Elektronički elementi i sklopovi

Auditorne vježbe 4
 Široka i uska strana pn spoja
• Jednadžba kontinuiteta  gustoća manjinskih nosilaca.
 x   x 
px   A  exp    B  exp   
 Lp   Lp 
   
• Gustoća manjinskih nosilaca  difuzijska gustoća struje
manjinskih nosilaca.
• Dva granična slučaja u razmatranju struje kroz diodu:
1) Široka strana
2) Uska strana
• U uvjetima niske injekcije za gustoću manjinskih nosilaca
vrijedi tzv. eksponencijalni zakon:
U  U 
p n 0  p0 n  exp   n p 0  n0 p  exp  
 UT   UT 
Katedra za nanoelektroniku
i fotonaponsku pretvorbu
 Široka strana pn spoja
• Duljina neutralnog područja je puno veća od difuzijske
duljine manjinskih nosilaca.
pn
Široka n-strana: Široka p-strana:
pn0
wn >> Lp wp >> Ln
Qp
Qp  q  S   pn0  p0n  Lp Ip 
p
p0n

Lp x
xn wn
Katedra za nanoelektroniku
i fotonaponsku pretvorbu
 Uska strana pn spoja
• Duljina neutralnog područja je puno manja od
difuzijske duljine manjinskih nosilaca.
pn
Uska n-strana: Uska p-strana:
pn0
wn << Lp wp << Ln
Q p  q  S   p n 0  p0 n  
wn
2
Qp wn2
p0n Ip  t pr 
t pr 2  Dp
x
xn wn
Katedra za nanoelektroniku
i fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 12.
• Gustoća donora na n-strani silicijske diode iznosi ND=1016 cm-3, a
gustoća šupljina na n-strani neposredno uz barijeru je pn0=2∙1014
cm-3. Vrijeme života šupljina na n-strani je τp=1 µs, temperatura
T=300 K, a površina poprečnog presjeka S=2 mm2. Izračunati:
a) Napon priključen na diodu.
b) Akumulirani naboj šupljina na širokoj n-strani.
c) Ukupnu struju šupljina.
Zadatak riješiti i za usku stranu ako je wn=2 µm.

 Rješenje:
a) U=0,613 V;
b) Qp=2,11 nC (široka); ∙Qp=64,1 pC (uska);
c) Ip=2,11 mA (široka); Ip=34,78 mA (uska).

Katedra za nanoelektroniku
i fotonaponsku pretvorbu
 U-I karakteristika poluvodičke diode
 U  
• Shockleyjeva jednadžba: I  I s exp    1
I   UT  

Dioda ne vodi Dioda vodi

U
Is – reverzna struja
zasićenja

Katedra za nanoelektroniku
i fotonaponsku pretvorbu
 Reverzna struja zasićenja
• Struja kroz diodu kod nepropusne polarizacije.
• Struja manjinskih nosilaca.
• Za diodu sa širokim stranama:
2 
 Dn Dp 
I s  q  S  ni   
 L N L  N 
 n A p D 

elektroni na šupljine na
p-strani n-strani

Katedra za nanoelektroniku
i fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 13.
• Silicijska dioda sa širokim stranama ima gustoću
primjesa: NA=1017 cm-3, ND=1016 cm-3. Koliki je napon
potrebno priključiti na diodu pri T=300 K da bi kroz nju
tekla struja 1010 puta veća od struje Is? Koliki je iznos
te struje ako je S=2 mm2?

Rješenje:
U=0,595 V;
Is=4,12∙10-14 A.

Katedra za nanoelektroniku
i fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 14. (DR)
• Silicijska dioda sa širokim stranama ima gustoću primjesa:
NA=7,44∙1017 cm-3, ND=1,31∙1016 cm-3. Vremena života
manjinskih nosilaca iznose τn=50 µs i τp=10 µs. Površina pn
spoja je S=2 mm2, a T=300 K. Izračunati:
a) Reverznu struju zasićenja diode.
b) Reverzni napon pri kojem reverzna struja ima iznos 90 %
vrijednosti struje Is.

 Rješenje:
Is=2,54∙10-14 A;
U=-59,5 mV.

Katedra za nanoelektroniku
i fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 15.
• Za dvije silicijske diode sa širokim stranama zadani su podaci:
1) D1: ND=1017 cm-3, NA=1,5∙1017 cm-3, S=2 mm2;
2) D2: ND=1016 cm-3, NA=2∙1016 cm-3, S=2,5 mm2.
Odrediti struju u strujnom krugu prikazanom na slici te
napone na diodama UD1 i UD2 pri T=300 K.

 Rješenje:
Is1=1,62∙10-14 A; Is2=8,57∙10-14 A;
UD1=47,56 mV; UD2=4,95 V.

Katedra za nanoelektroniku
i fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 16.
• Napon između točaka A i B na kombinaciji triju identičnih
dioda (prema slici) iznosi UAB=38 mV, UT=25 mV. Odrediti
napone na diodama UD1 i UD2.

 Rješenje:
UD1=29,5 mV
UD2=8,5 mV

Katedra za nanoelektroniku 11
i fotonaponsku pretvorbu