Elektronika

Auditorne vježbe 4
 Široka i uska strana pn spoja
• Jednadžba kon+nuiteta à gustoća manjinskih nosilaca.
æ x ö æ x ö
p(x ) = A × expç ÷ + B × expç - ÷
çL ÷ ç L ÷
è øp è p ø
• Gustoća manjinskih nosilaca à difuzijska gustoća struje
manjinskih nosilaca.
• Difuzijska duljina L je prosječna udaljenost koju nosioc može
prijeći u vremenu od generacije do rekombinacije.
𝐿!,# = 𝐷!,# ⋅ 𝜏!,#

• Dva granična slučaja u razmatranju struje kroz diodu:

1) Široka strana
2) Uska strana
Katedra za nanoelektroniku i 2
fotonaponsku pretvorbu
 Široka strana pn spoja
• Duljina neutralnog područja je puno veća od
difuzijske duljine manjinskih nosilaca.
pn Eksponencijalni zakon: Široka n-strana:
æU ö wn >> Lp
pn0 pn 0 = p0 n expçç ÷÷
è UT ø Q p = q × S × ( p n 0 - p0 n ) × L p
Qp
Ip =
tp
p0n
Široka p-strana:
Lp x
wn wp >> Ln
Katedra za nanoelektroniku i 3
fotonaponsku pretvorbu
 Uska strana pn spoja
• Duljina neutralnog područja je puno manja od
difuzijske duljine manjinskih nosilaca.
pn
Uska n-strana: Uska p-strana:
pn0
wn << Lp wp << Ln
wn
Q p = q × S × ( pn 0 - p0 n ) ×
2
Qp wn2
p0n Ip = t pr =
t pr 2 × Dp
x
wn
Katedra za nanoelektroniku i 4
fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 13.
Gustoća donora na n-strani silicijske diode iznosi ND=1016 cm-3, a gustoća šupljina na n-
strani neposredno uz barijeru je pn0=2·1014 cm-3. Vrijeme života šupljina na n-strani je
τp=1 µs, temperatura T=300 K, a površina poprečnog presjeka S=2 mm2. IzračunaK:
a) Napon priključen na diodu.
b) Akumulirani naboj šupljina na širokoj n-strani.
c) Ukupnu struju šupljina.
Zadatak riješiK i za usku stranu ako je wn=2 µm.

Rješenje: napon priključen na diodu:

! 4&%
1) 𝑝#$ = 𝑝$# 𝑒 !" 6) 𝑈 = 𝑈3 ln
5%&
##$ 1$$7 (<,$)+-.'*
2) 𝑝$# = # 7) 𝑈= ln
%& ,,8$97⁄; ,$+-.'*

3) 𝑁'( ≫ 𝑛)(
4) 𝑛$# ≈ 𝑁' 8) 𝑈 = 0,6132V
,$$%-.'(
5) 𝑝$# = ,$)(-.'*
= 10/ cm01

Katedra za nanoelektroniku i 5
fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 13.
þ Rješenje: široka n-strana, 𝑤# ≫ 𝐿5 pn
1) 𝑄5 = 𝑞𝑆 𝑝#$ − 𝑝$# 𝐿5
pn0
2) 𝐿5 = 𝐷5 𝜏5 = 𝜇5 𝑈3 𝜏5
$
3) 𝜇5 = 𝑓 𝑁' = 419,9 -. B;>
$ 1$$7
4) 𝐿5 = 419,9 -. B;> C C 1008 s p0n
,,8$97⁄;

5) 𝐿5 = 3,29 C 1001 cm xn Lp x

6) 𝑄5 = 1,602 C 100,? C C 2 C 100( cm( C 2 C 10,/ cm01 − 10/ cm01 C 3,29 C 1001 cm
,',&
7) 𝑄5 = 2,108nC @5 0 ,
11) = 𝑝#$ − 𝑝$# 𝑒 -.
−
@5 @A D.
8) 𝐼5 = 𝑆𝐽5 = 𝑆 −𝑞𝐷5
@A
,
0
,',& 12) 𝑥 = 𝑥# : 𝐼5 = −𝑞𝑆𝐷5 − 𝑝#$ − 𝑝$#
D.
9) 𝑝 𝑥 − 𝑝$# = 𝑝#$ − 𝑝$# 𝑒 -.

,', D$. , F.
0 - & 13) 𝐼5 = 𝑞𝑆 𝑝#$ − 𝑝$# =
10) 𝑝 𝑥 = 𝑝$# + 𝑝#$ − 𝑝$# 𝑒 . E . D. E.
(,,$H<,$'/I
14) 𝐼5 = = 2,108mA
,$'(>

Katedra za nanoelektroniku i 6
fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 13.
þ Rješenje: uska n-strana, 𝑤# ≪ 𝐿5
pn
,
1) 𝑄5 = 𝑞𝑆 𝑝#$ − 𝑝$# 𝑤# = 64,08pC pn0
(
@5
2) 𝐼5 = 𝑆𝐽5 = 𝑆 −𝑞𝐷5
@A
5&%05%&
3) 𝑝 𝑥 − 𝑝#$ = 𝑥 − 𝑥#
A& 0A0&
5&%05%&
4) 𝑝 𝑥 = 𝑝#$ + 𝑥 − 𝑥#
A& 0A0&
p0n
@5 5&%05%& 5&%05%&
5) = =
@A A& 0A0& 0J&
5&%05%& 5&%05%& xn xcn x
6) 𝐼5 = −𝑞𝑆𝐷5 = 𝑞𝑆𝐷5
0J& J&
, , , ,
7) 𝐼5 = C 2 C 𝑞 C 𝑆 C 𝐷5 C 𝑝#$ − 𝑝$# C C 𝑤# C = 𝑄5 C 2 C 𝐷5 C $
( J& J& J&
('. , $
J& /<,$'2-.$
8) $ = ⟶ 𝑡5L = = *%%3 = 1,843ns
J& K.1 ('. (</,?,?-.$⁄;><
))(%43⁄6
F. 8/,$H<,$')$I
9) 𝐼5 = = = 34,78mA
K.1 ,,H/1<,$'/>

Katedra za nanoelektroniku i 7
fotonaponsku pretvorbu
 Energijski dijagram p-n spoja

• Barijera postoji samo za većinske nosioce!!!

Katedra za nanoelektroniku i 8
fotonaponsku pretvorbu
 U-I karakteristika poluvodičke diode
é æU ö ù
• Shockleyjeva jednadžba: I = I êexpç ÷÷ - 1ú
s çU
I ë è T ø û
Dioda ne Dioda vodi
vodi

U
Is – reverzna struja
zasićenja

Katedra za nanoelektroniku i 9
fotonaponsku pretvorbu
 Reverzna struja zasićenja
• Struja kroz diodu kod nepropusne polarizacije.
• Struja manjinskih nosilaca.
• Za diodu sa širokim stranama:
æ Dn Dp ö
Is = q × S × n ×ç
2
+ ÷
i ç L ×N L × N ÷
è n A p D ø

Katedra za nanoelektroniku i 10
fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 14.
Silicijska dioda sa širokim stranama ima gustoću primjesa: NA=1017 cm-3, ND=1016 cm-3.
Koliki je napon potrebno priključiK na diodu pri T=300 K da bi kroz nju tekla struja 1010
puta veća od struje Is? Koliki je iznos te struje ako je S=2 mm2?
þ Rješenje: 𝑈 =? '& '.
(
9) 𝐼M = 𝑞𝑛 ) 𝑆 +
1) 𝐼 = 10,$ 𝐼M D& N 7 D. N 8

! 10) 𝐷# = 𝜇# 𝑈3
2) 𝐼 = 𝐼M 𝑒 !" − 1
11) 𝐿# = 𝐷# 𝜏#
!
3) ,$
10 𝐼M = 𝐼M 𝑒 !" −1 12) 𝐷5 = 𝜇5 𝑈3
! 13) 𝐿5 = 𝐷5 𝜏5
4) 10,$ =𝑒 !" −1
P9:, 0P9#&
! 14) 𝜇 = 𝜇O)# + >
5) 𝑒 =
!" 10,$
+1 ,Q
;
;1<=
6) 𝑈 = 𝑈3 ln10,$ E&%
1$$7 15) 𝜏# = ;
7) 𝑈= ln10,$ ,Q; 7
,,8$97⁄; %7
E.%
8) 𝑈 = 0,595V 16) 𝜏5 = ;
,Q; 8
%8

Katedra za nanoelektroniku i 11
fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 14.
þ Rješenje: 𝐼 =? ,,R<,$'4>
6) 𝜏# = )%)?
= 1,127µs
,/1$0H$ ,Q
$ ?,)A)%)4
1) 𝜇# = 80 + %,?$ = 782,52 -. B;>
)%)?
,Q 1,9(<,$'4>
),)$A)%)? 7) 𝜏5 = )%)(
= 14,62µs
,Q
/8$0/9 -. B $ ?,)A)%)4
2) 𝜇5 = 45 + %,?$ = 419,9 ;>
)%)(
,Q $
$,$*A)%)?
8) 𝐿# = 20,23 -. ⁄> C 1,127µs
$ 1$$7 $
3) 𝐷# = 782,52 -. B;> C = 20,23 -. ⁄>
,,8$97⁄; 9) 𝐿# = 4,77 C 1001 cm
$ 1$$7 $
4) 𝐷5 = 419,9 -. B;> C ,,8$97⁄; = 10,85 -. ⁄> $
10) 𝐿5 = 10,85 -. ⁄> C 14,62µs
'& '.
5) 𝐼M = 𝑞 C 𝑛)( C 𝑆 C + 11) 𝐿5 = 12,59 C 1001 cm
D& N 7 D. N 8
# #
%&,%)!" *$ #&,01!" *$
12) 𝐼! = 1,602 ( 10"#$C ( 10%&cm"' ( 2 ( 10"%cm% ( +,,,-#&%&./-#&'(./%&
+ #%,1$-#&%&./-#&')./%&
13) 𝐼M = 4,12 C 100,/ A

14) 𝐼 = 10,$ 𝐼M = 4,12 C 100/ A = 0,412mA

Katedra za nanoelektroniku i 12
fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 15.
Silicijska dioda sa širokim stranama ima gustoću primjesa: NA=7,44·1017 cm-3,
ND=1,31·1016 cm-3. Vremena života manjinskih nosilaca iznose τn=50 µs i τp=10 µs.
Površina pn spoja je S=2 mm2, a T=300 K. Izračunati:
a) Reverznu struju zasićenja diode.
b) Reverzni napon pri kojem reverzna struja ima iznos 90 % vrijednosti struje Is.
$
þ Rješenje: 6) 𝜇# 𝑁 = 𝑁T = 355 -. B;>
'& '.
1) 𝐼M = 𝑞𝑛)( 𝑆 D& N 7
+D 7) 𝜇5 𝑁 = 𝑁' = 412,28 -. B;>
$
. N8
1$$7
2) 𝐿# = 𝐷# 𝜏# = 𝜇# 𝑈3 𝜏# 8) 𝑈3 = ,,8$97⁄; = 25,85mV
3) 𝐿5 = 𝐷5 𝜏5 = 𝜇5 𝑈3 𝜏5 10) 𝐼M = 2,54 C 100,/ A
P& S" P. S" !
4) 𝐼M = 𝑞𝑛)( 𝑆 + 11) −0,9𝐼M = 𝐼M 𝑒 !"
−1
N 7 P & S " E& N 8 P . S " E.
!
P& S" P. S" 𝑒 = 0,1
!"
5) 𝐼M = 𝑞𝑛)( 𝑆 $E + $E
12)
N7 & N8 .
13) 𝑈 = 𝑈3 ln 0,1 = −59,52mV
# #
)11!" **$-%1,01/2 +#%,%0!" **$-%1,01/2
9) 𝐼! = 1,602 ( 10"#$C ( 10%&cm"' ( 2 ( 10"%cm% ( 1,1+-#&&+./%)-1&-#&%)3
+ #,,%-#&&#./%)-#&-#&%)3

Katedra za nanoelektroniku i 13
fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 16.
Za dvije silicijske diode sa širokim stranama zadani su podaci:
1) D1: ND=1017 cm-3, NA=1,5·1017 cm-3, S=2 mm2;
2) D2: ND=1016 cm-3, NA=2·1016 cm-3, S=2,5 mm2.
Odrediti struju u strujnom krugu prikazanom na slici te napone na diodama UD1 i UD2
pri T=300 K.
þ Rješenje:
1) 𝐼 = 𝐼', = 𝐼'( = 𝐼M(
!8)
2) 𝐼', = 𝐼M, 𝑒 − 1 = 𝐼M(
!"

3) 𝑈 = 𝑈, + 𝑈( = 𝑈', − 𝑈'(
'& '.
4) 𝐼M = 𝑞𝑛)( 𝑆 +
D& N 7 D. N 8

Katedra za nanoelektroniku i 14
fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 16.
þ Rješenje: reverzna struja zasićenja diode 𝐷,
,/1$0H$ $ 1,9(<,$'4>
1) 𝜇# = 80 + %,?$ = 684,27 -. B;> 6) 𝜏5 = )%)?
= 2,34µs
),4A)%)? ,Q
,Q ?,)A)%)4
),)$A)%)?

/8$0/9 $
-. B $
2) 𝜇5 = 45 +
)%)?
%,?$ = 310,79 ;> 7) 𝐿# = 17,689 -. ⁄> C 0,768µs
,Q
$,$*A)%)?
$ 1$$7 $
8) 𝐿# = 3,686 C 1001 cm
3) 𝐷# = 684,27 -. B;> C = 17,689 -. ⁄>
,,8$97⁄;
$
-.$ 1$$7 -.$
9) 𝐿5 = 8,034 -. ⁄> C 2,34µs
4) 𝐷5 = 310,79 B;> C = 8,034 ⁄>
,,8$97⁄;
10) 𝐿5 = 4,33 C 1001 cm
,,R<,$'4>
5) 𝜏# = ),4A)%)?
= 0,768µs
,Q
?,)A)%)4

# #
#,,'0$!" *$ 0,&)+!" *$
11) 𝐼! = 1,602 ( 10"#$C ( 10%&cm"' ( 2 ( 10"%cm% ( +
),'0'-#&%&./-#,1-#&'(./%& +,))-#&%&./-#&'(./%&
12) 𝐼M, = 1,62 C 100,/ A

Katedra za nanoelektroniku i 15
fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 16.
þ Rješenje: reverzna struja zasićenja diode 𝐷(
,/1$0H$ $ 1,9(<,$'4>
1) 𝜇# = 80 + %,?$ = 1127 -. B;> 6) 𝜏5 = )%)(
= 14,615µs
$A)%)( ,Q
,Q ?,)A)%)4
),)$A)%)?

/8$0/9 $
-. B $
2) 𝜇5 = 45 +
)%)(
%,?$ = 419,9 ;> 7) 𝐿# = 29,136 -. ⁄> C 4,454µs
,Q
$,$*A)%)?
$ 1$$7 $
8) 𝐿# = 11,392 C 1001 cm
3) 𝐷# = 1127 -. B;> C = 29,136 -. ⁄>
,,8$97⁄;
$
-.$ 1$$7 -.$
9) 𝐿5 = 10,855 -. ⁄> C 14,615µs
4) 𝐷5 = 419,9 B;> C = 10,855 ⁄>
,,8$97⁄;
10) 𝐿5 = 12,595 C 1001 cm
,,R<,$'4>
5) 𝜏# = $A)%)(
= 4,454µs
,Q
?,)A)%)4

# #
%$,#)'!" *$ #&,011!" *$
11) 𝐼! = 1,602 ( 10"#$C ( 10%&cm"' ( 2,5 ( 10"%cm% ( ##,)$%-#&%&./-%-#&')./%&
+ #%,1$1-#&%&./-#&')./%&
12) 𝐼M( = 8,57 C 100,/ A = 𝐼

Katedra za nanoelektroniku i 16
fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 16.
þ Rješenje: naponi na diodama
!8)
1) 𝐼M, 𝑒 !" −1 = 𝐼M( = 𝐼
!8)
UF$
2) 𝑒 !" −1=
UF)
!8)
UF$
3) 𝑒 !" = +1
UF)
UF$
4) 𝑈', = 𝑈3 ln +1
UF)
1$$7 H,9R<,$')+V
5) 𝑈', = ln +1
,,8$97⁄; ,,8(<,$')+V
6) 𝑈', = 47,54mV = 𝑈,
7) 𝑈( = 𝑈 − 𝑈,
8) 𝑈( = 5V − 47,54 C 1001 V
9) 𝑈( = 4,9525V
10) 𝑈'( = −𝑈( = −4,9525V

Katedra za nanoelektroniku i 17
fotonaponsku pretvorbu