DATN - Phùng Trần Tra

Nghiên cứu, thiết kế thiết bị tách/ghép mode TM sử dụng bộ giao thoa đa mode MMI,
Y-Junction
TÓM TẮT
Tên đề tài: Nghiên cứu, thiết kế thiết bị tách/ghép mode sử dụng bộ giao thoa đa
mode MMI, Y-Junction.
Sinh viên thực hiện: Phùng Trần Tra

Số thẻ sinh viên: 106130135 Lớp: 13DT2
Trong quá trình hiện đại hóa ngày nay thì việc trao đổi thông tin và truyền tải dữ liệu
là một trong những nhu cầu thiết yếu của nhân loại và nhu cầu này đang ngày càng gia
tăng về cả số lượng cũng như chất lượng, tốc độ truyền dẫn và khoảng cách truyền dẫn
có thể tăng lên đến hàng ngàn ki-lô-mét, xuyên các châu lục và đại dương. Và sự ra
đời của hệ thống thông tin sợi quang đã góp phần giải quyết được những nhu cầu thiết
yếu và cấp bách.
Xử lý tín hiệu quang trong các hệ thống thông tin quang tốc độ cao là một yêu
cầu rất bức thiết. Chính vì vậy em đã chọn đề tài “Nghiên cứu, thiết kế thiết bị
tách/ghép mode sử dụng bộ giao thoa đa mode MMI, Y-Junction.”. Để thực hiện
được những nội dung trên, đồ án sẽ được trình bày thành 4 chương sau đây:
Chương 1: GIỚI THIỆU HỆ THỐNG GHÉP KÊNH PHÂN CHIA THEO MODE
VÀ THIẾT BỊ TÁCH/GHÉP MODE.
Chương 2: TỔNG QUAN VỀ ỐNG DẪN SÓNG QUANG HỌC.
Chương 3: CẤU TẠO THIẾT BỊ TÁCH/GHÉP MODE TM VÀ CÁC PHƯƠNG
PHÁP THIẾT KẾ.
Chương 4: THIẾT KẾ,MÔ PHỎNG BỘ TÁCH/GHÉP 3-MODE TM VÀ ĐÁNH
GIÁ SAI SỐ.
i
SVTH: Phùng Trần Tra Người hướng dẫn: PGS.TS Tăng Tấn Chiến
Y-Junction
ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA Độc lập - Tự do - Hạnh phúc
KHOA ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG
NHIỆM VỤ ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP

Họ tên sinh viên: Phùng Trần Tra Số thẻ sinh viên: 106130135
Lớp: 13DT2 Khoa: Điện tử viễn thông Ngành: Kỹ thuật viễn thông
1. Tên đề tài đồ án:
“Nghiên cứu, thiết kế thiết bị tách/ghép mode sử dụng bộ giao thoa đa
mode MMI, Y-Junction”

2. Đề tài thuộc diện: ☐ Có ký kết thỏa thuận sở hữu trí tuệ đối với kết quả thực
hiện
3. Các số liệu và dữ liệu ban đầu:

Sử dụng cấu trúc Rib/Ridge với lớp nền SiO2 có chiết suất là 1.44 và lớp dẫn sóng
Si có chiết suất là 3.43. Bộ tổng hợp mode bao gồm các thành phần:
- Bộ Y-junction
- Bộ dịch pha
- Bộ giao thoa đa mode MMI
Nội dung các phần thuyết minh và tính toán:
Nội dung thuyết minh gồm:
- Tổng quan về ống dẫn sóng quang học.
- Tổng quan về bộ giao thoa đa mode MMI, bộ Y-juntion, bộ dịch pha.
- Thiết kế bộ tách/ghép mode TM.
Nội dung tính toán: Dựa trên những lý thuyết đã trình bày để tính toán các thông
số sau:
- Chiều dài, chiều rộng
- Độ lệch pha giữa đầu vào và đầu ra
4. Các bản vẽ, đồ thị (ghi rõ các loại và kích thước bản vẽ):
ii
Y-Junction
Mô hình bộ tách/ghép mode TM

5. Họ tên người hướng dẫn: PGS.TS Tăng Tấn Chiến
6. Ngày giao nhiệm vụ đồ án: …../…../2019
7. Ngày hoàn thành đồ án: …./…../2019
Đà Nẵng, ngày tháng năm 2019

Trưởng Bộ môn Người hướng dẫn
iii
Y-Junction
LỜI NÓI ĐẦU
Em xin chân thành cảm ơn thầy PGS.TS.Tăng Tấn Chiến, thầy TS.Nguyễn Tấn
Hưng đã quan tâm và tận tình chỉ bảo, hướng dẫn em hoàn thành tốt đồ án tốt nghiệp
này.
Em cũng xin cảm ơn đến và các thầy cô trong khoa Điện tử-Viễn thông trường
Đại học Bách Khoa – Đại học Đà Nẵng cũng như các anh chị, các bạn vì đã cung cấp
cho em những kiến thức, tài liệu tham khảo trong suốt thời gian làm đồ án.

Sinh viên thực hiện
iv
Y-Junction
LỜI CAM ĐOAN
Em xin cam đoan nội dung của đồ án “Nghiên cứu, thiết kế thiết bị tách/ghép
mode sử dụng bộ giao thoa đa mode MMI, Y-Junction.” không phải là bản sao chép
hoàn toàn của bất kỳ đồ án hoặc công trình đã có từ trước. Nếu vi phạm, em xin chịu
trách nhiệm trước hội đồng bảo vệ đồ án tốt nghiệp.

Sinh viên thực hiện
v
Y-Junction
MỤC LỤC
Chương 1: GIỚI THIỆU HỆ THỐNG GHÉP KÊNH PHÂN CHIA THEO
MODE VÀ THIẾT BỊ TÁCH/GHÉP MODE………….………………………….3
1.1.Giới thiệu chương……..……………………………………………………….....3
1.2. Tổng quang kỹ thuật ghép kênh theo bước sóng (WDM)………………………. 3
1.3. Hệ thống ghép kênh phân chia theo mode (MDM)…………………..…………..4
1.4.Giới thiệu tổng quan về thiết bị Mode (De)Mux trong thông tin quang…………...6
1.5.Kết luận chương………………………………………………………………......7
Chương 2: ỐNG DẪN SÓNG QUANG HỌC …………………………….………8
2.1 Giới thiệu chương………………………………………….……………………..8
2.2 Sự truyền sóng trong ống dẫn sóng…………………..………………………......8
2.3 Các mode lan truyền trong ống dẫn sóng…………………………………….…..12
2.3.1 Giới thiệu về ống dẫn sóng quang học điện môi…………….…………………12
2.3.2 Ống dẫn sóng silicon trên nền vật liệu cách điện……………………………...12
2.4 Các loại ống dẫn sóng dạng kênh dẫn đối xứng………………………………....13
2.5 Kết luận chương……………………………………………………..………….16
CHƯƠNG 3 CẤU TẠO THIẾT BỊ TÁCH/GHÉP MODE TM
VÀ CÁC PHƯƠNG PHÁP THIẾT KẾ…………………………...17
3.1. Giới thiệu chương ………………………………………….…………………...17
3.2. Tổng quan về bộ giao thoa đa mode MMI…………………………………..…..17
3.3 Lý thuyết về bộ giao thoa đa mode MMI
và phương pháp phân tích truyền mode……………………………………….…17
3.4 Tổng quan về các loại giao thoa………………………………………………….21
3.4.1 Giao thoa tổng quát -GI…………………………………………………...…...21
3.4.1.1 Các đơn ảnh……………………………………………………………...…..21
3.4.1.2 Các đa ảnh………………………………………………………………..….21
3.4.2 Giao thoa hạn chế -RI…………………………………………………….........22
3.4.2.1 Giao thoa theo cặp…………………………………………………..……….22
3.4.2.2 Giao thoa đối xứng………………………………………………………..…23
3.5 Công thức Bachmann ………………………………………………………...…23
3.5.1 Sự biểu diễn các mode riêng lẻ…………………………………………...……23
vi
Y-Junction
3.5.1.1 Phân tích các mode riêng lẻ…………………………………………...….….23

3.5.2 Nguồn gốc của pha các cổng đầu vào hoặc ra với giá trị M = 1……………...25
3.6. Bộ truyền dẫn Y-junction……………………………………………….…..…..26
3.6.1. Cấu trúc Y-Junction đối xứng………………………………………………....27
3.6.2. Cấu trúc Y-junction không đối xứng……………………………………….…29
3.6.3. Nhận xét……………………………………………………………….……...30
3.7 Bộ dịch pha Phase Shift……………………………………………………..….31
3.8. Các phương pháp mô phỏng trường điện từ cơ bản……………………………..31
3.8.1. Phương pháp mô phỏng truyền chùm tia……………………………………...32
3.8.1.1. Lý thuyết chung của phương pháp truyền chùm tim…………………….......32
3.8.1.2. Các phương trình trong phương pháp truyền chùm tia…………………..…32
3.8.1.3. Những mặt hạn chế của phương pháp truyền chùm tia……………………....34
3.8.1.4. Ứng dụng của phương pháp truyền chùm tia…………………………….…34
3.8.2. Phương pháp chỉ số hiệu dụng………………………………………………...35
3.9. Kết luận chương ………………………………………………………………..35
CHƯƠNG 4 THIẾT KẾ,MÔ PHỎNG BỘ TÁCH/GHÉP 3-MODE TM
VÀ ĐÁNH GIÁ SAI SỐ
4.1. Giới thiệu chương……………………………………………………………….36
4.2 Mô hình và nguyên lý hoạt động………………………………………………...38
4.3 Kết quả mô phỏng…………………………………………………………..…...39
4.4 Đánh giá hiệu suất của thiết kế……………………………………………….…..41
4.5 Kết luận chương…………………………………………………………….…..44
KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN ĐỀ TÀI……………….……………...45
TÀI LIỆU THAM KHẢO………………………………………………….……...46
vii
Y-Junction
DANH MỤC HÌNH VẼ

Hình 1.1: Hệ thống thông tin quang…………………………………………………………4
Hình 1.2: Ghép kênh phân chia theo bước sóng (WDM)………………………………...4
Hình 1. 3: Sơ đồ sơ đồ nguyên lý hệ thống WDM/MDM ............................................. 5
Hình 2. 1: (a) Ống dẫn sóng không phẳng (b) Ống dẫn sóng phẳng ......................... 11
Hình 2. 2: (a) Ống dẫn sóng chiết suất phân bậc ...................................................... 12
(b) Ống dẫn sóng chiết suất biến đổi dần.................................................. 12
Hình 2. 3: Ống dẫn sóng Silicon trên nền vật liệu cách điện ..................................... 12
Hình 2. 4: Các ống dẫn sóng dạng kênh dẫn sóng tiêu biểu ...................................... 14
Hình 3. 1: Sơ đồ của một ống dẫn sóng đa mode N×M theo hình chiếu bằng. ......... 18
Hình 3. 2: Hình vẽ hai chiều của một ống dẫn sóng đa mode step-index .................. 19
(ảnh bên trái là góc nhìn một bên (trái) và ảnh bên phải là góc nhìn từ trên xuống)
Hình 3. 3: Bộ MMI với ống dẫn sóng truy nhập mô tả với trường hợp 𝑁 chẵn. ....... 25
Hình 3. 4: Bộ MMI với ống dẫn sóng truy nhập mô tả với trường hợp 𝑁 lẻ. ............ 25
Hình 3.5: Sự truyền sóng vào phía trước(a) và phía sau(b) xuyên qua cấu trúc
Y-junction đối xứng .......................................................................................... 27
Hình 3.6 Sự phát triển mode ở 2 nhánh A và B khi cho mode 1 truyền vào ............. 28
Hình 3.7 Sự phát triển mode ở hai nhánh khi cho mode 2 (a) và mode 3 (b) vào. ... 29
Hình 3.8 Sự hình thành mode 0 giữa phần thân và phần nhánh rộng hơn(a), và nhánh
hẹp hơn (b) của cấu trúc Y-junction không đối xứng. ................................................ 29
Hình 3.9: Sự hình thành mode 0 và mode 1 giữa phần thân và phần cánh tay của cấu
trúc Y-junction bất đối xứng. ...................................................................................... 30
Hình 3.10: Hình dạng của PS . ................................................................................... 31
Hình 4.1 Các thông số chung cho toàn bộ các thiết kế .............................................. 36
Hình 4.2 Cấu trúc Rib/Ridge ...................................................................................... 37
Hình 4.3 Bộ tách/ghép mode TM ................................................................................ 38
Hình 4.4 Kết quả phát mode 0 .................................................................................... 39
viii
Y-Junction
Hình 4.7 Chỉ số CrT và I.L theo bước sóng của các mode 0, 1, 2 ............................. 42
Hình 4.8 Chỉ số CrT và I.L theo sự thay đổi của LMMI ............................................... 43
Hình 4.9 Chỉ số CrT và I.L theo sự thay đổi độ rộng dẫn sóng đầu vào ................... 44
ix
Y-Junction
DANH SÁCH CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT
𝐸⃗ Véc tơ cường độ điện trường

⃗
𝐻 Véc tơ cường độ từ trường
⃗
𝐷 Véc tơ cảm ứng điện
⃗
𝐵 Véc tơ cảm ứng từ
⃗⃗⃗
𝐽𝑑 Véc tơ mật độ dòng điện
𝜌𝑡𝑑
⃗⃗⃗⃗⃗ Véc tơ mật độ điện tích
𝜇𝑜 Hằng số độ từ thẩm tuyệt đối
𝜀0 Hằng số độ điện thẩm tuyệt đối
𝜀𝑟 Hằng số điện môi tương đối
𝜇𝑟 Hệ số từ thẩm tương đối
∇ Toán tử nabla (Hamilton)
∇2 Toán tử Laplace
𝑖𝑥 Véc tơ đơn vị trên trục 𝑥
𝑖𝑦 Véc tơ đơn vị trên trục 𝑦
𝑖𝑧 Véc tơ đơn vị trên trục 𝑧
𝑊𝑀𝑀𝐼 Độ rộng của bộ MMI
𝐿𝑀𝑀𝐼 Chiều dài của bộ MMI
𝑊 Độ rộng của phần đế ống dẫn sóng
𝐿𝑖𝑛 Chiều dài phần thân bộ chia công suất
𝑊𝑡𝑎𝑝𝑒𝑟 Độ rộng phần ống dẫn sóng hình nêm
𝑛𝑟 Hệ số chiết suất (hiệu dụng) lõi
𝑛𝑐 Hệ số chiết suất (hiệu dụng) vỏ
𝜆 Bước sóng không gian tự do
Nửa chiều dài phách giữa hai mode bậc
𝐿𝜋
thấp nhất
x
Y-Junction
𝜓() Trường quang truyền trong ống dẫn sóng

𝑣 Số thứ tự mode
𝑐𝑣 Hệ số kích thích mode bậc thứ 𝑣
Biểu thị bản chất định kỳ của hình ảnh dọc
𝑝
theo ống dẫn sóng đa mode
𝐿 Khoảng cách có các ảnh.
𝑚𝑜𝑑 Phép toán lấy phần dư
𝐿𝑃𝑆 Chiều dài của Phase Shift
𝑤 Chiều rộng của ống dẫn sóng truy nhập
𝑊𝑃𝑆 Chiều rộng trung tâm của Phase Shift
xi
Y-Junction
CHỮ VIẾT TẮT:

Beam Propagation
BPM Phương pháp truyền
Method
chùm tia
EIM Effective Index Method Phương pháp chỉ số hiệu

dụng
MMI Multimode Interference Giao thoa đa mode
SOI Silicon On Insulator Silicon trên nền cách điện
TE Transverse Electric Điện trường ngang
TM Transverse Magnetic Từ trường ngang
Wavelength Division
Ghép kênh phân chia theo
WDM Multilexing
bước sóng
Mode Propagation Phương pháp phân tích

MPA
Method truyền mode
PS Phase Shift Bộ dịch pha
xii
Y-Junction
Lời mở đầu
Trong hệ thống truyền dẫn quang, để truyền tín hiệu đi và nhằm tiết kiệm tài
nguyên thì cần phải thực hiện ghép kênh. Kỹ thuật ghép kênh phân chia theo bước
sóng- WDM đang sử dụng phổ biến hiện nay, trong đó mỗi tín hiệu tương ứng của
một kênh được chuyển sang tần số quang học (được biễu diễn bởi bước sóng 𝜆). Như
vậy với 𝑛 số bước sóng 𝜆 thì sẽ có 𝑛 số kênh được truyền đi. Ta biết, trong mỗi kênh
tín hiệu với mỗi bước sóng 𝜆 sẽ có 𝑚 số mode khác nhau. Từ đây, một kỹ thuật ghép
kênh mới ra đời đó là ghép kênh phân chia theo mode - MDM (Mode Division
Multiplexing), như vậy số kênh tín hiệu ghép truyền đi tối đa có thể lên đến là 𝑛 × 𝑚
kênh khác nhau. Ghép kênh phân chia chế độ (MDM) đã được coi là một công nghệ
đầy hứa hẹn để tăng đáng kể dung lượng của viễn thông quang học cũng như kết nối
quang điện tử trên chip và tính toán. Kể từ khi các kênh dữ liệu được thực hiện độc
lập trên các mã riêng trực giao giống nhau bước sóng không có nhiễu xuyên âm, khả
năng truyền tổng thể có thể được tăng lên nhiều lần kết hợp với các hệ thống ghép
kênh phân chia bước sóng thông thường (WDM). Một trong những yếu tố cần thiết
của các hệ thống MDM là bộ ghép tách/ghép kênh 3 chế độ được sử dụng để chuyển
đổi, kết hợp và phân chia các chế độ quang học ở các bộ thu phát quang. Để đáp ứng
các ứng dụng viễn thông và chip trên băng thông rộng trong tương lai, bộ tách/ghép
kênh 3-mode TM băng rộng, tổn thất thấp, hoạt động xuyên âm nhỏ và chế tạo đơn
giản là đặc biệt cần thiết. Chính vì vậy em đã chọn đề tài “Nghiên cứu, thiết kế thiết
bị tách/ghép mode TM sử dụng bộ giao thoa đa mode MMI, Y-Junction.”. Để thực
hiện được những nội dung trên, đồ án sẽ được trình bày thành 4 chương sau đây:
Chương 1: GIỚI THIỆU HỆ THỐNG GHÉP KÊNH PHÂN CHIA THEO MODE
VÀ THIẾT BỊ TÁCH/GHÉP MODE.
1
Y-Junction
Trong chương này sẽ giới thiệu tổng quan về hệ thống truyền dẫn sử dụng kỹ
thuật ghép kênh phần chia theo mode (mode-devision multiplexing – MDM) và ý
tưởng từ đây để em thiết kế nên bộ tách/ghép mode TM
Chương 2: TỔNG QUAN VỀ ỐNG DẪN SÓNG QUANG HỌC.

Trong chương này sẽ trình bày tổng quan về ống dẫn sóng quang học. Nội dung
chương gồm các phần:
• Sự truyền sóng trong ống dẫn sóng.
• Các mode lan truyền trong ống dẫn sóng thẳng.
• Ống dẫn sóng dạng kênh đối xứng.
Chương 3: CẤU TẠO THIẾT BỊ TÁCH/GHÉP MODE TM VÀ CÁC PHƯƠNG
PHÁP THIẾT KẾ.
Trong chương này sẽ trình bày những nội dung gồm các phần:
- Giới thiệu tổng quan về bộ giao thoa đa mode MMI.
- Lý thuyết về bộ giao thoa đa mode MMI: Nguyên lý của hiện tượng ảnh tự
chụp, ống dẫn sóng đa mode, khái quát về giao thoa.
- Cấu trúc Y-Junction.
- Cấu trúc bộ dịch pha.
- Các phương pháp thiết kế, mô phỏng.
Chương 4: THIẾT KẾ MÔ PHỎNG BỘ TÁCH/GHÉP 3-MODE TM VÀ ĐÁNH
GIÁ SAI SỐ.
Nội dung chương 4 trình bày thiết kế, kết quả mô phỏng và đánh giá sai số.
2
Chương 1: Giới thiệu hế thống ghép kênh phân chia theo mode và thiết bị tách/ghép mode
CHƯƠNG 1
GIỚI THIỆU HỆ THỐNG GHÉP KÊNH PHÂN CHIA THEO MODE
VÀ THIẾT BỊ TÁCH/GHÉP MODE
1.1. Giới thiệu chương
Trong chương này sẽ giới thiệu tổng quan về kỹ thuật ghép kênh phân chia theo
bước sóng, hệ thống truyền dẫn sử dụng kỹ thuật ghép kênh phần chia theo mode
(mode-devision multiplexing – MDM) và ý tưởng từ đây để em thiết kế nên bộ
tách/ghép mode TM. Nội dung chương gồm những phần:
• Tổng quang kỹ thuật ghép kênh phân chia theo bước sóng (WDM)
• Hệ thống ghép kênh phân chia theo mode (MDM).
• Giới thiệu tổng quan về thiết bị Mode (De)Mux trong thông tin quang.
1.2. Tổng quang kỹ thuật ghép kênh phân chia theo bước sóng (WDM)
Hình 1.1 Hệ thống thông tin quang
Hình 1.2 Ghép kênh phân chia theo bước sóng

Ghép kênh phân chia theo bước sóng (WDM - Wave Division Multiplexing) [9] được
sử dụng trong công nghệ quang. Trong đó, tín hiệu điện từ từ máy tính được biến đổi
thành các tín hiệu quang. WDM bao hàm việc kết hợp để có thể truyền đồng thời các
nguồn quang với các bước sóng khác nhau từ các nguồn khác nhau trên một sợi quang.
3
Tại phía phát, bộ ghép kênh (Multiplexer) thực hiện việc ghép và khuếch đại các
sóng ánh sáng với các bước sóng khác nhau để có thể truyền trên sợi quang đến máy
thu.
Tại phía thu, bộ tách kênh quang (Demultiplexer) thực hiện việc tách các sóng ánh
sáng với các bước sóng khác nhau này để đưa đến các đầu thu tương ứng.
1.3. Hệ thống ghép kênh phân chia theo mode (MDM)
Trong xu thế phát triển của thế giới, nhu cầu của con người càng cao, nhất là
trong lĩnh vực truyền thông thì nhu cao trao đổi thông tin tăng rất nhanh những năm
gần đây. Kỹ thuật truyền dẫn sợi quang ra đời với nhiều ưu điểm nổi trội hơn so với
truyền dẫn cáp đồng như: tốc độ truyền dẫn cao, băng thông rộng, suy hao thấp, ít bị
nhiễu và có tính bảo mật cao. Tuy nhiên, nhu cầu sử dụng thông tin của con người
ngày một tăng cao nên cần một lượng lớn thông tin cần truyền dẫn đi. Điều này làm
cho băng thông của sợi đơn mode đang dầnn thu hẹp và có nguy cơ không đủ trong
tương lai. Do đó, các chuyên gia đã đề xuất ra các kỹ thuật nhằm tăng dung lượng của
đường truyền, một trong số đó là hệ thống truyền dẫn quang ghép kênh phân chia theo
mode (MDM – Mode Division Multiplexing).
Hiện nay, kỹ thuật ghép kênh phân chia theo bước sóng (WDM – Wavelength
Divison Multiplexing), mỗi kênh tín hiệu được truyền trên mỗi bước sóng khác nhau,
với 𝑛 bước sóng khác nhau được ghép ta có 𝑛 số kênh truyền khác nhau được truyền
trên sợi quang. Tuy nhiên, trên mỗi bước sóng thì sẽ có có 𝑚 mode khác nhau. Nêu
kết hợp cả hai kỹ thuật ghép kênh WDM và MDM thì kênh truyền trên sợi quang lúc
này là 𝑛 × 𝑚 kênh, sẽ tăng đáng kể số lượng kênh truyền trên hệ thống truyền dẫn.
Điều này sẽ giải quyết được trình trạng hạn hẹp băng thông trong tương lai.
4
Hình 1.3: Sơ đồ nguyên lý hệ thống WDM/MDM

Một hệ thống truyền dẫn quang dùng kỹ thuật phân chia theo mode cơ bản bao
gồm[14]:
- Sợi quang đa mode
- Bộ thiết bị phát
- Bộ tổng hợp mode
- Bộ ghép mode
- Bộ giải ghép mode
- Bộ thiết bị thu
Truyền dẫn sử dụng sợi quang đa mode, lõi sợi quang này có diện tích đủ lớn để
hỗ trợ truyền dẫn một số lượng các mode khác nhau.
Bộ thiết bị phát sẽ đưa các tín hiệu đơn mode (mode cơ bản) tới bộ tổng hợp
mode. Tại đây, tín hiệu đơn mode tới sẽ đươc chuyển thành một chuỗi các tín hiệu có
mode khác nhau và được ghép lại thành tín hiệu đã chuyển mode để đưa vào sợi đa
mode để truyền đi. Tín hiệu tới bộ giải ghép mode sẽ được tách mode ra và trả về các
tín hiệu đơn mode. Tín hiệu này sẽ về bộ tổng hợp mode sau đó thiết bị thu để xử lý.
Trong hệ thống này, bộ ghép mode và giải ghép mode gồm 2 thành phần:
5
Bộ kết hợp mode (Combiner) ở bộ ghép mode và bộ tách mode (Splitter) ở giải
ghép mode.
Bộ tổng hợp mode sẽ có chức năng chuyển mode TE0 (mode cơ bản) thành các
mode TE0, TE1, TE2.
Bộ kết hợp sẽ thực hiện ghép kênh phân chia theo mode từ các tín hiệu đã được
tổng hợp mode.
Bộ phân tách sẽ chuyển tín hiệu đã được ghép kênh phân chia theo mode thành
các tín hiệu có mode khác nhau.
1.4. Giới thiệu về thiết bị Mode (De)Mux trong thông tin quang
Các bộ Mode (De)Mux đóng vai trò quan trọng trong hệ thống MDM. Các bộ
này giữ vai trò chuyển đổi các mode đơn trong các kênh đầu vào khác nhau sang các
mode bậc cao trong kênh truyền chính và ngược lại. Gần đây, các bộ này được chế tạo
trên nền vật liệu SOI một cách rộng rãi, kế thừa các công nghệ chế tạo vật liệu CMOS
với hiệu suất cao và khả năng tích hợp nhỏ gọn.
Để thiết kế các bộ Mode (De)Mux, có thể sử dụng 1 trong 2 cơ chế đó là cải
tiến mode và ghép mode. Đối với cơ chế cải tiến mode, các phương pháp thiết kế được
giới thiệu bao gồm: - Bộ ghép đoạn nhiệt; - Bộ giao thoa đa mode và - Bộ phân nhánh
chọn lọc chữ Y. Ưu điểm của các thiết kế theo cơ chế cải tiến mode đó là độ rộng băng
thông và dung sai thiết kế lớn. Tuy nhiên, để tối ưu hiệu suất hoạt động, thiết bị cần
kích thước lớn và số lượng mode hoạt động nhỏ, dẫn đến giảm dung lượng truyền dẫn.
Để giảm đáng kể kích thước thiết bị, cũng như tăng số mode hoạt động, dẫn đến tăng
dung lượng truyền dẫn, cơ chế ghép mode được đề xuất. Đối với cơ chế ghép mode,
các phương pháp thiết kế được giới thiệu bao gồm: - Bộ ghép bất đối xứng bao gồm 2
hoặc nhiều hơn 2 ống dẫn sóng và - Bộ ghép cách tử dọc. Ưu điểm của các thiết kế
theo cơ chế ghép mode đó là kích thước thiết bị nhỏ, băng thông sử dụng lớn. Tuy
nhiên, nhược điểm xảy ra khi đảm bảo kích thước nhỏ đó là sự nhạy cảm với bước
sóng và lỗi thiết kế, dễ gây ra mất cân bằng pha. Khi thiết kế theo cơ chế này, cần lựa
chọn cẩn thận các thông số kích thước của ống dẫn sóng, cũng như khoảng cách ghép.
6
1.5. Kết luận chương
Chương này đồ án đã trình bày khái quát về kỹ thuật ghép kênh phân chia theo bước
sóng WDM cùng với đó là hệ thống ghép kênh phân chia theo mode MDM. Rõ ràng,
một sự gia tăng đáng kể dung lượng truyền dẫn sẽ được tạo ra tù việc kết hợp MDM
với WDM. Hơn nữa, ưu điểm của MDM là khả năng duy trì tính tuyến tính của sợi
quang và tính trực giao của các mode dẫn, từ đó hạn chế được nhiễu đa phương thức.
Từ nhu cầu truyền dữ liệu tốc độ cao thì bộ Tách/ghép mode đảm nhiệm vai trò quan
trọng trong hệ th, chính vì thế đồ án này em đã tiến hành nghiên cứu, thiết kế bộ
tách/ghép mode TM sử dụng bộ giao thoa đa mode MMI, Y-Junction. Tiếp theo
chương 2 đồ án sẽ trình bày tổng quát về ống dẫn sóng quang học.
7
Chương 2: Ống dẫn sóng quang học
Chương 2: ỐNG DẪN SÓNG QUANG HỌC
2.1 Giới thiệu chương

Trong chương này sẽ trình bày tổng quan về ống dẫn sóng quang học. Nội dung
chương gồm các phần:
• Sự truyền sóng trong ống dẫn sóng.
• Các mode lan truyền trong ống dẫn sóng thẳng.
• Ống dẫn sóng dạng kênh đối xứng.
2.2 Sự truyền sóng trong ống dẫn sóng
Về mặt quang sóng thì ánh sáng là một loại sóng điện từ, là sóng ngang, do vậy
truyền sóng ánh sáng trong môi trường sóng tuân theo hệ phương trình Maxwell [10]:
⃗
𝜕𝐵
∇ × 𝐸⃗ = − (2.1)
𝜕𝑡
⃗
𝜕𝐷
⃗ =
∇×𝐻 + ⃗⃗⃗
𝐽𝑑 (2.2)
𝜕𝑡
⃗ = 𝜌𝑡𝑑
∇. 𝐷 (2.3)
⃗ =0
∇. 𝐵 (2.4)
Ở đây, 𝐸⃗ là véc tơ cường độ điện trường, 𝐻

⃗ là véc tơ cường độ từ trường, ⃗⃗⃗𝐷 là
⃗ là véc tơ cảm ứng từ, ⃗⃗⃗
véc tơ cảm ứng điện và 𝐵 𝐽𝑑 là véc tơ mật độ dòng điện, 𝜌𝑡𝑑 mật
độ điện tích.
Theo nguyên lý toán học về toán tử, ta có đẳng thức:
∇. (∇ × 𝐴) = 0
(2.5)
Với 𝐴 là từ thế véc tơ.
Véc tơ pointing 𝑃⃗ được định nghĩa là một tích có hướng sau:
𝑃⃗ = 𝐸⃗ × 𝐻
⃗ (2.6)
8
Các tính chất quang học và vật liệu truyền sóng trong môi trường đẳng hướng,
ta có các giả thiết như sau:
- Không có điện tích tự do hoặc các nguồn dòng: 𝜌𝑡𝑑 = 0, ⃗⃗⃗ ⃗.
𝐽𝑑 = 0
- Vật liệu không có từ tính: hệ số từ thẩm tương đối bằng 1.
- Cường độ trường là đủ nhỏ để quan hệ giữa cảm ứng điện D và cường độ điện
trường E là tuyến tính.
Ta lại có các quan hệ giữa các đại lượng sau:
⃗ = 𝜀𝑟 𝜀0 𝐸⃗
𝐷 (2.7)
⃗ = 𝜇𝑟 𝜇0 𝐻
𝐵 ⃗ (2.8)
⃗⃗⃗
𝐽𝑑 = 𝛾𝐸⃗ (2.9)
Ở đây, 𝜀𝑟 và 𝜇𝑟 lần lượt là hằng số điện môi tương đối và hệ số từ thẩm tương
đối, 𝜀0 và 𝜇0 lần lượt là các hằng số độ điện thẩm tuyệt đối và độ từ thẩm tuyệt đối
(trong chân không) có giá trị: 𝜀0 = 8.854187817 × 10−12 𝐹/𝑚 và 𝜇0 = 4𝜋 ×
10−7 𝐻/𝑚, 𝜎 là điện dẫn xuất và 𝛾 là độ dẫn điện của môi trường dẫn.
Sử dụng các phép biến đổi toán học cho các toán tử véc tơ, từ năm phương trình
đầu tiên kết hợp với đẳng thức:
∇ × ∇ × 𝐴 = ∇(∇. 𝐴) − ∇2 𝐴 (2.10)
Với: ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝐺𝑟𝑎𝑑 𝐴 = ∇𝐴, 𝐷𝑖𝑣𝐴 = ∇𝐴, 𝑅𝑜𝑡𝐴 = ∇ × ⃗⃗⃗
𝐴.
Và không có điện trường ngoài và môi trường truyền sóng không dẫn điện (𝛾 =
0) cũng như không có từ tính, ta có thể thu gọn được các phương trình của hệ Maxwell
là:
2⃗
𝜀𝑟 𝜀0 𝜇𝑟 𝜇0 𝜕 2 𝐸⃗
∇ 𝐸− =0 (2.11)
𝜕𝑡 2
⃗
𝜀𝑟 𝜀0 𝜇𝑟 𝜇0 𝜕 2 𝐻
2⃗ (2.12)
∇ 𝐻− =0
𝜕𝑡 2
Chú ý rằng ta có: 𝜇𝑟 = 1. Với trường điện từ là những sóng điện dao động điều
hoà phụ thuộc thời gian, ta có thể viết trong hệ toạ độ Decartes:
𝐸⃗ = 𝐸⃗ (𝑥, 𝑦, 𝑧)𝑒 𝑗𝜔𝑡 (2.13)
9
⃗ =𝐻
𝐻 ⃗ (𝑥, 𝑦, 𝑧)𝑒 𝑗𝜔𝑡 (2.14)
Thế vào các phương trình (2.11) và (2.12), ta thu được:
∇2 𝐸⃗ + (𝑘 2 − 𝑗𝜔𝜇0 )𝐸⃗ = 0 (2.15)
⃗ + (𝑘 2 − 𝑗𝜔𝜀𝑟 𝜀0 )𝐻
∇2 𝐻 ⃗ =0 (2.16)
2𝜋 𝜀 2𝜋 𝜀
Với 𝑘 = √𝜀 = 𝑛 là biên độ véc tơ sóng, 𝑛 = √ với n là hệ số chiết suất,
𝜆0 𝑟 𝜆0 𝜀𝑟
∇ và ∇2 lần lượt là các toán tử nabla (Hamilton) và toán tử Laplace, xác định như sau:
𝜕 𝜕 𝜕
∇= (𝑖⃗⃗⃗𝑥 , ⃗⃗⃗
𝑖𝑦 , ⃗⃗𝑖𝑧 ) (2.17)
𝜕𝑥 𝜕𝑦 𝜕𝑧
2
𝜕2 𝜕2 𝜕2
∇ = 2+ 2+ 2 (2.18)
𝜕𝑥 𝜕𝑦 𝜕𝑧
Với ⃗⃗⃗ 𝑖𝑦 ⃗⃗𝑖𝑧 lần lượt là các véc tơ đơn vị trên trục 𝑥, 𝑦, 𝑧 của hệ toạ độ Decartes.
𝑖𝑥 ⃗⃗⃗
Trong không gian 2 chiều, xét mặt phẳng 𝑥𝑦 thì phương trình điện trường viết
là:
𝜕2𝐸 𝜕2𝐸
+ + (𝑛2 (𝑥, 𝑦)𝑘02 − 𝛽2 )𝐸 = 0 (2.19)
𝜕𝑥 2 𝜕𝑦 2
Phương trình (2.19) chính là phương trình Helmholtz [11].
Ta phân loại dựa trên các mode phân cực dựa trên đặc tính của các thành phần
trường theo chiều dọc:
- Một trường theo mode phân cực TE hay gọi là mode TE có 𝐸𝑧 = 0 và 𝐻𝑧 ≠ 0.
- Một trường theo mode phân cực TM hay gọi là mode TM có 𝐻𝑧 = 0 và 𝐸𝑧 ≠
0.
- Một trường có phân cực điện từ ngang TEM hay gọi là mode TEM có 𝐸𝑧 = 0
và 𝐻𝑧 = 0. Ống dẫn sóng điện môi trong hỗ trợ mode TEM.
- Mode lai (Hybrid mode) là mode mà có đồng thời 𝐸𝑧 ≠ 0 và 𝐻𝑧 ≠ 0. Hybrid
mode không xuất hiện trong planar waveguide nhưng tồn tại trong ống dẫn sóng
không phẳng channel waveguide (ví dụ như ống dẫn sóng ridge/rib…) hay sợi
quang.
10
2.3 Các mode lan truyền trong ống dẫn sóng

2.3.1 Giới thiệu về ống dẫn sóng quang học điện môi
Cấu trúc cơ bản của ống dẫn sóng quang học điện môi bao gồm một môi trường
quang học với chiết suất cao được mở rộng theo chiều dọc, được gọi là lớp lõi (core),
phủ xung quanh bởi môi trường có hệ số chiết suất thấp, được gọi là lớp bao phủ, lớp
bao phủ trên (lớp phủ) và dưới (lớp nền) lần lượt được gọi là cover và substrate.
Tính chất của ống dẫn sóng quang học được xác định bởi hằng số điện môi (hệ
số chiết suất) mà độc lập theo hướng truyền. Có hai kiểu ống dẫn sóng quang học cơ
bản là: ống dẫn sóng không phẳng (nonplanar waveguide) và ống dẫn sóng phẳng
(planar waveguide). Ống dẫn sóng phẳng bắt giữ ánh sáng chỉ trong một hướng ngang
và hệ số chiết suất chỉ phụ thuộc một hướng, n(x). Ống dẫn sóng không phẳng bắt giữ
ánh sáng theo hai hướng ngang với chiết suất n(x, y) và dẫn sóng ánh sáng theo phương
z. Các ứng dụng chủ yếu của ống dẫn sóng là các ống dẫn sóng dạng kênh truyền
(channel waveguide) và sợi quang (optical fiber).
Hình 2. 1: (a) Ống dẫn sóng không phẳng (b) Ống dẫn sóng phẳng
Một ống dẫn sóng có hệ số chiết suất thay đổi đột ngột tại giao diện giữa các lớp
lõi và lớp bao phủ gọi là ống dẫn sóng chiết suất phân bậc. Ngược lại, nếu hệ số chiết
suất thay đổi từ lõi đến lớp bao phủ được gọi là ống dẫn sóng chiết suất biến đổi dần,
được mô tả ở hình 2.2.
11
Hình 2. 2: (a) Ống dẫn sóng chiết suất phân bậc

(b) Ống dẫn sóng chiết suất biến đổi dần
2.3.2 Ống dẫn sóng silicon trên nền vật liệu cách điện
Hình 2. 3: Ống dẫn sóng Silicon trên nền vật liệu cách điện
Ống dẫn sóng mà lõi được chế tạo từ tinh thể Silic (Si) gọi là ống dẫn sóng Silic
(silicon waveguide).
Lớp vỏ của ống dẫn sóng thường được chế tạo từ điện môi với lớp cách điện là
thuỷ tinh Silic (silic – SiO2). Ống dẫn sóng trên nền vật liệu Silicon và chất cách điện
như vậy gọi là ống dẫn sóng SOI (silicon on insulator).
Trong ống dẫn sóng SOI, sự tương phản lớn giữa hệ số chiết suất giữa lớp lõi và
lớp bao phủ cho phép bắt giữ ánh sáng tốt (phản xạ toàn phần). Ánh sáng được bắt giữ
trong phần chéo là vài trăm nanometer với suy hao đường truyền hiện tại đã được
khoảng xấp xỉ 1dB/cm.
12
2.4 Các loại ống dẫn sóng dạng kênh dẫn đối xứng
Trong thực tế, hầu hết ống dẫn sóng được sử dụng trong các thiết bị ứng dụng là
ống dẫn sóng không phẳng. Đối với ống dẫn sóng không phẳng, chiết suất n(x, y) là
hàm phụ thuộc cả hai trục toạ độ là x và y. Ống dẫn sóng không phẳng có rất nhiều
loại khác nhau mà được phân biệt bởi các đặc điểm nổi bật của chiết suất n(x, y) của
chúng. Trong ống dẫn sóng không phẳng có một nhóm gọi là ống dẫn sóng dạng kênh
dẫn sóng gồm các loại như ống dẫn sóng buried channel, ống dẫn sóng strip-loaded,
ống dẫn sóng ridge, ống dẫn sóng rib, và ống dẫn sóng tán xạ, hình 2.4.
13
Hình 2. 4: Các ống dẫn sóng dạng kênh dẫn sóng tiêu biểu
Ống dẫn sóng buried channel có lõi dẫn sóng chiết suất cao được chôn trong môi
trường có chiết suất thấp. Lõi dẫn sóng đó có thể có bất kỳ hình dạng mặt cắt ngang
14
nào nhưng hình dạng được dùng nhiều nhất là hình chữ nhật như trong hình 2.4(a).
Ống dẫn sóng strip-loaded là ống dẫn sóng có chứa một ống dẫn sóng phẳng ở trên
cùng, bắt giữ ánh sáng theo trục x, với dải điện môi có chiết suất 𝑛3 < 𝑛1 hoặc một
dải kim loại để dễ dàng bắt giữ ánh sáng theo hướng y, được thấy trong hình 2.4(b).
Lõi dẫn sóng của ống dẫn sóng strip nằm trong vùng chiết suất 𝑛1 dưới dải loading-
strip, với độ dày d của nó được xác định bởi độ dày lớp 𝑛1 và chiều rộng 𝑤 của nó là
chiều rộng của loading-strip. Ống dẫn sóng ridge ở hình 2.4(c), có cấu trúc giống như
ống dẫn sóng strip là ở trên cùng của cấu trúc phẳng là lõi dẫn sóng với chiết suất cao.
Ống dẫn sóng ridge bắt giữ ánh sáng tốt vì nó được bao quanh bởi 3 mặt không khí có
chiết suất thấp. Ống dẫn sóng rib, được thấy ở hình 2.4(d), có cấu trúc tương tự như
ống dẫn sóng strip hay ridge nhưng strip của nó có chiết suất giống như lớp phẳng có
chiết suất cao và là một phần của lõi sóng. Bốn loại ống dẫn sóng này thường là các
ống dẫn sóng hình chữ nhật với độ dày 𝑑 theo hướng 𝑥 và chiều rộng 𝑤 theo hướng
𝑦, mặc dù hình dạng của chúng thường không chính xác là một hình chữ nhật. Ống
dẫn sóng diffused, trong hình 2.4(e), được hình thành bằng cách tạo ra một vùng có
chiết suất cao trong lớp nền thông qua khuếch tán của các tạp chất, như là ống dẫn
sóng LiNbO3 với lõi là chất khuếch tán Ti. Do quá trình khuếch tán, các biên của lõi
trong lớp nền không được xác định rõ ràng. Tuy nhiên, ống dẫn sóng diffused cũng có
độ dày d được xác định bởi độ sâu khuếch tán của các tạp chất theo hướng 𝑥 và chiều
rộng 𝑤 được xác định bằng sự phân bố của các tạp chất theo hướng 𝑦.
Một đặc tính khác biệt của ống dẫn sóng điện môi không phẳng so với các ống
dẫn sóng phẳng là ống dẫn sóng không phẳng hỗ trợ chế độ lai (hybrid modes) kết hợp
với các mode TE và TM trong khi một ống dẫn sóng phẳng chỉ hỗ trợ mode TE và
TM. Ống dẫn sóng điện môi không phẳng thường không có các giải pháp phân tích
cho các đặc tính chế độ truyền dẫn của chúng. Các phương pháp xấp xỉ như phương
pháp truyền chùm tia (beam propagation method) tồn tại để phân tích ống dẫn sóng
như vậy. Ở đây, ta quan tâm đến việc có được các giải pháp gần đúng cung cấp các
đặc tính của mode mà không có phương pháp phân tích số.
15
2.5 Kết luận chương

Qua chương này ta đã có thể thấy được cấu trúc cơ bản của ống dẫn sóng gồm
3 lớp cơ bản (lớp lõi, lớp nền và lớp phủ), tính chất của ống dẫn sóng quang học được
xác định bởi hằng số điện môi độc lập theo hướng truyền, các lý thuyết cơ bản về cơ
sở truyền sóng. Tuỳ thuộc vào sự thay đổi chiết suất của từng lớp mà ống dẫn sóng
được phân loại thành ống dẫn sóng chiết suất phân bậc và ống dẫn sóng chiết suất biến
đổi dần. Ống dẫn sóng chiết suất phân bậc có chiết suất thay đổi đột ngột giữa các lớp
trong khi ống dẫn sóng chiết suất biến đổi dần có chiết suất thay đổi dần từ lõi đến lớp
bao phủ. Hầu hết ống dẫn sóng được sử dụng trong các thiết bị ứng dụng là ống dẫn
sóng không phẳng. Trong bài báo cáo đồ án của em sẽ tiến hành mô phỏng ống dẫn
sóng dạng rib/ridge.
16
Chương 3: Cấu tạo thiết bị tách/ghép mode TM và các phương pháp thiết kế
CHƯƠNG 3
CẤU TẠO THIẾT BỊ TÁCH/GHÉP MODE TM
VÀ CÁC PHƯƠNG PHÁP THIẾT KẾ.
Trong chương này em sẽ trình bày những nội dung gồm các phần:
- Giới thiệu tổng quan về bộ giao thoa đa mode MMI.
- Lý thuyết về bộ giao thoa đa mode MMI: Nguyên lý của hiện tượng ảnh tự
chụp, ống dẫn sóng đa mode, khái quát về giao thoa.
- Cấu trúc Y-Junction.
- Cấu trúc bộ dịch pha.
- Các phương pháp thiết kế, mô phỏng.
3.2. Tổng quan về bộ giao thoa đa mode MMI
Bộ giao thoa đa mode (MMI coupler) có cơ sở dựa trên hiện tượng tự chụp ảnh
(self-imaging), một đặc tính của ống dẫn sóng đa mode. Theo đó một trường đầu vào
được tái tạo trong một hoặc nhiều ảnh tại các khoảng cách có tính chất chu kỳ dọc theo
hướng truyền của ống dẫn sóng. Cấu trúc đang nhanh chóng được sử dụng phổ biến
và ứng dụng như các bộ tách ghép công suất trong các thiết bị chuyển mạch độc lập
phân cực, các bộ thu quang học đa pha vòng laser bán dẫn.
Bộ giao thoa đa mode hỗ trợ cơ chế giao thoa của nhiều mode được kích thích
khi dẫn truyền trong ống dẫn sóng. Ngoài ra, bộ giao thoa đa mode giải quyết được
vấn đề băng thông rộng, độ phụ thuộc phân cực thấp, tổn hoa thấp hơn 0.5 dB, kích
thước nhỏ để giảm chi phí sản xuất của các thiết bị định tuyến, ghép nối tín hiệu.
3.3 Lý thuyết về bộ giao thoa đa mode MMI và phương pháp phân tích truyền
mode.
Phương pháp phân tích truyền mode – MPA (mode propagation method) được
hiểu về mặt lý thuyết là để mô tả hiện tượng giao thoa đa mode trong ống dẫn sóng.
Phương pháp này đầu tiên đưa vào một trường đầu vào, sau đó nó sẽ kích thích cơ chế
17
giao thoa và tự chụp ảnh trong miền ống dẫn sóng đa mode, truyền các mode được
dẫn, tính toán trường đầu ra bằng tái kết hợp các trường được truyền [2].
Cấu trúc trung tâm của thiết bị MMI là một ống dẫn sóng được thiết kế để hỗ trợ
một số lượng lớn các mode (thường là lớn hơn 3). Để phát ánh sáng vào trong và thu
hồi ánh sáng từ ống dẫn sóng truy nhập (access waveguide) được bố trí tại các điểm
đầu vào và kết thúc của ống dẫn sóng đa mode (các ống dẫn sóng truy nhập thường là
chỉ hộ trợ đơn mode). Các thiết bị này thường được gọi là bộ ghép MMI N×M, trong
đó N và M là số lượng ống dẫn sóng đầu vào và đầu ra tương ứng. Ống dẫn sóng ba
chiều với phương pháp phân tích truyền mode được kết hợp tính toán với bằng các
phương pháp phân tử hữu hạn hoặc sai phân hữu hạn. Thường các ống dẫn sóng đa
mode có chiều theo chiều ngang (transverse) lớn hơn nhiều so với chiều dày (lateral).
Hình 3. 1: Sơ đồ của một ống dẫn sóng đa mode N×M theo hình chiếu bằng.
Hình 3.1 thể hiện một ống dẫn sóng hai chiều với độ rộng 𝑊𝑀𝑀𝐼 , hệ số chiết
suất (hiệu dụng) lõi 𝑛𝑟 , và hệ số chiết suất (hiệu dụng) vỏ là 𝑛𝑐 . Ống dẫn sóng hỗ trợ
𝑚 mode ngang với số mode tại bước sóng không gian tự do. Quan hệ giữa số sóng
ngang 𝑘𝑥𝑣 và hằng số truyền 𝛽𝑣 của mode thứ 𝑣 có quan hệ với hệ số chiết suất lõi
của ống dẫn sóng dạng sườn (rib/ridge waveguide) bởi phương trình tán sắc [13]:
2
𝑘𝑥𝑣 + 𝛽𝑣2 = 𝑘02 𝑛𝑟2 (3.1)
Với 𝑘0 là số sóng trong không gian tự do và được xác định bởi [13]:
2𝜋
𝑘0 = (3.2)
𝜆
18
Điều kiện hình thành sóng đứng [13]:

𝑊𝑒𝑣 𝑘𝑥𝑣 = (𝑣 + 1)𝜋 (3.3)
Ở đây, độ rộng hiệu dụng được cho bởi[12]:
𝜆0 𝑛𝑐 2𝜎 2
𝑊𝑒𝑣 ≈ 𝑊𝑒 = 𝑊𝑀𝑀𝐼 + ( ) ( ) (𝑛𝑟 − 𝑛𝑐2 )−(1/2) (3.4)
𝜋 𝑛𝑟
Hình 3. 2: Hình vẽ hai chiều của một ống dẫn sóng đa mode step-index
(ảnh bên trái là góc nhìn một bên (trái) và ảnh bên phải là góc nhìn từ trên xuống)
Với 𝜎 = 0 cho mode phân cực TE và 𝜎 = 1 cho mode phân cực TM.
Bằng cách sử dụng xấp xỉ hàm Taylor bậc hai với điều kiện:
2
𝑘𝑥𝑣 ≪ 𝑘02 𝑛𝑟2 , hằng số truyền 𝛽𝑣 có thể đuợc rút gọn từ phương trình (3.1) và (3.3) là
[13]:
(𝑣 + 1)2 𝜋𝜆
𝛽𝑣 = 𝑘0 𝑛𝑟 − (3.5)
4𝑛𝑟 𝑊𝑒2
Do đó, hằng số truyền trong một ống dẫn sóng đa mode chiết suất phân bậc cho
thấy sự phụ thuộc bình phương với số mode 𝑣.
Ta định nghĩa 𝐿𝜋 là nửa chiều dài phách (half-beat length) giữa 2 mode bậc thấp
nhất sẽ được tính với công thức [13]:
𝜋 4𝑛𝑟 𝑊𝑒2
𝐿𝜋 = ≈ (3.6)
𝛽0 −𝛽1 3𝜆0
Khoảng cách giữa các hằng số truyền mode viết lại là [13]:
19
𝑣(𝑣+2)𝜋
(𝛽0 − 𝛽𝑣 ) = (3.7)
3𝐿𝜋
Bằng cách giả thiết rằng MMI có ít nhất một số ít mode được dẫn và các mode
phát xạ của phần MMI không được kích thích, trường đầu vào 𝜓(𝑥, 0) là phổ hẹp đủ
để không kích thích các mode không được dẫn, ta có thể khai triển được theo các thành
phần của các mode được dẫn trong vùng đa mode [13]:
𝜓(𝑥, 0) = ∑ 𝑐𝑣 𝜓𝑣 (𝑥) (3.8)

𝑣
Với 𝜓𝑣 (𝑥) là phân bố mode bậc thứ 𝑣 và 𝑐𝑣 là hệ số kích thích mode bậc thứ 𝑣,
cho bởi tích phân chồng chất sau [13]:
∫ 𝜓(𝑥, 0)𝜑𝑣 (𝑥)𝑑𝑥

𝑐𝑣 = (3.9)
√∫ 𝜑𝑣2 (𝑥)𝑑𝑥
Trường 𝜓(𝑥, 𝑧) truyền dọc theo trục z có thể được xem như là sự siêu xếp chồng
của tất cả các mode được dẫn, nghĩa là [13]:
𝑚−1
𝜓(𝑥, 𝑧) = ∑ 𝑐𝑣 𝜑𝑣 (𝑥)[𝑗(𝜔𝑡 − 𝛽𝑣 𝑧)] (3.10)

𝑣=0
Lấy pha của mode cơ sở (bậc 0) là nhân tử chung ra bên ngoài của tống, tách nó
và giả thiết rằng thành phần phụ thuộc ẩn, trường 𝜓(𝑥, 𝑧) trở thành [13]:
𝑚−1
𝜓(𝑥, 𝑧) = ∑ 𝑐𝑣 𝜑𝑣 (𝑥)[𝑗(𝛽0 − 𝛽𝑣 )𝑧] (3.11)

𝑣=0
Bằng cách thế hằng số truyền từ phương trình (3.7) vào phương trình trên ta được
[13]:
𝑚−1
𝑣(𝑣 + 2)𝜋
𝜓(𝑥, 𝑧) = ∑ 𝑐𝑣 𝜑𝑣 (𝑥)𝑒𝑥𝑝 [𝑗 𝑧] (3.12)
3𝐿𝜋
𝑣=0
Dạng của trường sóng 𝜓(𝑥, 𝑧 = 𝐿) và cuối cùng kiểu của ảnh được tạo sẽ đuợc
xác định bởi hệ số kích thích 𝑐𝑣 và đặc tính của nhân tử pha mode [13]:
𝑣(𝑣 + 2)𝜋
𝑒𝑥𝑝 [𝑗 𝐿] (3.13)
3𝐿𝜋
20
Có thể thấy rằng: dưới một khoảng cách chu kỳ, trường 𝜓(𝑥, 𝐿) sẽ được tái tạo
lại trường đầu vào 𝜓(𝑥, 0).
3.4 Tổng quan về các loại giao thoa
Có các loại giao thoa sau:
- Giao thoa tổng quát (General interference - GI): là giao thoa độc lập với kích
thích mode.
- Giao thoa hạn chế (Restricted interference - RI): là do sự kích thích mode chắc
chắn tại một số vị trí mode xác định đơn lẻ.
Các tính chất sau đây sẽ được sử dụng trong việc đối chiếu [13]:
𝑣 (𝑣 + 2) 𝑐ℎẵ𝑛 𝑣ớ𝑖 𝑣 𝑐ℎẵ𝑛, 𝑣 (𝑣 + 2)𝑙ẻ 𝑣ớ𝑖 𝑣 𝑙ẻ (3.14)
𝜓𝑣 (−𝑥) = 𝜓𝑣 (𝑥)𝑘ℎ𝑖 𝑣 𝑐ℎẵ𝑛, 𝜓𝑣 (−𝑥)
(3.15)
= −𝜓𝑣 (𝑥)𝑘ℎ𝑖 𝑣 𝑙ẻ
3.4.1 Giao thoa tổng quát -GI
Cơ chế giao thoa tổng quát là độc lập với sự kích thích mode, tức là không giới
hạn vào hệ số kích thích mode 𝑐𝑣 . Ta xem xét các trường hợp sau đây:
3.4.1.1 Các đơn ảnh
Từ phương trình (3.13) ta thấy rằng trường 𝜓(𝑥, 𝐿) sẽ là một ảnh của 𝜓(𝑥, 0)
nếu [13]:
𝑣(𝑣 + 2)𝜋
𝑒𝑥𝑝 [𝑗 𝐿] = 1 ℎ𝑜ặ𝑐 (−1)𝑣 (3.16)
3𝐿𝜋
Điều kiện này cho ta kết quả [13]:
𝐿 = 𝑝(3𝐿𝜋 ) 𝑣ớ𝑖 𝑝 = 0,1,2 … (3.17)
Hệ số 𝑝 biểu thị bản chất định kỳ của hình ảnh dọc theo ống dẫn sóng đa mode.
3.4.1.2 Các đa ảnh
Ngoài các đơn ảnh thì các đa ảnh nhận tại các vị trí có khoảng cách là nữa độ dài
của các khoảng cách đơn ảnh, do có sự chụp ảnh đối xứng gương (mirrored images).
Đa ảnh do vậy có được ở các khoảng cách [13]:
21
𝑝
𝐿= (3𝐿𝜋 ) 𝑣ớ𝑖 𝑝 = 1,3,5 … (3.18)
2
Đối với cấu trúc 𝑁 đầu vào sẽ được tạo dạng ở khoảng cách [13]:
𝑝
𝐿 = (3𝐿𝜋 ) (3.19)
𝑁
3.4.2 Giao thoa hạn chế -RI
Cơ chế giao thoa phụ thuộc vào sự kích thích mode trong ống dẫn sóng. Trong
phần này, chỉ trình bày khả năng và cách thức để tạo ra các bộ ghép MMI mà chỉ vài
mode được kích thích trong vùng MMI bởi trường đầu vảo. Cơ chế giao thoa như vậy
gọi là giao thoa hạn chế. Sự kích thích có chọn lọc này có liên quan đến nhân tử pha
mode 𝑣 (𝑣 + 2). Đại lượng này cho phép cơ chế giao thoa mới với chu kỳ ngắn hơn.
Có hai trường hợp xét đến sau đây:
3.4.2.1 Giao thoa theo cặp
Để ý rằng [13]:
𝑣 (𝑣 + 2) ≡ 𝑚𝑜𝑑(3)𝑣ớ𝑖 𝑣 ≠ 2,5,8,11 … (3.20)
Rõ ràng chiều dài chu kỳ của nhân tử pha mode sẽ giảm đi 3 lần nếu [13]:
𝑐𝑣 = 0, 𝑣ớ𝑖 𝑣 = 2,5,8,11 … (3.21)
Do đó các đơn ảnh (trực tiếp và đảo ngược) của trường đầu vào 𝜓(𝑥, 0) sẽ nhận
được tại các khoảng cách [13]:
𝐿 = 𝑝(𝐿𝜋 )𝑣ớ𝑖 𝑝 = 0,1,2 … (3.22)
Điều đó chứng tỏ rằng: các mode 𝑣 = 2,5,8,11 … không được kích thích trong
ống dẫn sóng đa mode. Tương tự ta thu được hai ảnh đứng sẽ được tìm thấy tại 𝐿 =
𝑝
( 𝐿𝜋) với p lẻ.
2
Tổng quát cho hệ thống 𝑁 ảnh đứng sẽ được tạo ra tại khoảng cách [13]:
𝑝
𝐿= (𝐿 )𝑣ớ𝑖 𝑝 = 0,1,2 … (3.23)
𝑁 𝜋
Với: 𝑝 ≥ 0, 𝑁 ≥ 1 là các số nguyên không có chung ước số.
22
3.4.2.2 Giao thoa đối xứng

Một bộ chia quang 𝑁 cũng có thể được tạo ra bằng phương pháp giao thoa tổng
quát 𝑁 ảnh đứng ở trên. Tuy nhiên, bằng cách chỉ các mode đối xứng chẵn, bộ chia 1
đến 𝑁 có thể được chế tạo với ống dẫn sóng 4 lần ngắn hơn.
Chú ý rằng [13]:
𝑣 (𝑣 + 2) ≡ 𝑚𝑜𝑑 (4)𝑣ớ𝑖 𝑣 𝑐ℎẵ𝑛 (3.24)
Rõ ràng các chiều dài chu kỳ của pha mode sẽ giảm 4 lần nếu [13]:
𝑐𝑣 = 0, 𝑣ớ𝑖 𝑣 = 1,3,5,7 … (3.25)
Do đó, ảnh đơn của trường đầu vào 𝜓(𝑥, 0) sẽ được nhận tại [13]:
3𝐿𝜋
𝐿 = 𝑝( )𝑣ớ𝑖 𝑝 = 0,1,2 … (3.26)
4
Tổng quát 𝑁 ảnh đứng sẽ được nhận tại các khoảng cách [13]:
𝑝 3𝐿𝜋
𝐿= ( )𝑣ớ𝑖 𝑝 = 0,1,2 … (3.27)
𝑁 4
Với: 𝑝 ≥ 0, 𝑁 ≥ 1 là các số nguyên không có chung ước số.
3.5 Công thức Bachmann giải thích pha của trường đầu vào và ra ở các cổng của
bộ MMI
3.5.1 Sự biểu diễn các mode riêng lẻ
3.5.1.1 Phân tích các mode riêng lẻ
Lý thuyết này được phát triển cho bất kỳ phân bố ánh sáng đầu vào 𝑓(𝑥). Phân
bố đầu vào này được phân tích bên trong các mode riêng lẻ (eigenmode) của bộ MMI.
Khi việc phân tích hoàn thành, nhìn chung ta cần một con số hữu hạn các mode dẫn
sóng giam giữ toàn bộ bên trong bộ MMI (tính cho phép tính xấp xỉ dẫn sóng mạnh).
Kết quả thu được tù phép tính xấp xỉ lỗi đã được nghiên cứu và là rất ít ỏi với các cấu
trúc giam hãm sóng mạnh. Khi thực hành với một số lượng giới hạn các mode riêng
lẻ, phân bố đầu vào được phân tích vào trong các mode riêng lẻ, và các thành phần
trường còn lại bị mất.
Kết quả này có thể được mô tả với sự phân tích một số các mode. Lý thuyết về
sự phân tích mode, việc sửa chữa các phần còn lại cho các ứng trong trong thực tế, nơi
23
mà các phân bố ánh sáng 𝑓(𝑥) là chỉ các mode dẫn sóng và ưu tiên hơn, các mode
thấp hơn là được quan tâm.
Các mode dẫn sóng mạnh của bộ MMI có dạng thức[3]:
𝑥
𝑄𝑖 = sin [𝜋(𝑣 + 1) ] 𝑣ớ𝑖 𝑣 = 0,1,2 … (3.28)
𝑊
Các mode truyền sóng mạnh hầu như giam giữ toàn bộ ánh sáng nên các mode ở
bên của chúng sẽ chứa những số nguyên của một nữa khoảng bên trong ống dẫn sóng.
(𝑣+1)𝜋
Vậy nên hằng số truyền sóng ngang 𝑘𝑥𝑣 = . Từ công thức (3.1) ta có được [3]:
𝑊
𝛽𝑣2 = 𝑘02 𝑛𝑟2 − 𝑘𝑥𝑣

2
(3.29)
Sử dụng phương pháp xấp xỉ từng phần, ta có được [3]:

∆𝛽01
𝛽0 ≅ 𝑛𝑟 𝑘0 − (3.30)
3
3𝜋 2
∆𝛽01 = 𝛽0 − 𝛽1 ≅ (3.31)
2𝑛𝑟 𝑘0 𝑊𝑒2
∆𝛽01
𝛽1 ≅ 𝛽0 − 𝑣(𝑣 + 2) (3.32)
3
Với 𝑘0 là hằng số truyền sóng trong chân không, và 𝑣 là số thứ tự mode.
3.5.1.2 Phân bố trường đầu ra
Ta tính toán ra được bộ MMI có độ dài 𝐿𝑀
𝑁 [3]:
𝑀 𝑁 3𝜋
𝐿𝑀
𝑁 = 3𝐿𝜋 = (3.33)
𝑁 𝑀 ∆𝛽01
Với 𝐿𝜋 là nửa độ dài phách của hai mode bậc thấp nhất. 𝑀 và 𝑁 là các số nguyên
dương không liên quan đến ước số chung 𝑎. Điều này cho phép việc phân tích bất kỳ
thiết bị với độ dài tuỳ ý. 𝑁 là số ảnh tự chụp (số đầu vào hoặc ra) và 𝑀 định nghĩa
thiết bị có độ dài khác nhau có khả năng xảy ra với 𝑁 ảnh. Thiết bị ngắn nhất được sử
dụng là 𝑀 = 1.
24
3.5.2 Nguồn gốc của pha các cổng đầu vào hoặc ra với giá trị 𝑴 = 𝟏
Được cho bởi độ rộng 𝑊𝑒 và một số được chọn số ảnh 𝑁 ta sử dụng thông số tự
𝑊𝑒
do thêm vào 𝑎 ở các vị trí đầu vào và đầu ra với giới hạn là 0 < 𝑎 < . Hình 3.3 và
𝑁
3.4 thể hiện cho trường hợp 𝑁 chẵn và 𝑁 lẻ tương ứng:
Hình 3. 3: Bộ MMI với ống dẫn sóng truy nhập mô tả với trường hợp N chẵn.
Hình 3. 4: Bộ MMI với ống dẫn sóng truy nhập mô tả với trường hợp 𝑁 lẻ.
25
Các đầu vào được đánh số là chỉ số 𝑖, và đầu ra được đánh số là chỉ số 𝑗. Chú ý
về hướng dẫn đánh số là: các đầu vào được đánh số từ dưới lên trên và đầu ra được
đánh từ trên xuống dưới.
Kết quả các pha của ảnh với đầu vào thứ 𝑖 và đầu ra thứ 𝑗 có thể được cho bởi
biểu thức sau đây (nhớ là định nghĩa đầu ra của pha: 𝜑 = 𝜔𝑡 − 𝑘𝑧) [3]:
𝑖 + 𝑗 𝑐ℎẵ𝑛:
𝜋
𝜑𝑖𝑗 = 𝜋 + 𝜑𝑁−(𝑗−𝑖)/2 = 𝜑0 + 𝜋 + × (𝑗 − 𝑖) × (2𝑁 − 𝑗 + 𝑖) (3.34)
4𝑁
𝑖 + 𝑗 𝑙ẻ:
𝜋
𝜑𝑖𝑗 = 𝜑𝑁−(𝑗+𝑖−1)/2 = 𝜑0 + × (𝑗 + 𝑖 − 1) × (2𝑁 − 𝑗 − 𝑖 + 1) (3.35)
4𝑁
Với 𝜑0 là hằng số pha được tính bởi:
𝜋 𝜋
𝜑0 = −𝛽0 𝐿𝑀=1
𝑁 − − (𝑁 − 1) (3.36)
𝑁 4
Hai biểu thức (3.34) và (3.35) cho phép ta tính toán sự chênh lệch pha giữa các
đầu vào và đầu ra của bộ giao thoa MMI.
3.6. Bộ truyền dẫn Y-junction
Hiện nay, đa số các thiết bị dẫn sóng quang được sử dụng để biến đổi biên độ và
pha của các mode dựa trên các hiện tượng quang cơ bản như giao thoa, sự chuyển đổi
định hướng và phản xạ trong chúng. Những thiết bị này bao gồm: các bộ chuyển đổi
định hướng khác nhau, dụng cụ đo giao thoa, ghép bước sóng và giải bước sóng. Thêm
nữa, các thiết bị này với các tính năng của chúng đơn thuần dựa trên thiết kế hình học
của chúng. Ví dụ như các sợi quang đơn mode có ống dẫn ống hình nêm hoặc ống dẫn
sóng bị biến đổi theo sự phân bố trường chiều ngang biến đổi dọc theo chiều dài của
chúng.
Ở đây, thành phần đang nhắc đến là cấu trúc Y-junction. Cấu trúc cơ bản của nó
là một thân chính và 2 nhánh tách ra, đặc tính phối hợp và phân chia ánh sáng có thể
phát sinh trong cấu trúc Y-junction đa cách tay. Giống như ống dẫn ống hình nêm, sự
26
phát triển đoạn giao cắt của cấu trúc Y-junction cần phải xảy ra đủ chậm với khoảng
cách trục để đảm bảo việc truyền ánh sáng xấp xỉ của các mode xuyên qua thiết bị.
Điều này đảm bảo rằng năng lượng tối thiểu là được truyền giữa các mode hoặc các
trường phát xạ. Trong thực tế, điều này sẽ đạt được một cách ổn định bởi việc góc của
ống dẫn sóng hình nêm hoặc phần tách ra giữa 2 nhánh đủ nhỏ.
Cấu trúc Y-junction có thể phân chia thành 2 loại [8]:
- Đối xứng
- Không đối xứng
3.6.1. Cấu trúc Y-Junction đối xứng
3.6.1. 1. Cấu trúc Y-junction đối xứng đơn mode
Cơ chế làm việc của các mode Y đối xứng đơn mode có thể được mô tả bằng
cách xem xét các tín hiệu chẵn và lẻ ở cả hai đầu ra A và B như trong hình 3.5 [8]:
Hình 3.5: Sự truyền sóng vào phía trước(a) và phía sau(b) xuyên qua cấu trúc Y-
junction đối xứng
Ở hình (a), khi ta truyền mode 0 vào thì ở hai nhánh A và B đều là mode 0 nhưng
mức năng lượng bị chia đôi. Còn ở hình (b), khi ta truyền mode 0 vào từ nhánh A thì
đầu ra cũng là mode 0 nhưng năng lượng đã bị giảm đi rất nhiều do ở nhánh B có hiện
tượng triệt pha nhau làm giảm đi một phần tín hiệu.
27
Nhìn chung, tín hiệu ra ở phần thân nếu cho tín hiệu đi vào ở nhánh A và B
phụ thuộc vào cả sự khác biệt pha và khác biệt biên độ giữa 2 mode đầu vào của 2
nhánh. Với cùng biên độ, và pha khác nhau 180 độ thì kết quả sẽ là mode 1, biểu diễn
ở hình 3.6
Hình 3.6 Sự phát triển mode ở 2 nhánh A và B khi cho mode 1 truyền vào
Nếu đồng thời ta cho mode 0 và mode 1 truyền từ phần thân của Y-junction thì
năng lượng ở mỗi nhánh đầu ra sẽ phụ thuộc vào sự khác biệt pha tương đương tích
luỹ giữa các mode trong quá trình truyền tín hiệu trong Y-junction.
3.6.1.2. Cấu trúc Y-junction đối xứng đa mode
Lý thuyết này được mở rộng để hỗ trợ các mode cao hơn. Nếu ta truyền mode 2
vào thì tín hiệu sẽ bị phân tách thành hai mode 1 có cùng năng lượng, cùng pha. Còn
nếu truyền mode 3 thì cũng là hai tín hiệu cùng năng lượng nhưng ngược pha nhau
1800 [8].
28
Hình 3.7 Sự phát triển mode ở hai nhánh khi cho mode 2 (a) và mode 3 (b) vào.
Với cấu trúc Y-function hỗ trợ 2 mode, nếu cho đồng thời mode 2 và mode 3 vào
đều ra mode 2 ở hai nhánh nhưng sự phân bố năng lượng sẽ phụ thuộc vào sự khác
biệt pha tương ứng tích luỹ giữa các mode truyền trong Y-junction.
3.6.2. Cấu trúc Y-junction không đối xứng
3.6.2.1. Cấu trúc Y-junction không đối xứng đơn mode
Hình 3.8 Sự hình thành mode 0 giữa phần thân và phần nhánh rộng hơn(a), và nhánh
hẹp hơn (b) của cấu trúc Y-junction không đối xứng.
Với hướng truyền ngược lại, khi cho tín hiệu mode 0 đi vào ở nhánh nhỏ hơn thì
tín hiệu sẽ bị suy hao gần như 100%. Sự thay đổi kích thước chênh lệnh giữa chiều
29
rộng của hai nhánh quyết định năng lượng và hướng truyền ánh sáng đi ở nhánh nào
[8].
3.6.2.2. Cấu trúc Y junction không đối xứng đa mode
Với trường hợp hỗ trợ hai mode tức là mode 0 và mode 1 và mỗi cánh tay chỉ hỗ
trợ mode 0. Mode 0 chỉ tồn tại ở phần thân và phần cánh tay có độ rộng lớn hơn, còn
ở trường hợp còn lại mode 0 sẽ ở phần thân và mode 1 sẽ ở phần cánh tay có độ rộng
nhỏ hơn. Điều này có được bởi vì sự xấp xỉ gần nhau giữa chỉ số hiêu dụng của phần
thấn và phần cánh tay. Mode 1 tồn tại trong phần thân tạo ra mode 0 ở cánh tay có độ
rộng lớn hơn (B), bởi vì sự khớp nhau giữa chỉ số hiệu dụng của phần thân và phần
cánh tay, và chúng không bị suy hao [8].
Hình 3.9: Sự hình thành mode 0 và mode 1 giữa phần thân và phần cánh tay của cấu
trúc Y-junction bất đối xứng.
3.6.3. Nhận xét
Dựa trên các đặc tính của cấu trúc Y-junction 2 cánh tay đối xứng và bất đối xứng
ta có thể phát triển các cấu trúc 3 hoặc nhiều hơn các cánh tay, có thể đối xứng hoặc
bất đối xứng.
Như vậy sự phân chia năng lượng truyền qua cấu trúc Y-junction giữa các cánh
tay phụ thuộc vào các yếu tố:
- Nguồn sóng đầu vào.
- Sự khác biệt chiết suất giữa lớp vỏ và lớp lõi.
30
- Pha của các nguồn đầu vào.
3.7 Bộ dịch pha Phase Shift

Có nhiều loại PS(Phase Shift) khác nhau, nó được đặt ở các vị trị các ống dẫn
sóng truy nhập vào và ra tuỳ mục đích sử dụng, trong nội dung đồ án sử dụng PS có
hình dạng như sau [7]:
Wps
Lps
Larm
Ws
Hình 3.10: Hình dạng của Phase Shift được sử dụng.

PS có chiều dài 𝐿𝑃𝑆 , chiều rộng 𝑤 (chính là chiều rộng của các ông dẫn sóng truy
nhập nối với nó), chiều rộng trung tâm 𝑊𝑃𝑆 có thể thay đổi.
Mục đích của PS là thay đổi pha của tín hiệu quang, tức là tạo ra sự chênh lệch
về pha của tín hiệu trước và sau khi đi qua PS.
3.8. Các phương pháp mô phỏng trường điện từ cơ bản
Với các ống dẫn sóng không phẳng trong không gian ba chiều khi hệ số chiết
suất là hàm số phụ thuộc hai trục, n(x,y) thì không có lời giải phân tích tường minh
cho phương trình truyền sóng. Do đó, các nghiên cứ hiện đại sử dụng phương pháp hệ
số hiệu dụng, các phương pháp mô phỏng số như: phương pháp truyền chùm tia (Beam
Propagation Method-BPM), phương pháp phần tử hữu hạn (Finite Element Method-
FEM), phương pháp sai phân hữu hạn trong miền thời gian (Finite Difference Time
Domain Method-FDTD) để nghiên cứu đặc tính hóa phân bố trường mode và sự dẫn
sóng trong các ống dẫn sóng dạng kênh.
31
Trong khuôn khổ của đồ án sẽ sử dụng phương pháp chỉ số hiệu dụng và
phương pháp truyền chùm tia.
3.8.1. Phương pháp mô phỏng truyền chùm tia
3.8.1.1. Lý thuyết chung của phương pháp truyền chùm tim
Phương pháp truyền chùm tia [1] là một kỹ thuật xấp xỉ để mô phỏng sự làn
truyền của ánh sáng trong các ống dẫn sóng quang học. Về cơ bản nó giống như
phương pháp Parabolic Equation (PE) trong âm thanh dưới nước. Cả hai phương pháp
BPM và PE dẫn sóng theo một khoảng cách lớn (lớn hơn so với bước sóng), việc mô
phỏng số chính xác là rất khó. Phương pháp truyền chùm tia dựa vào phương trình vi
phân gần đúng nhờ đó có thể xác định một cách dễ dàng.
Phương pháp truyền chùm tia là một phương pháp xấp xỉ để xác định các trường
ở bên trong ống dẫn sóng. Với phương pháp này, các mode của ống dẫn sóng không
thông dụng như bộ ghép hình chữ Y có thể được xác định một cách dễ dàng. Các mode
có thể ước tính chính xác khi sóng truyền qua ống dẫn sóng.
Có một số phần mềm mô phỏng thực hiện thuật toán BPM. Các phần mềm phổ
biến đã được phát triền như Rsoft Design và Optiwave Systems…Trong khuôn khổ
đồ án sử dụng phần mềm Rsoft Design để mô phỏng.
3.8.1.2. Các phương trình trong phương pháp truyền chùm tia
Phương pháp truyền chùm tia về cơ bản là một phép tính gần đúng để làm xấp
xỉ phương trình sóng chính xác nhất cho sóng đơn sắc, và giải phương trình bằng cách
số hóa. Trong phần này, phép tính cơ bản gần đúng được minh họa bằng cách đề ra
vấn đề dưới những hạn chế của trường vô hướng (nghĩa là bỏ qua các ảnh hưởng của
phân cực) và sự đẳng hướng (nghĩa là sự lan truyền bị hạn chế ở một góc độ hẹp).
Giả sử trường vô hướng cho phép phương trình sóng được viết dưới dạng
phương trình Helmholtz nổi tiếng cho sóng đơn:
 2  2  2
+ 2 + 2 + k ( x, y , z ) 2  = 0 (3.37)
x 2
y z
32
Ở đây điện trường vô hướng được viết như E ( x, y, z, t ) =  ( x, y, z )e− jt và hàm
k ( x, y, z ) = ko n( x, y, z ) với ko = 2 /  là sống sóng trong không gian tự do. Hình dạng
của vấn đề này được định nghĩa hoàn toàn bởi sự phân bố chiết suất n(x,y,z).
Ta xét rằng trong các vấn đề truyền sóng thì giá trị thay đổi nhanh nhất trong
trường  là sự biến thiên pha vì sự lan truyền dọc theo trục dẫn và ở đây là truyền theo
trục z :
𝜙(𝑥, 𝑦, 𝑧) = 𝑢(𝑥, 𝑦, 𝑧)𝑒 𝑖𝑘𝑧 (3.38)
Với u là trường biến đổi chậm và k là một hằng số được chọn để đại diện cho
sự biến thiên pha trung bình của trường  và được xem như là số sóng tham chiếu.
Thay các phương trình trên vào phương trình Helmholtz, ta được phương trình
cho trường biến đổi chậm :
 2u u  2u  2u 2
+ 2ik + 2 + 2 + (k 2 − k )u = 0 (3.39)
z 2
z x y
Phương trình trên là hoàn toàn tương đương với phương trình Helmholtz, ngoại
trừ phương trình đó được biểu diễn dưới ẩn u. Bây giờ giả sử rằng sự biến thiên của u
với z là đủ chậm để có thể rút gọn được phương trình trên thành :
u i   2u  2u 2 
=  2 + 2 + (k − k )u 
2
(3.40)
z 2k  x y 
Đây là phương trình BPM cơ bản trong miền ba chiều (3D), đơn giản hóa xuống
hai chiều bằng cách bỏ qua bất kỳ sự phụ thuộc nào trên y. Cho một trường vào,
u(x, y, z=0), phương trình trên xác định được sự tiến triển của trường trong không gian
z > 0.
Phương trình (3.40) là một phương trình parabol vi phân từng phần có thể được
lấy tích phân chuyển tiếp trên z bằng một số kỹ thuật số chuẩn. Phương pháp BPM
được sử dụng như một kỹ thuật được gọi là phương pháp phân chia bước Fourier.
Nghiên cứu sau này chứng minh rằng hầu hết các vấn đề đáng quan tâm trong quang
học tích hợp, một phương pháp xấp xỉ sai phân hữu hạn tuyệt đối dựa trên chương
trình nổi tiếng của Crank-Nicolson là tốt hơn. Phương pháp xấp xỉ này và các đạo hàm
33
của nó đã trở thành một chuẩn, do đó nó được xem xét ở đây. Nó thường được ký hiệu
là phương pháp truyền chùm sai phân hữu hạn (Finite Difference Beam Propagation
Method – FD-BPM), nhưng sẽ được đề cập dưới đây chỉ đơn giản là phương pháp
BPM. Trong phương pháp xấp xỉ sai phân hữu hạn, trường trong mặt phẳng ngang
(xy) chỉ được trình bày tại các điểm rời rạc trên lưới, và tại các mặt phẳng rời rạc theo
hướng dọc hoặc lan truyền (z).
Cho uin biểu diễn trường tại các điểm lưới ngang I và các mặt phẳng dọc n, và
giả sử các điểm lưới và các mặt phẳng được chia đều bằng nhau bởi deltax và deltaz.
Trong phương pháp Crank-Nicolson ở phương trình (3.40) được biểu diễn ở giữa mặt
phẳng n đã biết và mặt phẳng n+1 chưa biết như sau:
uin +1 − uin i 2

( )
2 u
n +1
+ uin
= + k ( xi , zn +1/2 ) − k 
2 i
 (3.41)
z 2k  x  2
 2 ở đây là toán tử sai phân bậc hai dạng chuẩn,  2ui = (ui +1 + ui −1 − 2ui ) , và
zn +1/2  zn + z / 2 . Phương pháp này rời rạc hóa tính toán bằng cách truy hồi.
Nếu xét đến đặc tính phân cực tì ta phải sử dụng 3D-FDBPM hoặc FDTD. Tuy
nhiên, thời gian mô phỏng kéo dài rất lớn và cần tài nguyên tính toán mạnh. Với cấu
trúc dẫn sóng mạnh như SOI thì 3D-BPM. Để tăng độ chính xác của 3D-BPM thì ta
có thể dùng cấu trúc Douglas và sử dụng thêm phép thế bằng toán tử Padé.
3.8.1.3. Những mặt hạn chế của phương pháp truyền chùm tia
Phương pháp truyền chùm tia [1] dựa vào phép xấp xỉ bằng đường bao trường
biến đổi chậm nên không chính xác với việc mô phỏng cấu trúc rời rạc và cấu trúc
biến đổi nhanh. Nó cũng không chính xác đối với mô phỏng cấu trúc mà trong đó ánh
sáng lan truyền ở góc độ rộng và đối với thiết bị có chiết suất khúc xạ cao, thường thấy
ở các Silicon photonic.
Phương pháp truyền chùm tia có thể được sử dụng để mô phỏng sự truyền dẫn
hai chiều nhưng với sự phản xạ thì cần phải được thực hiện lặp đi lặp lại nên có thể
dẫn đến các vấn đề hội tụ.
3.8.1.4. Ứng dụng của phương pháp truyền chùm tia
34
Phương pháp truyền chùm tia là phương pháp giải quyết nhanh chóng và dễ
dàng cho các trường trong các thiết bị quang tích hợp. Nó thường chỉ được sử dụng
trong việc giải quyết cho cường độ và các mode trong cấu trúc ống dẫn sóng (bent,
tapered, terminated), trái ngược với các vấn đề tán xạ.
Phương pháp truyền chùm tia có rất nhiều ứng dụng trong:
- Các thiết bị chống lại dao động riêng như Tapers.
- Triệu tiêu các vấn đề xấp xỉ gây khó khăn.
- Có ứng dụng tốt trong các trường hợp mà tán xạ chiếm trọng tâm.
- Trong chế độ làm việc của những thiết bị đặc biệt.
3.8.2. Phương pháp chỉ số hiệu dụng
Phương pháp chỉ số hiệu dụng cũng được sử dụng để tối ưu khoảng thời gian chạy
mô phỏng. Để giảm thời gian mô phỏng phương pháp chỉ số hiệu dụng biến các ống
dẫn sóng với phân bố chiết suất phức tạp thành các ống dẫn sóng phẳng để đơn giản
hóa quá trình mô phỏng.
3.9. Kết luận chương
Như vậy chương 3 đã trình bày các vấn đề liên quan đến bộ giao thoa đa mode
MMI, cấu trúc Y-junction, bộ dịch pha và phương pháp truyền chum tia, phương pháp
chỉ số hiệu dụng. Việc sử dụng bộ giao thoa đa mode có thể giải quyết các vấn đề cơ
bản của truyền dẫn như băng thông rộng, tổn hao thấp cùng với giá thành sản xuất rẻ.
Tuy nhiên, do bị ảnh hưởng bởi các yếu tố truyền dẫn nên việc thiết kế bộ giao thoa
đa mode đòi hỏi độ chính xác cao. Đây là các thành phần chính tạo nên bộ tách/ghép
mode quang em sẽ thiết kế ở chương 4.
35
Chương 4: Thiết kế, khảo sát bộ tách/ghép 3 mode TM và đánh giá sai số
CHƯƠNG 4
THIẾT KẾ,KHẢO SÁT BỘ TÁCH/GHÉP 3-MODE TM
VÀ ĐÁNH GIÁ SAI SỐ
Trong chương này ta sẽ đi thiết kế và phân tích cụ thể bộ tách/ghép 3-mode TM
sử dụng các bộ giao thoa đa mode MMI, Y-Junction, Phase Shift.
Thiết lập thông số ban đầu:
Hình 4.1 Bảng thông số thiết lập

Trong đó, bước sóng được sử dụng là 1550 nm, ống dẫn sóng có chiết suất là 3.43
(chiết suất của Silic tại bước sóng làm việc 1550 nm) đặt trên nền vật liệu có chiết suất
1.44 (đây cũng chính là chiết suất của Si tại bước sóng làm việc 1550 nm), bề dày của
ống dẫn sóng được chọn là 0.5 um. Phương pháp mô phỏng trường điện từ được sử
dụng trong quá trình mô phỏng là BeamPROP (Beam Propagation).
Cấu trúc của ống dẫn sóng được sử dụng: Rib/Ridge.
36
nc=3.43
nr =1.44
Hình 4.2 Cấu trúc ống dẫn sóng Rib/Ridge

Trong đó H= 0.5µm là chiều cao của lớp Si, h0= 0.12µm là độ cao của lớp nền
dẫn với chiết suất 3.43. Phần nhô lên Hd = H – h0 là dải dẫn sóng cũng là Si, bên ngoài
là lớp phủ ở đây dùng không khí (chiết suất của không khí bằng 1) làm lớp phủ, ta
cũng có thể dùng Si02 làm lớp nền phủ để đảm bảo cho hiện tượng phản xạ toàn phần
trong ống dẫn sóng nhằm mục đích bắt giữ ánh sáng tốt hơn.
Sau đây em sẽ trình bày về các thành phần cấu tạo nên bộ tách/ghép mode TM,
bằng việc tiến hành thiết kế theo lý thuyết và tối ưu hóa lý thuyết bằng cách sử dụng
phần mềm mô phỏng nghĩa là:
- Dựa vào các phần lý thuyết đã nêu ở chương 2-3 và các bài báo tài liệu để
chọn ra thông số phù hợp với mục đích của đồ án.
- Sau khi đã có các thông số theo lý thuyết ta sẽ dựa vào đó rồi sử dụng phần
mềm mô phỏng để quét tham số xung quanh thông số lý thuyết từ đó chọn ra các thông
số tối ưu nhất. Đây cũng là cách tối ưu chung cho toàn bộ đồ án.
37
4.2 Mô hình và nguyên lí hoạt động
Ltp
Wtp
LMMI
WMMI
PS
GS
WS Wc WS
Ls
Lin
`
W0
Hình 4.3 Bộ tách/ghép 3 Mode TM
Bảng 4.1 Thông số thiết kế

Stt Ký hiệu Kích thước Ghi chú
1 W0 1.57 µm Độ rộng dẫn sóng đầu vào.
2 Wc 0.6 µm Độ rộng dẫn sóng giữa
3 Ws 0.7 µm Độ rộng dẫn sóng bên
4 Gs 1.8 µm Khoảng cách giữa dẫn sóng giữa và bên
5 Wmmi 5 µm Độ rộng bộ MMI
6 Wps 0.57 µm
7 Wtp 1.4 µm Độ rộng tapper
38
8 Wtp2 1 Độ rộng tapper giữa

9 Ls 177.53 µm Chiều dài dẫn sóng
10 Ltp 12 µm Chiều dài tapper
11 Ltp2 15 µm Chiều dài tapper giữa
12 Lmmi 107.5 µm Chiều dài bộ MMI
13 Lps 14.4 µm
14 Lin 20 µm Chiều dài dẫn sóng đầu vào
Nguyên lý hoạt động:
Trong thiết kế này, thiết bị được đề xuất sử dụng bộ Y-Junction, MMI 3x3 và
PS để thực hiện đồng thời tách/ghép kênh và chuyển đổi chế độ cơ bản (TM0), chế độ
đầu tiên (TM1), và chế độ bậc 2 (TM2).
Xét các tín hiệu đầu vào:
𝑖𝜋 𝑖𝜋
𝑒 𝑒 2 1
1 𝑖𝜃 0) 1 𝑖𝜃 MMI 1
Y-Junction
ModeTM0 ( 0 )𝑒 PS(90 ( 0 )𝑒 S0= (0) 𝑒 𝑖𝜃
√3 √3 √3
𝑒 𝑖𝜋 𝑒 𝑖𝜋 0
3𝜋
𝑒 𝑖𝜋 PS(900) 𝑒𝑖 2 0
Y-Junction 1 1 MMI 1
ModeTM 1 ( 0 ) 𝑒 𝑖𝜃 ( 0 ) 𝑒 𝑖𝜃 S1= ( 0) 𝑒 𝑖𝜃
√3 𝜋 √3 𝜋 √3
𝑒𝑖2 𝑒𝑖2 1
Y-Junction
0 0
0 0
1 1 1
ModeTM2 (𝑒 𝑖𝜋 ) PS(90
𝑒 𝑖𝜃 ) (𝑒 𝑖𝜋 ) 𝑒 𝑖𝜃MMI S2= (1) 𝑒 𝑖𝜃
√3 √3 √3
0 0 0
Đầu vào ta sử dụng kết hợp 1 bộ Trident vs 1 bộ Y-Junction với các thông số sau:
Lin=20 µm, W0=1.57 µm, Wc=0.6 µm, Ws=0.7 µm, Ls=177.53 µm.
Bộ dịch pha là một ống dẫn sóng nhưng đã bị thay đổi độ rộng ở giữa ống dẫn để
thay đổi pha của tín hiệu truyền trong ống dẫn. Bộ dịch pha có chiều dài Lps=14.4 µm,
chiều rộng 2 đầu là Ws=0.7µm, độ rộng giữa là Wps=0.57 µm.
Bộ giao thoa đa mode MMI 3x3 được thế kế với các thông số LMMI, WMMI, Ltp, Ltp2,
Wtp,Wtp2 như trên bảng 4.1.
39
4.3 Kết quả mô phỏng
Hình 4.4 Phát mode 0
40
Nhận xét: Khi phát ba mode vào Input, ta thu được ba mode 0 lần lượt tại
Output 1, Output 2, Output 3. Cấu trúc đã thực hiệu đúng chức năng của một bộ tách
kênh phân chia theo mode như yêu cầu thiết kế và sau đây em sẽ đánh giá hiệu suất
của thiết kế cũng như khảo sát dựa trên sai số thiết kế.
4.4 Đánh giá hiệu suất của thiết kế
Để đánh giá chất lượng của bộ tách ghép mode, ta dùng hai thông số sau:
-Suy hao chèn:
𝑷𝒐𝒖𝒕
𝑰. 𝑳 = −𝟏𝟎 𝒍𝒐𝒈 (4.1)
𝑷𝒊𝒏
Trong đó: Pout là công suất tại ngõ ra của thiết bị

Pin là công suất tại ngõ vào của thiết bị
-Hệ số xuyên nhiễu:
41
𝑷𝒐𝒖𝒕
𝑪𝒓. 𝑻 = −𝟏𝟎 𝒍𝒐𝒈 (4.2)
𝑷𝒕𝒐𝒕𝒂𝒍
Trong đó: Pout là công suất mode mong muốn tại ngõ ra thiết bị
Ptotal là công suất mode không mong muốn tại ngõ ra thiết bị
Hình 4.7 Chỉ số CrT và I.L theo bước sóng của các mode 0, 1, 2
Nhận xét:
Hình 4.7 hiển thị suy hao chèn và nhiễu xuyên âm của thiết bị cho 3 mode TM0,
TM1, TM2. Bước sóng được thay đổi trong phạm vi từ 1500 nm đến 1600 nm. Suy
hao và nhiễu xuyên âm thu được dưới 1 dB và -22 dB trong phạm vi 40 bước sóng trải
dài từ 1525nm đến 1565nm. Hiệu suất đạt được thay đổi từ 79,4% đến 93,3% trong
phạm vi 40 bước sóng đó.
42
Hình 4.8 Chỉ số CrT và I.L theo sự thay đổi của LMMI của các mode 0, 1, 2
Nhận xét:
Hình 4.8 cho thấy ảnh hưởng lỗi chế tạo với hiệu suất quang học của thiết bị. Bằng
cách quét tham Length tolerance ta có thế thấy được suy hao chèn và nhiễu xuyên âm
thay đổi. Khi LMMI thay đổi trong phạm vi từ -2um đến 2um ta thấy được suy hao và
nhiễu xuyên âm nhỏ hơn 1dB và -22dB.
43
Hình 4.9 Chỉ số CrT và I.L theo sự thay đổi của độ rộng dẫn sống
đầu vào của các mode 0,1,2
Nhận xét:
Khi khảo sát sự thay đổi của W0 trong phạm vi từ -100nm đến 100nm ta thấy suy
hao chèn và nhiễu xuyên âm luôn nhỏ hơn 0.5dB và -20dB.
4.5 Kết luận chương
Chương 4 đã trình bày những thiết kế của các bộ giao thoa đa mode MMI, bộ
chia công suất, bộ dịch pha. Từ những thành phần đó sẽ tạo thành một bộ tách/ghép
mode TM hoàn chỉnh. Sau khi tống kết lại ta có nhưng kết quả sau:
- Suy hao xảy ra trong bộ giao thoa đa mode MMI có nguyên nhân chủ yếu tại những
chỗ tiếp xúc giữa các bộ phận làm 1 lượng công suất bị bức xạ ra ngoài. Nếu giảm
được loại suy hao này có thể tăng hiệu suất truyền tín hiệu
- Thông số Cr.T càng thấp thì chất lượng của bộ chuyển đổi bậc mode toàn quang
càng tốt
44
Kết luận và hướng phát triển đề tài
A. Kết luận
Đồ án đã tìm hiểu về lý thuyết truyền sóng, lý thuyết mode và hệ phương
trình Maxwell cũng như lý thuyết về bộ giao thoa đa mode, bộ Y-junction, bộ dịch
pha. Các kết quả mà đồ án đạt được gồm:
- Thiết kế Bộ chia công suất hình chữ Y - Junction
- Thiết kế bộ giao thoa đa mode MMI
- Thiết kế bộ dịch pha
- Thiết kế bộ tách/ghép mode
Sau khi tiến hành thiết kế và đạt được các kết quả như trên, đồ án rút ra được
một số kết luận như sau:
-Dựa trên nguyên lý hoạt động của bộ giao thoa đa mode MMI thì ta hoàn toàn
có thể thiết kế các bộ MMI theo yêu cầu thiết kế.
-Cấu trúc Trident và Y-juntion sẽ quyết định đường đi của tín hiệu dựa vào mode
đầu vào là gì.
-Độ rộng của bộ dịch pha sẽ quyết định mức dịch pha cho tín hiệu.
-Biên độ và độ lệch pha của tín hiệu tại ngõ vào của bộ MMI sẽ được quan tâm
để chọn đầu ra của MMI phù hợp.
B. Hướng phát triển đề tài
Do thời gian hạn hẹp và kiến thức chuyên sâu còn hạn chế nên đồ án mới chỉ
dừng lại ở mức thiết kế rồi tiến hành mô phỏng và quan sát kết quả trên phần mềm R-
soft và chưa thể triển khai toàn bộ ý tưởng của đề tài cũng như chưa thể tiến hành chế
tạo thực nghiệm và đo đạc kết quả thu được từ thực tế. Dựa trên nền tảng những gì đồ
án đã đạt được, em xin đưa ra một số hướng phát triển như sau:
- Tiến hành khảo sát tối ưu các thông số thiết kế để giảm lượng suy hao.
- Tiến hành mô phỏng và tối ưu hóa theo chế độ 3D để có thể ứng dụng tốt vào
các hệ thống thực tế.
- Đưa thiết bị vào phần mềm hệ thống để kiểm tra chất lượng.
45
46
Tài liệu tham khảo
[1] Nguyễn Thị Kim Ngân, Lê Văn Chiến, Lê Thị Thanh Tuyền “Đồ án tốt nghiệp
2017: Thiết kế cổng logic quang sử dụng bộ giao thoa da mode trên nền vật liệu
Silicon”.
[2] TS.Trương Cao Dũng, “Chuyên đề: NGHIÊN CỨU TÍNH TOÁN THIẾT KẾ CÁC
MẠCH TÍCH HỢP GIAO THOA ÐA MODE DÙNG TRONG MẠNG TOÀN
QUANG”. Biên soạn 2015.
[3] M. Bachmann, P. A. Besse, and H. Melchior, “General self-imaging properties in
N N multimode interference couplers including phase relations”, Applied optics,
Vol.33, No. 18, 20 June 1994.
[4] Rsoft, BeamPROP. Synopsys, Inc., Optical Solutions Group, 2015.06.
[5] Jia-Ming Liu, Photonic Devices. Cambridge: Cambridge University Press, 2005.
[6] TS.Cao Dung Truong, TS.Hung Nguyen Tan, Member, IEEE, Minh Tuan Trinh,
and Khu Vu “Three-Mode Multiplexer and Demultiplexer Utilizing Trident and
Multimode Couplers”, 02-oct-2017.
[7] ThS.Ho Duc Tam Linh, ThS.Duong Quang Duy, TS.Truong Cao Dung,
TS.Nguyen Tan Hung “Design and Optimization of Optical Mode Exchange Based on
Cascaded Multimode Interferences”.
[8] John D. Love and Nicolas Riesen “Single-, Few-, and Multimode Y-Junctions”,
JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, VOL. 30, NO. 3, FEBRUARY 1,
2012.
[9] PGS.TS. Tăng Tấn Chiến “Giáo Trình Thông Tin Sợi Quang” 2017.
[10] Lax, M., “From Maxwell to paraxial optics,” Phys. Rev. A, vol. 11, no. 4, pp.
1365– 1370, 1975.
[11] Katsunari Okamoto, Fundamentals of Optical Waveguides, Second Edi. Elsevier
Academic Press, 2006.
[12] R.Ulrich, “Light-propagation and imaging in planar optical waveguides,” Nouv.
Rev. d’Optique, vol. 6, no. 5, pp. 253–262, 1975.
.
47
[13] L.B.Soldano and E.C.M Pennings, “Optical Multi-Mode Interference Devices
Based on Self-Imaging: Principles and Applications,” J. Light. Technol., vol. 13,
no.4,pp.615–627, 1995.
[Online] Available: Optical Multi-Mode Interference Devices Based on Self-Imaging:
Principles and Applications
[14] NENG BAI B.E. Tianjin University, CHINA, 2008 M.S. University of Central
Florida, 2013 “MODE-DIVISION MULTIPLEXED TRANSMISSION IN FEW-
MODE FIBERS”.
48
Phụ Lục
load …\TM0_WL_work\results\TM0_WL_bp_mon_1_last.dat;
lambda=TM0_WL_bp_mon_1_last(:,1);
P_mode0_mon1_out=TM0_WL_bp_mon_1_last(:,2);
load ...\TM1_WL_work\results\TM1_WL_bp_mon_3_last.dat;
ILmode0=10*log10(P_mode0_mon1_out);
CrTmode0=-10*log10(P_mode0_mon1_out./P_mode1_mon1_out+P_mode2_mon1_out);
subplot(2,1,1)
plot(lambda,CrTmode0,'-rd');
hold on;
plot(lambda,CrTmode1,'-gv');
hold on;
plot(lambda,CrTmode2,'-m^');
hold on;
axis([1.5, 1.6,-50, -10])
axis on
xlabel('Wavelength \lambda (\mu m)')
ylabel('Crosstalk,CrT (dB)')
legend ('Crt-TM0','Crt-TM1','Crt-TM2')
subplot(2,1,2)
plot(lambda,ILmode0,'-bo');
hold on;
plot(lambda,ILmode1,'-y*');
hold on;
plot(lambda,ILmode2,'-ks');
hold on;
axis([1.5, 1.6, -3, 0])
axis on
xlabel('Wavelength \lambda (\mu m)')
ylabel('Inserition Loss, I.L(dB)')
legend ('I.L-TM0','I.L-TM1','I.L-TM2')
load ...\TM0_W0_work\results\TM0_W0_bp_mon_1_last.dat;
lambda=TM0_W0_bp_mon_1_last(:,1);
P_mode0_mon1_out=TM0_W0_bp_mon_1_last(:,2);
subplot(2,1,1);
hold on;
hold on;
hold on;
xlabel('Width tolerance \Delta Wo(\mum)');
ylabel('Crosstalk,CrT (dB)');
legend ('Crt-TM0','Crt-TM1','Crt-TM2');
subplot(2,1,2);
hold on;
hold on;
hold on;
xlabel('Width tolerance \Delta Wo(\mum)');
ylabel('Inserition Loss, I.L(dB)');
legend ('I.L-TM0','I.L-TM1','I.L-TM2');
load ...\TM0_Lmmi_work\results\TM0_Lmmi_bp_mon_1_last.dat;
lambda=TM0_Lmmi_bp_mon_1_last(:,1);
P_mode0_mon1_out=TM0_Lmmi_bp_mon_1_last(:,2);
subplot(2,1,1);
hold on;
hold on;
hold on;
xlabel('Length tolerance \Delta Lmmi(\mum)');
ylabel('Crosstalk,CrT (dB)');
legend ('Crt-TM0','Crt-TM1','Crt-TM2');
subplot(2,1,2);
hold on;
hold on;
hold on;
xlabel('Length tolerance \Delta Lmmi(\mum)');
ylabel('Inserition Loss, I.L(dB)');
legend ('I.L-TM0','I.L-TM1','I.L-TM2');

DATN - Phùng Trần Tra

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

DATN - Phùng Trần Tra

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Nghiên cứu, thiết kế thiết bị tách/ghép mode TM sử dụng bộ giao thoa đa mode MMI,

mode MMI, Y-Junction.

Sinh viên thực hiện: Phùng Trần Tra

NHIỆM VỤ ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP

1. Tên đề tài đồ án:

“Nghiên cứu, thiết kế thiết bị tách/ghép mode sử dụng bộ giao thoa đa

mode MMI, Y-Junction”

3. Các số liệu và dữ liệu ban đầu:

Mô hình bộ tách/ghép mode TM

Đà Nẵng, ngày tháng năm 2019

LỜI NÓI ĐẦU

Đà Nẵng, ngày tháng năm 2019

LỜI CAM ĐOAN

Đà Nẵng, ngày tháng năm 2019

3.5.1.1 Phân tích các mode riêng lẻ…………………………………………...….….23

DANH MỤC HÌNH VẼ

DANH SÁCH CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT

𝐸⃗ Véc tơ cường độ điện trường

𝜓() Trường quang truyền trong ống dẫn sóng

CHỮ VIẾT TẮT:

EIM Effective Index Method Phương pháp chỉ số hiệu

Mode Propagation Phương pháp phân tích

Chương 2: TỔNG QUAN VỀ ỐNG DẪN SÓNG QUANG HỌC.

Hình 1.1 Hệ thống thông tin quang

Hình 1.2 Ghép kênh phân chia theo bước sóng

Hình 1.3: Sơ đồ nguyên lý hệ thống WDM/MDM

1.5. Kết luận chương

Chương 2: ỐNG DẪN SÓNG QUANG HỌC

2.1 Giới thiệu chương

Ở đây, 𝐸⃗ là véc tơ cường độ điện trường, 𝐻

2.3 Các mode lan truyền trong ống dẫn sóng

Hình 2. 2: (a) Ống dẫn sóng chiết suất phân bậc

2.5 Kết luận chương

Điều kiện hình thành sóng đứng [13]:

𝜓(𝑥, 0) = ∑ 𝑐𝑣 𝜓𝑣 (𝑥) (3.8)

∫ 𝜓(𝑥, 0)𝜑𝑣 (𝑥)𝑑𝑥

𝜓(𝑥, 𝑧) = ∑ 𝑐𝑣 𝜑𝑣 (𝑥)[𝑗(𝜔𝑡 − 𝛽𝑣 𝑧)] (3.10)

𝜓(𝑥, 𝑧) = ∑ 𝑐𝑣 𝜑𝑣 (𝑥)[𝑗(𝛽0 − 𝛽𝑣 )𝑧] (3.11)

𝐿 = 𝑝(3𝐿𝜋 ) 𝑣ớ𝑖 𝑝 = 0,1,2 … (3.17)

3.4.2.2 Giao thoa đối xứng

𝛽𝑣2 = 𝑘02 𝑛𝑟2 − 𝑘𝑥𝑣

Sử dụng phương pháp xấp xỉ từng phần, ta có được [3]:

3.4 thể hiện cho trường hợp 𝑁 chẵn và 𝑁 lẻ tương ứng:

- Pha của các nguồn đầu vào.

3.7 Bộ dịch pha Phase Shift

Hình 3.10: Hình dạng của Phase Shift được sử dụng.

uin +1 − uin i 2

Hình 4.1 Bảng thông số thiết lập

Hình 4.2 Cấu trúc ống dẫn sóng Rib/Ridge

4.2 Mô hình và nguyên lí hoạt động

Hình 4.3 Bộ tách/ghép 3 Mode TM

Bảng 4.1 Thông số thiết kế

8 Wtp2 1 Độ rộng tapper giữa

4.3 Kết quả mô phỏng

Hình 4.4 Phát mode 0

Hình 4.5 Phát mode 1

Hình 4.6 Phát mode 2

Trong đó: Pout là công suất tại ngõ ra của thiết bị

You might also like