Professional Documents
Culture Documents
Tai Lieu
Tai Lieu
PHẦN 1
TỔNG QUAN VỀ ĐO NHIỆT ĐỘ
⇔ X= Ax.X0
Đây là phương trình cơ bản của phép đo, nó chỉ rõ sự so sánh đại lượng cần đo
với mẫu và cho ra kết quả bằng số.
Quá trình đo được tiến hành thông qua các thao tác cơ bản về đo lường sau:
- Thao tác xác định mẫu và thành lập mẫu.
- Thao tác so sánh.
- Thao tác biến đổi.
- Thao tác thể hiện kết quả hay chỉ thị.
¾ Phân loại các cách thực hiện phương pháp đo
• Đo trực tiếp : là cách đo mà kết quả nhận được trực tiếp từ một
phép đo duy nhất .
• Đo gián tiếp : là cách đo mà kết quả được suy ra từ phép đo ,từ sự
phối hợp của nhiều phép đo trực tiếp.
• Đo thống kê : là phép đo nhiều lần một đại lượng nào đó , trong
cùng một điều kiện và cùng một giá.Từ đó dùng phép tính xác
suất để thể hiện kết quả đo có độ chính xác cần thiết.
1
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
2
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
3
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
• Chuyển đổi (khâu đầu): biến đổi giữa hai đại lượng vật lý với nhau.
+ Chuyển đổi điện - điện
- liên tục rời rạc (A/D)
- rời rạc liên tục (D/A)
+ Chuyển đổi không điện - điện : là đại lượng không điện (t0 ,p ,F ...)
sang đại lượng điện (U, I....).
• Mạch đo (biến đổi ): các mạch tính toán như:
+ Mạch cộng, mạch trừ, mạch tích phân
+ Mạch khuyếch đại ,mạch logic (and, or, not....)
• Chỉ thị (khâu cuối): để thể hiện kết quả đo
+ Dùng kim chỉ , tự ghi
+ Chỉ thị số
Dùng biến đổi thẳng là những cái đo trực tiếp(vôn kế, ampe kế).
X ΔX Y Y’
Chuyển Mạch đo Chỉ thị
đổi
XK
Chuyển đổi
ngược
4
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
X: là đại lượng đo
XK: là đại lượng chuẩn phản hồi
ΔX = X − XK
5
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
- Các dụng cụ đo có tổng trở thích hợp để khi đo các tín hiệu không bị
sai lệch.
- Đặc tính động:
+ Khi xét các đặc tính động:
- Đặc tính biên độ (trong quá trình quá độ)
- Đặc tính pha tần .Vì các đại lượng đo (không biến thiên hoặc biến thiên
chậm và đại lượng biến thiên nhanh).
Độ tin cậy và tính kinh tế: phụ thuộc vào trình độ, khoa học
Q xác suất hỏng
P xác suất không hỏng
Q.P = 1⇒ Q↓ ⇒ P↑
6
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
Để đo chính xác nhiệt độ thì cần có hiệu số TX - T là cực tiểu với TX là nhiệt
độ môi trường cần đo ,T là nhiệt độ của cảm biến đặt trong môi trường cần đo.
Khi cảm biến được đặt trong môi trường cần đo nhiệt độ, thì nhiệt lượng cảm
biến hấp thụ từ môi trường tỷ lệ với độ chênh nhiệt giữa cảm biến và môi
trường theo biểu thức :
dQ = a.A(TX -T)dt
với a là độ dẫn nhiệt ,
A là diện tích bề mặt truyền nhiệt .
Mặt khác nếu cảm biến có khối lượng là m và nhiệt dung riêng(tỷ nhiệt)
là c thì nhiệt lượng hấp thụ được là:
dQ = m.c.dT
Nếu bỏ qua tổn thất nhiệt môi trường , kết cấu kiểu giá đỡ thì ta có :
a.A(TX - T)dt = m.c.dT
Gọi τ là hằng số thời gian nhiệt
m.c
τ=
a.A
Vậy ta có phương trình vi phân cân bằng nhiệt
dT dt
= (1 - 1)
Tx-T τ
Nghiệm của phương trình (1 - 1)là :
t
T = TX − k.e- τ , (1 - 2)
với k là hằng số
τ τ
7
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
τ τ
hình 1-1a hình1- 1b
Hình (1 - 1b) có tính tới tổn thất nhiệt từ môi trường cần đo truyền vào cảm
biến và TX – T1 = ΔT luôn luôn tồn tại
1.2.2 Thang đo nhiệt độ:
Là một dãy các mốc nằm trong khoảng nhiệt độ giới hạn bởi hai điểm sôi và
nóng chảy cố định của một vật chất tinh khiết, hai điểm này gọi là điểm gốc để
phân độ toàn thang.
Ngày nay trên thế giới tồn tại 3 loại thang đo nhiệt độ:
1.2.2.1 Thang nhiệt độ động học tuyệt đối hay còn gọi là thang Kelvin đơn
vị là K
do nhà vật lý người Anh là Thomson đề ra năm 1852.
Trong thang nhiệt độ này người ta lấy 3 trạng thái của nước ở điểm cân bằng
nước - nước đá - hơi nước một giá trị số bằng 273,150K.
Từ thang nhiệt độ Kelvin người ta xác định các thang nhiệt độ mới là thang
Celsíu và thang Fahrenheit.
8
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
9
t(0F ) = {t(0C ) + 32}
5
Năm1948 hội nghị đo lường quốc tế thứ 19 đã lấy thang nhiệt độ bách phân
(Celsius) là thang nhiệt độ quốc tế
Xây dựng thang đo nhiệt độ quốc tế người ta ghi nhận các điểm cố định sau :
- Điểm sôi của O2 là -182,97 0C
- Điểm tan của nước đá (điểm gốc) 0,000C
- Điểm sôi của nước ( điểm gốc ) 100,000C
- Điểm sôi của lưu huỳnh 444,600C
- Điểm kết tinh của bạc 960,800C
- Điểm kết tinh của vàng 1063,000C
0 0 0
K C F
Trạng thái
9
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
Giới hạn đo 0C
Tên máy đo nhiệt độ
Min Max
10
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
11
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
12
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
Nhiệt kế giãn nở có độ chính xác thấp , nên dùng trong các hệ thống cần đo và
điều khiển nhiệt độ đơn giản.
+ Nhiệt kế thuỷ tinh chất lỏng.
13
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
Nhiệt áp kế có cơ cấu đo kiểu lò xo áp kế . Khi tăng nhiệt độ của túi nhiệt làm
cho chất lỏng, chất khí chứa trong nó tăng thể tích nhưng do túi nhiệt là thể tích
kín nên làm cho tăng áp suất và làm biến dạng lò xo, truyền qua cơ cấu truyền
động tới kim chỉ của áp kế , ống nối với túi nhiệt có đường kính từ 0,2 ÷
0,5mm gọi là ống lò xo đàn hồi. ống lò xo này có thể là một hoặc nhiều vòng
tuỳ theo thiết kế của nhà chế tạo.
Nhiệt áp kế phân theo tính chất làm việc như : nhiệt áp kế chất lỏng, chất khí,
chất hơi. Với nhiệt áp kế chất lỏng chủ yếu là thuỷ ngân và ruợu. Nhiệt áp kế
chất hơi thường dùng chất lỏng có nhiệt độ sôi thấp như benzen, axeton
Trong nhiệt áp kế chất khí thì trong toàn bộ hệ thống áp suất đều chứa khí trơ
như : heli, nitơ, ở áp suất cao hơn áp suất khí quyển.
Hình 1-4
1- Túi nhiệt
2- ống nối
3- Lò xo đàn hồi
4- Kim chỉ
5 -Thang đo
14
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
Hình 1-4 là cấu tạo của nhiệt áp kế. Túi nhiệt được chế tạo từ thép hoặc
đồng thau , ống dẫn nối chế tạo từ vật liệu là thép hoặc đồng, lò xo ống đàn hồi
làm bằng đồng thau. áp suất tối đa trong hệ thống kín của nhiệt áp kế có thể đạt
tới 60atmotphe, phía ngoài của nhiệt áp kế có thể lắp thêm công tắc tín hiệu,
các bộ phận truyền tín hiệu đi xa, các cơ cấu tự ghi các thông số đo
Sai số của các loại nhiệt áp kế chất lỏng , chất khí không quá ± 1,5%; sai số
của nhiệt áp kế chất hơi có thể tới ±2,5%. Nhược điểm của các loại nhiệt áp kế
là độ bền cơ học của ống nối thấp, thời gian báo kết quả đo chậm, khó sửa chữa
và lắp ráp.
1.2.3.3 Đo nhiệt độ sử dụng cặp nhiệt điện.
+ Nguyên tắc làm việc và cấu tạo của cặp nhiệt độ.
Nguyên tắc làm việc của cặp nhiệt điện là khi có hai thanh kim loại A và
Β khác nhau được hàn lại với nhau ở hai đầu 1 và 2
(như hình1-5). Đầu 1 có nhiệt độ là t (đầu đo nhiệt độ)
Đầu 2 có nhiệt độ là t0 (đầu tự do).
Do tính chất kim loại của hai thanh A , Β khác 2 t0
nhau nên lượng điện tử tự do trong hai thanh
cũng khác nhau . Số lượng điện tử tự do khuyếch
tán sang qua mối hàn cũng khác nhau, khi cân
bằng ở nhiệt độ nào đó thì ở mối nối giữa hai A B
15
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
20 R
S
10
B T (0C)
200 600 1000 1400
Hình 1.6 Đặc tuyến sức điện động của các cặp nhiệt
16
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
+ Sử dụng đồng hồ milivôn kế kiểu từ điện đo tín hiệu cặp nhiệt điện
Trên sơ đồ nguyên lý hình (1-7) là sơ đồ sử dụng đồng hồ milivôn kiểu từ
điện để đo tín hiệu của cặp nhiệt điện
17
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
F t0 c
Rđc a
t1
t1 Rp
D t0 c
Rf
t
b
18
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
S.B.W.I EAB(t,to)
α= = A.I = A.
k Rng + RM
Với một đồng hồ milivon đã chế tạo thì A trong biểu thức trên là một hằng
S.B.W
số và A = gần như không đổi. Khi giữ cho Rng+RM = const thì góc quay
k
của khung dây tỷ lệ với EAB(t,t0); trên bề mặt của đồng hồ milivon khắc theo
nhiệt độ cho toàn thang đo.
Khi đo nhiệt độ sử dụng cặp nhiệt điện phải chú ý tới đầu tự do có nhiệt độ
t0, phải chọn vùng có nhiệt độ t0 ổn định tránh sinh ra sức điện động phụ làm
cho sai số của phép đo lớn.
Để chọn được vùng có t0 ổn định người ta sử dụng cặp dây bù để kéo dài
đầu tự do đi xa hoặc sử dụng cầu bù tự động để có điện áp đặt vào dụng cụ thứ
cấp không đổi ứng với nhiệt độ t của đầu đo không đổi khi nhiệt độ t0 của đầu
tự do thay đổi.
t0 C
F Rđ a a mv
d
b R2
D c
t1
t1
R3
A B Rhc
t AC/DC
Hình 1-9
Sơ đồ hình 1-9 là sơ đồ nguyên lý của hệ thống đo nhiệt độ sử dụng cầu bù
tự động. Cầu bù tự động gồm điện trở R1, R2, R3 làm bằng mangan. Có hệ số
1
tăng điện trở theo nhiệt độ nhỏ (α = 0,000015 0 ); Rđ làm bằng đồng. Nguồn
C
điện ổn định cấp vào đường chéo của cầu là điểm a,b. Khi có cầu bù do sự tăng
điện trở của Rđ nên cầu bù tự động xuất hiện một điện áp cầu Ucd để luôn luôn
bảo toàn biểu thức
19
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
20
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
Các điện trở bằng kim loại thường là các dây tròn ví dụ như bạch kim có
φ = (0,05 ÷ 0,07)mm, dây đồng φ = 0,2mm hoặc nhỏ hơn; Được quấn trên lõi
cách điện và được lắp đặt trong ống kim loại bảo vệ và đã bịt kín đầu dưới,
hoặc ống gốm bịt kín.
ở 00C nhiệt kế bạch kim được chế tạo với trị số : 10Ω; 48Ω và 100Ω. Đồng
ở 00C được chế tạo với trị số 53Ω; 100Ω.
Trên hình 1-10 là cấu tạo của một điện trở bạch kim sử dụng làm cảm biến
nhiệt
1- Tấm mica có đường ren
2- Dây platin
3- Đầu nối ra
4- Đệm mica
5- Dây bạc để gắn đệm mica
21
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
4
5
2
1
Hình 1.10 Điện trở bạch kim sử dụng làm cảm biến
1
Độ nhạy của cảm biến nhiệt độ Ni và Fe-Ni là ≈ 5.10-3 0
. Độ nhạy của cảm
C
1
biến nhiệt độ điện trở của Pt là 4.10-3 0
C
1.2.4.2 Cảm biến nhiệt điện trở Silic:
Silic tinh khiết hoặc đơn tinh thể silic có hệ số điện trở âm, tuy nhiên khi
được kích tạp loại chất n ở một dải nhiệt độ nào đó hệ số nhiệt điện trở của nó
thành dương. Người ta đã thấy khi ở nhiệt độ dưới 2000C thì hệ số nhiệt điện
trở của cảm biến nhiệt điện trở silic có trị số dương ; còn khi nhiệt độ lớn hơn
2000C hệ số nhiệt điện trở là âm.
Phần tử cảm nhận của silic có kích thước (500×500×240)μm, được mạ kim
loại ở một phía còn phía còn lại để tiếp xúc với bề mặt đo nhiệt độ. Độ nhạy
của loại cảm biến này vào khoảng 0,7% 0C có nghĩa là điện trở thay đổi 0,7%
theo từng 0C. Có thể tính gần đúng điện trở của cảm biến silic:
1 1
R(T) = R0.eΒ( T - To
)
B
αR =
T2
Với T, T0 tính theo nhiệt độ K
Vì độ nhạy của cảm biến nhiệt điện trở cao nên thường dùng để phát hiện nhiệt
độ biến thiên rất nhỏ từ (10-4÷10-3)K
22
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
R1 R2 R1 R2
Rd1
R3 Rt R3 Rt Rd2
Hình 1- 11
Trên hình 1-11 các điện trở R1, R2, R3 là các điện trở có trị số thay đổi theo
nhiệt độ là rất nhỏ, Rt là cảm biến điện trở đặt trong vùng cần đo nhiệt độ. Sơ
đồ cầu được cấp điện bởi nguồn điện một chiều E có độ ổn định cao.
Giả sử thang chia nhiệt độ của mV được chia từ 00C thì muốn kim milivon -
mV chỉ 00C thì điện thế ở điểm 1 và điện thế ở điểm 2 trên sơ đồ phải bằng
nhau. Có nghĩa :
E.R 3 E.Rto
=
R1 + R 3 R 2 + Rto
và
E.Rto E.R 3
U1-2 = - =0
R 2 + Rto R1 + R 3
Nếu chọn R1= R2 và R3 = Rto; với Rto là trị số của cảm biến điện trở ở nhiệt độ
00C.
Vậy có thể viết theo :
Rto − R 3 Rto − Rto
U1-2 = E =E =0
R 2 + Rto R 2 + Rto
Khi nhiệt độ khác 00C thì có biểu thức tính điện áp theo điện trở của cảm
biến là:
Rt − Rto
U1-2 = E
R 2 + Rt
23
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
Khi dẫn tín hiệu đi xa và tránh ảnh hưởng của điện trở dây dẫn theo nhiệt độ
tới phép đo, thì nối dây như sơ đồ hình 1-11b ; do nhánh cầu đều được thêm
vào điện trở dây dẫn Rd1,Rd2 nên điện thế tại điểm 2 trên sơ đồ phản ánh đúng
điện thế gây ra do nhiệt độ của cảm biến Rt.
1.2.5 Hoả kế:
Tất cả các vật thể là nguồn nhiệt đều phát ra các bức xạ nhiệt. Ví dụ vật thể
có nhiệt độ 6000C thì phát ra tia hồng ngoại có bước sóng
λ = (0,75÷400)μm. Mắt con người chỉ nhìn được sóng ánh sáng
λ = (0,40÷0,75)μm. Các bức xạ có λ < 0,4 μm ta cũng không nhìn thấy chngs
là tia tử ngoại, đó là tia ronghen và tia Gâm.
1.2.5.1 Hoả kế quang học
Trên hình 1-12 là sơ đồ nguyên tắc của hoả kế quang học. Nguyên tắc làm
việc của hoả kế quang học là dựa trên sự so sánh mức độ sáng chói của vật
nóng và dây tóc bóng đèn nung đỏ giữa mắt người quan sát và vật đo; Khi so
sánh mức độ sáng của dây tóc bóng đèn với nguồn nhiệt cần đo bằng nhau thì
đọc chỉ số của milivôn kế, Milivôn kế đã được khắc theo thang nhiệt độ, điện
áp rơi trên đèn tương ứng với nhiệt độ của vật cần đo.
1 8 2 3 4 9
- +
Hình 1- 12 – Sơ đồ nguyên lý hoả kế quang học
1- Thấu kính đo (vật kính)
2- Đèn nung đỏ và dây tóc
3- Thấu kính mắt (thị kính)
4- Kính lọc
24
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
0
C
Hình – 13 Sơ đồ nguyên lý hoả kế bức xạ kiểu Pπ
1- Vật kính (thấu kính đo)
2- Thị kính
3- Lá tiết lưu
4- Bộ cặp nhiệt điện
5- Kính màu bảo vệ mắt
Trên hình 1-13 là sơ đồ nguyên lý hoả kế bức xạ kiểu PM, bộ cặp nhiệt điện
có 4 cặp nhiệt điện mắc nối tiếp. Dải nhiệt độ làm việc là
25
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
9000C ÷18000C. Sai số không vượt quá 4 ÷8%.Nhược điểm của loại hoả kế này
là khó kiểm tra. Độ chính xác không cao.
26
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
PHẦN 2
SƠ ĐỒ KHỐI VÀ NGUYÊN TẮC LÀM VIỆC
CỦA CÁC PHẦN TỬ TRONG SƠ ĐỒ KHỐI
khèi khèi
khèi
sos¸nh t¹oxungnhÞp
chÊphμnh
khèi
nguåncÊp
220v
27
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
28
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
R1 Rt
Ung UC
R2 R3
Hình 2-2
29
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
- Chọn R1, R2, R3 ít thay đổi theo nhiệt độ (không thay đổi theo nhiệt
độ).Thông thường trong kỹ thuật dùng điện trở bằng đồng có hệ số điện trở
thay đổi là:
α = 0,004/00C
Rt = R0[1 + α(t0 − t00)](1)
Với R0 là điện trở cảm biến nhiệt điện ở nhiệt độ t0
Rt là điện trở cảm biến nhiệt điện ở nhiệt độ t
Ta có :
E E
Υcầu= Rt − R1 (2)
R 3 + Rt R1 + R 2
Thay phương trình (1) vào (2) ta có :
E.R 0[1 + α .( t 0 − t 0 0 )] E
Υcầu = − R1(3)
R 3 + R 0 + R 0[1 + α .( t − t 0 )]
0 0
R1 + R 2
Υcầu = E.R0 1 + α .( t − t 0 ) −
0 0
1
R2 + R0 R0 + R2
E.R 0. α .( t 0 + t 0 0 ) E.R. α .t 0
= =
R2 + R0 R2 + R0
E.R1. α .t 0 E.R1. α .t 0
= =
R1 + R 2 R1 + R 3
Khi xét (t00=00C)
Với cách chọn này Υcầu= 0 khi nhiệt độ là 00C. Khi tăng nhiệt độ trong dải (00C
÷1000C) là tuyến tính và tạo ra tín hiệu liên tục.
2.2.2 Khối khuyếch đại trung gian
Khối khuyếch đại trung gian gồm năm bộ khuyếch đại thuật toán đo lường
tuyến tính. ở đây ta sử dụng IC tuyến tính TL084 là loại IC dùng trong công
nghiệp, có nguồn nuôi là (+12V) và (−12V). IC này có khả năng chống nhiễm
30
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
cao, có mạch chống trôi điểm 0 do nhiệt độ công suất tiêu tán định mức
680mV, tốc độ tăng áp 13C/1μ, nhiệt độ làm việc −2500C ÷850C. Như vậy
dùng 5 IC TL084.
14 13 12 11 10 9 8
-12V
0A 0A
TL084
1 2 3 4 5 6 7
31
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
r4 r6
A1
r8
r1
A3
U r2
ng
U
c
r3
r5 r7
A2
vcc 8 4
5k
2v R1
5 3 cc
R2 R T 7
OA1 &
6 R3
5k
S2
2 OA2 & S
1v
S1 3
3 cc
5k
1
Hình 2.5 Cấu tạo IC 555
2.2.3.1 Cấu tạo khối xung điều khiển (555)
1- Cấu phân áp gồm 3 điện trở 5 kΩ nối từ nguồn xuống mass cho ra 2 điện
áp chuẩn là 1/3Vcc và 2/3 Vcc
2- OA1 –AMP là mạch khuếch đại so sánh có ngõ vào không đảo nhận
điện áp chuẩn 2/3Vcc, còn ngõ vào đảo thì nối ra ngoài chân 6. Tuỳ
thuộc điện áp chân 6 so với điện áp chuẩn 2/3Vcc mà OA1 có điện áp ra
ở mức cao hay thấp để làm tín hiệu R2, điều khiển bộ và đảo
32
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
3- OA2 – AMP là mạch khuếch đại so sánh có ngõ vào đảo nhận điện áp
chuẩn 1/3 Vcc, còn ngõ vào không đảo thì nối ra ngoài chân 2.
4- Hai bộ Và- Đảo của R và S có biểu thức logíc như sau :
R = R1.R2.R3
S =S1.S2
5- Tranzitor T là tranzitor có cực để hở, nối ra chân 7
2.2.3.1 Nguyên lý làm việc của TIMER 555 :
- Khi mới đóng điện (chân 4, 8) tụ C bắt đầu nạp điện từ 0V.
OA1 có Vi+ > Vi- nên ngõ ra V01 ở mức cao (H), (P2 = H)
OA2 có Vi+ < Vi- nên ngõ ra V02 ở mức thấp (L), (S1 = L)
Do S = S1.S2 ⇒ S = H (mức cao) → chân ra (3) ở mức cao, hay
S2 = L Ura ≈ Unguồn
Mặt khác cùng thời điểm này do S = H (mức cao) → R3 = S = H (mức cao)
R = R1.R2.R3
R3 = H
R2 = H → R = L (mức thấp)
R1 = H (chân 4 nối với nguồn)
Cực B của Tranzitor T ở mức thấp hay T bị khoá
Tụ nạp điện theo mạch “ Vcc – RA – D – C – Vcc’’ , có hằng số :
tn = 0,693RA.C
(khi xả Diod phân cực thuận nên dòng điện không qua RB và hằng số thời gian
nạp và xả của tụ không tính đến điện trở của Diod là do điện trở này rất nhỏ so
với RA, RB và được cân bằng với điện trở thuận của tranzitor T khi tụ xả)
Khi điện áp trên tụ : U6;2≥ 1/3 UN (điện áp chân 2; 6) khi đó OA2 lật trạng thái.
OA2 có Vi+ > Vi- → V0 = H (mức cao)
Nhưng mức này do OA1 chưa thay đổi do điện áp trên tụ vẫn nhỏ hơn 2/3 UN
→ R = L (mức thấp)
S vẫn ở mức cao, tức là tụ vẫn nạp bình thường.
Khi điện áp trên tụ bằng 2/3 UN thì OA1 lật trạng thái, tức là Vi+ < Vi-
R2 = L
33
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
→ V0= L
Do biểu thức logic ở trên nên ta có R = H (mức cao)
Lúc này do R = H = S2
S1 = H → S = L chân ra 3 có điện áp = 0 (mức thấp)
đồng thời do R= B = H (mức cao), nên tranzito T được mở thông. Tụ không
được nạp điện và chuyển sang xả điện vào chân 7 qua T ra chân 1 nối đất, tụ xả
theo hằng số thời gian : tX = 0,693RBC.
Tụ xả đến khi điện áp trên tụ nhỏ hơn 2/3 UN tìh OA1 đổi lại trạng thái cứtc là
có V0 = H (mức cao).
R2 = H nhưng do lúc này OA2 chưa đổi trạng thái nên chân 3 vẫn ở mức thấp
và T vẫn mở thông nên tụ vẫn xả. Tụ xả đến khi điện áp trên tụ nhỏ hơn 1/3 UN
thì OA2 đổi lại trạng thái ban đầu, có V0 = 0
S1 = 0 theo biểu thức logic (2) có S = H (mức cao), nên chân ra 3 của 555 ở
mức cao tức là Ur ≈ Un
Đồng thời : R = 0 do R1 = 1 = S
R2 = 1
R3 = 1
T khoá và tụ lại bắt đầu nạp và quá trình nạp được lặp lại như trên
Có một điều khác từ chu kỳ thứ 2 trở đi là tụ được nạp điện từ
1/3 → 2/3 UN mà không nạp từ 0 như ban đầu.
+ Vcc
I RA 4
n¹p 8
7 UR
I
x¶
555
D RB 6 3
2
1 5
C1 C2
34
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
UC
2v
3 cc
1v
3 cc
t1 t2 t3 t4 t
T k® TX T N T X
T CK
U
G i¶ n ® å x u n g
35
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
A
- E1 (-12v)
ap 2 3
7912 7905
- E2 (-5v)
d1 d2 1
c1 c3
c2 c4
d3 d4 2
B 7812 7805
1 3 E2 (5v)
E1 (12v)
LA 7812 LA 7912
3 1 3
1
- 12V
+12V
+12 - + 35V 2
2
-12 - 35V
36
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
U-
Vp+
S
Vp-
U+
37
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
c(x1) 3 38 OSC 3
a(x1) Ref Hi gh
Chân 26: nối với nguồn - 5(V) 5 36
f(x1) 6 35 Re f l ow
e(x1) 8 33 Ca pa ct or
tích phân
ICL 7107
e(x1) 9 32 C omm on
b(x10) 11 30 -Input
đệm a(x10) 12 Outoze ro
29
f(100) 17 24 c (x100)
(điện áp đo: chân 30 là cực (-), chan e(100) 18 23 g(x100)
38
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
Chân 37: Test : kiểm tra đèn tín hiệu hiển thị
Chân 38: OSC3
Chân 39: OSC2 các chân của bộ dao động: Oscicator
Chân 40: OSC1
* Sơ đồ hoạt động
21 20
22 19
23 18
24 17
25 16
-5V 26 15
0,22μF
27 14
47kΩ
28 13
C¸c ®Ç u ra cña IC
0,47μF
ICL 7107
29 12
30 11
0,01μF
31 19
1M Ω
32 9
33 8
0,1 μF
34 7
35 6
1k Ω 36 5
37 4
100pF
38 3
100k Ω
39 2
40 1 +5(V)
1k Ω
39
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
40
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
16 v dd
15 y2
14 y1
13 y 0
10 a 1
12 y3
11 a 0
9 a2
h ef 4051 b
vss
vee 7
y7 4
y5 5
e
y4 1
y6 2
z
3
8
6
41
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
Nối
E A2 A1 A0
L L L L
Y0 – Z
L L L H
Y1 – Z
L L H L
Y2 – Z
L L H H
Y3 – Z
L H L L
Y4- Z
... ... ... ...
...
H X X X
Không nối
42
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
1 05 vdd 16
2 01 mr 15
hef 4017b
3 00 cp0 14
4 02 cp1 13
5 06 0 5-9 12
6 07 0 9 11
7 03 0 4 10
8 v ss 08 9
R1 RT
UcÇu
R2 R3
Dùng nguồn ổn áp cung cấp đo (khối sensor) nên ta phải lựa chọn các điện
trở phù hợp tính năng kỹ thuật như ( R1, R2, R3 không bị thay đổi theo nhiệt độ,
Rt biến thiên tuyến tính theo nhiệt độ...).
Tính đến các thông số:
43
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
5.100.0,004.100
- R2= - 100
7.10 _ 3
⇔ R2 =28571,4 (Ω) =28,571 (KΩ)
Chọn R2= R3 =28 (KΩ)
- Tính RT ở 1000C
- RT =R0[1+α(t0- T00)]
= 100[1+ 0,004(1000- 000)]
= 140 (Ω)
E.RT E.R 1
U’cẫu = -
R3 + RT R1 + R2
5.140 5.100
U’cẫu = - = 0,0071 ≈ 7,1mv
28.10 + 140 100 + 28.10 3
3
'
ΔU cau U cau _ U cau 7,01_ 7
- Tính sai số = 100. = .100 = .100 = 0,14%
U cau U cau 7
- Với sai số 0,14 % thì việc tính chọn các trị số của các điện trở cầu đo là
phù hợp
- với cách tính chọn trên ta có R1=100(Ω) ; Rt =100 ÷ 140 (Ω).
E1= 5 V ; R2= R3 =28 KΩ
- Dòng điện qua nhánh R1, R2 là :
E 5
IR1,R2 = = = 0,000177 (A)
R1 + R2 100 + 28.10 3
Chọn điện trở R1, R2 là dây măng Ganin 1/4w loại này có hệ số nhiệt điện trở
γ =0,000015 (1/0C)
Kiểm tra công suất trở đã chọn
PR1 =I2R1,R2.R1=(0,000177)2.100 =3,132.10-6 (w)
PR2 = I2R1,R2.R2 =( 0,000177)2.28.103 = 0,87.10-3 (w)
44
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
PR1,R2 =PR1 +PR2 =0,870003.10-3 (w) . Vậy chỉ số công suất của trở đã
chọn là phù hợp.
Dòng điện trên nhánh R3 và Rt (xét ở 00C thì Rt =R1 =R0)
Và chọn R3 =28 kΩ điện trở là dây măng Ganin 1/4w
E 5
IR3,Rt = = = 0,000177 (A)
R 3 + Rt 28.10 3 + 100
Vậy dòng tổng của nguồn E =5 v cấp cho cả 5 khối ở 00C là lớn nhất và (Rt
tăng lên theo nhiệt độ ⇒ I giảm ). Ta có trị số : ICB =5(IR1+R2+Ir3,Rt)
=5.2.IR1,R2=10.0,000177 =0,00177 (A)
Công suất tổng ở 00C là
Pcầu =5.2.PR1,R2 =10.0,87.10-3≈ 8,7.10-3 (W)
⇒ chọn Pcầu =0,009 (W)
2.3.2 Khối khuếch đại trung gian.
Tính U cầu ở 1000C
E.R1 .α.t 0 5.100.0,004
Ucàu = = .100 ≈ 0,007 (v)
R1 + R2 100 + 28.10 3
Khi chỉ thị số 1000C thì ứng với đầu vào của IC 7107 là 1000 số mỗi số nhảy là
0,1 mV
Uvào =1000.0,1 =100 (mV)
Hệ số khuếch đại là
U vao 7107 100
K= = ≈14 (lần)
U cau 7
R1 + R3 ( R6 + R)
K = K1.K2 = (1 + ). = 14
R2 R5
Chọn R1 theo điện trở tiêu chuẩn R1=R3 =28 KΩ, chọn R2 =4R1 =4.28
= 112( KΩ) ⇒ nếu R2 giảm thì hệ số khuếch đại K1sẽ lớn dần.
Lúc này ta chọn Kmin có nghĩa R2max=112 (KΩ)
Vậy ta có:
28 + 28 ( R6 + R)
K = 14 = (1 + ).
112 R5
45
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
R6 + R
⇒ = 9,3
R5
0A1 R6
R4
R3 R
R2
Uv
0A3
R1
Ur
R5 R7
0A2
2.3.3 Khối xung điều khiển
+ Vcc
I RA 4
n¹p 8
7
I
x¶
555
D RB 6 3
2
1 5
C1 C2
46
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
UC
2v
3 cc
1v
3 cc
t1 t2 t3 t4 t
T k® TX T N T X
T CK
U
G i¶ n ® å x u n g
47
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
Vậy với cách tính chọn các giá trị của tụ C =10(μF) và RA=RB=720 (KΩ), Sẽ
đảm bảo được thời gian tự động là 10 giây.
Tiêu thụ dòng điện của IC 555 là : 0,7 mA/1V vậy 5 V thì dòng điện tiêu thụ là
: IXđk =0,7.5 =3,5 (mA)
P555 =U.I =5.3,5.10-3=0,0175 (W)
2.3.4 Khối chỉ thị (đèn LED, tính chọn R,PLED)
Ta có Ung = UR + ΔUcm7107 + ΔULED
Trong đó: Ung là nguồn nối vào anod của LED 7 thanh = 5 (V)
Δ Ucm7107 : là điện áp sụt áp ở đầu ra của IC7107 = 1 (V)
ΔULED : là điện áp sụt trên LED = 1,6 (V)
• Tính chọn R:
UR = Ung − ΔUcm7107 − ΔULED
= 5 -1 -1,6 = 2,4 (V)
Với ILED là dòng qua LED (10mA ÷ 20mA)
Chọn ILED = 15mA = 15.10-3A
UR 2,4
RLED = = = 160Ω
I LED 15.10 - 3
48
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
PHẦN 3
SƠ ĐỒ NGUYÊN LÝ – NGUYÊN TẮC LÀM VIỆC
TÍNH TOÁN KHỐI NGUỒN
3.1 SƠ ĐỒ NGUYÊN LÝ:
49
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
gi¶n®åxungho¹t®éngcñaichef4017b
2/3vcc
1/3vcc tn tx
t t
cp
0 (®Çura 555 cp )
0
t
cp1
t
mr
t
00
t
01
t
02
t
03
t
04
t
05
t
Bộ tạo xung 555 tạo ra xung và được đưa đến bộ đếm HEF 4017B để đếm
50
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
- ở chu kỳ đầu T1 + T2 là 10s thì A0, A1,A2 ở mức thấp. Nên lúc đó phát
lệnh đọc kênh 1
- Chu kỳ tiếp theo thì A0, ở mức cao, A1, A2 ở mức thấp. Nên lúc đó phát
lệnh đọc kênh 2
- Chu kỳ tiếp theo A1 ở mức cao, A0, A2 ở mức thấp. Nên lúc đóphát lệnh
đọc kênh 3
- Đến chu kỳ tiếp theo A0, A1 ở mức cao, A2 ở mức thấp. Nên phát lệnh
đọc kênh 4
- Đến chu kỳ tiếp theo A2 ở mức cao, nên phát lệnh đọc kênh 5
- ở chu kỳ sáu chân MR ở mức cao lên ,có tác dụng reset lại quá trình đọc
các kênh
3.2.2 Nguyên lý làm việc
3.2.2.1 Đặt giá trị nhiệt độ điều khiển (bằng tay)
- ở chế độ đặt nhiệt độ cho từng kênh ta dùng phương pháp điều khiển bằng
tay để đảm bảo thời gian đặt nhiệt độ.( công tắc CT2 đưa về vị trí 2 )
ở chế độ này CT1 đưa về vị trí 1 dẫn tới E của 1HEF 4051 B ở mức cao, nên
theo bảng chân lý thì IC này không hoạt động hay không đọc số liệu đo các
kênh.
Khi CT1 ở vị trí 1 thì E của 2 HEF 4051 B ở mức thấp, khi đó theo bảng chân
lý thì các ngõ vào ra được nối bởi trạng thái của các chân A0- A2 .
Khi đó ta nhấn nút M2 cấp 1 xung điện áp cho chân (14) CP0 của IC HEF 4017
dẫn tới MP0 ở mức cao (theo giản đồ xung), đồng thời ta nhấn nút M1 thì chân
(15) MR (reset lại) cũng ở mức cao ,theo bảng hoạt động của 4017 B thì O0 =
H, (O1- O9) = L dẫn tới đầu vào CMOS 2HEF 4051 (A0-A2) = L, khi đó chân
Y0 nối với Z tương ứng với việc đặt nhiệt độ cho kênh 1 nhờ Rđc19 để đạt
được nhiệt độ quy định. Khi chân O0 của 4017 B ở mức cao được đưa tới ma
trận Diod được bố trí như trong sơ đồ nguyên lý để hiển thị số kênh đang đọc là
kênh 1 (b,c).
Nếu ta nhấn tiếp nút M2 (khoảng cách nhấn nút M2 tuỳ thuộc vào thời gian quy
định và người vận hành ), theo giản đồ xung của HEF 4017 lúc này
51
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
CP0 = H, MR= L ,O1= H dẫn tới đầu vào của 4051 A0 =H ; A1=A2=L ,theo
bảng chân lý thì Y1 được nối với Z tương ứng với việc đặt nhiệt độ đo cho kênh
2 và khi O1=H thì ở ma trận Diod cho tín hiệu kênh số 2 .
Quá trình đặt nhiệt độ cho từng kênh được diễn nhờ việc nhấn nút M2 theo chu
kỳ như vậy cho tới hết kênh 5 . Nút M1 có tác dụng reset lại để có thể đặt lại
nhiệt độ cho các kênh hay khi chuyển sang chế độ đo nhiệt độ của các kênh thì
ta chuyển CT1 sang 2 và nhấn M1 .
Tuy vậy khi đo nhiệt độ làm việc của từng kênh ta chuyển sang chế độ điều
khiển tự động để đảm bảo đúng thời gian đọc từng kênh (lúc này CT2 đưa về vị
trí 1, CT1 đưa về vị trí 2).
Khi CT1 đưa về vị trí 2 thì ngược lại với quá trình đặt nhiệt độ là E của 2 HEF
4051 B ở mức cao nên theo bảng chân lý thì các chân vào ra của IC này bị
khoá, còn E của 1 HEF 4051 B ở mức thấp nên các chân vào ra được nối theo
trang thái của các chân A0-A1 .
Khi CT2 đưa về vị trí 1 là đầu ra của IC 555 .
Khi cấp nguồn cho IC 555, ở chu kỳ đầu trong khoảng thời gian nạp tụ T1 thì
chân ra (3) ở mức cao tương ứng với đầu vào CP0 của 4017 ở mức cao, theo
giản đồ xung của 4017 thì MR = O0 =H ; O1-O9 =L , dẫn tới đầu vào của
CMOS 1 HEF 4051 B có A0-A2 = L theo bảng chân lý thì chân Y0 nối Z mà Y0
là tín hiệu được đưa tới từ Sensor 1 qua khối khuếch đại và so sánh , từ chân ra
Z của 4051 B được đưa vào ICL 7107 để chuyển đổi tín hiệu và số hoá qua bộ
hiển thị LED trong khoảng thời gian từ T1 –T2 ( T2 là thời gian xả tụ ).
tới chu kỳ tiếp trong khoảng thời gian T2-T3 là thời gian nạp tụ, thì tương tự ta
có đầu vào của 1HEF 4051 B có A0 =H ; A1,A2,E =L , theo bảng chân lý thì
Y1nối với Z tương ứng với việc đo, đọc và hiển thị kênh 2 .
Quá trình diễn ra tương tự như vậy cho tới hết chu kỳ 5 để hiển thị kênh 5 .Khi
bắt đầu có tín hiệu ở chu kỳ 6 thì cho O5 ở HEF 4017 ở mức cao theo cách nối
ở sơ đồ tín hiệu được đưa về chân (15) MR dẫn tới MR=H theo bảng chân lý
thì O0=H ; O1-O9 =L hay nói cách khác là MR có tác dụng reset lại các chân
và quá trình được lặp lại từ Sensor 1 .Quá trình reset này diễn ra rất nhanh (thời
gian này không đáng kể gì so với 10 giây ).
52
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
ở bộ KĐ so sánh A4 có tác dụng so sánh tín hiệu đo được đưa tới từ Ucầu so với
tín hiệu đặt. Khi Uc< Uđ thì đầu ra ở mức cao dẫn tới hệ thống đèn hay chuông
không hoạt động và quá trình đo được thực hiện bình thường,
khi Uc >Uđ thì đầu ra ở mức thấp lúc này hệ thống cảnh báo sẽ làm việc và báo
hiệu nhiệt độ đo vượt quá mức đặt .
53
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
Uvào T’1
Đ1
R9 R5
R8
T1
R6
T2
T4 R4
T3 R2 R3
Đ2
R7 R1
Uổn
54
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
Qua sự trình bày nguyên lý làm việc của vi mạch ổn áp điện một chiều ta
thấy rằng T1’ và T1 ở hình (3-2) đóng vai trò như một điện trở động mắc nối
tiếp với phụ tải, thay đổi trị số nhờ việc mở nhiều hay ít của T1’ và T1 theo sự
biến động của điện áp vào và cũng như sự biến động của phụ tải đầu ra.
3.2.3.2 Tính chọn vi mạch ổn áp
a.Tính chọn vi mạch ổn áp cho nguồn E1
Nguồn E1 ta sử dụng cặp IC ổn áp 7812 và 7912 có dòng định mức là 1A,
nhiệt độ cho phép lớn nhất là 750C.
Qua tính toán ở phần trên ta thấy dòng qua 7812 và 7912 là như nhau nên
việc tính chọn 7812 phù hợp thì 7912 cũng phù hợp.
Dòng qua IC 7812 lớn nhất là :
Itổng = ICB + Ikđ + Ixđk + 5Iled + Iss + 2IIC4051B+IIC4017+IIC7107
= 0,00177+0,141+0,0035 + 5.0,015 + 0,141+2IIC4051B+ IIC4017+ IIC7107
= 0,32 + 2IIC4051B+IIC4017+IIC7107
Do dòng của các IC không lớn nên ta chọn Itổng= Id =0,4(A)
Ta chọn Uvào là điện áp sau chỉnh lưu và lọc lấy: Uvào= 15(V)
Ta có: Uổn áp= 12(V)
Vậy điện áp sụt trên 7812 là: ΔU = Uvào- Uổn áp= 15 − 12 = 3(V)
Công suất tiêu tán trên 7812 là : P7812 = 3.0,4 = 1,2(W)
Diện tích tản nhiệt của 7812 :
1200.P7812
S=
Tcp − t
55
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
Qua tính toán ở phần trên ta thấy dòng qua 7805 và 7905 là như nhau nên
việc tính chọn 7805 phù hợp thì 7905 cũng phù hợp.
- Dòng qua 7805 và 7905 là
I7805 = I7905 = Id − Ikd − Iss = 0,4 − 0,141 − 0,141 = 0,11 (A)
- Điện áp sụt trên 7805 hoặc 7905 là :
ΔU = 12 − 5 = 7(V)
- Công suất tiêu tán trên 7805 hoặc 7905 là:
P7805 = P7905 = ΔU.I7805 = 7.0,11 = 0,77 (W)
- Diện tích tản nhiệt cho 7805 hoặc 7905 là :
1200.P 7805 1200.0,77
S= = = 33,6(cm2)
Tcp − t 75 25
÷ 1,3 lần)
ΔUD là điện áp sụt trên diod silic = 0,6(V)
vậy Ud = 25 + 2.0,6 = 26,2(V)
Ud 26,2
U2 = = = 29(V)
Ku 0,9
56
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
Unv = 100(V)
- Chọn tụ lọc của nguồn tạo ra ±E1 là tụ hoá 470μF, 25(V).
- Chọn tụ lọc của nguồn tạo ra ±E2 là tụ hoá 1000μ, 25(V).
3.2.4 Tính toán biến áp nguồn:
PSS= 3,4 W
Pkđ= 3,4 W
5.Pled = 5.0,036 = 0,18 W
P555 = 0,0175 W
Pcầu = 0,009 W
2P7812 = 2.0,77 = 1,54 W
2P7805 = 2.1,442 = 2,884 W
PD = 0,3408 W
PIC = 0,7293 W
Ptổng = 13,36 W
- Công suất biểu kiến của máy biến áp là:
Ptæng
S=
Cosϕ
S 20
- Dòng điện thứ cấp I2 = = = 0,68 (A)
U2 29
I 2.U 2 0,68.29
- Dòng điện thứ cấp I1 = = = 0,089 (A)
U1 220
- Ta dùng MBA một pha, ba trụ có tần số f = 50 Hz
Diện tích trụ sơ bộ:
S
QFe = kΘ. (kΘ hệ số làm mát lấy kΘ = 6)
mf
20
= 6. = 2,14 (cm2)
3.50
Với QFe nhỏ ta chọn trụ hình chữ nhật với QFe = a.b
Theo kinh nghiệm ta có : b/a = (1 ÷ 1,5)
57
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
h/a = 3 Là tốt
Vậy ta có a.b =2,14
b/a = 1,2 nên ⇒ a = 1,4 cm
b = 1,7 cm
QFe thực tế = 1,4 × 1,7 = 2,4 cm2
- Chiều cao cửa sổ mạch từ : h = 1,4.3 = 4,2 (cm)
- Chọn loại thép ∃330, lá thép dày 0,5mm.
- Chọn sơ bộ mật độ từ cảm trống trụ Bt = 1(T).
• Tính toán sơ bộ dây ở cuộn sơ cấp máy biến áp:
U1 220
W1 = = = 4129,12 vòng
4,44.f .QFe.Bt 4,44.50.2,4.10 _ 4.1
Tính lại:
I1 0,089
J1 = = = 1,93 (A/mm2).
s ' 0,046
1
58
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
4,2 2 .1
W11 = _1
- 0,95 = 100 (vòng)
0,22.10 0,22.10 _ 1
H h
c a c
59
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
60
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
61
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
= 3,6 (Ω)
62
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
ΔUBA = 2
ΔU x + ΔU r
2
= 0,45 2 + 1,12 2 = 1,2 (V)
KẾT LUẬN
Trên đây là toàn bộ các phần thiết kế, tính toán cho “HỆ THỐNG ĐO
NHIỆT ĐỘ HIỂN THỊ SỐ 5 KÊNH’’ với kiến thức còn giới hạn và tìm hiểu
chưa rộng về lĩnh vực chuyên ngành nên đồ án chưa được tối ưu và còn có
nhiều nhầm lẫn, thiếu sót. Kính mong các thầy cô chỉ bảo và xây dựng kiến
thức thêm để em hoàn thành khoá học một cách tốt nhất. Em xin chân thành
cảm ơn các thầy cô.
63
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
64
TRƯỜNG ĐHKB HÀ NỘI ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
MỤC LỤC
trang
Lời mở đầu 1
PHẦN 1: TỔNG QUAN VỀ ĐO NHIỆT ĐỘ 2
1.1 Các vấn đề cơ bản về kỹ thuật đo lường 2
1.1.1 Khái niệm 2
1.1.2 Các đại lượng đặc trưng của kỹ thuật đo lường 3
1.1.3 Thiết bị đo và các phương pháp đo 4
1.1.4 Các đại lượng đặc trưng cơ bản 6
1.2 Đặc điểm về đo nhiệt độ 8
1.2.1 Khái niệm về nhiệt độ 8
1.2.2 Thang đo nhiệt độ 9
1.2.3 Phân loại hệ thống đo nhiệt độ 11
PHẦN 2 : SƠ ĐỒ KHỐI VÀ NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC
CỦA CÁC PHẦN TỬ TRONG SƠ ĐỒ KHỐI 29
2.1 Sơ đồ khối – chức năng của từng khối 29
2.1.1 Sơ đồ khối
2.1.2 Chức năng của từng khối 30
2.2 Giới thiệu từng phần tử trong sơ đồ khối 31
2.2.1 Khối cảm biến 31
2.2.2 Khối khuếch đại trung gian 32
2.2.3 Khối tạo xung điều khiển 34
2.2.4 Khối nguồn 38
2.2.5 Khối chỉ thị 38
2.2.6 Khối so sánh tín hiệu 39
2.2.7 Khối tương tự số 40
2.2.8 Khối chuyển và nhớ kênh 42
2.3 Tính chọn các phần tử trong hệ thống đo nhiệt đ 45
2.3.1 Tính chọn khối nguồn 45
2.3.2 Khối khuếch đại trung gian 47
2.3.3 Khối xung điều khiển 48
2.3.4 Khối chỉ thị 49
2.3.5 Khối so sánh 50
PHẦN 3 : SƠ ĐỒ VÀ NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC
TÍNH TOÁN KHỐI NGUỒN 51
3.1 Sơ đồ nguyên lý 51
3.2 Nguyên lý làm việc 52
3.2.1 Sơ đồ 52
3.2.2 Nguyên lý làm việc 53
3.2.3 Tính toán khối nguồn 56
3.2.4 Tính toán máy biến áp nguồn 59
Kết luận 66
Tài liệu tham khảo 67
65