Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

PREDAVANJE 5. - Bipolarni tranzistori

ELEKTRONIČKI ELEMENTI I SKLOPOVI

Doc.dr Senad Huseinbegović

Elektrotehnički fakultet Univerziteta u Sarajevu

21. mart 2016

Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

1 Tranzistori

2 Bipolarni tranzistori

3 Raspodjela struja kod bipolarnog tranzistora u osnovnoj polarizaciji

4 Statičke karkateristike tranzistora

5 Režimi rada tranzistora

Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Tranzistor (eng. Transistor) je poluprovodnička komponenta koja je

otkrivena 1947. godine.
Sama riječ tranzistor predstavlja skraćenicu od engleskih riječi
TRANSfer resISTOR, što u prevodu znači promjenjivi otpor.
Osnovna podjela tranzistora je na dva tipa: bipolarni tranzistor (eng.
Bipolar Junction Transistor – BJT) i tranzistori s efektom polja (eng.
Field Effect Transistor - FET).
Prvi bipolarni tranzistori su bili proizvedeni od dopiranog germanija, dok
prvi silicijski tranzistor 1954. godine (Texas Instruments).
Prvi unipolarni tranzstor tipa MOS (eng. Metal Oxide Semiconductor)
proizveden je već 1960. godine.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Tranzistor (eng. Transistor) je poluprovodnička komponenta koja je

otkrivena 1947. godine.
Sama riječ tranzistor predstavlja skraćenicu od engleskih riječi
TRANSfer resISTOR, što u prevodu znači promjenjivi otpor.
Osnovna podjela tranzistora je na dva tipa: bipolarni tranzistor (eng.
Bipolar Junction Transistor – BJT) i tranzistori s efektom polja (eng.
Field Effect Transistor - FET).
Prvi bipolarni tranzistori su bili proizvedeni od dopiranog germanija, dok
prvi silicijski tranzistor 1954. godine (Texas Instruments).
Prvi unipolarni tranzstor tipa MOS (eng. Metal Oxide Semiconductor)
proizveden je već 1960. godine.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Tranzistor (eng. Transistor) je poluprovodnička komponenta koja je

otkrivena 1947. godine.
Sama riječ tranzistor predstavlja skraćenicu od engleskih riječi
TRANSfer resISTOR, što u prevodu znači promjenjivi otpor.
Osnovna podjela tranzistora je na dva tipa: bipolarni tranzistor (eng.
Bipolar Junction Transistor – BJT) i tranzistori s efektom polja (eng.
Field Effect Transistor - FET).
Prvi bipolarni tranzistori su bili proizvedeni od dopiranog germanija, dok
prvi silicijski tranzistor 1954. godine (Texas Instruments).
Prvi unipolarni tranzstor tipa MOS (eng. Metal Oxide Semiconductor)
proizveden je već 1960. godine.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Tranzistor (eng. Transistor) je poluprovodnička komponenta koja je

otkrivena 1947. godine.
Sama riječ tranzistor predstavlja skraćenicu od engleskih riječi
TRANSfer resISTOR, što u prevodu znači promjenjivi otpor.
Osnovna podjela tranzistora je na dva tipa: bipolarni tranzistor (eng.
Bipolar Junction Transistor – BJT) i tranzistori s efektom polja (eng.
Field Effect Transistor - FET).
Prvi bipolarni tranzistori su bili proizvedeni od dopiranog germanija, dok
prvi silicijski tranzistor 1954. godine (Texas Instruments).
Prvi unipolarni tranzstor tipa MOS (eng. Metal Oxide Semiconductor)
proizveden je već 1960. godine.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Tranzistor (eng. Transistor) je poluprovodnička komponenta koja je

otkrivena 1947. godine.
Sama riječ tranzistor predstavlja skraćenicu od engleskih riječi
TRANSfer resISTOR, što u prevodu znači promjenjivi otpor.
Osnovna podjela tranzistora je na dva tipa: bipolarni tranzistor (eng.
Bipolar Junction Transistor – BJT) i tranzistori s efektom polja (eng.
Field Effect Transistor - FET).
Prvi bipolarni tranzistori su bili proizvedeni od dopiranog germanija, dok
prvi silicijski tranzistor 1954. godine (Texas Instruments).
Prvi unipolarni tranzstor tipa MOS (eng. Metal Oxide Semiconductor)
proizveden je već 1960. godine.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Tranzistor (eng. Transistor) je poluprovodnička komponenta koja je

otkrivena 1947. godine.
Sama riječ tranzistor predstavlja skraćenicu od engleskih riječi
TRANSfer resISTOR, što u prevodu znači promjenjivi otpor.
Osnovna podjela tranzistora je na dva tipa: bipolarni tranzistor (eng.
Bipolar Junction Transistor – BJT) i tranzistori s efektom polja (eng.
Field Effect Transistor - FET).
Prvi bipolarni tranzistori su bili proizvedeni od dopiranog germanija, dok
prvi silicijski tranzistor 1954. godine (Texas Instruments).
Prvi unipolarni tranzstor tipa MOS (eng. Metal Oxide Semiconductor)
proizveden je već 1960. godine.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Bipolarni tranzistor (eng. Bipolar Junction Transistor – BJT) je

poluprovodnička komponenta koja se sastoji od tri dopirane
poluprovodničke.

Termin bipolarni se koristi zbog struja koje teku kroz poluprovodničke

oblasti, a posljedica su i elektrona i šupljina.
Tri poluprovodničke oblasti se nazivaju emiter (eng. Emitter), baza
(eng. Base) i kolektor (eng. Collector), između kojih se nalaze dva pn
metalurška spoja.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Bipolarni tranzistor (eng. Bipolar Junction Transistor – BJT) je

poluprovodnička komponenta koja se sastoji od tri dopirane
poluprovodničke.

Termin bipolarni se koristi zbog struja koje teku kroz poluprovodničke

oblasti, a posljedica su i elektrona i šupljina.
Tri poluprovodničke oblasti se nazivaju emiter (eng. Emitter), baza
(eng. Base) i kolektor (eng. Collector), između kojih se nalaze dva pn
metalurška spoja.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Bipolarni tranzistor (eng. Bipolar Junction Transistor – BJT) je

poluprovodnička komponenta koja se sastoji od tri dopirane
poluprovodničke.

Termin bipolarni se koristi zbog struja koje teku kroz poluprovodničke

oblasti, a posljedica su i elektrona i šupljina.
Tri poluprovodničke oblasti se nazivaju emiter (eng. Emitter), baza
(eng. Base) i kolektor (eng. Collector), između kojih se nalaze dva pn
metalurška spoja.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Bipolarni tranzistor (eng. Bipolar Junction Transistor – BJT) je

poluprovodnička komponenta koja se sastoji od tri dopirane
poluprovodničke.

Termin bipolarni se koristi zbog struja koje teku kroz poluprovodničke

oblasti, a posljedica su i elektrona i šupljina.
Tri poluprovodničke oblasti se nazivaju emiter (eng. Emitter), baza
(eng. Base) i kolektor (eng. Collector), između kojih se nalaze dva pn
metalurška spoja.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Poluprovodničke oblasti se prave s različitim koncentracijama primjesa,

tako da je emiter najjače dopiran, kolektor nešto slabije, a baza
najslabije.
U zavisnosti gdje su formirani ti spojevi, oni se nazivaju baza-emiter BE
spoj i baza-kolektor BC spoj.
U zavisnosti od tehnološke realizacije, razlikuju se dva tipa bipolarnih
tranzistora npn tranzistor i pnp tranazistor.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Poluprovodničke oblasti se prave s različitim koncentracijama primjesa,

tako da je emiter najjače dopiran, kolektor nešto slabije, a baza
najslabije.
U zavisnosti gdje su formirani ti spojevi, oni se nazivaju baza-emiter BE
spoj i baza-kolektor BC spoj.
U zavisnosti od tehnološke realizacije, razlikuju se dva tipa bipolarnih
tranzistora npn tranzistor i pnp tranazistor.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Poluprovodničke oblasti se prave s različitim koncentracijama primjesa,

tako da je emiter najjače dopiran, kolektor nešto slabije, a baza
najslabije.
U zavisnosti gdje su formirani ti spojevi, oni se nazivaju baza-emiter BE
spoj i baza-kolektor BC spoj.
U zavisnosti od tehnološke realizacije, razlikuju se dva tipa bipolarnih
tranzistora npn tranzistor i pnp tranazistor.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Poluprovodničke oblasti se prave s različitim koncentracijama primjesa,

tako da je emiter najjače dopiran, kolektor nešto slabije, a baza
najslabije.
U zavisnosti gdje su formirani ti spojevi, oni se nazivaju baza-emiter BE
spoj i baza-kolektor BC spoj.
U zavisnosti od tehnološke realizacije, razlikuju se dva tipa bipolarnih
tranzistora npn tranzistor i pnp tranazistor.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Osnovna polarizacija omogućava protok struje kroz npn (pnp) tranzistor

od kolektora (emitera) ka emiteru (kolektoru), pri čemu se intenzitet te
struje podešava preko baze.

Direktna polarizacija spoja emiter-baza naponom VBE će smanji širinu

osiromašene.
Inverzna polarizacija spoja baza-kolektor naponom VBC će povećati
širinu osiromašene.
Zbog polarizacija, osiromašena oblast spoja baza-emiter je uža od
osiromašene oblasti spoja baza-kolektor.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Osnovna polarizacija omogućava protok struje kroz npn (pnp) tranzistor

od kolektora (emitera) ka emiteru (kolektoru), pri čemu se intenzitet te
struje podešava preko baze.

Direktna polarizacija spoja emiter-baza naponom VBE će smanji širinu

osiromašene.
Inverzna polarizacija spoja baza-kolektor naponom VBC će povećati
širinu osiromašene.
Zbog polarizacija, osiromašena oblast spoja baza-emiter je uža od
osiromašene oblasti spoja baza-kolektor.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Osnovna polarizacija omogućava protok struje kroz npn (pnp) tranzistor

od kolektora (emitera) ka emiteru (kolektoru), pri čemu se intenzitet te
struje podešava preko baze.

Direktna polarizacija spoja emiter-baza naponom VBE će smanji širinu

osiromašene.
Inverzna polarizacija spoja baza-kolektor naponom VBC će povećati
širinu osiromašene.
Zbog polarizacija, osiromašena oblast spoja baza-emiter je uža od
osiromašene oblasti spoja baza-kolektor.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Osnovna polarizacija omogućava protok struje kroz npn (pnp) tranzistor

od kolektora (emitera) ka emiteru (kolektoru), pri čemu se intenzitet te
struje podešava preko baze.

Direktna polarizacija spoja emiter-baza naponom VBE će smanji širinu

osiromašene.
Inverzna polarizacija spoja baza-kolektor naponom VBC će povećati
širinu osiromašene.
Zbog polarizacija, osiromašena oblast spoja baza-emiter je uža od
osiromašene oblasti spoja baza-kolektor.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Osnovna polarizacija omogućava protok struje kroz npn (pnp) tranzistor

od kolektora (emitera) ka emiteru (kolektoru), pri čemu se intenzitet te
struje podešava preko baze.

Direktna polarizacija spoja emiter-baza naponom VBE će smanji širinu

osiromašene.
Inverzna polarizacija spoja baza-kolektor naponom VBC će povećati
širinu osiromašene.
Zbog polarizacija, osiromašena oblast spoja baza-emiter je uža od
osiromašene oblasti spoja baza-kolektor.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

IC = ICn + ICp
IE = IEn + IEp
IB = Ir + IEp − ICp

IEn + IEp = ICn + ICp + Ir + IEp − ICp

IEn = ICn + Ir

1 1−α
ICn = α IEn Ir = ICn − ICn = ICn
α α
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

IC = ICn + ICp
IE = IEn + IEp
IB = Ir + IEp − ICp

IEn + IEp = ICn + ICp + Ir + IEp − ICp

IEn = ICn + Ir

1 1−α
ICn = α IEn Ir = ICn − ICn = ICn
α α
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

IC = ICn + ICp
IE = IEn + IEp
IB = Ir + IEp − ICp

IEn + IEp = ICn + ICp + Ir + IEp − ICp

IEn = ICn + Ir

1 1−α
ICn = α IEn Ir = ICn − ICn = ICn
α α
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

IC = ICn + ICp
IE = IEn + IEp
IB = Ir + IEp − ICp

IEn + IEp = ICn + ICp + Ir + IEp − ICp

IEn = ICn + Ir

1 1−α
ICn = α IEn Ir = ICn − ICn = ICn
α α
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Kolektorska struja IC se može aproksimirati strujom elektrona kolektora

ICn pod uslovom da se inverzna struja zasićenja znatno smanji - povećati
polarizacije VBC
Kolektorska struja IE se može aproksimirati strujom elektrona kolektora
IEn pod uslovom da struja elektrona IEn bude znatno veća od struje
šupljina IEp - jače dopirati emitersku oblast.
Bazna struja IB će biti znatno manja od kolektorske struje IC ako
elektroni koji dolaze iz emitera se kraće zadržavaju u bazi i manje se
rekombiniraju - smanjiti širinu bazne oblasti.

IC α I
α= β= = C
IE 1−α IB

Parametra α je faktor pojačanja približno jednak jedinici(0.95 − 0.99),

dok je parametar β strujno pojačanje tranzistora (α  β).
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Kolektorska struja IC se može aproksimirati strujom elektrona kolektora

ICn pod uslovom da se inverzna struja zasićenja znatno smanji - povećati
polarizacije VBC
Kolektorska struja IE se može aproksimirati strujom elektrona kolektora
IEn pod uslovom da struja elektrona IEn bude znatno veća od struje
šupljina IEp - jače dopirati emitersku oblast.
Bazna struja IB će biti znatno manja od kolektorske struje IC ako
elektroni koji dolaze iz emitera se kraće zadržavaju u bazi i manje se
rekombiniraju - smanjiti širinu bazne oblasti.

IC α I
α= β= = C
IE 1−α IB

Parametra α je faktor pojačanja približno jednak jedinici(0.95 − 0.99),

dok je parametar β strujno pojačanje tranzistora (α  β).
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Kolektorska struja IC se može aproksimirati strujom elektrona kolektora

ICn pod uslovom da se inverzna struja zasićenja znatno smanji - povećati
polarizacije VBC
Kolektorska struja IE se može aproksimirati strujom elektrona kolektora
IEn pod uslovom da struja elektrona IEn bude znatno veća od struje
šupljina IEp - jače dopirati emitersku oblast.
Bazna struja IB će biti znatno manja od kolektorske struje IC ako
elektroni koji dolaze iz emitera se kraće zadržavaju u bazi i manje se
rekombiniraju - smanjiti širinu bazne oblasti.

IC α I
α= β= = C
IE 1−α IB

Parametra α je faktor pojačanja približno jednak jedinici(0.95 − 0.99),

dok je parametar β strujno pojačanje tranzistora (α  β).
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Kolektorska struja IC se može aproksimirati strujom elektrona kolektora

ICn pod uslovom da se inverzna struja zasićenja znatno smanji - povećati
polarizacije VBC
Kolektorska struja IE se može aproksimirati strujom elektrona kolektora
IEn pod uslovom da struja elektrona IEn bude znatno veća od struje
šupljina IEp - jače dopirati emitersku oblast.
Bazna struja IB će biti znatno manja od kolektorske struje IC ako
elektroni koji dolaze iz emitera se kraće zadržavaju u bazi i manje se
rekombiniraju - smanjiti širinu bazne oblasti.

IC α I
α= β= = C
IE 1−α IB

Parametra α je faktor pojačanja približno jednak jedinici(0.95 − 0.99),

dok je parametar β strujno pojačanje tranzistora (α  β).
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Kolektorska struja IC se može aproksimirati strujom elektrona kolektora

ICn pod uslovom da se inverzna struja zasićenja znatno smanji - povećati
polarizacije VBC
Kolektorska struja IE se može aproksimirati strujom elektrona kolektora
IEn pod uslovom da struja elektrona IEn bude znatno veća od struje
šupljina IEp - jače dopirati emitersku oblast.
Bazna struja IB će biti znatno manja od kolektorske struje IC ako
elektroni koji dolaze iz emitera se kraće zadržavaju u bazi i manje se
rekombiniraju - smanjiti širinu bazne oblasti.

IC α I
α= β= = C
IE 1−α IB

Parametra α je faktor pojačanja približno jednak jedinici(0.95 − 0.99),

dok je parametar β strujno pojačanje tranzistora (α  β).
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Za rad tranzistora su bitne tri struje IE , IB i IC , te tri napona: napon

baza-emiter VBE , napon baza-kolektor VBC i napon kolektor-emiter VCE .

Ako se jedan od izvoda proglasi zajedničkim, onda se tranzistor može

predstaviti kao četveropol.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Za rad tranzistora su bitne tri struje IE , IB i IC , te tri napona: napon

baza-emiter VBE , napon baza-kolektor VBC i napon kolektor-emiter VCE .

Ako se jedan od izvoda proglasi zajedničkim, onda se tranzistor može

predstaviti kao četveropol.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Tri šeme spoja tranzistora kao četveropola su moguće: spoj sa

zajedničkom bazom (ZB), spoj sa zajedničkim emiterom (ZE) i spoj sa
zajedničkim kolektorom (ZC).

U svakom spoju postoje dvije struje i dva napona koji su međusobno

povezani.
Veza među njima se može opisati statičkim karkateristikama.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Tri šeme spoja tranzistora kao četveropola su moguće: spoj sa

zajedničkom bazom (ZB), spoj sa zajedničkim emiterom (ZE) i spoj sa
zajedničkim kolektorom (ZC).

U svakom spoju postoje dvije struje i dva napona koji su međusobno

povezani.
Veza među njima se može opisati statičkim karkateristikama.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Tri šeme spoja tranzistora kao četveropola su moguće: spoj sa

zajedničkom bazom (ZB), spoj sa zajedničkim emiterom (ZE) i spoj sa
zajedničkim kolektorom (ZC).

U svakom spoju postoje dvije struje i dva napona koji su međusobno

povezani.
Veza među njima se može opisati statičkim karkateristikama.
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Zbog izrazite nelinearnosti statičke karkateristike se u praksi obično

određuju eksperimentalnim putem.

Statička karakteristika ulaznog kruga - ulazna karakteristika tranzistora

Statička karakteristika izlaznog kruga - izlazna karakteristika tranzistora
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Zbog izrazite nelinearnosti statičke karkateristike se u praksi obično

određuju eksperimentalnim putem.

Statička karakteristika ulaznog kruga - ulazna karakteristika tranzistora

Statička karakteristika izlaznog kruga - izlazna karakteristika tranzistora
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Zbog izrazite nelinearnosti statičke karkateristike se u praksi obično

određuju eksperimentalnim putem.

Statička karakteristika ulaznog kruga - ulazna karakteristika tranzistora

Statička karakteristika izlaznog kruga - izlazna karakteristika tranzistora
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT
Tranzistori BJT tranzistori Struje kod BJT tranzistora Karakteristike BJT Režimi BJT

Polarizacija
Polarizacija
spoja baza − emiter
spoja baza − kolektor
Direktna Inverzna
Direktna Zasicenje Inverzna
Direktna aktivna oblast
Inverzna Zakocenje
aktivna oblast