ТЕХНИЧЕСКИ УНИВЕРСИТЕТ - СОФИЯ

ФИЛИАЛ ПЛОВДИВ
ФАКУЛТЕТ ПО ЕЛЕКТРОНИКА И АВТОМАТИКА
КАТЕДРА “ЕЛЕКТРОТЕХНИКА”

Полупроводникови елементи (ППЕ)

Протокол №7
Тема: MOSFET полеви транзистор с вграден и индуциран
канал. Статични характеристики в схема “Общ source”.
Честотни свойства на полевите транзистори.

Име: Анна Николаева Михайлова

Група: 44 б
Фак. №: 375836
I. Теоретична част
• MOSFET транзистори
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) транзисторите са полеви транзистори, на
които управляващият електрод G е отделен от канала чрез изолиращ слой (обикновено
SiO2) (Още IGFET, Insulated-Gate FET). Има два основни типа MOSFET транзистори –
с вграден канал (depletion-mode MOSFET) и с индуциран канал (enhancement-mode
MOSFET). Характеристиките и на двата типа са много по-добри от тези на JFET
транзисторите и поради това са по-разпространени в съвременните електронни
устройства. Долу са дадени общоприетите означения на двата типа MOSFET
транзистори, всеки един с n- или p-канал (със специален символ е означена и
подложката):

• Структура на MOSFET транзисторите

Общото при MOSFET транзисторите е, че управляващият електрод G заедно с
подложката образуват двата електрода на “управляващ кондензатор”. Управлението се
състои в това, че с помощта на напрежението VGS между G и подложката се увеличава
или намалява броя на носителите в канала
 • Преходни характеристики в MOSFET транзисторите
Разликата при двата типа MOSFET транзистори, сравнени с JFET, е знакът на
управляващото напрежение VGS. При MOSFET транзисторите с вграден канал под
тънкият изолиран G и над p -тип подложката (p-Si) се намира n-тип канал. При VGS = 0
протича някакъв ток IDS, зависещ от концентрацията на електрони в канала. При VGS
< 0 транзисторът работи както JFET – зоната в канала обеднява на електрони, защото в
нея се индуцира положителен заряд. Токът IDS намалява до нула при критично
напрежение на запушване на канала. Обратно, при VGS > 0 по индуктивен път зоната в
канала се обогатява на електрони и токът IDS нараства. При MOSFET транзисторите с
индуциран канал при VGS = 0 няма ток. При подаване на положително напрежение VGS
в слоя под G “се индуцира” канал от n-тип и при VGS > VP започва да тече ток IDS.
Следователно, JFET се управляват само с отрицателно напрежение VGS, MOSFET с
индуциран канал – само с положително напрежение VGS, а MOSFET с вграден канал –
както с положително, така и с отрицателно VGS.

• Запушване на канала в MOSFET транзисторите

Както и при JFET, така и при MOSFET транзисторите се наблюдава ефект на
“запушване” на канала. При MOSFET с индуциран канал е необходимо някакво
положително напрежение VGS ~ Vth , при което да се формира ефективен канал . При
MOSFET с вграден канал ток в канала тече и при VGS ~ 0, а каналът се запушва при
определено отрицателно напрежение VGS ~ –VP, както е при JFET транзисторите. На
фигурите долу вляво този ефект е показан качествено за по-разпространените днес
MOSFET с индуциран канал. Ширината на канала е неравномерна поради наличието на
пад на напрежението по дължина му. Отпушен и запушен канал в MOSFET с индуциран
канал Насищане на канала Нека сега напрежението VGS да е достатъчно високо (VGS
> Vth) и да растe напрежението VDS . При VDS < VDS (sat) токът IDS расте. При VDS
~ VDS (sat) = VGS – Vth настъпва ефект насищане, при което броят на носители не се
променя повече. Ако VDS продължава да растe, електроните се прехвърлят към D чрез
екстракция и токът IDS се насища. Ако ΔL е “pinch-off” областта, то при дълъг канал
токът IDS остава постоянен, докато при къс канал IDS леко нараства.
 • NMOS транзистор – илюстрация на работните режими
За един от най-разпространените днес полеви транзистори – NMOS (MOSFET
транзистор с n-тип индуциран канал), са илюстрирани основните етапи на насищане на
транз истора и напреженията, при които се наблюдават.

• Изходни характеристики на MOSFET транзистори

Показани са качествено семейство изходни VA- Ток в канала на MOSFET
характеристики на двата типа MOSFET с индуциран канал в омичен
транзистори. Те доста приличат на тези на JFET. режим Същото в активен режим
Разликата се състои в интервала на използваните
управляващи напрежения. И тук се наблюдава
омична област, която е по-ясно изразена при
MOSFET с вграден канал и област на насищане.
Вдясно са дадени формулите за тока IDS за
MOSFET с индуциран канал в двете области на
графиката.
 • Включване на dc захранването на MOSFET транзистори
Защита на MOSFET транзистори от статично електричествао Полевите транзистори са
активни устройства, с които трябва да се работи с повишено внимание при съхранение,
монтаж и запояване. Причината е, че натрупването на статични електрически заряди
върху управляващия електрод G (особено когато той е изолиран) може да доведе до
пробив на тънкия изолиращ SiO2 слой и повреда на транзистора. Затова монтажна
работа с устройства с полеви транзистори трябва да се извършва върху специална анти-
статична подложка, а ръцете на работещия с тях трябва да са заземени чрез
антистатични гривни. Друг начин е в схемите с полеви транзистори към управляващия
електрод G да се свързва високоомно съпротивление, което не влияе на dc режима на
транзистора, но позволява бавна “утечка” на статичните токове “на маса”. Друг срещан
подход е свързването във веригата на G на специален ценеров диод с номинално
напрежение VZ , по-малко от максимално допустимото, т.е. VZ < VGSmax. Накрая, за
по-безопасно включване на захранването на схеми с полеви транзистори (напр. в
студентската лаборатория), трябва да се спазва следния ред (за FET с n-канал):

1) Заземяване на схемата (S на
FET);
2)Подаване на отрицателното
напрежение (– VGS на G);
3)Подаване на положителното
напрежение (+VDS на D).
Изключването на напреженията
става в обратния ред.
II. Схема на опитната постановка

III. Задачи за изпълнение

зад.1) Да се снеме преходната характеристика на N-канален MOSFET транзистор в
схема на свързване общ сорс за работна температура 25 оС и 50оС.
зад.2) Да се снемат изходни статични характеристики за работна температура 25 оС и
50оС.
зад.3) В обща координатна система да се начертаят преходната и изходните статични
характеристики.