Zadaci za samostalan rad 27.10.

2014

1. Silicij je dopiran jednom primjesom. Koncentracija elektrona na T = 400 K je 105 puta manja od koncentracije
šupljina. Izračunati specifični otpor na T = 300 K, ako su pokretljivosti nosilaca 900 i 350 cm2 /V s.
Rješenje: ρ = 7.83 (Ωcm)
2. Izračunajte kolika je na 300 (K) električna provodnost silicija dopiranog sa 1017 (cm3 ) atoma akceptora. Kolika
će biti električna provodnost ako se taj silicij:
a) dodatno dopira jednakom koncentracijom akceptora, ili
b) dodatno dopira dvostruko većom koncentracijom donora?
Rješenje: σ = 4.98 (S/cm) a) σ = 8.35 (S/cm) b) σ = 8.41 (S/cm)
3. Kroz silicij p-tipa homogeno dopiran samo jednom primjesom, površine presjeka 0.5 mm2 teče struja od 10 mA.
Driftna brzina većinskih nosilaca je 2.5 · 104 cm/s.T = 300 K. Izračunati:

a) jačinu električnog polja koji djeluje na poluprovodnik

b) difuzijske konstante većinskih i manjinskih nosilaca
c) koncentracije većinskih i manjinskih nosilaca.
Rješenje: a) E = 55 (V /cm) b) Dp = 11.8 (cm2 /s), Dn = 36.3 (cm2 /s) c) p = 4.99 · 1014 (cm−3 ), n =
3.82 · 105 (cm−3 )
4. Raspodjela koncentracije šupljina se može opisati sljedećom funkcijom
−x
p(x) = p0 + (p1 − p0 )e( a )

·1012

4 p(x)

x (m)
0.5 1 1.5 2 2.5

·10−5

Slika 1: Raspodjela nosilaca

Izračunati gustoću struje za x = 0. Odrediti na kojoj udaljenosti struja padne na 10% od iznosa struje za x = 0.
Zadano je: p0 = 105 (cm−3 ), p1 = 5 · 1012 (cm−3 ), a = 10 (µm), µp = 380 (cm2 /V s), T = 300 (K).
Rješenje: Jdp (x = 0) = 7.86 (mA/cm2 ), x1 = 23 (µm)
5. Za skokoviti silicijski pn-spoj izračunati širinu barijere za T = 300 K u stanju ravnoteže (napon na pn spoju je
0 V). Koncentracije dopiranih atoma na p i n strani su NA = 5 · 1017 (cm−3 ) i ND = 1016 (cm−3 ). Koliki je
kapacitet barijere ako je površina pn-spoja S = 25 (µm2 )?
Rješenje: dB = 0.095(µm), CB = 0.28(nF )

6. Za skokoviti silicijski pn-spoj izračunati širinu barijere za T = 350 K. Koncentracije akceptorskih i donorskih
atoma na p i n strani su NA = 5 · 1017 (cm−3 ) i ND = 5 · 1015 (cm−3 ). Koliki je kapacitet barijere ako je površina
pn-spoja S = 100 (µm2 )? Proračun izvršiti ako je:

1
 a. pn-spoj u stanju ravnoteže (vanjski napon U = 0)
b. pn-spoj priključen na napon U = −2 (V )
Rješenje: a. dB = 0.432(µm), CB = 24.58 (f F ) b. dB = 0.85 (µm), CB = 12.49 (f F )
7. Koncentracije primjesa na p i n strani diode iznose ND = 5 · 1015 (cm−3 ) i NA = 5 · 1017 (cm−3 ). Parametri
nosilaca su µn = 500 (cm2 /V s), µp = 300 (cm2 /V s), τn = 0.5 (µs), τp = 1 (µs). Površina pn-spoja je
S = 0.1 (mm2 ). Izračunati struju zasićenja na T = 300 K. Kolika struja protiče kroz diodu kad se na nju
priključi napon U = 0.5 (V )? Pretpostaviti da je m = 1.
Rješenje: IS = 1.715 · 10−14 (A), I = 11.9 (mA)
8. Koncentracije primjesa na p i n strani diode iznose ND = 5·1015 (cm−3 ) i NA = 1017 (cm−3 ). Parametri nosilaca
su µn = 600 (cm2 /V s), µp = 300 (cm2 /V s), τn = 0.5 (µs), τp = 0.8 (µs). Površina pn-spoja je S = 0.1 (mm2 ).
Izračunati struju zasićenja na T = 350 K. Pretpostaviti da vrijedi Lp  wn = 1.5 (µm) i Ln  wp = 2 (µm).
Kolika struja protiče kroz diodu kad se na nju priključi napon U = 0.5 (V )? Pretpostaviti da je m = 1.
n
Napomena: koristiti izraz za struju zasićenja za diodu sa obje uske strane: IS = q · S · (Dn · wop
p
+ Dp · pwon
n
)
Rješenje: IS = 4.89 · 10−10 (A), I = 7.8 (mA)

9. Struja zasićenja neke pn-diode iznosi 1 pA za T = 300 K. Serijski otpor neutralnih p i n strana iznose redom
2 i 8 Ω. Koliki napon treba priključiti na stezaljke diode da na zadanoj temperaturi kroz nju proteče struja od
1 (mA)? m = 1.
Rješenje: U = 0.546 (V )
10. Struja zasićenja neke pn-diode iznosi 10 pA za T = 300 K. Serijski otpor diode iznosi 12 Ω. Koliki napon treba
priključiti na stezaljke diode da na zadanoj temperaturi kroz nju proteče struja od 2.5 + 0.35sinωt (mA)? m = 1.
Rješenje: uD = 0.53 (V ) + 7.8sinωt (mV )
11. Ukoliko pretpostavimo da su diode idealne, odrediti vrijednosti struje i napona kroz diode u kolima na slici 2.

+ 5V + 5V + 5V + 5V

10 kΩ 10 kΩ
I I
U U U U

10 kΩ 10 kΩ
I I

- 5V - 5V - 5V - 5V
(a) (b) (c) (d)

Slika 2

Rjesenje: a) I = 0.1mA, U = −5V ; b) I = 0A, U = 5V ; c) I = 0.1mA, U = 5V ; d) I = 0A, U = −5V

12. Za kola na slici 3, odrediti označene napone i struje, pod pretpostavkom da su diode u kolima idealne.

2
 +3V +3V

5 kΩ 10 kΩ

D1 D2 D1 D2
ID1 ID2 ID1 ID2
+ +

10 kΩ U 5 kΩ U

-3V -3V
(a) (b)

Slika 3

Rjesenje: a) obje diode provode, ID1 = 0.3ma, ID2 = 0.3mA, U = 0, b) D1 − inverzno, D2 − direktno; ID1 =
0, ID2 = 0.4mA, U = −1V

13. U kolima na slici 4 sa idealnim diodama, skicirati talasni oblik napona na izlazu, ako je ulazni napon sinusni
signal amplitude 10V i frekvencije 1kHz. Odrediti pozitivnu i negativnu vršnu vrijednost izlaznog napona za sve
slučajeve.

3
 D1
D1
Uul Uizl
Uul Uizl
1 kΩ
1 kΩ

D2
(a) (b)

1 kΩ
Uul Uizl

D1 1 kΩ

Uul Uizl

D2 1 kΩ D1

(c) (d)

1 kΩ 1 kΩ
Uul Uizl Uul Uizl

D1 D1 D2

(e) (f)

Slika 4