Professional Documents
Culture Documents
Tia X và tia γ
Khác nhau: Tia X có bước sóng nằm giữa bước sóng của
tia tử ngoại và tia γ; Tia X thường được tạo ra trong quá
trình tương tác giữa một chùm tia electron với các
electron của nguyên tử, tia γ được sinh ra bởi sự thay đổi
bên trong hạt nhân nguyên tử
20-9-2006 2
TIA X
Bước sóng: 10 nm – 1 pm
20-9-2006 3
Wilhelm Conrad Röntgen
20-9-2006 4
TẠO TIA X
Tia X được tạo ra bằng cách Nước làm lạnh
bắn phá một chùm electron
vào một bia kim loại.
<1% năng lượng tia electron Nối đất
Ống chân
không
Trong một số trường hợp,
người ta còn sử dụng các Điện
Dòng đốt
cao thế
nguồn đồng vị phóng xạ. nóng sợi đốt
20-9-2006 5
PHỔ PHÁT XẠ TIA X
Phổ tia X liên tục
• Tia X phát ra trong các va chạm giữa
electron và nguyên tử của anot. Mỗi electron
mất năng lượng theo các cách khác nhau
nên phổ tia X thu được là liên tục
20-9-2006 6
PHỔ PHÁT XẠ TIA X
Vạch tia X đặc trưng
• Electron tới có năng lượng đủ lớn làm bật một
electron lớp trong và làm nguyên tử bia bị kích
thích với một lỗ trống.
• Khi lỗ trống này được làm đầy bởi 1 electron lớp
ngoài thì 1 photon tia X được phát ra
• Các photon này có năng lượng bằng hiệu hai
mức năng lượng và đặc trưng cho kim loại được
làm bia
• Phổ của các photon này là các pic nét chồng lên
phổ liên tục
• Thế tăng tốc chỉ làm thay đổi giới hạn bước sóng
ngắn của phổ liên tục, không làm thay đổi bước
sóng vạch đặc trưng
• Cường độ của vạch đặc trưng phụ thuộc vào thế
tăng tốc và cường độ dòng của ống phát
20-9-2006 7
PHỔ PHÁT XẠ TIA X
Kí hiệu vạch tia X đặc trưng
• Nếu lỗ trống ở lớp K và được làm
đầy bởi một electron trên lớp L, M,
… thì ta có dãy vạch Kα, Kβ,…
• Nếu lỗ trống ở lớp L và được làm
đầy bởi một electron trên lớp M, N,
… thì ta có dãy vạch Lα, Lβ,…
• Có hai vạch Kα là Kα1 và Kα2 (?)
rất xít với nhau và có cường độ tỉ lệ
2:1.
• Tỉ lệ cường độ
Kα1: Kα2: K β = 10:5:2
20-9-2006 8
20-9-2006 9
PHỔ PHÁT XẠ TIA X
Giá trị bước sóng vạch tia X đặc trưng
• Để có các tia X với λ khác nhau, người ta dùng các kim loại khác
nhau làm anot. Mối quan hệ giữa λ, X được mô tả bởi định luật
Moseley:
1/ λ = R(Z-1)(1-1/n2)
λ: bước sóng; R = 109737 hằng số Rydberg; Z: số hiệu nguyên tử;
n là một số nguyên, n = 2, 3 đối với vạch Kα và Kβ tương ứng
Nguyên tố Z Kα1 Kα2 Kβ Ngưỡng V
(nm) (nm)
Cr 24 0,229361 0,228970 0,208487 5950
Fe 26 0,193736 0,193998 0,193604 7100
Co 27 0,179026 0,179285 0,178897 7700
Ni 28 0,1662 0,1658 0,1500 8300
Cu 29 0,154184 0,154439 0,1544056 9000
Mo 42 0,071073 0,071359 0,070930 20000 (?)
Ag 47 0,0564 0,0559 0,0497 25600
20-9-2006 10
PHỔ HẤP THỤ TIA X
Khi tia X đi vào môi trường vật liệu sẽ có các hiện tượng: Sự khuyếch tán,
Hiệu ứng quang điện, Phát huỳnh quang và Sự tạo thành cặp electron –
positron. Kết quả là cường độ tia X giảm
dI = -µIdx ⇒ I = Ioexp(-µx)
Io và I là cường độ tia tới, tia ló; x là bề dày của vật liệu; µ là hệ số hấp thụ
20-9-2006 11
PHỔ HẤP THỤ TIA X
• Nhìn vào phổ hấp thụ tia X ta thấy:
Khi λ vượt quá biên hấp thụ, độ hấp thụ giảm dần vì năng
lượng của tia X quá lớn, tia X có thể đâm xuyên qua môi trường
vật liệu mà không bị hấp thụ
20-9-2006 12
TIA X
Tia X đơn sắc
Dùng tấm kim loại có biên hấp thụ thích hợp để hấp thụ bức xạ
Kβ và cho bức xạ Kα đi qua
Bức xạ Vật liệu Độ dày (mm) Độ truyền
lọc qua
của Kα (%)
Cr - Kα V 0,018 50
Fe - Kα Mn 0,016 46
Cu - Kα Fe 0,018 44
Cu - Kα Ni 0,021 40
Mo - Kα Zn 0,108 31
Dùng bộ đơn sắc tinh thể: Một tinh thể đã biết định hướng sao cho
chỉ nhiễu xạ tia Kα mà không nhiễu xạ tia Kβ.
Trong nghiên cứu nhiễu xạ tia X thường sử dụng tia Kα của của các
kim loại khác nhau (đặc biệt là kim loại Cu). Vì các vạch Kα có năng
lượng lớn, không bị hấp thụ bởi vật liệu nghiên cứu, độ đơn sắc cao.
20-9-2006 13
PHƯƠNG TRÌNH SÓNG
Phương trình dạng hàm sin
A: Biên độ sóng
tần số góc ω = 2πf = 2π/T
φ = Asin(ωt + ϕ) với
T là chu kì theo thời gian; f là tần số
ϕ: là độ lệch pha
A: Biên độ sóng
Số sóng k = 2π/λ
φ = Asin(kr + ϕ) với
λ: là chu kì trong không gian-bước sóng
ϕ: là độ lệch pha
20-9-2006 14
PHƯƠNG TRÌNH SÓNG
Phương trình dạng hàm phức
A: Biên độ sóng
k: vectơ sóng có chiều là chiều truyền sóng,
φ = Aeikr với |k| = 2π/λ
λ: chu kì trong không gian-bước sóng
r: vectơ tọa độ
Công thức Ơle:
Sóng chuyển động (sóng phẳng) được biểu diễn bằng một vectơ
k. Năng lượng của sóng tỉ lệ thuận với bình phương của |k|.
20-9-2006 15
NHIỄU XẠ TIA X
Tính hạt: biểu diễn tính chất gián đoạn của vật chất. Khi
hạt chuyển động thì nó mang theo mình cả năng lượng và
khối lượng
Tính sóng: biểu diễn tính chất liên tục của vật chất. Khi
hạt chuyển động thì nó chỉ mang theo năng lượng mà
không mang khối lượng
Trong chương này chúng ta sẽ xét hiện tượng tinh thể làm
nhiễu xạ bức xạ tia X. Tuy nhiên các kết quả thu được
cũng có thể dùng chung cho nhiễu xạ electron, nơtron, …
20-9-2006 16
NHIỄU XẠ TIA X
Phản xạ; tán xạ; giao thoa?
Phản xạ: Tia tới bị phản xạ bởi một mặt phẳng; góc tới
bằng góc phản xạ; năng lượng cũng như bước sóng
không thay đổi
Tán xạ:Tia tới va chạm với một điểm vật chất nào đó;
điểm vật chất này trở thành một nguồn bức xạ thứ cấp
phát bức xạ (tia tán xạ) ra các hướng khác nhau. Tia tán
và tia tới có năng lượng có thể bằng nhau (tán xạ đàn hồi)
hoặc khác nhau (tán xạ không đàn hồi).
Giao thoa: Là hiện tượng cộng hợp sóng. Có giao thoa tăng
cường (các sóng tới cùng pha) và giao thoa triệt tiêu (các
sóng tới ngược pha)
20-9-2006 17
NHIỄU XẠ TIA X
Nhiễu xạ?
Có hai cách hiểu:
Tập hợp các phản xạ đặc biệt từ một họ mặt phẳng nguyên tử
song song trong tinh thể đảm bảo điều kiện giao thoa tăng cường.
Tập hợp các tán xạ đàn hồi đặc biệt từ các điểm khác nhau của
tinh thể đảm bảo điều kiện giao thoa tăng cường
Kết quả: Thu được các
chùm tia nhiễu xạ theo
các hướng xác định, đặc
trưng cho tinh thể. Các tia
nhiễu xạ này có thể được
ghi lại dưới dạng ảnh
nhiễu trên phim hoặc
được vẽ thành giản đồ
nhiễu xạ.
20-9-2006 18
NHIỄU XẠ TIA X
Hiện tượng nhiễu xạ tia X được
quan sát đầu tiên bởi Max Von
Laue (1879 –1960, giải thưởng
Nobel Vật lý năm 1914) vào
năm 1912
W.L. and W.H. Bragg
Hiện tượng nhiễu xạ tia X được
giải thích bởi hai cha con gia
đình Bragg năm 1913
(Wiliam Henry Bragg (cha), 1862-1942,
và Wiliam Lawrence Bragg (con), 1890-
1971, hai nhà vật lý người Anh, giải
thưởng Nobel vật lý năm 1915)
n⋅λ
d=
2 ⋅ sin θ
20-9-2006 19
NHIỄU XẠ TIA X
Điều kiện nhiễu xạ tia X – Định luật Bragg
Các tia X không thực sự bị
phản xạ mà chúng bị tán
xạ, song rất thuận tiện nếu
xem chúng là bị phản xạ.
Mỗi mặt phẳng nguyên tử
phản xạ sóng tới độc lập
với nhau và được coi là
“mặt phản xạ”.
Tia nhiễu xạ được coi là “tia
phản xạ”
Điều kiện nhiễu xạ: nλ = 2dsinθ (Các bạn hãy chứng minh???)
λ là bước sóng tia X tới; d là khoảng cách giữa các mặt phẳng
trong họ mặt phẳng song song; θ là góc phản xạ; n là bậc phản xạ
20-9-2006 20
NHIỄU XẠ TIA X
nλ = 2dsinθ Chỉ những họ mặt phẳng
song song thỏa mãn định
luật Bragg mới cho chùm
tia nhiễu xạ có thể quan sát
được.
Muốn thỏa mãn đl Bragg
phải có λ ≤ 2d, mà trong
tinh thể d cỡ Å nên chỉ thấy
hiện tượng nhiễu xạ tia X
(không thấy hiện tượng
nhiễu xạ của ánh sáng nhìn
thấy và tia γ (?))
Một mặt phẳng chỉ phản xạ một phần rất nhỏ chùm tia X tới, vì nếu
không thì mặt phẳng đầu tiên đã phản xạ hết, sẽ không còn gì để các
mặt phẳng sau phản xạ và như vậy sẽ không có hiện tượng giao
thoa.
20-9-2006 21
NHIỄU XẠ TIA X
nλ = 2dsinθ Họ mặt phẳng phản xạ có
thể là bất kì một họ mặt
phẳng nào của tinh thể, do
đó trong tinh thể có rất
nhiều họ mặt phẳng phản
xạ khác nhau. (chú ý không
nhầm lẫn giữa mặt phẳng
phản xạ với mặt ngoài của
tinh thể)
Bản chất của tia tới có thể
khác nhau (tia X, nơtron,
electron, ..). Các tia này
cũng không nhất thiết rơi từ
ngoài vào tinh thể mà có
thể nằm ngay trong tinh thể.
20-9-2006 22
NHIỄU XẠ TIA X
nλ = 2dsinθ
Định luật Bragg chỉ là hệ quả
của tính tuần hoàn tịnh tiến
của mạng tinh thể,nên không
phụ thuộc vào nền tinh thể. Số
nguyên tử của nền tinh thể chỉ
quyết định cường độ tương
đối của chùm tia nhiễu xạ ở
các bậc n khác nhau.
Trong hầu hết các trường hợp, bậc phản xạ thứ nhất (n = 1)
được sử dụng, và định luật Bragg được viết:
λ = 2dsinθ
Khi n > 1, các phản xạ được gọi là phản xạ bậc cao.
20-9-2006 23
NHIỄU XẠ TIA X
Nhắc lại một số kiến thức về kí hiệu mặt phẳng
• Một mặt phẳng P cắt các trục tọa độ Ox, Oy, Oz tại điểm
A(1/2,0,0); B(0,1/3,0); C(0,0,1/4). Mặt phẳng này sẽ có chỉ số Miller
(234). Đây cũng là kí hiệu của một họ mặt phẳng song song cách
đều (với khoảng cách được kí hiệu là d(234)). P sẽ là mặt phẳng gần
gốc tọa độ nhất so với các mặt phẳng khác cùng họ (234)
• Tổng quát, một họ mặt phẳng (hkl) sẽ có một mặt phẳng gần nhất
với gốc tọa độ, cắt các trục tọa độ tại (1/h,0,0); (0,1/k,0); (0,0,1/l).
Nói cách khác, họ mặt phẳng (hkl) chia đơn vị của các trục làm h
phần (trên trục x), k phần (trên trục y) và l phần (trên trục z) bằng
nhau.
• Như vậy, kí hiệu của một mặt phẳng không những thể hiện vị trí
tương đối của mặt mạng đối với các trục tinh thể mà còn thể hiện
cả số mặt mạng song song cắt trục trong phạm vi của mỗi đơn vị
độ dài của trục
20-9-2006 24
NHIỄU XẠ TIA X
Nhắc lại một số kiến thức về kí hiệu mặt phẳng
20-9-2006 25
NHIỄU XẠ TIA X
Nhắc lại một số kiến thức về kí hiệu mặt phẳng
• Một cách tổng quát, các mặt phẳng (hkl) và (nh nk nl), với n
nguyên, là song song với nhau nhưng khoảng cách giữa các
mặt (nh nk nl) bằng 1/n khoảng cách giữa các mặt (hkl)
d(nh nk nl) = d(hkl)/n
• Từ bây giờ trở đi, ta kí hiệu (HKL) thay cho (nh nk nl). Như
vậy, các chỉ số h, k, l không có ước số chung, nhưng H, K, L
thì lại có
• Ví dụ, trong tinh thể MgO, khoảng cách giữa các mặt (200) là
0,2106 nm, khoảng cách giữa các mặt (400) là 0,1053 nm
20-9-2006 26
NHIỄU XẠ TIA X
Trở lại với điều kiện nhiễu xạ Bragg
• Ta có: nλ = 2d(hkl).sinθ
• Khi n = 1: λ = 2d(hkl).sinθ
• Khi n>1, ta có thể viết lại:
λ = 2(d(hkl)/n).sinθ = 2d(HKL).sinθ
• Như vậy, phản xạ của họ mặt (nh nk nl) có thể được coi là phản xạ
bậc n của họ mặt phẳng (hkl) và ngược lại. Để đơn giản trong các
trường hợp ta có thể viết là:
λ = 2d(HKL).sinθ
• Trong quá trình khai thác giản đồ nhiễu xạ tia X, người ta đi tìm
các chỉ số (HKL) thay vì tìm các chỉ số (hkl)
20-9-2006 27
Diffraction
2d sin θ = λ
θ θ θ θ
A C A D F C (200)
(100) E
B B
ABC = 2λ DEF = λ
20-9-2006 28
NHIỄU XẠ TIA X
Chú ý:
Định luật Bragg chỉ là điều kiện cần song chưa đủ cho nhiễu xạ bởi
tinh thể. Điều kiện này chỉ hoàn toàn đúng đối với các ô mạng chỉ
có các nguyên tử ở đỉnh. Đối với các ô mạng còn có các nguyên tử
nằm tại vị trí khác (tâm mặt, tâm khối…) sẽ có hiện tượng mất đi
một số tia nhiễu xạ.
20-9-2006 29
MẠNG ĐẢO
Mạng đảo là một khái niệm quan trọng do Gibbs (Josiah Willard
Gibbs, 1839 – 1903) đề suất. Sự xuất hiện của mạng đảo là hệ quả
tất yếu của tính tuần hoàn tịnh tiến của mạng thuận (mạng thực)
Mạng đảo là một mô hình toán học được xây dựng dựa trên các
quan hệ vectơ và được dùng để làm rõ mối quan hệ giữa các thông
số của mạng tinh thể với sự nhiễu xạ tia X và các tính chất vật lý
khác nhau của tinh thể.
b1 =
2π
V
[ ]
a 2 .a 3 =
2π
a1
Tính chất 1: b1 ⊥ a2 & a3
b2 ⊥ a1 & a3
b2 =
2π
V
[ ]
a1.a 3 =
2π
a2
b3 ⊥ a1 & a2
Tính chất 2:
b3 =
2π
V
[ ]
a1.a 2 =
2π
a3 ai.bj = 2π.δij Với δij =
0 khi i ≠ j
1 khi i = j
20-9-2006 30
MẠNG ĐẢO
Tính chất của mạng đảo:
2π
d ( hkl ) = (?)
g (hkl)
20-9-2006 31
MẠNG ĐẢO
Các thí dụ minh họa mạng đảo:
Ý nghĩa thực tế: Ta thu được hình ảnh của mạng đảo của tinh
thể khi nghiên cứu tinh thể bằng phương pháp nhiễu xạ
20-9-2006 32
MẠNG ĐẢO
Dạng vectơ của định luật Bragg
k’ – k = G (?)
Trong đó:
k là vectơ sóng tới. Vectơ này có độ lớn bằng 2π/λ và cùng chiều
với phương truyền sóng.
k’ là vectơ sóng phản xạ. Vectơ này có độ lớn bằng k nhưng cùng
chiều với phương phản xạ
G là một vectơ của mạng đảo có điểm đầu và điểm cuối nằm tại
các nút của mạng đảo
Có thể phát biểu thành lời:
Nếu vectơ sóng tới và vectơ sóng phản xạ liên hệ với nhau
thông qua một vectơ của mạng đảo thì phản xạ đó là phản xạ
Bragg, tức là cho ảnh nhiễu xạ.
20-9-2006 33
MẠNG ĐẢO
Dạng vectơ của định luật Bragg
∆k = k’ – k = G
Từ dạng vectơ của định luật Bragg ta thấy: các điểm cuối của cả
hai vectơ sóng tới (k) và sóng phản xạ (k’) đều phải nằm trên
hai nút mạng của mạng đảo (vì chúng là điểm đầu và điểm cuối
của vectơ G – một vectơ của mạng đảo)
k’
θ
G
θ
20-9-2006 34
MẠNG ĐẢO
Dự đoán sự nhiễu xạ nhờ mạng đảo – Hình cầu Ewald
Cách xây dựng hình cầu Ewald trong không gian mạng đảo
20-9-2006 35
Diffraction
Sự nhiễu&xạ
Reciprocal
và mạng đảo Lattice
Tia nhiễu
Diffracted beam xạ
/λ
G
H =
= (Sk’
- S–
)/λk
S2/λπ
hkl o
|=
|k’
θ
Incident θ
beam θ So2π/λ
/λ
l) |k| =
(hk Reciprocal-lattice
Gốc
origin mạng đảo
20-9-2006 36
MẠNG ĐẢO
Dự đoán sự nhiễu xạ nhờ mạng đảo – Hình cầu Eward
Nhận xét về hình cầu Ewald
20-9-2006 37
CƯỜNG ĐỘ TIA X NHIỄU XẠ
Tất cả các tia nhiễu xạ quan sát được đều tuân theo điều kiện
Bragg nhưng có những phản xạ tuân theo điều kiện Bragg lại
không thể quan sát được (tức là có cường độ bằng 0)
Để giải thích điều này, ta coi tia nhiễu xạ là tập hợp các tia tán
xạ gây ra bởi các điểm chứ không phải là các tia phản xạ gây
ra bởi các mặt nữa
Ta cần phải xét lần lượt:
- Sự tán xạ bởi các electron trong một nguyên tử
- Sự tán xạ bởi một nguyên tử độc lập
- Sự tán xạ bởi các nguyên tử trong một ô đơn vị
20-9-2006 38
CƯỜNG ĐỘ TIA X NHIỄU XẠ
Tán xạ bởi một electron
Io I
2θ
e
20-9-2006 39
CƯỜNG ĐỘ TIA X NHIỄU XẠ
Tán xạ bởi một nguyên tử
Cường độ tia X tán xạ bởi hạt nhân là rất nhỏ, bỏ qua. (?)
Sóng tán xạ toàn phần của nguyên tử bằng tổng các sóng tán xạ
của các electron trong nguyên tử đó. Do các sóng thành phần có
các pha khác nhau nên cường độ tán xạ tổng cộng không đơn giản
là bội số của cường độ sóng thành phần mà là phụ thuộc vào
hướng tán xạ.
Tỉ số f theo công thức dưới đây được gọi là thừa số tán xạ nguyên
tử:
biên độ sóng tán xạ bởi một nguyên tử
f =
biên độ sóng tán xạ bởi một electron
20-9-2006 40
CƯỜNG ĐỘ TIA X NHIỄU XẠ
Tán xạ bởi một nguyên tử
30
giảm
Đồ thị f là một hàm của (sinθ)/λ, fAl
10
Đối với Cu, f giảm từ 29 khi
(sinθ)/λ tăng fO
0 2 4 6 8 10
sinθ
nm-1
λ
20-9-2006 41
CƯỜNG ĐỘ TIA X NHIỄU XẠ
Nhiễu xạ bởi ô mạng cơ sở
Io
20-9-2006 42
CƯỜNG ĐỘ TIA X NHIỄU XẠ
Nhiễu xạ bởi ô mạng cơ sở
n
F(hkl) = f1.exp(iφ1) + f2.exp(iφ2) + ….) = ∑ f .exp[i.2π (hu
j =1
j j + kv j + lw j )]
20-9-2006 43
CƯỜNG ĐỘ TIA X NHIỄU XẠ
Thừa số cấu trúc mạng lập phương đg
(100), (110), (111), (200), (210), (211), (220), (300), (221), (310), …
20-9-2006 44
CƯỜNG ĐỘ TIA X NHIỄU XẠ
Thừa số cấu trúc mạng lptk
Xét một ô cơ sở gồm một nguyên tử ở vị
trí (0,0,0) và một nguyên tử ở (1/2,1/2,1/2)
Thay vào biểu thức tính F:
F = f.[1+ei.π.(h+k+l)] (?)
(100), (110), (111), (200), (210), (211), (220), (300), (221), (310), …
20-9-2006 45
CƯỜNG ĐỘ TIA X NHIỄU XẠ
Thừa số cấu trúc mạng lptm
Xét bốn nguyên tử ở vị trí (0,0,0), (1/2,0,0),
(0,1/2,0), (0,0,1/2)
Thay vào biểu thức tính F:
F = f.[1+ei.π.(h+k) + ei.π.(k+l) + ei.2π.(h+l) ] (?)
(100), (110), (111), (200), (210), (211), (220), (300), (221), (310), …
20-9-2006 46
CƯỜNG ĐỘ TIA X NHIỄU XẠ
Thừa số cấu trúc mạng kim cương
Xét tám nguyên tử ở vị trí (0,0,0), (0,1/2,1/2),
(1/2,0,1/2), (1/2,0,0), (1/4,1/4,1/4),
(1/4,3/4,3/4), (3/4,1/4,3/4), (3/4,3/4,1/4)
Thay vào biểu thức tính F:
(100), (110), (111), (200), (210), (211), (220), (300), (221), (310), …
20-9-2006 47
CƯỜNG ĐỘ TIA X NHIỄU XẠ
Thừa số cấu trúc mạng NaCl
20-9-2006 48
CƯỜNG ĐỘ TIA X NHIỄU XẠ
Bảng quy tắc lọc lựa cho một số cấu trúc tinh thể khác nhau:
Loại tinh thể Mạng Bravais Phản xạ quan sát được Phản xạ bị cấm
Đơn giản Đơn giản h, k, l bất kì Không có
Tâm khối Tâm khối h + k + l chẵn h + k + l lẻ
Tâm mặt Tâm mặt h, k, l cùng chẵn hoặc h, k, l hỗn hợp
lẻ
NaCl Lptm h, k, l cùng chẵn hoặc h, k, l hỗn hợp
lẻ
Kim cương Lptm Như lptm, nhưng nếu h, k, l hỗn hợp và
tất cả cùng chẵn và h + cùng chẵn nhưng
k + l ≠ 4N thì không có h + k + l ≠ 4N
Tâm đáy Tâm đáy h và k chẵn hoặc cả hai h và k hỗn hợp
cùng lẻ
Lục phương Lục phương h + 2k = 3N với l chẵn h + 2k = 3N với l lẻ
chặt khít h + 2k = 3N + 1 với l lẻ
h + 2k = 3N + 1 với l lẻ
20-9-2006 49
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Nguyên tắc của phương pháp
Sử dụng tia X đơn sắc
Mẫu dưới dạng bột, kích thước hạt
0,01-0,001mm
Vì bột gồm vô số vi tinh thể định
hướng hỗn loạn cho nên trong
mẫu luôn có những mặt (hkl) (với
d(hkl) tương ứng) nằm ở vị trí thích
hợp, tạo với chùm tia tới một góc θ
thỏa mãn điều kiện Bragg.
Các tia nhiễu xạ của cùng một họ
mặt phẳng (hkl) tạo thành một mặt
nón với đỉnh là mẫu, trục là tia tới.
Góc giữa tia tới và tia nhiễu xạ là 2θ.
20-9-2006 50
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Phương pháp chụp phim Debye – Scherrer
20-9-2006 52
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Xác định góc θ
πS1 π S2
θ= Hoặc θ = 1 −
2W 2 W
20-9-2006 53
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Sai số
Nếu khi đo θ mà mắc sai số tuyệt đối ∆θ thì sẽ gây sai số tuyệt đối
∆d đối với d là:
λ cos θ .∆θ
∆d = −
2 sin 2 θ
(Chứng minh?)
Như vậy, sai số tương đối càng nhỏ khi cotgθ càng nhỏ, nghĩa là θ
gần 90o, góc tạo bởi tia tới và tia nhiễu xạ 2θ gần 180o.
20-9-2006 54
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Phương pháp chụp phim – Debye – Scherrer
Cách này có hiệu quả đối với các nhiễu xạ có góc θ nhỏ hoặc gần 180o
20-9-2006 55
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Ghi nhận tia nhiễu xạ bằng phim ảnh
20-9-2006 56
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Ghi nhận tia nhiễu xạ máy đếm
Máy đo nhiễu xạ tia X hiện đại, có sử dụng máy đếm và kết nối với
máy tính điện tử.
20-9-2006 57
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Ghi nhận tia nhiễu xạ máy đếm
B
C
Mẫu được chế tạo lớp Máy đếm
mỏng tròn, phẳng, được Máy phóng tia X
gắn trên đế, đế này có
θ
thể quay quanh trục của
θ
nó trên giá đỡ. Giá đỡ
Máy đếm được kết nối với giá đựng mẫu bằng một hệ thống cơ khí
chính xác và chuyển động trên cung tròn ABC. Góc θ được đo
chính xác và có bước nhẩy khoảng 0,03o.
Kết quả thu được là một giản đồ nhiễu xạ thể hiện mối quan hệ
giữa cường độ (số xung trên một đơn vị thời gian) và góc 2θ (độ)
20-9-2006 58
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Giản đồ nhiễu xạ tia X:
20-9-2006 59
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Giản đồ nhiễu xạ tia X:
Bao gồm các píc có cường độ khác nhau. Mỗi pic tương ứng
với một phản xạ của họ mặt (HKL) nào đó.
Từ giản đồ nhiễu xạ ta thu được rất nhiều thông tin về khoảng
cách giữa các mặt (HKL), cường độ tương đối của mỗi pic …
Hai yếu tố chính quyết định đến hình dạng của giản đồ nhiễu
xạ tia X:
(a) Kích thước và hình dạng của ô đơn vị
(b) Số nguyên tử và vị trí các nguyên tử trong ô đơn vị.
20-9-2006 60
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Giản đồ nhiễu xạ tia X:
• Khoảng cách d giữa các mặt mạng phụ thuộc vào kích thước ô cơ
sở và đến lượt nó quyết định vị trí của các pic.
• Bề rộng của píc và hình dạng của píc phụ thuộc vào điều kiện đo
cũng như một số thuộc tính của vật liệu, ví dụ như kích thước hạt…
• Cường độ của píc phụ thuộc vào sự sắp xếp cấu trúc tinh thể, ví dụ
như vị trí của các nguyên tử trong ô cơ sở và sự dao động nhiệt
của các nguyên tử.
20-9-2006 61
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Giản đồ nhiễu xạ tia X:
Hiện nay, trong hệ thống lưu trữ khoa học của thế giới
có bộ chuẩn ASTM (American Standards for Testing
Materials). Các thông tin, dữ kiện về mỗi chất tinh thể
được ghi dưới dạng giản đồ gốc hoặc dưới dạng phiếu
(card), file số liệu, ….
20-9-2006 62
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Những ứng dụng phân tích của phương pháp bột nhiễu xạ tia X
20-9-2006 63
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Xác định vật liệu chưa biết
• Ủy ban hợp tác về các tiêu chuẩn nhiễu xạ tia X theo phương pháp
bột (Joint Committee on Powder Diffraction Standards (JCPDS)) đã
biên dịch dữ kiện từ trên 50000 giản đồ nhiễu xạ tia X chuẩn của
các hợp chất vô cơ, hữu cơ, cơ kim… thành một bộ cơ sở dữ liệu.
• Dựa vào cơ sở dữ liệu này, ta có thể xác định một loại vật liệu
chưa biết nào đó bằng cách so sánh hai hoặc ba píc trong giản đồ
nhiễu xạ thực nghiệm với các giá trị trong mẫu chuẩn. Đối với các
vật liệu phức tạp hơn ta có thể sử dụng máy tính điện tử để tìm
kiếm sự trùng lặp giữa dữ kiện thực nghiệm và cơ sở dữ liệu
chuẩn.
• Đối với nhiều vật liệu rắn, phương pháp này cho kết quả nhanh và
chính xác.
• Điều trở ngại ở đây là thông tin của hợp chất ta nghiên cứu phải có
trong cơ sở dữ liệu chuẩn và vật liệu phải ở trạng thái tinh thể.
20-9-2006 64
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Kiểm tra sự đơn pha (độ tinh khiết)
Trong một hỗn hợp các hợp chất, mỗi pha tinh thể sẽ đóng góp
những pic đặc trưng riêng của mình vào giản đồ nhiễu xạ chung.
Trong quá trình tổng hợp vật liệu, phương pháp bột được sử dụng
để nghiên cứu sự hình thành pha sản phẩm cũng như độ tinh khiết
của sản phẩm
20-9-2006 65
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Kiểm tra sự đơn pha (độ tinh khiết)
• Ở thời điểm ban đầu, giản đồ nhiễu xạ tia X gồm các pic của cả
hai pha Al2O3 và MgO
20-9-2006 66
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Kiểm tra sự đơn pha (độ tinh khiết)
• Các nhà hóa học vật liệu thường dùng nhiễu xạ tia X theo
phương pháp bột để theo dõi quá trình phản ứng.
• Phương pháp này cũng được sử dụng rộng rãi để xác định
những pha tạp chất và các chất phản ứng còn dư trong
sản phẩm.
• Tuy nhiên, để làm được điều này, các pha tạp chất phải ở
dạng tinh thể.
20-9-2006 67
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Xác định kích thước tinh thể
Một số hiệu ứng có thể làm thay đổi bề rộng của píc nhiễu xạ, đó
là: kích thước tinh thể, sự xen phủ của các pic gần nhau, Several
effects could change PXRD linewidths: crystallite size, overlap of
peaks, sức căng (microstrain), các khuyết tật điểm và mặt.
20-9-2006 68
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Xác định kích thước tinh thể
Để có được các píc nhọn trong giản đồ
nhiễu xạ tia X thì tinh thể phải có được kích
thước đủ lớn để đảm bảo các phản xạ sai
lệch so với góc 2θ sẽ không giao thoa tăng
cường để tạo thành tia nhiễu xạ.
G i¶ n ® å nhiÔ u x ¹ tia
X c ña Ba Fe 1 2 O 1 9
tæ ng hîp the o p h
¬ ng p h¸ p thuû nhiÖ t
(a ) v µ the o p h¬ ng
p h¸ p s o l-g e l c itra t (b)
20-9-2006 70
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Xác định kích thước tinh thể
MÆt p h¼ ng (1 1 0 ) v µ p h
¬ ng [1 1 0 ] tro ng m ¹ ng lô c
p h¬ ng .
20-9-2006 71
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Xác định kích thước tinh thể
0,9.λ
Công thức Scherrer d=
B2m − Bs2 .cosθ
d -- Kích thước tinh thể
λ -- Bước sóng
θ -- Góc nhiễu xạ
Bm , Bs – Độ mở rộng vạch của mẫu và độ mở rộng vạch chuẩn
tính theo Radian:
π
ϑrad =ϑ deg ×
180
Bs - Cũng còn được coi là độ mở rộng vạch do máy đo
20-9-2006 72
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Nghiên cứu tính chất biến đổi theo nhiệt độ của vật liệu
Kết hợp giữa thiết bị nhiễu xạ tia X và một lò nung hoặc một máy lạnh
sẽ cho phép đo được các giản đồ nhiễu xạ của hệ trong một khoảng
nhiệt độ rộng. Nghiên cứu sự biến đổi của các giản đồ nhiễu xạ theo
nhiệt độ cho phép nhanh chóng xác định được sự biến đổi pha trong
vật liệu và xác định được các hệ số nở nhiệt.
Ví dụ:
Kim loại Plutoni chuyển pha ở nhiệt độ 750oC từ mạng lập phương
tâm mặt với a = 0,4637 nm (4.637 Å) sang mạng lập phương tâm
khối với a = 0,3638 nm (3.638 Å). Nghiên cứu sự biến đổi của các píc
nhiễu xạ trong khoảng 2θ = 1 – 75o ở nhiệt độ trên dưới 750o đã cho
thấy sự giãn nở của kim loại plutoni như thế nào.
20-9-2006 73
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Phân tích định lượng
Phân tích pha định lượng dựa trên cơ sở: cường độ của tia nhiễu
xạ phụ thuộc vào nồng độ của pha tương ứng trong hỗn hợp
I A I C' C A'
CA = . ' . ' (Chứng minh?)
I C I A CC
20-9-2006 75
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Phân tích định lượng
Cách 2: phương pháp thêm bằng một chất trong hỗn hợp
Chuẩn bị hai mẫu như nhau đều có CA cần được xác định
Mẫu 1 : Giữ nguyên
Mẫu 2 : Thêm một lượng xác định chất A, khi đó hàm lượng chất A: C A’
Ta có:
I A' I A C A' IA’/IA
'
: = 1+ ' (?)
IB IB CC
20-9-2006 76
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Xác định cấu trúc tinh thể
20-9-2006 77
Diffraction Angles
2d sin θ = λ
λ
cubic:
Lập phương
1 h2 + k 2 + l 2
d2
=
a2
⇒ 2
sin θ =
λ2 2
4a 2
(
h + k2 + l2 )
d=
2 sin θ
orthorhombic
hexagonal Trực giao
Lục phương
1 h2 k 2 l 2
1 4 h + hk + k l
2 2 2 = + +
= d 2 a2 b2 c2
d 2 3 a2 + c2
λ 2 h 2 k 2 l 2
h 2 + hk + k 2 l 2 sin 2 θ = + +
2 2 + 4 a 2 b 2 c 2
sin θ = λ 2 4c 2
3a
Hình thoi
rhombohedral
1
=
( ) (
h 2 + k 2 + l 2 sin 2 α + 2( hk + kl + hl ) cos 2 α − cos α )
d2 (
a 2 1 − 3 cos 2 α + 2 cos 3 α )
2
sin θ =
( ) (
λ 2 h 2 + k 2 + l 2 sin 2 α + 2( hk + kl + hl ) cos 2 α − cos α )
4 (
a 2 1 − 3 cos 2 α + 2 cos 3 α )
20-9-2006 78
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Xác định cấu trúc tinh thể
Chỉ số giao thoa của 10 cực đại đầu tiên của giản đồ nhiễu xạ tia X
Số thứ tự 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
LPĐG H2 + K2 + L2 1 2 3 4 5 6 8 9 10 11
HKL 100 110 111 200 210 211 220 300 310 311
221
LPTK H2 + K2 + L2 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
HKL 110 200 211 220 310 222 321 400 411 420
330
LPTM H2 + K2 + L2 3 4 8 11 12 16 19 20 24 27
HKL 111 200 220 311 222 400 331 420 422 333
511
KC H2 + K2 + L2 3 8 11 16 19 24 27 32 35 40
HKL 111 220 311 400 331 422 333 440 531 620
511
20-9-2006 79
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Xác định cấu trúc tinh thể
Đối với mạng lập phương:
LPĐG 1 : 2 : 3 : 4 : 5 : 6 : 8 : 9 : 10 : 11
LPTK 1 : 2 : 3 : 4 : 5 : 6 : 7 : 8 : 9 : 10
LPTM 1: 1,33 : 2,66 : 3,67 : 4 : 5,33 : 6,33 : 6,67 : 8 : 9
Kim cương 1: 2,66 : 3,67 : 5,33 : 6,33 : 8 : 9 : 10,67 : 11,67 : 13,33
20-9-2006 80
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Xác định cấu trúc tinh thể
20-9-2006 81
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Xác định cấu trúc tinh thể
H2 + K2 + L2
STT 2θ (o) sin2θ Q Gần đúng Chính xác HKL a ∆a
1
2
3
4
…
20-9-2006 82
1
2 4
3
Ví dụ:
5 78
λ = 0.559 Å 6
9 10 12
11 13
H2 + K2 + L2
STT 2θ (O) sin2θ Q Gần đúng Chính xác HKL a ∆a
20-9-2006 83
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Xác định cấu trúc tinh thể
Chú ý:
Giá trị Q của mạng lptk và lpđg rất giống nhau. Để quy kết tinh thể
đang xét là lptk hay lpđg ngoài việc nhận biết pic số 7 (ở lpđg Q = 8
nhưng ở lptk Q = 7), người ta còn dựa vào cường độ pic. Ở lpđg, pic
thứ hai trong hai pic đầu có cường độ lớn hơn, còn ở lptk thì pic thứ
nhất có cường độ lớn hơn.
Sai số xác định a trong gần đúng bậc nhất có thể tính theo công thức:
∆a = a.cotgθ.∆θ
∆a phụ thuộc vào θ nên không thể lấy trung bình các giá trị a nhận
được từ mỗi pic. Thường người ta lấy giá trị a ứng với pic có góc lớn
nhất hoặc trung bình các giá trị ứng với hai pic cuối cùng với θ> 70o
hoặc vẽ đồ thị a = f(θ) rồi ngoại suy độ lớn của a đến θ = 90o
20-9-2006 84
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Bài tập 1
20-9-2006 85
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Bài tập 2
20-9-2006 86
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Bài tập 3
20-9-2006 87
20-9-2006 88
PHƯƠNG PHÁP BỘT
Ghi nhận tia nhiễu xạ bằng phim ảnh
20-9-2006 89
Any lattice vector r in a real lattice can be written as:
r = n1a + n2b + n3c
where ni are integers and a, b and c are the unit vectors describing the
lattice.
These real space lattice vectors correspond to directions in the crystal.
The lattice vector can also be written as:
r = ua + vb + wc
where u, v and w are the components of the direction indexF[uvw].
unit cell (S)
20-9-2006
g = ha* + kb* + lc*
hkl
90
20-9-2006 91
20-9-2006 92
20-9-2006 93
Experiment of Laue 1912
X-ray diffraction by a single crystal
20-9-2006 94
Max Theodor Felix von Laue
20-9-2006 95