You are on page 1of 1

UNIVERZITET U BIHAĆU

TEHNIČKI FAKULTET BIHAĆ


ELEKTROTEHNIKA/INFORMATIKA

I KOLOKVIJ IZ PREDMETA ELEKTRONIKA 1

IME I PREZIME STUDENTA, INDEKS:________________________________________


DATUM: 25.02.2020.

ZADATAK 1

Izvesti izraz za barijernu kapacitivnost i za širinu prijelazne oblasti skokovitog pn spoja. Izračunati širine prijelazne oblasti i
kapacitivnosti pn spoja u slučajevima nulte polarizacije, direktne polarizacije U=0.7 V i inverzn polarizacije UINV= -10 V.
Koncentracije akceptorskih i donorskih primjesa u Si diodi respektivno iznose NA=1019 cm-3 i ND=5·1015 cm-3. Površina
poprečnog presjeka iznosi S=0.1 mm2.

ZADATAK 2

Struja zasićenja pn-diode iznosi 10 pA. Serijski otpor neutralnih p i n strana iznose redom 5 Ω i 10 Ω. Koliki napon treba
priključiti na stezaljke dide da kroz nju poteče struja 10 mA.

ZADATAK 3

Za unipolarno kaskadno pojačalo poznato je: UDD=25 V, R1=10 MΩ. Tranzistori T1 I T2 imaju jednake parametre UGSO=3 V,
K=0.2 mA/V2 i λ=0.003 V-1. Prilikom određivanja statičke radne tačke zanemariti modulaciju dužine kanala. Odrediti:
a) Vrijednost otpornika RD1, ako je IDQ1=2.5 mA
b) Statičku radnu tačku tranzistora T2, ako je RD1=RD2
c) Naponsko pojačanje Av, AI i Avg
d) Ulazni i izlazni otpor Rul i Rizl

ZADATAK 4

Struktura i princip rada MOSFET-a i JFET-a.

You might also like