第一章 了解 TFT LCD

大綱

• 了解顯示器
• 液晶顯示器 (Liquid Crystal Display, LCD)
• 了解薄膜電晶體 (Thin-Film Transistor, TFT)
• 了解 TFT LCD
• 名詞解釋 1

1.3 了解薄膜電晶體
• 薄膜電晶體（Thin-Film Transistor，TFT）， 是
屬於場效應電晶體的一種，大略的製作方式是在
基板上沉積各種不同的薄膜，如半導體主動層、
介電層和金屬電極層。
• 現今絕大部分的 TFT LCD 中所使用的薄膜電晶
體 (Thin-Film Transistor, TFT) ，均是採用非晶矽
所製成。
• 若無特別聲明，均是針對非晶矽 (Amorphous
silicon, a-Si:H) 所製成的薄膜電晶體 。
• 其他的 TFT 技術，將於第六章再稍作介紹。 2

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 1.3 了解薄膜電晶體
• 電晶體(transistor)
是近代電子電路的
核心元件，他的主
要功能是做電流的
開關，就如同控制
水管中水流量的閥
(valve) 。

• 電晶體種類依工作原理可粗分為雙極（載體）接
面電晶體（bipolar junction transistor, BJT） 和
場效電晶體（field effect transistor, FET）。 3

1.3 了解薄膜電晶體
• BJT：
利用兩個很接近的pn接面，電訊號控制其中一個
接面的注入載體，另一個接面收集載體。

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 1.3 了解薄膜電晶體
• FET：
控制訊號造成載體通道(channel)附近電場改變，
使通道特性發生變化，導致電流改變。

1.3 了解薄膜電晶體

• FET又可分
成：
接面場效電晶
體 (Junction
Field Effect
Transistor,
JFET) ；
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 1.3 了解薄膜電晶體

金氧半場效電晶
體 (Metal-Oxide-
Semiconductor
FET,
MOSFET)。

1.3 了解薄膜電晶體
– TFT 結構與操作原理
• 非晶矽型 TFT 構造：
◎ 閘極 (Gate) 、源極 (Source) 與汲極 (Drain) 。
◎ 主要結構是一
層非晶矽半導體薄
膜。其與閘極電極
之間隔著一層閘極
絕緣層，兩端連接
源極與汲極，源極
與汲極之上又覆蓋 一層 n+ 摻雜的非晶矽層。
◎ 與金氧半場效電晶體 (MOSFET) 相類似。 8

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 1.3 了解薄膜電晶體
– TFT 結構與操作原理
• 操作原理：
◎ 與 MOSFET 相近。
◎ 正電壓施於閘極時，在半
導體層吸引電子而成電子通
道，而使源極與汲極之間形
成導通狀態。閘極電壓愈
大，吸引的電子愈多，可以
導通的電流亦愈大。
◎ 負電壓施於閘極時，在半
導體層將電子排除，且因有
n+ 型非晶矽層的阻絕而無法
吸引電洞，而使源極與汲極
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之間形成斷路狀態。

1.3 了解薄膜電晶體
– TFT 結構與操作原理
• 利用 TFT 的閘極電壓，可以控制源極與汲極
間的電流，而將 TFT 打開或關閉，而得以在
適當的時機，與驅動信號的來源連接或斷
絕。
• 每一個顯示畫素均由其個別的 TFT 所獨立控
制，因此較不易受其他顯示畫素的影響。
• 由於 TFT 屬於主動元件，在顯示畫面中呈現
矩陣式的排列，因此稱作主動矩陣式 (Active
Matrix) 液晶顯示器 (AMLCD) 。 10

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 1.3 了解薄膜電晶體
– TFT 的電流-電壓特性
• 右圖是 TFT 典型的電
流-電壓特性曲線 (汲極
與源極間的電壓為
10V) 。
• 閘極電壓 Vgs 為 20V
時，汲極與源極間的電
流可超過 10-6 安培；

• 閘極電壓 Vgs 為 (-5V) ~ (-15V) 時，汲極與源極間的漏

電流小於 10-12 安培。
• 因此藉由設定閘極電壓，即可達到控制電晶體作為開關
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的目的。

1.3 了解薄膜電晶體
– TFT 的電流-電壓特性
• TFT 電壓-電流公式，可依循 MOSFET 的基本公
式：
Vgs − Vth ≥ Vds ⇒
W Vgs ε ε W
I ds = μ eff Cins ( )( )Vds = μ eff ( ins o )( )(Vgs − Vth )Vds
L Vth tins L
Vgs − Vth < Vds ⇒
1 W V 1 ε ε W
I ds = μ eff Cins ( )( gs ) 2 = μ eff ( ins o )( )(Vgs − Vth ) 2
2 L Vth 2 tins L

其中，Cins 為閘極絕緣層單位面積的電容值，W
為通道寬度，L 為通道長度，Vth 為截止電壓，
μeff 為等效載子移動率。 12

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 1.3 了解薄膜電晶體
– TFT 的電流-電壓特性
• 等效載子移動率μeff 為包括了載子實際移動率
μo 與缺陷數目 Ndefect 及載子數目 Nfree 的修正
項：
N free
μeff = μ o
N free + N defect

• 一般而言，非晶矽 TFT 的載子實際移動率約為

10 cm2/V･sec 左右。
• 若是缺陷數目太多，則等效載子移動率不足 1
cm2/V･sec ，這是由於大部分閘極所吸引的電
荷被缺陷捕捉而無法提供導電能力。 13

1.3 了解薄膜電晶體
– TFT 與 MOSFET 的比較
• TFT 與 MOSFET 有許多相似之處，但是仍有
部分不同，而導致 TFT LCD 中有許多效應的
產生。
• 通道與源/汲極：
◎ MOSFET 的載子通道與源/汲極在同一
側，故為直接導通。
◎ TFT 的載子通道與源/汲極之間有半導體
層，為低導電性區域，因而影響其導電特性。 14

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 1.3 了解薄膜電晶體
– TFT 與 MOSFET 的比較
• 閘極與源/汲極的重疊：
◎ MOSFET 的源/汲極摻雜，是利用閘極為遮罩而離子
佈植來形成，有自動對準 (Self-align) 的效果，閘極與
源/汲極之間不會重疊。
◎ TFT 的源/汲極是另外利用光罩來定義，且與閘極之
間有半導體層：
◇ 若閘極與源/汲極沒有重疊，則會有一段不會形成
載子通道的距離，產生很大的電阻而影響充電能力。
◇ 閘極與源/汲極必須故意形成重疊，但是因此而產
生寄生電容的情形，所以在 TFT LCD 驅動與設計上須
有一些特殊考量。 15

1.3 了解薄膜電晶體
– TFT 與 MOSFET 的比較
• 閘極絕緣層的材料：
◎ MOSFET 的閘極絕緣層是在高溫下形成的二
氧化矽，本身與介面的品質均優。
◎ TFT 的閘極絕緣層是以電漿沉積方式產生的氮
化矽 (玻璃基板不耐高溫)，極易有缺陷產生。
◇ 缺陷本是不好的，但是正好搭配有大量缺陷
的非晶矽層。利用氮化矽中的正電荷缺陷而吸引
電子填滿非晶矽的缺陷，使其易於導通。
◇ 所以在實際上應用的 TFT 為 n 型，而沒有
p 型。 16

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 1.4 了解 TFT LCD
– TFT LCD 的架構
• 右圖為 TFT LCD 架構示意圖 － 畫面由畫素所組成，而
每個畫素均可獨立的改變灰階。
• 畫素即為液晶光閥，可視為具有兩個平行電極的電容：
◎ 一個電極是個別「獨
立」的，稱作畫素電極
(pixel electrode) ，再
以二維的方式展開成陣
列。
◎ 另一個電極是所有
畫素「共用」的，稱作
共電極 (common
electrode) 。 17

1.4 了解 TFT LCD

– TFT LCD 的架構
• 共電極的電壓是所有液晶光閥共用的參考電壓，畫素
電極與共電極間的電壓差，即對應於施於液晶光閥上
的電場大小。
• 在被動式 LCD 的畫素中，其兩個平行電極：
◎ 一個電極是與水平方向上其他畫素所共用。
◎ 另一個電極是與垂直方向上其他畫素所共用。

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 1.4 了解 TFT LCD
– TFT LCD 的架構
• 在被動式 LCD 中，開
關某畫素時會影響到鄰
近的畫素，使得驅動電
壓的施予須特別注意，
也因此而無法達成較高
的解析度。
• 在 TFT LCD 中，是利
用 TFT 作為電壓開關，
將畫素電極與其他的畫
素分開，因此不影響其
他畫素。 19

1.4 了解 TFT LCD

– TFT LCD 的架構
• 彩色 TFT LCD 的次畫素：
◎ 彩色濾光片 (Color Filter, CF) ：
◇ 彩色畫面的畫素
需要由 R G B 三原色
來組成，目前的 TFT
LCD 皆是以次畫素的
方式來實現彩色。
◇ 將之前所述的每
個畫素再分割成 R G
B 三個次畫素，各個次畫素的灰階均可獨立改變，而
由對應的 TFT 所控制，因此 TFT LCD 的架構會更複
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雜一些。

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 1.4 了解 TFT LCD
– TFT LCD 的架構
◇ 彩色濾光片是從
白色光源中濾出 R G B
三原色，並不會影響施
加於液晶光閥的電壓。
所以就 TFT 畫素層級
的驅動原理而言，是與
單色的情況相同。
◇ 次畫素顏色的排
列會影響顯示系統層級
的驅動，所以資料傳送
的格式需要配合改變。 21

1.4 了解 TFT LCD

– TFT LCD 的架構
◎ 黑色矩陣 (Black
Matrix, BM) ：
於彩色濾光片的不同
顏色交界處，形成不透
光層，即為黑色矩陣。
1) 減少畫素間混色所
產生的干擾。
2) 減少漏光而增加對
比。
3) 遮蔽 TFT 以降低
漏電流。 22

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 1.4 了解 TFT LCD
– TFT LCD 的譬喻
• 為了方便說明驅動的原理，可用水利系統為例來說
明：
1) 電流 = 電荷對時間微
分 (水流速 = 水量對時
間微分) d Q(t )
I (t ) =
dt
2) 電量變化 = 電容與電
位差的乘積 (水量變化
= 容器面積與水位差的
乘積) dQ = C ⋅ d V 23

1.4 了解 TFT LCD

– TFT LCD 的譬喻

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 1.5 名詞解釋 (1)
• 有效顯示區域 (Active Area)：
◎ 顯示面板上的可顯示文字圖形的總面積。

• 開口率 (Aperture Ratio, AR)：

◎ 次畫素可透光的有效區域除以次畫素的總面
積。
◎ 相同背光下，開口率愈高則整體畫面愈亮。

• 畫面比率 (Aspect Ratio)：

◎ 畫面寬與高的比率。
◎ 一般為 4：3，高畫質電視 (HDTV) 為 16：9。25

1.5 名詞解釋 (2)

• 反應時間 (Response Time)：
◎ 畫素接收信號後，自亮轉暗與自暗轉亮的
時間加總。
◎ 較短的反應時間使畫面轉換更為順暢。

• 顯示解析度 (Resolution of Display)：

◎ 畫素組合成顯示陣列的數目。
◎ 一般常用的顯示解析度有特定的名稱。
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