• Osnovne specifičnosti energetskih bipolarnih tranzistora

Tranzistor je poluprovodnički element koji se koristi za pojačanje (najznačajnija primjena),

prekidanje struje, stabilizaciju napona, modulaciju signala i mnoge druge operacije.

a) b) c)
Slika 2.8. a) Oznaka za NPN tip tranzistora; b)Realna I-U karakteristike;
c) Idealizovana karakteristika

Tranzistori su potpuno upravljive električne sklopke kod kojih se kontrolni signal na upravljačku
elektrodu mora dovoditi cijelo vrijeme dok traje vodjenje tranzistora.

Na Slici 2.8. prikazan je bipolarni (BJT – Bipolar Junction Transistor ) tranzistor NPN tipa, i njegova
strujno naponska karakteristika. Tranzistor ima tri elektrode (gornja - kolektor, srednja – baza, i
donja emiter).

Glavni krug tranzistora kroz koji prolazi struja koja se upravlja su krug katoda-emiter. Krug
baza-emiter čini upravljački krug kroz kojeg prolazi upravljačka struja.

1. Dok prolazi upravljačka struja kroz bazu tranzistora, otpor između kolektora i emitera tranzistora je
mali – tranzistor se ponaša kao zatvorena sklopka – propusno stanje, Vce≈0 ( kod realnog
tranzistora Vce = 0,3 V), a kolektorsku struju i c > 0 odredjuje vanjski izvor napona u glavnom krugu
kolektor emiter.

2. Ukoliko se prekine dovod upravljačke struje, otpor između kolektora i emitera postaje ∞ - tranzistor
se ponaša kao otvorena sklopka, nalazi se u stanju blokiranja, Vce je jednak naponu izvora koji je
priključen u glavnom krugu, a kolektorska struja i c = 0.
Ako između kolektora i emitera priključimo negativan napon, tranzistor je zaporno polarisan i ne
može provoditi struju. Nisu preporučljivi veći zaporni naponi – mogućnost uništenja tranzistora.

Za ovaj tranzistor možemo reći da:

• se koristio intenzivno u prošlosti;
• se sada koristi samo u specifičnim slučajevima;
• je zamijenjen drugim tranzistorima: MOSFET‐om i IGBT‐om (insulated gate bipolar
tranzistor).

21
• Načini korišćenja energetskih tranzistora
Snažni bipolarni tranzistor ima malo strujno pojačanje, zato se koriste Darlington konfiguracije,
Slika 2.9.

Slika 2.9. a) Dvostruki Darlington tranzisor; b) Trostruki Darlington

Nedostatak ovih konfiguracija:

1. veća kolektorska struja curenja,
2. veći pad napona kolektor‐emitor i
3. nešto manja brzina uključenja i isključenja.

Osobine Darlington tranzistora:

- veliko strujno pojačanje, velika struja curenja, veći pad napona (u odnosu na BJT);
- potrebna negativna polarizacija spoja baza-emitor;
- asimetrično blokiranje napona;
- prisutan efekat sekundarnog proboja
- prekidačka učestanost – nekoliko kHz
- u poslednje vrijeme se rijetko koriste;
- tipična primjena u:
čoperima za pogon DC motora,
invertorima za pogon AC motora,
regulisanim DC i AC napajanjima,
UPS sistemima, itd.

• Prekidački režimi rada

Tranzistor u polju izlaznih karakteristika ima tri radna područja:

1. normalno aktivno područje,
2. područje blokiranja i
3. područje zasićenja.

Energetski tranzistori rade u impulsnom režimu (kao sklopke) tj. iz blokiranja prelaze u zasićenje i
obrnuto.

22
Bipolarni tranzistori primjenjuju se za radne frekvencije do 5kHz i snage do 400kW. Uz svaki
tranzistor nužna je i tzv. zaštitna ili nul dioda koja ga štiti od prenapona u trenutku isključivanja
zbog samoindukcije.

I-U karakteristika snažnog BJT-a je data na Slici 2.10.a) i b).

a) b)

Slika 2.10. I-U karakteristika snažnog bipolarnog tranzistora

BVCEOsus- makismalni napon CE pri odredjenoj (znatnoj) struji IC

BVCEO – probojni napon kada je IB=0
BVCBO – probojni napon C-B kada je E otvoren
BVCBO > BVCEO – moguće proširiti opseg blokirnog napona dovodjenjem negativne struje IB.
Kvazi zasićenja - jedinstvena za snažni BJT (radom u ovoj oblasti smanjuje se vrijeme nagomilavanja
nosilaca – povećava brzina)
Sekundarni proboj se mora izbjeći (dolazi do oštećenja BJT-a).

Slika 2.11. Sekundarni proboj

• Ako tranzistor duže vremena radi u tom režimu dolazi do njegovog trajnog uništenja;
• Sekundarni proboj nastaje pri velikom naponu VCE – najčešće prilikom uključenja i isključenja;
• Posljedica je neravnomjerne gustine struje u inverzno polarisanom spoju, zbog čega se javljaju
vruće tačke;

23
 • Usljed negativnog temperaturnog koeficijenta, razlike postaju veće tj. dolazi do tzv. termičkog
bježanja (thermal runaway). Napon VCE se smanjuje, a struja raste;
• Dolazi do pregrijavanja i uništenja.

Oblast sigurnog (pouzndanog )rada BJT-a

Oblast sigurnog rada pri direktnoj polarizaciji baza - emitor (FBSOA -Forward bias safe operating
area) data je na Slici 2.12. dok je oblast sigurnog rada pri inverznoj polarizaciji baza-emitor (RBSOA -
Reverse bias safe operating area) data na Slici 2.13.

Slika 2.12. Oblast sigurnog rada pri direktnoj Slika 2.13. Oblast sigurnog rada pri inverznoj
polarizaciji baza - emitor polarizaciji baza - emitor

Pitanja 7:

1. Šta je tranzistor?
2. Nacrtati realnu i idealizovanu I-U karakteristiku tranzistora.
3. Koliko tranzistor ima elektroda i koje su to?
4. Kada se tranzistor se ponaša kao zatvorena sklopka?
5. Kada se tranzistor se ponaša kao otvorena sklopka?
6. Kada je tranzistor zaporno polarisan?
7. Kada se koristi energetski BJT?
8. Zbog čega se koriste Darlington konfiguracije?
9. Koje su nedostatci Darlington konfiguracija?
10. Koje su osobine Darlington tranzistora?
11. U kom režimu rade energetski tranzistori?
12. Koje su radne frekvencije i snage energetskih BJT?
13. Kako se rešava problem prenapona u trenutku isključivanja zbog samoindukcije?

24