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    A modo de ejemplo a contnuain precatamae una: ec do preamas dsr sims: Tabla 82, Propumat de iol smc. ‘mde 82 Spice Baral Aetna sera cet crncaD eschoma Creu Sop rode ps Designers Diprace Eagle se0n eDWnxP posses Freer (GEDA Kochi twice Mro-ap Mutsim(EzctoncsWakench) | ORCAD Oregano Pedpad s Pos 123 Po artst PB eogarce Poe Wears Moa Contents 189.1. Transistores bipolares Algal que os ios de ui, los tansistoresipolares se cosyen gracias ala un de serials semicon actors de tipo Py de po. luasiores un component einen dentiesble por fre teminls de cnern que asoman a etrior 2 través de ura de as bases de su eps (Figur 9.1), Estos suelen ear dipustos eines 0 Sei os ves dun tinguloimaginan. ft a gua. Apts de ranstores con dretes ‘cpaaden (Cada uno de estas eins ets uid aun cis semi concorde tipo Po tipo W. De eta fea, os enon !aos co un enal de emis, un terial bas 00 Ae coletr Eigen do tps de tansistres, fos PNP y los NPN. Figur 92 ve mest la disposi dele css enc uo des ipos, as emo su sinbolo eet, (Obserese qu i el wanssr es PNP (PeNet) la Mecha cerrespondient al emisoe se dba hacia deat y si es [NPN (No PeNea) ica ecba se dij hacia fer Figura 9.2. Teanors NPN y PAP La diposcén de fos terminals de un wansisor depend eltipo de encapslado can l qu shay consid Esta E1G} informacion sempre se uate obteer consid as bos Secanctersicas que frit os fbicantes. Bo a Fgura 19.3 4e moestan algunos ejemplos de de se encuentra el ‘emir, a base y el solector de alguns enapuldos de Tom To. ERC CEB Fiera 93. Ejemplos de dliposcin de ermine “deun vas Br el proctso de facade un wansisor NPN, 5 a ‘equ el risa semicondctor correspondiente lenis ‘sté muy coataminado, pro que contend un exces de tare de aes aren consid en evr o emir. {tos poradores de carga (eleerones) ala base. El stl emiconductr dela bate se fabric exremadamentede- {doy con un grado tene de cataminacon fos elec es emiids por el emisor stevie, prétcament en Su tolida est cristal, para acaba drigiéndse al eo Teco, La isin dela ise consti en coaoar dicho {gj de electrones. El cristal semiconductor de eolectr se ibica con um grado de conainaion intemneio y recite ete nome por resoger Tos elecvonesenvndos parel emis 542. Funcionamiento tel transistor Para esuiar el funionamiento del eanssor, nos varios 8 reer exlosivament a po NPN, Actividad experimental 91 | 2) Loz un waste NPN ex elcomptinino onponets dl ented dia, or jen SCOT y monte creat da Figura 94 mee dio LED caer ea see contr esti 8 40 aime el conn po ana la ene 6c neocon 629 V. i | | y { | Bat fend nos pei qe, con la il comin {usp tee angie forma de arin en el Sempo, Som pusden ser sls de a, TV, soi, eps ro obtener [ssa fora de varia ene eri s0- ‘be una coment mayor, pocedene de na fant de al- mentacin, lo que da lgara poder tasfomar sles ies en os ueientemete Tueres pra produce, por ‘ejemplo soi ea un avez, image en un elev, et. (Figura 9.12, Fig 9.12, anstor como amplificade. estado ques a beco pr el ans NPN sual mene vio para el PNP, on la Unica ieencia de gue nel caso de tatsistr PNP I condecin se price ‘tundo se alien une tng negtva ene clear con erpect al enzo yuna tens gualene nega, at ue de inferior valor ala base, con respect al enisor (F 93. Figura 9.13, Potriacioner enn rant PNP. HH 9.21. Sin hideulion del funcionaniento del transistor a ada eate mee! dev tai, vanoe er vou compan ere cea tea yn ato eto igen 9.18 Tb 9.1, Crt ities Figen 9.1, Comporacn etre un cco hdic yn revit con Wanit. El vans es capaz de contol I orn pineal que tue er cole ersr grass a peqe- fiacorensapicada ala base. ‘Sli corers pra base 0 stabi srk a co- lent eno arise yl xc, quedando rani wreneote. ‘Sita coets pore base os garde, caters ent ‘mito elector hace mse, entrant toren satan, ‘Sihaceros varia la pauefi conte apes a be 50 one os valores que poten cre yi sur

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