MAKALAH

FISIKA ZAT PADAT

“SEMIKONDUKTOR”

Oleh :
Nama : Maria Yonita Loro
NIM : 1701050024
Kls/Sem : A/VI

PROGRAM STUDI PENDIDIKAN FISIKA

FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN
UNIVERSITAS NUSA CENDANA
KUPANG
2020
 KATA PENGANTAR

Puji syukur senantiasa penulis panjatkan ke hadirat Tuhan Yang Maha Esa,
yang telah melimpahkan rahmat dan karunia-Nya sehingga makalah Fisika Zat
Padat tentang “SEMIKONDUKTOR” ini dapat terselesaikan tepat pada
waktunya. Makalah ini juga sebagai tugas yang harus dikerjakan untuk sarana
pembelajaran bagi kita. Makalah ini dibuat berdasarkan apa yang telah penulis
terima dan juga dikutip dari berbagai sumber, baik dari buku maupun media
elektronik. Semoga isi dari makalah ini dapat berguna bagi kita dan dapat
menambah wawasan pengetahuan kita mengenai semikonduktor.
Selayaknya manusia biasa yang tidak luput dari kesalahan, maka dalam
pembuatan makalah ini masih banyak yang harus di koreksi dan jauh dari
sempurna. Oleh karena itu, kritik dan saran sangat dibutuhkan guna memperbaiki
kesalahan dalam makalah ini. Demikian, apabila ada kesalahan dan kekurangan
dalam isi makalah ini, penulis mohon maaf yang sebesar-besarnya.

Kupang, April 2020

Penulis

2
 DAFTAR ISI

KATA PENGANTAR .......................................................................................2

DAFTAR ISI .....................................................................................................3

BAB I PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang ..............................................................................................4
1.2 Rumusan Masalah ........................................................................................5
1.3 Tujuan ...........................................................................................................5

BAB II PEMBAHASAN
2.1 Pengertian Semikonduktor ...........................................................................6
2.2 Struktur Kristal dari Semikonduktor ............................................................7
2.3 Klasifikasi Semikonduktor .........................................................................12
2.4 Konduksi dalam Semikonduktor ................................................................22

BAB III PENUTUP

3.1 Kesimpulan .................................................................................................25
Daftar Pustaka ..................................................................................................26

3
 BAB I
PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang

Apabila kita berbicara tentang elektronika maka tidak akan lepas dari
semikonduktor. Material semikonduktor terdiri atas atom-atom yang berukuran
sangat kecil. Atom-atom ini terdiri atas inti yang dikelilingi oleh sejumlah
elektron. Inti sendiri terdiri atas neutron dan proton. Proton bermuatan positif,
elektron bermuatan negatif, sedangkan neutron netral. Elektron-elektron yang
mengelilingi inti ini tersebar pada beberapa lapisan kulit dengan jarak tertentu dari
nukleus, dimana energinya semakin meningkat seiring dengan meningkatnya jarak
dari setiap lapisan kulit terhadap inti. Elektron pada lapisan terluar disebut
elektron valensi. Aktifitas kimiawi dari sebuah unsur terutama ditentukan oleh
jumlah elektron valensi ini. Semikonduktor merupakan elemen dasar dari
komponen elektronika seperti dioda, transistor dan IC. Didalam pengelompokan
bahan-bahan listrik dikenal ada 3 macam, yaitu konduktor, isolator dan
Semikonduktor. Suatu bahan dikatakan konduktor apabila memiliki hantaran
listrik yang besar. Suatu bahan dikatakan isolator apabila memiliki hantaran listrik
(konduktance) yang kecil. Suatu bahan dikatakan semi-konduktor apabila dapat
memiliki hantaran listrik yang nilainya bervariasi diantara konduktor dan isolator.

4
1.2 Rumusan Masalah
Berdasarkan latar belakang diatas, dapat diambil rumusan masalah pada
makalah ini adalah:
1. Apa itu Semikonduktor ?
2. Bagaimana struktur Kristal dari semikonduktor ?
3. Apa saja klasifikasi dari semikonduktor ?

1.3 Tujuan Penulisan

Maksud dan tujuan dalam penulisan makalah ini adalah:
1. Untuk mengetahui tentang semikonduktor
2. Untuk mengetahui struktur Kristal dari semikonduktor
3. Untuk mengetahui klasifikasi dari semikonduktor

5
 BAB II
PEMBAHASAN

2.1 Pengertian Semikonduktor

Semikonduktor adalah bahan dasar untuk komponen aktif dalam alat
elektronika, digunakan misalnya untuk membat diode, transistor, dan IC
(Integrated Circuit). Yang disebut terakhir merupakan komponen aktif yang berisi
banyak transistor dan resistor dalam sekeping Kristal semikonduktor denga
ukuran di bawah 1 mm2.
Dewasa ini bahan semikonduktor yang paling banyak digunakan adalah
Kristal silicon. Dahulu orang juga menggunakan unsur germanium. Kedua unsur
itu merupakan kelompok IV dalam susunan berkala. Kristal gallium-arsenida yang
terbentuk dari unsur gallium dan arsen mempunyai sifat seperti unsur kelompok
IV, sehingga dapat pula digunakan pula untuk membentuk bahan semikonduktor.
Kristal ini kini banyak digunakan untuk membuat lampu LED yang dipakai untuk
lampu penunjuk dan lasesr diode. Kristal GaAs juga digunakan untuk membuta
transistor yang dapat bekerja hingga daerah frekuensi tinggi, yaitu dalam daerah
gelombang mikro. Semikonduktor umumnya diklasifikasikan berdasarkan
listriknya pada suhu kamar yakni dalam rentang 102−10 9 Ω cm . Sebuah
semikonduktor akan bersifat isolator pada temperature yang sangat rendah, namun
pada temperature ruang akan bersifat konduktor. Sesuai dengan namanya,
semikonduktor (setengah Penghantar) mempunyai daya hantar yang besarnya
antara daya hantar konduktor dan daya hantar isolator, sifat tersebut dipengaruhi
oleh susunan pita konduksi dan pita valensi bahan yang terdapat pada pita energy.
Semikonduktor adalah atom yang berisi empat electron valensi. Karena
jumlah electron valensi di dalam semikonduktor adalah ditengah antara satu
(konduktor) dan delapan (isolator). Atom-atom bahan semikonduktor membentuk
Kristal dengan struktur tetrahedral dengan ikatan kovalen. Bahan semikonduktor
yang banyak digunakan adalah sillikon (S), germanium (Ge) dan karbon (C).
Silikon dan germanium digunakan untuk membuat komponen-komponen zat
padat (solid state) sedangkan karbon terutama untuk membuat resistor dan

6
potensiometer. Baik Si maupun Ge mempunyai valensi 4. Empat electron valensi
tersebut terikat dalam struktur kisi-kisi sehingga setiap electron valensi akan
membentuk ikatan kovalen dengan electron valensi dari atom-atom yang
bersebelahan.

2.2 Struktur Kristal dari Semikonduktor

Untuk mengerti struktur kristal, kita harus ingat apakah atom itu. Atom
terdiri atas inti dan elektron yang terikat pada inti itu. Dalam model atom Bohr,
elektron bergerak diatas lintasan tertentu dan memiliki energi tertentu. Energi dari
elektron tidak bebas, tetapi hanya bisa memiliki nilai-nilai tertentu. Hal ini
diakatakan energi terkuantisasi dan dijelaskan lebih detail dalam mekanika
kuantum. Elektron yang terikat pada atom memiliki energi negatif dibandingkan
dengan energi dari elektron bebas. Harga mutlak dari energi negatif itu disebut
sebagai energi ikatan elektron. Karena adanya energi ikatan itu yang membuat
energi elektron lebih rendah daripada elektron bebas, maka elektron tetap pada
inti masing-masing dan tidak melepaskan diri dari inti, karena setiap sistem fisik
selalu masuk ke dalam keadaan energi yang paling rendah. Hanya kalau elektron
tersebut diberikan energi yang lebih tinggi daripada energi ikatan, elektron bisa
lepas dari intinya.
Dalam suatu kristal atau molekul, elektron-elektron luar dari atom-atom
dipakai sebagai elektron ikatan. Terdapat beberapa jenis ikatan. Yang pertama
adalah jenis ikatan seperti yang didapatkan di dalam logam di mana satu elektron
dari setiap atom dipakai untuk mengikat kristal secara keseluruhan. Elektron yang
dipakai dalam ikatan ini tidak terikat kepada satu atom tertentu, tetapi bisa
bergerak secara bebas dalam seluruh kristal. Oleh sebab itu di dalam logam
terdapat banyak elektron bebas dan arus listrik bisa mengalir dengan mudah.
Jenis ikatan yang lain adalah ikatan kovalen atau ikatan elektron atau
ikatan pasangan yang terjadi dalam molekul, dalam kristal isolator dan dalam
semikonduktor. Dalam ikatan kovalen, dua elektron luar (elektron valensi) dari
dua atom yang berbeda membentuk satu pasangan elektron yang terikat pada

7
kedua atom. Melalui pasangan elektron ini kedua atom menjadi terikat satu sama
yang lain.
Dalam semikonduktor semua elektron valensi dipakai untuk ikatan
pasangan dengan atom lain dari kristal. Semikonduktor adalah atom dari golongan
IVA dalam sistem periodik unsur, berarti atom semikonduktor memiliki 4 elektron
valensi, dengan kata lain ada 4 elektron luar yang bisa dipakai untuk ikatan kimia
dalam molekul atau dalam kristal. Semikonduktor yang paling sering dipakai
dalam elektronika adalam Silikon (Si), Germanium (Ge) dan Galliumarsenide
(GaAs), dimana Galliumarsenide bukan satu zat, tetapi campuran dari Gallium
(dengan tiga elektron valensi) dan Arsen (dengan 5 elektron valensi). Sifat dari
GaAs mirip dengan sifat dari semikonduktor lain (Si dan Ge).
Struktur kristal dari semikonduktor tersebut adalah struktur Tetraeder atau
struktur intan. Dalam struktur ini setiap atom memiliki 4 atom tetangga. Dalam
kristal semikonduktor, antara setiap tetangga terdapat satu ikatan elektron dengan
dua elektron yang berasal dari masing-masing atom. Struktur ini bisa
digambarkan dalam dua dimensi (berarti dalam bidang) seperti dalam gambar 1.
Berarti dalam semikonduktor semua elektron terikat pada atom tertentu dan tidak
ada elektron yang bisa bergerak secara bebas. Situasi ini sama seperti dalam
isolator. Tetapi ada perbedaan antara semikonduktor dan isolator, yaitu dalam
semikonduktor elektron yang dipakai untuk ikatan hanya terikat dengan lemah.
Kalau elektron terikat secara lemah, berarti elektron itu bisa dilepaskan dari
ikatannya dengan mudah. Kalau elektron sudah dilepaskan dari ikatannya,
elektron itu bisa bergerak dalam kisi dan membawa arus listrik.
Suatu elektron baru dilepaskan kalau diberikan energi setingi energi ikatan
dari elektron itu. Pada suhu nol Kelvin (absolut nol) tidak ada gerakan termis
dalam kisi dan elektron tidak bisa dilepaskan, maka semikonduktor merupakan
isolator yang baik pada suhu absolut nol. Kalau suhu lebih tinggi, terjadi gerakan
termis dalam kisi dan terdapat kebolehjadian bahwa elektron diberikan energi
yang cukup tinggi untuk keluar dari ikatannya. Semakin tinggi suhu, semakin
banyak elektron dilepaskan dari ikatannya. Elektron yang dilepaskan dari
ikatannya bisa bergerak dengan bebas. Elektron itu disebut elektron konduksi.

8
 Gambar 1. Prinsip struktur Kristal dari semikonduktor

Elektron konduksi memberikan konduktivitas kepada kristal.

Komduktivitas yang dihasilkan oleh elektron disebut konduktivitas elektron.
Energi yang diperlukan untuk melepaskan satu elektron dari ikatan menjadi
elektron konduksi disebut energi aktivasi (activation energy) dan kita akan
memakai lambang ∆W untuk energi aktivasi itu.
Kalau satu elektron dilepaskan dari ikatannya, maka tempat elektron itu
akan menjadi kosong. Tempat kosong seperti itu disebut lowong atau hole. Kalau
terdapat satu tempat lowong, maka elektron ikatan yang ada di sebelah tempat
lowong itu bisa pindah tempat dengan mudah masuk ke dalam tempat lowong
tersebut. Dengan cara ini tempat yang lowong telah pindah ke sebelahnya. Kalau
proses ini terjadi terus-menerus, tempat yang lowong itu bergerak terus dalam
atom. Karena satu tempat lowong merupakan satu tempat dimana jumlah elektron
lebih sedikit daripada jumlah muatan inti, maka satu tempat lowong seperti satu
partikel yang bermuatan positif. Kalau tempat lowong sebagai muatan yang
positif bergerak di dalam kristal, maka terdapat arus listrik dari tempat lowong
yang bergerak. Jadi tempat lowong itu bersifat seperti satu partikel yang bergerak.
Partikel ini disebut secara singkat sebagai “lowong”. Hal ini berarti bahwa lowong

9
juga menghasilkan konduktivitas dalam kristal. Konduktivitas ini dsebut
konduktivitas lowong atau hole conductivity.
Kalau satu elektron dilepaskan dari tempatnya, selalu terdapat satu
elektron bebas dan satu lowong bersama-sama. Oleh sebab itu melepaskan satu
elektron dari tempatnya disebut ciptaan pasangan atau generasi (dari
generation). Setelah terjadi ciptaan pasangan, terdapat dua partikel bermuatan
yang bisa bergerak dan membawa arus listrik, berarti terdapat konduktivitas dalam
kristal ini. Konduktivitas yang terjadi oleh ciptaan pasangan disebut
konduktivitas diri ( self conductivity ) dari semikonduktor. Kalau satu elektron
bebas tiba di satu lowong, elektron dan lowong bisa bergabung kembali, berarti
elektrok masuk ke dalam lowong dan menjadi elektron terikat lagi. Proses ini
disebut rekombinasi ( dari recombination ). Dengan terjadinya proses
rekombinasi muatan yang bisa bergerak dan membawa arus berkurang satu
elektron dan satu lowong. Dalam keadaan keseimbangan termis, jumlah ciptaan
pasangan per waktu dan jumlah rekombinasi per waktu adalah sama.
Dalam keseimbangan termis, jumlah generasi dan jumlah rekombinasi
sama, berarti kerapatan elektron konduktivitas dan lowong konstan. Tetapi kalau
suhu lebih tinggi, jumlah elektron yang mendapatkan energi tinggi dan bisa
menjadi elektron bebas lebih banyak. Oleh sebab itu konsentrasi elektron
kpnduksi n dan konsentrasi lowong p tergantung dari suhu T dan dari energi
aktivasi ∆W , dimana perkalian dari kedua konsentrasi tersebut , n.p , akan
merupakan satu konstanta yang tergantung suhu dan energi aktivasi :
−∆ W
n . p=N L N V e kT
=n2i (1)

Di mana :
∆W : energi aktivasi yang diperlukan untuk melepaskan satu elektron dari
ikatan elektron menjadi elektron bebas.
N L , N V : Dua konstanta yang tergantung suhu dan massa efektif dari
elektron/lowong yang disebut kerapatan keadaan efektif.

Dalam semikonduktor murni (semikonduktor murni juga disebut semikonduktor

intrinstik dari bahasa inggris : intrinstic semoconductor ) jumlah lowong dan

10
jumlah elektron bebas selalu sama, maka konsentrasi elektron n sama dengan
konsentrasi lowong p, maka n= p=n i . Dalam semikonduktor dengan atom
tambahan dari unsur lain, seperti yang akan dibicarakan dalam pasal berikut,
jumlah elektron bebas dan jumlah lowong tidak akan sama , tetapiperkalian dari
kedua konsentrasi ini akan tetap ikut persaman (7.10).

∆ W N i Bahan

.1013 cm−3Ge 0.67 eV 2.5

.1013 cm−3Si 1.1 eV 1.5

.1013 cm−3GaAs 1.43 eV 9.2

Tabel 7.1 : Data dari beberapa bahan semikonduktor.

Persamaan (1) didapatkan dari perhitungan termodinamika dengan

memperlihatkan situasi dalam keadaan termis dan distribusi energi yang terdapat
dalam stuasi tersebut. Dari situ dapat dilihat bahwa jumlah partikel yang
mempunyai muatan dan bisa bergerak tergantung suhu secara eksponensial.
Dengan sifat ini dan (7.9) yang menunjukkan ketergantungan konduktivitas jenis
σ dari jumlah muatan yang bisa bergerak, didapatkan kesimpulan bahwa
konduktivitas jenis σ akan tergantung suhu secara eksponensial :
∆W
σ = A ( T ) e −β kT (2)

Di mana:
A ( T ) : Satu konstanta yang tergantung dari mobilitas dari elektron dan lowong
β : Satu konstanta tanpa dimensi
k : Konstanta Boltzmann

Jadi, konduktivitas naik terhadap suhu karena dengan bertambahnya suhu,

jumlah muatan ikut bertambah. Ketergantungan mobalitas dari suhu jauh lebih
kecil daripada ketergantungan jumlah muatan dari suhu.

11
2.3 Klasifikasi Semikonduktor
Pada umumnya semikonduktor bersifat sebagai isolator pada suhu dekat 0o
C dan pada suhu kamar bersifat sebagai konduktor. Berdasarkan murni atau
tidaknya bahan semikonduktor dibedakan menjadi dua jenis yaitu semikonduktor
intrinsik dan semikonduktor ekstrinsik. Bahan semi konduktor murni, yaitu yang
terdiri dari unsur silicon saja atau unsur germanium saja disebut semikonduktor
intrinsik.

1. Semi konduktor intrinsik

Semi konduktor intrinsik merupakan bahan semi konduktor murni yang
terdiri atas satu unsur saja, misalnya Si saja atau Ge saja dan merupakan
semikonduktor murni yang tidak diberi doping atau campuran atom lainnya yang
memiliki jumlah elektron valensi yang berbeda dengan electron valensi bahan
semikonduktor. Menurut teori pita energy, pada suhu T = 0 K, pita valensi
semikonduktor terisi penuh electron, sedangkan pita konduksi kosong. Kedua pita
tersebut dipisahkan oleh celah energy kecil, yakni dalam rentang 0,18 – 3,7 eV.
Pada suhu kamar Si dan Ge masing-masing memiliki celah energy 1,11 eV dan
0,66 eV. Pada temperature tinggi, electron keluar dari ikatan kovalen menjadi
electron bebas dan terbentuk hole. Kristal semikonduktor silicon intrinsic terdiri
dari atom silicon, yang termasuk dalam kelompok IV pada susunan berkala. Tiap
atom silicon mempunyai empat buah electron valensi. Atom silicon menempati
kisi-kisi dalam Kristal. Dalam dua dimensi Kristal ini dapat dilukiskan seperti
gambar 1a.
Tampak disini tiap atom Si terikat dengan empat buah atom silicon lain,
membentuk ikatan kovalen. Pada keadaan ini semua electron terikat pada atom.
Walaupun didalam Kristal diberi medan listrik, electron tetap terikat dalam ikatan
kovalen, sehingga tak ada muatan yang bergerak. Ini berarti taka da arus
walaupun diberi beda potensial, atau bahan bersifat sebagai isolator.

12
 Keadaan pada gambar 2a melukiskan keadaan pada suhu amat rendah,
yaitu mendekati 0o C. pada suhu kamar banyak electron valensi yang terlepas dari
ikatan kovalen oleh karena terjadinya getaran atom. Dikatakan electron valensi ini
menjadi electron bebas oleh eksitasi termal. Makin tinggi suhu makin banyak pula
electron bebas. Jika di dalam bahan diberi medan listirk, yaitu dengan
memberikan beda potensial antara kedua ujung Kristal, electron bebas ini akan
bergerak menjadi aliran atau arus listrik. Makin tinggi suhu makin banyak
electron bebas yang terjadi dan makin besar pula arus yang mengalir untuk beda
potensial yang sama, yang berarti makin rendah hambatannya.
Gambar 2. (a)
Susunan atom
pada Kristal

semikonduktor silicon intrinsic,

(b) Elektron valensi dari atom Si pada A terionisasi.

Eksitasi suatu electron valensi menjadi electron bebas menyebabkan atom

silicon yang bersangkutan menjadi terionkan dan menjadi bermuatan positif
seperti ditunjukkan pada atom A gambar 1b. Karena pengaruh medan listrik, ion
silicon ini dapat menangkap electron bebas dari atom lain.
Jika ini terjadi, ion A akan menjadi netral, tetapi atom B sebagai pemberi
electron kepada ion A menjadi bermuatan positif. Jadi, adanya pengaruh medan
listrik menyebabkan perpindahan letak muatan positif dari A ke B. Perpindahan
letak muatan positif ini akan merupakan aliran listrik juga. Kita dapat
membayangkan keadaan terionkan atom silicon ini sebagai zarah semu yang
bermuatan positif, yang bebas bergerak di bawah pengaruh medan listrik. Zarah

13
semu ini kita sebut lubang (holes). Electron yang dibebaskan dari ikatan kovalen
kita sebut electron intrinsic, sedang lubang yang terjadi oleh terbebasnya electron
intrinsic kita sebut lubang intrinsic.
Dapatlah kita simpulkan bahwa pada semi konduktor intrinsic aliran listrik
disebabkan oleh gerak electron intrinsic dan lubang intrinsic. Konsentrasi electron
dan lubang intrinsic bergantung pada bahan dan suhu. Electron valensi pada atom
germanium lebih mudah terekstasi termik menjadi electron bebas daripada
electron valensi pada atom silicon. Ini berhubungan dengan adanya pita-pita
energy untuk electron didalam Kristal semikonduktor.
Dalam atom bebas electron hanya dapat mempunyai nilai energy tertentu
saja. Dikatakn electron hanya dapat berada pada tingkat energy tertentu. Dalam
Kristal semikonduktor oleh karena atom-atom terletak berdekat didalam susunan
yang berkala, maka electron dapat berada pada pita-pita energy. Oleh
adanyaprinsip Pauli yang menyatakan bahwa tiap keadaan orbital atom hanya
dapat berisi dua buah electron saja, maka untuk semikonduktor pita-pita energy
yang bawah akan terisi penuh hingga suatu pita energy tertentu. Oleh karena
setiap atom mempunyai empat buah electron valensi, maka ada satu pita energy
yang terisi penuh, dan pita energy berikutnya kosong. Ini dilukiskan pada gambar
3a.

Gambar 3. (a) Pita-pita energy dalam semikonduktor, (b) Pta energy

valensi Ev dan pita energii konduksi Ek

14
 Pita teratas yang terisi penuh electron disebut pita valensi, sedangkan pita
energy berikutnya (kosong) disebut pita konduksi. Keadaan ini berlaku untuk
semikonduktor pada suhu mendekati 0oK, dimana semua electron terikat dalam
ikatan kovalen. Daerah energy Ev dan Ek pada gambar 2b disebut (celah pita
(bandgap)). Ini adalah daerah energy terlarang untuk electron semikonduktor
intrinsic, yang hanya boleh berada dalam pita valensi atau pita konduksi. Suatu
electron yang terekstasi termal menjadi electron bebas dapat dibayangkan sebagai
melompat dari pita valensi ke pita konduksi,\. Energy yang diperlukan untuk
eksitasi ini berasal dari getaran atom. Lebar celah pita untuk semikonduktor
silicon adalah kira-kira 1,2 e V dan untuk germanium adalah 0,78 e V.
Elektorn yang berada pada pitakonduksi bebas bergerak dibawah pengaruh
medan listrik. Ini dapat kita terangkan sebagai berikut. Oleh adanya medan listrik
E electron mendapat gaya F = e E. jika dibawah pengaruh medan listrik electron
bergerak sejauh ∆ x , berarti electron mendapat tambahan energy sebesar
∆ W =F ∆ x =e E ∆ x . Untuk electron yang berada pada pita konduksi pertambahan
energy ini dibolehkan sebab keadaan yang baru masih didalam pita energy. Untuk
electron yang berada di pita valensi, alih energy semacam ini tidak terjadi karena
akan membawa electron ke dalam celah pita yang merupakan daerah terlarang.
Beda lebar celah peta Wg antara Kristal silicon dan germanium mengakibatkan
sifat konduksi yang amat berbeda antara silicon dan germanium. Konsentrasi
electron intrinsic ni berubah dengan suhu menurut hubungan.
W i =A T 3 /2 e−Wgo/ 2 KT (1)

W go adalah lebar celah pita pada suhu 0 K. hubungan di atas mencerminkan

statistic Boltzmann, yang menyatakan bahwa zarah dalam kesentimbangan termal
cenderung untuk berada pada keadan energy yang rendah.

Agar kita mendapat kesan yang nyata kita lukiskan grafik untuk persamaan 1

seperti pada gambar 4

15
 Gambar 4. Pembawa muatan bebas ni dan pi pada germanium dan silicon

Ionisasi Kristal germanium mulai terjadi pada suhu 250 K dan mulai
berarti pada suhu 300 K. untuk silicon ionisasi mulai terjadi pada 400 K dan mulai
berarti pada suhu 450 K.
Mungkin anda bertanya mengapa konsentrasi pembawa muatan ni tak
berubah dengan waktu. Bukankah pembawa bebas terus terbentuk oleh eksitasi
termal yang terus menerus berlangsung? Keadaan itu disebabkan peristiwa
rekombinasi, yaitu tertangkapnya electron oleh ion silicon, sehingga electron
menjadi ikatan kovalen dari atom silicon itu. Walhasil, lubang dan electron kedua-
duanya sirna. Hal ini dapat diterangkan sebagai berikut: electron jatuh ke lubang,
sehingga lubang menjadi tertutup. Peristiwa rekombinasi ini membebaskan energy
electron yang dapat berubah menjadi getaran atau cahaya. Anda dapat mengamati
cahaya yang keluar karena rekombinasi ini pada nyala lampu LED. Kemungkinan
terjadinya rekombinasi sebanding dengan n p . Makin banyak dihasilkan electron
dan lubang makin sering pula terjadi rekombinasi, sehingga akan terjadi suatu
keadaan yang mantap antara terbentuk dan sirnanya pembawa muatan bebas, dan
kerapatan pembawa muatan bebas tak lagi berubah dengan waktu.
Ada dua cara menjadikan bahan semikonduktor intrinsik menjadi
konduktor, yaitu:
 Dipanasi: Semikonduktor yang suhunya dinaikkan maka gerak
elektronnya makin cepat sehingga memungkinkan adanya electron
meloncat dari pita valensi ke pita konduksi.
 Dikotori dengan atom lain: Semikonduktor yang dicampuri (dikotori)
dengan atom lain, misalnya Ge dicampur dengan As (Arsenium).

2. Semikonduktor Ekstrinsik
Semikonduktor ekstrinsik merupakan semikonduktor yang telah terkotori
(tidak murni lagi) oleh atom dari jenis lainnya. Proses penambahan atom pengotor
pada semikonduktor murni disebut pengotoran (doping). Dengan menambahkan

16
atom pengotor (impurities), struktur pita dan resistivitasnya akan berubah.
Ketidakmurnian dalam semikonduktor dapat menyumbangkan electron maupun
hole dalam pita energy. Dengan demikian, konsentrasi electron dapat menjadi
tidak sama dengan konsentrasi hole, namun masing-masing bergantung pada
konsentrasi dan jenis bahan ketidakmurnian.
Telah disebutkan sebelumnya bahwa semikonduktor yang digunakan untuk
membuat diode dan transistor adalah semikonduktor ekstrinsik, yang dibuat dari
campuran bahan semikonduktor intrinsik dengan atom unsur dari kelompok III
atau kelompok V dalam susunan berkala.
Campuran bahan semikonduktor intrinsik dengan atom unsuk kelompok V
dalam susunan berkala mengandung lebih banyak electron daripada lubang,
sehingga pembawa muatan bebasnya bermuatan negative. Semikonduktor
ekstrinsik yang dibuat dengan bahan ini disebut semikonduktor jenis n.
sebaliknya, campuran bahan semikonduktor intrinsik dengan atom unsur dari
kelompok III dalam susunan berkala mengandung lebih banyak lubang daripada
electron. Akibatnya pembawa muatan bebas yang utama bermuatan positif.
Semikonduktor yang dibuat dengan bahan campuran seperti ini disebut
semikonduktor jenis p.

a. Semikonduktor jenis-n.
Semikonduktor dengan konsentrasi electron lebih besar dibandingkan
konsentrasi hole, dapat diperoleh dengan menambahkan atom donor.
Semikonduktor jenis n menggunakan bahan semikonduktor intrinsik yang
dicampur
misalnya
dengan
atom As
(kelompok V
dalam

17
susunan berkala). Atom campuran ini akan menempati lokasi atom intrinsik di
dalam kisi Kristal semikonduktor. Gambar 5 menunjukkan Kristal semikonduktor
intrinsik silicon yang diberikan campuran atom As.

Gambar 5. (a) Kristal emikonduktor silicon dicamour atom As,

(b) Atom donor As terionisasi memberikan electron

ekstrinsik dan ion donor As+

Atom As mempunyai lima buah electron valensi, sehingga dalam ikatan

kovalen dengan atom silicon di dalam Kristal terdapat kelebihan satu electron
valensi. Electron ini terikat amat lemah dan mudah sekali terlepas, dan disebut
electron donor atau electron ekstrinsik, sedang atom As disebut atom donor. Pada
suhu 50oK hamper semua atom donor terionkan, sedangkan atom silicon baru
terionisasi oleh eksitasi termal pada suhu 450oK.
Ion donor yang ditinggalkan bermuatan positif, namun tak dapat
menangkap electron bebas seperti hanya ion silicon, karena daya ikatnya yang
amat lemah. Ion donor ini berlaku
sebagai muatan tak bebas. Pada
suhu kamar sudah ada sejumlah
electron yang terlepas dari
atom silicon, yaitu elektorn intrinsic
yang menimbulkan
lubang intrinsik. Jadi di dalam

18
semikonduktor jenis n ada berbagai pembawa muatan, yaitu lubang serta electron
intrinsic, electron ekstrinsik dan ion donor yang tak bebas bergerak. Agar lebih
jelas ini dilukiskan pada gambar 5.

Gambar 6. Muatan-muatan dalam semikonduktor jenis-n

Perubahan rapat pembawa muatan bebas dalam semikonduktor jenis p-n
adalah seperti pada gambar 7.
Gambar 7. Rapat pembawa muatan bebas pada semikonduktor jenis-n

sebagai fungsi suhu.

Pada gambar ini n=ne +ni . Pada suhu di antara 1100 K dan 400 0 K n tak
berubah dengan suhu sebab seluruh atom donor sudah terionkan, sehingga n e=N d,
yaitu kerapatan atom donor. Jumlah electron intrinsic yang terbentuk pada suhu
ini belum cukup berarti. Pada suhu diatas 450 0 K kerapatan electron intinsik ni dan
lubang intrinsik mulai berarti. Pada suhu diatas 5000 K semikonduktor ekstrinsik ini
boleh dikata sudah bersifat intrinsic oleh karena jumlah electron bebas hamper
sama dengan jumlah lubang.
Pada suhu kamar jumlah electron bebas pada semikonduktor jenis-n jauh
lebih besar daripada jumlah lubang. Oleh sebab itu electron bebas didalam
semikonduktor jenis-n disebut pembawa muatan mayoritas, dan lubang disebut

19
pembawa muatan minoritas. Bagaimana halnya dengan konduktivitas
semikonduktor sekstrinsik? Untuk semikonduktor jenis-n berlaku
σ n=q ¿ ) (5)

Akan tetapi untuk semikonduktor jenis-n pada suhu kamar rapat oembawa
muatan intrinsic jauh lebih kecil daripada rapat pembawa muatan ekstrinsik, dan
pada suhu kamar seluruh atom donor sudah terionisasi. Akibatnya N n ≅ N d , yaitu
konsentrasi atom donor yang jauh lebih besar daripada ni atau Pn. Pada persamaan
(5) Pn adalah kerapatan lubang pada semikonduktor jenis-n. Pn tak sama dengan
pi oleh karena adanya rekombinasi antara electron dan lubang. Oleh karena itu
konduktivitas semikonduktor jenis-n adalah
σ n=q μn N d .(6)

Kerapatan pembawa muatan minoritas Pn lebih kecil daripada kerapatan

lubang intirnsik pi. Seperti telah diungkapkan didepan, didalam semikonduktor
terjadi rekombinasi antara electron dan lubang. Laju rekombinasi dalam
semikonduktor sebanding dengan hasil kali kerapatan electron dan kerapatan
lubang, yaitu N n Pn. Akan tetapi pada suhu kamar hamper semua muatan bebas
yang terbentuk hanyalah oleh ionisasi atom silicon yang membentuk electron
intrinsic dan lubang intrinsic. Oleh karena laju rekombinasi muatan intrinsic untuk
semikonduktor ekstrinsik adalah sama seperti pada semikonduktor intrinsic, maka
2 2
N n Pn=ni pi=n i =p i (7)

Akibatnya kerapatan pembawa minoritas didalam semikonduktro jenis-n adalah

pi 2
P n= (8)
Nd

b. Semikonduktor jenis-p

20
 Pada semikonduktor jenis-p, atom dari kelompok III dalam susunan
berkala misalnya gallium, dibubuhkan ke dalam Kristal semikonduktor intrinsic.
Gambar 7 menunjukkan atom didalam Kristal semikonduktor jenis-p. Oleh
Karena gallium termasuk kelompok III pada susunan berkala, atom Ga
mempunyai tiga buah electron valensi. Akibatnya, dalam bergandengan dengan
atom silicon didalam Kristal atom Ga memerlukan satu electron lagi untuk
berpasangan dengan atom Si. Oleh sebab itu atom Ga mudah menangkap electron,
sehingga sidebut atom akseptor. Jika ini terjadi atom akseptor menjadi kelebihan
selketron sehingga menjadi bermuatan negative. Dalam hal ini dikatakan atom
akseptor terionkan.

Gambar 8. (a) susunan atom dalam semikonduktor jenis-p, (b) Lubang

ekstrinsik dan ion akseptor pada semikonduktor jenis-p.

Ion akseptor ini mempunyai muatan tak bebas, oleh karena tak bergerak
dibawah pengaruh medan listrik luar. Ion silicon yang elektronnya ditangkap oleh
atom akseptor terbentuk menjadi lubang, yang disebut lubang ekstrinsik.
Perhatikan bahwa didalam semikonduktor jenis-p juga terjadi electron bebas
intrinsic dan lubang intrinsic oleh karena eksitasi termal atom silicon. Jelas pada
semikonduktor jenis-p, lubang merupakan pembawa muatan yang utama,
sehingga disebut pembawa muatan mayoritas. Disini electron bebas merupakan

21
pembawa muatan minoritas. Seperti halnya pada semikonduktor jenis-n.
konduktivitas semikonduktor jenis-p adalah
σ p=q μ p N a (9)

μ p adalah mobilitas lubang dan N a adalah konsentrasi atom akseptor. Hal yang
serupa berlaku untuk rapat pembawa muatan minoritas N p, yaitu

2
ni
N p= (10)
Na

2.4 Konduksi dalam semikonduktor

Kita telah mempelajari bahwa dalam semikonduktor intrinsic ada dua
pembawa muatan yaitu electron dan lubang. Kerapatan electron intrinsik ni dan
lubang intrinsik pi. Amat bergantung pada suhu dan jenis atom dalam Kristal
semikonduktor. Sekarang marilah kita telurusi hubungan kerapatan pembawa
muatan bebas ini dengan sifat konduksi Kristal semikonduktor. Kita semua tahu
bahwa arus listrik I menyatakan jumlah muatan listrik yang mengalir melalui
suatu penampang tiap satuan waktu. Gerak pembawa muatan bebas ini tidaklah
lurus, tetapi terus berubah arah oleh adanya pertumbukan dengan atom dalam
Kristal.
Misalkan antara kedua ujung Kristal semikonduktor kita beri beda
potensial sehingga terjadi medan listrik dengan kuat medan E. Di bawah pengaruh
medan ini electron dan lubang akan bergerak dalam arah berlawanan. Lubang
bergerak ke arah medan listrik dan electron kea rah yang berlawanan. Gerak
kedua macam pembawa muatan ini mengakibatkan arus listrik pada arah gerak
muatan positif. Sebagaimana telah dikemukakan sebelumnya arah ini tidaklah
berupa garis lurus, tetapi selalu berubah arah oleh adanya tumbukan dengan atom,
namun umumnya sejajar dengan medan listrik. Kecepatan rata-rata gerak
pembawa muatan ini disebut kecepatan hanyut yang kita nyatakan dengan v .
Misalkan kerapatan pembawa muatan bebas adalah n, yaitu tiap satuan volume
ada n buah pembawa muatan. Dalam waktu ∆ t akan tersapu volume sebesar A
v ∆t , dengan A adalah luas penampang. Berarti ada n v ∆t A pembawa muatan,

22
atau muatan sebesar q n v ∆ t A menembus suatu penampang. Jika tiap pembawa
muatan bebas mempunyai muatan q maka, Ini berarti arus
2n v ∆ t A
I= =q n v A (2)
∆t

Kita definisikan rapat arus J sebagai arus yang mengalir tiap satuan luas
penampang, sehingga J=n q v . Kita tahu bahwa jika sebatang konduktor dialiri
arus listrik, besar arus listrik adalah sama sepanjang batang konduktor. Ini berarti
kecepatan rata-rata pembawa muatan, yaitu v juga tetap besarnya.
Bukankah ini aneh? Pembawa muatan bergerak dibawah pengaruh medan
listrik, yang berarti mendapat gaya, bukankah menurut hokum II Newton
pembawa muatan akan mendapat percepatan, sehingga kecepatannya akan
bertambah terus? Ini betul dalam daerah antara tumbukan. Adanya tumbukan akan
menyebabkan hilangnya sebagian tenaga pembawa muatan, sehingga pengaruh
rata-ratanya adalah seperti gerak benda di dalam zat cair yang kental. Disini pada
benda bekerja juga gaya gesekan yang sebanding dengan kecepatan akan tetapi
melawan gerak. Peristiwa ini terjadi pada sebuah bola besi di dalam suatu cairan
(misalnya gliserin), yang bergerak ke bawah oleh pengaruh gaya berat. Pada suatu
saat gaya gesekan akan sama dengan gaya berat, sehingga bola bergerak dengan
kecepatan tetap, yang disebut kecepatan terminal. Makin besar gaya berat makin
besar pula kecepatan terminalnya. Mudah ditunjukkan bahwa kecepatan terminal
ini berbanding lurus dengan gaya berat.
Peristiwa serupa dapat dibayangkan terjadi pada aliran pembawa muatan
bebas dalam bahan padat dibawah pengaruh medan listrik. Kecepatan hanyut
adalah suatu kecepatan terminal, sebanding dengan medan listrik E.

Dapatlah kita tuliskan:

v=μ E (3)

Tetapan μ disebut mobilitas pembawa muatan bebas. Makin besar μ makin besar
pula kecepatan hanyut v , yang berarti makin besar arus yang mengalir. Jika kita
gunakan persamaan 3 pada persamaan 2 akan diperoleh

23
 J=n q μ E atau J=σ E (4)

σ =n q μ , disebut konduktivitas. Persamaan 4 adalah bentuk umum hokum Ohm.

l
Dari persamaan ini dapatlah diturunkan V =I R, dengan R=ρ untuk konduktor
A
1
dengan panjang l dan penampang serba sama dengan luas A , dan ρ= adalah
σ
hambatan jenis.
0
30 k Mobilitas pada Mobilitas pada suhu T
2 Bahan
cm () (kira-kira)
−sec
volt
Electron
4,9 x 107 T −1,66 3900
bebas
o
(100−300 K)
Ge Lubang 1900

Elektron
9 −2,5 1350
2,1 x 10 T bebas
¿Si
Lubang 1480

Kembali kepada semikonduktor intrinsik, mobilitas electron dan lubang

tidaklah sama, sehingga mobilitas electron kita tulis μn dan mobilitas lubang kita
tulis μ p . Untuk semikonduktor, konduktivitas σ =q ¿ ). Besaran n adalah rapat
electron dan p adalah rapat lubang. Untuk semi konduktor intrinsic ni =p i. Untuk
semikonduktor ekstrinsik n belum tentu sama dengan p. Mobilitas juga
bergantung pada suhu, ditunjukkan pada tabel di atas.

BAB III
PENUTUP

24
3.1 Kesimpulan :
Semikonduktor adalah bahan dasar untuk komponen aktif dalam alat
elektronika, digunakan misalnya untuk membat diode, transistor, dan IC
(Integrated Circuit). Yang disebut terakhir merupakan komponen aktif yang berisi
banyak transistor dan resistor dalam sekeping Kristal semikonduktor denga
ukuran di bawah 1 mm2. Bahan semikonduktor yang banyak digunakan adalah
sillikon (S), germanium (Ge) dan karbon (C).
Struktur kristal dari semikonduktor tersebut adalah struktur Tetraeder atau
struktur intan. Dalam struktur ini setiap atom memiliki 4 atom tetangga. Dalam
kristal semikonduktor, antara setiap tetangga terdapat satu ikatan elektron dengan
dua elektron yang berasal dari masing-masing atom. Semikonduktor terbagi
menjadi 2 yaitu semikonduktor intrinsic dan semikonduktor ekstrinsik. Kemudian
semikonduktor ekstrinsik terbagi menjadi 2 yaitu semikonduktor jenis-n dan
semikonduktor jenis-p.

DAFTAR PUSTAKA

25
Ahmad, Jayadin. 2007. Electronik book: Elektronika Dasar. Yogyakarta: UNY.
Blocher, Richard. 2004. Dasar Elektronika. Yogyakarta: CV. ANDI OFFSET.
Misbah. 2015. Hand Out Elektronika Dasar. Banjarmasin: FKIP ULM.
Sutrisno. 1986. Elektronika; Teori Dasar dan Penerapannya. Bandung : ITB.

26