3.1 Introduccin, 3.2 Propagacisn del calor en el dispositive semiconductor 3.3 Equivalente eléctrico, 3.3.1 Resistencias térmicas, Resistencia UniGn - Contenedor, Re Resistencia Contenedor - Disipador, Ry Resistencia de disipador, Ry 3.3.2 Temperatura maxima de 1a uniGn, Tyas 33.3 Potencias 34 Céleulo de Ry de diodo rectificador 3.5 Ventilacién forzada 3.6 Impedancia Térmica Respuesta ante un tinico pulso de potenci Respuesta ante una serie de impulsos al azar 3.7 Resumen.‘TEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA, 3.1 Introduccion Siempre que por un elemento conductor circula una corriente eléctrica, se generan unas pérdidas de potencia que elevan la temperatura del mismo. Estas pérdidas son debidas el efecto Joule, y cobran especial protagonismo en los elementos semiconductores de potencia, puesto que por ellos circulan elevadas intensidades, y por tanto el incremento de temperatura que se produce pone en peligro la vida del dispositivo, El calor que se produce en el interior del semiconductor debe ser evacuado ripidamente, con el fin de evitar que la temperatura interna Hlegue al limite maximo permitido, limite por encima del cual se destruiné el dispositivo, En los dltimos afos, se ha experimentado un gran avance en los dispositivos electrénicos de potencia; la tendencia es integrar en pequeiisimas pastillas de silicio 1a mayor cantidad posible de funciones, tanto de control como de poteneia (‘eenologia Smart — Power, o cireuitos integrados inteligentes). EL principal freno para el desarrollo de las nuevas tecnologias es precisamente la disipacisn del calor que se genera en el interior de los chips. i En Electrénica de Potencia la refrigeracién juega un papel muy importante righ " Dispedorde paca cen Ia optimizacién del funcionamiento y vida itil del semiconductor de potencia, En éste tema se analizan los métodos mas adecuados y seguros para la refrigeracién y se tratarin de mostrar los aspectos mas importantes en el calculo de disipadores de calor 3.2 Propagacién del calor en el dispositivo semiconductor uy Fig 3.21 excesiva dspace de potencia destaye et tansstr pr obmcsentumiento, Ublizando un disipador se evioua pare del aoe, ‘vind as qu a temperatura dela unin exceds los Lnitesperidos pr fabian, En todo semiconductor el flujo de corriente eléctrica produce una pérdida de energia que se transforma en calor. El calor generado en la unin del semiconductor, se propaga por conduccién a la psula 0 contenedor y por conveccién al aire 0 medio ambiente se produce un aumento de la temperatura en el dispositivo; si este aumento es excesivo e incontrolado provocari una disminucién de a fiabilidad del componente, llegdndose incluso a la destruccisn de las uniones. Ver figura 3.2 La capacidad de evacuacién de calor al ambiente varia segin el tipo de capsula 0 contenedor del dispositive; en los semiconductores de potencia esta evacuacién es demasiado pequeiia, por lo que es ‘© Universidad de la: 1D, Agu Pela ML Of 1‘TEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA, necesario facilitar la transferencia de calor generado, esto se consigue mediante un dispositive de mayor volumen y superficie Hamado radiador 0 disipador de calor, el cual hace de puente para ‘evacuar el calor de la cipsula al medio ambiente. Ejemplos de disipadores 3.3 Equivalente eléctrico Aunque el disefio térmico de los elementos semiconductores podria realizarse aplicando las ccuaciones bésicas de la transferencia de calor, se ha generalizado un método mas sencillo basado en una analogia entre las ecuaciones térmicas y la ley de Ohm. Por el principio de analogia se puede realizar un simil eléctrico de todo el proceso térmico. La diferencia de temperatura es andloga a una diferencia de potencial (tensién) el flujo calarifica es andlogo al flujo de corriente eléctrica (intensidad) y la resistencia térmica similar a 1a resistencia eléctrica, EL paso de la comriente eléctrica produce un aumento de la temperatura de la unin (T)). Si ésta se ‘quiere mantener a un nivel seguro, debemos evacuar al exterior la energfa calorifica generada por la Lunidn. El calor pasar del punto més caliente al mas frio, con mayor o menor dificultad dependiendo de la resistencia térmica que encuentre a su paso, dicha resistencia expresa el grado de dificultad para evacuar el calor de un dispositivo y se mide en grados centigrados por vatio (°C/W). El objetivo principal de este tema es determinar el tipo y longitud del disipador que se ha de colocar cen el dispositive semiconductor, para garantizar que no se supere la temperatura de la unidn maxima permitida por el fabricante. Presentamos un listado con todos los parimetros que se utilizaran ast como su nomenclatura. Ry = Resistencia térmica unién-contenedor, otras notaciones: Rex. Rajc » Ri R= Resistencia térmica unién ambiente, otras notaciones: Rea. Rss Ry = Resistencia térmica contenedor-disipador, otras notaciones: Rocus: Ravana Ry = Resistencia térmica disipador-ambiente Ra = Resistencia térmica contenedor-ambiente Ry = Resistencia térmica del disipador, con ventilador. Tro = Temperatura maxima que puede soportar Ia unién del dispositive. T, = Temperatura alcanzada por la unin del transistor durante su funcionamiento. ‘Temperatura del contenedor ‘Temperatura del disipador ‘Ta = Temperatura ambiente Potencia que disipa el transistor. Potencia maxima que el transistor puede disipar con una T. = 25°C Factor de correccién cuando se utiliza ventilador K = Coeficiente de seguridad para evitar que se aleance la Tass Cy = Capacidad térmica. El origen de estos datos es muy diverso. Algunos vendriin dados en tablas y manuals; otros, deber de establecerlos el disefiador y otros, representan las incdgnitas del problema y deberan calcularse. ‘© Universidad de Jaa: J.D. Aguilar Pea M. Of 2‘TEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA, C4 69590) Gs Fig33 ‘Resistencastraicasy temperatura, lealizadas en un smontsje wal Aplicando el principio de analogia a las magnitudes eléctricas y térmicas, se cumple: T,-T, =P,-(R, +R.) ent ‘Cuando aitadimos un disipador aparecen unas nuevas resistencias, R.y + Ry que se aifaden en paralelo con Ra y debe de cumplitse que Ra>>Rar+Rs quedando solo RetRar#Ry. Como se ve la misién del radiador ha sido reducir la resistencia térmica ¢-a del conjunto. Figs Eguvalene eldarico, para eb eso de la disipavin de calor La Ra en pumlelo con I suma Ry + Rese puede desprciar es devs, es mucho ‘mayor! fgjo de calor desde cl contencdor-adiador ambien qc desde ce somenador ambiente A continuacién se definen estos parimetros uno por uno, con el fin de clariticar los términos del problema, 3.3.1 RESISTENCIAS TERMICAS, Es obvio pensar que cuanto menor sea el valor de la resistencia térmica, mas facil seri evacuar et calor y menor el incremento de temperatura en la unién para una misma potencia eléetrica disipada, La resistencia térmica global desde 1a unin del semiconductor hasta el medio ambiemte se puede desglosar en varias resistencias térmicas Rina a9) ‘© Universidad de la: 1D, Agu Pela ML Of 3‘TEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA, Resistencia Unién - Contenedor. Rjc Od oa 8 KW) El foco calorifico se genera en la unin del propio cristal semiconductor, de tal forma que el calor debe pasar desde este punto al exterior del encapsulado. La dificultad que presenta el dispositive para evacuar este calor se mide como resistencia térmica unin contenedor. Esta resistencia depende del tipo de encapsulado y la suministra el fabricante, bien directamente o indirectamente en forma de de reduecidn de poten. a2 @ . pu g « a 40 a Bu Fie3s 3 Cava de recs de Pots 5 0 Mocs la potencia mati que es capac de isin el disposi en fans de a 8 Jn dela cpa: La ponent de ia sliver la essen i ‘230 iia 20 1, CASE TEMPERATURE (0) ‘coment, PROBLEMA 3.1 ESBS mancaa Daclos los datos correspondientes a un transistor 2N3055, comprobar que el valor de Ia Rie ‘suministrada por el fabricante cumple la ecuacin (E32). Datos hoja de earacteristicas Wat=115W Tjmax=200°C Rie = 1,52°C Foray AVERAGE POWER OSSHTION 9 inacates JEDES Ragatered Ova GHRIEA) Solucisn: Re= 1.520. BY Tontdecntpantn BY yom cj 3) Bs ‘© Universidad de la: 1D, Agu Pela ML Of 4‘TEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA, ANIMACION Es la resistencia térmica entre el contenedor y el disipador. La facilita el fabricante 0 se puede encontrar en tablas, siempre esti condicionada por el tipo de contenedor © cApsula y por el tipo de contacto entre la cépsula y Ia aleta refrigeradora. El valor de la misma depende del sistema de fijacidn del disipador, del grado de contacto entre las superficies € incluso de la fuerza con que se aprieten los tomillos fijadores. Para mejorar este contacto, y/o aislar eléctricamente las dos superficies, se suelen interponer materiales, que pueden ser de dos tipos: pastas y liminas aislantes, Resistencia Contenedor - Disipador, Rea Las Pastas que pueden ser conductoras, 0 no conductoras de la electricidad, producen una disminucién de ka Ryy mejorando el contacto entre las superficies, suelen ser pastas de silicona. Léminas aistantes eléctricas como mica, kelafilm, etc, que se pueden emplear solas 0 conjuntamente ‘con pastas de silicona conductoras de calor. En la mayoria de los transistores el contenedor hace las veces de colector, por lo que generalmente es necesario aislarlo eléctricamente del disipador (normalmente, el colector suele estar a Vee y el disipador a tierra puesto que sucle colocarse en el chasis del aparato, generalmente conectado a tierra), at sa a3) Por tanto esta resistencia térmica depende del tipo de contacto entre contenedor y disipador y se pueden dar las siguientes combinaciones: Contacto directo, Ro Contacto directo més pasta de silicona, Rows Contacto directo més mica aistante, Rosse pasta de silicona, Rowis Contacto directo mas mica aislante mé El valor de la resistencia R.s depende bastante del tipo de contacto, a continuacién se ordenan de menora mayor. Rows < Ro < Rowns < Roo El valor de esta resistencia térmica influye notablemente en el célculo de la Ry y por tanto en ta superficie y longitud necesarias en la aleta que aplicaremos al dispositive a refrigerar. Cuanto mas baja es R,ymenor tendri que ser Ry y por tanto mas pequefa la aleta necesaria. ‘Contacto directo ‘Contacto con mica ‘Tipo contenedar | Contacto directo | ms pasta de |Contacto con mica] amas pasta de silicona silicona TO38105 i = = 10.26 1 1 2 TS T0220 08 os a 12 T0302 08 03 1 1 TO.152 Os 0S 1a 12 10.90 os 03 12 oo TOS (Plisico) ot 02 7 oF TOs 12 7 2d 1S TOT 7 S0ras Ts TS DIALAL i OF TO.66 tI oes 1 Ts TOs 023 2 as ot ig A Tibia de wasters omic ‘© Universidade Jaa; J.D. Aguilar Pea M. Of 5‘TEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA, Cuesti6n diddctiea 3.1 Para_un contenedor lel tipo TO.3 se tienen los siguientes valores para la resistencia ‘contenedor disipador en funcién del tipo de contacto: Rpys=0.12°C/W; Ry = 0.25°CW: Rowanes = 04°C/W; Row = 0.8°CW. Observar la diferencia de valores ¢ intentar razonar las causas de esta variacién, Resistencia de disipador, Ry ANIMACION 3.14 En realidad es ta resistencia disipador - ambiente y representa 1a oposicidn al flujo de calor desde el elemento disipador al aire 0 medio ambiente. Depende de factores como: condiciones de la superficie, color y posicigin de montaje. Paral céleulo de esta resistencia, se puede ut zat la siguiente formula (ver figura 3.4): a3 Una ver calculada la Ry se elige Ia aleta refrigeradora En primer lugar se tendrii en cuenta que el tipo de encapsulado del dispositivo a refrigerar sea el adecuado para el montaje de la aleta. En segundo lugar, para el caso de grandes radiadores, hay que calcular la longitud necesaria de disipador y cortar la adecuadla, Para ello es necesario disponer de grificas que ofrecen los fabricantes de la Resistencia en funcidn de la longitud del disipador. ‘CrP Fig 3.7 Resiaencia amica, Ry en Tunci6a de la longitad del disipador. Longitud deta aleta (mm.) De todos los parimetras que intervienen en el calculo de Ry, el clculo de la poteneia disipada, Py. suele ser el més complejo, La potencia que disipa un semiconductor variard segin el tipo de dispositive que se esté utilizando y de la seial aplicada. Cuestion diddetica 3.2 Disponemos de estos tres perfiles de radiadores para dispositives semiconductores, sila Rd necesaria es de 3°C/W justificar lacleccién del radiador adecuado ‘© Universidade Jaa; J.D. Aguilar Pea M. Of 6‘TEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA, 2 TEMPERATURA MAXIMA DE LA UNION, Titax Esta temperatura representa el Ifmite superior al que no debe Hlegar 1a unidn y menos sobrepasarlo si queremos evitar la destruccién del dispositivo. Este dato esti disponible, normalmente, en los manuales de los fabricantes de semiconductores. En su defecto se puede adoptar uno de los valores tipicos mostrados en la tabla que se expone a continuacién, en funciGn del dispositive a refrigerar: [DISPOSITIVO RANGO DE Tyas Be erin fe Germano Ene 10 SC [Ds wrsin de Sic rer [MOET Face Revita Noeva Blea Gaia El objetivo principal seri mantener Ia temperatura de ta unidn por debajo de 1a méxima permitida, Utilizaremos un coeticiente de seguridad, K cuyo valor daré una temperatura de la uniGn comprendida entre el 50% y el 70% de la maxima, K estard comprendido entre 0.5 y 0.7. La temperatura de la unin que se utilizaré en los caleulos seré T=K: Tyan bad Las condi 's de funcionamiento en funcidn de K serin: Para valores de K = 0.5: dispositive poco caliente. Maximo margen de seguridad, pero el tamafio de la aleta refrigeradora sera mayor. © Univeral de Fa: J.D. Aguilar Pea: M. Of 7‘TEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA, Para valores de K = 0.6: menor tamaio de la aleta refrigeradora sin que el dispositivo se caliente demasiado, Para valores de K = 0.7: maximo riesgo para cl ispositivo, El tamafo de la aleta reftigeradora seri menor que en el caso anterior. Este coeficiente de seguridad exige que Ia aleta se site en el exterior. 3 POTENCIAS Potencia maxima disipable, Wat La potencia maxima que puede disipar un dispositivo es un dato que proporciona el fabricante para luna temperatura de contenedor de 25°C. T-T Tyan 25°C R R me (Carcterisica N55 B13) Sea un transistor con las siguiemtes caracteristicas: Proc =75W Ta, = 175°C R,. =2°CW Determinar la méxima disipacién de potencia en continua permitida para una temperatura de contenedor de Bere Peas W ‘0 @ @ 7% @ 2 2» 2 2 ow m8 ap i io tao i Too Example ofthe determinaton of maamum power cissipation Fig39 Solncign ‘Como se puede comprobar grficamente: T-T, _175°C-80" a Be ig ny 2Cw (Power Semiconductor Applications} © Universidad de lan: 1D, Aguilar Pea M. Of‘TEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA, proptema 32 Seg aesa ‘Las hojas de caracteristicas proporcionadas por el fabricante de! transistor 2N305S informan que puede disipar un méximo de 116 vatios. ;Se corre riesgo de destruir el dispositivo si se le hace disipar 90 W? Justificar la respuesta Datos: Ta = 25°C Solucién: El planteamiento inmediato es pensar que efectivamente se pueden disipar 90 vatios sin correr rningiin riesgo de destruir el dispositivo, dado que el dispositivo puede disipar hasta 116 W segtin cl fabricante. Pero si se realizan los célculos oportunos y se consideran las verdadcras condiciones de funcionamiento la sorpresa ¢s maytiscula y las consccuencias se pucden apreciar en Ia figura 3.2 Sabiendo que la temperatura de la unién méxima permitida es de 200°C y la Rja proporcionada por el fubricante, sin considerar aleta refrigeradora cs de 35°C/W, la méxima potencia disipable sin disipador es: 200°C- 25°C 35°C/W Este valor queda muy por debajo del indicado por el fabricant. Brae Eee Considerando una aleta con una buena resistencia témica: R, = 0.6°C/W ‘una resistencia térmica contenedor ~disipador: R., = 0.12°C/W ‘yuna resistencia unidn comtenedor: R,. = 1.5°C/W ambos valores también bastante adecuados, la maxima potencia disipable con disipador es: Tyee T, 1 =P, mes Ps = 78.83 R,+R+R, Pumas Ni en el mejor de Jos casos, con la minima resistencia unién disipador. es posible disipar los SOW que se pretendfan. Las consecuencias son conocidas, se destruirfa la unida. La potencia que se pucde disipar con aleta disipadora es superior ala disipable sin aleta ¢ inferior a la que suministra el fabricante. Ello es debido a que el fabricante ha ealeulado la dmx manteniendo la temperatura del contenedor a 25°C, cosa que en condiciones normales de funcionamiento es imposible. En un circuito determinado, ¢! BD137 ha de disipar 3W. Determinar el disipador adecuado si {queremos que el transistor permanezca poco caliente. Datos: Wat = 3W: Wate, = 12W para Te = 25°; Timax = 150° SoluciGn: Rd= 4.85 °W Rj se obtiene de las hojas de caracteristicas del fabricante. Re, depende del tipo de contacto entre el dispositive y el radiador. Ry depende exclusivamente del radiador utilizado, {© Universidad de Jaa: J.D. Aguilar Pea: M. Of 9‘TEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA, 3.4 CAlculo de Ry de diodo rectificador En el caso de diodo rectificador, para calcular la resistencia térmica del disipador hay que conocer la intensidad media directa por el diodo Tray. el factor de forma, "a" que es la relacién entre la intensidad eticaz y la intensidad media, y también la temperatura ambiente del entorno en que va a trabajar el dispositivo. Estos datos son propios del circuito en el cual el diodo est funcionando. i a= Jews B36 Tray En el tema 2, se calculé la potencia media disipada por un diodo, demostrindose que no s6lo depende del valor medio de la comriente sino que es funcién también de la intensidad eficaz. No obstante, esta Potencia suele venir dada por el fabrricante en forma de curvas para diodos de potencia. Para formas de onda cuadradas en lugar del factor de forma seré necesario conocer el ciclo de trabajo, D que es la relacién entre el tiempo de conduccién en cada periodo. tu. el periodo, T. pt at T La intensidad media para la operacidn con ondas cuadradas se calcula segtin la expresi6n: Tray = YD “Tans E38 Cuestién didéctica 33 Demostrar que efectivamente para una sefial cuadrada la comriente media que atraviesa el diodo es igual a la corriente eficaz multiplicada por la ratz. cuadrada del ciclo de trabajo, (#38) El ealculo de la resistencia de disipador se apoya en fas curvas que proporciona el fabricante, que son propias de cada diodo, m ‘ DO Tyg A) 0401) Ty CC) Fig 3.10 Griscos pera did reticadr.Potencaem func dela nasa media pa dsnosfctores defor tempera de scumtenelor en Tancon da tempera ambiente para stints aloes de resisencia cmtenedo ambiente Obsera aierpetcin Ue Iria redizada eel patie © Universidad de lan: 1D, Aguilar Pea M. Of 10‘TEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA, Suponiendo conocidas la intensidad media y el factor de forma, la potencia que disipa el diodo se puede obtener directamente en la curva de la izquierda. Con este valor de potencia y el de la temperatura ambiente en la curva de la derecha se pueden ver tanto la temperatura de contenedor ‘como la resistencia contenedor ambiente necesaria. Rea = Reg +Ry 39 De esta expresidn se puede obtener la resistencia de disipador buscada sabiendo que Red dependerd del tipo de contacto capsula-disipador. Para un diodo de potencia, las pérdidas totales serdn la suma de las pérdidas en conmutacién y las pérdidas en conduccivin. Las pérdidas en conmutacién son significativas a altas frecuencias y aparecen como consecuencia de la recuperacién inversa. Se pueden calcular aplicando la expresin: Prmtaiie = Va“ Qua, 310 En la que Ve es Ia tensién en bornes del diodo en estado de bloqueo, 1, es la frecuencia de conmutacién y Que es la carga de recuperacién inversa ® Cuestion diddctica 3.4 En la grifica de la figura 3.10, se puede observar que a medida que aumenta la potencia {que se quiere disipar, eje ¥ de la grifica de la izquierda, disminuye la temperatura a la {que se debe encontrar el contenedor, eje Y de la grifica de la derecha, Reflexionar sobre esta aparente contradiccién. PROBLEMA 3.4 SSO Matheaa ‘Sea un diodo rectificador de 60A del tipo BYW93 con una Ry = 0.7 °CIW y una Ty {ue se esté utilizando en un circuito que aporta una intensidad media de 30A con un factor de forma de 1.57 Sabiendo que la temperatura ambiente es de 40°C, la Ry seleccionada es de 0.3°C/W y las curvas que facilita el fabricante son las de la Figura 3.10 Calcular la Ry Soluci6n: R= 3.7°CW PROBLEMA 3.5 Para un mismo componente, un fabricante aporta dos curvas de desvataje, seytin se indica en la siguiente figura. A la vista de los datos en ellas reflejados, obténgase: bec "Ta 4c 150°C "Te (@) A una temperatura ambiente de SO°C, {qué potencia méxima puede disipar el componente ppara no requerir disipador? (b) Si la temperatura ambiente es de 40 °C, zen qué condiciones podria disipar 20W? (©) En un circuito en que disipa 10 w se le ha colocado un disipador de 3°C/W (colocado con un aislante que introduce °C/W), :Hasta qué temperatura ambiente funcionaria correctamente? {© Universidad de Ja: J.D. Apia Pefa: M. Of u‘TEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA, Solucisn: (a) Sin disipador: Be Me CW . 2W Tyax~T, _ 150°C-50°C P, it = A Praise) = 1-82 ous > Pa, ee Opanan) — S°CIW (©) Si se disipan 20W: Be Gla tu fe Boa, 7 9, = s0"C-40°C * 20W La temperatura en la cépsula seri: T, =7,-20-0, =T,-20W-5.5°C/W =T,-110°C Cuando T, = Tau eset e280 limite => T, = 40°C Como ésta es la temperatura descada para T.. esto sélo se conseguiré si @., =0-> didipadce Glae faa = PO Bag ROW Fig 313 T, =10- (0+ 8 sisue +O, + T, =95°C#T, Como T, $ Ty Ty $ Type 95°C = 150°C-95°C => T, =55°C {© Universidad de Ja: J.D. Apia Pefa: M. Of 2‘TEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA, PROBLEMA 3.6 La maxima temperatura de la unién de un transistor de potencia es de 180°C, la resistencia térmica unién-cépsula es Rie = SK/W (a) Sila temperatura ambiente es de 50°C y se empkea un aislante cfipsula-disipador con Res = LKAW, obtener la resistencia térmica minima que debe poscer el disipador que se utilice, cuando el transistor disipa 20W. (b) Repitase el apartado anterior si el transistor disipase 25W (©) Dibiijese la curva de desvataje de transistor, sabiendo que la potencia nominal esté dada pani 40°C. Solucién (a) Fig34 T, =20W. (5°CIW+1°C/W+ 04, )+T, S Thum Tmax Ta 6, <-™_* -@ CW = 0, =0.5°CW 20W o sow row Fig3s Repitiendo las operaciones del apartado anterior: T, =25W. (S°CIW+ I°C/W4 04) + T, ST jms Te a a : 8a, $e CIW = 8, =-0.8°CIW > jImposible! No se podria dispar sta potencia © P, = Pa. (T, = 40°C obIC Sele sh {© Universidad de Ja: J.D. Apia Pefa: M. Of 3‘TEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA, PROBLEMAS PROPUESTOS. © CAlcutar ta potencia mixima que puede disipar el transistor 2N3904 si Ia temperatura de la ‘cpsula no debe superar los 10°C. © Calcular la potencia méxima que puede disipar el transistor 2N3904 si Ia temperatura ambiente es de 50°C, © Un transistor de potencia, de siicio, tiene las siguientes especificaciones térmic Poian) = 20W. 0,, = 7°CIW. 0. (2) Obtener la temperatura maxima de la unin 07° CW (©) Bl wansisor esté montado directamente sobre un radiader de calor de aluminio que tiene @,, =4°C/W y laresistencia térmica cépsula-radiadores de @., = 0.2°C/W Halla la mxima disipacién permisible. © Un transistor tiene un encapsulado TO.125 y una temperatura T, méxima de 150°C. Determinar la polencia mixima que puede disipar sin aleta, en el caso que la temperatura ambiente nunca sea inferior a 45°C. En estas condiciones, indicar la resistencia térmica ‘mixima de la aleta que permita duplicar la anterior potencia maxima, Un diodo Zener de 2W debe disipar SW y la temperatura maxima de la unin es 175°C. Caleular la Si fa temperatura ambiente es de SOPC y 8 = 15 °C/W, determinar la méxima resistencia térmica entre Ia efpsukambiente que evite daiiar al diodo. Si el encapsulado det dicao es del tipo TO.202, proponer un tipo de aleta que verifique todes los requerimientos. (Carsteriticas 283904 (Electr nica bisica para ingenieros] G16) 3.5 Ventilacién forzada Cuando la resistencia térmica obtenida en el ediculo es muy baja, se puede clegir entre pocos radiadores, puesto que son pocos los que hay en el mercado ‘que offecen una resistencia térmica inferior a 0.5 — 0.6 °C/W. En estos casos, se utiliza un ventilador, el cual es capaz de reducir la resistencia térmica equivalente. S Para valorar en términos numéricos la reduccién de Ia resistencia térmica es absolutamente necesario conocer un dato que nos proporciona el fabricante del ventilador. Este es el aire que es capaz de mover el ventilador por unidad ig 3.17 Veniador de tiempo, 3.6 Impedancia Térmica EL método de disefio empleado anteriormente s6lo es vilido en aquellos casos en los que la temperatura de pico que alcanza la unign es muy parecida a su temperatura media, E] aquellos componentes que soportan pulsos tinicos de potencia, pulsos de forma irregular 0 trenes de pulsos de baja frecuencia con ciclos de trabajo pequeiios (5<0.5), el factor que limita las pérdidas de potencia es Ia temperatura de pico de la unin y no la temperatura media La raz6n de esto es que el calentamiento no Hega a la cipsula ni al radiador debido a Ia inercia \émnica, y 1a cépsula permanece pricticamente a la temperatura ambiente, {© Universidad de Ja: J.D. Apia Pefa: M. Of ry‘TEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA, El modelo anterior (T, = P,-R , + T,) NO es vilido. El modelo térmico debe ser modificado para contar con la capacidad térmica, se deben incluir estas capacidades que simulan a las inercias térmicas de los elementos, i Ric iB Red Ro a Fig 3.18 Mode térmico En este caso habria que definir una impedancia térmica ZD=02 T Dela curva suministrada por el fabricante para D = 0.2 y ton = 10 ms se obtiene: r(t,,.D)= 0.56 con lo cual la T} sera: T, =T.+4(t,, .D)-R,.-P, > T, =76.2° ‘Se podria haber utilizado también el principio de superposicién, para resolver este problema, pero los edleulos son largos. No tendremos més remedio que aplicaro si el fabricante silo nos da la curva de 1(t) / ton para un solo pulso de potencia correspondiente a D = 0. ‘© Universidad de Jaa; ,D. Aguilar Pea: M. Of 2‘TEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA, 3.7 Resumen A continuacidn vamos a presentar un resumen de los conceptos estudiados en esta leccién part posteriommente ver algunos ejemplos de aplicacién > Funcionamiento en continua (valores medios de potencia) T,-T, 1-1, Pray) ‘Combinando estas ecuaciones: Cuando queremos obtener valores medios de temperatura que alcanzard la unién hay que tomar Potencia media y Resistencia térmica > Funcionamiento discontinuo 1. Tren de pulsos de corta duracin Fig 3.31 Veriain de i tempercture de la unig y temperatura contenedor cuando bs dracién det pao es pq comport cl consante de hempotemica del dsipador Pima = T.=T,= Pree’ The = Tt Puax’ Ze = Ts + Pray) (Rot Ras + Pow 2. Un solo pulso de larga duracién ‘Cuando la duracién del pulso es mayor que la constante de tiempo del radiador ie v Fig 3.3 Pals de larga drain | ! _ Enos ejemplos vamos a suponer que Te = 75°C ‘© Universidad de Jaa; ,D. Aguilar Pea: M. Of 2BTEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA Sea una seflal rectangular periédica de potencia en un dispositive (normalmente la podemos encontrar en convertidores conmutados). 100W son disipados cada 400us con un periodo de 20qs. Calcular la temperatura ‘maxima que alcanzaré la uniGn del semiconductor, Solucidn ‘Tjmax: “107s; P=100W 00 us = 4:10 s; T Fig 333 Curvas de impadancia térmica, Conesia de Philips 20 400 3 105 El valor de Zje lo obtenemos para 8 = 0.05 de las figura 3.33: Z,. = 0.1°C/W AT, = P-Z,, = 100W-0.1°C/W = 10°C T, = T,+AT,, = 75°C+ 10°C =85°C ‘Tjmax(media) P., =P-6 = 100W-0.05=5W "piv = Pay: Zager) = SW-2°C/W = 10°C Ty.) =75°C+ 10°C =85°C Para el caso de que la seal sea un solo pulso y con igual duracidn al anterior problema: —-t, = 400s =4-10s Solucién: Abora: §=—* =0->T =; P=100W LorcW 8 =0: c= AT, =P-Z,, = 100W- 0.04°CIW = 4°C De la gréfica 3.33, para © Universal de Fa; J.D. Aguilar Pea: M. Of‘TEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA, Para la forma de onda compuesta de la figura 3.34, calcular la temperatura de la unién, T= 400us POWER IW) Y Tine 4s) Trt T Ta Thre (3) Fig 3 M Conesia de Philips La forma de onda de la figura consiste en 3 pulsos rectangulares (40W para 10ps, 20W para 130us y 100W ppara 20s). La temperatura de la unién se puede caleular en cualquier punto del ciclo. Para el primer efleulo todos los pulsos, positivos y negativos, deben terminar en tx y para el segundo eéleulo en ty Pulsos pos vos inerementan la temperatura de la unin, mientras que los negativos la decrementan, Hacer el caleulo para tx Solucidn: Zeit Pr Zoey Los valores de P,P» y Ps son: Py 20W.P, =100W ‘Los valores de Zjc los sacamos de la figura 3.33 Por itimo: = 180ps, t:= 170ys ty = 150us, t= 20ys: Parat,: 5 = 180 _ 9452, =0.9KIW 00 , En Ia siguiente tabla pueden verse los valores calculados para este ejemplo Repesive 8 [osso | 042502750050 T=400u8 2_|0.900 | 0.850 | 0.200 | 0.130 ‘Single Shot 3 [e000] 0000] 0000 | a000 Ten 2, [0.130 [0.125 | 0.120 | o.o40 Realizar el cdleulo para ty ‘© Universidad de la: FD, Aguilar Pea M. Of 25‘TEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA, PROBLEMA PROPUESTO Un transistor MOSFET que presenta una resistencia en conducci6n de valor Rosox = 100m 2, se ccoloca en un cireuito de manera que, cuando conduce, lleva una corriente igual a 10A.La impedancia térmica uniGn-c4psula de este transistor se muestra en la figura. La resistencia térmica del radiador sobre el que va montado, presenta un valor RERA=5°C/W, La temperatura ambiente es de 30°C. Calcular, para los casos siguientes, la temperatura méxima que alcanza la unin del semiconductor: a) El transistor leva pulsos de corriente de 10kHz y ciclo de trabajo 0.1 ) El transistor conduce de forma permanente, ©) El transistor conduce corriente con una frecuencia de 1Hz y ciclo de trabajo 0,1. ) En el transistor se produce un tinico pulso de corriente de ims de duracién cada 10 minutos de funcionamiento. Respuesta a escalén unico Impedancia térmica unién-capsula (CW) Ciclo de trabajo d=t/ ty owe et 7 1 1, duracién dal pulso (s) Figh3s ‘© Universidad de Jaa; ,D. Aguilar Pea: M. Of 26‘TEMA 3: DISIPACION DE POTENCIA, Bibliografia AGUILAR PENA, J. D; MOLINA SALIDO, J. DE LA CRUZ; NIETO PULIDO, J.; LOPEZ MUNOZ, P. Disipadores de calor para semiconductores de potencia. Camara oficial de comercio & industria de la provincia de Jaén, Jaén 1994. AGUILAR J. D.; ALMONACID G. Disipadores de calor. Revista Espaiiola de Electrini Agosto, 1991. AGUILAR PENA, J. D; VALERO SOLAS, D. Amplificadores De potencia. Teorta y problemas. Ed, Paraninfo, Madrid 1993. INTER ACTIVE POWER ELECTRONICS SEMINAR (iPES). [Consulta: 5 de julio de 2005] POWER SEMICONDUCTOR APPLICATIONS, PHILIPS SEMICONDUCTOR. Tema’ ‘Thermal management. (Consulta: 5 de julio de 2005] RUIZ ROBREDO, G. A. Electrénica para ingenieros. 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