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大面積平面與曲面寬頻抗反射層的研發
研究成果報告(精簡版)
計 畫 類 別 : 個別型
計 畫 編 號 : NSC 95-2221-E-002-325-
執 行 期 間 : 95 年 08 月 01 日至 96 年 09 月 30 日
執 行 單 位 : 國立臺灣大學光電工程學研究所
計 畫 主 持 人 : 王倫
計畫參與人員: 博士班研究生-兼任助理:陳永彬
碩士班研究生-兼任助理:李煜斌、李昭德
報 告 附 件 : 出席國際會議研究心得報告及發表論文
處 理 方 式 : 本計畫涉及專利或其他智慧財產權,1 年後可公開查詢
中 華 民 國 97 年 02 月 04 日
行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告
大面積平面與曲面寬頻抗反射層的研發
計畫類別: 專題研究計畫
計畫編號: NSC 95-2221-E-002-325
執行期間: 95年 08月 01日至 96年 09月 30日
執行單位: 國立臺灣大學光電工程研究所
計畫主持人: 王倫
計畫參與人員:陳永彬、李煜斌、李昭德、王倫
報告類型:完整報告
處理方式:
二、研究目的
目前發展中的太陽能電池提高其轉換效率是必然的趨勢,我們擬從光學角度切
入,所以在此計畫中製作 1D 或 2D 的週期性次波長等級的細微結構,使得在寬頻的
波段具有抗反射的效果,並能夠由小面積的光學干涉方法製作出大面積次波長週期
性結構。本計畫以光學微影術小面積圖案銜接成大面積圖案為構思,而以完成在平
面與圓曲面玻璃上壓印抗反射層為依歸,目的是增加光的穿透率有助太陽能電池的
整體轉換效率。
三、研究方法
1. 首先利用嚴格偶合波理論(rigorous coupled-wave analysis, RCWA)對於週期性次
波長微結構做理論模擬,對於結構的形狀與尺度做抗反射的模擬分析,在此使用
G-solver 這套軟體做模擬計算,以確認結構週期的設計範圍。
2. 硬體架設上,使用本實驗室傳統之雙光束干涉微影系統,是以氬離子雷射(351nm)
做為光源,並經由各項光學元件組合成一套擴束系統,如圖 1 所示,接著將已經
擴束的光束透過一稜鏡轉為垂直於光學桌面傳播,在一垂直桌面的光學板上架設
干涉光路系統,由圖 2 所示,轉為垂直傳播之光束入射於一分光鏡,分離為兩道
同能量的光束,接著利用兩面反射鏡控制入射角,使光束重合干涉於一塗佈光阻
之矽基板上,形成干涉條紋。
3. 曝光基板則是置放於一可二維移動之高精密平台,如圖 2 所示,包含兩個長形成
線性馬達平台與一三軸壓電平台,第一次干涉曝光後,藉由此平台之精密平面位
移,並以干涉儀系統精密測量平台位移距離,移動整數倍干涉條紋週期的步進距
離,並進行第二次曝光,使干涉條紋恰好疊合,如此重複移動與曝光,完成預定
的曝光區域範圍後,將試片做 90 度旋轉,將上述曝光與步進移動之程序再執行
一次,藉由控制曝光劑量,可形成二維點陣列或孔洞陣列的圖案,形成大面積之
週期性次微米結構。
Beam Steering
Mirrors Laser Shutter Spatial Filter Collimated Lens
Angle
PSD
Prism
Lens PSD
Controller
Beam
Splitter
Position PSD
圖 1 水平於光學桌面之光學系統
Iris
Beam
Splitter Interferometer
System
Prism
Motion Stage
System
圖 2 於一垂直光學板之光學系統以及位移平台系統與干涉儀測量系統
4. 於已形成二維週期性次微米結構圖案的基板上,利用電子束蒸鍍的方式鍍上一層
約 30nm 的鉻金屬層,再透過移除光阻層後即獲得以鉻為蝕刻遮罩之二維週期性
次微米結構,接著使用 RIE 蝕刻矽基材,最後移除鉻金屬層,使矽基材表面形
成具週期性次微米結構之抗反射層,圖 3 為於平面矽基板製作週期性次微米結構
之流程圖。
圖 3 製作平面週期性次微米結構流程圖
5. 由於欲在圓曲面上製做結構層,在設計上擬利用奈米壓印的技術,配合熱成型術
預先製作符合曲面模具之預成型氣密膜,預先製作與曲面基材表面形狀相符合之
金屬公/母模,使用一熱塑性塑膠膜加熱至 Tg 點且以金屬公/母模夾合施壓,接著
降溫達室溫狀態下,即可獲得一預成型塑膠膜,製作流程如圖 4 所示,可於壓印
時提供較為均勻的壓力分布。
圖 4 預成型塑膠氣密膜製作流程圖 [1]
6. 在本實驗中所使用之曲面模具是錶玻璃(直徑 62mm,曲率半徑 92.5mm),為了
避免於壓印過程中,因壓力過大導致玻璃基材破裂,利用 PDMS 翻製一軟性襯
墊,襯墊內側恰好符合曲面基材之形狀,可使曲面基材服貼地置入。另外軟性襯
墊亦可有效幫助光阻塗佈於曲面基材上,因軟性襯墊一面是為置放曲面基材,另
外一面可被吸附於旋轉塗佈機,所以此襯墊可有效地成為一個中介層,使用傳統
的旋轉塗佈機即可做曲面基材的光阻塗佈。
圖 5 紫外光固化式曲面壓印週期性次微米結構示意圖 [2]
8. 接著由光譜儀做一般矽基材與玻璃材料,以及表面具週期性次微米結構之平面矽
基材與曲面玻璃基材的反射率測量,波長頻寬以可見光波段(400nm~700nm)為
主,量測其抗反射效果。
四、研究結果
1. 利用 G-solver 做週期性次微米結構之反射率的模擬結果,以 300nm 週期為設計
的參數,圖 6 為純平面矽基板、抗反射鍍膜與抗反射結構層之反射率比較圖,可
發現雖然抗反射鍍膜有最低反射率的表現,但是其頻寬較窄,而次波長之抗反射
結構擁有較寬頻之抗反射效果。
圖 6 純矽基板、抗反射鍍膜與抗反射結構層(週期 300nm,深度 800nm)之反射率比
較圖
2. 圖 7 為二維的週期性次微米光阻結構,使用的光阻屬於正光阻,兩次的干涉曝光
劑量控制均為稍微過度,如此即僅干涉暗紋的交叉區域會留下,形成如(a)之二
維點陣列;若兩次曝光劑量恰好為正常劑量之ㄧ半,則僅會將干涉亮紋的交叉區
域顯影移除,形成如(b)之二維孔洞陣列。
(a) (b)
圖 7 二維週期性次微米光阻結構,(a) 二維點陣列;(b) 二維孔洞陣列
3. 將光阻二維孔洞陣列鍍上鉻金屬層,再把光阻層移除形成二維點陣列之鉻金屬蝕
刻遮罩,經 RIE 蝕刻後,於矽基材表面形成高深寬比之二維週期性次微米結構,
如圖 8 所示。
圖 8 矽基材表面之二維週期性次微米結構 [2]
4. 預成型氣密膜可於曲面壓印時提供較為均勻之壓力分布,如圖 9 所示,(a)是使
用預成型膜於曲面基材上施壓於一壓力感測膜(Fuji Prescale Film, Japan),明顯地
壓力分佈非常均勻,施加的氣壓強度為 20kgf/cm2,感壓膜片由內而外之壓力分
佈為 19.6±0.80 kgf/cm2。(b)為直接將感壓膜以相同之氣壓值施壓於曲面基材上,
可發現壓力分佈均勻性分布相當不均勻。由此可看出預成型氣密膜於曲面壓印
上,確實可提供均壓的特性。
(a) 利用預成型膜於曲面基材上對一壓力感測膜施壓,其壓力分布均勻性佳
(b) 直接將壓力感測膜於曲面上壓印,其壓力內外分布明顯不均
圖 9 利用壓力感測膜對有無預成型氣密膜於曲面壓印時之壓力分佈均勻性測量 [3]
5. 圖 10 為二維週期性次微米結構壓印於曲面基材之光阻結構圖。
圖 10 曲面基材之二維週期性次微米光阻結構
6. 使用光譜儀(U3501, Hitachi)對具週期性次微米結構之平面矽基材做反射率之量
測,圖 11 是量測圖譜,相較於單純矽基材,反射率明顯有下降,然因於蝕刻矽
基材時,蝕刻的情況並未如預期設計之效果,使形成之次微米結構並非如模擬設
計時是呈現上窄下寬漸變的結構,所以抗反射效果表現不是很好。
圖 11 平面矽基材與表面具抗反射結構層之矽基材反射率頻譜比較圖
7. 由於曲面基材的抗反射結構是製作於光阻上,因此反射率測量之對比試片同樣為
塗佈光阻之曲面玻璃基材,其表面未有任何微結構,與具週期性次微米結構之曲
面玻璃基材做反射率頻譜量測,如圖 12 所示,具有抗反射結構層之曲面基材確
實有較低之反射率。
圖 12 塗佈光阻之曲面玻璃基材與表面具抗反射結構層之曲面玻璃基材反射率頻譜
比較圖
五、計畫結果自評
利用干涉微影術,可以快速地製作出二維週期性次微米結構,且利用蝕刻將結
構轉移至矽基材上,可於表面形成出抗反射結構層,並經實際測量,確實具有抗反
射之效果。
由自行設計之曲面奈米壓印技術,能夠利用傳統之旋轉塗佈機於曲面基材上塗
佈光阻,且利用預成型之氣密膜可提供均勻的壓力,使週期性次微米結構完整壓印
於曲面上,同樣地,於曲面上製作二維週期性次微米結構亦有抗反射效果。
六、致謝
在此特別感謝本實驗室之博士後研究員張哲豪博士,於此計畫的各項研究協助。
七、參考文獻
[1] J. H. Chang, Y. P. Lee, Y. P. Chen and L. A. Wang, “Patterning on Non-planar
Substrates by Combining Thermoforming and Nanoimprint Technologies,” 33rd
International Conference on Micro- and Nano-Engineering, 2007.
[2] C. T. Lee, Y. P. Chen, J. H. Chang, and L. A. Wang, “Fabrication of antireflection
structures on flat and curved substrates by interference lithography and nanoimprint
technique,” 20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference,
2007.
[3] J. H. Chang, Y. P. Lee, Y. P. Chen and L. A. Wang, “Evaluation of Pressure
Uniformity by Using a Pressure-Sensitive Film on Curved Nanoimprint
Lithography,” Nanoprint & Nanoimprint Technology Conference, 2007.
2007 年通信、電路與系統國際會議(2007 ICCCAS)
王倫
台灣大學光電所與電機系
2007.7
一、參加會議過程
2007 年通信、電路與系統國際學術會議 (International Conference on
Communications, Circuits and Systems, ICCCAS ),於七月十一日至十三日在日本
九州小倉(Kokura)的國際會議中心舉行。會議中心近海,造型特殊,能容納數
百人,樓分三層,可同時進行不同議程。本會議有三個主軸即通信、電路與系統,
而各主軸含蓋範圍相當廣泛,大會報告總計投稿論文數約近兩百篇,接受率約
60%,故總計發表論文約一百多篇,全部以口頭報告方式進行。與會者以大陸學
者居多,日本人次之,來自臺灣的計有台大王勝德教授,台科大廖顯奎教授,成
大張耀堂博士,台大曹恆偉教授的一位碩士生與我計五人,共發表 8 篇文章。另
外,也有幾位來自歐美。值得一提的是這 8 篇文章,有 5 篇登記角逐最佳論文,
其中 2 篇得獎,由台大電機系王勝德教授與曹恆偉教授團隊獲得。
本會議由華人發起,已辦了四屆,隸屬於 IEEE 的活動,亦由中國的許
多學術組織支持。成都電子科技大學是主要推手,大體而言科技大學參加較多,
但上一屆大陸著名高校也加入。會後我曾就我的觀察請教主辦單位,了解到大陸
的學制與臺灣不同,據云其高考(即聯考)分發,是先分發軍事系統的科技大學
接著才是一般大學,所以我的推論是有些資質較好的學生或因家境貧困為這些科
大所吸收,會議地點選擇一次在中國一次在海外,每年輪替。本來今年預計在新
加坡舉行,但後來卻改在日本由九州市立大學主辦。明年預計在成都舉行,由推
手成都電子科技大學主辦。據說想主辦之單位多,競爭激烈,但目前仍需加油,
才能達到國際水準。我是第二次參加該會議,且獲邀擔任大會議程之一光學與寬
頻通信(Optical and Broadband Communication)的共同主席,這裡再次特別感謝幾
位朋友無怨無悔的幫忙,他們分布在新加坡、香港、加拿大、中國大陸、美國地
區任職學、產界,他們先在此會議擔任幹部,再由他們去找技術委員(TPC),
大家一起邀稿與審稿完成任務。這些過程中,我的博士生也幫我處理不少雜事,
亦一併感謝。在會議中我也同時擔任最佳論文的評審員之ㄧ。
光 學 寬 頻 通 信 議 程 中 包 括 Optical Access Network , Optical Packet
Switching/Optical Burst Switching , Optical Network Protection, Restoration,
Architecture and Applications, Optical Processing Systems and Optical Modulation
Formats, WDM Transmission Systems, Electronic Mitigation of Transmission
Impairments, Integrated Optical/Wireless Access, ADSLVDSL and Broadband
Applications, Optical Fiber, Fiber and Optoelectronic Devices, Other Topics Related
to Optical and Wideband communications 等課題。
此次大會講員(Keynote Speaker)共有二位,一位大陸學者,一位日本
學者。原本預定由成都電子科技大學林為乾講一種特殊波導,但因故無法出席,
仍改由該校另一位教授講述一種特殊半導體元件特性。個人認為內容過於狹隘,
且英文表達有障礙,大會在這方面安排欠妥,特別是第一位開場白。接下來由日
本Kogakuin大學的Koichi Astani教授講“Next Generation Networks──Soultions or
Challenges?” Astani是IEEE Fellow,曾在NTT工作過許多年,也曾來過台北參加
Globecom年會,為人隨和風趣,會後有機會閒聊,才了解他目前服務的學校是
位在寸土寸金的東京,學校本身是一棟高樓,借著電梯上下來上班與上課,如此
的學校在台灣還真難以想像。
我們這次延續去年的工作,報導「Method of Improving the Yield of
Corrugated Fiber Grating’s Fabrication」,可惜此工作完成的碩士生已畢業,未能
成行。同時台科大廖顯奎教授與我也共同主持一個議程。ICCCAS值得讓博士生
在進一步參加大型國際會議之前,前來練功與擴大視野。例如此次,成都電子科
技大學便有許多博士生前來,住在高消費額的旅館,出入有人領導指揮,仿若一
支軍隊,他們會後預定一起去參觀熊本才回成都。成都與小倉或北九州市是姊妹
市,所以開幕致詞、晚宴與頒獎皆請北九州市市長蒞臨致詞,他身高超過一米七
五,在日本是少見的,且開會期間正值颱風將至,風雨中他都撥冗參加,主辦單
位與該市情誼頗深,可見一斑。成電虞本厥教授是歷屆大會的策劃人,為人謙和,
善組織,交際佳,英文能力強,雖年齡較長,但配合學生輩幫忙,總能一屆屆推
動下去。