Professional Documents
Culture Documents
STRESZCZENIE: Artykuł opisuje aplikację internetową, która jest symulatorem modelu diody półprzewodnikowej o
stałych rozłożonych, opartej na jednowymiarowej analizie numerycznej zjawisk fizycznych zachodzących we wnętrzu
struktury półprzewodnikowej. Kontekstem obliczeniowym (obiektem obliczeniowym) jest program MOPS (Modelling
Program for Semiconductors) przeznaczony do analizy układów elektronicznych zawierających przyrządy
półprzewodnikowe modelowane za pomocą jedno-dwu wymiarowych modeli fizycznych, opartych na symulacji
zjawisk zachodzących wewnątrz struktury półprzewodnikowej. Przedstawiany projekt ma architekturę modułową.
Symulator rozprasza obliczenia, które mogą być wykonywane zdalnie. Do komunikacji, pomiędzy modułami,
wykorzystywana jest technologia CORBA. Warstwę prezentacji tworzy zbiór dynamicznie generowanych stron
WWW. Logiczna warstwa aplikacji jest zaimplementowana w języku Java w obiektach Serwletów. Projekt jest
udostępniony jako ćwiczenie laboratoryjne z Przyrządów Półprzewodnikowych Mocy dla studentów kierunku
elektronika.
Klient
Jądro obliczeniowe
Rys 4 Profil domieszkowania diody p-n.. MOPS (Modelling Program for
Semiconductors) Program umożliwia wykonanie
Ustawienie wyżej wymienionych parametrów analizy stałoprądowej (.DC) jak i stanów
dokonywane jest w interaktywnym aplecie javy ze przejściowych (.TRAN).
strony www. Program implementuje układ równań dryftowo-
dyfuzyjnych: (1), (2), (3), (4), (5), w celu obliczenia
potencjału i gęstości nośników w strukturze
półprzewodnika.
Pierwsze równanie to równanie Poissona.
∇ 2Ψ = − ( p − n + N D − N A )
q
(1) ε
Ψ - potencjał elektryczny[V]
q –ładunek [C]
ε -przenikalność dielektryczna [F/m] obliczenia programu MOPS. Każda kolejna iteracja
n, p –koncentracja elektronów i dziur [1/m3] zależy bezpośrednio od poprzedniej. Wszystkie
ND, NA –koncentracja donorów i akceptorów [1/m3] obliczenia charakterystyki muszą rozpoczynać się od
wartości 0. W innym przypadku obliczenia nie będą
∂n 1 zbieżne. Symulator może rozdzielić obliczenia na dwa
= ∇J n − R + G komputery. Jeden komputer oblicza charakterystykę od
(2)
∂t q
wartości zera w dół charakterystyki, a drugi, od
∂p 1 wartości 0 w górę. Po wykonaniu obliczeń komponent
= − ∇J p − R + G aplikacji – serwlet, zbiera wyniki z programu MOPS
(3)
∂t q wywołując metody: GetInternalQuantities,
t – czas [s] GetCurrent.
Jn, Jp gęstość prądu elektronowego i dziurowego [A/m2] Wyniki są zapisywane do bazy danych. Program
G – współczynnik generacji [1/s/m3] MOPS kończy swoje działanie, gdy zdalnie jest
R - współczynnik rekombinacji [1/s/m3] wywoływana jego metoda: Shutdown.
(4)
J n = q( µn nEn + Dn ∇n ) Wyniki symulacji
J p = q ( µ p pE p − D p ∇ p )
(5) Wyniki symulacji są zaprezentowane na
dwóch wykresach (rys. 7,8,9,10). Pierwszy (w górnej
gdzie, części ekranu) jest charakterystyką prądowo-
µn, µp- ruchliwość elektronów i dziur [m2/V/s] napięciową. Żółty punkt na charakterystyce oznacza
En , Ep - wynikowe pole elektryczne oddziaływujące na punkt pracy diody. Użytkownik może ustawić punkt
elektrony i dziury [V/m]
pracy w dowolnym punkcie charakterystyki, regulując
Dn, Dp- współczynnik dyfuzyjności elektronów i dziur [m2/s]
suwak (pośrodku ekranu).
W celu rozwiązania tych równań użyto metody różnic Dla każdego punktu pracy charakterystyki, w dolnej
skończonych. Program generuje siatkę części ekranu, prezentowane są wartości wewnętrzne
jednowymiarową, a równania różniczkowe - cząstkowe diody. Odpowiednio zaznaczając pola typu ,,check
zostają zastąpione równaniami różnicowymi. box” po prawej stronie ekranu, wyświetlane są
Warstwa logiczna aplikacji używa komponentów – wartości wewnętrzne: potencjał elektryczny,
serwletów, w celu komunikacji z programem MOPS, koncentracja elektronów, koncentracja dziur, pole
przy użyciu modelu komunikacyjnego CORBA.. elektryczne, gęstość prądu elektronowego, gęstość
Opracowano poniższy interfejs komunikacyjny: prądu dziurowego, współczynnik rekombinacji.
interface mops {
typedef sequence<double> doubleArray;
enum IntQ {V,N,P,E,Jn,Jp,GenRec};
void SetDeviceGeometry(in long L,
in double W,
in double S);
//L – points number
//W - width
//S – cross section
void SetDopingProfile(in doubleArray Nd,
in doubleArray Na);
//Nd doping profile
//Na doping profile
void SetTau(in double Taun,
in double Taup);
//Taun doping n parameter
//Taup doping p parameter
void SetBias(in double U);
//U voltage on anode
boolean Compute();
void GetInternalQuantities(in IntQ What, Rys. 7. Interaktywny aplet Javy prezentujący wyniki
out doubleArray q); symulacji. W dolnej części wykresu pokazano rozkład
double GetCurrent();
void Shutdown(); potencjału i pola elektrycznego wewnątrz przyrządu
}; dla stanu zaporowego.
Literatura
[1] G. Jabłoński - “Komputerowa analiza układów
elektronicznych z zastosowaniem
wielowymiarowych modeli fizycznych
przyrządów półprzewodnikowych mocy”-
Rys. 9. Interaktywny aplet Javy prezentujący wyniki rozprawa doktorska., Politechnika Łódzka, 1999,
symulacji. W dolnej części wykresu pokazano Katedra Mikroelektroniki i Technik
szybkość rekombinacji i koncentrację dziur dla stanu Informatycznych, Politechnika Łódzka
przewodzenia. [2] World Wide Web Consortium
Specyfikacja języka HTML 4.0
http://www.w3.org/TR/html4/
[3] Object Management Group (OMG)
Specyfikacja technologii CORBA
http://www.omg.org/technology/documents/corba_s
pec_catalog.htm
[4] Strona projektu JAKARTA
Specyfikacja serwera TOMCAT
http://jakarta.apache.org/tomcat/
[5] Strona projektu MySQL.
Specyfikacja systemu bazy danych MySQL
http://www.mysql.com/
Podsumowanie