Professional Documents
Culture Documents
§1. Khái niệm chung mạch tạo dao động
§1. Khái niệm chung mạch tạo dao động
ta có.
uht M
Kht = =
u1 L
→ uht = Kht .u1 = uvao → ura = Ku .uvao = Ku .K ht .u1
ura
→ u1 =
Ku .Kht
Để xác định điện áp ra viết phương trình dòng điện tai nút 1.
Tại nút 1 ta có 3 dòng điện như hình vẽ.
ura − u1 du1 1 d2 (ura ) (1 − Ku .K ht ).dura ura
− C. − . u1dt = 0 → 2
+ + =0
R dt L dt RC
. .dt L.C
(1 − Ku .Kht ) 1 d2ura dura
Đặt . = ;0 = → 2
+ 2. . + 0 .ur a = 0
2.RC
. L.C dt dt
→ ura = ura0 .e− t .cos (02 − 2 ).t
Rtd điện trở của khung cộng hưởng tại tần số cộng hưởng
Trong đó L điện cảm khung cộng hưởng
L
Rtd = c điện dung do khung cộng hưởng
c.r
r điện trở tổn hao công suất của cuộn cảm
Zvào phẩn ánh trở kháng vào phản ánh CE như ta đã biết khi
thiết kế mạch khuếch đại h11 << (R1 //R2) khi đó trở kháng
vào ánh được như sau.
ZV h11
ZVPanh = 2 = 2 ; trong ®ã n hÖsè ph¶n ¸ nh
n n
Rtd h11
. 2
uBE C1 h21 (1 + n) n2
n= = → Ku = − .
uCE C2 h11 Rtd h11
+ 2
(1 + n) 2
n
Bước 2.
uBE C1
Xác định hệ số khuếch đại hồi tiếp. Kht = − =− = −n
uCE C2
Bước 3. xác định hệ số khuếch đại
Rtd .h21
Ku .Kht = n. 2
n .Rtd + h11.(n + 1) 2
Bước 4. sử dụng điều khiện để mạch dao động.
Rtd h21
Ku .Kht 1 → (1 + n) + n .
2 2
− .Rtd .n 0
h11 h11
Bước 5. xác định n để mạch tự dao động bằng cách giải
phương trình trên.
2 Rtd h21 h21 2 h11
n. + n. .Rtd + 1 0 → n1,2 = ( ) − → n2 n n1
h11 h11 h11 Rtd
Mạch dao động hình sin và xác lập tại n1 và n2 khi đó
Ku.Kht = 1.
Bước 6. xác định tần số mạch dao động.
1
fdd = fch =
C1.C2
2. . L.
C1 + C2
Ứng dụng mạch dao động trong bộ nguồn ổn
áp (biến đổi điện áp sang điên áp)
Ứng dụng mạch dao động trong bộ nguồn ổn áp
xung (biến điện áp một chiều thành điện áp xoay
chiều)
§4. Các Mạch dao động
1. Ổn định biên độ trong bộ dao động.
a. Chế độ dao động mềm và dao động cứng.
- Thời điểm ban đầu ta cấp nguồn sao cho Transistor có góc
cắt Ø ≥ 1800 khi đó hố dẫn Transistor lớn dẫn hệ số khuếch
đại điện áp lớn thỏa mãn điều kiện cân bằng biên độ
Ku.Kht > 1 khi đó mạch dao động có biên độ tăng dần theo
hàm mũ. Chế độ này người ta gọi là chế độ dao động mềm.
- Khi biên độ đạt đến độ mức độ cần thiết thì mạch tự điều
chỉnh sao cho góc cắt Ø ≤ 1800 hố dẫn của Transistor giảm
xuống trước khi Transistor bị bão hòa khi đó Ku.Kht = 1biên
độ tín hiệu không thay đổi gọi chế độ dao động cứng
- Mạch điện tử muốn dao động được nó chuyển từ chế độ
dao động cứng sang chế độ dao động mềm thông qua RE ,
CE khi dao động tăng dần dòng điện IE tăng dần, điện áp UE
tăng làm cho điện áp UBE giảm dần
b. Dao động ngắt quãng.
Nếu chọn RE quá lớn khi dao động bắt đầu sinh ra nó mất
đi Ku.Kht < 1 đó là hiện tương dao động ngắt quãng để khắc
phục hiệng tượng này ta chọn RE
2. Mạch dao động ghép biến áp (mạch dao động LC)
Zt Z2.(Z1 + Z3) U Z1
K .K 1; K = − Kd . ; Zt = ; Kht = N =
ht rn + Zt Z2 + Z1 + Z3 U ra Z3 + Z1
Z1.Z2
K .Kht = − Kd .
rn.(Z1 + Z2 + Z3) + Z2.(Z1 + Z3)
Z = j.X ; Z = j.X ; Z = j.X
1 1 2 2 3 3
X1.X 2
K .Kht = − Kd . 1
rn.( X1 + X 2 + X 3 ) + X 2.( X1 + X 3 )
Tại tần số cộng hưởng ta có:
X1 + X 2 + X 3 = 0; Suy ra X1 + X 3 = − X 2
X1
K .Kht = Kd . 1
X2
Suy ra X1 ; X2 cùng dấu X3 ngược dấu
- Nếu: X1 > 0; X2 >0 thì X3 < 0 dao động ba điểm
điện cảm
- Nếu: X1 < 0; X2 < 0 thì X3 > 0 dao động ba điểm
điện dung
Đối với mạch dao động thạch anh xây dựng trên cơ sở
các mạch dao động RC và LC.
a. Mạch dao động ba điểm điện cảm dùng
Transistor (mạch dao động LC) Hartley
C
L1
E
C
L2
L1
+ Xác định điều kiện mạch tự dao động. L2
E
C
2 h11 B
Rtd h21
→ (1 + n ) + n .
2 2
− n.Rtd . 0
h11 h11
Giải phương trình ta được hai nghiệm.
h21 h11 2 h11 h21 h11 2 h11
n2 = − ( ) − n n1 = + ( ) −
2 2 Rtd 2 2 Rtd
1 1
.( L1 + L2 ) − = 0 → fdao ®éng =
.C 2. ( L1 + L2 ).C
Mạch dao động điện cảm mắc BC.
X1 = ωL2 → Z1 = j. ωL2 > 0;
X2 = ωL1 → Z2 = j. ωL2 > 0;
X3 =1/ (ωC)
→ Z3 = 1/(j. ωC) = - (j/ ωC) < 0;
Trong mạch mắc BC ta có hệ
khuếch đại hồi tiếp và hệ số
phản ánh.
uBE L2
Kht = = = n; P = 1.
uCB L1 + L2
Nguyên lý hoạt động mạch dao động.
b. Mạch dao động ba điểm điện dung dùng Transistor
(mạch dao động LC colpits)
Khung dao động bao gồm cuộn
cảm L mắc song song với C2, C1
Transistor mạch khuếch đại mắc
EC. R1, R2 điện trở cấp nguồn
Cn tụ ghép tầng, RE điện trở gây
ra hồi tiếp âm một chiều điều
chỉnh điểm làm việc để thay đổi
hố dẫn (S). X1 = (1/ω.C2) → Z1 = (1/j. ω.C2) = - (j/ω.C2) < 0
X2 = (1/ω.C1) → Z2 = (1/j. ω.C1) = - (j/ω.C1) < 0
X3 = ω.L → Z3 = j.ω.L > 0; Kht = (uBE / uCB) = C1/(C1 +C2)
Hệ số phản ánh giữ Transistor và khung cộng hưởng P =1.
Phân tích nguyên lý hoạt động. C
Tần số dao động tính, tại tần số C1
cộng hưởng trở kháng E L
C2
khung cộng hưởng (C1 nt C2 // L) B
bằng 0.
1 1 C1.C2
Z = j .L + + = 0 → .L.
2
=1
j.C1 j.C2 C1 + C2
1
= 2. . f → fdao ®éng = fCH =
C1.C2
2 L.
C1 + C2
Sơ đồ minh họa mạch dao động ba điểm
điện dung dùng Transistor
c. Mạch dao động CLAPP dùng Transistor
Là mạch dao động biến dạng
của mạch dao động ba điểm điện
dung. fdd cộng hưởng nhánh điện
cảm được thay bởi L nối tiếp C
Trở kháng tương đương với trở
kháng cuộn cảm, như vậy tần số
dao động không thay đổi
hệ số ghép giữ Transistor khung cộng hưởng.
uCE Ctd 1 1 1 1
P= = trong ®ã = + + th«ng th êng chän
utd C1 Ctd C1 C2 C
C
C C1; C C2 → C Ctd → P = 1
C1
Theo điều kiện cân bằng biên độ ta có phương
trình.
C1 2
n .Rtd − n.h21Rtd + h11( ) 0
2
C
h21 h21 2 h11 C1 2 h21 h21 2 h11 C1 2
n2 = − ( ) − .( ) n n1 = + ( ) − .( )
2 2 Rtd C 2 2 Rtd C
§5. Các mạch dao động thạch anh
1. Tính chất và mạch tương đương thạch anh.
+ Tính chất của thạch anh.
- Dưới sự tác động điện trường thạch anh sinh ra dao động
cơ học.
- Dưới sự tác động cơ học thạch anh tích điện.
- Thạch anh rất bền về cơ học và hóa học.
- Không chịu tác động điều kiện môi trường.
Ký hiệu Sơ đồ tương đương
Ví dụ thạch anh f = 1 MHz khi đó Cp = 5 pF; rq = 60 Ω;
Cq = 0,016 pF; Lq = 1,5 H
Trong thực tế rq rất nhỏ trở kháng tương đương thạch anh
1 1
( j Lq + ).
j Cq j CP 2 LqCq − 1
Z= =
j Lq +
1
+
1 .( Cq + C P − 2
LqCqCp )
j Cq j CP
Từ biểu thức trên ta thấy thạch anh có hai tần số cộng hưởng
1
Z = 0 → LqCq − 1 = 0 → fnèi tiÕp =
2
2 Lq .Cq
1
Z = → Cq + Cp − LqCqCp → fcéng h áng song song =
2
Cq + Cp
2
LqCqCp
Trong thực tế chế tạo có tần số 1KHz đến 100KHz nếu tăng
giảm dùng mạch chia tần hoặc nhân tần.
2. Các mạch dao động thạch anh.
§6. Mạch dao động RC
1. Đặc điểm mạch dao động RC.
- Các bộ dao động RC thường được dùng ở phạm vi tần số
thấp. Ưu điểm gọn nhẹ.
- Các thiết kế đơn giản rễ điều chỉnh vì không có cuộn
cảm do đó có thể thuận tiện cho việc gói vào vi mạch.
- Điều chỉnh tần số trong phạm vi lớn lớn mạch dao động
LC vì trong mạch dao RC tần số tỉ lệ với (1/C), trong mạch
dao động LC tỉ lệ (1/ C )
- Mạch hồi tiếp mang tính chất RC nên không có tính chất
cộng hưởng, Transistor làm việc ở chế A.
- Hồi tiếp RC phụ thuộc tần số mạch dao động khi thỏa
mãn điều kiện về pha.
2. Mạch dao động RC dùng phương pháp di pha.
Nguyên tắc dùng mạch khuếch đại có di pha một góc 1800
và có mạch hồi tiếp di pha một góc 1800 để đảm bảo điều
kiện cân bằng về pha.
- Theo sơ đồ mạch hồi
tiếp dùng n = 3 mắt lọc RC
- Dùng Transistor phần
tử khuếch đại mắc EC
không có hồi tiếp xoay
chiều.
- R1, R2 cấp nguồn theo
phương pháp chia áp có
hồi tiếp âm một chiều
Theo sơ đồ ta có
uB 1 1 1
Kht = = ; trong ®ã = =
uC 1 − 5. − j . .(6 − )
2 2
.RC
. 2. . f .RC
.
Ta tÝnh modun hÖsè khuÕch ®¹i håi tiÕp
1
Kht = ta tÝnh gãc di pha m¹ch håi tiÕp
(1 − 5. 2 )2 − 2 .(6 − 2 )2
.(6 − )2
1
ht = arctg theo s¬ ®å ht = → = 6 → Kht = −
2
(1 − 5. )
2
29
1 1 1
→= = → fdd =
.RC. 2. . f .RC
. 2 6.RC
1
NÕu n = 4 t ¬ng tù tÝnh ® î c ht = → Kht = −
18, 4
Mạch dao động RC di pha dùng khuếch đại
thuật toán
→ Kht = 1
(1−5. )2 − 2.(6− 2 )2
= arctg .(6 − 2)
=1800 → 2 = 6 suyra : = 1 1
; K = −
ht (1− 5. 2) 6.R.C
ht
29
Ta tính được tần số dao động : = 1
6.R.C
= 2. . f → f =
1
2. . 6.R.C
Rht 1
Ku .K ht 1;Ku = − ;K ht = − → Rht 29R
R 29
3. Mạch dao động dùng hồi tiếp cầu viên.
Từ sơ đồ ta tính được hệ số
khuếch đại hồi tiếp.
ura
Kht =
uvao
1
→ Kht =
R1 C2 1
1+ + + j .( RC
1 2 − )
R2 C1 R2C1
Trong đó R1 = R2 = R; C1 = C2 = C ta có.
1 1
→ Kht = t = RC → Kht =
; ®Æ ;
1 1
3 + j .( RC − ) 9+ ( − )2
RC
1
−
ht = arctg( ) = 0 → = 1→ f = 1
; Kht =
1
2 RC
dd
3 3
Mạch dao động RC dùng hồi tiếp cầu viên.
theo sơ đồ ta tính được hệ số khuếch
đại điện áp với mạch khuếch
đại thuận dùng KĐTT
ura
Ku = ; I P = I N = 0; Kd =
. uvao
ura
→ uvao = uR2 = I 2 .R2 ; I 2 =
R1 + R2
ura R1 + R2
→ uvao = R2 . → Ku =
R1 + R2 R2
1 R1 + R2
Kht = → Ku .Kht = 1 → Ku = 3 = → R1 = 2R2
3 R2
Mạch dao động hồi tiếp cầu viên dùng KĐ thuật toán
Tần số:
1 1 R1 + R2 1
f = = = 159,15( Hz); Ku = ; K ht =
2 RC 2. .100.10 .10.10
3 −9
R2 3
Mạch dao động dùng hồi tiếp cầu viên dùng Transistor
1 1
f = = = 159,15( Hz)
2 RC
. 2. .10 .10
−8 5
4. Mạch dao động RC hồi tiếp hình T.
Từ sơ đồ ta tính được hệ số
khuếch đại hồi tiếp.
ura
Kht =
uvao
2 − 1 + j 2 1
Kht = 2 ; =
− 1 + j 3 RC
( 2 − 1)2 + 4 2 2 − 1 + j 2
→ Kht =
( 2 − 1)2 + 9 2 2 − 1 + j 3
(1 − 2 ) 1
→ ht = arctg 2 = 0 → = 1→ f =
( − 1) + 6
2
2 RC
2 3
→ Kht = → Ku =
3 2
Mạch dao động RC dùng hồi tiếp RC hình T.
Theo sơ đồ ta tính được hệ số khuếch
đại điện áp với mạch khuếch
đại thuận dùng KĐTT
ura
Ku = ; I P = I N = 0; Kd =
uvao
ura
→ uvao = uR2 = I 2 R2 ; I 2 =
R1 + R2
ura R1 + R2
uvao = R2 . → Ku =
R1 + R2 R2
2 3 R1 + R2
Kht = → Ku .Kht 1 → Ku = → R2 = 2R1
3 2 R2
5.Sơ đồ mạch dao động RC
(mạch dao động đa hài dùng Transistor)
Tần số tính:
2.UCC + I CQ .RC 2.UCC + I CQ .RC
TX = tS1 + tS2 = C.Rtd ln T1
+ C.Rtd ln T2
UCC + I CQ .RC UCC + I CQ .RC
T1 T2
6. Mạch dao động dùng IC (HA555)
1
f =
0,693.2( R1 + R2 )C1
Dao động RC IC 555
1
f =
0,693.2RC
1 1
R1 = 1 kΩ = 1.103 Ω;
C1 = 100 nF = 0,1.10-6 F
→ f = 7,215 kHz