第十二章 光电探测器

授课老师 明海
PPT制作时间 06年4月

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‡ 引言
‡ 光电探测器的性能参数
‡ 光电探测器的噪声
‡ 半导体光电探测器
9 光电导探测器
9 光伏探测器
光电池
光电二极管
光电三级管
‡ 半导体器件的选择
‡ CCD探测器
 引言
z 光电子系统中，因为光波具有容量大、速度快、保密
性好和抗干扰能力强等优点，常用光波调制使光载波
携带信息。对于光辐射的探测也显得尤为重要。探测
器把光辐射的能量变成其它能量形式（如电、热等）
的信息，再通过对这些信息的测量，实现对光辐射的
探测。

z 从近代测量技术来看，电量测量不仅是最方便，而且
是最精确的，所以大部分光探测器都是直接或间接把
光辐射能量转化为电量，这种探测器称为光电探测器

#
 引言
z 光电探测的物理效应主要分为三类，其中光电效应应
用得最为广泛
9 光电效应：
入射光的光子与物质中的电子直接作用，改变电子的运动状
态，产生载流子。
9 光热效应：
光子不是直接与电子起作用，而是能量被固体晶格振动吸收，
引起固体的温度升高，导致固体电学性质的改变。
9 波相互作用效应：
激光与某些敏感材料相互作用过程中产生的一些参量效应，包
括非线性光学效应和超导量子效应。

#
 引言
z 光电效应：
根据效应发生的部位和性质，分为：
9 外光电效应：
指发生在物质表面上的光电转化现象，主要包括光阴极直
接向外部发射电子的现象。典型的例子是物质表面的光电
发射。这种效应多发生于金属和金属物。
9 内光电效应：
指发生在物质内部的光电转化现象，特别是半导体内部载
流子光生效应。主要包括光电导效应、光生伏特效应、光
子牵引效应和光磁电效应等。这种效应多发生于半导体
内。
#
 引言
z 光电效应类探测器吸收光子后，直接引起原子或分子的
内部电子状态改变，即光子能量的大小直接影响内部电子
状态改变的大小，因而这类探测器受波长限制，存在“红
限” hc
截至波长 λc =
E
E在外光电效应中为表面逸出功，在内光电效应中为半导体禁
带宽度。
z 光热效应类探测器对光波波长没有选择性，但是由于材
料在红外波段的热效应更强，因而广泛用于对红外辐射，
特别是长波长的红外线的测量，由于温度的升高需要热积
累，所以探测器的速度较慢，而且容易受环境的影响。
#
‡ 引言

‡光电探测器的性能参数
‡ 光电探测器的噪声
‡ 半导体光电探测器
9 光电导探测器
9 光伏探测器
光电池
光电二极管
光电三级管
‡ 半导体器件的选择
‡ CCD探测器
 光电探测器的性能参数
z 响应度/灵敏度
is Vs
Ri = 或 Rv =
Ps Ps
单位入射功率下探测器的输出信号（电压或电流）

#
 光电探测器的性能参数
z 光谱响应度
V sλ V sλ
R vλ = R vλ =
或
Psλ Psλ
单位光功率单色光照射下探测器的输出信号（电压或
电流）
z 光谱响应
光谱相应度随波长 λ 的变化关系称为光谱响应
z 相对光谱响应
z 光谱响应宽度
#
 光电探测器的性能参数
z 噪声等效功率 NEP
信号噪声比
Ps Vn
NEP = =
Vs / Vn ℜv
入射光功率通常按某一频率变化，当探测器输出信号电压
的有效值等于噪声均方根电压值时所对应的入射光功率

z 探测度D
1 ℜv
D= =
NEP Vn
探测器探测能力的指标，D越大，噪声等效功率越小，探测
器性能越好

#
 光电探测器的性能参数
z 光电流与入射光功率成正比
ηe 光电转换因子
I p = α Pi = Pi 能量为hv的一个光子在探测器中能产
hυ 生的具有电量为e的光电子数量

z 量子效率
Ip / e 单位时间内光子所激励的光电子数
η =
Pi /h υ 单位时间内入射到探测器表面的光子数
η 代表入射到探测器的单个光子所能产生的光电子数目
#
 光电探测器的性能参数
z 时间常数
探测器的惰性：
当入射光功率发生突然变化时（如开始或停止照射），光电探
测器的输出总不能完全跟随输入而变化。通常用时间常数 τ 来
衡量
在阶跃输入光功率条件下，光电探测器输出电流 i s为

is (t ) = i∞[1− exp(−t /τ )]
当 is (t ) = 0.63i∞ 时， t = τ
τ 称为时间常数
#
 光电探测器的性能参数
z 频率响应
——探测器的响应度随入射光调制频率的变化特征
多数探测器的响应度与调制频率的关系为

ℜ0 调制频率ｆ＝０时的响应度
ℜ (f ) = 1
(1 + 4 π 2 f 2τ 2 ) 2

调制频率
探测器的截止频率
当 ℜ(f ) = 0.707 时， τ = 1/ 2π f *
ℜ0
探测器时间常数决定
了频率响应的宽度
#
 光电探测器的性能参数
z 线形度
探测器的输出光电流（或光电压）与输入光功率成线形
变化的程度和范围。

一般来说，
弱光 i s ∝ ps

强光 is ∝ ps

#
‡ 引言
‡ 光电探测器的性能参数

‡光电探测器的噪声
‡ 半导体光电探测器
9 光电导探测器
9 光伏探测器
光电池
光电二极管
光电三级管
‡ 半导体器件的选择
‡ CCD探测器
 光电探测器的噪声
z 探测器在完成光电转化过程中，不仅给出表征被测对象的电
压、电流信号，同时也伴随着无用噪声的电压、电流信号，
这是一种起伏信号，其大小决定了探测器的探测能力

z 计量起伏噪声（以起伏噪声电压 μn (t)为例，噪声电流 i n (t) 类似）

μn (t) = 0 噪声电压的瞬间振幅和相位随时间呈无规则变化
___
μ 2
n 完全确定，表示单位电阻上所消耗的噪声平均功率
___
___
μ 2
n —计量噪声电压大小 μ 2
n
—起伏噪声电压有效值
记为 Vn2 T T 记为
Vn
____________
_ 2 _ 2
1 1
Vn =[μ (t)- μ ] = ∫ [μ (t)- μ ] dt =
2 2 2
∫ n (t)dt
μ 2
#
T T T T
- -
2 2
 光电探测器的噪声
z 总起伏噪声
产生起伏噪声的电压因素很多，且彼此之间相互独立。
_____ _____ _____
μ n
2
=μ n1
2
+μ n2
2
+ ... 热噪声
暗电流噪声
散粒噪声
_____ _____ _____ 低频噪声
等
μ n
2
= μ n1
2
+μ n2
2
+ ...

#
 光电探测器的噪声
热噪声与T成正比，
z 热噪声 可通过降低探测器温度来减少热噪声

z 来源于电阻内部自由电子或电荷载流子的不规则热运动
热噪声与电子带宽成正比，
z 计算公式： 而与频率无关，频谱无限宽，噪声功
热噪声电压、电流均方值 率密度（4kTR）为常数,为白噪声

I nT 2 = 4κ TΔf/R
热噪声与电阻中是否有电流无关
VnT 2 = 4κ TRΔf
R—探测器内阻或等效电阻 T—探测温度（K）
κ—波尔兹曼常数 Δf—电子带宽
额定噪声功率 电阻所能输出的最大噪声功率与电阻无关
Pn =κTΔf #
 光电探测器的噪声
z 暗电流噪声
z 来源：
探测器接入电路后由于热电子发射、场致发射或半导体中晶
格热振动所激发出来的载流子产生的电流，与外来光照射无
暗电流噪声与暗电流平均值成正
关。 比，可通过减少暗电流来减少噪声

z 定义： 暗电流噪声与电子带宽成正
暗电流噪声均方值 比，也为白噪声
I n 2 = 2eId Δf Vn 2 = 2eId R 2 Δf
Id —暗电流平均值 ｅ—电子电荷
R—探测器等效电阻 Δf —电子带宽
#
 光电探测器的噪声
z 散粒噪声
z 来源：电子或光生载流子的粒子性
例如：光电子发射探测器中，即使入射光平均辐射强度不变，
发射的光电子数也总是围绕一个统计平均值做无规则伏。
内光电探测器中，光生载流子的产生和复合的随机性，
通过PN结的载流数总有微小的不规则起伏。
z 定义：
散粒噪声的均方值
Vn 2 = 2eG 2 I0 R 2 Δf I n 2 = 2eG 2 I0 Δf
I 0—通过探测器的平均电流 Ｇ—探测器的电流内增益
#
 光电探测器的噪声
z 低频噪声
可以限制低频端调制频率来防止低频噪声
z 来源：目前尚不清楚。
主要表现在大约１千赫以下的低频区域，且与调制频率成
反比，故称为低频噪声。
半导体表面有缺陷或不均匀时影响很大，故亦称表面噪
声。

z 定义
I n 2 = AIα Δf/f β

Ａ—比例系数 Ｉ—流过探测器的电流
α ≈2 β ≈ 0.8~1.5
#
‡ 引言
‡ 光电探测器的性能参数
‡ 光电探测器的噪声

‡半导体光电探测器
9 光电导探测器
9 光伏探测器
光电池
光电二极管
光电三级管
‡ 半导体器件的选择
‡ CCD探测器
 半导体光电探测器

z 半导体光电探测器是利用半导体的内光电效应制成的
光电转换器件

z 分类
1）根据器件工作的物理过程
光电导型、光伏型、光子牵引型、光磁电型。
2）根据器件的构造
均质型、结型

#
‡ 引言
‡ 光电探测器的性能参数
‡ 光电探测器的噪声
‡ 半导体光电探测器

9 光电导探测器
9 光伏探测器
光电池
光电二极管
光电三级管
‡ 半导体器件的选择
‡ CCD探测器
 光电导探测器
z 光电导效应
光电导效应是多数载流子导电的光电效应。
均匀半导体材料吸收入射光辐射中的光子，使材料中产生附加
的自由电子和自由空穴，即产生了光生载流子，从而使半导体
的电导率发生变化。

z 光电导探测器
利用光电导效应可以制成各种用途的光电元件，如光敏电阻
（光电导探测器）、光电管等。其中光敏电阻具有体积小、坚
固耐用、价格低廉、光谱响应范围宽等优点，广泛用于微弱辐
射信号的探测领域。
#
 光电导探测器
z 光电导效应
本征半导体：
光电导
Δσ = e(Δnμ n + Δpμp )
μ n 和 μ p 分别是电子和空穴浓度的增量，即光生载流子浓度
Δn和Δp 分别是电子和空穴的迁移率

截止波长
入射光子的能量须不低于本征半导
1.24 体的禁带宽度，既存在“红限”
λc = ( μ m)
E g (eV)
#
 光电导探测器
z 光电导效应
杂质半导体
光电导
Δσ n = eΔnμn （N型）
Δσ p = eΔnμp （P型）

1.24
截止波长 λc = ( μ m)
E i (eV)
E i 为杂质电离能，通常杂质电离能远小于禁带宽度，所以非
本征光电导的长波限远大于本征半导体的长波限。

#
 光电导探测器
z 光电导探测器 z 光电导探测器简单模型
在均匀的具有光电导效应的
半导体材料的两端加上电
极，便构成光电导探测器。
P
当光电导探测器的两端加上
适当的偏置电压后，便有电 d
流流过，用检流计可以检测
到该电流。改变照射到光电 W
导探测器上的光度量（如照 x L
度），发现流过的电流将发 VA RL
生改变，说明光电导探测器
的阻值随照度变化。
#
 光电导探测器的性能参数
z 光电导探测器结构设计基本原则
光电导探测器的响应度与其两电极间的距离的平方成反比，为
提高光电导探测器的响应度，要尽可能缩短其两电极间的距
离。
z 光电导探测器基本结构图示

#
 光电导探测器
z 光电导探测器分类
根据半导体材料分类，有本征型半导体光电导探测器与杂质型
半导体光电导探测器。
本征型半导体光电导探测器的长波长要短于杂质型半导体光电
导探测器的长波长，因此，前者常用于可见光波段的探测，后
者常用于红外波段甚至于远红外波段的探测。

#
 光电导探测器
z 光电导探测器（弱辐射下）
设模型为N型材料（P型同此分析）
若光功率P沿x方向均匀入射，光电导材料的吸收系数为 α
则入射光功率在材料内部沿x方向的变化为
P(x) = P exp(−α x) （P为x=0处入射功率）
x处光生载流子的浓度设为n(x)
稳态条件下
外加电场下，光电子的漂移电流密度为 光生载流子的产生率和复合率相等
J(x) = en(x) μ α P (x )
=
n (x )
W Lhυ τ
光电流平均值为
0

得 n(x) = α P(x)τ 0 = α Pτ 0 exp(−α x)

d
i p = ∫ J(x)dA = Weμ ∫ n(x)dx WLhυ WLhυ
A

= α P τ 0 eμ exp( −α x)dx
0 d

hυ L ∫0 #
 光电导探测器
z 光电导探测器
若入射光功率P全部被吸收
Pτ 0
探测器内平均光生载流子浓度为 n 0 =
WLdhυ
光电流平均值为 i = ePτ μ /hυ L
p0 0
d

量子效率为 η = i p /i p 0 = α ∫ exp( −α x)dx

eη P μτ 0 eη P τ 0 eη
0
光电流为
ip = = =G P
L hυ L hυ τ d hυ
τ =
d
τ
为载流子在电极间的渡越时间
μ
G = 0

τ d
为光电导探测器的内增益，等于载流子平均寿命与渡
越时间之比，表示一个光电载流子对探测器外回路电流的有效
贡献。 #
 光电导探测器的基本特性
z 光照特性

#
 光电导探测器的基本特性
z 光电特性

#
 光电导探测器的基本特性
z 伏安特性

#
 光电导探测器的基本特性
z 频率特性

#
 光电导探测器的基本特性
z 温度特性

#
 光电导探测器的性能参数
z 响应度

eη eη
ℜi = G或ℜ v = GR d
hυ 响应度与偏压和载流子平均寿命有关，
hυ
可通过加大偏压来提高响应度，但是要
其中光电导增益为 受器件所能承受的最大功耗的限制，此
外响应度与光敏面积有关

τ0 τ0 τ 0 VA VA μnτ 0
G = = μ = μn =
τd L L L L2

#
 光电导探测器的性能参数
z 光谱特性
光电导探测器属于选择性探测器。
峰值响应一般位于中波段，而无论向长波（光子能量不够，量
子效率不高）或短波（光子能量太大，多数在表面被吸收，而
易被复合，寿命降低）方向，响应度都会降低。

#
 光电导探测器的性能参数
z 光谱特性

#
 光电导探测器的性能参数
z 噪声特性
光电导探测器主要有三种噪声源（热噪声，产生-复合噪声，
1/f噪声）。
总的均方噪声为
__ ____ _____ ____
4κ TΔf Iαs
i =i +i
2
n
2
nT
2
ng-r +i2
nf = + 4eGIs Δf + A β Δf
R f

#
 光电导探测器的性能参数
z 噪声特性

#
 光电导探测器的性能参数
z 比探测度D*
红外光电导探测器中，最常用的性能参数为比探测度
1
( sΔ f )
2
D* =
NEP
S为探测器的表面积； Δf 为带宽；NEP为噪声等效功率
单色源 D*(λ ,f,Δf)
黑体辐射 D*(T,f,Δf)

#
 光电导探测器的性能参数
z 响应时间和频率响应
在忽略外电路时间常数的影响时，响应时间 τ 0 等于光生载流子
的平均寿命,可由 f = 1/ 2πτ 求出光电导探测器的频率响应截
止频率f c c 0

#
#
 光电导探测器的应用实例
z 照明灯的光电控制电路
第一部分：恒流电源
第二部分：由限流电阻R、Cds光
敏电阻、继电器绕组构成的测光和
控制电路
第三部分：继电器的常闭触头
构成的执行电路
当自然光较暗需要点灯时，Cds的
电阻较大，因此继电器的电流较小
不能维持常闭开关的断开，常闭触
头使得照明灯点亮；当自然光增强到一定值时，Cds的电阻降低，继
电器工作，常闭触头断开，照明灯熄灭。

#
 光电导探测器的应用实例
z 火焰探测报警器
右图为采用Pbs光敏
电阻为探测元件的火
焰探测报警器电路
图。
Pbs的峰值响应波长
为2.2um，恰好为火
焰的峰值辐射光谱。

#
‡ 引言
‡ 光电探测器的性能参数
‡ 光电探测器的噪声
‡ 半导体光电探测器
9 光电导探测器

9 光伏探测器
光电池
光电二极管
光电三级管
‡ 半导体器件的选择
‡ CCD探测器
 光伏探测器
z 光生伏特效应
光生伏特效应是少数载流子导电的光电效应。
光生伏特效应是基于半导体PN结基础上的一种将光能转换为电
能的效应。当入射光作用在半导体PN结上产生本征吸收时，价
带中的光生空穴与导带中的光生电子在PN结内建电场作用下分
开，形成光生伏特电压或光生电流。

z 光伏探测器
利用光生伏特效应制作的光电敏感器件称为光伏探测器。与光
电导探测器相比，具有暗电流小、噪声低、响应速度快、光电
特性的线性好、受温度影响小等优点，但是在微弱辐射的探测
能力和光谱响应范围上不及光电导探测器。

#
 光伏探测器的工作原理
z 光生伏特效应
入射光照射非均匀半导体，若光子能量大于禁带宽度，则
由本征吸收而在结的两边产生电子-空穴对，多数载流子浓度一
般改变很小，而少数载流子浓度变化很大，因此主要研究少数
载流子的运动。

由此可以看出光伏效应是一种少数载流子过程，而少数载
流子的寿命通常短于多数载流子的寿命，当少数载流子复合掉
时，光伏信号终止，光伏探测器的响应快。

#
 光伏探测器的工作原理
z 光生伏特效应 N型中电子多而空穴少，P型相
反，但是，单独的N型和P型半导
内建电场、扩散电流、漂移电流：
体是电中性的，电离成份和载流
P N 子平衡
+
e 由于载流子的浓度梯度，导致扩散
P +
+
N 运动，运动后的N型和P型半导体在
O
接触面附近产生空间电荷区，即内
E 建电场，产生漂移电流
光生电场、光生电流：（只考虑少数载流子运动）
e
+ + +
O 入射光照射下，产生非平衡载
P ++ ++ ++ N 流子（少数载子），在内建电
场下运动，Ｐ端电势升高，Ｎ
E
Ip 端电势降低，产生光生电流(从
E n到p)和光生电场(从p到n) #
P
 光伏探测器的工作原理
z 光生伏特效应
光照在ｐ－ｎ结两端产生光生电动势，相当于在ｐ－ｎ结两端
加上正向电压Ｖ，使得势垒降低为 eVD − eVp 产生正向注入电
流（从Ｐ到Ｎ）
ＰＮ结反向饱和电流
I + = Is [exp(eVp / κ T) − 1]
eVD − eVP
eVD Ec
Ec Eg eVP
Eg
EF
N P N Ev
P Ev
光照前 光照后

#
 光伏探测器的工作原理
z 光生伏特效应
光伏探测器在光照下的总电流(从n到p)为

I = I P -I + = I P -Is [exp(eVp / κ T) − 1]
其中，在没有电流内增益时，

I P = (eη / hυ )p

#
 光伏探测器的工作原理
z 光伏探测器的工作模式
一个PN结光伏探测器(a)等效为一个普通二极管和一个恒流源(光
电流源)的并联，如图(b)所示。它的工作模式则由外偏压回路决
定。
在零偏压时(图 (c))，称为光伏工作模式。
当外回路采用反偏压V时(图 (d))，即外加P端为负n端为正的电压
时，称为光导工作模式。
i
id ιp
RL
u R
L

#
(a) (b) (c) (d)
 光伏探测器的工作原理
z 光导模式下，光电二极管加反偏压，大大提高了器件的频率特
性，并增加了长波段灵敏度及扩展线性区上限。但是反偏压产
生的暗电流引起较大的散粒噪声，而且在频率低于1kHz时还具
有低频噪声，因而限制了探测能力的下限。此外暗电流受温度
影响较大，这也是不利的。
z 光伏模式下，光电二极管在无偏压下工作，故暗电流造成的散
粒噪声小，且无低频噪声。在无光照下只有热噪声电流，因而
有高得多的信噪比。只要工作频率低于截至频率，有效面积相
同的光伏器件要比光导式器件有高的信噪比，特别是频率低于
1kHz时 ，优越性更为突出。但是其截至频率较低，长波灵敏
度略小一点。
z 光伏式主要用于超低噪声、低频及仪器方面；光导式主要用于
探测高速脉冲和高频调制光。

#
 光伏探测器的工作原理
第一象限，ＰＮ结加正偏压，此时
暗电流远大于光生电流，无法作为
z 光照下理想ＰＮ结的伏安特性
光探测器工作；
第三象限，ＰＮ结为反偏压状态，
暗电流等于反向饱和电流远小于光 i
电流，光伏探测器多工作于这一区
域，为光电导工作模式，多做为光
电二极管；
第四象限，外加偏压为０，伏安关
系为非线性，为光伏工作模式，多
做为光电池

#
 光伏探测器的工作原理
z 光照下理想ＰＮ结的伏安特性
光伏器件的输出电压为
κ T Ip − I
Vp = ln( + 1)
e Is
ＰＮ结开路时（R d → ∞ ，Ｉ＝０，I P = I + ）
开路电压为
κT Ip
Voc = ln( + 1)
e Is

ＰＮ结短路时（ Vp = 0, I + = 0 ）
短路电流为
eη
I sc = I p = p
hυ

#
光电导探测器和光伏探测器区别
光电导 光电伏
作用粒子 多数载流子 少数载流子
响应 复合时间长 复合寿命短
响应快 响应慢
决定探测阈值因素 复合噪声和热噪 光电流>热噪声电
声共同决定 流

波长范围 0.3~14um 0.4~1.6um

#
 光伏探测器
z 光伏探测器的种类
1）按构成的“结”不同
PN结型、PIN结型、金属-半导体结型（肖特基势垒型）

2）按使用要求不同
作为能源的光电池
作为光信号变换的光伏探测器（Si,Ge光电二极管，PIN光
电二极管，雪崩光电二极管、光电三极管）

#
‡ 引言
‡ 光电探测器的性能参数
‡ 光电探测器的噪声
‡ 半导体光电探测器
9 光电导探测器
9 光伏探测器

光电池
光电二极管
光电三级管
‡ 半导体器件的选择
‡ CCD探测器
 光电池
z 硅光电池

#
 光电池
z 光电池
光电池是将光能转换为电能的器件，可作为光电信号的探测。
应用最广泛的是硅光电池，具有高效率、宽光谱响应、高稳定
性和耐高能辐射等优点。其次硒光电池在和人视觉有关的光学
仪器中应用的也较多，因为硒光电池的光谱响应曲线和人眼的
光谱效率曲线很相近。
z 硅光电池结构

#
 光电池
z 硅光电池的伏安特性和负载特性

#
 光电池
z 硅光电池的伏安特性和负载特性
当光电池用作探测器时，要求输出特性具有线性关系，这时器
件应工作于伏安特性转弯处的左端，此时输出电流与光强成线
性关系。
当光电池作为赋能元件时，对线性要求不高，而要求输出的功
率尽可能大。对于不同光强，伏安特性弯曲点位置各不相同，
故要求获得最大输出功率所需要的最佳负载也不相同。为了获
得较大的输出功率，也往往采用多个光电池的串、并联组合运
用。

#
 光电池
z 硅电池的光谱特性

硅电池的灵敏度

相对灵敏度

#
#
‡ 引言
‡ 光电探测器的性能参数
‡ 光电探测器的噪声
‡ 半导体光电探测器
9 光电导探测器
9 光伏探测器
光电池

光电二极管
光电三级管
‡ 半导体器件的选择
‡ CCD探测器
 光电二极管
z 产品图示

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 光电二极管
z 光电二极管同样基于ＰＮ结的光伏效应，与光电池相比，
主要特点是结区面积小，通常工作与反偏置状态。其内建
电场很强，结区较宽，结电容小，所以频率特性比光电池
好，但光电流比光电池的小，一般多在微安级。这类器件
可用硅，锗，砷化铟，碲镉汞等材料制作，目前应用最多
的是硅光电二极管。

z 种类
1）PN结光电二极管
２）PIN结光电二极管
3）雪崩光电二极管（APD）

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 光电二极管
z PN结光电二极管
按光敏面和衬底材料所用的材料不同，分为2CU和2DU两种系
列。
2DU系列光敏面为N型硅，衬底为P型硅，2CU系列相反。
2DU系列有三条引出线，除了前极、后极外，还设了一个环极
（减少暗电流和噪声，提高探测能力）。2CU系列两个引出
线。

z 硅光电二极管结构示意图

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几种国产2CU型PN结光电二极管特性参数

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几种国产2DU型PN结光电二极管特性参数

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 光电二极管
z PIN型光电二极管
PN结型光电二极管响应时间只能达到 10−7s，满足不了光纤系
统的响应时间要求（10−8s ），PIN结型光电二激光就是为满足
这一要求而研制。
PIN光电二极管（快速光电二极管），与PN结光电二极管相
比，具有更快的响应时间，并使光谱响应范围向长波方向移
动，其峰值波长可移至1.04~1.06 μ m，与YAG激光器的发射波
长相对应。

结构示意图

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 光电二极管
z PIN结光电二极管特点
（1）I层较厚，PN结内电场基本上集中于I层上，强场对少数载流
子起加速作用，其渡越时间相对变短了，因此响应速度提高。
（2）随着反向偏压增加，光生载流子加速，结电容更小，从而提
高了PIN频率响应。
（3）耗尽层宽度即I层宽度，因此耗尽层变宽，扩宽了光电转换
的有效工作范围；即增加了吸收层厚度，增加对长波的吸
收，同时也提高了量子效率。
PIN管的上述优点，使它在光通信、光雷达以及其他要求快速
光电控制系统中得到非常广泛的应用。

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 光电二极管
z 雪崩二极管(APD:Avalanche Photodiode)
由于普通光电二极管产生的电流微弱，进行放大和处理时会引
入放大器噪声，雪崩光电二极管就是为解决这一问题而产生。

雪崩光电二极管（APD）是利用光生载流子在高电场区内的雪
崩效应而获得光电增益，产生较大的输出电流，具有灵敏高，
响应快等优点。在光纤通信、激光测距及光纤传感等系统中得
到了广泛应用。

APD的性能与入射光功率有关，在实际探测系统中，当入射光
功率较小时，多采用APD，此时雪崩增益引起的噪声贡不大。
当入射光功率较大时，雪崩增益引起的噪声贡献占主要优势，
并可能带来光电流失真，采用PIN管更为恰当。
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 光电二极管
z 雪崩倍增过程
当光电二极管的PN结加上相当大的反向偏压时，在耗尽层内将
产生一个很强的电场，足以使强电场区漂移的光生载流子获得
充分的动能，并于晶格原子碰撞产生新的载流子，如此反复，
形成雪崩式的载流子倍增。

内增益通常用光电倍增系数 M ph表示
I ph 1
M ph = =
I ph 0 1 − (V / VB ) n
I ph 为倍增光电流 I ph0 为不发生倍增效应时的光电流
V 为反向击穿电压 VB为外加反向电压 n为调整参数
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 下图以Ge和InAs/InP为例，表示了ADP的基本结构：

ADP元件结构图
与pin光电二极管不同，APD是在强电场下工作，因此，为防止边缘
部分被击穿，并把电场均匀施加于受射面，设置护圈和信道抑制器。Ge-
APD受射层由InGaAs、倍增层则由InP构成。其原因在于InGaAs在强电场
下产生很大的隧道电流。因量子效率与受射层材料有关，所以其波长依赖
型与pin光电二极管一样。
 光电二极管的性能
z 伏安特性
光电二极管一般在反向偏压下工作。
在低反偏压下，光电流随电压变化非常敏感，曲线有弯曲。
这是因为反偏压增加使耗尽层加宽，结电场增强，这对于结区
光的吸收率及光生载流子的收集效率影响很大。
当反偏压进一步增加，光生载 I p
流子的收集已达到极限，光电
流趋于饱和，特性曲线近似于 P4
P
P3
平直。这部分主要利用于线性
P2
测量。 P
1
V

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 光电二极管的性能
z 暗电流
光电二极管的暗电流为反向饱和电流、复合电流、表面漏电流
和热电流之和。暗电流小的管子性能稳定、噪声低、检测弱信
号能力强。通常，PN结型光电二级管在50Ｖ反向偏压下，暗电
流小于100nA；PIN型和雪崩型光电二极管在15V反向偏压下，
按电流小于10nA。

z 光电流
光电流主要受光照度影响，基本上是线形增加关系。
一般来说，光电二极管的光电流越大越好，商品化硅光电二极
管的光电流为二十几微安。
I p ∝ Eυ E为光照度， υ = 1 ± 0.05
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 光电二极管的性能
z 光谱响应特性
光谱响应存在长波限（只有能量大于半导体材料禁带宽度的光
子才能激发出光生载流子）和短波限（短波长的吸收系数很
大，光辐射产生的载流子在表面就被复合，因此光电流很小）

z 光电灵敏度
在给定波长的入射光照射下，输入单位功率时，光电二极管输
出的光电流值称为光电灵敏度。

η eλ
S=
hc #
 光电二极管的性能
z 噪声特性
PN结型和PIN结型光电二极管的主要噪声是暗电流引起的散粒
噪声，一般PIN结型硅光电二极管的暗电流比PN结型光电二极
管的暗电流低1~2个数量级。APD的主要噪声源是光电流引起
的散粒噪声，它的噪声一般比较大。

表征光电二极管噪声水平的主要参数是信噪比（S/N）和噪声
等效功率（NEP）。

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‡ 引言
‡ 光电探测器的性能参数
‡ 光电探测器的噪声
‡ 半导体光电探测器
9 光电导探测器
9 光伏探测器
光电池
光电二极管

光电三级管
‡ 半导体器件的选择
‡ CCD探测器
 光电三极管
z 产品图示

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 光电三级管的工作原理
z 利用一般晶体管电流放大原理，可得到具有电流内增益的光伏
探测器光电三级管。以硅光电三级管为例，有3DU(NPN结构)
和3CU(PNP结构)。多用于线形转换器件，开关器件。
z 结构和原理（以3DU为例）
原理：
光敏二极管（bc结）+ 三极管
入射光照下，承受反偏压的集电极产
生光电流，相当于外界向基极注入一
个控制电流 I b = I p 。发射结为正偏置，
发射极有大量电子经基极流向集电极。
总电流为 I = I + β I
c p p

β 为电流增益系数
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 光电三级管的特性
z 特性
光照特性---灵敏度高于光敏二极管，线性好
光谱特性---单峰性
动态特性---响应速度低于光敏二极管

光谱特性 动态特性
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几种国产3DU型光电三极管的特性

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‡ 引言
‡ 光电探测器的性能参数
‡ 光电探测器的噪声
‡ 半导体光电探测器
9 光电导探测器
9 光伏探测器
光电池
光电二极管
光电三级管
‡半导体器件的选择
‡ CCD探测器
 半导体光电器件的选择
z 选择标准
半导体光电器件的种类很多，功能各异。掌握各
种半导体光电器件的特性及其参数是实际应用中正确
地选用半导体光电器件的关键。在实际应用中，也不
是对所有的特性都有严格的要求，常常是对光电器件
的某些特性有要求而对另外的特性要求不严。
例如，用光电器件进行火灾探测与报警时，对器
件的光谱响应和灵敏度要求很严，必须在发“火”点
又很强的响应，而对响应速度则要求很低。

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 半导体光电器件的选择
z 特性参数比较
9 光电变换的线性
光电二极管(包括PIN与雪崩管)的线性最好，其次依次为零伏反
向偏置状态的光电池、光电三级管等。光敏电阻的线性最差。
9 动态范围
动态范围分为线性和非线性动态范围。线性动态范围上，反向
偏置状态的光电二极管动态范围最好，光电池、光电二极管较
好，光敏电阻最差。光敏电阻的非线性动态范围要比其他光电
器件宽
9 灵敏度
光敏电阻的灵敏度最高，其他依次为雪崩光电二极管、光电三
极管，光电二极管的灵敏度最低。
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 半导体光电器件的选择
z 特性参数的比较
9 时间响应
PIN与雪崩光电二极管的时间响应最快，其他依次为光电三极管
和光电池，最慢的是光敏电阻。
9 光谱响应
光谱响应主要与器件的具体材料有关，一般来说光敏电阻族的
光谱响应要比光生伏特器件的光谱响应范围宽。尤其在红外波
段光敏电阻的光谱响应更为突出

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 半导体光电器件的选择
z 特性参数的比较
9 暗电流与噪声
光电二极管的暗电流最低，光敏电阻、光电三极管和光电池的
暗电流较大，尤其是放大倍率大的多极复合光电三极管及大面
积的光电池的暗电流更大。
9 供电电源与应用的灵活性
光敏电阻没有极性，可用于交、直流电源。光电池不须外加电
源就能进行光电变换，但线性很差，而其他的光生伏特器件必
须在直流偏置电源下工作。因此，光电池的应用灵活性较高，
光敏电阻与其他光生伏特器件的应用灵活性较差，但它们都适
用于低压下工作。

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 半导体光电器件的选择
z 选择原则
１）光电器件必须和辐射信号源及光学系统在光谱特性上实现匹
配。
２）光电器件的光电转换特性或动态范围必须与光信号的入射辐
射能量相匹配。
３）光电器件的时间响应特性必须与光信号的调制形式、信号频
率及波形相匹配，以确保变换后的信号不产生频率失真引起的
输出波形失真。
４）光电器件与变换电路必须与后面的应用电路的输入阻抗良好
地匹配，以保证具有足够的变换系数、线性范围、信噪比及快
速的动态响应等。
５）为保证期间长期工作时的可靠性，必须注意选择器件的参数
和使用环境。
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‡ 引言
‡ 光电探测器的性能参数
‡ 光电探测器的噪声
‡ 半导体光电探测器
9 光电导探测器
9 光伏探测器
光电池
光电二极管
光电三级管
‡ 半导体器件的选择

‡CCD探测器
 CCD探测器阵列
z 产品图示

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 CCD阵列探测器
z CCD(Charge Coupled Device)—电荷耦合器件
应用于信号处理、数字存贮、图像传感等领域的滤波、存贮
器、成像系统的光敏器件。
其中图像传感是其应用较为成功的应用领域，这取决于它与传
统的真空成像器件相比具有光谱响应宽（从x射线到红外线）、
灵敏度高、线性好、动态范围大、体积小、重量轻、功耗低等
优点。
按照其光敏单元的排列方式不同可分为线阵列和面阵列两类。

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 CCD结构
z CCD的基本单元是MOS电容器。

图4.3.1 MOS电容的结构
1．金属 2．绝缘层SiO2

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 CCD结构
z CCD基本结构包括
9 转移电极结构
9 转移沟道结构
9 信号输入结构
9 信号输出结构
9 信号检测结构

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 CCD结构
z 转移电极结构
CCD的转移电极相数有二相、三相和四相等。
9 二相CCD驱动脉冲比较简单，信号电荷转移时间比较短，芯片
面积也较小，但容纳的信号电荷量小。
9 三相CCD较适用于单层金属化电极结构，以保证电荷的定向转
移。
9 四相CCD驱动电路较为复杂，一般适合于时钟频率很高的场
合。

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 CCD结构
z 转移沟道
转移沟道分为表面沟道和体内沟道。
9 表面沟道的优点是信号电荷离界面较近，在相同栅压下势阱能
容纳的电荷较多；但由于信号电荷只能贴近界面的极薄衬底层
内运动，而界面处存在陷阱，从而降低了转移速度和转移效
率。
9 体内沟道形式可以克服这一缺点，但其制造困难，成品率低，
造价高，目前还较少应用。

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 CCD结构
z 信号输入结构
CCD电荷注入的方式有电注入和光注入两种。
9 电注入
CCD在用作信号处理或存储器件时，信号电荷输入采用电注
入。 CCD通过输入结构对信号电压或电流进行采样，将信号
电压或电流转换为信号电荷。
9 光注入
CCD在用作图像传感时，信号电荷输入采用光注入 。电极下
收集的电荷大小取决于照射光的强度和照射时间。

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 CCD结构
z 信号输出系统
CCD输出结构是将CCD传输和处理的信号电荷变换为电流或电
压信号输出。

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 CCD结构
z 信号检测结构
信号检测结构分为电流输出、选通电荷积分器、相关双取样和
浮置栅放大器等几种。
9 电流输出方法的最大缺点是前置放大器在芯片外面，因而有较
大的寄生电容。
9 选通电荷积分器将前置放大器集成在CCD芯片上，克服了寄生
电容，但复位噪声较大。
9 相关双取样方法利用相邻两次复位脉冲在输出端引起的噪声相
关原理设计具体电路，减低了复位噪声。
9 浮置栅放大器适用于电荷转移过程中需要多次检测的系统，在
实用CCD中，常采用这种检测方法。

#
 CCD工作原理
z 电荷耦合器件的突出特点是以电荷作为信号，而不同
于其他大多数器件是以电流或者电压为信号。

z ＣＣＤ的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。
9 电荷产生原理
9 电荷存贮原理
9 电荷转移原理
9 电荷输出原理

#
 CCD工作原理
z 电荷产生原理
在光纤系统中，CCD采用的是光注入。
当光照射到CCD时，在栅极附近的耗尽区吸收光子产生电子-
空穴对。在栅极电压作用下，多数载流子（空穴）流入衬底，
少数载流子（电子）被收集在势阱中，形成信号电荷存贮起
来。这样，能量高于半导体禁带宽度的那些光子，可用来建立
正比于光强的存贮电荷。
光注入方式有三种，实际中
常采用正面照射方式和背面
照射方式。

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 CCD工作原理
z 电荷存贮原理

#
 CCD工作原理
z 电荷转移原理

#
 CCD工作原理
z 电荷输出原理

#
 CCD工作原理
z 电荷输出原理

#
 CCD的特性参数
z 转移效率 η
Q(0) − Q(t) Q(0)为t=0时刻注入到某电极下的电荷
η= Q(t)为t时刻由于某些原因没有被转移的电荷
Q(0)
z 转移损失率 ε 影响电荷转移效率的主要因素是界面
Q(t) 态对电荷的俘获，形成陷阱俘获损
ε= 失。采用偏置电荷（或称胖零）预先
Q(0) 填充陷阱，陷阱将与信号电荷处于动
态平衡，而不会造成转移损失。
z η = 1− ε
由于电荷在转移过程中总有损失，CCD是一种无增益器件
#
 CCD的特性参数
z 转移效率η

9 在同一波长下转移效率值越
高CCD品质越好
9 CCD对于不同波长的光的响
应时间的敏感度不同
9 背照式CCD比前照式CCD有
更好的转移效率
9 多数衡量转移高低是在
425nm波长

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 CCD的特性参数
z 存贮时间和暗电流
CCD的深耗尽状态并非一稳态，即使没有信号电流自外部注
入，深耗尽势阱也会被内部产生的电荷逐渐填满，表面也就从
深耗尽状态过渡到反型状态。因此CCD不能长久贮存电荷。

定义CCD中的MOS电容器在没有外部信号注入情况下，由耗
尽层反型状态过渡的时间称为存贮时间。

CCD存贮时间主要有产生暗电流的几个主要因素决定，例如
体内复合中心的热、表面态的热、本征跃迁过程的热以及耗尽
区边界的热蔽电流等。
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 CCD的特性参数
z 工作频率
CCD的工作频率与时钟脉冲频率、转移损失和暗电流有关。
CCD工作频率上限主要取决于时钟脉冲频率。
CCD工作频率下限由暗电流决定
对于三相CCD，工作频率范围为
1 1
<f ≤
3τ 3 t1
其中 t1 为时钟脉冲时间， τ 为少数载流子寿命

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 CCD的特性参数
z 噪声
CCD中存在的噪声源主要是转移噪声、输入噪声、输出噪声和
暗电流噪声。
9 转移噪声主要是由于信号电荷沿CCD中沟道转移时，有电荷残
留，而电荷转移和损失的过程是一种随机过程，于是转移中的电
荷包具有随机涨落，造成噪声。
9 输入噪声主要取决于信号电荷注入方式。对于光注入，主要由光
子流的散粒噪声决定。
9 输出噪声主要取决于不同的检测方式。采用浮置栅放大器输出时
噪声较低。
9 暗电流噪声主要是在载流子热运动产生的白噪声和暗电流尖峰。
可以通过降低温度来减少噪声。
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 CCD阵列探测器
z CCD阵列探测器（CCD摄像器件）是CCD的实用产品。它将
二维光学图像信号转变为一维的视频信号输出。

z 光学成像系统将景物图像成像在CCD的光敏面上，每一光敏单
元上的图像光强信号被转变为少数载流子的密度信号存贮与光
敏单元（MOS电容）中，然后再转移到CCD的移位寄存器
中，在驱动脉冲的作用下顺序地移出器件，成为视频信号。

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线型CCD阵列

#
线型CCD阵列

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面型CCD阵列

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 CCD的性能和特点
z CCD具有很高的灵敏度，同时可以达到极低的噪声。
z CCD的波长适应范围十分开阔，可以从紫外波段延伸到
红外波段。
z CCD具有很高的线性度，而且这种线性度是在很宽的动
态响应范围及很宽的频率范围内都可以实现的。
z CCD具有非常宽的动态响应范围。
z CCD几何尺寸稳定、体积小、功耗低、寿命长、可靠性
高、耐过度曝光和分辨力高。

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 CCD的应用
z 一维尺寸的测量

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 CCD的应用
z 光学文字识别

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THE END
2006.4