C2 NLTT Va.5 2013

Bìa giảng NLTT Trần Công Binh
ĐH BÁCH KHOA TP.HCM
Bài giảng:
giảng:
NĂNG LƯỢNG TÁI TẠO
Giảng viên: ThS. Trần Công Binh
8/2013 0
C2: NĂNG LƯỢNG ĐIỆN MẶT TRỜI
1. Nguồn năng lượng mặt trời

2. Tế bào quang điện
3. Đặc tuyến I-V của pin quang điện
4. Công nghệ chế tạo pin quang điện
5. Đặc tính làm việc của pin quang điện
6. Hệ điện mặt trời độc lập
7. Hệ điện mặt trời hòa lưới
Năng lượng tái tạo 1
ĐH Bách Khoa TP.HCM 1

Nguồn tài nguyên từ mặt trời

• Trước khi nói về năng lượng mặt trời, hãy tìm
hiểu về mặt trời:
• Như cường độ ánh nắng ra sao
• Vị trí của mặt trời ở đâu tại mọi thời điểm
• Bức xạ mặt trời ra sao (insolation: incident solar
radiation)
• Từ đó xác định bức xạ trung bình nhận được mỗi
ngày
• Và chọn vị trí và góc lắp đặt dàn pin mặt trời sao
cho hiệu quả nhất
Bức xạ của lỗ đen và mặt trời

• Mặt trời
– Đường kính 1.4 triệu km
– Tổng công suất bức xạ điện từ là 3.8 x 1020 MW
• Vật thể đen
– Là vật thể vừa hấp thụ hoàn toàn, vừa bức xạ hoàn hảo
– Bức xạ hoàn hảo – phát xạ lượng năng lượng trên mỗi
đơn vị diện tích nhiều hơn bất kỳ một vật thể thực ở
cùng nhiệt độ.
– Hấp thụ hoàn toàn – hấp thụ tất cả bức xạ, hoàn toàn
không có phản xạ.

Định luật Plank
• Định luật Plank – bước sóng phát xạ từ vật thể đen phụ
thuộc vào nhiệt độ của nó
3.74 ×108
Eλ = (7.1)
  14400  
λ 5 exp   − 1
  λT  
• λ = bước sóng (µm)
• Eλ = cống suất phát xạ trên mỗi đơn vị diện tích của
vật thể đen (W/m2-µm)
• T = nhiệt độ tuyệt đối (K)
Phổ điện từ
Ánh sáng nhìn thấy được có bước sóng trong khoảng 0.4 đến 0.7 µm,
với bước sóng của tia tử ngoại ngắn hơn và tia hồng ngoài dài hơn
Source: www.en.wikipedia.org/wiki/Electromagnetic_radiation

Phổ bức xạ của trái đất ở 288oK

Trái đất là một vật thể đen phát xạ ở 288K
Hình 7.1
Diện tích dưới đường cong là tổng công suất bức xạ phát ra
Định luật Stefan-Boltzmann
• Tổng công suất bức xạ của vật thể đen được tính bằng
định luật bức xạ Stefan –Boltzman
E = Aσ T 4 (7.2)
• E = tổng mức phát xạ của vật thể đen (W)
• σ = hằng số Stefan-Boltzmann = 5.67x10-8 W/m2-K4
• A = tổng diện tích bề mặt của vật thể đen (m2)

Quy tắc Wien
• Bước sóng mà công suất bức xạ trên mỗi đơn vị diện

tích lớn nhất là
2898
λmax ( µ m) = (7.3)
T (o K )
• λ = bước sóng (µm)
• λmax =0.5 µm cho mặt trời, T = 5800 K
• λmax = 10.1 µm với trái đất (một vật đen), T = 288 K
Bức xạ của trái đất
• Ví dụ 7.1: Trái đất là một vật thể đen, có

nhiệt độ trung bình 17oC, diện tích bề mặt
5,1x1014m2. Tính công suất bức xạ và bước
sóng có công suất bức xạ đỉnh. So sánh với
bước sóng bức xạ đỉnh của mặt trời 5800oK.
E = Aσ T 4 (7.2)
2898
λmax ( µ m) = o (7.3)
T( K)

Phổ bức xạ của mặt trời bên ngoài khí quyển
Hình 7.2
Tỷ trọng khí quyển - Air Mass Ratio

Khi tia nắng băng
qua bầu khí quyển,
lượng năng lượng
đến được bề mặt
trái đất sẽ bị suy
hao
Hình 7.3
• h1 = chiều dài đường đi qua bầu khí quyển với ánh

nắng mặt trời ngay trên đỉnh đầu
• h2 = chiều dài đường đi qua bầu khí quyển để đến bề
mặt trái đất
•Năngβlượng
= góc
tái tạo
cao độ của mặt trời
11

Tỷ trọng khí quyển - Air Mass Ratio
h2 1
air mass ratio m = = (7.4)
h1 sin β
Hình 7.3
• Air Mass ratio bằng 1 (“AM1”) đồng nghĩa với mặt trời
ngày trên đỉnh đầu (m=1)
• AM0 ở bên ngoài bầu khí quyển
• AM1.5 là trị trung bình trên bề mặt trái đất (m=1.5)
Phổ mặt trời trên bề mặt trái đất
m tăng leenkhi
mạt trời xuống
thấp trên bầu trời.
Chú ý là có sụ suy
hao lớn ở bức xạ
màu xanh trời khi
m tăng cao, đó là
lý do có màu đỏ
khi mặt trời mọc
và lặn.

Quỹ đạo trái đất
• Quay một vòng mất 365.25 ngày theo quỹ đạo hình elip
• Khoảng cách từ trái đất đến mặt trời:
  360( n − 93)  
d = 1.5 × 108 1 + 0.017sin    km (7.5)
  365 
• n = số ngày (bắt đầu từ ngày 1.1)

• d (km) thay đổi từ 147x106 km vào ngày 2.1 đến
152x106 km vào ngày 3.7 (tương ứng với mùa đông và
mùa hè)
• Đơn vị góc tính bằng độ cho cả chương này.
• Trong một ngày, trái đất quay 360,99˚

• Quỹ đạo trái đất quay còn gọi là mặt phẳng hoàn
đạo
• Trái đất quay quanh một trục nghiên 23.45˚
• Ban ngày và ban đêm dài bằng nhau vào ngày
21.3 và 21.9 (Xuân phân và Thu phân)
• Đông chí là ngày mà Bắc cực xa mặt trời nhất
• Hạ chí là ngày Bắc cực gần mặt trời nhất

Hình 7.5
Với các ứng dụng năng lượng mặt trời, sẽ xem xét các đặc
điểm của quỹ đạo của trái đất là không thay đổi
Thiên độ δ - Solar Declination
• Thiên độ δ – là góc hợp bởi mặt phẳng xích

đạo với đường thẳng nối tâm mặt trời và tâm
trái đất (δ<0 khi mặt trời ở bán cầu Nam)
• δ biến thiên trong khoảng +/- 23.45˚
• Là một hàm của hình sin tính theo ngày, bắt
đầu từ ngày Xuân phân (n=81 ) tính cho cả
năm 365 ngày.
 360
δ = 23.45sin  ( n − 81)  (7.6)
 365 

Vị trí mặt trời theo thời gian trong năm

• Xác định vị trí mặt trời
Hạ chí
Xuân phân
Thiên độ Thu phân
Hình 7.6 Đông chí
• Tính toán vị trí mặt trời bất kỳ thời điểm nào

• Từ đó xác định góc nghiêng cho dàn pin mặt trời
Góc thu giữa trưa

• Giữa trưa – khi mặt
trời chiếu thẳng theo
đường kinh tuyến
• Phía Bắc bán cầu –
mặt phẳng thu sẽ
nghiêng một góc bằng
đúng với vĩ độ vào
thời điểm Xuân phân
• Vào chính trưa, tía L = vĩ độ (độ) Hình 7.8
nắng vuông góc với
tấm thu
L < 0 ở bán cầu Nam

Cao độ giữa trưa βN - Altitude Angle

• Góc cao độ giữa trưa là góc giữa tia nắng mặt trời với
mặt phẳng trái đất
β N = 90° − L + δ (7.7)
• Zenith – trục hướng tâm, vuông góc với mặt phẳng trái
đất (hay đường chân trời)
Hình 7.9
Ví dụ 7.2 – Góc lắp dàn PV

• Tìm góc lắp đặt tối ưu của dàn pin mặt trời phẳng, lắp
đặt cố định ở TP.HCM (vĩ độ 10o45’00”) giữa trưa vào
ngày 27 tháng 8.
• Bảng 7.1:

Ví dụ 7.2 – Góc lắp dàn PV
• Góc thiên độ δ là
 360 360
δ = 23.45sin  ( n − 81)  = 23.45sin  ( ???− 81) = ???°
 365   365 
• Góc cao độ là
β N = 90° − L + δ = 90° − ??? ° − ??? ° = ??? °
• Để tia nắng mặt trời chiếu vuông góc với dàn pin mặt
trời thì góc nghiên bằng:
α = tilt = 90° − β N = ???°
Vị trí mặt trời theo thời gian trong ngày

• Vị trí mặt trời trong ngày được xác định theo góc
cao độ β và góc phương vị ϕS
• β và ϕS phụ thuộc vào vĩ độ, ngày và giờ.
• Góc phương vị (ϕS )
– > 0 vào buổi sáng
– < 0 vào buổi chiều
– Tính từ trục hướng cực Bắc (xem như hướng Bắc)
• Lấy giờ giữa trưa là chuẩn.

Góc cao độ β và góc phương vị φs
Altitude Angle
Azimuth Angle
φs < 0 ở phía Tây Hình 7.10

Vị trí mặt trời theo thời gian trong ngày
• Xoay theo mặt trời

• Góc giờ H - là góc cần để trái đất quay cho đến

khi mặt trời nằm ngay trên đường kinh độ mà
bạn đang đứng
• Nếu xem trái đất quay một góc 15˚/giờ, thì
H = 15° ⋅ (12-h ) (7.10)

• Ở 11 AM giờ mặt trời (solar time), H = +15˚
(trái đất cần thểm 1 giờ để quay đến giữa trưa)
• Ở 2 PM giờ mặt trời , H = -30˚

sin β = cos L cos δ cos H + sin L sin δ (7.8)
cos δ sin H
sin φS = (7.9)
cos β
• H = góc giờ (độ) (<0 vào buổi chiều)
• L = vĩ độ (độ) (<0 ở bán cầu Nam?)
• Kiểm tra góc phương vị nhỏ hơn hay lớn hơn

90˚ theo phương Nam
tan δ
if cos H ≥ , then φS ≤ 90°, else φS > 90° (7.11)
tan L

Ví dụ 7.3 – Mặt trời ở đâu?
• Xác định góc cao độ β và góc phương vị

ϕS lúc 3 PM (giờ mặt trời) ở TP.HCM
(L = 10,75o vĩ Bắc ) vào ngày 27/8?
Ví dụ 7.3 – Mặt trời ở đâu?
• Xác định góc cao độ β và góc phương vị ϕS lúc 3:00 PM

(giờ mặt trời) ở TP.HCM (L = 10,75o) vào ngày 27/8?
• Góc thiên độ
 360 360
δ = 23.45sin  ( n − 81)  = 23.45sin  ( ???− 81) = ???°
 365   365 
• Góc giờ
H = 15° ⋅ (12-??? h ) = ??? °
• Góc cao độ
sin β = cos L cos δ cos H + sin L sin δ
β = sin −1 ( ??? ) = ??? °

Example 7.3 – Xác định vị trí mặt trời?
• Góc phương vị
cos δ sin H
sin φS =
cos β
• Tính được 2 giá trị góc phương vị

φS = sin −1 ( ??? ) = ??? °
φS = 180 -sin −1 ( ??? ) = ??? °
• Kiểm tra ffiều kiện
tan δ
cos H = cos ( ??? ° ) = ??? ≥ = ???
tan L
φS = ??? °
Sơ đồ dùng phân tích bóng cho mặt trời
• Từ việc xác định vị trí mặt trời trên bầu trời

ở mọi thời điểm
• Cũng có thể xác định bóng che ở mọi thời
điểm
• Bằng cách phát họa góc phương vị và góc
cao độ của hàng cây, tòa nhà, và các vật gây
ra bóng che
• Theo sơ đồ đường mặt trời để xác định thời
gian bị bóng râm che phủ

• Xác định góc phương vị của vật gây bóng che
Góc lệch giữa cực trái đất và cực từ trường khi dùng la bàn
• Xác định góc cao độ vật gây bóng che


• Hàng cây ở hướng đông nam, căn nhà ở hướng tây nam
• Có thể ước tính lượng năng lượng mất đi do bóng che
40o vĩ Bắc
Cây cao che
từ 8:30 đến
9:30 tháng
11 tháng 1.
Nhà che sau

15:00 tháng
11 tháng 1.
Hình 7.15
California Solar Shade Control Act
• Bóng che tấm thu năng lượng mặt trời (từ nhà kế
bên) được pháp luật quy định ở một số quốc gia.
• Ví dụ đạo luật kiểm soát bóng che của California
vào năm 1979: Không để cho cây hay bụi cây gây
bóng che cho tài sản của hàng xóm lớn hơn 10%
diện tích tấm thu trong khoảng 10 am đến 2 pm.

The Guilty Trees were Subject to

Court Ordered Pruning
Trường hợp đầu tiên bị kết án năm 2008.

Nguồn: NYTimes, 4/7/08
Giờ mặt trời ST và giờ đồng hồ CT
• Hầu hết tính toán liên quan đến giờ mặt trời (ST)
• Giờ mặt trời được tính từ giữa trưa.
• So với giờ đồng hồ thì cần 2 hiệu chỉnh:
– Theo kinh độ cần hiệu chỉnh múi giờ
– Theo sự không đồng đều khi trái đất quay quanh mặt trời
• Hai địa điểm sẽ có cùng giờ mặt trời chỉ khi có cùng
kinh tuyến
• Giờ mặt trời sẽ khác nhau 4 phút nếu lệch 1˚ kinh tuyến
• Trong khi giờ đồng hồ chí có 24 múi 1-giờ, mối múi
giờ dùng chung cho 15˚ kinh tuyến.

Bản đồ phần múi giờ thế giới
Nguồn: http://aa.usno.navy.mil/graphics/TimeZoneMap0802.pdf
Bản đồ phần múi giờ thế giới
Nguồn: http://www.timeanddate.com/time/map/

US Local Time Meridians (Table 7.4)
Múi giờ Local Time Meridian

Hà Nội – Băng cốc -105˚
(GMT+7) (Độ kinh Đông < 0)
Eastern 75˚
Central 90˚
Mountain 105˚
Pacific 120˚
Eastern Alaska 135˚
Giờ mặt trời và giờ đồng hồ

• Do quỹ đạo trái đất quay hình elip nên thời gian theo
giờ mặt trời biến thiên theo từng ngày trong năm
Ngày dài hơn

vào mùa
Đông!

• Do quỹ đạo trái đất quay hình elip nên thời gian theo
giờ mặt trời biến thiên theo từng ngày trong năm
• Sự khác nhau giữa ngày 24-giờ và ngày mặt trời được
tính bằng Phương trình thời gian E
• n là ngày trong năm
• Kết hợp hiệu chỉnh sai lệch theo kinh độ và phương

trình thời gian E có được:
Solar Time (ST) = Clock Time (CT) +
4 min ( LT Meridian − Local Longitude ) +E (min) (7.14)
• CT – giờ đồng hồ
• ST – giờ mặt trời
• LT Meridian – Kinh độ chuẩn của múi giờ
• Độ kinh Đông có giá trị < 0
• Giờ đồng hồ có thể khác múi giờ, thay đổi theo mùa

Ví dụ 7.5 – Giờ mặt trời và giờ đồng hồ
• Tại TP.Hồ Chí Minh (L=10o45'0'' vĩ Bắc,

106°40'0" kinh Đông), vào ngày 27 tháng
8. Tính giờ mặt trời lúc 15:08 giờ đồng hồ?
Solar Time (ST) = Clock Time (CT) +

4 min ( LT Meridian − Local Longitude ) +E (min)
• Tính giờ đồng hồ ngay giữa trưa ở Boston (71.1˚ kinh

Tây) vào ngày 1.7 với Eastern Daylight Time (giờ đồng
hồ quy định chậm hơn 1 giờ vào mùa Đông)
• Ngày 1.7 có n = 182
• Từ Phương trình thời gian (7.12) và (7.13) có
360 360
B= (n − 81) = (182 − 81) = 99.89°
364 364
E = 9.87sin ( 2 B ) − 7.53cos ( B ) − 1.5sin ( B ) = − 3.5 min

• The local time meridian for Boston is 75˚, so the

difference is 75 ˚-71.7 ˚, and we know that each degree
corresponds to 4 minutes
• Using (7.14)
CT = ST − 4 ( min/ ° )( 75° − 71.1° ) − (−3.5min)
CT = 12 : 00 − 12.1min = 11: 49.9 AM EST
• But we need to adjust it for Daylight Savings, so add 1
hour
CT = 12 : 49.9 AM EDT
Mặt trời mọc và mặt trời lặn
• Có thể tính toán gần đúng giờ bình minh và hoàng hôn
bằng cách giải pt (7.8) khi cao độ bằng 0:
sin β = cos L cos δ cos H + sin L sin δ (7.8)
sin β = cos L cos δ cos H + sin L sin δ = 0 (7.15)
sin L sin δ
cos H = − = − tan Ltanδ (7.16)
cos L cos δ
Hour angle of sunrise H SR = cos −1 (− tan Ltanδ ) (7.17)
• HSR >0 khi mặt trời mọc, và < 0 khi mặt trời lặn
H SR
Gio` (hinh hoc) = 12 : 00 − (7.18)
15° / h

• Khí tượng thủy văn xác định thời điểm mặt trời mọc/lặn
ở đỉnh của mặt trời thay vì ở tâm mặt trời như tính toán
hình học
• Và xét thêm khúc xạ của khí quyển (bình minh sớm hơn
và hoàn hôn trễ hơn 2,4 phút)
• Hệ số hiệu chỉnh Q
3.467
Q= (min) (7.19)
cos L cos δ sin H SR
• Giờ hình học trừ bớt Q khi mặt trời mọc hay lặn.

Chùm tia bức xạ trực tiếp

• Chùm tia bức xạ trực tiếp (Direct beam radiation) IBC –
đi theo đường thẳng qua bầu khí quyển tới người nhận
• Bức xạ tán xạ (Diffuse radiation) IDC – phân tán bởi các
phân tử trong bầu khí quyển
• Bức xạ phản xạ
(Reflected radiation)
IRC – phản chiếu từ
bền mặt phản xạ
Hình 7.18
Cường độ bức xạ ngoài khí quyển I0
• Tính toán cho ngày bầu trời quang đảng

• I0 là công suất bức xạ qua một đơn vị diện tích bên
ngoài bầu khí quyển.
• I0 phụ thuộc vào khoảng cách giữa trái đất và mặt trời
(có thể ước định được theo từng ngày trong năm)
• Bỏ qua các vết đen của mặt trời, I0 có thể tính:
  360n   2
I 0 = SC ⋅ 1 + 0.034 cos    (W/m ) (7.20)
  365  
• SC = hằng số mặt trời = 1.377 kW/m2
• n = ngày trong năm

Cường độ bức xạ ngoài khí quyển I0
• Hằng năm, chỉ gần một nửa I0 truyền tới được bề mặt trái
đất dưới dạng bức xạ trực tiếp (IB)
• Khi trời quang, bức xạ trực tiếp có thể lên đến 70% I0
Hình 7.19
Sự suy giảm bức xạ qua bầu khí quyển
• Có thể tính độ suy giảm cường độ bức xạ qua bầu khí

quyển theo hàm mũ:
I B = Ae − km (7.21)
• IB = cường độ bức xạ đến bề mặt trái đất

• A = thông lượng ngoài khí quyển
• k = độ sâu quang học
• m = tỷ trọng khí quyển (7.4)

Sự suy giảm bức xạ qua bầu khí quyển
Từ bảng 7.6, A, k và C có thể được tính theo phương trình:

 360
A = 1160 + 75sin  ( n − 275 ) (W/m 2 ) (7.22)
 365 
 360
k = 0.174 + 0.035sin  ( n − 100 )  (7.23)
 365 
 360
C = 0.095 + 0.04sin  ( n − 100)  (7.28)
 365 
Cường độ nắng qua bề mặt thu
• Bức xạ trực tiếp IBC là hàm giữa của góc hợp bởi tia nắng
và mặt phẳng thu: I BC = I B cos θ
•
• Bức xạ tán xạ IDH được chiếu đến từ các hướng phụ khác
với tia nắng, thường từ 6% đến 14% của bức xạ trực tiếp.
I DH = C. I B
• Bức xạ phản xạ IRC đến từ một bề mặt trước tấm thu, và
phụ thuộc độ phản xạ ρ của bề mặt đó. ρ = 0.8 với tuyết,
và 0.1 với mái lợp. I =? RC

Solar Insolation on a Collecting

Surface, cont.
 1 − cos Σ 
I RC = ρ ( I BC + I DH )  
 2  Σ = 0!!!
 1 − cos Σ 
I RC = ρ I B ( sin β + C )  
 2 
Hệ thống xoay theo mặt trời - Tracking Systems
• Hầu hết pin mặt trời được lắp cố định. Nhưng cũng có
một số hệ thống xoay theo mặt trời có hiệu quả hơn.
• Hệ thống mặt trời có thể chỉ gồm 1 trục (xoay theo giờ
trong ngày), hoặc 2 trục (theo cao độ (lên-xuống) và
theo góc phương vị (Đông-Tây)).
• Hệ xoay theo mặt trời có thể
tăng thêm đến 20% công
suất với hệ 1 trục, và 25-
30% công suất với hệ 2 trục.

Cường độ nắng theo từng tháng trong năm
• Với hệ pin mặt trời lắp cố định, công suất bức xạ nhận
được phụ thuộc nhiều vào góc nghiêng lắp đặt. Tùy theo
tiêu chí sử dụng mà có thể chọn góc nghiêng phù hợp.
US Annual Insolation

Worldwide Annual Insolation
Vào năm 2007, tổng công suất PV trên thế giới khoảng 7800 MW, với hầu hết ở Đức
(3860 MW), Nhật (1919 MW), Mỹ (830 MW) và Tây Ban Nha (655MW).
Tế bào quang điện

Pin quang điện
Pin quang điện

Vật liệu quang điện
Mức năng lượng



Phổ năng lượng mặt trời

Phổ năng lượng mặt trời
Ảnh hưởng của mức năng lượng lên

hiệu suất quang điện

Hiệu suất chuyển đổi quang điện thực tế
Mối nối p-n

Mối nối p-n
Mối nối p-n

Diode dùng mối nối p-n
k: hằng số Boltzmann
Diode dùng mối nối p-n

Tế bào quang điện
Mạch tương đương đơn giản của tế

bào quang điện

Mạch tương đương đơn giản của tế bào

quang điện

quang điện


quang điện

quang điện


quang điện
Ví dụ: 8.3.1: Tính dòng ngược bảo hòa của diode trong tấm pin mặt
trời 60 tế bào ghép nối tiếp sau:
Biết V=30.6V, Rp=1.76Ω. Tính I?

quang điện

Mạch tương đương chính xác của tế

bào quang điện

bào quang điện


bào quang điện

bào quang điện


bào quang điện

bào quang điện


bào quang điện
Ghép các tế bào quang điện

Ghép các tế bào thành tấm pin
Ghép các tế bào thành tấm pin

Năng lượng mặt trời
Ghép nối tiếp nhiều tấm pin

Ghép song song nhiều tấm pin
Ghép nối nhiều tấm pin

Ghép nối nhiều tấm pin
Đặc tuyến I-V của pin quang điện

Đặc tuyến I-V
Đặc tuyến I-V

Tác động của nhiệt độ và cường độ

bức xạ

Tác động của nhiệt độ và cường độ bức xạ
∆Isc = 0.05%/oC
∆Voc = - 0.37%/oC
∆PR = - 0.5%/oC
Tác động do bóng che





Công nghệ chế tạo pin quang điện

Pin quang điện dùng tinh thể silicon
Hình 8.45: Một cách phân nhánh để trình bày về các kỹ thuật quang
điện. Tỷ lệ dựa theo thị phần PV vào cuối những năm 1990.
Kỹ thuật Czochralski tạo silicon đơn tinh thể
Hình 8.46: Phương pháp Czochralski tạo ra silicon đơn tinh thể.

Hình 8.47: Sự phát triển của các tế bào năng lượng mặt trời CZ-silicon. (a) Độ
dày của phiến bán dẫn của một tế bào những năm 1970. (b) Tế bào có rãnh
laser và điện cực chìm trên cả hai mặt. (c) Tế bào PERL. Theo Green (1993).
Kỹ thuật Czochralski tạo silicon đơn tinh thể
Hình 8.48: Tăng hiệu suất của các tế bào quang điện dùng silicon đơn tinh
thể trong phòng thí nghiệm. Theo Bube (1998).

Các kỹ thuật kéo tấm silicon
Hình 8.49: Tấm tinh thể silicon có thể được kéo lên bằng phương pháp EFG
(a) hoặc sử dụng 2 thanh kéo song song (b).
Các kỹ thuật kéo tấm silicon
Hình 8.50: Quy trình S-Web tạo ra tấm silicon liên tục, có thể pha tạp chất kích
thích và cắt thành các tế bào hình chữ nhật. Theo Schmela (2000).

Đúc thỏi silicon đa tinh thể

(Multicrystalline Silicon)
Hình 8.51: Đúc, cắt và cưa silicon để tạo thành wafer chưa các hạt tinh thể
silicon, giữa các hạt tồn tại các lằn ranh phân chia.
Mô đun tinh thể Silicon
Hình 8.52: Các tế bào tinh thể được nối nối tiếp với nhau và sau đó được bảo
vệ giữa các lớp thủy tinh, EVA, và polyme.

PIN QUANG ĐIỆN MÀNG MỎNG (THIN-FILM)
Silicon vô định hình
Hình 8.53: Mặt cắt ngang của một tế bào silicon vô định hình p-i-n. Độ dày
tính theo nanomet (10-9m) và vẽ không theo tỷ lệ.

Silicon vô định hình
Hình 8.54: Mô đun a-Si dạng linh hoạt có thể cuộn lại và để lưu trữ khi không
sử dụng. Theo SERI (1985).
Quy trình chế tạo Silicon vô định hình

Hình 8.55: Trình tự các bước thực hiện để tạo ra một môđun các tế bào
silicon vô định hình.
Hình 8.56: Các tế bào riêng lẻ chạy theo chiều dài của một mô đun silicon vô
định hình.

A-Si dạng đa liên kết hay xếp lớp
Hình 8.57: Các tế bào năng lượng mặt trời dùng siliccon vô định hình đa liên
kết được tạo ra từ hỗn hợp a-Si:H (mức năng lượng≈ 1,75 eV) với Carbon a-
Si:C ở lớp trên cùng (≈ 2,0 eV) để hấp
Gallium Arsenide and Indium Phosphide

Gallium Arsenide and Indium Phosphide
Cadmium Telluride
Hình 8.58: Sự bất tương đồng giữa hai loại vật liệu trong heterojunction, tạo
ra các liên kết lơ lửng.

Copper Indium Diselenide (CIS)
Copper Indium Diselenide (CIS)
Hình 8.60: Cấu trúc của tế bào màng mỏng đơn giản dùng copper indium
diselenide (CIS).

Đặc tính tải của pin quang điện

Đặc tuyến I-V cho tải trở


Đặc tuyến I-V cho tải động cơ DC


Đặc tuyến I-V cho tải acquy

Dò điểm công suất cực đại (MPPT)

Hình 9.14: Bộ buck-boost sử dụng với pin mặt trời.


Đặc tuyến I-V theo giờ


Hệ điện mặt trời độc lập
Hệ điện mặt trời độc lập

Ước lượng tải tiêu thụ


Bộ nghịch lưu và hệ điện áp
85%

Dòng điện Idc thường nhỏ hơn 100A.

Với tải như trên, nên chọn hệ điện áp bao nhiêu V?

Bộ
nghịch
lưu và
hệ điện
áp
Khi chọn
Inverter, cần
đảm bảo
dòng khởi
động của tải!

Acquy
Acquy chì khởi động SLI chỉ cho phép xả 20%. Khối lượng
nhẹ do điện cực nhỏ, điện tích đáy bình chứa kẹn hẹp,Z
Acquy chì - axit

Tuổi thọ của acquy chì loại deep-cycle tăng lên đáng kể nếu
chỉ xả đến 20%.

Acquy chì - axit
Nhiệt độ quá thấp làm giảm khả năng tích điện của acquy!?
Acquy chì - axit
Khi xả cạn acquy:

_ Dung dịch chủ yếu là nước – dễ đông ở nhiệt độ âm (-8o).
_ Lớp PbSO4 làm giảm bề mặt phản ứng, tăng điện trở nội Ri.
_ Khối lượng riêng của acquy giảm.

Acquy chì - axit
Dung lượng acquy
_ Dòng điện xả càng nhỏ thì dung lượng acquy càng tăng.
_ Nhiệt độ càng thấp thì dung lượng acquy càng giảm.
_ Suất xả điện C/20 ở 25oC làm chuẩn cho hệ thống PV.

Dung lượng acquy
Dung lượng acquy
Gợi ý:
_ Xem hình 9.39 để tính dung lượng chuẩn (ở 25oC) mà
acquy chưa bị đông.
_ Xem hình 9.42 để tính dung lượng acquy ở nhiệt độ -20oC.

Dung lượng acquy
Hiệu suất Coulomb và hiệu suất acquy chì

_ Khi sạc acquy gần đầy, sẽ phát sinh khí hydrogen và

oxygen và làm giảm hiệu suất sạc acquy.
_ Khi bắt đầu sạc, hiệu suất coulomb gần 100%. Khi quá sạc,
hiệu suất bị giảm còn chừng 90%.
Do đó, hiệu suất nạp-xả năng lượng của acquy chỉ chừng 75%.
Một phần là do tổn hao trên điện trở nội Ri của acquy. Và còn
tùy thuộc vào trạng thái sạc (SOC), nhiệt độ làm việc,Z
d) Cho biết hiệu suất Coulomb là 90%. Tính lại hiệu

suất năng lượng của acquy khi dòng nạp/xả là C/5?
Giả sử Ri không đổi!

Tính toán dung lượng acquy


Hình 9.46 được viết thành các phương trình gần đúng:
_ MDOD (Maximum Depth of Discharge) = 0,25 cho SLI, 0,8

cho loại acquy xả sâu.
_ (T, DR) là hệ số dựa theo ảnh hưởng của nhiệt độ và suất
phóng điện như hình 9.42.
Sinh viên tham khảo bài giải trong tài liệu.

https://eosweb.larc.nasa.gov/cgi-bin/sse/retscreen.cgi?email=skip@larc.nasa.gov

Diode chống ngược

Tính toán lắp ghép dàn pin mặt trời



Hệ nguồn điện mặt trời lai
Hệ nguồn điện mặt trời lai
Hệ thống PV lai:
_ Giảm dung lượng acquy nhờ có máy phát.
_ Dòng cấp cho tải và dòng nạp acquy từ, máy phát < C/5.
_ Hạn chế số lần khởi động máy phát.

Tóm tắt hệ điện mặt trời độc lập
Sinh viên tham khảo tài liệu.
Hệ điện mặt trời hòa lưới


Hòa lưới

Công suất định mức DC & AC
90%

Tính toán theo số giờ nắng đỉnh




Hệ số sử dụng CF cho hệ PV nối lưới
Tính toán công suất cho hệ PV nối lưới






Tính toán kinh tế cho hệ nối lưới
Hiệu quả kinh tế của hệ thống
Tính theo USD/W

Tính theo USD/W
Tính giá thành

Tính giá thành
Tính giá thành

Tính giá thành
Tính giá thành

Tính giá thành
Tính giá thành

Tính giá thành
Trần Công Binh

GV ĐH Bách Khoa TP.HCM
Phone: 0908 468 100
Email: tcbinh@hcmut.edu.vn
binhtc@yahoo.com
Website: www4.hcmut.edu.vn/~tcbinh
B
T
241

C2 NLTT Va.5 2013

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

C2 NLTT Va.5 2013

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Bìa giảng NLTT Trần Công Binh

ĐH BÁCH KHOA TP.HCM

NĂNG LƯỢNG TÁI TẠO

Giảng viên: ThS. Trần Công Binh

C2: NĂNG LƯỢNG ĐIỆN MẶT TRỜI

1. Nguồn năng lượng mặt trời

Năng lượng tái tạo 1

ĐH Bách Khoa TP.HCM 1

Nguồn tài nguyên từ mặt trời

Bức xạ của lỗ đen và mặt trời

ĐH Bách Khoa TP.HCM 2

Định luật Plank

ĐH Bách Khoa TP.HCM 3

Phổ bức xạ của trái đất ở 288oK

Định luật Stefan-Boltzmann

ĐH Bách Khoa TP.HCM 4

Quy tắc Wien

• Bước sóng mà công suất bức xạ trên mỗi đơn vị diện

Bức xạ của trái đất

• Ví dụ 7.1: Trái đất là một vật thể đen, có

ĐH Bách Khoa TP.HCM 5

Phổ bức xạ của mặt trời bên ngoài khí quyển

Tỷ trọng khí quyển - Air Mass Ratio

• h1 = chiều dài đường đi qua bầu khí quyển với ánh

ĐH Bách Khoa TP.HCM 6

Tỷ trọng khí quyển - Air Mass Ratio

Phổ mặt trời trên bề mặt trái đất

ĐH Bách Khoa TP.HCM 7

Quỹ đạo trái đất

• n = số ngày (bắt đầu từ ngày 1.1)

Quỹ đạo trái đất

• Trong một ngày, trái đất quay 360,99˚

Năng lượng tái tạo 15

ĐH Bách Khoa TP.HCM 8

Quỹ đạo trái đất

Thiên độ δ - Solar Declination

• Thiên độ δ – là góc hợp bởi mặt phẳng xích

ĐH Bách Khoa TP.HCM 9

Vị trí mặt trời theo thời gian trong năm

Hình 7.6 Đông chí

• Tính toán vị trí mặt trời bất kỳ thời điểm nào

Góc thu giữa trưa

ĐH Bách Khoa TP.HCM 10

Cao độ giữa trưa βN - Altitude Angle

Ví dụ 7.2 – Góc lắp dàn PV

Năng lượng tái tạo 21

ĐH Bách Khoa TP.HCM 11

Ví dụ 7.2 – Góc lắp dàn PV

Năng lượng tái tạo 22

Vị trí mặt trời theo thời gian trong ngày

Năng lượng tái tạo 23

ĐH Bách Khoa TP.HCM 12

Góc cao độ β và góc phương vị φs

φs < 0 ở phía Tây Hình 7.10

Vị trí mặt trời theo thời gian trong ngày

• Xoay theo mặt trời

Năng lượng tái tạo 25

ĐH Bách Khoa TP.HCM 13

Góc cao độ β và góc phương vị φs

• Góc giờ H - là góc cần để trái đất quay cho đến

H = 15° ⋅ (12-h ) (7.10)

Góc cao độ β và góc phương vị φs

• Kiểm tra góc phương vị nhỏ hơn hay lớn hơn