage divider. rg PUTAS vo | 018 50 50 8 This stabilizes creutt performance forvaravore | ect mane 9] 30] ee |e guememewanery lin..| olen (lal | els ‘operating frequency range is 10.18 = 2N6118° vo | 01s so so a from 0.01 Hz to 10 kHz, making them suitable for long-duration timer circuits. Two-package availability provides cost option.124 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS D. HOJA PARA OSCILOGRAMAS a + At canal Ac At, canal A: Sefial de: Sefal de: At canel B. AL canal 8: Sefial de: Sehal de: Base de tiempos: Base de tiempos, He At. canal A. Seal de: At. canal B- Seal ae: Base de tempos: At canal A: Sofial de: At. canal B Seal de: Base de tiempos:Tercera unidad AMPLIFICADORES OPERACIONALESTEMA Introduccion al amplificador operacional 6.1. DEFINICION Y ELEMENTOS El OP-AMP o amplificador operacional es un dispositive integrado cuya principal caracteris- lica es la extraordinaria ganancia de tensién que posce cuando trabaja en lazo abierto, esto es, sin realimentacion de la salida sobre la entrada. Recibe el nombre de operacional porque en un principio se utilizé para las calenladoras nalogicas, ya que con este tipo de amplifieador pueden realizarse operaciones matematicas como suma, resta, multiplicacion, logaritmos, antilogaritmos, derivadas € incluso integrales. FI uso de los aperacionales en las calculadoras pronto dejé de ser el principal mercado de los mismos para pasar a utilizatse en la practica totalidad de aplicaciones electrénicas, amplificacion, rectificacién de precisién, comparadores, osciladores, generadores de sefial y, cn definitiva, cn todas aqucllas ocasiones donde sca preciso un control respecto de alguna operacion aritmética En la Figura 6.1 se muestra un operacional con expresion de los terminales. Entrada Figura 6.1. Representacién de un operacional 4127128 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Como puede apreciarse, el operacional posee dos entradas, Hamadas inversora (—) y no inversora (+), una salida y otros terminales de alimentacion y control de offrets. La entrada inversora conectada al signo menos (—) indica que la salida estara desfasa- da 180” respecto de la entrada. La entrada no inversora conectada al signo mas (+) indica que la salida y esta entrada estarin en fase. Hay que destacar que en cualquiera de las dos entradas se pueden conectar tensiones positivas, negativas © alternas, sin mas limite que el marcado por el fabricante en cuanto a los valores maximos de tensién y frecuencia. La tensidn de alimentacién que se aplica a los operacionales suele ser simétrica (véase Figura 6.1). Las caracteristicas de un operacional ideal podriamos resumirlas, atin a sabiendas de que no se presentan simultaneamente, en las siguient — Impedancia de entrada (Z;):_ infinito. ~ Impedancia de salida (Z,): cero. Ganancia de tension (4% finito. - Ancho de banda (4,): infinito. ven para comparar con las reales icas de un Logicamente, estas prestaciones son imposibles, pere y asi poder saber su calidad respecto del ideal. Veamos algunas de las caracteti: operacional real muy extendido y de uso corriente, ef 741: ncn bucle abierto: 110000 Ganancia de ton: Impedaneia de entrada: 1 Mo Impedaneia de salida: 150 2 — Ancho de banda: 1 MHz Otras caracter cién, también para el caso del 741 tivas propiay de los operacionales reales sont las que se citan a continua Corriente de polarizacion: 200 nA. — Tensién de alimentacion maxima t18V ‘Tension maxima de entrada: +13 V Tension maxima de salida: +14V Relacién de rechazo de modo comiin RRMC: 90 dB Dentro de la estructura general de los amplificadores operacionales hemos de deseribir el diagrama de bloques en que se organizan: o—| ‘fm Etapas Etepa . B: Intermedias a oo entrade salide — La etapa de entrada esta formada por un amplifieador diferencial; de ella depende fundamentalmente ta cacacteristica del amplificador operacional — Las etapas intermedias tienen como mision principal proporcionar la ganancia adicio- nal necesaria para el conjunto. Sirve a la etapa final como preamplificador — La etapa de salida es la encargada de aislar el amplificador de las condiciones de carga. La impedancia de salida debe ser lo mas baja posible.