Elektronika

Auditorne vježbe 5
 Zadatak 17
Napon između točaka A i B na kombinaciji triju identičnih dioda (prema slici) iznosi UAB=38mV,
UT=25mV. Odrediti napone na diodama.
þ Rješenje:
1) 𝑈!" + 𝑈!# = 𝑈$% = 38mV
2) 𝑈!& = 𝑈!#
3) 𝑈!" = 𝑈$% − 𝑈!#
4) 𝐼!# = 𝐼!" + 𝐼!&
!"#$ !"#& "#'
5) 𝐼'# 𝑒 − 1 = 𝐼'" 𝑒
"% "% − 1 + 𝐼'& 𝑒 "% −1 ,-.

6) 𝐼'" = 𝐼'# = 𝐼'& 12) 𝑒,/ =𝑡

!"#$ !"#& "#' 13) 1,218𝑡 % − 𝑡 − 1 = 0
7) 𝑒 "% −1=𝑒 "% −1+𝑒 "% −1
'± '*+,,-
!"#$ !"()*"#$ "#$ 14) 𝑡',% = = 1,405
8) 𝑒 "% =𝑒 "% +𝑒 "% −1 %,+./
!"#$ !"() "#$ "#$ 15) 𝑈1% = 𝑈2 ln 𝑡
9) 𝑒 "% =𝑒 "% ,𝑒 "% +𝑒 "% −1 16) 𝑈1% = 25mV 1 ln 1,405
!"() $"#$ $"#$ "#$
10) 1=𝑒 "% 𝑒
"% +𝑒 "% −𝑒 "% 17) 𝑈1% = 8,5mV
$"#$ !"() "#$ 18) 𝑈1' = 29,5mV
11) 𝑒 "% 𝑒 "% +1 −𝑒 "% −1=0

Katedra za nanoelektroniku i 2
fotonaponsku pretvorbu
TRANZISTORI
Bipolarni tranzistor

3
 Bipolarni tranzistor
• Bipolar Junction Transistor (BJT)
• Aktivni elektronički element
• Aktivno djelovanje à primjena u sklopovima
pojačala, sklopke
• “Bipolarni” – rad tranzistora zasniva se na struji
elektrona i šupljina.
• Ustrojstvo à dvostruki pn spoj: pnp ili npn
• Tri poluvodička sloja:
– Emiter (E)
– Baza (B)
– Kolektor (C)

Katedra za nanoelektroniku i 4
fotonaponsku pretvorbu
 Ustrojstvo BJT-a

E p n p C

E n p n C

B
Katedra za nanoelektroniku i 5
fotonaponsku pretvorbu
 Osnovni mehanizmi rada BJT-a
• Utiskivanje (injekcija) manjinskih nosilaca iz emitera
• Prijenos (tranzit) manjinskih nosilaca kroz bazu
• Sakupljanje (kolekcija) manjinskih nosilaca na
kolektoru.

Katedra za nanoelektroniku i 6
fotonaponsku pretvorbu
 Područja rada BJT-a
• Normalno aktivno područje: (forward-active)
– Spoj E-B je polariziran propusno, C-B nepropusno
• Inverzno aktivno područje: (reverse-active)
– E-B je nepropusno, a C-B propusno polariziran
• Područje zasićenja: (saturation)
– E-B i C-B su propusno polarizirani Logička 0

• Područje zapiranja: (cutoff) Logička 1

– E-B i C-B su nepropusno polarizirani

Katedra za nanoelektroniku i 7
fotonaponsku pretvorbu
 BJT kao pojačalo
• Normalno aktivno područje
• Tranzistorski efekt – bipolarno međudjelovanje dvaju
pn spojeva
• Promjenom napona na spoju E-B mijenja se struja
kroz spoj B-C

Katedra za nanoelektroniku i 8
fotonaponsku pretvorbu
 Struje normalno polariziranog BJT-a
• Stvarni smjerovi struja:
n p n

IE InE InC IC
IR
E IpE ICB0 C

IB

B
• Osnovna strujna jednadžba:

I E = I B + IC
Katedra za nanoelektroniku i 9
fotonaponsku pretvorbu
 Osnovni parametri tranzistora
• Djelotvornost emitera – γ
I pE I nE
g= (pnp) g= (npn)
IE IE
• Prijenosni faktor baze – β*
I pC I nC
b =
*
(pnp) b =
*
(npn)
I pE I nE
• Strujno pojačanje u spoju ZB - α
I pC I nC
a= (pnp) a= (npn)
IE IE

Katedra za nanoelektroniku i 10
fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 18.
Silicijski pnp tranzistor radi u normalnom aktivnom području i radi sa strujom emitera
IE=10 mA. Odrediti struje IB i IC i njihove sastavnice, ako je zadano: γ=0,981, β*=0,9994,
T=300 K, ICB0≈0.
þ Rješenje:
601
1) 𝛾= 61
= 0,981 7) 𝐼;8 = 𝛾 1 𝐼8 = 0,981 1 10mA = 9,81mA
602
2) 𝛽∗ = 6 = 0,9994 8) 𝐼;: = 𝛽∗ 1 𝐼;8 = 0,9994 1 9,81mA = 9,804mA
01
9) 𝐼<8 = 𝐼8 − 𝐼;8 = 10mA − 9,81mA = 0,19mA
3) 𝐼8 = 𝐼9 + 𝐼: = 𝐼;8 + 𝐼<8
10) 𝐼> = 𝐼;8 − 𝐼;: = 9,81mA − 9,804mA = 6µA
4) 𝐼: = 𝐼;: + 𝐼:9= ≈ 𝐼;:
11) 𝐼9 = 𝐼> + 𝐼<8 = 6µA + 0,19mA = 196µA
5) 𝐼9 = 𝐼> + 𝐼<8 − 𝐼:9= ≈ 𝐼> + 𝐼<8
12) 𝐼: ≈ 𝐼;: = 9,804mA
6) 𝐼9 = 𝐼;8 − 𝐼;: + 𝐼<8 = 𝐼8 − 𝐼:

Katedra za nanoelektroniku i 11
fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 19.
Silicijski npn tranzistor radi u normalnom aktivnom području. Na sobnoj temperaturi
pri struji baze IB=90 μA faktor strujnog pojačanja iznosi α=0,982, struja ICB0=9,82 nA, a
γ=0,984. Odrediti sve ostale struje i njihove sastavnice.
þ Rješenje:
632
1) 𝛼= = 0,982 11) 𝐼: = 𝛼 𝐼9 + 𝐼: + 𝐼:9= 20) 𝐼8 = 𝐼9 + 𝐼:
61
631 12) 𝐼: − α𝐼: = 𝛼𝐼9 + 𝐼:9= 21) 𝐼8 = 5,0005mA
2) 𝛾= = 0,984
61 13) 1 − 𝛼 𝐼: = 𝛼𝐼9 + 𝐼:9= 22) 𝐼<: = 𝛼𝐼8
6 A
3) 𝛽∗ = 632 = 14) 𝐼: =
A
𝐼 +
'
𝐼 23) 𝐼<: =4,9105mA
31 B 'CA 9 'CA :9=
24) 𝐼<: ≈ 𝐼:
4) 𝛽∗ = 0,997967 15) 𝐼: =
A
𝐼 +
'CA*A
𝐼
'CA 9 'CA :9= 25) 𝐼<8 = 𝛾𝐼8
5) 𝐼8 = 𝐼9 + 𝐼:
16) 𝐼: = 𝛽𝐼9 + 1 + 𝛽 𝐼:9= 26) 𝐼<8 = 4,9205mA
6) 𝐼8 = 𝐼<8 + 𝐼;8 A
17) 𝛽 = 'CA (F.S.P. za ZE) 27) 𝐼;8 = 𝐼8 − 𝐼<8 = 80µA
7) 𝐼9 = 𝐼> + 𝐼;8 − 𝐼:9=
=,D,% 28) 𝐼> = 𝐼<8 − 𝐼<: = 10µA
8) 𝐼> = 𝐼<8 − 𝐼<: 18) 𝛽= = 54,56
'C=,D,%
9) 𝐼: = 𝐼<: + 𝐼:9= 19) 𝐼: = 54,56 1 90µA + 55,56 1 9,82nA = 4,9105mA
10) 𝐼: = α𝐼8 + 𝐼:9=
Katedra za nanoelektroniku i 12
fotonaponsku pretvorbu
 Djelotvornost emitera
• Iz Shockleyjeve jednadžbe (ako je emiter široka, a
baza uska strana):
-1
é DnE × N DB × wB ù
g = ê1 + ú (pnp)
êë D pB × N AE × LnE úû
-1
é D pE × N AB × wB ù
g = ê1 + ú (npn)
êë DnB × N DE × L pE úû

Katedra za nanoelektroniku i 13
fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 20.
Izračunati djelotvornost emitera silicijskog npn tranzistora ako gustoća primjese u
emiteru iznosi NDE=1017 cm-3, a u bazi NAB=1015 cm-3. Efektivna širina baze je wB=1 μm,
T=300 K. Pretpostaviti da je emiter široka, a baza uska strana.
þ Rješenje:
IJ.@ 1 .==M
101 E45F5
C' 5) 𝐷<9 = 1386 KL ''/=HM⁄K
1) 𝛾 = 1 + .
135E-1 G01
6) 𝐷<9 = 35,84 IJ ⁄L
+/=C+H .
2) 𝜇;8 = 45 + = 310,8 IJ @KL .,H%O'==<L
6768
7,8. 7) 𝜏;8 = 6768
= 2,335µs
'* '*
.,.:;6768 8,6;676<
'+.=C,= IJ @.
3) 𝜇<9 = 80 + 7,8. = 1386 KL 8) 𝐿;8 =
.
8,034 IJ ⁄L 1 2,335µs
676<
'*
6,6.;6768
.==M
9) 𝐿;8 = 4,33 1 10C. cm
4) 𝐷;8 = 310,8 IJ. @KL 1 = 8,034 IJ.⁄L
''/=HM⁄K

. C'
,,=.+>? P@O'=6<IJ=:O'==AIJ
10) 𝛾 = 1+ . = 0,9999482
.H,,+>? P@O'=68IJ=:O+,..O'==:IJ

Katedra za nanoelektroniku i 14
fotonaponsku pretvorbu
 Prijenosni faktor baze
• Zahtjev: baza je uska strana!
• à nužan uvjet za tranzistorski efekt
2
1 1 æ wB ö
b* = 2
» 1 - çç ÷÷
wB 2 è LnB ø
1+
2 × L2nB

Katedra za nanoelektroniku i 15
fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 21.
Baza silicijskog pnp tranzistora ima gustoću donora NDB=5,5·1015 cm-3, a njena
tehnološka širina iznosi wB0=2 μm. Gustoća akceptora u emiteru iznosi NAE=1017 cm-3, a
u kolektoru NAC=1016 cm-3. Ako su naponi UEB=0,51 V i UCB=-2 V, izračunati prijenosni
faktor baze β* pri T=300 K.
þ Rješenje:
%
' F5
1) ∗
𝛽 =1− p n p
% G05

2) 𝐿;9 = 𝐷;9 1 𝜏;9

3) 𝐷;9 = 𝜇;9 1 𝑈2
.
4) 𝜇; 𝑁19 = 433 IJ @KL + UEB - - UCB +
.
5) 𝐷;9 = 11,194 IJ ⁄L
6) 𝜏;9 𝑁19 = 1,984 1 10CH s
7) 𝐿;9 = 14,9 1 10C. cm
8) 𝑤9 =?

Katedra za nanoelektroniku i 16
fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 21.

p n p

xBE xBC

þ Rješenje – efektivna širina baze:

Podsjetnik: pn-spoj
%Q E4*E-
9) 𝑑9 = 1 1 𝑈2S2
R E4OE-

10) 𝑈2S2 = 𝑈T − 𝑈 13) 𝑤9 = 𝑤9= − 𝑥98 − 𝑥9:

E4
11) 𝑥< = E 1 𝑑9
- *E4
E-
12) 𝑥; = 1 𝑑9
E- *E4

Katedra za nanoelektroniku i 17
fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 21.
þ Rješenje – spoj BE: þ Rješenje – prijenosni faktor baze:
E41 E-5 22) 𝑤9 = 𝑤9= − 𝑥98 − 𝑥9:
14) 𝑈T89 = 𝑈2 ln = 0,7584V
<B.
23) 𝑤9 = 1,12486 1 10C+ cm
%Q E41 *E-5
15) 𝑑998 = 1 1 𝑈T89 − 𝑈89 ' F5 %
R E41 OE-5 24) 𝛽∗ = 1 −
% GC5
16) 𝑑998 = 24,822 1 10C/ cm ' ','%+,/O'==AIJ
%
E41 OU551 25) 𝛽 ∗ =1−
17) 𝑥98 = = 23,528 1 10C/ cm % '+,DO'==:IJ
E-5*E41
26) 𝛽∗ = 0,9999715
þ Rješenje – spoj BC:
Podsjetnik:
E E
18) 𝑈T:9 = 𝑈2 ln 42 . -5 = 0,6988V • 𝑛V% 𝑇 = 300K = 10%= cmC/
<B

%Q E42*E-5
• 𝜀 = 𝜀= 1 𝜀W
19) 𝑑99: = 1 1 𝑈T:9 − 𝑈:9 • 𝜀= = 8,854 1 10C'+ F⁄cm
R E42OE-5

20) 𝑑99: = 99,178 1 10C/ cm • 𝜀W = 11,7

E OU • 𝑞 = 1,602 1 10C'D C
21) 𝑥9: = E42 *E552 = 63,986 1 10C/ cm
-5 42 .==M
• 𝑈2 = = 25,85mV
''/=HM⁄K

Katedra za nanoelektroniku i 18
fotonaponsku pretvorbu